KR100553208B1

KR100553208B1 - 플라즈마 디스플레이 패널

Info

Publication number: KR100553208B1
Application number: KR1020040027413A
Authority: KR
Inventors: 권재익; 강경두
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2004-04-21
Filing date: 2004-04-21
Publication date: 2006-02-22
Also published as: CN100449676C; CN1755879A; KR20050102236A

Abstract

본 발명은 방전 안정화를 위해 에이징(aging) 공정을 진행할 때 패널의 파손을 방지하고 에이징 불량을 개선할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 플라즈마 디스플레이 패널은, 표시 영역과 비표시 영역 및 두 영역 사이에 위치하는 중간 영역이 설정되는 제1 및 제2 기판과; 제1 기판에 형성되는 어드레스 전극들과; 제1 기판과 제2 기판에 설정된 표시 영역과 중간 영역 상에 배치되어 방전셀들을 구획하는 격벽과; 적어도 표시 영역 상의 방전셀 내에 형성되는 형광체층과; 제2 기판에 형성되는 방전유지 전극들을 포함하고, 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 방전유지 전극의 면적이 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 방전유지 전극의 면적보다 작게 형성된다.

플라즈마 디스플레이, 표시영역, 비표시영역, 어드레스전극, 방전유지전극, 버스전극, 돌출전극, 격벽, 형광체층

Description

플라즈마 디스플레이 패널 {PLASMA DISPLAY PANEL}

도 1은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 평면도이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP에서 표시 영역 상의 방전셀들을 도시한 부분 분해 사시도이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP에서 표시 영역과 중간 영역 상의 방전셀들을 도시한 부분 평면도이다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP에서 표시 영역 상의 방전셀들을 도시한 부분 분해 사시도이다.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP에서 표시 영역과 중간 영역 상의 방전셀들을 도시한 부분 평면도이다.

도 6은 종래 기술에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 평면도이다.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 방전 안정화를 위해 에이징(aging) 공정을 진행할 때 패널의 파손을 방지하고 에이징 공정 불량을 개선할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; plasma display panel, 이하 편의상 'PDP'라 한다)은 방전 셀 내에서 일어나는 기체 방전에 의한 진공 자외선으로 형광체를 여기시켜 화상을 구현하는 표시장치로서, 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시장치로 각광을 받고 있다.

상기 PDP의 제조 공정은 크게 ①제1 기판에 어드레스 전극들, 하부 유전층, 격벽 및 형광체층을 형성하는 단계, ②제2 기판에 방전유지 전극들, 상부 유전층 및 MgO 보호막을 형성하는 단계, ③제1 기판과 제2 기판을 조립하는 단계, ④두 기판 사이의 내부 공간을 배기시키고 여기에 방전 가스를 주입하는 단계, ⑤방전 안정화를 위한 에이징 단계, ⑥PDP에 샤시 베이스, 구동회로 기판 및 외부 케이스 등을 장착하는 단계를 포함한다.

이 가운데 에이징 공정은 방전셀 내부를 일정 기간 방전시켜 PDP의 전기적, 광학적 특성을 안정화시키는데 그 목적이 있으며, MgO 보호막을 활성화하고, 방전 가스를 안정화하며, 형광체층의 불순성분을 제거하는 등의 기능을 갖는다. 특히 에이징을 통해 MgO 보호막의 표면을 활성화시키면 방전이 안정적으로 일어나 형광체층이 충분한 휘도로 발광하게 된다. 따라서 에이징이 충분하게 이루어진 PDP는 방전 전압과 화면 휘도를 우수한 수준으로 유지할 수 있다.

실제 에이징 공정은 방전유지 전극을 구성하는 주사 전극과 공통 전극에 20∼50kHz, 200∼350V의 파형을 교번으로 인가함으로써 진행되며, 이 때 듀티비(duty ratio)는 통상 40∼70%로 설정된다.

그런데 에이징 공정을 진행할 때에는 도 6에 도시한 바와 같이, 실제 방전셀들이 구비되어 표시가 이루어지는 표시 영역(1)과, 표시 영역(1)을 둘러싸는 비표시 영역(3) 사이에 온도 차이가 발생하며, 이로 인해 PDP가 파손되는 문제가 발생할 수 있다.

일례로 30kHz, 300V, 60%의 듀티비를 갖는 파형을 방전유지 전극에 인가하여 에이징을 진행하면, 비표시 영역(3)의 온도는 대략 30℃로 측정되는 반면, 표시 영역(1)의 온도는 대략 90℃로 측정이 된다. 이로써 표시 영역(1)과 비표시 영역(3)의 경계면에서 두 영역간 온도 차이가 60℃에 이르며, 이는 PDP 파손의 직접적인 원인이 되고 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 에이징 공정을 진행할 때 표시 영역과 비표시 영역간 온도 차이를 낮추어 PDP 파손과 에이징 공정 불량을 최소화할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

서로 대향 배치되며 표시 영역과 비표시 영역 및 두 영역 사이에 위치하는 중간 영역이 설정되는 제1 및 제2 기판과, 제1 기판에 형성되는 어드레스 전극들과, 제1 기판과 제2 기판에 설정된 표시 영역과 중간 영역 상에 배치되어 방전셀들을 구획하는 격벽과, 적어도 상기 표시 영역 상의 방전셀 내에 형성되는 형광체층 과, 제2 기판에 형성되는 방전유지 전극들을 포함하고, 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 방전유지 전극의 면적이 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 방전유지 전극의 면적보다 작게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

상기 방전유지 전극은 각 방전셀의 외곽부에 한쌍이 대응하도록 형성되는 버스 전극과, 버스 전극으로부터 각 방전셀의 중심부를 향해 연장되어 한쌍이 마주하는 돌출 전극을 포함하며, 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 면적이 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 면적보다 작게 형성될 수 있다.

이를 위해, 버스 전극의 길이 방향을 따라 측정되는 돌출 전극의 폭을 제1폭이라 할 때, 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 제1폭이 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 제1폭보다 작게 형성될 수 있다.

상기 돌출 전극은 버스 전극과 연결되는 후단부가 버스 전극을 향해 그 폭이 점진적으로 좁아지는 형상으로 이루어질 수 있으며, 한쌍이 서로 마주하는 대향면 중심에 오목부를 형성할 수 있다.

이 경우, 상기 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극은 버스 전극과 연결되는 후단부 폭이 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 후단부 폭보다 작게 형성될 수 있으며, 중간 영역 상의 각 방전셀에서 한쌍의 돌출 전극이 서로 마주하는 대향면 폭이 표시 영역 상의 각 방전셀에서 한쌍의 돌출 전극이 서로 마주하는 대향면 폭보다 작게 형성될 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 평면도이다.

도면을 참고하면, 본 실시예의 플라즈마 디스플레이 패널(이하, 편의상 'PDP'라 한다)은 임의의 크기를 갖는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 내부 공간부가 형성되도록 소정의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배치하고, 이들을 하나로 접합시킴으로써 PDP의 기본 외관을 구성하고 있다.

상기 제1 및 제2 기판(2,4)에는 표시 영역(6)과, 표시 영역(6)을 둘러싸는 중간 영역(8)과, 중간 영역(8)을 둘러싸는 비표시 영역(10)이 설정된다. 표시 영역(6)은 실질적인 표시가 이루어지는 영역으로서, 표시 영역(6) 상의 내부 공간부에는 방전셀들이 마련되어 방전셀 내의 가스 방전과 형광체층 발광을 통해 소정의 표시가 이루어진다. 비표시 영역(10)은 더미 셀들이 위치하는 더미 영역 및 PDP 내부의 전극들과 외부 단자를 연결하는 단자영역 등을 포괄하며, 중간 영역(8)과 함께 실제 표시에는 기여하지 않는다.

그리고 중간 영역(8)은 표시 영역(6)과 마찬가지로 중간 영역(8) 상의 내부 공간부에 방전셀들이 마련되나, 중간 영역(8) 상의 방전셀들은 에이징 공정을 위한 방전셀들로서 에이징 공정시 표시 영역(6)과 비표시 영역(10)간 온도 차이를 완화시키는 역할을 한다. 이를 위해 중간 영역(8) 상의 방전셀들은 표시 영역(6) 상의 방전셀들과 다른 형상적 특징을 가지는데, 도 2∼도 5를 참고하여 상기 구성을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP에서 표시 영역 상의 방전셀들을 도 시한 부분 분해 사시도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP에서 표시 영역과 중간 영역 상의 방전셀들을 도시한 부분 평면도이다.

도면을 참고하면, 제1 기판(2) 위에는 제1 기판(2)의 일방향(도면의 Y축 방향)을 따라 어드레스 전극들(12)이 형성되고, 어드레스 전극들(12)을 덮으면서 제1 기판(2)의 내면 전체에 하부 유전층(14)이 형성된다. 어드레스 전극(12)은 일례로 스트라이프 패턴으로 이루어져 이웃한 어드레스 전극(12)과 소정의 간격을 두고 나란하게 위치한다.

상기 하부 유전층(14) 위에는 격벽(16), 일례로 어드레스 전극(12)과 평행한 제1 격벽부재(16a)와, 제1 격벽부재(16a)와 직교하는 제2 격벽부재(16b)로 이루어진 사각의 폐쇄형 격벽(16)이 형성되어 각각의 방전셀(18R,18G,18B,20)을 독립적으로 구획한다. 격벽(16)의 형상은 사각의 폐쇄형 구조에 한정되지 않고, 다른 모양의 폐쇄형 구조 또는 스트라이프 패턴으로 이루어질 수 있다.

상기 격벽(16)의 네 측면과 하부 유전층(14) 상면에 걸쳐 적색, 녹색 또는 청색의 형광체층(22R,22G,22B)이 위치한다. 이 형광체층(22R,22G,22B)은 표시 영역(6) 상의 방전셀들(18R,18G,18B)에는 필수적으로 구비되나, 중간 영역(8) 상의 방전셀들(20)에는 선택적으로 구비될 수 있다.

그리고 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 어드레스 전극(12)과 직교하는 방향(도면의 X축 방향)을 따라 주사 전극(24,30)과 공통 전극(26,32)으로 이루어지는 방전유지 전극(28,34)이 형성되고, 방전유지 전극들(28,34)을 덮으면서 제2 기판(4)의 내면 전체에 투명한 상부 유전층(36)과 MgO 보호막(38)이 위 치한다.

본 실시예에서 주사 전극(24,30)과 공통 전극(36,32)은 각 방전셀(18R,18G,18B,20)의 외곽부에서 한쌍이 대응하도록 스트라이프 패턴으로 형성되는 버스 전극(24a,26a,30a,32a)과, 버스 전극(24a,26a,30a,32a)으로부터 각 방전셀(18R,18G,18B,20)의 중심부를 향해 연장되어 한쌍이 마주하는 돌출 전극(24b,26b,30b,32b)으로 이루어진다. 버스 전극(24a,26a,30a,32a)으로는 크롬(Cr)과 구리(Cu) 혼합물 또는 은(Ag)이 바람직하고, 돌출 전극(24b,26b,30b,32b)으로는 ITO(Indium Tin Oxide)가 바람직하다.

여기서, 본 실시예에 따른 PDP는 중간 영역(8) 상의 각 방전셀(20)에 위치하는 방전유지 전극(34)의 면적이 표시 영역(6) 상의 각 방전셀(18R,18G,18B)에 위치하는 방전유지 전극(28)의 면적보다 작게 이루어지며, 보다 바람직하게는 중간 영역(8) 상의 각 방전셀(20)에 위치하는 돌출 전극(30b,32b)의 면적이 표시 영역(6) 상의 각 방전셀(18R,18G,18B)에 위치하는 돌출 전극(24b,26b)의 면적보다 작게 이루어진다. 이 때, 중간 영역(8)과 표시 영역(6) 상의 방전셀들(20,18R,18G,18B) 모두에서 돌출 전극(24b,26b,30b,32b)간 갭은 동일하게 이루어진다.

도 3을 참고하면, 표시 영역(6) 상의 각 방전셀(18R,18G,18B)에서 버스 전극(24a,26a)의 길이 방향(도면의 X축 방향)을 따라 측정되는 돌출 전극(24b,26b)의 폭을 W1이라 하고, 중간 영역(8) 상의 각 방전셀(20)에서 버스 전극(30a,32a)의 길이 방향을 따라 특정되는 돌출 전극(30b,32b)의 폭을 W2라 할 때, 돌출 전극(24b,26b,30b,32b)은 W1 > W2의 조건을 만족하도록 형성된다.

상기 구성에 의해, 일례로 20∼50kHz, 200∼350V, 40∼70%의 듀티비(duty ratio)를 갖는 파형을 주사 전극(24,30)과 공통 전극(26,32)에 교번으로 인가하여 에이징 공정을 진행하면, 표시 영역(6)과 중간 영역(8) 모두에서 돌출 전극(24b,26b,30b,32b)간 갭이 동일한 크기를 가짐에 따라 방전개시 전압에 큰 차이를 보이지 않으면서 안정적인 방전 개시가 이루어지고, 방전 전류는 돌출 전극(24b,26b,30b,32b)의 면적에 비례하여 흐르게 되므로 중간 영역(8)에서의 방전 전류는 표시 영역(6)에서의 방전 전류보다 작은 값을 갖게 된다.

이로써 본 실시예에 따른 PDP는 에이징 공정시 표시 영역(6)의 온도를 T1, 중간 영역(8)의 온도를 T2, 비표시 영역(10)의 온도를 T3라 할 때, T1>T2>T3의 조건을 만족하며, 중간 영역(8)이 없는 종래의 PDP와 비교할 때 표시 영역(6)과 비표시 영역(10)간 온도 차이를 낮출 수 있다. 따라서 본 실시예의 PDP는 에이징 공정시 표시 영역(6)과 비표시 영역(10)간 급격한 온도 차이를 낮출 수 있으며, 그 결과 PDP 파손과 에이징 불량을 억제하는 효과를 갖는다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP에서 표시 영역 상의 방전셀들을 도시한 부분 분해 사시도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP에서 표시 영역과 중간 영역 상의 방전셀들을 도시한 부분 평면도이다.

본 실시예에서는 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에 방전셀들(40R,40G,40B,42)과 비방전 영역(44)이 함께 마련되어 PDP를 구성한다. 여기서, 방전셀들(40R,40G,40B,42)은 내부에서 가스 방전 및 발광이 일어나도록 예정된 공간이고, 비방전 영역(44)은 가스 방전 및 발광이 예정되지 않은 영역 또는 공 간을 의미한다.

도면을 참고하면, 각각의 방전셀(40R,40G,40B,42)은 유지 방전시 플라즈마 방전의 확산 형태를 고려하여 최적화된 형상으로 이루어진다. 방전셀(40R,40G,40B,42))의 최적화된 구조는, 각각의 방전셀(40R,40G,40B,42)에서 실질적으로 유지 방전과 휘도 향상에 기여하는 정도가 작은 부분을 최소화한 형상으로서, 구체적으로는 각 방전셀(40R,40G,40B,42)에서 어드레스 전극(12)의 길이 방향(도면의 Y축 방향)을 따라 위치하는 양쪽 단부의 폭이 방전셀(40R,40G,40B,42)의 중심으로부터 멀어질수록 좁아지는 형상을 의미한다.

즉, 도 4를 참고할 때 방전셀(40R,40G,40B,42)의 중심부에서의 폭(Wc)은 단부에서의 폭(We)보다 크게 이루어지며, 단부에서의 폭(We)은 방전셀(40R,40G,40B,42)의 중심으로부터 멀어질수록 좁아지는 특성을 나타낸다. 이로써 방전셀(40R,40G,40B,42)의 양쪽 단부는 사다리꼴 모양을 나타내며, 각 방전셀(40R,40G,40B,42)의 전체적인 평면 형상은 팔각형을 이루게 된다.

이 때, 격벽(46)은 어드레스 전극(12)과 평행한 제1 격벽부재(46a)와, 제1 격벽부재(46a)와 소정의 경사각을 두고 교차하도록 형성되는 제2 격벽부재(46b)로 이루어지며, 제2 격벽부재(46b)가 어드레스 전극(12) 방향을 따라 위치하는 방전셀들 사이에서 대략 엑스(X)자 모양으로 이루어진다.

그리고 각 방전셀(40R,40G,40B,42)의 중심을 지나는 가상의 수평축(H)과 수직축(V)을 가정하였을 때, 이 수평축(H)과 수직축(V)에 의해 둘러싸인 영역 내에 비방전 영역(44)이 위치한다. 비방전 영역(44)은 이웃한 방전셀들(40R,40G,40B,42) 에서 나오는 열을 흡수하여 PDP의 방열 특성을 높이는 역할을 한다.

본 실시예에서 돌출 전극(48b,50b,52b,54b)은 버스 전극(48a,50a,52a,54a)과 연결되는 후단부가 버스 전극(48a,50a,52a,54a)을 향해 폭이 좁아지는 형상으로 이루어져 돌출 전극(48b,50b,52b,54b)의 후단부가 방전셀(40R,40G,40B,42) 형상에 대응하도록 한다. 또한 한쌍의 돌출 전극(48b,50b,52b,54b)은 서로 마주하는 대향면 중심에 오목부(56)를 형성한다. 이로써 돌출 전극(48b,50b,52b,54b)은 방전셀(40R,40G,40B,42)의 주변부에서 숏갭(short gap, G1)을 사이에 두고 위치하고, 방전셀(40R,40G,40B,42)의 중심부에서 롱갭(long gap, G2)을 사이에 두고 위치한다.

상기한 오목부(56) 형상은 유지 방전시 방전셀(40R,40G,40B,42)의 주변부에 대응하는 숏갭(G1)으로부터 플라즈마 방전이 가장 먼저 시작되어 주위로 확산되고, 방전셀(40R,40G,40B,42)의 중심부에 대응하는 롱갭(G2)으로부터 플라즈마 방전이 시작되어 주위로 확산되게 함으로써 방전셀(40R,40G,40B,42) 내의 보다 넓은 영역에 걸쳐 강한 초기 방전을 일으키는 역할을 한다. 이로써 오목부(56)를 형성한 PDP는 방전 효율을 높이면서 구동 전압을 낮출 수 있다.

돌출 전극(48b,50b,52b,54b)이 상기한 형상으로 이루어질 때, 본 실시예의 PDP는 중간 영역(8) 상의 각 방전셀(42)에 위치하는 돌출 전극(52b,54b)의 면적이 표시 영역(6) 상의 각 방전셀(40R,40G,40B)에 위치하는 돌출 전극(48b,50b)의 면적보다 작게 이루어진다.

상기 조건을 만족하기 위한 하나의 실시예로서, 표시 영역(6) 상의 각 방전 셀(40R,40G,40B)에서 버스 전극(48a,50a)과 연결되는 돌출 전극(48b,50b)의 후단부 폭을 W3이라 하고, 중간 영역(8) 상의 각 방전셀(42)에서 버스 전극(52a,54a)과 연결되는 돌출 전극(52b,54b)의 후단부 폭을 W4라 할 때, 돌출 전극(48b,50b,52b,54b)은 W3 > W4의 조건을 만족하도록 형성될 수 있다.

상기 조건을 만족하는 다른 실시예로서, 표시 영역(6) 상의 각 방전셀(40R,40G,40B)에서 한쌍의 돌출 전극(48b,50b)이 서로 마주하는 대향면 폭을 W5라 하고, 중간 영역(8) 상의 각 방전셀(42)에서 한쌍의 돌출 전극(52b,54b)이 서로 마주하는 대향면 폭을 W6이라 할 때, 돌출 전극(48b,50b,52b,54b)이 W5 > W6의 조건을 만족하도록 형성될 수 있다.

전술한 형상의 돌출 전극(48b,50b,52b,54b)을 구비하는 본 실시예의 PDP는 앞서 설명한 제1 실시예의 PDP와 그 작용 및 효과가 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 플라즈마 디스플레이 패널은 표시 영역과 비표시 영역 사이에 중간 영역을 형성함으로써 에이징 공정시 표시 영역과 비표시 영역 사이의 급격한 온도 차이를 완화시킬 수 있다. 따라서 본 발명의 플라즈마 디스플레 이 패널은 에이징 공정시 발생할 수 있는 패널 파손과 에이징 불량을 억제하며, 에이징이 충분하게 이루어지도록 하여 패널의 전기적, 광학적 특성을 안정화시키는 효과를 갖는다.

Claims

서로 대향 배치되며, 표시 영역과 비표시 영역 및 두 영역 사이에 위치하는 중간 영역이 설정되는 제1 및 제2 기판과;

상기 제1 기판에 형성되는 어드레스 전극들과;

상기 제1 기판과 제2 기판에 설정된 표시 영역과 중간 영역 상에 배치되어 방전셀들을 구획하는 격벽과;

적어도 상기 표시 영역 상의 방전셀 내에 형성되는 형광체층; 및

상기 제2 기판에 형성되는 방전유지 전극들을 포함하고,

상기 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 방전유지 전극의 면적이 상기 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 방전유지 전극의 면적보다 작게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서,

상기 방전유지 전극이 상기 각 방전셀의 외곽부에 한쌍이 대응하도록 형성되는 버스 전극과, 버스 전극으로부터 각 방전셀의 중심부를 향해 연장되어 한쌍이 마주하는 돌출 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제2항에 있어서,

상기 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 면적이 상기 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 면적보다 작게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제3항에 있어서,

상기 버스 전극의 길이 방향을 따라 측정되는 돌출 전극의 폭을 제1폭이라 할 때, 상기 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 제1폭이 상기 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 제1폭보다 작게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제3항 또는 제4항에 있어서,

상기 각각의 방전셀과 돌출 전극이 상기 어드레스 전극의 길이 방향에 따른 장변과 상기 버스 전극의 길이 방향에 따른 단변을 가지며 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제2항에 있어서,

상기 돌출 전극은 상기 버스 전극과 연결되는 후단부가 버스 전극을 향해 그 폭이 점진적으로 좁아지는 형상으로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
제2항에 있어서,

상기 돌출 전극은 한쌍이 서로 마주하는 대향면 중심에 오목부를 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제6항 또는 제7항에 있어서,

상기 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 면적이 상기 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 면적보다 작게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제8항에 있어서,

상기 중간 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극은 상기 버스 전극과 연결되는 후단부 폭이 상기 표시 영역 상의 각 방전셀에 위치하는 돌출 전극의 후단부 폭보다 작게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
제8항에 있어서,

상기 중간 영역 상의 각 방전셀에서 한쌍의 돌출 전극이 서로 마주하는 대향면 폭이 상기 표시 영역 상의 각 방전셀에서 한쌍의 돌출 전극이 서로 마주하는 대향면 폭보다 작게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.