KR100540712B1 - A subminiature Si microphone - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기술을 이용하여 제조된 콘덴서 실리콘 마이크로폰에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰에 관한 것이다.The present invention relates to a condenser silicon microphone manufactured using semiconductor technology, and more particularly to a micro condenser silicon microphone.

본 발명의 마이크로폰은, 음향부와 회로부로 이루어진 콘덴서 실리콘 마이크로폰에 있어서, 음향부가 반도체 박막기술을 통해 생성된 무기물 다이어프램; PCB상에 금속판이 일체형으로 형성되어 이루어진 백 플레이트; 무기물 다이어프램과 백 플레이트 사이에 삽입되어 공간을 형성하는 스페이서를 포함하고, PCB 기판 위에 음향부와 회로부가 구현되고, 회로부가 음향부의 측면에 설치되고, 음향부와 회로부가 도전성 또는 비도전성 수지 캡에 의해 일체로 패키징되어 있다. The microphone of the present invention comprises: a condenser silicon microphone comprising a sound portion and a circuit portion, an inorganic diaphragm of which the sound portion is generated through semiconductor thin film technology; A back plate formed of a metal plate integrally formed on a PCB; A spacer inserted between the inorganic diaphragm and the back plate to form a space, the acoustic portion and the circuit portion being implemented on the PCB substrate, the circuit portion being installed on the side of the acoustic portion, the acoustic portion and the circuit portion being formed on the conductive or non-conductive resin cap. It is packaged integrally by.

따라서 본 발명에 따른 초소형 콘덴서 마이크로폰은 백 플레이트를 PCB 기판상에 일체로 형성하여 조립에 소요되는 부품 수를 줄이고, 박막기술로 제조된 무기물 다이어프램을 사용함으로써 온도특성이 양호하고 진동특성이 우수한 잇점이 있다.Therefore, the micro-capacitor microphone according to the present invention forms a back plate integrally on a PCB substrate, reduces the number of parts required for assembly, and uses an inorganic diaphragm manufactured by thin film technology, which has good temperature characteristics and excellent vibration characteristics. have.

실리콘, 마이크로폰, 박막기술, 반도체, 소형화, 일렉트렛Silicon, microphone, thin film technology, semiconductor, miniaturization, electret

Description

초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰{ A subminiature Si microphone } A subminiature Si microphone             

도 1은 종래의 콘덴서 마이크로폰을 도시한 개략도,1 is a schematic diagram showing a conventional condenser microphone;

도 2는 본 발명에 따른 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰의 요부 단면도,2 is a cross-sectional view of main parts of a micro-capacitor silicon microphone according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰의 구조를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the structure of an ultra-small condenser silicon microphone according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

210: 백플레이트 212: PCB210: back plate 212: PCB

214: 금속판 220: 다이어프램214: metal plate 220: diaphragm

222: 무기물 박막 224: 실리콘 지지대222: inorganic thin film 224: silicon support

226: 금속막 230: 스페이서226: metal film 230: spacer

302: 캡 304: 골드패턴302: cap 304: gold pattern

306: 패드 310: 회로부306: pad 310: circuit portion

본 발명은 반도체 기술을 이용하여 제조된 실리콘 마이크로폰에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to silicon microphones fabricated using semiconductor technology, and more particularly to microminiature condenser silicon microphones.

일반적으로, 마이크로폰은 기계적인 진동을 전기적인 신호로 변환하는 방식에 따라 탄소입자의 전기적 저항 특성을 이용한 카본형과, 로셀염(rochelle salt)의 압전기 효과를 이용하는 결정형, 코일이 장착된 진동판을 자기장 속에 진동시켜 유도전류를 발생시키는 가동 코일형, 자기장 내에 장치된 금속막이 음파를 받아 진동하면 유도전류가 발생하는 것을 이용하는 속도형(velocity microphone), 음파에 의한 막의 진동으로 정전용량이 변하는 것을 이용한 콘덴서형 등으로 구분된다.In general, the microphone is a magnetic field of the diaphragm equipped with a carbon-type using the electrical resistance characteristics of the carbon particles, the crystalline form using the piezoelectric effect of the shell salt (coil) according to the method of converting the mechanical vibration into an electrical signal magnetic field Movable coil type that vibrates inside to generate induction current, Velocity microphone that uses the induced current to generate when the metal film installed in the magnetic field vibrates by receiving sound waves, and condenser using the change of capacitance due to vibration of the film by sound waves Type and the like.

콘덴서형 마이크로폰중에서 가장 널리 사용되는 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰은 다이어프램이나 백플레이트중 어느 하나에 일렉트렛이 형성되어 있는데, 다이어프램에 일렉트렛이 형성된 것을 프론트 일렉트렛이라 하고, 백 플레이트상에 형성된 것을 백 일렉트렛이라 한다. 통상적으로 일렉트렛은 유기 필름에 전하를 강제적으로 주입시켜 형성된다.Among the condenser microphones, the electret condenser microphone is one of the most commonly used electrets in the diaphragm or the backplate. The electret formed in the diaphragm is called the front electret. This is called. Typically, electrets are formed by forcibly injecting charge into an organic film.

도 1은 종래의 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰을 도시한 개략도로서, 콘덴서 마이크로폰은 음향부(acoustic part)와 PCB 회로부(circuit part)로 구분되어 하나의 케이스(housing:102)에 의해 일체로 조립되어 있는데, 음향부는 스페이서(spacer:108)를 사이에 두고 다이어프램(Diaphragm: 106)과 백플레이트(Backplate: 110)가 마주하고 있고, 다이어프램(106)은 폴라링(102)을 통해 음공이 형성된 케이스(102)측에 지지되며, 백 플레이트(110)는 기구물(112)에 의해 PCB 기판(118) 상에 지지되어 있다. 그리고 PCB 기판(118) 상에는 JFET(116)가 실장되어 있다. 여기서, 다이어프램(106)으로는 통상 금속이 증착된 유기 필름을 이용하고, 백 플레이트(110)에는 일렉트렛이 형성되어 있다. 1 is a schematic view showing a conventional electret condenser microphone, wherein the condenser microphone is divided into an acoustic part and a PCB circuit part and is integrally assembled by a housing 102. The sound unit faces a diaphragm 106 and a backplate 110 with a spacer 108 interposed therebetween, and the diaphragm 106 has a case 102 in which sound holes are formed through the polar ring 102. Supported on the side, the back plate 110 is supported on the PCB substrate 118 by the instrument 112. The JFET 116 is mounted on the PCB substrate 118. Here, as the diaphragm 106, an organic film in which metal is usually deposited is used, and an electret is formed in the back plate 110.

이와 같은 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰의 동작을 살펴보면, 음공(109)을 통해 유입된 음압이 다이어프램(106)에 가해지면 다이어프램(106)이 진동하면서 백 플레이트(110)와의 간격이 변하게 된다. 그리고 음압에 의해 간격이 변하게 되면 다이어프램(106)과 백 플레이트(110)에 의해 형성된 정전용량(C)이 변화되어 음파에 따른 전기적인 신호(전압)의 변화를 얻을 수 있고, 이 신호가 JFET(116)를 거쳐 외부로 전달된다.Referring to the operation of the electret condenser microphone, when the sound pressure introduced through the sound hole 109 is applied to the diaphragm 106, the diaphragm 106 vibrates and the distance from the back plate 110 changes. When the interval is changed by the sound pressure, the capacitance C formed by the diaphragm 106 and the back plate 110 is changed to obtain a change in the electrical signal (voltage) according to the sound wave. 116) to the outside.

그런데 마이크로폰에 유기 필름을 이용할 경우에는 제조기술상 소형화의 한계에 도달하여 더 이상의 소형화가 곤란하고, 다수의 분리된 공정을 거쳐 조립에 의해 완성되기 때문 일괄공정을 적용하기 어려운 문제점이 있다. 또한 유기 필름을 이용한 일렉트렛은 온도와 습도의 영향을 쉽게 받아 장기적으로 일렉트렛 특성이 열화되어 마이크로폰의 성능이 저하되는 문제점이 있고, 유기 필름을 이용한 다이어프램은 두께가 두꺼워 진동특성이 미흡한 문제점이 있다.However, when the organic film is used in the microphone, it is difficult to further reduce the size due to the limitation of miniaturization in manufacturing technology, and it is difficult to apply the batch process because it is completed by assembly through a plurality of separate processes. In addition, the electret using the organic film has a problem that the performance of the microphone is deteriorated due to deterioration of the electret characteristics in the long term due to the influence of temperature and humidity easily, and the diaphragm using the organic film has a problem of insufficient vibration characteristics due to the thick thickness. .

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 반도체 기술을 적용한 콘 덴서 실리콘 마이크로폰을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a condenser silicon microphone to which the semiconductor technology is applied to solve the above problems.

본 발명의 다른 목적은 통상적으로 음향부 아래에 위치한 회로부를 음향부 옆에 설치하여 보다 얇게 제조할 수 있는 콘덴서 실리콘 마이크로폰을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a condenser silicon microphone which can be manufactured thinner by installing a circuit portion located below the acoustic portion, next to the acoustic portion.

본 발명의 또다른 목적은 2㎛ 이하의 박막기술로 형성된 다이어프램으로 우수한 진동 특성을 갖고, 무기물 막으로 고내열성을 가지며 양산성이 뛰어난 초소형의 콘덴서 실리콘 마이크로폰을 제공하는 것이다.
It is still another object of the present invention to provide an ultra-small condenser silicon microphone having excellent vibration characteristics with a diaphragm formed by a thin film technology of 2 μm or less, high heat resistance with an inorganic film, and excellent mass productivity.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 마이크로폰은, 음향부와 회로부로 이루어진 콘덴서 실리콘 마이크로폰에 있어서, 상기 음향부가 반도체 박막기술을 통해 생성된 무기물 다이어프램; PCB상에 금속판이 일체형으로 형성되어 이루어진 백 플레이트; 상기 무기물 다이어프램과 상기 백 플레이트 사이에 삽입되어 공간을 형성하는 스페이서를 포함하고, 상기 PCB 기판 위에 상기 음향부와 회로부가 구현되고, 상기 회로부가 상기 음향부의 측면에 설치되며, 상기 음향부와 회로부가 도전성 플라스틱 캡에 의해 일체로 패키징되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the microphone of the present invention includes: a condenser silicon microphone including an acoustic part and a circuit part, wherein the acoustic part is an inorganic diaphragm generated through semiconductor thin film technology; A back plate formed of a metal plate integrally formed on a PCB; A spacer inserted between the inorganic diaphragm and the back plate to form a space, wherein the acoustic part and the circuit part are implemented on the PCB substrate, the circuit part is installed on the side of the acoustic part, and the acoustic part and the circuit part It is characterized by being integrally packaged by a conductive plastic cap.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰의 요부 단면도이 다.2 is a cross-sectional view of main parts of the micro-capacitor silicon microphone according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 실리콘 마이크로폰은 PCB기판(212)과 일체화되어 있고 일렉트렛막이 존재하지 않은 금속판(214)으로 된 백플레이트(210)와, 소정의 반도체 제조공정을 통해 생성된 실리콘 다이어프램(220)이 스페이서(230)를 사이에 두고 마주하고 있다. Referring to FIG. 2, the silicon microphone according to the present invention is a back plate 210 made of a metal plate 214 that is integrated with a PCB substrate 212 and does not have an electret film, and is produced through a predetermined semiconductor manufacturing process. The silicon diaphragm 220 faces each other with the spacer 230 interposed therebetween.

실리콘 다이어프램(220)은 반도체 웨이퍼 위에 SiO2나 Si3N4와 같은 무기물 박막을 증착한 후 습식식각공정을 통해 배면의 중앙부 실리콘을 에칭하고 충전하여 생성된 것으로, 무기물 박막(Membrane: 222) 위에 금속막(226)이 형성되어 있으며, 폴라링 역할을 하는 실리콘(220)에 의해 캡(케이스)에 지지된다. 본 발명의 실시예에서 실리콘 다이어프램은 충전공정을 거쳐 일렉트렛이 형성되어 있고, 금속막(226)은 금으로 스퍼터링되어 있다. 특히, 본 발명에 따른 실리콘 다이어프램(220)은 2㎛ 이하의 박막기술로 제조되어 진동특성이 우수하고, 무기물 박막의 일렉트렛으로서 고온에서도 강한 특성이 있다.The silicon diaphragm 220 is formed by depositing an inorganic thin film such as SiO 2 or Si 3 N 4 on a semiconductor wafer, and etching and filling the central silicon on the back surface through a wet etching process. The silicon diaphragm 220 is formed on the inorganic thin film (222). The metal film 226 is formed and supported by the cap (case) by the silicon 220 serving as the polarizing role. In an embodiment of the present invention, the silicon diaphragm is filled with an electret through a filling process, and the metal film 226 is sputtered with gold. In particular, the silicon diaphragm 220 according to the present invention is manufactured by the thin film technology of 2㎛ or less excellent vibration characteristics, and has a strong characteristic even at high temperature as an electret of the inorganic thin film.

그리고 종래의 마이크로폰의 경우에는 백플레이트가 PCB와 분리되어 있기 때문에 제조공정에서 베이스(BASE I, BASE II)를 이용하여 조립하는 과정이 필요하므로 공정이 복잡하고 신뢰성이 떨어지나 본 발명에 따른 백플레이트(210)는 PCB(212) 위에 일체형으로 제조함으로써 조립을 위한 부품의 수를 줄일 수가 있어 비용을 절감할 수 있다.In the case of the conventional microphone, since the back plate is separated from the PCB, a process of assembling using bases (BASE I and BASE II) is required in the manufacturing process, so that the process is complicated and the reliability is low. The 210 may be manufactured integrally on the PCB 212 to reduce the number of components for assembly, thereby reducing the cost.

도 3은 본 발명에 따른 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰의 구조를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the structure of an ultra-small condenser silicon microphone according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰(300)은 크게 음향부(320)와 회로부(310)로 구분되어 음향부(320) 옆에 회로부(310)가 위치하여 두께를 보다 얇게 할 수 있도록 되어 있다.Referring to FIG. 3, the micro condenser silicon microphone 300 of the present invention is largely divided into an acoustic unit 320 and a circuit unit 310 so that the circuit unit 310 is located next to the acoustic unit 320 to make the thickness thinner. It is supposed to be.

그리고 본 발명에 따른 마이크로폰의 음향부(320)와 회로부(310)는 PCB 기판(212) 위에 구현되고, 캡(302)에 의해 보호되도록 되어 있으며, 내부 배선이 금(304)으로 이루어져 있다. The acoustic part 320 and the circuit part 310 of the microphone according to the present invention are implemented on the PCB substrate 212 and are protected by the cap 302, and the internal wiring is made of gold 304.

음향부(320)는 PCB(212)와 일체화된 일렉트렛막이 존재하지 않은 메탈 레이어(214)로 된 백플레이트(310)와, 반도체 공정기술을 사용하여 패턴을 형성하고 식각 공정을 통해 제조된 우수한 진동특성을 가지는 무기물 일렉트렛막의 다이어프램(220)으로 되어 있다. The acoustic part 320 is a back plate 310 made of a metal layer 214 having no electret film integrated with the PCB 212, and a pattern formed using a semiconductor process technology and formed by an etching process. The diaphragm 220 of the inorganic electret film having vibration characteristics is used.

회로부(310)는 증폭기나 FET등과 같은 회로부품이 실장되어 있다.The circuit unit 310 is mounted with circuit components such as amplifiers and FETs.

그리고 음향부와 회로부는 도전성 플라스틱 캡슐로 패키지되어 있으며, 패드(306)를 통해 외부로 접속하도록 되어 있다.The sound portion and the circuit portion are packaged in a conductive plastic capsule and are connected to the outside through the pad 306.

이와 같이 본 발명에 따르면 박막기술을 적용하여 다이어프램의 크기를 작게하고, PCB와 일체로 된 백플레이트를 채용하며, 음향부와 회로부를 분리하여 수평적으로 설치함에 따라 크기가 4mm ×4 mm 이하 이고 높이가 1.3mm 이하 인 초소형의 마이크로폰을 생산할 수 있다.As described above, according to the present invention, the size of the diaphragm is reduced by applying thin film technology, the back plate integrated with the PCB is adopted, and the size of the diaphragm is 4 mm × 4 mm or less as it is horizontally installed by separating the acoustic part and the circuit part. It is possible to produce micro microphones with a height of 1.3 mm or less.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰은 백플레이트를 PCB 기판상에 일체로 형성하여 조립에 소요되는 부품 수를 줄이고, 박막기술로 제조된 무기물 다이어프램을 사용함으로써 온도특성이 양호하고 진동특성이 우수한 잇점이 있다. 특히, 반도체 제조기술을 이용함으로써 일괄처리가 가능하여 대량 생산에 적합하고, 음향부와 회로부를 분리한 후 회로부를 음향부 옆에 형성하여 생산된 마이크로폰의 두께를 보다 얇게 할 수 있는 잇점이 있다. As described above, the ultra-small condenser silicon microphone according to the present invention forms a back plate integrally on a PCB substrate to reduce the number of parts required for assembly, and has excellent temperature characteristics by using an inorganic diaphragm manufactured by thin film technology. The vibration characteristic is excellent. In particular, by using a semiconductor manufacturing technology, batch processing is possible, which is suitable for mass production, and has the advantage that the thickness of the produced microphone can be made thinner by separating the acoustic part from the circuit part and forming the circuit part next to the acoustic part.

Claims (6)

음향부와 회로부로 이루어진 콘덴서 마이크로폰에 있어서,In the condenser microphone which consists of a sound part and a circuit part, 상기 음향부가The sound unit 실리콘 웨이퍼에 SiO2나 Si3N4를 각각의 단층 또는 다층으로 증착하여 박막을 형성한 후 습식식각를 통해 배면의 실리콘을 제거하여 형성된 무기물 다이어프램;An inorganic diaphragm formed by depositing SiO 2 or Si 3 N 4 on a silicon wafer in a single layer or a multilayer to form a thin film, and then removing silicon on the back surface through wet etching; PCB상에 금속판이 일체형으로 형성되어 이루어진 백 플레이트;A back plate formed of a metal plate integrally formed on a PCB; 상기 무기물 다이어프램과 상기 백 플레이트 사이에 삽입되어 공간을 형성하는 스페이서를 포함하고,A spacer inserted between the inorganic diaphragm and the back plate to form a space, 상기 PCB 기판위에 상기 음향부와 회로부가 구현되고, 상기 회로부가 상기 음향부의 측면에 설치되고, 상기 음향부와 회로부가 도전성 플라스틱 캡에 의해 일체로 패키징되는 것을 특징으로 하는 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰.The condenser silicon microphone, characterized in that the sound portion and the circuit portion is implemented on the PCB substrate, the circuit portion is installed on the side of the sound portion, the sound portion and the circuit portion is integrally packaged by a conductive plastic cap. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 무기물 다이어 프램은,The method of claim 1, wherein the inorganic diaphragm, 충전공정을 통해 전하를 강제 주입하여 일렉트렛이 생성된 것을 특징으로 하는 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰.An ultra-small condenser silicon microphone, wherein an electret is produced by forcibly injecting electric charge through a charging process. 제1항에 있어서, 상기 캡은 도전성 플라스틱으로 이루어진 것을 특징으로 하는 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰. The microcapacitor silicon microphone according to claim 1, wherein the cap is made of a conductive plastic. 제1항에 있어서, 상기 마이크로폰은 그 크기가 4mm × 4mm 이하이고, 높이가 1.3mm 이하인 초소형인 것을 특징으로 하는 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰. The micro-condenser silicon microphone according to claim 1, wherein the microphone has a size of 4 mm x 4 mm or less and a height of 1.3 mm or less. 제1항에 있어서, 상기 마이크로폰은 높은 이득을 가지는 증폭기(built in gain)를 마이크로폰의 내부 회로부에 들어가도록 제작함으로써 음향부의 낮은 커패시터 변화에 높은 감도를 제공할 수 있는 것을 특징으로 하는 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰.The micro condenser silicon microphone according to claim 1, wherein the microphone can provide a high sensitivity to low capacitor change of the acoustic part by fabricating a high gain amplifier (built in gain) into the microphone's internal circuit part. .
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100737726B1 (en) * 2006-07-10 2007-07-10 주식회사 비에스이 Packaging structure of mems microphone
KR100870991B1 (en) * 2007-01-30 2008-12-01 주식회사 비에스이 Condenser microphone using ceramic package

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08107599A (en) * 1994-10-06 1996-04-23 Hosiden Corp Front electret type microphone
JPH1098796A (en) * 1996-09-25 1998-04-14 Hosiden Corp Electret microphone
KR20010106327A (en) * 2001-10-17 2001-11-29 이진효 Capacitor Microphone Unit Structure
KR20030004934A (en) * 2001-07-07 2003-01-15 주식회사 비에스이 A chip microphone

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08107599A (en) * 1994-10-06 1996-04-23 Hosiden Corp Front electret type microphone
JPH1098796A (en) * 1996-09-25 1998-04-14 Hosiden Corp Electret microphone
KR20030004934A (en) * 2001-07-07 2003-01-15 주식회사 비에스이 A chip microphone
KR20010106327A (en) * 2001-10-17 2001-11-29 이진효 Capacitor Microphone Unit Structure

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