KR100567550B1 - Pink Light Emitting Diode and Methode for Manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 핑크색 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 분말 에폭시 수지에 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷계 형광체를 혼합하여 제조함으로써 색도도, 피크 에미션 파장 등이 우수한 핑크광 발광 다이오드를 얻는 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a pink light emitting diode, and more particularly, a method of producing a pink light emitting diode having excellent chromaticity, peak emission wavelength, and the like by mixing a garnet-based phosphor having red excitation light emission characteristics with a powder epoxy resin. It is about.

본 발명에 따른 핑크색 발광 다이오드는 반사기를 갖는 리드 프레임 또는 반사컵을 갖는 리드 단자와, 상기 반사기 또는 반사컵의 내부에 도전성 또는 비도전성 접착제로 고정된 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚인 발광 다이오드 칩과, 분말 에폭시 수지에, 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷계 형광체를 소정 비율로 혼합한 혼합 분말을 상기 반사기 또는 반사컵에 채워 120℃ 내지 180℃의 온도로 1 내지 10분 동안 급속 가열·경화시켜 형성한 혼합물 경화부를 포함한다. According to the present invention, a pink light emitting diode includes a lead terminal having a lead frame or a reflecting cup having a reflector, and a light emitting diode having a light emission wavelength of 430 nm to 530 nm fixed with a conductive or nonconductive adhesive inside the reflector or the reflecting cup. And a mixed powder obtained by mixing a garnet-based phosphor having a red excitation light emission property with a powder epoxy resin in a predetermined ratio in a reflector or a reflecting cup and rapidly heating and curing at a temperature of 120 ° C to 180 ° C for 1 to 10 minutes. The formed mixture hardening part is included.

핑크색 발광 다이오드, 가넷계 형광체Pink Light Emitting Diode, Garnet Phosphor

Description

핑크색 발광 다이오드 및 그 제조 방법{Pink Light Emitting Diode and Methode for Manufacturing the same}Pink light emitting diode and method for manufacturing the same

도 1은 본 발명에 따른 탑형 핑크 발광 다이오드 구조를 개략적으로 도시한 종단면도;1 is a longitudinal sectional view schematically showing a tower pink light emitting diode structure according to the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 램프형 핑크 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 종단면도;2 is a longitudinal sectional view schematically showing a lamp-type pink light emitting diode according to the present invention;

도 3은 460㎚의 파장을 흡수하여 여기발광 되는 Cr3+의 스펙트럼;3 is a spectrum of Cr 3+ that is excited by absorbing a wavelength of 460 nm;

도 4는 CIE 색도 좌표. 4 is a CIE chromaticity coordinate.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

1 : 발광 다이오드 10 : 리드 프레임1: light emitting diode 10: lead frame

11 : 전극 30 : 발광 다이오드 칩11 electrode 30 light emitting diode chip

12 : 반사기 20a, 20b : 리드 단자12: reflector 20a, 20b: lead terminal

21 : 반사컵 50 : 형광체21: reflection cup 50: phosphor

본 발명은 핑크색 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 분말 에폭시 수지에 가넷계 형광체를 혼합함으로써 색도도, 피크 에미션 파장 등을 향상시킨 핑크 발광 다이오드에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pink light emitting diode, and more particularly, to a pink light emitting diode in which chromaticity, peak emission wavelength, and the like are improved by mixing garnet-based phosphors with a powder epoxy resin.

일반적으로, 핑크색 발광 다이오드는 일본국 스미토모덴키고교 가부시키가이시에 의해 출원된 대한민국 특허출원번호 제 1999-0027851호 및 제 1999-0030713호에 제시된 것과 같이, ZnSe 기판에 황색-적색의 자기 여기 발광용 불순물을 도프하여 제작된다. In general, pink light emitting diodes exhibit yellow-red self-excited light emission on ZnSe substrates, as shown in Korean Patent Application Nos. 1999-0027851 and 1999-0030713, filed by Sumitomo Denki Kogakushi, Japan. It is produced by doping the impurities.

상기 발광 다이오드는 활성층이 증착되는 기판 특히, ZnSe 기판에 발광 중심으로서 요드, 알루미늄, 염소, 브롬, 갈륨, 인듐과 같은 불순물을 도프하여, 상기 기판위에 n형 버퍼층, n형 피복층, 활성층, p형 피복층, p형 콘택트 층을 에피택셜 성장시킨 것이다. The light emitting diode is doped with impurities such as iodine, aluminum, chlorine, bromine, gallium, and indium as a light emitting center on a substrate on which an active layer is deposited, particularly a ZnSe substrate, and an n-type buffer layer, an n-type coating layer, an active layer, and a p-type layer on the substrate. The coating layer and the p-type contact layer were epitaxially grown.

따라서, 발광 다이오드는 활성층에서 방출된 일부의 청색광이 기판에 도프된 불순물인, 형광체에 흡수되어 적색으로 여기 발광되고, 적색 파장에 이르는 가시광선으로 발광 파장이 변환된 변환광과 일부의 청색광이 조합되어 핑크광이 형성된다. Therefore, the light emitting diode combines a part of blue light with a part of blue light emitted from an active layer, which is absorbed by a phosphor, which is an impurity doped in a substrate, is excited with red light, and converted into a visible light reaching a red wavelength. Pink light is formed.

그러나, 종래 핑크 발광 다이오드는 기판에 형광체를 도프시켜야 하기 때문에, 별도의 기판 가공 기술이 요구되고 별도의 공정 장치들을 설치하여야 하므로 다이오드의 제작비용이 증가된다.However, in the conventional pink light emitting diode, since the phosphor must be doped on the substrate, a separate substrate processing technique is required and separate processing apparatuses must be installed, thereby increasing the manufacturing cost of the diode.

또한, 기판들마다 특정의 여기 발광 특성을 갖는 불순물이 도포되어 발광 다이오드의 특정 색상 구현시 지정된 기판만을 사용하여야 하므로 기판의 취급이 용 이하지 않으며, 기판의 호환성이 저하된다. In addition, since impurities having specific excitation light emission characteristics are applied to each of the substrates, only a designated substrate should be used when implementing a specific color of the light emitting diode, so handling of the substrate is not easy, and compatibility of the substrate is degraded.

또, 기판에 형광체가 균일하게 도프되지 않은 경우, 각각의 LED 뿐만 아니라 개별 LED에서도 색이 분산(scaterring)되는 등의 문제점이 발생하고, 상기 기판들을 모두 파기하여야 하므로 작업공수가 저하된다. In addition, when phosphors are not uniformly doped to the substrate, problems such as color scattering occur not only in each LED but also in individual LEDs.

상기한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은, 분말 에폭시 수지에 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷 계열의 형광체를 소정 비율로 혼합한 혼합 분말을 반사기 또는 반사컵 내에 채워 급속 경화시킴으로써, 핑크 발광 다이오드의 색도도 및 피크 에미션 등을 향상시키는데 있다. In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a pink light emitting diode by rapidly curing a mixed powder obtained by mixing a garnet-based phosphor having a red excitation light emission property with a powder epoxy resin in a reflector or a reflecting cup. To improve chromaticity, peak emission and the like.

더 나아가, 본 발명의 또 다른 목적은, 분말 에폭시 수지와 형광체의 혼합 분말을 이용하여 몰딩 성형부를 형성하여 형광체가 균일하게 몰딩 성형부내에 분포되도록 함으로써, 핑크 발광 다이오드의 휘도를 향상시키고, 제품 수율을 증가시키는데 있다. Furthermore, another object of the present invention is to form a molding molded part using a mixed powder of a powder epoxy resin and a phosphor so that the phosphor is uniformly distributed in the molded molding part, thereby improving the brightness of the pink light emitting diode and product yield To increase.

더 나아가, 본 발명의 다른 목적은, 형광체를 별도로 기판에 도프하는 공정을 생략하여 핑크 발광 다이오드의 제작 공정을 단순화시키는데 있다. Furthermore, another object of the present invention is to simplify the manufacturing process of the pink light emitting diode by omitting the process of doping the phosphor separately on the substrate.

이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드 제조 방법은 반사기를 갖는 리드 프레임 또는 반사컵을 갖는 리드 단자 상에 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚인 발광 다이오드 칩을 도전성 또는 비도전성 접착제로 접착 고정하는 단계와; 분말 에폭시 수지에, 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷계 형광체를 소정 비율로 혼합한 혼합 분말을 상기 반사기 또는 반사컵에 채우는 단계와; 상 기 혼합 분말이 급속 가열 경화되도록 상기 리드 프레임 또는 리드 단자를 120℃ 내지 180℃의 온도로 1 내지 10분 동안 가열하는 단계; 로 이루어진다. In order to achieve this object, a method of manufacturing a pink light emitting diode according to the present invention uses a light emitting diode chip having a light emission wavelength of 430 nm to 530 nm on a lead frame having a reflector or a lead terminal having a reflecting cup with a conductive or nonconductive adhesive. Adhesive fixing; Filling the reflector or the reflecting cup with a mixed powder obtained by mixing a powder epoxy resin with a garnet-based phosphor having a red excitation light emission property at a predetermined ratio; Heating the lead frame or lead terminal to a temperature of 120 ° C. to 180 ° C. for 1 to 10 minutes to rapidly heat-cure the mixed powder; Is made of.

바람직하게, 형광체는 Y, Gd로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소와, Al, Ga로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 Cr3+으로 활성된 가넷계 형광체이고, 일반식은 (Y1-pGdp)3(Al1-x-yGa xCry)5O12 로 표시되고, 단, 0≤p≤0.9, 0≤x≤0.99, 0.001≤y≤0.1이다 Preferably, the phosphor is a garnet-based phosphor activated with Cr 3+ containing at least one element selected from the group consisting of Y and Gd, and at least one element selected from the group consisting of Al and Ga, wherein the general formula is (Y 1 -p Gd p ) 3 (Al 1-xy Ga x Cr y ) 5 O 12, where 0 ≦ p ≦ 0.9, 0 ≦ x ≦ 0.99, and 0.001 ≦ y ≦ 0.1

보다 바람직하게, 형광체는 상기 분말 에폭시 수지에 대하여 3wt％-50wt％사이의 범위로 혼합된다. More preferably, the phosphor is mixed in the range of 3wt% -50wt% with respect to the powder epoxy resin.

본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드는 하기에서 첨부도면을 참조하여 상세히 설명된다. Pink light emitting diode according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 탑형 핑크 발광 다이오드 구조를 개략적으로 도시한 종단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 램프형 핑크 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 종단면도이며, 도 3은 460㎚의 파장을 흡수하여 여기발광 되는 Cr3+의 스펙트럼, 도 4는 CIE색도 좌표이다. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing a top pink light emitting diode structure according to the present invention, Figure 2 is a longitudinal sectional view schematically showing a lamp type pink light emitting diode according to the present invention, Figure 3 is a wavelength of 460nm The spectrum of Cr 3+ absorbed and excited by luminescence, FIG. 4 is a CIE chromaticity coordinate.

본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드는 도 1 및 도 2에서 도시된 바와 같이, 반사컵을 갖는 리드 프레임과, 상기 반사기내에 실장되고 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚인 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 파장을 흡수하여 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷계 형광체를 분말 에폭시 수지에 소정 비율로 혼합한 혼합 분말을 상기 반사기 또는 반사컵에 채워 120℃ 내지 180℃의 온도로 1 내지 10분 동안 급속 가열 경화시켜 형성한 혼합물 경화부를 갖는다.1 and 2, the pink light emitting diode according to the present invention includes a lead frame having a reflecting cup, a light emitting diode chip mounted in the reflector and having an emission wavelength of 430 nm to 530 nm, and the emission wavelength. A mixed powder obtained by absorbing and mixing a garnet-based phosphor having a red excitation emission property with a powder epoxy resin in a predetermined ratio is filled into the reflector or a reflecting cup and formed by rapid heat curing at a temperature of 120 ° C. to 180 ° C. for 1 to 10 minutes. It has a mixture hardening part.

본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드 제조 방법은 반사기를 갖는 리드 프레임 또는 반사컵을 갖는 리드 단자 상에 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚인 발광 다이오드 칩을 도전성 또는 비도전성 접착제로 접착 고정하는 단계와; 분말 에폭시 수지에, 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷계 형광체를 소정 비율로 혼합한 혼합 분말을 상기 반사기 또는 반사컵에 채우는 단계와; 상기 혼합 분말이 급속 가열 경화되도록 상기 리드 프레임 또는 리드 단자를 120℃ 내지 180℃의 온도로 1 내지 10분 동안 가열하는 단계;로 이루어진다. The method of manufacturing a pink light emitting diode according to the present invention comprises the steps of: adhesively fixing a light emitting diode chip having a light emission wavelength of 430 nm to 530 nm on a lead frame having a reflector or a lead terminal having a reflecting cup with a conductive or nonconductive adhesive; Filling the reflector or the reflecting cup with a mixed powder obtained by mixing a powder epoxy resin with a garnet-based phosphor having a red excitation light emission property at a predetermined ratio; Heating the lead frame or the lead terminal to a temperature of 120 ° C. to 180 ° C. for 1 to 10 minutes so that the mixed powder is rapidly heated and cured.

이 때, 상기 형광체는 가넷(Garnet)계 형광체(50)로서, Y, Gd로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소와, Al, Ga로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고 Cr3+으로 활성된다. In this case, the phosphor is a garnet-based phosphor 50, and includes at least one element selected from the group consisting of Y and Gd, and at least one element selected from the group consisting of Al and Ga, and is Cr 3+ . Is activated.

상기 형광체의 일반식은 (Y1-pGdp)3(Al1-x-yGaxCr y)5O12 로 표시될 수 있고, 0≤p≤0.9, 0≤x≤0.99, 0.001≤y≤0.1이고, 바람직하게 p≒0.2, x≒0.001, y≒0.005이다. The general formula of the phosphor may be represented by (Y 1-p Gd p ) 3 (Al 1-xy Ga x Cr y ) 5 O 12, and 0 ≦ p ≦ 0.9, 0 ≦ x ≦ 0.99, 0.001 ≦ y ≦ 0.1 And preferably p ≒ 0.2, x ≒ 0.001, and y ≒ 0.005.

상기 가넷계 형광체는 430㎚-530㎚의 파장을 흡수하여 580㎚-720㎚ 파장의 적색으로 여기 발광되고, 도 4의 CIE 색도 좌표상에서 x= 0.5806, y= 0.2894의 좌표값을 갖는 인광 물질이다. The garnet-based phosphor absorbs a wavelength of 430 nm to 530 nm, is excited to emit red light at a wavelength of 580 nm to 720 nm, and is a phosphor having a coordinate value of x = 0.5806 and y = 0.2894 on the CIE chromaticity coordinate of FIG. 4. .

예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 도 3에서 도시된 바와 같이, 460㎚파장의 광을 흡수하는 경우, 그 피크치의 파장은 712㎚의 영역이고, 상기 가넷계 형광체에 의해 발광 다이오드 칩(30)에서 발광된 광은 장파장으로의 쉬프트가 이루어져 충분한 적색광을 나타낸다. For example, when the garnet-based phosphor absorbs light having a wavelength of 460 nm, as shown in FIG. 3, the peak wavelength is in the region of 712 nm, and the light emitting diode chip 30 is formed by the garnet-based phosphor. The light emitted from s is shifted to a long wavelength and exhibits sufficient red light.

만약 적절하다면, 활성제로 쓰이는 Cr3+이온 외에, 소량의 다른 첨가물, 특히 빛의 강도를 높일 수 있는 Li 이온, Ce 이온, B 이온 등을 소정 비율로 추가할 수도 있다. If appropriate, in addition to Cr 3+ ions used as the activator, a small amount of other additives, in particular Li ions, Ce ions, B ions, etc., which can increase the intensity of light, may be added at a predetermined ratio.

이와 같은 형광체(50)는 Y원소를 포함하는 물질과, Al원소를 포함하는 물질과, Y의 격자 위치에 대신 들어가 격자를 완성시키는 Gd와, Al을 치환하는 Ga, Cr 소정 몰량만큼 혼합되도록 상기 물질을 포함하고, BaF, NH4F등의 융제와 함께 잘 혼합한 후, 1300℃내지 1800℃의 고온도에서 하에서 바람직하게, 2시간에서 5시간동안 가열하여 반응시키면, 단일 격자를 갖는 상기 형광체가 생산된다.The phosphor 50 is mixed with a material containing the Y element, a material containing the Al element, Gd to enter the lattice position of Y to complete the lattice, and a predetermined molar amount of Ga and Cr to substitute Al. The substance, and mixed well with a flux such as BaF, NH 4 F, and then reacted by heating at a high temperature of 1300 ° C to 1800 ° C, preferably for 2 to 5 hours, the phosphor having a single lattice Is produced.

이에 따라, 도 4의 국제조명위원회 (CIE : , Commission International de l’Eclairage)에서 규정한 색도 좌표에서 보여지는 바와 같이, 방출 파장이 약 460㎚의 청색은 CIE좌표 상에서 A점에 위치되고, 상기 파장을 갖는 일부의 청색광은 상기와 같은 형광체에 흡수되어 형광체에 2.64eV를 제공하므로 형광체의 에너지 준위가 상승되었다가 하락하면서 방출되는 적색광이 방출된다. Accordingly, as shown by the chromaticity coordinates defined by the Commission International de l'Eclairage (CIE) of FIG. 4, blue with an emission wavelength of about 460 nm is positioned at point A on the CIE coordinates. Some of the blue light having the wavelength is absorbed by the above-described phosphor to provide 2.64 eV to the phosphor, so that the red light emitted as the energy level of the phosphor rises and falls.

상기 파장변환된 적색광의 좌표는 712nm의 장파장 영역에 위치하는 B점을 나타낸다. The coordinates of the wavelength-converted red light indicate point B located in a long wavelength region of 712 nm.

이 때, 상기 색도 좌표에서 오른편 꼭지점은 약 700nm의 단색광이고 파장이 짧아짐에 따라 윗 방향으로의 가장자리 곡선을 따라가서 400nm의 단색광이 되면 x축과 붙어 있는 꼭지점에 이른다. At this time, the right vertex in the chromaticity coordinates is about 700 nm of monochromatic light, and as the wavelength becomes shorter, it follows the edge curve in the upward direction and reaches a vertex attached to the x-axis when the monochromatic light is 400 nm.

따라서, 청색광과 적색광인 단색광들이 합성된 복합광은 상기 CIE좌표 상에서, 두 지점을 가중 평균한 지점, 즉 두 지점을 이어준 선상에 놓이게 된다. Therefore, the composite light in which the monochromatic light, which is the blue light and the red light, is synthesized is placed on the CIE coordinate on a weighted average of two points, that is, a line connecting two points.

상기 A점과 B점을 연결하는 중간에 위치되는 파장대가 적색광과 청색광을 더해서 혼합한 색의 색좌표가 되며, 이는 A와 B의 두 빛을 혼합하면 이들 밝기의 비로 가중 평균한 지점의 색이 된다는 Grassman의 색채 제 2 법칙에 따른 것이다. The wavelength band located in the middle connecting the A point and the B point becomes the color coordinate of the color mixed with the addition of the red light and the blue light. When the two lights of A and B are mixed, they become the color of the weighted average point by the ratio of these brightnesses. Grassman's second law of color.

이에 따라, 사람의 눈에는 적색과 청색의 중간에 위치한 파장대 즉, 핑크색광이 본 발명에 따른 발광 다이오드로부터 방출되는 것과 같이 보여지는 것이다. Accordingly, in the human eye, the wavelength band located between the red and the blue, that is, pink light, is seen as emitted from the light emitting diode according to the present invention.

본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 따라, 탑형 핑크 발광 다이오드(1)는 하기와 같은 방법으로 제조된다. According to a preferred embodiment of the present invention, the tower pink light emitting diode 1 is manufactured by the following method.

박막 패턴이 형성된 주면에 반사기(12)를 갖는 리드 프레임(10)에 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚까지인 청색 발광 다이오드 칩(30)을 실장한다.The blue light emitting diode chip 30 having an emission wavelength of 430 nm to 530 nm is mounted on the lead frame 10 having the reflector 12 on the main surface on which the thin film pattern is formed.

상기 반사기(12)는 박막 패턴의 증착으로 형성된 리드 프레임의 정·부 극성(11)을 에워싸는 일정 두께의 내벽을 갖는 다면체이고, 플라스틱 수지 또는 세라믹 등으로 형성된다. The reflector 12 is a polyhedron having an inner wall of a predetermined thickness surrounding the positive and negative polarity 11 of the lead frame formed by the deposition of a thin film pattern, and is formed of a plastic resin or a ceramic.

그리고, 상기 반사기(12)의 내측벽은 발광 다이오드 칩(30)에서 방출되는 빛을 전반사하기 위하여 다소 경사지게 형성되거나 백색으로 도장되거나 또는 금속으로 증착되거나 또는 다른 형태의 반사기가 내부에 설치될 수도 있다. In addition, the inner wall of the reflector 12 may be formed to be slightly inclined, painted in white, deposited in metal, or provided with a reflector of another type in order to totally reflect the light emitted from the LED chip 30. .

상기 청색 발광 다이오드 칩(30)은 도전성 또는 비도전성 접착제에 의해 전 극상(11)에 고정되고, 칩을 실장한 리드 프레임(10)은 접착제가 경화되도록 특성에 맞는 온도 조건하에서, 예를 들어 100℃ 내지 150℃의 온도로 30분 내지 1시간 정도 방치한다. The blue light emitting diode chip 30 is fixed to the electric pole 11 by a conductive or nonconductive adhesive, and the lead frame 10 having the chip mounted thereon is under a temperature condition suitable for characteristics such that the adhesive is cured, for example, 100 It is left to stand for 30 minutes-about 1 hour at the temperature of 150 to 150 degreeC.

상기 전극(11)과 발광 다이오드 칩(30)이 전기적으로 연결되도록 결합수단으로 본딩한 후, 가넷계 형광체(50)가 혼합된 분말 에폭시 수지를 분사 장치를 통해 상기 반사기(12) 내부에 소정량 충진한다.After bonding the bonding means to electrically connect the electrode 11 and the LED chip 30, a predetermined amount of powder epoxy resin mixed with a garnet-based phosphor 50 is injected into the reflector 12 through a spraying device. Fill.

이 때, 상기 가넷계 형광체(50)는 에폭시 수지에 중량당 3％ 내지 50％로 혼합된다. At this time, the garnet-based phosphor 50 is mixed in 3% to 50% by weight of the epoxy resin.

한편, 상기 분사 장치(미도시)는 규칙적으로 행과 열의 방식으로 소정 위치에 입력 물질을 주사하는 디스펜서로서, 분말 에폭시 수지를 담을 수 있는 유·고압 실린더와, 상기 에폭시의 분사 압력을 조절하는 압력 장치와, 상기 분사 압력을 감지하는 압력 감지 센서(미도시)등으로 이루어져 있다. On the other hand, the injection device (not shown) is a dispenser for injecting the input material at a predetermined position in a regular manner in a row and column, an oil-high pressure cylinder that can contain a powder epoxy resin, and a pressure for adjusting the injection pressure of the epoxy Device and a pressure sensing sensor (not shown) for sensing the injection pressure.

이후, 리드 프레임(10)을 120℃내지 180℃의 온도로 1 내지 10분 동안 가열하면, 분말 상태의 에폭시 수지가 단시간에 융해 경화되고, 에폭시 수지에 분포된 형광체(50)는 아래쪽으로 침전되지 않고 함께 경화되어 경화부(40)를 형성한다. Thereafter, when the lead frame 10 is heated at a temperature of 120 ° C. to 180 ° C. for 1 to 10 minutes, the epoxy resin in a powder state is melted and cured in a short time, and the phosphor 50 distributed in the epoxy resin is not precipitated downward. Together to form a hardened portion 40.

이와 같은 방법으로 경화부(40)가 형성된 리드 프레임(10)은 2차 경화를 위하여, 소정 온도로 가열된 오븐(미도시)내에 삽입되어진다.  In this manner, the lead frame 10 having the hardened portion 40 formed therein is inserted into an oven (not shown) heated to a predetermined temperature for secondary curing.

이후, 상기 리드 프레임(10)을 절단 수단을 이용하여 개별 발광 다이오드로 분리한다. Thereafter, the lead frame 10 is separated into individual light emitting diodes using cutting means.

한편, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따라, 램프형 핑크 발광 다이오드 의 제조방법은 하기와 같다. On the other hand, according to a preferred embodiment of the present invention, the manufacturing method of the lamp type pink light emitting diode is as follows.

램프형 발광 다이오드(1)는 선단에 광반사용 반사컵(21)을 가진 제 1 리드 단자(20a)와, 상기 제 1리드 단자(20a)와 소정 간격 이격된 제 2리드 단자(20b)를 포함한다. The lamp type light emitting diode 1 includes a first lead terminal 20a having a light reflecting reflection cup 21 at its tip, and a second lead terminal 20b spaced apart from the first lead terminal 20a by a predetermined distance. do.

램프형 발광 다이오드(1)는 상기에서 설명된 방법과 동일한 방법으로 상기 발광 다이오드 칩(30)이 실장된 리드 단자(20a)의 반사컵 내부에 경화부(40)를 형성하고, 상기 리드 단자의 선단부를 성형용 틀(미도시)을 이용하여 외주 몰딩부(60)를 형성하는 단계가 더 포함된다.The lamp type LED 1 forms a hardened portion 40 in the reflection cup of the lead terminal 20a on which the LED chip 30 is mounted, in the same manner as the method described above. The front end portion further comprises the step of forming the outer molding portion 60 by using a molding frame (not shown).

이 때, 색변환을 위하여 상기 발광 다이오드 칩(30)으로부터 방출되는 광에 의해 여기 발광되는 형광 안료(50)는 리드 단자(20a)의 상단부에 형성된 반사컵(21) 내부에만 도포되고, 외주 몰딩부(60)는 발광 다이오드 칩(30)에서 방출된 빛의 투과율을 향상시키기 위해 에폭시 수지가 사용된다. At this time, the fluorescent pigment 50, which is excited by the light emitted from the light emitting diode chip 30 for color conversion, is applied only to the inside of the reflective cup 21 formed at the upper end of the lead terminal 20a, and the outer peripheral molding. The unit 60 is an epoxy resin is used to improve the transmittance of the light emitted from the light emitting diode chip 30.

상기 공정에서, 가넷계 형광체가 분포시켜 경화부(40)를 형성한 리드 단자(20a, 20b)를 180°회전시켜 리드 단자의 상단부를 성형용 틀에 삽입한 후, 상기 성형용 틀을 소정 온도로 가열하여 경화시킨다. In the above process, the lead terminals 20a and 20b in which the garnet-based phosphor is distributed to form the hardened portion 40 are rotated by 180 ° to insert the upper end of the lead terminal into the mold for molding, and then the mold for molding is Heated to harden.

상기 성형용 틀은 몰드 성형부의 요구 형상에 따라 다양한 형태로 그 내부가 형성될 수 있고, 그 내부에는 에폭시 수지, 바람직하게는 투명 몰딩용 분말 에폭시 수지가 삽입되어 있다. The mold for forming may be formed in various forms according to the required shape of the mold molding part, and an epoxy resin, preferably a powder epoxy resin for transparent molding, is inserted therein.

소정 온도의 오븐에 상기 리드 단자(20a, 20b)를 삽입하여 상기 에폭시를 소정 시간동안 경화시킨 후, 개별 발광 다이오드로 분리한다. The lead terminals 20a and 20b are inserted into an oven at a predetermined temperature to cure the epoxy for a predetermined time, and then separated into individual light emitting diodes.

이와 같은 과정을 통해 형성된 핑크 발광 다이오드(1)에 있어서, 전류가 인가되어 청색 발광 다이오드 칩(30)으로부터 단파장의 청색광이 방출되면, 일부의 빛은 경화부(40)를 그대로 통과하고, 일부의 빛은 가넷계 형광체(50)에 흡수되어 장파장의 적색으로 파장 변환되어, 상기 청색광과 적색광의 중간색인 핑크색광이 발현된다.In the pink light emitting diode 1 formed through the above process, when a current is applied to emit blue light having a short wavelength from the blue light emitting diode chip 30, some of the light passes through the curing unit 40 as it is, The light is absorbed by the garnet-based phosphor 50 and wavelength-converted into a long wavelength red color to express pink light, which is an intermediate color between the blue light and the red light.

이 때, 급속 경화로 인하여 미립자인 형광체(50)가 에폭시 수지에 균일하게 분산되어 있으므로 발광 다이오드 칩(30)에서 발광되는 빛이 형광체에 균일하게 흡수되어 여기 발광되므로 색의 얼룩이 감소된다. At this time, since the phosphor 50 as the fine particles is uniformly dispersed in the epoxy resin due to rapid curing, light emitted from the light emitting diode chip 30 is uniformly absorbed by the phosphor and excited to emit light, thereby reducing color unevenness.

또한, 미세한 분말 형태의 에폭시 수지에 형광체가 소정 비율로 혼합된 혼합분말을 발광 다이오드 칩상부에 도막할 수 있기 때문에 색의 재현성뿐만 아니라 생산성과 전기적 특성 관리 등의 효율이 향상된다. In addition, since a mixed powder in which phosphors are mixed with a fine powder-type epoxy resin in a predetermined ratio can be coated on the light emitting diode chip, not only color reproducibility but also productivity and electrical property management efficiency are improved.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드는 분말 상태의 에폭시와 형광체를 발광 다이오드 칩상부에 분사한 후, 급속 경화시켜 경화부를 형성하므로 형광체가 균일하게 경화부내에 분산되어 발광 다이오드 칩에서 발광되는 칩이 형광체에 균일하게 여기 발광되므로 발광 다이오드의 색의 얼룩이 감소된다. As described above, the pink light emitting diode according to the present invention sprays the epoxy and the phosphor in the powder state on the light emitting diode chip, and then rapidly hardens to form a hardened portion. Since the chip that emits light is uniformly excited on the phosphor, color unevenness of the light emitting diode is reduced.

또한, 분말 상태의 에폭시 수지에 형광체가 균일하게 혼합되어 급속 경화되기 때문에 개별 발광 다이오드뿐만 아니라, 1회 제품 생산품에서 생산되는 발광 다이오드들마다 그 핑크색광이 균일하게 발광되므로 제품 공급 수율 및, 발광 휘도가 향상된다. In addition, since the phosphor is uniformly mixed and rapidly cured in the epoxy resin in a powder state, the pink light is uniformly emitted not only for individual light emitting diodes but also for light emitting diodes produced in a single product product. Is improved.

그리고, 고체 상태의 에폭시 수지를 사용하기 때문에 액상의 에폭시 수지와 달리 에폭시 수용기, 돌출턱과 같은 가이드 등을 설치할 필요가 없으므로 그 공정이 단순화된다. In addition, since the epoxy resin in the solid state is used, unlike the liquid epoxy resin, there is no need to install an epoxy receptor, a guide such as a protrusion, and the process is simplified.

또한, 기판에 형광 중심인 불순물을 도프하는 별도의 공정이 필요하지 않으므로 제작비용이 감소된다.




In addition, since a separate process of doping the impurity that is the center of fluorescence in the substrate is not necessary, the manufacturing cost is reduced.




Claims (6)

반사기를 갖는 리드 프레임 또는 반사컵을 갖는 리드 단자 상에 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚인 발광 다이오드 칩을 도전성 또는 비도전성 접착제로 접착 고정하는 단계와;Adhesively fixing a light emitting diode chip having a light emission wavelength of 430 nm to 530 nm on a lead frame having a reflector or a lead terminal having a reflecting cup with a conductive or nonconductive adhesive; 분말 에폭시 수지에, 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷계 형광체를 소정 비율로 혼합한 혼합 분말을 상기 반사기 또는 반사컵에 채우는 단계와;Filling the reflector or the reflecting cup with a mixed powder obtained by mixing a powder epoxy resin with a garnet-based phosphor having a red excitation light emission property at a predetermined ratio; 상기 혼합 분말이 급속 가열 경화되도록 상기 리드 프레임 또는 리드 단자를 120℃내지 180℃의 온도로 1 내지 10분 동안 가열하는 단계;로 이루어진 핑크 발광 다이오드 제조 방법.And heating the lead frame or lead terminal at a temperature of 120 ° C. to 180 ° C. for 1 to 10 minutes so that the mixed powder is rapidly heated and cured. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 형광체는 상기 분말 에폭시 수지에 대하여 3wt％-50wt％사이의 범위로 혼합되는 것을 특징으로 하는 핑크 발광 다이오드 제조 방법.The phosphor is mixed with the powder epoxy resin in the range of 3wt% -50wt%, characterized in that the pink light emitting diode manufacturing method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 형광체는 Y, Gd로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소와, Al, Ga로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 Cr3+으로 활성된 가넷계 형광체인 것을 특징으로 하는 핑크 발광 다이오드 제조 방법. The phosphor is a garnet-based phosphor activated by Cr 3+ including at least one element selected from the group consisting of Y and Gd, and at least one element selected from the group consisting of Al and Ga. Way. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 형광체의 일반식은 (Y1-pGdp)3(Al1-x-yGaxCr y)5O12 이고, 단, 0≤p≤0.9, 0≤x≤0.99, 0.001≤y≤0.1인 것을 특징으로 하는 핑크 발광 다이오드 제조 방법.The general formula of the phosphor is (Y 1-p Gd p ) 3 (Al 1-xy Ga x Cr y ) 5 O 12 , except that 0 ≦ p ≦ 0.9, 0 ≦ x ≦ 0.99, and 0.001 ≦ y ≦ 0.1. A pink light emitting diode manufacturing method characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 분말 에폭시 수지를 이용하여 상기 반사컵을 갖는 리드 단자의 선단부를 봉지하는 외주 몰딩부를 형성하는 단계를 더 포함하는 핑크 발광 다이오드 제조 방법.The method of manufacturing a pink light emitting diode further comprising the step of forming an outer circumferential molding portion encapsulating a tip portion of the lead terminal having the reflective cup using a powder epoxy resin. 반사기를 갖는 리드 프레임 또는 반사컵을 갖는 리드 단자와,A lead terminal having a lead frame or a reflecting cup having a reflector, 상기 반사기 또는 반사컵의 내부에 도전성 또는 비도전성 접착제로 고정된 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚인 발광 다이오드 칩과;A light emitting diode chip having a light emission wavelength of 430 nm to 530 nm fixed in the reflector or the reflecting cup by a conductive or nonconductive adhesive; 분말 에폭시 수지에, 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷계 형광체를 소정 비율로 혼합한 혼합 분말을 상기 반사기 또는 반사컵에 채워 120℃내지 180℃의 온도로 1 내지 10분 동안 급속 가열 경화시켜 형성한 혼합물 경화부를 갖는 핑크 발광 다이오드.A mixture formed by mixing a powder powder of a garnet-based phosphor having a red excitation emission property in a predetermined ratio with a powder epoxy resin in the reflector or a reflecting cup and rapidly heating and curing at a temperature of 120 ° C to 180 ° C for 1 to 10 minutes. Pink light emitting diode having a hardened portion.
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