KR100552279B1 - Color filter substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 박막 트랜지스터에 대응하는 컬러 필터 기판에 컬러 필터를 형성한다. 컬러 필터는 블랙 매트릭스에 의해 반사되어 박막 트랜지스터로 입사되는 빛의 일부를 차단하여 광 누설 전류를 차단한다. 특히, 비정질 실리콘층의 내부에서 전자나 정공을 형성하여 광 누설 전류는 유발시키는 에너지를 가지는 청색 또는 자외선 파장대의 빛을 차단할 수 있는 R 또는 G의 컬러 필터를 이용하면 박막 트랜지스터의 반도체층에서 발생하는 광 누설 전류를 차단할 수 있다.The present invention relates to a liquid crystal display device, wherein a color filter is formed on a color filter substrate corresponding to a thin film transistor. The color filter blocks light leakage current by blocking a part of light reflected by the black matrix and incident to the thin film transistor. In particular, when a color filter of R or G that blocks electrons or holes in the amorphous silicon layer and blocks light in a blue or ultraviolet wavelength band having an energy causing light leakage current is generated in the semiconductor layer of the thin film transistor. The light leakage current can be cut off.

Description

컬러 필터 기판Color filter substrate

본 발명은 컬러 필터 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a color filter substrate.

일반적으로 액정 표시 장치는 투명 전극이 형성되어 있는 한 쌍의 투명 유리 기판, 두 유리 기판 사이의 액정 물질, 각각의 유리 기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판, 그리고 빛을 발광하는 백 라이트(back light)로 구성된다. In general, a liquid crystal display includes a pair of transparent glass substrates on which transparent electrodes are formed, a liquid crystal material between two glass substrates, two polarizers attached to an outer surface of each glass substrate to polarize light, and a light emitting device that emits light. It consists of a back light.

이러한 액정 표시 장치에서 두 기판 중 한 기판은 원하는 색을 표시하기 위한 R, G, B의 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 컬러 필터 기판이며, 나머지 다른 기판은 다수의 화소 영역에 다수의 화소 전극과 박막 트랜지스터 (thin film transistor : TFT)가 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판이다.In such a liquid crystal display, one of two substrates is a color filter substrate in which a color filter and a black matrix of R, G, and B are formed to display a desired color, and the other substrate is a plurality of pixel electrodes in a plurality of pixel regions. And a thin film transistor (TFT).

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 액정 표시 장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.Next, a liquid crystal display according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서 단위 화소의 구조를 도시한 단면도이고, 도 2는 종래의 기술에 따른 컬러 필터 기판의 구조에서 가로 방향으로 형성된 R, G, B 화소를 도시한 평면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a unit pixel in a liquid crystal display according to a related art, and FIG. 2 is a plan view illustrating R, G and B pixels formed in a horizontal direction in a structure of a color filter substrate according to a conventional art. to be.

도 1에서 보는 바와 같이, 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서 단위 화소 영역(P)에는, 제1 기판(1)의 일부 위에 게이트 전극(2), 소스 전극(5), 드레인 전극(6) 및 반도체층(4)으로 이루어진 박막 트랜지스터(TFT : thin film transistor)가 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(6) 쪽에는 화소 전극(7)이 형성되어 있다. 이를 박막 트랜지스터 기판이라고 한다. 여기서, 소스 및 드레인 전극(5, 6)과 게이트 전극(2)은 게이트 전극(2)을 덮는 게이트 절연막(3)과 반도체층(4)을 매개로 형성되어 있다. As shown in FIG. 1, in the liquid crystal display according to the related art, in the unit pixel region P, the gate electrode 2, the source electrode 5, and the drain electrode 6 are disposed on a portion of the first substrate 1. And a thin film transistor (TFT) including the semiconductor layer 4, and a pixel electrode 7 is formed on the drain electrode 6 side of the thin film transistor TFT. This is called a thin film transistor substrate. Here, the source and drain electrodes 5 and 6 and the gate electrode 2 are formed through the gate insulating film 3 and the semiconductor layer 4 covering the gate electrode 2.

한편, 제2 기판(8)의 상부에는 화소 영역(P)에 대응하는 부분에 개구부(12)를 가지는 블랙 매트릭스(black matrix)(9)가 형성되어 있으며, 제1 기판(1)의 화소 전극(7)에 대응하는 제2 기판(8)의 상부에는 컬러 필터(10)가 형성되어 있다. 또한 제2 기판(8)의 상부에는 공통 전극(11)이 전면적으로 형성되어 있다. 이러한 제2 기판(8)을 컬러 필터 기판이라고 한다.Meanwhile, a black matrix 9 having an opening 12 is formed in a portion corresponding to the pixel region P on the second substrate 8, and the pixel electrode of the first substrate 1 is formed. The color filter 10 is formed in the upper part of the 2nd board | substrate 8 corresponding to (7). In addition, the common electrode 11 is formed on the entire surface of the second substrate 8. This second substrate 8 is called a color filter substrate.

여기서, 제2 기판(8)에 형성된 R, G, B 컬러 필터(10)는 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이 블랙 매트릭스(9)가 가지는 개구부(12)를 가리며 세로 방향은 블랙 매트릭스(9)의 경계선을 따라 형성되어 있으며, 화소 전극(7)에 대응하는 부분에만 형성되어 있다.Here, the R, G, and B color filters 10 formed on the second substrate 8 cover the openings 12 of the black matrix 9, as shown in FIGS. 1 and 2, and the vertical direction corresponds to the black matrix ( It is formed along the boundary line of 9), and is formed only in the part corresponding to the pixel electrode 7. As shown in FIG.

여기서, R, G, B 컬러 필터(10)가 다른 부분보다 좁은 폭으로 형성되어 만들어지는 영역은 제1 기판(1)의 박막 트랜지스터(TFT)에 대응하는 부분이다.Here, the region where the R, G, and B color filters 10 are formed to have a narrower width than other portions is a portion corresponding to the thin film transistor TFT of the first substrate 1.

이러한 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판(1)의 후면에서 수직으로 입사하는 백라이트(backlight) 빛의 대부분(A)은 박막 트랜지스터 기판(1)의 화소 전극(7)을 통과하고 컬러 필터 기판(8)의 컬러 필터(10)를 통과하여 보는 사람의 시야에 들어온다. 이때, 블랙 매트릭스(9)는 컬러 필터(10)를 통과하지 않는 빛을 차단하며, 이를 위해 금속 등으로 만들어진다. In the liquid crystal display according to the related art, most of the backlight light incident vertically from the rear surface of the thin film transistor substrate 1 passes through the pixel electrode 7 of the thin film transistor substrate 1 and is colored. It enters the visual field of the viewer through the color filter 10 of the filter substrate 8. In this case, the black matrix 9 blocks light that does not pass through the color filter 10, and is made of metal or the like for this purpose.

그러나, 두 기판(1, 8)의 면에 대하여 일정한 각도로 진행하여 블랙 매트릭스(9)에 반사되는 빛의 일부(B)는 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층으로 입사하게 된다. 이로 인하여 박막 트랜지스터에서는 많은 양의 광 누설 전류를 유발되며, 이는 표시 장치의 특성을 저하시키게 된다. However, a portion B of the light reflected by the black matrix 9 by advancing at a predetermined angle with respect to the surfaces of the two substrates 1 and 8 is incident on the semiconductor layer of the thin film transistor TFT. This causes a large amount of light leakage current in the thin film transistor, which deteriorates the characteristics of the display device.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광 누설 전류를 최소화하여 표시 장치의 특성을 향상시키는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and to minimize the light leakage current to improve the characteristics of the display device.

이러한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 박막 트랜지스터 기판의 박막 트랜지스터에 대응하는 컬러 필터 기판에 컬러 필터가 형성되어 있다.In the liquid crystal display according to the present invention for achieving such a problem, a color filter is formed on a color filter substrate corresponding to the thin film transistor of the thin film transistor substrate.

여기서, 컬러 필터는 포토 레지스트(photo resist)로 만들어지며, 블랙 매트릭스는 저반사막인 크롬 산화막(CrOX)/크롬(Cr)막으로 만들어진다.Here, the color filter is made of a photo resist, and the black matrix is made of a chromium oxide film (CrO X ) / chromium (Cr) film, which is a low reflection film.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 블랙 매트릭스에 의해 반사되는 빛은 컬러 필터에 의해 일부 차단되어 박막 트랜지스터로 입사하는 빛은 줄어든다. 또한, 비정질 실리콘층의 내주에서 전자 또는 정공을 만들어내는 파장대의 빛을 차단하는 컬러 필터를 사용하면 박막 트랜지스터에서는 광 누설 전류가 발생하지 않는다.In the liquid crystal display according to the present invention, the light reflected by the black matrix is partially blocked by the color filter, thereby reducing the light incident on the thin film transistor. In addition, when a color filter that blocks light in a wavelength band that generates electrons or holes in the inner circumference of the amorphous silicon layer, light leakage current does not occur in the thin film transistor.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.Next, embodiments of the liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice the present invention.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 단위 화소의 구조를 도시한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a unit pixel in a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 화소 영역(P)에는, 투명한 절연 기판(100)의 상부에 게이트 전극(200)이 형성되어 있으며, 기판(100)의 상부에는 게이트 전극(200)을 덮는 게이트 절연막(300)이 전면적으로 형성되어 있다. 게이트 전극(200)에 대응하는 게이트 절연막(300)의 상부에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(400)이 형성되어 있으며, 반도체층(400)의 상부에는 게이트 전극(200)을 중심으로 분리되어 있는 소스 및 드레인 전극(500, 600)이 형성되어 있다. 여기서, 반도체층(400)은 채널(channel)이 형성되며, 활성층이라고 한다. 또한, 드레인 전극(600) 쪽에는 화소 전극(700)이 형성되어 있으며, 나타나지는 않았지만 드레인 전극(600)과 화소 전극(700)은 서로 연결되어 있다. As shown in FIG. 3, in the liquid crystal display according to the present invention, the gate electrode 200 is formed on the transparent insulating substrate 100 in the pixel region P of the thin film transistor substrate. The gate insulating layer 300 covering the gate electrode 200 is formed on the entire surface. A semiconductor layer 400 made of amorphous silicon is formed on the gate insulating layer 300 corresponding to the gate electrode 200, and a source separated around the gate electrode 200 is formed on the semiconductor layer 400. And drain electrodes 500 and 600 are formed. In this case, the semiconductor layer 400 has a channel, which is called an active layer. In addition, the pixel electrode 700 is formed on the drain electrode 600 side, although not shown, the drain electrode 600 and the pixel electrode 700 are connected to each other.

한편, 박막 트랜지스터 기판(100)과 마주하는 컬러 필터 기판(800)에는 종래와 동일한 구조로 블랙 매트릭스(900)가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(100)의 화소 전극(700)에 대응하는 컬러 필터 기판(800)의 상부에는 컬러 필터(150)가 형성되어 있으며, 컬러 필터(150)의 상부에는 공통 전극(110)이 전면적으로 형성되어 있다.Meanwhile, the black matrix 900 is formed on the color filter substrate 800 facing the thin film transistor substrate 100 in the same structure as the conventional art. The color filter 150 is formed on the color filter substrate 800 corresponding to the pixel electrode 700 of the thin film transistor substrate 100, and the common electrode 110 is entirely formed on the color filter 150. Formed.

여기서, 컬러 필터(150)는 종래와 다르게 박막 트랜지스터 기판(100)의 박막 트랜지스터(TFT)에 대응하는 부분까지 형성되어 있다. Here, the color filter 150 is formed up to a portion corresponding to the thin film transistor TFT of the thin film transistor substrate 100 unlike the conventional art.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 게이트 전극(200)에 주사 신호가 인가되면, 반도체층(400)에 채널이 형성되고, 소스 전극(500)에 인가된 데이터 신호는 반도체층(400)의 채널을 통하여 드레인 전극(600)에 전달되며, 마지막으로 화소 전극(700)에 인가된다. In the liquid crystal display according to the present invention, when a scan signal is applied to the gate electrode 200, a channel is formed in the semiconductor layer 400, and a data signal applied to the source electrode 500 is a channel of the semiconductor layer 400. It is transmitted to the drain electrode 600 through, and finally applied to the pixel electrode 700.

여기서, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 컬러 필터 기판(800)의 구조를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Herein, the structure of the color filter substrate 800 in the liquid crystal display according to the present invention will be described in detail.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 컬러 필터 기판의 구조에서 가로 방향으로 형성된 R, G, B 화소를 도시한 평면도이다,4 is a plan view illustrating R, G, and B pixels formed in a horizontal direction in a structure of a color filter substrate according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 4에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 컬러 필터 기판(800)에는 화소 영역(P)에 개구부(950)를 가지는 블랙 매트릭스(900)가 형성되어 있으며, 다수의 화소 영역(P)에는 개구부(950)를 가리는 R, G, B 컬러 필터(151, 152,153)가 형성되어 있다. 여기서, 컬러 필터(151, 152, 153)는 박막 트랜지스터(TFT)에 대응하는 부분에서 블랙 매트릭스(900)와 중첩되어 있으며, 각각의 R, G, B 컬러 필터(151, 152, 153)는 동일한 폭으로 서로 평행하게 형성되어 있다.As shown in FIG. 4, in the liquid crystal display according to the present invention, a black matrix 900 having an opening 950 is formed in the pixel region P, and a plurality of pixel regions P is formed in the color filter substrate 800. ), R, G, and B color filters 151, 152, and 153 covering the openings 950 are formed. Here, the color filters 151, 152, and 153 overlap the black matrix 900 in a portion corresponding to the thin film transistor TFT, and each of the R, G, and B color filters 151, 152, and 153 is the same. It is formed parallel to each other in width.

이렇게 형성된 R, G, B 컬러 필터(151, 152, 153)는 박막 트랜지스터 기판(100)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(TFT)에 대응하는 부분까지 형성되어 있다(도 3참조).The R, G, and B color filters 151, 152, and 153 thus formed are formed to a portion corresponding to the thin film transistor TFT formed on the thin film transistor substrate 100 (see FIG. 3).

여기서, R, G, B 컬러 필터(150)는 각각 R, G, B 포토 레지스트로 만들어지며, 블랙 매트릭스(900)는 저반사막인 크롬 산화막(CrOX)/크롬(Cr)막으로 만들어진다.Here, the R, G, and B color filters 150 are made of R, G, and B photoresists, respectively, and the black matrix 900 is made of a chromium oxide film (CrO X ) / chromium (Cr) film, which is a low reflection film.

이러한 R, G, B 컬러 필터(151, 152, 153)의 포토 레지스트는 입사하는 백라이트의 빛 중에서 해당하는 각각 R, G, B 파장대의 빛만을 통과시키고 나머지는 차단한다. 따라서, 블랙 매트릭스(900)에 의해 반사되어 박막 트랜지스터(TFT)로 입사하는 빛(B)은 줄어든다 (도 3 참조).The photoresist of the R, G, and B color filters 151, 152, and 153 passes only light corresponding to the R, G, and B wavelength bands, and blocks the rest of the light of the incident backlight. Therefore, the light B reflected by the black matrix 900 and incident on the thin film transistor TFT is reduced (see FIG. 3).

여기서, R, G, B 컬러 필터(151, 152, 153)가 각각 통과시키는 각각의 파장대 범위를 살펴보면 다음과 같다.Here, the wavelength ranges of the R, G, and B color filters 151, 152, and 153 respectively pass through are as follows.

도 5는 R, G, B 컬러 필터가 통과시키는 파장대의 범위를 도시한 그래프로서, 세로축은 투과율(T)을 나타낸 것이고, 가로축은 파장(λ)을 나타낸 것이다.5 is a graph showing a range of wavelength bands passed through the R, G, and B color filters, in which the vertical axis represents the transmittance (T) and the horizontal axis represents the wavelength (λ).

도 5에서 보는 바와 같이, R 컬러 필터(151)에 의해 투과되는 빛의 파장대는 대부분 550λ 이상이며, G 컬러 필터(152)에 의해 투과되는 빛의 파장대는 450~600λ 범위이며, B 컬러 필터(153)에 의해 통과되는 빛의 파장대는 대부분 550λ 이하이며, 이 영역은 자외선 영역의 파장대도 포함된다.As shown in FIG. 5, the wavelength band of light transmitted by the R color filter 151 is mostly 550λ or more, and the wavelength band of light transmitted by the G color filter 152 is in the range of 450 to 600λ, and the B color filter ( The wavelength band of the light passing by 153 is mostly 550 lambda or less, and this region also includes the wavelength band of the ultraviolet region.

그러나, 앞에서 설명한 바와 같이, B 컬러 필터(153)는 청색 영역에서부터 자외선 영역까지의 파장대 빛을 투과시킨다. 여기서, 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층에서 전자와 전공을 전도대로 형성시키는 파장대는 광자 에너지가 큰 청색 및 자외선 영역이 되기 때문에 B 컬러 필터(153)를 통과하여 박막 트랜지스터(TFT)로 입사하는 빛은 여전히 광 누설 전류를 발생시키게 된다 (도 3 참조).However, as described above, the B color filter 153 transmits light in the wavelength band from the blue region to the ultraviolet region. Here, in the semiconductor layer made of amorphous silicon, since the wavelength band for forming electrons and electrons as conduction bands becomes a blue and ultraviolet region with large photon energy, light passing through the B color filter 153 and entering the thin film transistor TFT is still present. Light leakage current is generated (see FIG. 3).

다음은 이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 다른 실시예를 설명하기로 한다. Next will be described another embodiment according to the present invention for solving this problem.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 도면으로서, 도 3에서 도시된 액정 표시 장치의 구조를 3개의 화소 영역으로 확장하여 개략적으로 나타낸 것이다. FIG. 6 is a diagram illustrating a structure of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention. The structure of the liquid crystal display illustrated in FIG. 3 is schematically illustrated by extending the structure into three pixel areas.

대부분의 구조는 도 3의 제1 실시예와 동일하지만, 박막 트랜지스터(TFT)에 대응하는 컬러 필터 기판(800)에는 모두 R 컬러 필터(154)만이 형성되어 있다. 이는 제1 실시예에서 지적되었던 문제점을 제거하기 위해 청색 또는 자외선 파장대의 빛을 차단하기 위한 것이다. Most of the structure is the same as that of the first embodiment of FIG. 3, but only the R color filter 154 is formed on the color filter substrate 800 corresponding to the thin film transistor TFT. This is to block the light of the blue or ultraviolet wavelength band in order to eliminate the problem pointed out in the first embodiment.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 컬러 필터 기판의 구조를 상세하게 도시한 평면도이다.7 is a plan view showing in detail the structure of a color filter substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 7에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 컬러 필터 기판의 구조를 도시한 것으로서, 대부분은 종래의 구조와 유사하지만 R, G, B 컬러 필터(151, 152, 153)가 다른 부분보다 오목하게 형성되어 만들어지며, 박막 트랜지스터(TFT)에 대응하는 부분에는 R 컬러 필터(154)만이 형성되어 있다.FIG. 7 illustrates a structure of a color filter substrate according to a second embodiment of the present invention, most of which is similar to a conventional structure, but the R, G, and B color filters 151, 152, and 153 are concave than other portions. The R color filter 154 is formed only at the portion corresponding to the thin film transistor TFT.

여기서, 박막 트랜지스터로 입사되어 광 누설 전류를 발생시키는 빛은 청색 또는 자외선 영역의 파장을 가지므로 R 컬러 필터뿐 아니라 G 컬러 필터를 사용할 수도 있다.Here, since the light incident to the thin film transistor to generate the light leakage current has a wavelength in the blue or ultraviolet region, not only the R color filter but also the G color filter may be used.

따라서 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 박막 트랜지스터에 대응하는 컬러 필터 기판에 컬러 필터를 형성함으로써 블랙 매트릭스에 의해 반사되어 박막 트랜지스터로 입사되는 빛의 양을 줄일 수 있다. 특히, R, G 컬러 필터를 이용하여 광 누설 전류는 유발하는 파장대의 빛을 차단하여 박막 트랜지스터의 광 누설 전류를 차단할 수 있으며, 이로 인하여 표시 장치의 특성을 향상시킬 수 있다.Therefore, in the liquid crystal display according to the present invention, by forming the color filter on the color filter substrate corresponding to the thin film transistor, the amount of light reflected by the black matrix and incident on the thin film transistor can be reduced. In particular, the light leakage current may block light leakage current of the thin film transistor by using the R and G color filters, thereby blocking the light leakage current of the thin film transistor, thereby improving characteristics of the display device.

도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서 하나의 단위 화소의 구조를 도시한 단면도이고,1 is a cross-sectional view illustrating a structure of one unit pixel in a liquid crystal display according to the related art.

도 2는 종래의 기술에 따른 컬러 필터 기판의 구조에서 가로 방향으로 형성된 화소의 구조를 도시한 평면도이고,2 is a plan view illustrating a structure of a pixel formed in a horizontal direction in a structure of a color filter substrate according to a related art;

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 단위 화소의 구조를 도시한 단면도이고, 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a unit pixel in a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 컬러 필터 기판의 구조에서 가로 방향으로 형성된 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 화소의 구조를 도시한 평면도이고,4 is a plan view illustrating a structure of red (R), green (G), and blue (B) pixels formed in a horizontal direction in the structure of a color filter substrate according to a first embodiment of the present invention;

도 5는 R, G, B 컬러 필터가 통과시키는 파장대의 범위를 도시한 그래프이고,5 is a graph showing a range of wavelength bands passed through the R, G, and B color filters.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이며,6 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 컬러 필터 기판의 구조를 상세하게 도시한 평면도이다.7 is a plan view showing in detail the structure of a color filter substrate according to a second embodiment of the present invention.

Claims (5)

복수의 화소 영역을 가지며 서로 마주하는 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판을 포함하고,A thin film transistor substrate and a color filter substrate, each having a plurality of pixel regions and facing each other; 상기 박막 트랜지스터 기판은 상기 화소 영역에 형성되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극에 연결되어 상기 화소 전극에 인가되는 신호를 제어하는 박막 트랜지스터를 포함하며, The thin film transistor substrate includes a pixel electrode formed in the pixel region, a thin film transistor connected to the pixel electrode to control a signal applied to the pixel electrode, 상기 컬러 필터 기판은 상기 화소 영역에 개구부를 가지는 블랙 매트릭스, 상기 블랙 매트릭스와 일부 중첩하게 형성되어 있는 컬러 필터를 포함하며,The color filter substrate may include a black matrix having an opening in the pixel area, and a color filter partially overlapping the black matrix. 상기 컬러 필터는 상기 화소 전극과 마주하는 영역에 형성되어 있는 제1 컬러 필터와 상기 박막 트랜지스터와 마주하는 영역에 형성되어 있는 제2 컬러 필터를 포함하며,The color filter includes a first color filter formed in a region facing the pixel electrode and a second color filter formed in a region facing the thin film transistor, 상기 제1 컬러 필터와 상기 제2 컬러 필터는 분리되어 형성되어 있는 The first color filter and the second color filter are formed separately 액정 표시 장치.Liquid crystal display. 제1항에서,In claim 1, 상기 컬러 필터는 포토 레지스트로 이루어진 액정 표시 장치.The color filter is a liquid crystal display device made of a photo resist. 제1항에서,In claim 1, 상기 블랙 매트릭스는 크롬산화막(CrOX)/크롬(Cr)으로 이루어진 액정 표시 장치.The black matrix is a liquid crystal display device consisting of chromium oxide film (CrO X ) / chromium (Cr). 제1항에서,In claim 1, 상기 제2 컬러 필터는 적색 또는 녹색 컬러 필터인 액정 표시 장치.The second color filter is a red or green color filter. 제1항에서,In claim 1, 상기 제2 컬러 필터는 550λ 이하의 파장대를 가지는 빛을 차단하는 액정 표시 장치.And the second color filter blocks light having a wavelength band of 550λ or less.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06331975A (en) * 1993-05-24 1994-12-02 Nec Corp Color liquid crystal display
JPH06347778A (en) * 1993-06-10 1994-12-22 Nec Corp Active matrix type liquid crystal panel and its production
JPH07271020A (en) * 1994-03-18 1995-10-20 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Photosensitive composition for forming black matrix, color filter substrate and liquid crystal display device using substrate thereof
JPH09152587A (en) * 1995-11-30 1997-06-10 Kyocera Corp Color liquid crystal display
JPH09197370A (en) * 1996-01-17 1997-07-31 Toshiba Corp Liquid crystal display element and liquid crystal display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06331975A (en) * 1993-05-24 1994-12-02 Nec Corp Color liquid crystal display
JPH06347778A (en) * 1993-06-10 1994-12-22 Nec Corp Active matrix type liquid crystal panel and its production
JPH07271020A (en) * 1994-03-18 1995-10-20 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Photosensitive composition for forming black matrix, color filter substrate and liquid crystal display device using substrate thereof
JPH09152587A (en) * 1995-11-30 1997-06-10 Kyocera Corp Color liquid crystal display
JPH09197370A (en) * 1996-01-17 1997-07-31 Toshiba Corp Liquid crystal display element and liquid crystal display device

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