KR100560109B1 - Method for the preparation of polyamic acid and polyimide - Google Patents

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    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors

Abstract

본 발명은 폴리머의 내열성 및 기계적 물성을 유지하면서 고온에서의 흐름성을 개선하여 고온접착제 용도나 또는 내열성 필름의 재료로서 우수한 특성을 나타내는 3차원 구조의 폴리아미드산 및 폴리이미드의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing polyamic acid and polyimide having a three-dimensional structure that exhibits excellent properties as a material for high temperature adhesives or as a material for heat resistant films by improving flowability at high temperatures while maintaining the heat resistance and mechanical properties of the polymer. .

본 발명은 일반적으로 폴리이미드 제조에 사용되는 원료들인 테트라카르복실산 다이안하이드라이드와 방향족 디아민 외에 화학식(Ⅰ)로 표기되는 실록산구조를 포함하는 디아민과 화학식(Ⅱ) 또는 화학식(Ⅲ)으로 표기되는 폴리아미노 화합물을 반응시켜 폴리아미드산을 제조하고, 아울러 상기 폴리아미드산을 열적이미드화 또는 화학적이미드화에 의하여 폴리이미드를 제조하는 것을 특징으로 한 것이다.The present invention is a diamine comprising a siloxane structure represented by the formula (I) in addition to tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine, which are generally used for the production of polyimide, and is represented by the formula (II) or (III) The polyamino compound is reacted to produce polyamic acid, and the polyamic acid is produced by thermal imidization or chemical imidization.

Description

폴리아미드산 및 폴리이미드의 제조방법{Method for the preparation of polyamic acid and polyimide}Method for preparing polyamic acid and polyimide {Method for the preparation of polyamic acid and polyimide}

본 발명은 내열성 또는 고온 접착 특성이 우수한 폴리이미드의 전구체인 신규 폴리아미드산 및 이를 이용한 폴리이미드의 제조에 관한 것으로, 특히 3차원 네트워크 분자구조(three dimensional network molecular structure)인 폴리아미드산 및 폴리이미드의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the preparation of novel polyamic acids, which are precursors of polyimides having excellent heat resistance or high temperature adhesion properties, and polyimides using the same, and in particular, polyamic acids and polyimides, which are three dimensional network molecular structures, It relates to a manufacturing method of.

테트라카르복실산 다이안하이드라이드와 디아민을 유기용매에 반응시켜 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산을 얻은 후, 열적 또는 화학적으로 이미드화시키는 것이 폴리이미드를 제조하는 일반적인 방법들로 알려져 있다.Reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine with an organic solvent to obtain polyamic acid as a polyimide precursor, followed by thermal or chemical imidization are known as common methods for producing polyimides.

폴리이미드 수지는 내열성, 내화학성, 전기절연성, 기계적 특성 등이 우수하여, 전자재료, 접착제, 코팅, 복합재료, 섬유 및 필름 재료 등의 다양한 용도로 사용되고 있다.Polyimide resins are excellent in heat resistance, chemical resistance, electrical insulation, mechanical properties, and the like, and are used in various applications such as electronic materials, adhesives, coatings, composite materials, fibers, and film materials.

일반적으로 폴리이미드는 이미드환 자체의 강직한 구조뿐 아니라 주사슬의 선형적인 구조로 사슬간의 충전밀도가 커서 우수한 내열 특성을 갖게 된다.In general, the polyimide has not only the rigid structure of the imide ring itself but also the linear structure of the main chain, so that the packing density between the chains is large and thus has excellent heat resistance characteristics.

특히 필름과 같이 내열성이 우수한 용도로 사용되는 폴리이미드의 구조는 주 사슬의 선형적인 구조에 따른 사슬간의 충전밀도에 의존하여 내열 특성이 좌우되며 , 상업적으로 사용되는 폴리이미드 필름들인 캡톤(Kapton), 유피렉스(Upilex) 필름들의 경우는 이러한 구조의 예를 나타낸다. 캡톤의 경우에는 PMDA(Pyromellitic dianhydride)와 ODA(Oxydianiline)의 모노머들로부터 얻어지며, 유피렉스의 경우는 BPDA(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic acid dianhydride)와 PPD(para-Phenylene diamine)의 모노머들로부터 얻어진다. In particular, the structure of the polyimide used for excellent heat resistance, such as film is dependent on the filling density between the chains according to the linear structure of the main chain, the heat resistance characteristics, commercially used polyimide films Kapton (Kapton), The case of Upilex films shows an example of such a structure. In the case of Kapton, it is obtained from monomers of pyromellitic dianhydride (PMDA) and oxygen dianiline (ODA). From monomers.

그러나, 내열성 측면에서 상기와 같은 선형적인 구조로는 기존의 폴리이미드 필름 이상의 내열 특성을 기대하기 힘들며, 분자량을 높여 내열성을 증대시킨다해도 유연성 등의 기계적 물성이 저하되게 된다.However, in terms of heat resistance, the linear structure as described above is difficult to expect the heat resistance characteristics of the conventional polyimide film, and even if the molecular weight is increased to increase heat resistance, mechanical properties such as flexibility are deteriorated.

JP-63 254131에서는 선형적인 구조의 폴리이미드로 내열성을 증대시키기 위해 캡톤 종류의 폴리이미드에 사용된 PMDA와 ODA에 PPD를 일부 첨가 반응시켜 내열성을 증대시키려 하였으나, PPD 함량의 증대에 따라 필름의 기계적 강도가 낮아지므로 PPD 함량의 증대에는 한계가 있으며, 기계적 물성을 유지하면서 내열성만을 올리는데에도 한계가 있다. In JP-63 254131, a polyimide of linear structure was used to increase the heat resistance by partially adding PPD to PMDA and ODA used in Kapton-type polyimide to increase the heat resistance. Since the strength is lowered, there is a limit to the increase in the PPD content, there is also a limit to increase only the heat resistance while maintaining mechanical properties.

USP 5231162에서는 선형적 구조의 폴리이미드의 단점을 보완하고자, 기존의 방향족 디아민에 트리 또는 테트라아민을 도입하여, 선형적 구조를 겔화에 의한 3차원적 구조로서 내열성과 기계적 특성을 동시에 개선하고자하였다. 하지만, 방향족의 테트라카르복실산 다이안하이드라이드와 방향족 디아민만을 사용하기 때문에 필름의 유연성이 부족한 특성이 나타나며, 겔화에 따른 폴리아미드산 및 폴리이미드의 용해도 저하에 따른 가공특성이 낮아지는 단점이 있다.In USP 5231162, in order to compensate for the shortcomings of the polyimide having a linear structure, tri or tetraamine was introduced into the existing aromatic diamine, and the thermal structure and the mechanical properties were simultaneously improved as a three-dimensional structure by gelling the linear structure. However, since only aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine are used, the flexibility of the film is insufficient, and the processing characteristics due to the decrease in the solubility of the polyamic acid and the polyimide due to gelation are lowered.

또한, 접착제로 사용되는 폴리아미드산 및 폴리이미드의 경우에는 고온에서의 접착성을 얻기 위하여 폴리머의 주쇄에 이서기 등을 도입하여 유리전이온도를 낮춤으로써 고온에서의 흐름성을 증대시켜 고온 접착성을 향상시키는 방법이 많이 사용되나, 이 경우는 내열성이 저하하여 고온에서의 공정성면에서 신뢰성이 떨어지는 문제가 있다.In addition, in the case of polyamic acid and polyimide used as an adhesive, in order to obtain adhesiveness at a high temperature, acer group or the like is introduced into the main chain of the polymer to lower the glass transition temperature to increase the flowability at a high temperature and thereby to promote high temperature adhesiveness. Although many methods are used for improving, in this case, there is a problem that the heat resistance is lowered and the reliability is poor in terms of processability at high temperature.

그리고 USP 4847349, USP 5406124등에서는 3개 또는 4개의 페닐링 사이에 2개 이상의 이서기가 도입된 디아민을 이용하여 열가소성 폴리이미드 접착제를 제조하여 고온 흐름성을 개선하였으나, 이 역시 내열성이 저하되는 단점이 있다.In USP 4847349, USP 5406124, etc., thermoplastic polyimide adhesives are prepared by using diamines having two or more isomers introduced between three or four phenyl rings, thereby improving high temperature flowability. have.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 폴리머의 내열성 및 기계적 물성을 유지하면서 고온에서의 흐름성을 개선하여 고온접착제 용도나 또는 내열성 필름의 용도에 적합한 3차원 구조의 폴리아미드산 및 폴리이미드를 제공하는데 그 목적이 있는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, while maintaining the heat resistance and mechanical properties of the polymer to improve the flowability at high temperatures to the polyamide acid having a three-dimensional structure suitable for the use of high temperature adhesive or heat-resistant film And polyimide.

본 발명은 발명의 목적을 달성하는 일방법으로서,The present invention is one method for achieving the object of the invention,

적어도 1종 이상의 테트라카르복실산 다이안하이드라이드와, 적어도 1종 이상의 방향족 디아민과; 하기 화학식(Ⅰ)로 표기되는 실록산 구조를 포함하는 디아민의 적어도 1종 이상; 및 하기 화학식(Ⅱ) 또는 화학식(Ⅲ)로 표기되는 폴리아미노 화합물의 적어도 1종 이상을 반응시키는 것을 특징으로한 폴리아미드산 및 폴리이미드의 제조방법에 대해 개시한다.At least one or more tetracarboxylic dianhydrides and at least one or more aromatic diamines; At least one or more of diamines containing a siloxane structure represented by the following general formula (I); And a method for producing a polyamic acid and a polyimide characterized by reacting at least one or more of the polyamino compounds represented by the following formula (II) or formula (III).

[화학식 Ⅰ][Formula I]

Figure 112000001549654-pat00001
Figure 112000001549654-pat00001

(상기 화학식 (Ⅰ)에서, R4는 탄소수 1에서 20의 알킬렌기, n'는 1에서 20의 정수임)(In the formula (I), R4 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, n 'is an integer of 1 to 20)

[화학식 Ⅱ][Formula II]

Figure 112000001549654-pat00002
Figure 112000001549654-pat00002

[화학식 Ⅲ][Formula III]

Figure 112000001549654-pat00003
Figure 112000001549654-pat00003

(상기 화학식(Ⅱ)와 화학식(Ⅲ)에서, A1은 하기의 구조들 중에서 선택되며,(In the above formula (II) and formula (III), A1 is selected from the following structures,

Figure 112000001549654-pat00004
Figure 112000001549654-pat00004

A2는 하기의 구조들 중에서 선택되며,A2 is selected from the following structures,

Figure 112000001549654-pat00005
Figure 112000001549654-pat00005

n1은 0 내지 4 까지의 정수이며, n2는 0 내지 3 까지의 정수이며, x는 산을 나타내고 q는 산의 염기수를 나타내며, 상기 A1 또는 A2의 구조식 중에서 R은 -O-, -CH2-, -CO-, 또는 -SO2-을 나타내며, n3은 0 또는 1을 나타냄.)n1 is an integer from 0 to 4, n2 is an integer from 0 to 3, x represents an acid, q represents the number of bases of the acid, in the structural formula of A1 or A2, R is -O-, -CH 2- , -CO-, or -SO 2- , where n3 represents 0 or 1.

이하에서 본 발명을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에서는 일반적으로 선형 분자 구조를 갖는 폴리이미드가 갖는 물성들(내열성, 기계적 물성, 접착특성 등)을 개선하고자 일반적으로 사용되는 방향족 디아민과 함께 실록산구조의 디아민과, 트리 또는 테트라 등의 다관능아미노기를 갖는 화합물을 사용하여 3차원 분자 구조를 갖는 폴리아미드산 또는 폴리이미드를 제조하였으며, 따라서 다관능 아미노기의 함유량에 따라 요구 특성에 맞는 폴리머를 얻을 수 있다.In the present invention, polyfunctional polyimide having a linear molecular structure generally has a polyfunctional such as diamine having a siloxane structure and tri or tetra together with an aromatic diamine which is generally used to improve the properties (heat resistance, mechanical properties, adhesive properties, etc.) of the polyimide. Using a compound having an amino group, a polyamic acid or polyimide having a three-dimensional molecular structure was produced, and thus a polymer meeting the required properties can be obtained according to the content of the polyfunctional amino group.

본 발명에서 사용한 테트라카르복실산 다이안하이드라이드의 전형적인 예로서 하기 화학식(Ⅳ)로 표기된 화합물을 들 수 있다.As a typical example of the tetracarboxylic dianhydride used in the present invention, a compound represented by the following general formula (IV) may be mentioned.

[화학식 Ⅳ][Formula IV]

Figure 112000001549654-pat00006
Figure 112000001549654-pat00006

여기서, R1은 -O-, -CO-, SO2-, -C(CF3)2-, 알킬렌 그룹, 알킬렌 바이카르보닐 그룹, 페닐렌 그룹, 페닐렌 알킬렌 그룹, 페닐렌 다이알킬렌 그룹 등을 나타내며, n4는 0 또는 1, n5는 0 또는 1, n6는 1 또는 2를 나타내며, n5+n6는 2이다.Wherein R 1 is —O—, —CO—, SO 2 —, —C (CF 3 ) 2 —, alkylene group, alkylene bicarbonyl group, phenylene group, phenylene alkylene group, phenylene dialkyl A rene group and the like, n4 represents 0 or 1, n5 represents 0 or 1, n6 represents 1 or 2, and n5 + n6 represents 2.

화학식(Ⅳ)의 구조를 지닌 방향족 테트라카르복실산 무수물의 구체적 예로는, 피로멜리틱 다이안하이드라이드, 3,3,',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 3,3'4,4'-바이페닐테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 2,3,3'4'-바이페닐테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 2,2',6,6'-바이페닐테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 디아안하이드라이드, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 다이안하이드라이드, 비스(3,4-디카르복시페닐)설폰 다이안하이드라이드, 비스(3,4-디카르복시페닐)이서 다이안하이드라이드, 3,4,9,10-페닐렌테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 나프탈렌-1,2,4,5-테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 에틸렌 글리콜 비스(안하이드로트리멜리테이트) 등이 있으며, 이 화합물들은 단독으로 또는 두종 이상 혼합하여 사용 가능하다.Specific examples of the aromatic tetracarboxylic anhydride having the structure of formula (IV) include pyromellitic dianhydride, 3,3, ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 '4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3'4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 6,6'-biphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4- Dicarboxyphenyl) propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dianhydride, 3,4,9,10-phenylenetetra Carboxylic acid dianhydride, naphthalene-1,2,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarbox Carboxylic acid dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate), and the like. These compounds may be used alone or in combination of two or more thereof. .

위의 방향족 테트라카르복실산 다이안하이드라이드 외에도, 알리파틱 또는 알리사이클릭 구조의 테트라카르복실산도 합성할 폴리이미드의 내열성을 저하시키지 않는 범위내에서 사용할 수 있다.In addition to the above aromatic tetracarboxylic dianhydrides, tetracarboxylic acids of aliphatic or alicyclic structure can also be used within the range of not lowering the heat resistance of the polyimide to be synthesized.

알리파틱 또는 알리사이클릭 구조의 테트라카르복실산의 예로는, 5-(2,5-디오소테트라하이드롤)-3-메틸-3-사이클로헥산-1,2-디카르복실릭 안하이드라이드, 4-(2,5-디오소테트라하이드로퓨란-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실릭 안하이드라이드, 브트사이클로(2,2,2)-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 다이안하이드라이드, 1,2,3,4-사이클로펜탄 테트라카르복실릭 다이안하이드라이드 등이 있으며, 이 화합물들은 단독으로 또는 두종 이상 혼합하여 사용 가능하다.Examples of tetracarboxylic acids having aliphatic or alicyclic structure include 5- (2,5-diosotetrahydro) -3-methyl-3-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride. , 4- (2,5-Diotetrahydrofuran-3-yl) -tetraline-1,2-dicarboxylic anhydride, buttcyclo (2,2,2) -7-ene-2 , 3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentane tetracarboxylic dianhydride, and the like, and these compounds may be used alone or in combination of two or more thereof.

본 발명에서 사용되는 방향족 디아민의 구체적인 예로는, 3,3'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-(3,3'-디아미노디페닐)프로판, 2,2-(3,4'-디아미노디페닐)프로판, 2,2-(4,4'-디아미노디페닐)프로판, 2,2-(3,3'-디아미노디페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-(3,4'-디아미노디페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-(4,4'디아미노디페닐)헥사플루오로프로판, 3,3'-옥시디아닐린, 3,4'-옥시디아닐린, 4,4'-옥시디아닐린, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 1,3-비스[1-(3-아미노페닐)-1-메틸아민)벤젠, 1,3-비스[1-(4-아미노페닐)-1-메틸아민)벤젠 1,4-비스[1-(3-아미노페닐)-1-메틸아 민)벤젠, 1,4-비스[1-(4-아미노페닐)-1-메틸아민)벤젠, 1,3-비스(3-아미노펜옥시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노펜옥시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노펜옥시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노펜옥시)벤젠, 3,3'-비스(3-아미노펜옥시)디페닐에테르, 3,3'-비스(4-아미노펜옥시)디페닐에테르, 3,4'-비스(3-아미노펜옥시)디페닐에테르, 3,4'-비스(4-아미노펜옥시)디페닐에테르, 4,4'-비스(3-아미노펜옥시)디페닐에테르, 4,4'-비스(4-아미노펜옥시)디페닐에테르, 3,3'-비스(3-아미노펜옥시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노펜옥시)비페닐, 3,4'-비스(3-아미노펜옥시)비페닐, 3,4'-비스(4-아미노펜옥시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노펜옥시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노펜옥시)비페닐, 2,2-비스[4-(3-아미노펜옥시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노펜옥시)페닐]술폰, 2,2-비스[3-(3-아미노펜옥시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노펜옥시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노펜옥시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노펜옥시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(3-아미노펜옥시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노펜옥시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노펜옥시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노펜옥시)페닐]헥사플루오로프로판, 9,9-비스(3-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 1,2-페닐렌디아민, 1,3-페닐렌디아민, 1,4-페닐렌디아민 등이 있으며, 이 화합물들은 단독으로 또는 적어도 두종 이상 혼합하여 사용 가능하다.Specific examples of the aromatic diamine used in the present invention include 3,3'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminodi Phenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2- (3,3'-diaminodiphenyl) propane, 2,2- (3,4 '-Diaminodiphenyl) propane, 2,2- (4,4'-diaminodiphenyl) propane, 2,2- (3,3'-diaminodiphenyl) hexafluoropropane, 2,2- (3,4'-diaminodiphenyl) hexafluoropropane, 2,2- (4,4'diaminodiphenyl) hexafluoropropane, 3,3'-oxydianiline, 3,4'-jade Cydianiline, 4,4'-oxydianiline, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3, 3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 1,3-bis [1- (3-aminophenyl) -1-methylamine ) Benzene, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylamine) benzene 1,4-bis [1- (3-amino Nil) -1-methylamine) benzene, 1,4-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylamine) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3- Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,3'-bis (3-aminophenoxy) diphenylether , 3,3'-bis (4-aminophenoxy) diphenyl ether, 3,4'-bis (3-aminophenoxy) diphenyl ether, 3,4'-bis (4-aminophenoxy) diphenyl ether, 4 , 4'-bis (3-aminophenoxy) diphenylether, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) diphenylether, 3,3'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 3,3 ' -Bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 3,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 3,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3- Aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4- Aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (4-a Minophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [ 3- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) Phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 9,9-bis (3-aminophenyl) fluorene, 9,9-bis (4- Aminophenyl) fluorene, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 1,2-phenylenediamine, 1,3-phenyl Rendiamine, 1,4-phenylenediamine, etc., These compounds can be used individually or in mixture of 2 or more types.

본 발명에서 사용되는 화학식(Ⅱ), (Ⅲ)로 표기되는 다관능 폴리아미노 화합물로는 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 이서, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐메탄, 3,3',4,4'-테트라아미노벤조페논, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 설폰, 3,3',4,4'-테트라아미노바이페닐, 1,2,4,5-테트라아미노벤젠, 3,3',4-트리아미노디페닐, 3,3',4-트리아미노디페닐메탄, 3,3',4-트리아미노벤조페논, 3,3',4-트리아미노디페닐설폰, 3,3',4-트리아미노디바이페닐, 1,2,4-트리아미노벤젠 등과 위 화합물들의 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라-산 솔트(salt)인 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 이서테트라하이드로클로라이드, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐메탄 테트라하이드로클로라이드, 3,3',4,4'-테트라아미노벤조페논 테트라하이드로클로라이드, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 설폰 테트라하이드로클로라이드, 3,3',4,4'-테트라아미노바이페닐 테트라하이드로클로라이드, 1,2,4,5-테트라아미노벤젠 테트라하이드로클로라이드, 3,3'4-트리아미노디페닐 트리하이드로클로라이드, 3,3'4-트리아미노디페닐메탄 트리하이드로클로라이드, 3,3'4-트리아미노벤조페논 트리하이드로클로라이드, 3,3'4-트리아미노디페닐설폰 트리하이드로클로라이드, 3,3'4-트리아미노디바이페닐 트리하이드로클로라이드, 1,2,4-트리아미노벤젠 디하이드로클로라이드 등이 있으며, 이들을 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the multifunctional polyamino compound represented by the formulas (II) and (III) used in the present invention, 3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl isomer, 3,3', 4,4'-tetra Aminodiphenylmethane, 3,3 ', 4,4'-tetraaminobenzophenone, 3,3', 4,4'-tetraaminodiphenyl sulfone, 3,3 ', 4,4'-tetraaminobiphenyl , 1,2,4,5-tetraaminobenzene, 3,3 ', 4-triaminodiphenyl, 3,3', 4-triaminodiphenylmethane, 3,3 ', 4-triaminobenzophenone, 3,3 ', 4-triaminodiphenylsulfone, 3,3', 4-triaminodibiphenyl, 1,2,4-triaminobenzene and the like, mono-, di-, tri- or tetra-acids of the above compounds Salt, 3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl istetetrahydrochloride, 3,3', 4,4'-tetraaminodiphenylmethane tetrahydrochloride, 3,3 ', 4, 4'-tetraaminobenzophenone tetrahydrochloride, 3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl sulfone tetrahydrochloride, 3,3', 4, 4'-tetraaminobiphenyl tetrahydrochloride, 1,2,4,5-tetraaminobenzene tetrahydrochloride, 3,3'4-triaminodiphenyl trihydrochloride, 3,3'4-triaminodiphenyl Methane trihydrochloride, 3,3'4-triaminobenzophenone trihydrochloride, 3,3'4-triaminodiphenylsulfone trihydrochloride, 3,3'4-triaminodibiphenyl trihydrochloride, 1, 2,4-triaminobenzene dihydrochloride, etc., These can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

본 발명에서 화학식(Ⅰ)로 표기되는 실록산 구조를 함유한 디아민류의 구체적인 예로는, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산(GAPD, n=1), 비스(γ-아미노프로필)폴리디메틸디실록산(PSX-4, n=4), 비스(γ-아미노프로필) 폴리디메틸디실록산 (PSX-8, n=8)등이 있으며, 이들을 1종 또는 2종 이상 함께 사용할 수 있다.Specific examples of the diamines containing the siloxane structure represented by the formula (I) in the present invention include bis (γ-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (GAPD, n = 1), bis (γ-aminopropyl) polydimethyl Disiloxane (PSX-4, n = 4), bis ((gamma) -aminopropyl) polydimethyldisiloxane (PSX-8, n = 8), etc., These can be used together 1 type (s) or 2 or more types.

실록산 구조를 포함하는 디아민은 폴리이미드의 강직한 구조에 유연성을 부여하기 때문에 겔화에 따른 3차원 네트워크 분자 구조에 따른 고분자의 유연성이 부족해지는 단점을 보완하여 3차원 구조 폴리이미드의 기계적 물성 저하를 막아주는 역할을 하며, 용매 가용 특성을 증대시켜 폴리아미드산의 중합시 유기용매에 대한 반응물의 함량을 증대시킬 수 있다.Diamine containing a siloxane structure gives flexibility to the rigid structure of the polyimide to compensate for the lack of flexibility of the polymer according to the three-dimensional network molecular structure due to gelation to prevent the mechanical properties of the three-dimensional polyimide It serves to increase the solvent solubility, it is possible to increase the content of the reactant to the organic solvent during the polymerization of the polyamic acid.

뿐만아니라, 접착제 용도로 사용시 여러 기재와의 접착력을 증대시키는 역할을 할 수 있는데, 특히 전자재료 용도등으로 응용할 경우 실리콘 칩, 칩 절연막, 리드프레임 등의 기질과의 접착특성의 개선 효과가 있다. In addition, when used as an adhesive, it can play a role of increasing adhesion to various substrates. In particular, when applied to electronic materials, etc., there is an effect of improving adhesion characteristics with substrates such as silicon chips, chip insulating films, and lead frames.

방향족 테트라카르복실산-2-무수물과 디아민을 이용하여 폴리이미드를 중합할 경우에는, 용매로서 N-메틸-2-피롤리돈(NMP), N.N-디메틸 포름아미드(DMF), N.N-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸술폭시드(DMSO), 술포란, 헥사메틸인산트리아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리돈 등의 비프로톤성 극성용매, 페놀, 크레졸, 크실페놀, p-클로로페놀 등의 페놀계 용매등을 사용한다. 또 필요에 따라서는 디에틸렌글리콜, 디메틸에테르와 같은 에테르계 용매, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족용매 등을 사용하며, 그외에도 메틸에틸케톤, 아세톤, 테트라히드로푸란, 디옥산, 모노글라임, 디글라임, 메틸셀로솔브, 셀로솔브아세테이트, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 염화메틸렌, 클로로포름, 트리클로로에틸렌, 니트로벤젠 등을 사용하며, 이들은 단독으로 또는 2종류 이상 혼합하여 사용할 수 있다.When polymerizing polyimide using aromatic tetracarboxylic -2- anhydride and diamine, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), NN-dimethyl formamide (DMF), and NN-dimethylacetate are used as solvents. Aprotic polar solvents such as amide (DMAc), dimethyl sulfoxide (DMSO), sulfolane, hexamethyl phosphate triamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidone, phenol, cresol, xylphenol, p- Phenolic solvents, such as chlorophenol, are used. If necessary, ether solvents such as diethylene glycol and dimethyl ether, aromatic solvents such as benzene, toluene and xylene, etc. may be used. In addition, methyl ethyl ketone, acetone, tetrahydrofuran, dioxane, monoglyme, Diglyme, methyl cellosolve, cellosolve acetate, methanol, ethanol, isopropanol, methylene chloride, chloroform, trichloroethylene, nitrobenzene, etc. are used, and these can be used individually or in mixture of 2 or more types.

폴리이미드의 일반적 중합법인 열적 이미드화법의 경우에는 우선 전구체인 폴리아미드산을 중합한 후 이 용액을 코팅후 가열하여 열적으로 이미드화시키는데, 중합의 첫번째 과정은 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산을 제조하는 과정으로 폴리아미드산의 적정 분자량 및 상대점도에 따라 온도범위 -10℃~100℃ 범위에서 상기 화학식(Ⅲ)의 테트라카르복실산 다이안하이드라이드와 방향족 디아민의 적어도 1종 이상, 상기 화학식(Ⅳ)의 실록산 구조를 포함하는 디아민의 적어도 1종 이상, 상기 화학식(Ⅰ),(Ⅱ)의 트리 또는 테트라아민을 적어도 1종 이상 투입하여, 용매에서 질소 분위기하에 격렬한 교반으로 100℃ 이하에서 반응시켜 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산을 제조한다. 이때 반응 시간은 10시간 이하(더욱 바람직하게는 5시간 이하)가 바람직하다.In the case of the thermal imidization method, which is a general polymerization method of polyimide, first, the polyamic acid as a precursor is polymerized, and then the solution is coated and then thermally imidized by heating. The first step of the polymerization is a polyamic acid as a precursor of the polyimide. At least one or more of the tetracarboxylic dianhydride and the aromatic diamine of the formula (III) in the temperature range of -10 ℃ ~ 100 ℃ in accordance with the appropriate molecular weight and relative viscosity of the polyamic acid in the process of preparing, At least one or more of the diamines containing the siloxane structure of IV) and at least one or more tri or tetraamines of the above formulas (I) and (II) are added and reacted at 100 ° C. or lower with vigorous stirring in a nitrogen atmosphere in a solvent. To prepare a polyamic acid as a precursor of the polyimide. At this time, the reaction time is preferably 10 hours or less (more preferably 5 hours or less).

폴리아미드산을 폴리이미드로 전환시키기 위해서는 폴리아미드산을 도포 또는 코팅후, 열을 250~500℃까지 가하여 이미드화시키는데, 건조 공정중 이미드화를 촉진시키기 위해 용매에 용해된 상태의 폴리아미드산에 피리딘, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 이소퀴놀린 등의 3차 아민, 무수아세트산, 무수프로피온산, 무수벤조산 등의 산무수물 그리고 탈수폐환제 폐환촉매 등을 첨가할 수 있다.In order to convert polyamic acid to polyimide, it is imidized by applying or coating polyamic acid, and then applying heat to 250 to 500 ° C. in polyamic acid dissolved in a solvent to promote imidization during the drying process. Tertiary amines such as pyridine, triethylamine, tributylamine, isoquinoline, acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride and benzoic anhydride, and a ring closure catalyst for dehydration ringing may be added.

폴리이미드가 용매에 가용성인 경우 바람직한 화학적 이미드화법의 경우에는, 우선 테트라카르복실산-2-무수물과 디아민을 사용하는 경우, 이것들을 유기용매중, 필요에 따라, 트리부틸아민, 트리에틸아민, 아인산트리페닐, 이소퀴놀린, 피리딘 등의 촉매의 존재하(전체 반응물의 25 중량부 이하) 또는 p-톨루엔술폰산등의 탈수촉매 존재하(전체 반응물의 25 중량부 이하)에서, 100℃이상(바람직하게는 180℃ 이상)으로 가열하여 직접 폴리이미드를 수득하는 방법, 테트라카르복실산-2-무수물과 디아민을 유기용매중에서 100℃ 이하에서 반응시킴으로써 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산을 수득한 후, 무수아세트산, 무수프로피온산, 무수벤조산 등의 산무수물, 디시클로헥실카르보디이미드 등의 카르보디이미드 화합물등의 탈수 폐환제와, 필요에 따라, 피리딘, 이소퀴놀린, 이미다졸, 트리에틸아민 등의 폐환촉매(탈수폐환제 및 폐환촉매는 테트라카르복실산-2-무수물의 2~10배몰)을 첨가하여, 비교적 저온(실온~100℃)에서 폐환시키는 방법등이 있다.When polyimide is soluble in a solvent In the case of a preferable chemical imidation method, when tetracarboxylic -2- anhydride and diamine are used first, these are tributylamine and triethylamine in an organic solvent as needed. 100 ° C. or more in the presence of a catalyst such as triphenyl phosphite, isoquinoline, pyridine or the like (up to 25 parts by weight of the total reactant) or dehydration catalyst such as p-toluenesulfonic acid (up to 25 parts by weight of the total reactant) Preferably to obtain a polyimide directly by heating to 180 ° C. or higher), and then a tetraamic acid-2-anhydride and diamine are reacted at 100 ° C. or lower in an organic solvent to obtain polyamic acid as a precursor of the polyimide. And dehydration ring closing agents such as acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, benzoic anhydride, and carbodiimide compounds such as dicyclohexylcarbodiimide, and, if necessary, Closing ring catalysts such as pyridine, isoquinoline, imidazole, and triethylamine (dehydrating ring closure and ring closure catalyst are 2 to 10 times molar of tetracarboxylic acid-2- anhydride) and are added at relatively low temperatures (room temperature to 100 ° C). There is a method of ring closing.

본 발명에서 폴리이미드 반응시 반응에 참여하는 각 성분들의 바람직한 사용량은 테트라카르복실산 다이안하이드라이드 100몰에 대하여, 방향족 디아민 10-100몰(더욱 좋게는 60-100몰), 실록산구조를 포함하는 디아민화합물 0.1-90몰(더욱 좋게는 0.1-40몰) 및 폴리아미노화합물 0.01-20몰(더욱 좋게는 0.01-7몰)범위이다.In the present invention, the preferred amount of each component participating in the reaction in the polyimide reaction is 10-100 moles (more preferably 60-100 moles) of aromatic diamine, and a siloxane structure, based on 100 moles of tetracarboxylic dianhydride. 0.1 to 90 moles (more preferably 0.1-40 moles) of diamine compounds and 0.01-20 moles (more preferably 0.01-7 moles) of polyamino compounds.

또한, 이때 반응에 참여하는 테트라카르복실산 다이안하이드라이드의 당량과 아민 화합물들의 총당량의 비는 하기 범위내에서 반응시키는 것이 바람직하다.In this case, the ratio of the equivalent of tetracarboxylic dianhydride and the total equivalent of the amine compounds to participate in the reaction is preferably reacted within the following range.

0.95≤테트라카르복실산 다이안하이드라이드 당량/아민 당량≤1.050.95 ≦ tetracarboxylic dianhydride equivalent / amine equivalent ≦ 1.05

이와 같이 본 발명에 따라 얻어진 폴리이미드는 전기 절연성 및 열저항성이 우수하며, 고온의 테이핑 조건에서 열용융 결합이 가능한 전자 부품용 테이프들의 용도로의 적용시 우수한 특성을 갖게 된다.As described above, the polyimide obtained according to the present invention has excellent electrical insulation and heat resistance, and has excellent characteristics in application to tapes for electronic components capable of hot melt bonding under high temperature taping conditions.

일반적으로, 전자 부품용 접착 테이프는 주로 반도체 장치를 구성하는 리드프레임 주변의 부품간, 예를 들면, 리드핀, 반도체 탑재용 기판, 방열판, 반도체 칩 자신의 접착에 사용하기 위한 것이며, 2층 구조의 FPC(Flexible Printed Circuit) 원판 용도 및 2층 구조의 TAB(Tape Automated bonding)용 접착 테이프에 적합한 동박과의 접착력이 증대된 접착 테이프도 포함된다.In general, adhesive tapes for electronic components are mainly used for bonding between components around a lead frame constituting a semiconductor device, for example, lead pins, semiconductor mounting substrates, heat sinks, and semiconductor chips themselves. Also included are adhesive tapes having increased adhesion to copper foil suitable for FPC (Flexible Printed Circuit) originals and two-layer tape automated bonding (TAB) adhesive tapes.

전자 부품용 테이프로는 리드프레임 고정용 접착 테이프, 리드 프레임-반도체 칩의 접착용 테이프, 리드프레임 다이패드용 접착테이프 등이 있는데, 일반적으 로 테이핑시의 작업성은 물론, 테이핑 이후 반도체 조립 공정에서의 공정 안정성 및 제품 신뢰성이 요구된다.Tapes for electronic components include adhesive tapes for fixing leadframes, adhesive tapes for leadframe-semiconductor chips, and adhesive tapes for leadframe die pads. Process stability and product reliability are required.

특히, 반도체 조립 공정에서는 고온의 테이핑 공정에서의 접착특성을 갖더라도, 그후 와이어본딩, 에폭시몰딩 등의 고온 공정에서는 열적 안정성이 요구된다. 일반적인 폴리이미드는 고온 테이핑 공정의 흐름성 및 접착 특성을 증대시키기 위해서는 유리전이온도 및 용융온도를 낮추어 내열성의 손실이 생겨, 고온 접착 특성은 확보할 수 있을지라도, 와이어본딩, 에폭시몰딩 공정 등의 고온 공정에서의 내열성을 확보하지 못하는 문제가 있으나, 3차원 네트워크 분자 구조의 폴리이미드의 경우는 유리전이온도를 낮추지 않으면서도 고온 흐름성을 증대시킴으로서 고온 접착특성은 물론, 와이어본딩, 에폭시몰딩 공정 등의 고온 공정중의 신뢰성도 확보할 수 있는 장점이 있다.In particular, even in the semiconductor assembly process, even if the adhesive properties in the high temperature taping process, thermal stability is required in high temperature processes such as wire bonding and epoxy molding. In general, polyimide lowers the glass transition temperature and melting temperature in order to increase the flowability and adhesive properties of the high temperature taping process, resulting in loss of heat resistance, and even though high temperature adhesive properties can be secured, high temperature such as wire bonding and epoxy molding processes Although there is a problem in that the heat resistance in the process is not secured, in the case of the polyimide of the three-dimensional network molecular structure, it is possible to increase the high temperature flowability without lowering the glass transition temperature, so that the high temperature adhesive properties, wire bonding, epoxy molding process, etc. It also has the advantage of ensuring reliability during high temperature processes.

본 발명에 따라 얻어진 폴리이미드를 사용하여 제조되는 폴리이미드 접착 테이프는 기재 필름의 한면 또는 양면에 상기의 액상 접착제를 코팅, 건조하여, 폴리이미드 접착제가 1~150㎛(더욱 바람직하게는 5~50㎛)의 두께로 적층된 접착 테이프로도 제조할 수 있다. 이때 사용되는 기재 필름으로는 내열성 필름으로서, 폴리이미드, 폴리비닐렌 술피드, 폴리에테르, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 불소계 수지 등의 내열성 수지 필름이나 에폭시 수지-유리천, 에폭시수지-폴리이미드-유리천 등의 복합 내열 필름 등을 들수 있으나, 특히 폴리이미드 필름이 바람직하다. 내열성 필름의 두께는 5~150㎛ 범위가 적합하며, 특히 LOC 용도의 접착테이프 경우에는 기재 필름으로 25㎛ 또는 50㎛의 폴리이미드 필름을 주로 사용한다. 또한 기재 필름과 폴리이미드 접착제 사이의 접착력을 향상시키기 위해 기재 필름의 표면을 플라즈마, 코로나, 혹은 실란처리등의 화학처리를 한 필름을 사용할 수도 있다. 그리고 폴리이미드 접착제로만 구성된 접착제 시트의 제조등을 목적으로 기재 필름의 표면에 실리콘계 이형제로 이형처리한 대략 1~200㎛ 두께의 박리성 필름이 사용될 수 있다. The polyimide adhesive tape produced using the polyimide obtained according to the present invention is coated with the above liquid adhesive on one or both sides of the base film and dried to obtain a polyimide adhesive of 1 to 150 µm (more preferably 5 to 50). It can also be produced from adhesive tapes laminated at a thickness of mu m). The base film used at this time is a heat resistant film, for example, a heat resistant resin film such as polyimide, polyvinylene sulfide, polyether, polyethylene terephthalate, fluorine resin, epoxy resin-glass cloth, epoxy resin-polyimide-glass cloth, etc. Although a composite heat resistant film etc. can be mentioned, Especially a polyimide film is preferable. The thickness of the heat resistant film is suitably in the range of 5 to 150 μm, and in particular, in the case of the adhesive tape for LOC, a polyimide film having a thickness of 25 μm or 50 μm is mainly used. Moreover, in order to improve the adhesive force between a base film and a polyimide adhesive, you may use the film which carried out the chemical treatment, such as plasma, corona, or silane treatment, on the surface of a base film. And a peelable film having a thickness of approximately 1 to 200 µm may be used, which is released by a silicone-based release agent on the surface of the base film for the purpose of manufacturing an adhesive sheet composed of only a polyimide adhesive.

한편, 본 발명에 의해 얻어지는 폴리아미드산 또는 폴리이미드는 내열성과 기계적 강도가 고루 우수하기 때문에 내열성 필름의 재료로 사용하는 것도 가능하다.On the other hand, since the polyamic acid or polyimide obtained by the present invention is excellent in heat resistance and mechanical strength, it can also be used as a material of a heat resistant film.

이하에서 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.

<실시예 1><Example 1>

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 1,4-비스(4-아미노페녹시)바이페닐 7.01g(0.024몰), 비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.45g(0.00585몰) 그리고 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 이서 0.03g(0.00015몰)을 173.07g의 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, 3,3',4,4'-디페닐설폰테트라카르복실릭 다이안하이드라이드 10.74g(0.03몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen inlet, first, 1,4-bis (4-aminophenoxy) biphenyl 7.01 g (0.024 mol) as biamine, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 1.45 g (0.00585 mole) and 0.03 g (0.00015 mole) of 3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl are added to 173.07 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) solvent at 15 ° C. After dissolving these, 10.74 g (0.03 mol) of 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride was added thereto, followed by vigorous stirring in a nitrogen atmosphere for 5 hours to synthesize polyamic acid.

<실시예 2><Example 2>

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰 10.37g(0.024몰), 비스(3-아미노프로필)테 트라메틸디실록산 1.45g(0.00585몰) 그리고 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 메탄 0.03g(0.00015몰)을 193.59g의 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 다이안하이드라이드 9.66g(0.03몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet, 10.37 g (0.024 mol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone as a diamine and bis (3-aminopropyl) 1.45 g (0.00585 mole) of tetramethyldisiloxane and 0.03 g (0.00015 mole) of 3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl methane are added to 193.59 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) solvent. And dissolve them at 15 ° C., and then add 9.66 g (0.03 mol) of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, and stir vigorously for 5 hours in a nitrogen atmosphere. Was synthesized.

<비교실시예 1>Comparative Example 1

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 1,3-비스(4-아미노페녹시)바이페닐 8.76g(0.03몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)175.5g 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, 3,3',4,4'-디페닐설폰테트라카르복실릭 다이안하이드라이드 10.74g(0.03몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen inlet, 8.76 g (0.03 mol) of 1,3-bis (4-aminophenoxy) biphenyl was first substituted with N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). Into a 175.5g solvent to dissolve them at 15 ℃, 10.74g (0.03 mol) of 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride was added and vigorously in a nitrogen atmosphere for 5 hours. Stirring synthesized polyamic acid.

<비교실시예 2>Comparative Example 2

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰 12.96g(0.03몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 199.62g 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 다이안하이드라이드 6.76g(0.021몰), 에틸렌글리콜 비스(안하이드로트리멜리테이트) 2.46g(0.009몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen inlet, 12.96 g (0.03 mol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone is first added with diamine. It is placed in a solvent of 199.62 g of ralidone (NMP) and dissolved at 15 ° C., followed by 6.76 g (0.021 mol) of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and ethylene glycol bis (anhydrotri) Mellitate) 2.46 g (0.009 mol) was added thereto, and vigorously stirred in a nitrogen atmosphere for 5 hours to synthesize polyamic acid.

상기 실시예 1~2와 비교실시예 1~2에서 얻은 폴리아미드산들의 상대점도(폴리아미드산을 N,N-디메틸아세트아마이드에 0.05중량%로 희석)를 각각 하기 표 1에 나타내었다. The relative viscosity of the polyamic acids obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 (diluted polyamic acid to 0.05% by weight in N, N-dimethylacetamide) is shown in Table 1 below.

실시예 1~2와 비교실시예 1~2에서 합성된 폴리아미드산 용액들을 각각 유리판위에 나이프코터를 이용하여 도포한 다음, 진공 건조기에서 80℃에서 60분간 건조하여 용매를 제거한 후, 필름을 유리판위에서 떼어낸 후 다시 150℃에서 5분,200℃에서 5분을 각각 건조시키고 최종적으로 300℃에서 1시간 동안 열적이미드화시켜 두께 50㎛ 폴리이미드 필름들을 제조하였다. 수득된 폴리이미드들의 적외 흡수스펙트럼을 측정한바, 1718㎝-1 및 1783㎝-1로 전형적인 이미드의 흡수가 인정되었다.The polyamic acid solutions synthesized in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were respectively coated on a glass plate using a knife coater, and then dried in a vacuum dryer at 80 ° C. for 60 minutes to remove the solvent, and then the film was plated. After peeling off from the above, 5 minutes at 150 ° C. and 5 minutes at 200 ° C. were respectively dried and finally thermally imidized at 300 ° C. for 1 hour to prepare 50 μm thick polyimide films. Infrared absorption spectra of the obtained polyimides were measured, and the absorption of typical imides was recognized at 1718 cm -1 and 1783 cm -1 .

그리고 폴리이미드 필름들의 내열성을 평가하기 위해 5% 열분해온도를 측정하였고, 각각 DMTA(Dynamic Mechanical Thermal Analysis)를 이용하여 유리전이온도와 탄성모듈러스값을 측정하여 각각 하기 표 1에 나타내었다. And 5% pyrolysis temperature was measured to evaluate the heat resistance of the polyimide film, and the glass transition temperature and the elastic modulus value was measured using DMTA (Dynamic Mechanical Thermal Analysis), respectively.

또한, 실시예 1~2와 비교실시예 1~2에서 합성한 폴리아미드산 용액들을 각각 Upilex-S 폴리이미드 필름위에 나이프코터를 이용하여 도포한 다음, 80℃×10분, 110℃×10분, 150℃×10분, 200℃×10분을 각각 건조시키고 최종적으로 300℃에서 1시간 동안 열적이미드화시켜 폴리이미드 접착층 두께가 20㎛인 접착 테이프들을 제조하였다. 테이프들을 400℃에서 압력 5㎏/㎠의 조건으로 각각 동박, 니켈철 합금판, PIK-3000용액(히타치 케미컬)이 코팅된 판 위에 접착시킨 후 상온에서 50mm/min의 속도로 T-Peel 테스트하여 평가된 접착력을 하기 표 1에 나타내었다.In addition, the polyamic acid solutions synthesized in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were respectively coated on a Upilex-S polyimide film using a knife coater, followed by 80 ° C. × 10 minutes and 110 ° C. × 10 minutes. , 150 ° C. × 10 min, 200 ° C. × 10 min, respectively, was dried and finally thermally imidized at 300 ° C. for 1 hour to prepare adhesive tapes having a thickness of 20 μm of a polyimide adhesive layer. The tapes were adhered onto copper plate, nickel iron alloy plate, and PIK-3000 solution (Hitachi Chemical) coated plate at 400 ℃ under pressure of 5㎏ / ㎠, and then T-Peel tested at a speed of 50mm / min at room temperature. The evaluated adhesion is shown in Table 1 below.

Figure 112000001549654-pat00007
Figure 112000001549654-pat00007

<실시예 3><Example 3>

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 7.01g(0.024몰), 비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.45g(0.00585몰) 그리고 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 이서 0.03g(0.00015몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)196.38g 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, (3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 다이안하이드라이드 13.33g(0.03몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen inlet, 7.01 g (0.024 mol) of 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene as a diamine and bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 1.45 g (0.00585 mol) and 0.03 g (0.00015 mol) of 3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl are added to a solvent of 196.38 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and dissolved at 15 ° C. Next, 13.33 g (0.03 mol) of (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was added thereto, followed by vigorous stirring for 5 hours in a nitrogen atmosphere to synthesize polyamic acid.

수득된 폴리아미드산에 50ml의 톨루엔과, 3.0g의 p-톨루엔술폰산을 가하여 190℃로 가열하고, 반응의 진행에 따라 수분을 분리하면서 6시간 동안 이미드화 반응을 실시하였다. 그후 폴리이미드 중합액을 메탄올에 주입하여 수득된 침전물을 분리, 분쇄, 세정 및 건조시키는 공정을 거침으로서, 분말 상태의 폴리이미드를 수 득하였으며, 수득된 폴리이미드의 적외 흡수스펙트럼을 측정한바, 1718㎝-1 및 1783㎝-1로 전형적인 이미드의 흡수가 인정되었다.50 ml of toluene and 3.0 g of p-toluenesulfonic acid were added to the obtained polyamic acid, and it heated at 190 degreeC, and the imidation reaction was performed for 6 hours, separating water with progress of reaction. Thereafter, the obtained polyimide was obtained by injecting a polyimide polymer solution into methanol to separate, pulverize, wash and dry the precipitate, thereby obtaining a powdered polyimide, and measuring the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide. typical was already recognized as the absorption of de ㎝ -1 and 1783㎝ -1.

<실시예 4><Example 4>

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 9.84g(0.024몰), 비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.45g(0.00585몰) 그리고 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 이서 0.03g(0.00015몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)221.85g 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, (3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 다이안하이드라이드 13.33g(0.03몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen inlet, 9.84 g (0.024 mol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane as a diamine, bis (3-aminopropyl) 1.45 g (0.00585 mole) of tetramethyldisiloxane and 0.03 g (0.00015 mole) of 3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl are added to a solvent of 221.85 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). After dissolving them at 15 ° C., 13.33 g (0.03 mol) of (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was added thereto, followed by vigorous stirring in a nitrogen atmosphere for 5 hours to synthesize polyamic acid.

수득된 폴리아미드산에 50ml의 톨루엔과, 3.0g의 p-톨루엔술폰산을 가하여 190℃로 가열하고, 반응의 진행에 따라 수분을 분리하면서 6시간 동안 이미드화 반응을 실시하였다. 그후 폴리이미드 중합액을 메탄올에 주입하여 수득된 침전물을 분리, 분쇄, 세정 및 건조시키는 공정을 거침으로서, 분말 상태의 폴리이미드를 수득하였으며, 수득된 폴리이미드의 적외 흡수스펙트럼을 측정한바, 1718㎝-1 및 1783㎝-1로 전형적인 이미드의 흡수가 인정되었다.50 ml of toluene and 3.0 g of p-toluenesulfonic acid were added to the obtained polyamic acid, and it heated at 190 degreeC, and the imidation reaction was performed for 6 hours, separating water with progress of reaction. Then, a polyimide in a powder state was obtained by subjecting the precipitate obtained by injecting the polyimide polymer solution into methanol to separate, pulverize, wash, and dry, and the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide was measured. Absorption of typical imides was recognized at -1 and 1783 cm -1 .

<실시예 5><Example 5>

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 파 라페닐렌디아민 2.59g(0.024), 비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.45g(0.000858몰), 그리고 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐 이서 0.03g(0.00015몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)147.33g 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, 에틸렌글리콜 비스(안하이드로트리멜리테이트) 12.3g(0.03몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux cooler, and a nitrogen inlet, 2.59 g (0.024) of paraphenylenediamine as diamine, 1.45 g (0.000858 mol) of bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, and 3, 0.03 g (0.00015 mole) of 3 ', 4,4'-tetraaminodiphenyl is added to 147.33 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and dissolved at 15 ° C., followed by ethylene glycol bis (anhydro 12.3 g (0.03 mol) of trimellitate was added thereto, followed by vigorous stirring in a nitrogen atmosphere for 5 hours to synthesize polyamic acid.

수득된 폴리아미드산에 50ml의 톨루엔과, 3.0g의 p-톨루엔술폰산을 가하여 190℃로 가열하고, 반응의 진행에 따라 수분을 분리하면서 6시간 동안 이미드화 반응을 실시하였다. 그후 폴리이미드 중합액을 메탄올에 주입하여 수득된 침전물을 분리, 분쇄, 세정 및 건조시키는 공정을 거침으로서, 분말 상태의 폴리이미드를 수득하였으며, 수득된 폴리이미드의 적외 흡수스펙트럼을 측정한바, 1718㎝-1 및 1783㎝-1로 전형적인 이미드의 흡수가 인정되었다.50 ml of toluene and 3.0 g of p-toluenesulfonic acid were added to the obtained polyamic acid, and it heated at 190 degreeC, and the imidation reaction was performed for 6 hours, separating water with progress of reaction. Then, a polyimide in a powder state was obtained by subjecting the precipitate obtained by injecting the polyimide polymer solution into methanol to separate, pulverize, wash, and dry, and the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide was measured. The absorption of typical imides was recognized at -1 and 1783 cm -1 .

<비교실시예 3>Comparative Example 3

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠 8.76g(0.03몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 198.81g 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, (3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 다이안하이드라이드 13.33g(0.03몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen inlet, 8.76 g (0.03 mol) of 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene as diamine is first substituted with N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). 198.81 g of solvent was dissolved at 15 ° C., and then, 13.33 g (0.03 mol) of (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride was added thereto, followed by vigorous stirring for 5 hours in a nitrogen atmosphere. Was synthesized.

수득된 폴리아미드산에 50ml의 톨루엔과, 3.0g의 p-톨루엔술폰산을 가하여 190℃로 가열하고, 반응의 진행에 따라 수분을 분리하면서 6시간 동안 이미드화 반 응을 실시하였다. 그후 폴리이미드 중합액을 메탄올에 주입하여 수득된 침전물을 분리, 분쇄, 세정 및 건조시키는 공정을 거침으로서, 분말 상태의 폴리이미드를 수득하였으며, 수득된 폴리이미드의 적외 흡수스펙트럼을 측정한바, 1718㎝-1 및 1783㎝-1로 전형적인 이미드의 흡수가 인정되었다.50 ml of toluene and 3.0 g of p-toluenesulfonic acid were added to the obtained polyamic acid, and the mixture was heated to 190 ° C, and imidization reaction was performed for 6 hours while separating water as the reaction proceeded. Then, a polyimide in a powder state was obtained by subjecting the precipitate obtained by injecting the polyimide polymer solution into methanol to separate, pulverize, wash, and dry, and the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide was measured. The absorption of typical imides was recognized at -1 and 1783 cm -1 .

<비교실시예 4>Comparative Example 4

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 12.3g(0.03몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 216.81g 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, (3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 다이안하이드라이드 9.33g(0.021몰), 에틸렌글리콜 비스(안하이드로트리멜리테이트) 2.46g(0.009몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a nitrogen inlet, 12.3 g (0.03 mol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane as diamine is first substituted with N-methyl-2-pi. It was added to 216.81 g of a solvent of Ralidone (NMP) and dissolved at 15 DEG C, followed by 9.33 g (0.021 mol) of (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate) 2.46 g (0.009 mol) was added thereto, followed by vigorous stirring for 5 hours in a nitrogen atmosphere to synthesize polyamic acid.

수득된 폴리아미드산에 50ml의 톨루엔과, 3.0g의 p-톨루엔술폰산을 가하여 190℃로 가열하고, 반응의 진행에 따라 수분을 분리하면서 6시간 동안 이미드화 반응을 실시하였다. 그후 폴리이미드 중합액을 메탄올에 주입하여 수득된 침전물을 분리, 분쇄, 세정 및 건조시키는 공정을 거침으로서, 분말 상태의 폴리이미드를 수득하였으며, 수득된 폴리이미드의 적외 흡수스펙트럼을 측정한바, 1718㎝-1 및 1783㎝-1로 전형적인 이미드의 흡수가 인정되었다.50 ml of toluene and 3.0 g of p-toluenesulfonic acid were added to the obtained polyamic acid, and it heated at 190 degreeC, and the imidation reaction was performed for 6 hours, separating water with progress of reaction. Then, a polyimide in a powder state was obtained by subjecting the precipitate obtained by injecting the polyimide polymer solution into methanol to separate, pulverize, wash, and dry, and the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide was measured. Absorption of typical imides was recognized at -1 and 1783 cm -1 .

<비교실시예 5>Comparative Example 5

교반기, 환류냉각기, 질소도입구가 구비된 반응용기에, 먼저 디아민으로 파라페닐렌디아민 2.59g(0.024몰), 4,4-비스(4-아미노페녹시)바이페닐 2.21g(0.006몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 156.69g 용매에 넣고 15℃에서 이들을 녹인 다음, (3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 다이안하이드라이드 4.00g(0.009몰), 에틸렌글리콜 비스(안하이드로트리멜리테이트) 8.61g(0.021몰)을 투입하여 질소 분위기에서 5시간 동안 격렬하게 교반시켜 폴리아미드산을 합성하였다.In a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux cooler, and a nitrogen inlet, 2.59 g (0.024 mol) of paraphenylenediamine and 2.21 g (0.006 mol) of 4,4-bis (4-aminophenoxy) biphenyl are first used as diamines. N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to a solvent of 156.69 g and dissolved at 15 ° C., followed by 4.00 g (0.009 mol) of (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, ethylene glycol bis (Anhydro trimellitate) 8.61 g (0.021 mol) was added thereto, followed by vigorous stirring for 5 hours in a nitrogen atmosphere to synthesize polyamic acid.

수득된 폴리아미드산에 50ml의 톨루엔과, 3.0g의 p-톨루엔술폰산을 가하여 190℃로 가열하고, 반응의 진행에 따라 수분을 분리하면서 6시간 동안 이미드화 반응을 실시하였다. 그후 폴리이미드 중합액을 메탄올에 주입하여 수득된 침전물을 분리, 분쇄, 세정 및 건조시키는 공정을 거침으로서, 분말 상태의 폴리이미드를 수득하였으며, 수득된 폴리이미드의 적외 흡수스펙트럼을 측정한바, 1718㎝-1 및 1783㎝-1로 전형적인 이미드의 흡수가 인정되었다.50 ml of toluene and 3.0 g of p-toluenesulfonic acid were added to the obtained polyamic acid, and it heated at 190 degreeC, and the imidation reaction was performed for 6 hours, separating water with progress of reaction. Then, a polyimide in a powder state was obtained by subjecting the precipitate obtained by injecting the polyimide polymer solution into methanol to separate, pulverize, wash, and dry, and the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide was measured. Absorption of typical imides was recognized at -1 and 1783 cm -1 .

상기 실시예 3~5와 비교실시예 3~5에서 얻은 폴리아미드산들의 상대점도(폴리아미드산을 N,N-디메틸아세트아마이드에 0.05중량%로 희석)를 각각 하기 표 2에 나타내었다.The relative viscosity of the polyamic acids obtained in Examples 3 to 5 and Comparative Examples 3 to 5 (diluted polyamic acid to 0.05% by weight in N, N-dimethylacetamide) is shown in Table 2, respectively.

실시예 3~5와 비교실시예 3~5에서 얻은 폴리이미드들을 각각 NMP에 고형분 15중량%로 용해한 후, 폴리이미드 용액들을 나이프코터를 이용하여 각각 도포한 다음, 진공 건조기에서 80℃×60분간 건조하여 용매를 제거한 후, 필름을 유리판위에서 떼어낸 후 다시 150℃×5분, 200℃×5분, 300℃×10분 동안 각각 건조시켜 두께 50㎛ 폴리이미드 필름들을 제조하였다.After dissolving the polyimide obtained in Examples 3 to 5 and Comparative Examples 3 to 5 in a solid content of 15% by weight in NMP, the polyimide solutions were applied using a knife coater, respectively, and then 80 ° C. × 60 minutes in a vacuum dryer. After drying to remove the solvent, the film was removed from the glass plate, and then dried again for 150 ° C. × 5 minutes, 200 ° C. × 5 minutes, and 300 ° C. × 10 minutes to prepare 50 μm thick polyimide films.

폴리이미드 필름들의 내열성을 평가하기 위해 5% 열분해온도를 측정하여 각각 표 2에 나타내었으며, DMTA(Dynamic Mechanical Thermal Analysis)를 이용하여 유리전이온도와 탄성모듈러스값을 측정하여 각각 표 2에 나타내었다. In order to evaluate the heat resistance of the polyimide films, the 5% pyrolysis temperature was measured and shown in Table 2, respectively. The glass transition temperature and the elastic modulus were measured using DMTA (Dynamic Mechanical Thermal Analysis), and the results are shown in Table 2, respectively.

폴리이미드 용액들을 50㎛ 두께의 Upilex-SGA 폴리이미드 필름위에 나이프코터를 이용하여 도포한 다음, 100℃에서 5분, 130℃에서 5분, 150℃에서 5분, 200℃에서 5분을 각각 건조시켜 용매를 제거한 후 최종적으로 300℃에서 10분 동안 건조하여 두께 20㎛ 폴리이미드 접착층의 접착테이프를 제조하였다. 테이프들을 400℃에서 압력 5㎏/㎠의 조건으로 각각 동박, 니켈철 합금판, PIK-3000용액(히타치 케미컬)이 코팅된 판 위에 접착시킨 후 상온에서 50mm/min의 속도로 T-Peel 테스트하여 평가한 접착력을 하기 표 2에 나타내었다.Polyimide solutions were applied on a 50 μm thick Upilex-SGA polyimide film using a knife coater, and then dried at 100 ° C. for 5 minutes, 130 ° C. for 5 minutes, 150 ° C. for 5 minutes, and 200 ° C. for 5 minutes, respectively. After removing the solvent, and finally dried at 300 ℃ for 10 minutes to prepare an adhesive tape of a thickness 20㎛ polyimide adhesive layer. The tapes were adhered onto copper plate, nickel iron alloy plate, and PIK-3000 solution (Hitachi Chemical) coated plate at 400 ℃ under pressure of 5㎏ / ㎠, and then T-Peel tested at a speed of 50mm / min at room temperature. The evaluated adhesive strength is shown in Table 2 below.

Figure 112000001549654-pat00008
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상기 실시예 및 비교실시예에서 확인되듯이 본 발명에 따른 폴리아미드산 및 폴리이미드는 내열성과 기계적 물성이 유지되면서 접착력과 고온안정성이 우수하여 반도체 조립용도와 같은 고온 접착용 접착제 용도로 사용시 매우 유용하다.As confirmed in the above examples and comparative examples, the polyamic acid and the polyimide according to the present invention have excellent adhesive strength and high temperature stability while maintaining heat resistance and mechanical properties, and are very useful when used for high temperature adhesive adhesives such as semiconductor assembly. Do.

Claims (5)

적어도 1종 이상의 테트라카르복실산 다이안하이드라이드와, 적어도 1종 이상의 방향족 디아민과, 적어도 1종 이상의 하기 화학식(Ⅰ)로 표기되는 실록산 구조를 포함하는 디아민 및 적어도 1종 이상의 하기 화학식(Ⅱ) 또는 화학식(Ⅲ)으로 표기되는 폴리아미노화합물을 반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 폴리아미드산 제조방법.Diamine comprising at least one or more tetracarboxylic dianhydrides, at least one or more aromatic diamines, and at least one or more siloxane structures represented by the following general formula (I); A method for producing a polyamic acid, which is prepared by reacting a polyamino compound represented by the formula (III). [화학식 Ⅰ][Formula I]
Figure 112000001549654-pat00009
Figure 112000001549654-pat00009
(상기 화학식 (Ⅰ)에서, R4는 탄소수 1에서 20의 알킬렌기, n'는 1에서 20의 정수임)(In the formula (I), R4 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, n 'is an integer of 1 to 20) [화학식 Ⅱ][Formula II]
Figure 112000001549654-pat00010
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[화학식 Ⅲ][Formula III]
Figure 112000001549654-pat00011
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(상기 화학식(Ⅱ)와 화학식(Ⅲ)에서, A1은 하기의 구조들 중에서 선택되며,(In the above formula (II) and formula (III), A1 is selected from the following structures,
Figure 112000001549654-pat00012
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A2는 하기의 구조들 중에서 선택되며,A2 is selected from the following structures,
Figure 112000001549654-pat00013
Figure 112000001549654-pat00013
n1은 0 내지 4 까지의 정수이며, n2는 0 내지 3 까지의 정수이며, x는 산을 나타내고 q는 산의 염기수를 나타내며, 상기 A1 또는 A2의 구조식 중에서 R은 -O-, -CH2-, -CO-, 또는 -SO2-을 나타내며, n3은 0 또는 1을 나타냄.)n1 is an integer from 0 to 4, n2 is an integer from 0 to 3, x represents an acid, q represents the number of bases of the acid, in the structural formula of A1 or A2, R is -O-, -CH 2- , -CO-, or -SO 2- , where n3 represents 0 or 1.
적어도 1종 이상의 테트라카르복실산 다이안하이드라이드와, 적어도 1종 이 상의 방향족 디아민과, 적어도 1종 이상의 하기 화학식(Ⅰ)로 표기되는 실록산 구조를 포함하는 디아민 및 적어도 1종 이상의 하기 화학식(Ⅱ) 또는 화학식(Ⅲ)으로 표기되는 폴리아미노화합물을 반응시켜 제조한 폴리아미드산을 열적이미드화 또는 화학적이미드화에 의해 제조하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 제조방법.Diamine comprising at least one or more tetracarboxylic dianhydrides, at least one or more aromatic diamines, and at least one or more siloxane structures represented by formula (I), and at least one or more formulas (II) Or a polyamic acid produced by reacting a polyamino compound represented by the formula (III) by thermal imidization or chemical imidization. [화학식 Ⅰ][Formula I]
Figure 112000001549654-pat00014
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(상기 화학식 (Ⅰ)에서, R4는 탄소수 1에서 20의 알킬렌기, n'는 1에서 20의 정수임)(In the formula (I), R4 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, n 'is an integer of 1 to 20) [화학식 Ⅱ][Formula II]
Figure 112000001549654-pat00015
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[화학식 Ⅲ][Formula III]
Figure 112000001549654-pat00016
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(상기 화학식(Ⅱ)와 화학식(Ⅲ)에서, A1은 하기의 구조들 중에서 선택되며,(In the above formula (II) and formula (III), A1 is selected from the following structures,
Figure 112000001549654-pat00017
Figure 112000001549654-pat00017
A2는 하기의 구조들 중에서 선택되며,A2 is selected from the following structures,
Figure 112000001549654-pat00018
Figure 112000001549654-pat00018
n1은 0 내지 4 까지의 정수이며, n2는 0 내지 3 까지의 정수이며, x는 산을 나타내고 q는 산의 염기수를 나타내며, 상기 A1 또는 A2의 구조식 중에서 R은 -O-, -CH2-, -CO-, 또는 -SO2-을 나타내며, n3은 0 또는 1을 나타냄.)n1 is an integer from 0 to 4, n2 is an integer from 0 to 3, x represents an acid, q represents the number of bases of the acid, in the structural formula of A1 or A2, R is -O-, -CH 2- , -CO-, or -SO 2- , where n3 represents 0 or 1.
제 2 항에 있어서, 열적이미드화는 250~500℃의 고온에서 실시하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 제조방법.The method of producing polyimide according to claim 2, wherein the thermal imidation is performed at a high temperature of 250 to 500 ° C. 제 1 항에 있어서, 폴리아미드산 제조반응에 참여하는 각성분들은 테트라카르복실산 다이안하이드라이드 100몰에 대하여 방향족 디아민 10-100몰, 화학식 (Ⅰ)로 표기되는 실록산구조를 포함하는 디아민 화합물 0.1-90몰 및 화학식 (Ⅱ) 또는 화학식 (Ⅲ)으로 표기되는 폴리아미노화합물 0.01-20몰 범위에서 사용되는 특징 으로 하는 폴리아미드산 제조방법.The diamine compound according to claim 1, wherein each component participating in the polyamic acid production reaction comprises a siloxane structure represented by 10-100 moles of an aromatic diamine and a siloxane structure represented by formula (I) with respect to 100 moles of tetracarboxylic dianhydride. A process for producing a polyamic acid characterized in that it is used in the range of -90 moles and 0.01-20 moles of the polyamino compound represented by formula (II) or formula (III). 제 2 항에 있어서, 폴리이미드 제조반응에 참여하는 각성분들은 테트라카르복실산 다이안하이드라이드 100몰에 대하여 방향족 디아민 10-100몰, 화학식 (Ⅰ)로 표기되는 실록산구조를 포함하는 디아민 화합물 0.1-90몰 및 화학식 (Ⅱ) 또는 화학식 (Ⅲ)으로 표기되는 폴리아미노화합물 0.01-20몰 범위에서 사용되는 특징으로 하는 폴리이미드 제조방법.3. The diamine compound according to claim 2, wherein each component participating in the polyimide production reaction comprises 10-100 moles of an aromatic diamine with respect to 100 moles of tetracarboxylic dianhydride and a siloxane structure represented by the formula (I). A process for producing a polyimide characterized in that it is used in 90 moles and 0.01-20 moles of a polyamino compound represented by formula (II) or formula (III).
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6164730A (en) * 1984-09-06 1986-04-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd Production of heat-resistant resin
JPH03109425A (en) * 1989-09-21 1991-05-09 Toho Rayon Co Ltd Polyimide resin three-dimensional structure and preparation thereof
US5231162A (en) * 1989-09-21 1993-07-27 Toho Rayon Co. Ltd. Polyamic acid having three-dimensional network molecular structure, polyimide obtained therefrom and process for the preparation thereof
JPH0790082A (en) * 1993-09-20 1995-04-04 Unitika Ltd Granule of polyamic acid, its mixture and production thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6164730A (en) * 1984-09-06 1986-04-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd Production of heat-resistant resin
JPH03109425A (en) * 1989-09-21 1991-05-09 Toho Rayon Co Ltd Polyimide resin three-dimensional structure and preparation thereof
US5231162A (en) * 1989-09-21 1993-07-27 Toho Rayon Co. Ltd. Polyamic acid having three-dimensional network molecular structure, polyimide obtained therefrom and process for the preparation thereof
JPH0790082A (en) * 1993-09-20 1995-04-04 Unitika Ltd Granule of polyamic acid, its mixture and production thereof

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