KR100558490B1 - Semiconductor manufacturing appratus having lamp monitering means - Google Patents

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Abstract

반도체 제조장치를 제공한다. 이 반도체 제조장치는 외부로부터 밀폐된 소정공간이 마련되는 프로세스챔버와, 웨이퍼가 안착되도록 프로세스챔버 내부에 구비되는 웨이퍼척과, 프로세스챔버의 일측면에 장착되며 프로세스챔버 내부를 소정 진공압력으로 유지시켜주는 진공배기유닛과, 프로세스챔버의 내부로 소정 반응가스를 공급해주는 반응가스공급유닛과, 프로세스챔버와 반응가스공급유닛 사이에 개재되는 플라즈마챔버와, 프로세스챔버로 공급되는 반응가스가 플라즈마챔버에서 플라즈마 상태로 변환되도록 플라즈마챔버에 소정 자기전원을 제공하는 자기전원공급유닛과, 플라즈마챔버에 설치되며 반응가스가 플라즈마 상태로 변환되는 것을 촉진하도록 자외선광을 제공하는 자외선램프 및, 자외선램프에 연결되며 자외선램프의 이상유무를 모니터링하는 램프 모니터링수단을 포함한다. Provided is a semiconductor manufacturing apparatus. The semiconductor manufacturing apparatus includes a process chamber provided with a predetermined space sealed from the outside, a wafer chuck provided inside the process chamber to seat the wafer, and mounted on one side of the process chamber to maintain the inside of the process chamber at a predetermined vacuum pressure. The vacuum exhaust unit, the reaction gas supply unit for supplying a predetermined reaction gas into the process chamber, the plasma chamber interposed between the process chamber and the reaction gas supply unit, and the reaction gas supplied to the process chamber are plasma states in the plasma chamber. A magnetic power supply unit for supplying a predetermined magnetic power to the plasma chamber to be converted into a light source, an ultraviolet lamp installed in the plasma chamber and providing ultraviolet light to promote the conversion of the reaction gas into a plasma state, and an ultraviolet lamp connected to the ultraviolet lamp. Lamp monitor to monitor the abnormality of And means.

반도체, 플라즈마Semiconductor, plasma

Description

램프 모니터링수단을 구비한 반도체 제조장치{Semiconductor manufacturing appratus having lamp monitering means}Semiconductor manufacturing apparatus having lamp monitoring means TECHNICAL FIELD

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 일실시예를 도시한 구성도.1 is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110 : 프로세스챔버 114 : 웨이퍼척110: process chamber 114: wafer chuck

118 : 가스분배플레이트 130 : 진공배기유닛118: gas distribution plate 130: vacuum exhaust unit

150 : 플라즈마챔버 154 : 자외선램프150: plasma chamber 154: ultraviolet lamp

160 : 램프 모니터링수단 161 : 스캔유닛160: lamp monitoring means 161: scanning unit

163 : 콘트롤러 170 : 반응가스공급유닛163: controller 170: reaction gas supply unit

190 : 자기전원공급유닛 195 : 도파관190: magnetic power supply unit 195: waveguide

본 발명은 램프 모니터링수단을 구비한 반도체 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마(Plasma)를 이용하여 웨이퍼(Wafer)의 상면에 도포된 포토레지스트(Photoresist)를 제거하는 애싱(Ashing)장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having lamp monitoring means, and more particularly, to an ashing apparatus for removing photoresist applied to an upper surface of a wafer by using plasma. It is about.

일반적으로, 실리콘(Silicon) 웨이퍼는 사진공정, 식각공정, 애싱공정, 박막 증착공정, 이온주입공정 등 복수의 단위공정을 반복적으로 수행하여 반도체장치인 칩(Chip)으로 제조된다.In general, a silicon wafer is manufactured as a chip, which is a semiconductor device, by repeatedly performing a plurality of unit processes such as a photo process, an etching process, an ashing process, a thin film deposition process, and an ion implantation process.

이 중 사진공정은 웨이퍼의 상면에 포토레지스트를 도포하는 도포단계와, 이와 같이 도포된 포토레지스트의 상측에 만들고자 하는 회로패턴(Pattern)이 새겨진 레티클(Reticle)을 위치시킨 다음 소정 파장을 갖는 빛을 조사하여 레티클에 새겨진 회로패턴을 웨이퍼의 상측에 도포된 포토레지스트에 전사하는 노광단계 및, 노광된 웨이퍼의 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 상에 원하는 회로패턴을 형성하는 현상단계로 이루어진다. Among these, the photolithography process involves applying a photoresist to the upper surface of the wafer, placing a reticle engraved with a circuit pattern to be made on top of the photoresist, and then applying light having a predetermined wavelength. An exposure step of irradiating and transferring the circuit pattern engraved on the reticle to the photoresist applied on the upper side of the wafer, and developing step of developing the photoresist of the exposed wafer to form a desired circuit pattern on the photoresist.

그리고, 이러한 사진공정 이후에는 웨이퍼의 상면에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크(Mask)로 하여 포토레지스트 패턴이 있는 부분을 제외한 나머지 부분 등을 식각하는 식각공정이 수행되고, 식각공정 이후에는 웨이퍼의 상면에 남아있는 포토레지스트 패턴을 모두 제거하는 애싱공정이 수행된다.After the photolithography process, an etching process is performed to etch the remaining portions except the photoresist pattern using the photoresist pattern formed on the upper surface of the wafer as a mask, and after the etching process, an etching process is performed on the upper surface of the wafer. An ashing process is performed to remove all remaining photoresist patterns.

여기서, 애싱공정은 소정 케미컬(Chemical)을 사용하여 포토레지스트를 제거하는 습식애싱과, 플라즈마나 오존(O3)과 같은 소정 애싱가스(Ashing gas)를 사용하여 포토레지스트를 제거하는 건식애싱 등이 있는데, 최근에는 플라즈마를 이용한 건식애싱이 주로 사용되고 있는 실정이다. Here, the ashing process includes wet ashing to remove photoresist using chemical and dry ashing to remove photoresist using a predetermined ashing gas such as plasma or ozone (O 3 ). In recent years, dry ashing using plasma is mainly used.

이하, 플라즈마를 이용하여 포토레지스트를 제거하는 종래 반도체 제조장치의 일예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an example of a conventional semiconductor manufacturing apparatus for removing a photoresist by using plasma is as follows.

종래의 반도체 제조장치는 웨이퍼가 로딩(Loading)되며 애싱이 진행되는 프 로세스챔버(Process chamber)와, 프로세스챔버 내부로 반응가스를 공급해주는 반응가스공급유닛(Unit)과, 프로세스챔버와 반응가스공급유닛 사이에 개재되는 플라즈마챔버와, 공급되는 반응가스가 플라즈마 상태로 변환되도록 플라즈마챔버에 소정 자기전원을 제공하는 자기전원공급유닛 및, 플라즈마의 원활한 활성화를 위해 항상 점등된 상태를 유지하도록 플라즈마챔버에 설치되는 자외선램프(Ultraviolet lamp)를 포함하여 구성된다.In the conventional semiconductor manufacturing apparatus, a process chamber in which a wafer is loaded and ashing proceeds, a reaction gas supply unit supplying a reaction gas into the process chamber, a process chamber and a reaction gas supply A plasma chamber interposed between the unit, a magnetic power supply unit for supplying a predetermined magnetic power to the plasma chamber so that the supplied reaction gas is converted into a plasma state, and a plasma chamber so as to be always lit for smooth activation of the plasma. It is configured to include an ultraviolet lamp (Ultraviolet lamp) is installed.

따라서, 종래의 반도체 제조장치는 웨이퍼 이송암(Arm) 등에 의해 포토레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼가 프로세스챔버 내부로 로딩될 경우, 이 웨이퍼의 포토레지스트 패턴을 제거하고자 프로세스챔버 내부로 소정 반응가스를 공급하게 된다. 그리고, 자기전원공급유닛은 소정 자기전원을 플라즈마챔버 내부로 제공하게 된다. Therefore, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus, when a wafer having a photoresist pattern formed by a wafer transfer arm or the like is loaded into the process chamber, a predetermined reaction gas may be supplied into the process chamber to remove the photoresist pattern of the wafer. do. Then, the magnetic power supply unit provides a predetermined magnetic power into the plasma chamber.

이에, 프로세스챔버 내부로 공급되던 반응가스는 자기전원공급유닛에서 제공하는 자기전원과 항상 점등되는 자외선램프에 의해 플라즈마챔버 내부에서 플라즈마 상태로 변환되며, 변환된 이후에는 프로세스챔버 내부로 공급된다. Accordingly, the reaction gas supplied into the process chamber is converted into the plasma state in the plasma chamber by the magnetic power provided by the magnetic power supply unit and the ultraviolet lamp which is always turned on, and is then supplied into the process chamber.

그러므로, 프로세스챔버 내부로 로딩된 웨이퍼 상의 포토레지스트 패턴은 이러한 플라즈마에 의해 모두 제거되는 것이다.Therefore, the photoresist pattern on the wafer loaded into the process chamber is all removed by this plasma.

그러나, 이와 같은 종래 반도체 제조장치는 자외선램프가 플라즈마챔버의 내부에 설치되어 있기 때문에 자외선램프가 조기에 그 수명 및 기능을 상실할 경우 이를 곧바로 감지하지 못하게 되는 문제점이 발생된다. 이에 종래 반도체 제조장치는 종종 자외선램프의 기능상실 중에도 애싱공정을 진행하게 된다. 따라서, 종래 반도체 제조장치에서는 플라즈마가 원활하게 형성되지 않게 되며, 이로 인하여 일 정 애싱율에 도달하는데 장시간이 소요되거나 일정 애싱율에 전혀 도달하지 못하게 되는 문제점이 발생된다. However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus, since the ultraviolet lamp is installed inside the plasma chamber, when the ultraviolet lamp loses its life and function early, there is a problem in that it cannot be detected immediately. Therefore, the conventional semiconductor manufacturing apparatus often goes through the ashing process even during the malfunction of the ultraviolet lamp. Therefore, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus, the plasma is not smoothly formed, which causes a problem that it takes a long time to reach a constant ashing rate or does not reach a constant ashing rate at all.

또한, 종래 반도체 제조장치는 자외선램프의 이상여부를 모니터링(Monitering)할 수 있는 수단이 전혀 구비되어 있지 않기 때문에 플라즈마가 원활하게 형성되지 않을 경우 반도체 제조장치의 각부분을 분해하고 테스트(Test)함으로써 비로소 자외선램프의 고장을 발견하게 되는 바, 장시간의 타임로스(Time loss)가 발생하게 되는 문제점이 발생된다. In addition, the conventional semiconductor manufacturing apparatus has no means for monitoring the abnormality of the ultraviolet lamp, so if plasma is not formed smoothly, by disassembling and testing each part of the semiconductor manufacturing apparatus. Finally, when the failure of the ultraviolet lamp is found, there is a problem that a long time loss occurs.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 자외선램프의 이상유무를 실시간으로 모니터링할 수 있는 램프 모니터링수단을 구비한 반도체 제조장치를 제공하는데 있다. Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a lamp monitoring means capable of monitoring in real time the presence or absence of an abnormality of an ultraviolet lamp.

이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명 반도체 제조장치는 외부로부터 밀폐된 소정공간이 마련되는 프로세스챔버와, 웨이퍼가 안착되도록 프로세스챔버 내부에 구비되는 웨이퍼척(Wafer chuck)과, 프로세스챔버의 일측면에 장착되며 프로세스챔버 내부를 소정 진공압력으로 유지시켜주는 진공배기유닛과, 프로세스챔버의 내부로 소정 반응가스를 공급해주는 반응가스공급유닛과, 프로세스챔버와 반응가스공급유닛 사이에 개재되는 플라즈마챔버와, 프로세스챔버로 공급되는 반응가스가 플라즈마챔버에서 플라즈마 상태로 변환되도록 플라즈마챔버에 소정 자기전원을 제공하는 자기전원공급유닛과, 플라즈마챔버에 설치되며 반응가스가 플라즈마 상태로 변환되는 것을 촉진하도록 자외선광을 제공하는 자외선램프 및, 자외선램프에 연결되며 자외선램프의 이상유무를 모니터링하는 램프 모니터링수단을 포함한다. The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention for realizing the above object includes a process chamber provided with a predetermined space sealed from the outside, a wafer chuck provided inside the process chamber so that the wafer is seated, and one side of the process chamber. A vacuum exhaust unit mounted to maintain the inside of the process chamber at a predetermined vacuum pressure, a reaction gas supply unit supplying a predetermined reaction gas into the process chamber, a plasma chamber interposed between the process chamber and the reaction gas supply unit, A magnetic power supply unit that provides a predetermined magnetic power to the plasma chamber so that the reaction gas supplied to the process chamber is converted into the plasma state, and ultraviolet light is installed in the plasma chamber to facilitate the conversion of the reaction gas into the plasma state. UV lamps and UV lamps, which are connected to UV lamps It comprises a lamp monitoring means for monitoring the abnormality of the lamp.

이때, 상기 램프 모니터링수단은 자외선램프에 연결되어 자외선램프로 제공되는 전압ㆍ전류ㆍ저항값을 검출하는 스캔유닛(Scan unit)과, 스캔유닛에 연결되며 스캔유닛에서 검출한 전압ㆍ전류ㆍ저항값과 이미 입력된 기준전압ㆍ전류ㆍ저항값을 비교하여 스캔유닛에서 검출한 전압ㆍ전류ㆍ저항값이 일정 허용범위를 초과하면 알람을 발생시키는 콘트롤러(Controller)를 포함함이 바람직하다. In this case, the lamp monitoring means includes a scan unit connected to the ultraviolet lamp to detect the voltage, current, and resistance value provided by the ultraviolet lamp, and a voltage, current, and resistance value connected to the scan unit and detected by the scan unit. And a controller which compares the already inputted reference voltage, current and resistance values and generates an alarm when the voltage, current and resistance values detected by the scan unit exceed a certain allowable range.

그리고, 상기 램프 모니터링수단에는 스캔유닛에서 검출한 전압ㆍ전류ㆍ저항값을 외부로 표시해주는 디스플레이부(Display part)가 더 포함됨이 바람직하다. The lamp monitoring means may further include a display part which displays the voltage, current, and resistance values detected by the scan unit to the outside.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조장치(100)의 바람직한 일실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a preferred embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus 100 according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조장치(100)는 웨이퍼(90)의 상면에 형성된 포토레지스트 패턴이 제거되는 프로세스챔버(110)와, 프로세스챔버(110) 내부를 소정 진공압력으로 유지시켜주는 진공배기유닛(130)과, 포토레지스트 패턴이 제거되도록 프로세스챔버(110)의 내부로 반응가스를 공급해주는 반응가스공급유닛(170)과, 프로세스챔버(110)와 반응가스공급유닛(170) 사이에 개재되는 플라즈마챔버(150)와, 공급되는 반응가스가 플라즈마 상태로 변환되도록 플라즈마챔버(150)에 소정 자기전원을 제공하는 자기전원공급유닛(190)과, 플라즈마의 원활한 활성화를 위해 항상 점등된 상태를 유지하도록 플라즈마챔버(150)에 설치되는 자외선램프(154) 및, 자외선램프(154)에 연결되며 자외선램프(154)의 이 상유무를 실시간으로 모니터링하는 램프 모니터링수단(160)으로 구성된다. As shown in the drawing, the semiconductor manufacturing apparatus 100 according to the present invention includes a process chamber 110 in which the photoresist pattern formed on the upper surface of the wafer 90 is removed, and the inside of the process chamber 110 at a predetermined vacuum pressure. The vacuum exhaust unit 130 to maintain, the reaction gas supply unit 170 for supplying the reaction gas into the process chamber 110 to remove the photoresist pattern, the process chamber 110 and the reaction gas supply unit ( The plasma chamber 150 interposed between the 170, the magnetic power supply unit 190 for providing a predetermined magnetic power to the plasma chamber 150 to convert the supplied reaction gas into a plasma state, and for smooth activation of the plasma UV lamp 154 installed in the plasma chamber 150 and the lamp module connected to the UV lamp 154 to monitor the presence or absence of the UV lamp 154 in real time to maintain the always lit state It consists of a monitoring means (160).

보다 구체적으로 설명하면, 프로세스챔버(110)는 애싱이 진행될수 있도록 밀폐된 소정공간이 마련된 통체형상으로, 내부 하측에는 웨이퍼(90)가 안착되도록 웨이퍼척(114)이 구비되며, 내부 상측에는 반응가스가 균일하게 분배되도록 다수의 홀(Hole,116)이 형성된 가스분배플레이트(Plate,118)가 구비된다. In more detail, the process chamber 110 is a cylindrical shape provided with a predetermined space sealed to allow ashing to proceed. A wafer chuck 114 is provided on the lower side of the inside to allow the wafer 90 to be seated. A gas distribution plate 118 having a plurality of holes 116 is provided to uniformly distribute the gas.

진공배기유닛(130)은 프로세스챔버(110)의 외부 일측면에 장착되고, 프로세스챔버(110)의 내부를 애싱에 적합한 소정 진공압력으로 변경 및 유지시켜주며, 터보펌프(Turbo pump) 등으로 구현된다.The vacuum exhaust unit 130 is mounted on an outer side of the process chamber 110, changes and maintains the inside of the process chamber 110 to a predetermined vacuum pressure suitable for ashing, and is implemented by a turbo pump or the like. do.

반응가스공급유닛(170)은 프로세스챔버(110)와 반응가스공급유닛(170) 사이에 개재되는 플라즈마챔버(150)에 애싱에 사용될 O2와 같은 반응가스를 공급해주는 역할을 한다. The reaction gas supply unit 170 serves to supply a reaction gas such as O 2 to be used for ashing to the plasma chamber 150 interposed between the process chamber 110 and the reaction gas supply unit 170.

플라즈마챔버(150)는 프로세스챔버(110)의 외부 상측에 장착되며, 프로세스챔버(110)로 공급되는 반응가스가 플라즈마 상태로 변환된 다음 프로세스챔버(110)로 공급될 수 있도록 소정 공간을 제공하는 역할을 한다. 이때, 플라즈마챔버(150) 내부에는 외부와 밀폐된 채 반응가스만이 경유될 수 있도록 사파이어(Sapphire) 재질의 바틀(Bottle,152)이 구비됨이 바람직하다.The plasma chamber 150 is mounted on the outer upper side of the process chamber 110, and provides a predetermined space for the reaction gas supplied to the process chamber 110 to be converted into a plasma state and then supplied to the process chamber 110. Play a role. At this time, the inside of the plasma chamber 150 is preferably provided with a bottle 152 of the sapphire (Sapphire) material so that only the reaction gas is passed through while being sealed to the outside.

자기전원공급유닛(190)은 플라즈마챔버(150)를 경유하여 프로세스챔버(110)로 공급되는 반응가스가 플라즈마 상태로 변환될 수 있도록 도파관(195)을 이용하여 플라즈마챔버(150)에 소정 자기전원을 제공하는 역할을 한다. 이때, 제공되는 소정 자기전원은 2.45GHz의 마이크로 웨이브(Micro wave) 전원임이 바람직하다. The magnetic power supply unit 190 supplies a predetermined magnetic power to the plasma chamber 150 using the waveguide 195 so that the reaction gas supplied to the process chamber 110 via the plasma chamber 150 can be converted into a plasma state. Serves to provide. In this case, the predetermined magnetic power source is preferably a microwave power of 2.45 GHz.

자외선램프(154)는 플라즈마챔버(150)의 내부에 설치되되 항상 점등된 상태로 유지되도록 설치되며, 공급되는 반응가스에 소정 자외선광을 제공하여 반응가스가 플라즈마 상태로 용이하게 변환 및 활성화될 수 있도록 촉매제 역할을 한다. 이에 자외선램프(154)의 일측에는 자외선램프(154)에 전원을 공급해주는 전원공급부(156)가 구비된다. The ultraviolet lamp 154 is installed inside the plasma chamber 150 but is installed to be always kept in a lit state. The ultraviolet lamp 154 may be easily converted and activated into a plasma state by providing a predetermined ultraviolet light to the supplied reaction gas. To act as a catalyst. Accordingly, one side of the ultraviolet lamp 154 is provided with a power supply unit 156 for supplying power to the ultraviolet lamp 154.

한편, 자외선램프(154)의 이상유무를 실시간으로 모니터링하는 램프 모니터링수단(160)은 자외선램프(154)에 연결되어 자외선램프(154)로 제공되는 전압ㆍ전류ㆍ저항값 등을 실시간으로 검출하는 스캔유닛(161)과, 스캔유닛(161)에 연결되며 검출된 전압ㆍ전류ㆍ저항값과 이미 입력된 기준전압ㆍ전류ㆍ저항값을 비교하여 스캔유닛(161)에서 검출한 전압ㆍ전류ㆍ저항값이 이미 입력된 기준전압ㆍ전류ㆍ저항값의 일정 허용범위를 초과할 경우 램프(154)의 이상 검출을 외부에 알리도록 알람을 발생시키는 콘트롤러(163)로 구성된다. 이때, 램프 모니터링수단(160)에는 스캔유닛(161)에서 검출된 전압ㆍ전류ㆍ저항값을 외부로 표시해주는 디스플레이부(165)가 더 구비될 수 있으며, 이 경우 사용자는 디스플레이부(165)에서 표시된 전압ㆍ전류ㆍ저항값을 인지하여 자외선램프(154)의 현상태를 감지할수 있게 된다. On the other hand, the lamp monitoring means 160 for monitoring the abnormality of the ultraviolet lamp 154 in real time is connected to the ultraviolet lamp 154 to detect in real time the voltage, current, resistance value, etc. provided to the ultraviolet lamp 154 The voltage, current, and resistance detected by the scanning unit 161 by comparing the detected voltage, current, and resistance values, which are connected to the scan unit 161 and the scanning unit 161, with the reference voltage, current, and resistance values already input. The controller 163 generates an alarm to notify the outside of the abnormal detection of the lamp 154 when the value exceeds a predetermined allowable range of the reference voltage, current, and resistance value already input. In this case, the lamp monitoring unit 160 may further include a display unit 165 for displaying the voltage, current, and resistance values detected by the scan unit 161 to the outside. In this case, the user may display the display unit 165. The present state of the ultraviolet lamp 154 can be sensed by recognizing the displayed voltage, current and resistance values.

이하, 이상과 같이 구성된 본 발명 반도체 제조장치(100)의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the operation and effect of the present invention semiconductor manufacturing apparatus 100 configured as described above will be described in detail.

먼저, 선행공정을 수행한 다음 애싱될 웨이퍼(90)는 웨이퍼 이송암(미도시) 등에 의해 프로세스챔버(110) 내부의 웨이퍼척(114) 상면으로 로딩된다. 이때, 진 공배기유닛(130)은 프로세스챔버(110) 내부를 애싱에 적합한 소정 진공압력으로 변경 및 유지시켜준다. First, the wafer 90 to be ashed after the preceding process is loaded onto the upper surface of the wafer chuck 114 in the process chamber 110 by a wafer transfer arm (not shown). At this time, the vacuum exhaust unit 130 changes and maintains the inside of the process chamber 110 to a predetermined vacuum pressure suitable for ashing.

이후, 반응가스공급유닛(170)은 애싱에 필요한 소정 반응가스를 플라즈마챔버(150) 내부로 공급하고, 자기전원공급유닛(190)은 공급되는 반응가스가 플라즈마 상태로 변환되도록 2.45GHz의 마이크로 웨이브와 같은 소정 자기전원을 플라즈마챔버(150) 내부로 제공한다. 그리고, 자외선램프(154)는 공급되는 반응가스가 플라즈마 상태로 용이하게 변환 및 활성화될 수 있도록 계속 점등되어 소정 자외선광을 제공한다. Thereafter, the reaction gas supply unit 170 supplies a predetermined reaction gas necessary for ashing into the plasma chamber 150, and the magnetic power supply unit 190 supplies a microwave of 2.45 GHz so that the supplied reaction gas is converted into a plasma state. It provides a predetermined magnetic power such as the inside of the plasma chamber 150. The ultraviolet lamp 154 is continuously turned on to provide a predetermined ultraviolet light so that the reactant gas supplied can be easily converted and activated into a plasma state.

이에, 플라즈마챔버(150) 내부로 공급된 소정 반응가스는 매우 용이하게 플라즈마상태로 변환되며, 변환된 이후에는 가스분배플레이트(118)를 통해 프로세스챔버(110) 내부로 공급된다. 따라서, 웨이퍼척(114)에 안착된 웨이퍼(90) 상의 포토레지스트 패턴은 이와 같은 플라즈마에 의해 모두 제거되는 것이다. Thus, the predetermined reaction gas supplied into the plasma chamber 150 is converted into a plasma state very easily, and after the conversion, is supplied into the process chamber 110 through the gas distribution plate 118. Therefore, the photoresist pattern on the wafer 90 seated on the wafer chuck 114 is all removed by such a plasma.

이때, 이와 같은 애싱공정을 수행함에 있어 플라즈마챔버(150) 내부에 설치된 자외선램프(154)가 조기에 그 수명 및 기능을 상실할 경우 자외선램프(154)에 연결된 본 발명 램프 모니터링수단(160)은 자외선램프(154)로 제공되는 전압ㆍ전류ㆍ저항값 등을 검출 및 비교함으로 자외선램프(154)의 이상유무를 실시간으로 모니터링하게 된다. At this time, when performing the ashing process, the lamp monitoring means 160 of the present invention connected to the ultraviolet lamp 154 when the ultraviolet lamp 154 installed inside the plasma chamber 150 loses its life and function early. By detecting and comparing the voltage, current, resistance, and the like provided to the ultraviolet lamp 154, the presence or absence of abnormality of the ultraviolet lamp 154 is monitored in real time.

따라서, 본 발명 반도체 제조장치(100)에 따르면, 자외선램프(154)가 그 수명 및 기능을 조기에 상실할 경우 이를 실시간으로 모니터링할 수 있기 때문에 공정진행의 중지 또는 자외선램프(154) 교체 등의 조치를 빠르게 취할 수 있어 종래 와 같은 애싱시간 지연문제나 애싱율 저하 등의 문제를 미연에 방지하게 된다. Therefore, according to the semiconductor manufacturing apparatus 100 of the present invention, when the ultraviolet lamp 154 loses its life and function early, it can be monitored in real time, such as stopping the process or replacing the ultraviolet lamp 154. The action can be taken quickly, thereby preventing the problem of the ashing time delay or the ashing rate as in the prior art.

그리고, 본 발명 반도체 제조장치(100)에 따르면, 자외선램프(154)의 이상유무를 곧바로 디텍팅 가능하기 때문에 종래와 같은 장치고장의 원인규명을 위한 장시간의 타임로스를 획기적으로 축소할 수 있다. In addition, according to the semiconductor manufacturing apparatus 100 of the present invention, since the abnormality of the ultraviolet lamp 154 can be detected immediately, it is possible to drastically reduce a long time loss for identifying the cause of the device failure as in the prior art.

이상에서, 본 발명은 도시된 특정실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the above, the present invention has been described with reference to the specific embodiments shown, but this is merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and embodiments can be made therefrom. . Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 반도체 제조장치에 따르면, 자외선램프가 그 수명 및 기능을 조기에 상실할 경우 이를 실시간으로 모니터링할 수 있기때문에 공정진행의 중지 또는 자외선램프 교체 등의 조치를 빠르게 취할 수 있어 종래와 같은 애싱시간 지연문제나 애싱율 저하 등의 문제를 미연에 방지하게 되는 효과가 있다. As described above, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, when the ultraviolet lamp loses its life and function at an early stage, it can be monitored in real time, so that measures such as stopping the process or replacing the ultraviolet lamp can be quickly taken. As described above, there is an effect of preventing the problem of delaying ashing time and lowering ashing rate.

그리고, 본 발명 반도체 제조장치에 따르면, 자외선램프의 이상유무를 곧바로 디텍팅 가능하기 때문에 종래와 같은 장치고장의 원인규명을 위한 장시간의 타임로스를 획기적으로 축소할 수 있는 효과가 있다. In addition, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, since the abnormality of the ultraviolet lamp can be immediately detected, there is an effect that the long time loss for the cause of the device failure as in the prior art can be drastically reduced.

Claims (3)

외부로부터 밀폐된 소정공간이 마련되는 프로세스챔버;A process chamber provided with a predetermined space sealed from the outside; 웨이퍼가 안착되도록 상기 프로세스챔버 내부에 구비되는 웨이퍼척;A wafer chuck provided in the process chamber so that a wafer is seated; 상기 프로세스챔버의 일측면에 장착되며, 상기 프로세스챔버 내부를 소정 진공압력으로 유지시켜주는 진공배기유닛;A vacuum exhaust unit mounted to one side of the process chamber and maintaining the inside of the process chamber at a predetermined vacuum pressure; 상기 프로세스챔버의 내부로 소정 반응가스를 공급해주는 반응가스공급유닛;A reaction gas supply unit supplying a predetermined reaction gas into the process chamber; 상기 프로세스챔버와 상기 반응가스공급유닛 사이에 개재되는 플라즈마챔버;A plasma chamber interposed between the process chamber and the reaction gas supply unit; 상기 프로세스챔버로 공급되는 반응가스가 상기 플라즈마챔버에서 플라즈마 상태로 변환되도록 상기 플라즈마챔버에 소정 자기전원을 제공하는 자기전원공급유닛;A magnetic power supply unit for supplying a predetermined magnetic power to the plasma chamber so that the reaction gas supplied to the process chamber is converted into the plasma state in the plasma chamber; 상기 플라즈마챔버에 설치되며, 상기 반응가스가 플라즈마 상태로 변환되는 것을 촉진하도록 자외선광을 제공하는 자외선램프 및;An ultraviolet lamp installed in the plasma chamber, the ultraviolet lamp providing ultraviolet light to promote the conversion of the reaction gas into a plasma state; 상기 자외선램프에 연결되며 상기 자외선램프의 이상유무를 모니터링하는 램프 모니터링수단을 포함하되, Is connected to the ultraviolet lamp and comprises a lamp monitoring means for monitoring the presence or absence of the abnormality of the ultraviolet lamp, 상기 램프 모니터링수단은 상기 자외선램프에 연결되어 상기 자외선램프로 제공되는 전압ㆍ전류ㆍ저항값을 검출하는 스캔유닛과, 상기 스캔유닛에 연결되며 상기 스캔유닛에서 검출한 전압ㆍ전류ㆍ저항값과 미리 입력된 기준전압ㆍ전류ㆍ저항값을 비교하여 상기 스캔유닛에서 검출한 전압ㆍ전류ㆍ저항값이 일정 허용범위를 초과하면 상기 자외선램프의 이상 검출을 외부에 알리도록 알람을 발생시키는 콘트롤러 및, 상기 스캔유닛에서 검출한 전압ㆍ전류ㆍ저항값을 외부로 표시해주는 디스플레이부를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The lamp monitoring means includes: a scan unit connected to the ultraviolet lamp to detect a voltage, current, and resistance value provided to the ultraviolet lamp; a voltage, current, and resistance value connected to the scan unit and detected by the scan unit; A controller for comparing an input reference voltage, current, and resistance value and generating an alarm to notify the outside of abnormality detection of the ultraviolet lamp when the voltage, current, and resistance value detected by the scan unit exceeds a predetermined allowable range; And a display unit for displaying the voltage, current, and resistance values detected by the scanning unit to the outside. 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101360800B1 (en) * 2007-03-26 2014-02-11 피닉스 덴끼 가부시키가이샤 Optical source device and exposure device using the same

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