KR100540176B1 - High speed and low voltage charge pump of phase locked loop - Google Patents

High speed and low voltage charge pump of phase locked loop Download PDF

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Abstract

본 발명은 위상동기루프 장치의 고속 저전압 전하펌프에 관한 것으로 드레인 스위치 전하 펌프 또는 전류원 스위치 전하 펌프 보다 고속 저전압에서 동작할 수 있고 입력 신호 옵셋이 없으며 극히 높은 일정한 출력 부하를 갖는 전하 펌프 회로를 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명은 출력노드가 루프필터에 접속된 전하펌프를 구비하는 위상고정루프의 상기 전하펌프에 있어서, 소스단이 전원전압에 연결된 충전 트랜지스터; 소스단이 전원전압에 연결되어 있고 게이트단과 드레인단이 상기 충전 트랜지스터의 게이트단에 연결되어 있는 충전 바이어스 트랜지스터; 충전 입력신호를 게이트단으로 입력받고 드레인단이 상기 충전 바이어스 트랜지스터의 드레인에 연결되고 소스단이 제1노드에 연결된 충전 스위칭 트랜지스터; 게이트단과 드레인단이 전하펌프의 출력노드에 연결되어 있고 소스단이 상기 충전 트랜지스터의 드레인단에 연결되어 있는 피 채널 모스트랜지스터 다이오드; 게이트단과 드레인단이 전하펌프의 출력노드에 연결되어 있는 엔 채널 모스트랜지스터 다이오드; 게이트단이 방전 입력신호에 연결되어 있고 드레인단이 상기 엔모스 트랜지스터 다이오드의 소스단에 연결되어 있고 소스단이 상기 제1노드에 연결되어 있는 방전 스위칭 트랜지스터; 및 게이트단으로 바이어스전압를 입력받고 드레인단이 상기 제1노드에 연결되어 있고 소스단이 접지단에 연결된 방전 바이어스 트랜지스터를 포함하여 이루어진다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high speed low voltage charge pump of a phase locked loop device, which can operate at a high speed low voltage than a drain switch charge pump or a current source switch charge pump, and provides a charge pump circuit having no input signal offset and having an extremely high constant output load. will be. To this end, the present invention provides a charge pump of a phase fixed loop having an output node connected to a loop filter, the charge pump comprising: a charging transistor having a source terminal connected to a power supply voltage; A charge bias transistor having a source terminal connected to a power supply voltage and a gate terminal and a drain terminal connected to a gate terminal of the charging transistor; A charge switching transistor having a charge input signal input to a gate terminal, a drain terminal connected to a drain of the charge bias transistor, and a source terminal connected to a first node; A channel MOS transistor diode having a gate end and a drain end connected to an output node of a charge pump, and a source end connected to a drain end of the charging transistor; An N-channel MOS transistor diode having a gate end and a drain end connected to an output node of the charge pump; A discharge switching transistor having a gate terminal connected to a discharge input signal, a drain terminal connected to a source terminal of the NMOS transistor diode, and a source terminal connected to the first node; And a discharge bias transistor having a bias voltage input to a gate terminal, a drain terminal connected to the first node, and a source terminal connected to a ground terminal.

충전 트랜지스터, 충전 바이어스 트랜지스터, 충전 스위칭 트랜지스터, 피모스 트랜지스터 다이오드,Charge transistor, charge bias transistor, charge switching transistor, PMOS transistor diode,

Description

위상 동기 루프의 고속 저전압 전하펌프{High speed and low voltage charge pump of phase locked loop} High speed and low voltage charge pump of phase locked loop             

도1은 종래의 전하 펌프 회로도1 is a conventional charge pump circuit diagram

도2는 본 발명에 의한 전하 펌프 회로도2 is a charge pump circuit diagram according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

200 : 전하펌프 250 : 루프필터200: charge pump 250: loop filter

본 발명은 위상 동기 장치에 관한 것으로, 특히 위상동기장치의 전하 펌프 회로에 관한 것이다. The present invention relates to a phase synchronizer, and more particularly, to a charge pump circuit of a phase synchronizer.

일반적으로 위상 동기 장치는 외부에서 제공되는 시스템 클럭 신호에 동기된 임의의 발진 신호를 발생하며, 위상 동기 장치의 구성 요소가 되는 전하 펌프는 시스템 클럭 신호와 위상 동기 장치의 출력 신호간의 위상차를 나타내는 충전 신호 또는 방전 신호에 대응하여 루프 필터에 충전 또는 방전 전류를 제공 한다. 전하 펌프는 위상 동기 장치의 최대 동기 주파수 범위, 전력 소모 및 동작 전압과 속도, 출력 발진 신호의 안정도 등에 영향을 준다. In general, the phase synchronizer generates an arbitrary oscillation signal synchronized with an externally provided system clock signal, and the charge pump, which is a component of the phase synchronizer, charges the phase difference between the system clock signal and the output signal of the phase synchronizer. The charging or discharging current is provided to the loop filter in response to the signal or the discharge signal. The charge pump affects the maximum sync frequency range of the phase synchronizer, power consumption and operating voltage and speed, and stability of the output oscillation signal.

도1은 빠른 위상 동기 및 동작 속도를 제공하는 종래의 드레인 스위칭 전하 펌프 (100)를 나타내는 회로도이다. 도1에 루프 필터(150)를 함께 도시하였다.1 is a circuit diagram illustrating a conventional drain switching charge pump 100 that provides fast phase synchronization and operating speed. 1 shows the loop filter 150 together.

상기 도1을 참조하면, 드레인 스위칭 전하펌프 (100)는 충전 및 방전 트랜지스터(M17,M4)와, 충전 및 방전 전류 소자에 바이어스를 제공하는 트랜지스터 (M15,M16,M18)와, 충전 및 방전 전류를 제어하는 입력 신호 UP,DP에 대응하여 온/오프(ON/OFF)되며 충전 및 방전 트랜지스터(M17,M4)에 상대적으로 각각 직렬로 연결된 스위칭 트랜지스터(M2,M3) 등으로 구성된다.Referring to FIG. 1, the drain switching charge pump 100 includes charge and discharge transistors M17 and M4, transistors M15, M16 and M18 that provide bias to the charge and discharge current devices, and charge and discharge currents. It is composed of switching transistors M2 and M3 that are turned on / off in response to the input signals UP and DP controlling the control circuits and are connected in series with the charging and discharging transistors M17 and M4, respectively.

드레인 스위칭 전하펌프(100)는 루프 필터 출력 전압에 따라 전하 펌프의 출력 부하가 변한다. P채널 모스트랜지스터(M2)과 N채널 모스트랜지스터(M3)으로 구성되는 스위칭 트랜지스터의 입력 부하는 피모스트랜지스터(M2)가 일반적으로 앤모스트랜지스터(M3) 보다 크며, 이것은 전하 펌프의 입력 신호 옵셋(offset)을 유발하며 또한 전하 펌프의 동작 속도를 제한 한다. 전하 펌프의 출력 OUT 은 스위칭 트랜지스터 (M2,M3)의 드레인이 결선된 노드가 되며, 이것은 입력 신호 UP,DP가 스위치할 때 스위칭 트랜지스터(M2,M3) 각각에 대하여 게이트와 드레인이 교류적으로 결선되어 발생하는 입력 신호 스위칭 잡음을 루프 필터에 전달하여 결과적으로 위상 동기 장치의 출력 발진 신호의 안정도를 저하시킨다는 문제점이 발생한다. The drain switching charge pump 100 changes the output load of the charge pump according to the loop filter output voltage. The input load of the switching transistor consisting of the P-channel MOS transistor M2 and the N-channel MOS transistor M3 is generally larger than that of the MOS transistor M2, which is the input signal offset of the charge pump. offset) and also limits the operating speed of the charge pump. The output OUT of the charge pump becomes a node in which the drains of the switching transistors M2 and M3 are connected. This means that when the input signals UP and DP switch, the gate and the drain are alternately connected to each of the switching transistors M2 and M3. Therefore, a problem arises in that the input signal switching noise is transmitted to the loop filter, thereby lowering the stability of the output oscillation signal of the phase-lock device.

본 발명의 목적은 전하펌프의 출력 부하를 극히 높게 하며, 출력 전류의 크기를 위상 동기 루프 장치의 루프 필터 전압에 따라 자동적으로 변화시키는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 입력 신호의 옵셋(offset)과 입력 신호의 스위칭 잡음을 억제하며, 전하펌프의 저전압/고속 동작을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to extremely increase the output load of a charge pump and to automatically change the magnitude of the output current according to the loop filter voltage of the phase locked loop device. Another object of the present invention is to suppress the offset of the input signal and the switching noise of the input signal, and to provide a low voltage / high speed operation of the charge pump.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 위상동기루프의 전하펌프는 출력노드가 루프필터에 접속된 전하펌프를 구비하는 위상고정루프의 상기 전하펌프에 있어서, 소스단이 전원전압에 연결된 충전 트랜지스터; 소스단이 전원전압에 연결되어 있고 게이트단과 드레인단이 상기 충전 트랜지스터의 게이트단에 연결되어 있는 충전 바이어스 트랜지스터; 충전 입력신호를 게이트단으로 입력받고 드레인단이 상기 충전 바이어스 트랜지스터의 드레인에 연결되고 소스단이 제1노드에 연결된 충전 스위칭 트랜지스터; 게이트단과 드레인단이 전하펌프의 출력노드에 연결되어 있고 소스단이 상기 충전 트랜지스터의 드레인단에 연결되어 있는 피 채널 모스트랜지스터 다이오드; 게이트단과 드레인단이 전하펌프의 출력노드에 연결되어 있는 엔 채널 모스트랜지스터 다이오드; 게이트단이 방전 입력신호에 연결되어 있고 드레인단이 상기 엔모스 트랜지스터 다이오드의 소스단에 연결되어 있고 소스단이 상기 제1노드에 연결되어 있는 방전 스위칭 트랜지스터; 및 게이트단으로 바이어스전압를 입력받고 드레인단이 상기 제1노드에 연결되어 있고 소스단이 접지단에 연결된 방전 바이어스 트랜지스터를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the charge pump of the phase locked loop of the present invention comprises: a charge transistor of a phase locked loop having a charge pump having an output node connected to a loop filter, the charge transistor having a source terminal connected to a power supply voltage; A charge bias transistor having a source terminal connected to a power supply voltage and a gate terminal and a drain terminal connected to a gate terminal of the charging transistor; A charge switching transistor having a charge input signal input to a gate terminal, a drain terminal connected to a drain of the charge bias transistor, and a source terminal connected to a first node; A channel MOS transistor diode having a gate end and a drain end connected to an output node of a charge pump, and a source end connected to a drain end of the charging transistor; An N-channel MOS transistor diode having a gate end and a drain end connected to an output node of the charge pump; A discharge switching transistor having a gate terminal connected to a discharge input signal, a drain terminal connected to a source terminal of the NMOS transistor diode, and a source terminal connected to the first node; And a discharge bias transistor having a bias voltage input to a gate terminal, a drain terminal connected to the first node, and a source terminal connected to a ground terminal.

이와 같이 본 발명은 충전 트랜지스터와 방전 스위칭 트랜지스터의 드레인에 피(P)채널 모스트랜지스터 다이오드와 엔(N)채널 모스트랜지스터 다이오드를 상대적으로 각각 직렬로 연결하고, 또한 입력 신호 스위칭 소자를 엔(N)채널 모스트랜지스터로 병렬 구성하므로써, 일정하고 극히 높은 출력 부하와 입력 신호 스위칭 잡음의 억제 및 고속 저전압 동작을 특징으로 하는 전하 펌프 회로를 제공 하며 결과적으로 위상 동기 장치의 성능을 향상 시킨다. 본 발명의 또 다른 특징은 루프 필터의 출력 전압에 대응 하는 전하 펌프 출력 전류를 발생하므로써 전하 펌프의 전력 소모를 감소시킨다.As described above, the present invention connects the P channel MOS transistor and the N channel MOS transistor in series to the drains of the charge transistor and the discharge switching transistor, respectively, and the input signal switching element is connected to the N. The parallel configuration of the channel MOS transistors provides a charge pump circuit featuring constant and extremely high output loads, suppression of input signal switching noise, and high-speed, low-voltage operation, resulting in improved phase-locker performance. Another feature of the present invention is to reduce the power consumption of the charge pump by generating a charge pump output current corresponding to the output voltage of the loop filter.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

도2는 본 발명에 의한 고속 저전압 전하 펌프 회로 (200)를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing a high speed low voltage charge pump circuit 200 according to the present invention.

상기 도2를 참조하면, 고속 저전압 전하 펌프 회로(200)는 소스단이 전원전압(VCC)에 연결된 충전 트랜지스터(M11)와, 소스단이 전원전압(VCC)에 연결되어 있고 게이트단과 드레인단이 상기 충전 트랜지스터(M11)의 게이트에 연결된 충전 바이어스 트랜지스터(M12)와, 충전 입력신호(UP)를 게이트단으로 입력받고 드레인단이 상기 충전 바이어스 트랜지스터(M12)의 드레인에 연결되고 소스단이 노드a에 연결된 충전 스위칭 트랜지스터(M7)와, 게이트단과 드레인단이 출력노드 Icm에 연결되어 있고 소스단이 상기 충전 트랜지스터(M11)의 드레인단에 연결되어 있는 피 채널 모스트랜지스터 다이오드(M10)와, 게이트단과 드레인단이 출력노드 Icm에 연결되어 있는 엔 채널 모스트랜지스터 다이오드(M9)와, 게이트단이 방전 입력신호(DP)에 연결되어 있고 드레인단이 상기 엔모스 트랜지스터 다이오드(M9)의 소스단에 연결되어 있고 소스단이 상기 노드a에 연결되어 있는 방전 스위칭 트랜지스터(M8)와, 게이트단으로 바이어스전압(vbias)를 입력받고 드레인단이 노드a에 연결되어 있고 소스단이 접지단(VSS)에 연결된 방전 바이어스 트랜지스터(M1)로 구성되어 있다.Referring to FIG. 2, the fast low voltage charge pump circuit 200 includes a charging transistor M11 having a source terminal connected to a power supply voltage VCC, a source terminal connected to a power supply voltage VCC, and a gate terminal and a drain terminal connected to each other. The charge bias transistor M12 connected to the gate of the charge transistor M11 and the charge input signal UP are input to the gate terminal, the drain terminal is connected to the drain of the charge bias transistor M12, and the source terminal is a node a. A charge switching transistor M7, a gate terminal and a drain terminal connected to the output node Icm, and a source terminal connected to the drain terminal of the charging transistor M11; An N-channel MOS transistor M9 having a drain terminal connected to the output node Icm, a gate terminal connected to the discharge input signal DP, and a drain terminal connected to the output node Icm. The discharge switching transistor M8 is connected to the source terminal of the switch transistor diode M9 and the source terminal is connected to the node a, the bias voltage is input to the gate terminal, and the drain terminal is connected to the node a. And a source terminal having a discharge bias transistor M1 connected to a ground terminal VSS.

출력노드 Icm은 루프 필터(250)에 결선되어 위상 동기 장치의 제어 전압 신호가 되는 루프 필터의 출력 신호 VCO을 발생시킨다. The output node Icm is connected to the loop filter 250 to generate an output signal VCO of the loop filter which becomes a control voltage signal of the phase synchronizer.

충전 트랜지스터(M11)의 게이트와 드레인은 충전 바이어스 트랜지스터(M12)의 드레인과 피 채널 모스트랜지스터 다이오드(M10)의 소스단에 상대적으로 각각 연결 되는 전류미러로서, 충전 트랜지스터(M11)과 충전 바이어스 트랜지스터(M12)에 각각 동작 공급 전원(VCC)로부터 동일한 전류를 흘린다. 방전 바이어스 트랜지스터(M1)의 게이트단과 소스단은 상대적으로 각각 바이어스 전압(Vbias)와 동작 접지단(VSS)에 결선되어 노드a로부터 접지단에 흐르는 전류를 항상 일정하게 흘리도록 제어된다. 충전 바이어스 트랜지스터(M12)의 게이트와 드레인은 방전 스위치 트랜지스터(M7)의 드레인에 결선 되어 방전 바이어스 트랜지스터(M1)에 대응하는 전류를 충전 트랜지스터(M11)의 드레인에 출력 한다. The gate and the drain of the charging transistor M11 are current mirrors respectively connected to the drain of the charging bias transistor M12 and the source terminal of the p-channel MOS transistor M10, respectively. The charging transistor M11 and the charging bias transistor ( The same current flows through M12) from the operation supply power supply VCC, respectively. The gate terminal and the source terminal of the discharge bias transistor M1 are relatively connected to the bias voltage Vbias and the operating ground terminal VSS, respectively, so that the current flowing from the node a to the ground terminal is controlled to flow constantly. The gate and the drain of the charge bias transistor M12 are connected to the drain of the discharge switch transistor M7 to output a current corresponding to the discharge bias transistor M1 to the drain of the charge transistor M11.

위상 동기 장치의 제어 전압 신호가 되는 루프 필터(250)의 출력 전압 신호 VCO의 크기에 따라 전하 펌프의 출력 전류를 가변 시키는 엔,피 채널 모스트랜지스터 다이오드(M9,M10)의 게이트와 드레인은 전하 펌프의 출력 노드 Icm에 결선 되어 출력노드 Icm에 흐르는 전류를 제어한다. 또한, 엔, 피 채널 모스트랜지스터 다이오드 (M9,M10)를 항상 포화 영역에서 동작하게 하여 전하 펌프의 출력 전압의 변화에 무관하게 극히 높은 전하 펌프 출력 부하를 제공하며, 또한 루프 필터 (250)로 입력 스위칭 잡음 전달을 효과적으로 억제 한다. The gate and the drain of the N, P-channel MOS transistors M9 and M10 varying the output current of the charge pump according to the magnitude of the output voltage signal VCO of the loop filter 250 which becomes the control voltage signal of the phase lock device. It is connected to the output node Icm of and controls the current flowing to the output node Icm. In addition, the N, P-channel MOS transistor diodes (M9, M10) are always operated in the saturation region, providing an extremely high charge pump output load regardless of the change in the output voltage of the charge pump, and also being input to the loop filter (250). It effectively suppresses switching noise transfer.

위상 동기 장치가 동기 되는 루프 필터 (250)의 출력 전압 신호 VCO의 크기는 동기 주파수 범위를 최대화 하기 위하여 일반적으로 동작 공급 전원 VCC의 VCC/2가 되도록 구현하는데, 이 경우 엔, 피 채널 모스트랜지스터 다이오드(M9,M10)는 위상 동기 장치가 천이 상태에 있을 때 전하 펌프의 출력 노드 Icm의 전류를 크게 하고 위상 동기 장치가 안정화 되었을 때 전하 펌프의 출력 노드 Icm의 전류를 작게 한다. 이것은 전하 펌프의 소비 전력을 효과적으로 감소 시킨다. The magnitude of the output voltage signal VCO of the loop filter 250 in which the phase synchronizer is synchronized is generally implemented to be VCC / 2 of the operating supply VCC in order to maximize the synchronization frequency range. In this case, the n-channel MOS transistor diode M9 and M10 increase the current at the output node Icm of the charge pump when the phase synchronizer is in the transition state and decrease the current at the output node Icm of the charge pump when the phase synchronizer is stabilized. This effectively reduces the power consumption of the charge pump.

엔 채널 모스트랜지스터로 구성되는 충전 및 방전 스위치 트랜지스터(M7,M8)의 게이트은 상대적으로 각각 충전,방전 입력 신호 UP,DP에 결선 되며, 이들의 소스는 방전 바이어스 트랜지스터(M1)의 드레인에 결선 된다. 이것은 전하 펌프의 고속 저전압 동작을 용이하게 하며, 또한 충전 및 방전 입력 신호 UP,DP에 동등한 입력 부하를 제공하므로써 전하 펌프의 입력 신호 옵셋(offset)을 억제한다.The gates of the charge and discharge switch transistors M7 and M8 composed of the N-channel MOS transistors are relatively connected to the charge and discharge input signals UP and DP, respectively, and their sources are connected to the drain of the discharge bias transistor M1. This facilitates high speed low voltage operation of the charge pump and also suppresses the input signal offset of the charge pump by providing an equivalent input load to the charge and discharge input signals UP, DP.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으 나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상기와 같이 본 발명은 엔, 피 채널 모스트랜지스터 다이오드를 사용하여 출력전압의 변화에 무관하게 극히 높은 전하펌프의 출력부하를 제공하고, 루프필터로의 입력 스위칭 잡음 전달을 억제하며, 위상동기 장치가 안정화되었을 때 전하펌프의 출력 전류를 작게 한다.As described above, the present invention uses an N, P channel MOS transistor diode to provide an output load of an extremely high charge pump irrespective of the change of the output voltage, suppresses the transmission of input switching noise to the loop filter, and provides a phase synchronization device. When stabilized, reduce the output current of the charge pump.

Claims (4)

출력노드가 루프필터에 접속된 전하펌프를 구비하는 위상고정루프의 상기 전하펌프에 있어서,In the charge pump of the phase fixed loop having an output node having a charge pump connected to the loop filter, 소스단이 전원전압에 연결된 충전 트랜지스터;A charging transistor having a source terminal connected to a power supply voltage; 소스단이 전원전압에 연결되어 있고 게이트단과 드레인단이 상기 충전 트랜지스터의 게이트단에 연결되어 있는 충전 바이어스 트랜지스터;A charge bias transistor having a source terminal connected to a power supply voltage and a gate terminal and a drain terminal connected to a gate terminal of the charging transistor; 충전 입력신호를 게이트단으로 입력받고 드레인단이 상기 충전 바이어스 트랜지스터의 드레인에 연결되고 소스단이 제1노드에 연결된 충전 스위칭 트랜지스터;A charge switching transistor having a charge input signal input to a gate terminal, a drain terminal connected to a drain of the charge bias transistor, and a source terminal connected to a first node; 게이트단과 드레인단이 상기 출력노드에 연결되어 있고 소스단이 상기 충전 트랜지스터의 드레인단에 연결되어 있는 피 채널 모스트랜지스터 다이오드;A channel MOS transistor having a gate terminal and a drain terminal connected to the output node and a source terminal connected to the drain terminal of the charging transistor; 게이트단과 드레인단이 상기 출력노드에 연결되어 있는 엔 채널 모스트랜지스터 다이오드;An N-channel MOS transistor diode having a gate terminal and a drain terminal connected to the output node; 게이트단이 방전 입력신호에 연결되어 있고 드레인단이 상기 엔모스 트랜지스터 다이오드의 소스단에 연결되어 있고 소스단이 상기 제1노드에 연결되어 있는 방전 스위칭 트랜지스터; 및A discharge switching transistor having a gate terminal connected to a discharge input signal, a drain terminal connected to a source terminal of the NMOS transistor diode, and a source terminal connected to the first node; And 게이트단으로 바이어스전압를 입력받고 드레인단이 상기 제1노드에 연결되어 있고 소스단이 접지단에 연결된 방전 바이어스 트랜지스터A discharge bias transistor having a bias voltage input to a gate terminal, a drain terminal connected to the first node, and a source terminal connected to a ground terminal 를 포함하여 이루어진 전하펌프.Charge pump consisting of. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 충전 트랜지스터와 충전 바이어스 트랜지스터는 전원전압으로부터 동일한 전류를 흘리는 전류미러로 구성된 것을 특징으로하는 전하펌프.The charge transistor and the charge bias transistor is a charge pump, characterized in that consisting of a current mirror flowing the same current from the power supply voltage. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 바이어스전압은 상기 바이어스 트랜지스터의 게이트단으로 입력되어 상기 바이어스 트랜지스터에 흐르는 전류를 선형적으로 흘리도록 제어하므로서 전류 소모를 적게 하는 것을 특징으로 하는 전하펌프.And the bias voltage is input to the gate terminal of the bias transistor to control the current flowing through the bias transistor to flow linearly, thereby reducing current consumption. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 피 체널 모스트랜지스터 다이오드와 엔 채널 모스트랜지스터 다이오드는 포화 영역에서 동작하고 전하펌프의 출력 전류를 일정하게 제어하므로서 전하펌프의 출력 전압에 무관하게 높은 전하펌프의 출력 부하를 갖게하여 출력 전류를 적게 하는 것을 특징으로 하는 전하펌프.The channel MOS transistors and the N-channel MOS transistor diodes operate in the saturation region and control the output current of the charge pump constantly so that the output current of the charge pump is reduced regardless of the output voltage of the charge pump, thereby reducing the output current. Charge pump, characterized in that.
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