KR100536576B1 - Lens cleaning device of laser repair system - Google Patents
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Abstract
레이저를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 불량 칩의 리페어(Repair)시 발생되어 렌즈에 형성된 그을음을 자동으로 크리닝(Cleaning)하는 레이저 리페어 시스템의 렌즈 크리닝 장치에 관한 것이다. 본 발명은, 레이저가 조사되는 경로에 설치되어 초점을 형성하기 위해 설치된 렌즈, 상기 렌즈로부터 소정 거리 이격된 하부에 접근이 자유롭게 이루어져 소정 압력으로 가압된 기체가 분사되는 분사수단 및 상기 분사수단으로부터 소정 거리 이격된 하부에 프로그램된 바에 따라 이동자재하며, 웨이퍼가 장착되는 척을 포함하여 이루어져서 상기 웨이퍼에 형성된 불량 칩을 리페어하도록 이루어진다. 따라서, 본 발명에 의하면 렌즈가 오염될 수 있는 오염원을 가압기체에 의한 크리닝에 의해 사전에 자동적으로 크리닝이 이루어지고, 렌즈오염에 의한 공정불량이 사전에 방지되어 생산성이 향상되는 효과가 있다.The present invention relates to a lens cleaning apparatus of a laser repair system that automatically cleans soot formed in a lens by repairing a defective chip formed on a wafer using a laser. According to the present invention, a lens is installed in a path irradiated with a laser to form a focal point, an injection means for freely accessing a lower portion spaced apart from the lens by a predetermined distance, and an injection means for spraying a pressurized gas at a predetermined pressure, The moving material is programmed according to the distance spaced lower portion, and includes a chuck on which the wafer is mounted to repair the defective chip formed on the wafer. Therefore, according to the present invention, the source of contamination of the lens may be automatically cleaned in advance by cleaning with a pressurized gas, and process defects due to lens contamination may be prevented in advance, thereby improving productivity.
Description
본 발명은 레이저 리페어 시스템의 렌즈 크리닝 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 불량 칩의 리페어(Repair)시 발생되어 렌즈에 형성된 그을음을 자동으로 크리닝(Cleaning)하는 레이저 리페어 시스템의 렌즈 크리닝 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lens cleaning apparatus of a laser repair system, and more particularly, a laser repair that automatically cleans soot formed in a lens generated during repair of a defective chip formed on a wafer by using a laser. A lens cleaning apparatus of a system.
웨이퍼를 구성하고 있는 각 칩의 전기적 특성검사를 통하여 전기적 양, 불량을 검사하는 공정으로 EDS(Electrical Die Sorting, 이하 'EDS'라 함)공정이 있다. 제조공정이 종료된 웨이퍼에는 불량 칩이 발생되는데, EDS 공정으로 옮겨지면서 웨이퍼는 프리레이저(Pre-laser) 단계, 레이저 리페어(Laser Repair) 단계, 포스트 리페어(Post Repair) 단계 등을 거치게 된다. 이러한 단계를 거치면서 리페어가 가능한 칩은 리페어되어서 패키지 공정이 이루어지지만 그렇지 않은 칩은 불량칩으로 남아 폐기될 수 밖에 없는 것이다.There is an EDS (Electrical Die Sorting) process to check the electrical quantity and defects through the electrical characteristic inspection of each chip constituting the wafer. Defective chips are generated on the wafer where the manufacturing process is completed. As the wafer is transferred to the EDS process, the wafer is subjected to a pre-laser stage, a laser repair stage, a post repair stage, and the like. Through these steps, the chip that can be repaired is repaired and packaged, but the chip that is not repaired remains as a defective chip and must be discarded.
종래의 EDS 공정의 레이저 리페어 단계에서는 레이저 리페어 시스템이 사용되었다. 상기 시스템은 레이저 빔(Beam)을 이용하여 칩에 형성된 동작 셀(Cell) 외에 패일(Fail)된 셀에 연결된 휴즈(Fuse)를 잘라내어서 상기 패일이 발생된 셀을 여분으로 만들어 놓은 리던던시(Redundancy)와 대체시켜 연결하는 것이다. 그리고, 상기 레이저 리페어 시스템에는 웨이퍼 정렬과 레이저 포커스를 맞추기 위한 대물렌즈가 장착되어 있다.In the laser repair stage of the conventional EDS process, a laser repair system was used. The system uses a laser beam to cut a fuse connected to a failed cell in addition to an operating cell formed on a chip, thereby providing redundancy in which the failed cell is made redundant. To replace it with. The laser repair system is equipped with an objective lens for wafer alignment and laser focusing.
이 때 레이저를 이용한 휴즈커팅(Fuse Cutting)시 발생되는 미량의 연기에 의해 렌즈에 그을음이 발생하여 렌즈의 표면오염으로 커팅(Cutting)할 휴즈의 위치를 잡는 빔투워크 패일(Beam-to-Work Fail)이 발생되었다. 그리고, 렌즈를 통해 조사되는 레이저의 세기가 감소하여 휴즈커팅이 이루어지지 않거나, 원하는 휴즈가 아닌 다른 휴즈를 커팅하는 미스블로잉(Miss Blowing)이 발생되었다.In this case, a soot is generated in the lens by a small amount of smoke generated during the fuse cutting using a laser, and a beam-to-work fail that positions the fuse to be cut due to the surface contamination of the lens. ) Occurred. In addition, the intensity of the laser irradiated through the lens is reduced so that fuse cutting is not performed or miss blowing is performed to cut a fuse other than the desired fuse.
전술한 바와 같은 빔투워크 패일 및 미스블로잉을 방지하기 위해 종래에는 수동적인 조작에 의해 비정기적으로 크리닝이 이루어졌다. 그러나, 이와 같은 방법은 전술한 바와 같은 패일을 극복할 수 있으나, 작업자의 무관심에 의한 패일발생이 우려되었고, 수동적인 크리닝이 이루어져서 작업이 불편한 점이 있었다.In order to prevent the beam-to-work fail and miss blowing as described above, conventionally, cleaning is performed at irregular intervals by manual operation. However, such a method can overcome the above-described failure, but there was a concern that the failure occurred due to the indifference of the operator, and manual cleaning was performed, which made the operation inconvenient.
본 발명의 목적은, 레이저를 이용한 칩 리페어 시스템의 가압 기체를 분사하여 렌즈를 크리닝하는 장치를 렌즈의 하부에 이동자재하도록 설치하여 렌즈가 그을음에 오염되지 않고 리페어 작업이 수행되도록 하는 레이저 리페어 시스템의 렌즈 크리닝 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to install a device for cleaning the lens by spraying the pressurized gas of the chip repair system using a laser to move to the lower portion of the lens so that the repair operation is performed without contamination of the lens soot It is to provide a lens cleaning device.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 리페어 시스템의 렌즈 크리닝 장치는, 레이저가 조사되는 경로에 설치되어 초점을 형성하기 위해 설치된 렌즈, 상기 렌즈로부터 소정 거리 이격된 하부에 접근이 자유롭게 이루어져 소정 압력으로 가압된 기체가 분사되는 분사수단 및 상기 분사수단으로부터 소정 거리 이격된 하부에 프로그램된 바에 따라 이동자재하며, 웨이퍼가 장착되는 척을 포함하여 이루어져서 상기 웨이퍼에 형성된 불량 칩을 리페어하도록 이루어진다.The lens cleaning apparatus of the laser repair system according to the present invention for achieving the above object is a lens installed in the path irradiated with the laser is provided to form a focal point, the lower portion spaced apart from the lens by a predetermined distance freely made a predetermined pressure It is made to include a chuck to which the wafer is pressurized gas is injected and a lower portion spaced apart from the injection means as programmed, and the wafer is mounted to repair the defective chip formed on the wafer.
그리고, 상기 분사수단은 인가되는 소정 신호를 처리하여 분사여부를 결정하는 분사신호 인가부, 상기 분사신호 인가부의 신호에 따라 개폐되는 개폐부 및 상기 개폐부에 연결되어 개폐에 따라 상기 기체가 분사되는 분사부를 구비함이 바람직하다.The injection means may be configured to process a predetermined signal applied to the injection signal to determine whether the injection, the opening and closing portion which is opened and closed in accordance with the signal of the injection signal applying unit and the injection portion connected to the opening and closing portion is injected in accordance with opening and closing It is desirable to have.
그리고, 상기 분사신호 인가부는 상기 인가되는 신호를 논리조합하는 논리조합부, 상기 논리조합부에서 인가되는 신호의 레벨에 따라 타이밍펄스를 출력하는 타이머 및 상기 타이머의 타이밍펄스에 따라 스위칭되는 스위칭부를 구비함이 바람직하다.The injection signal applying unit includes a logic combining unit for logically combining the applied signal, a timer for outputting a timing pulse according to the level of the signal applied from the logic combining unit, and a switching unit switched according to the timing pulse of the timer. It is preferable to.
그리고, 상기 논리조합부는 앤드게이트(AND Gate)로 이루어질 수 있다.The logic combining unit may be an AND gate.
그리고, 상기 타이머는 상기 논리조합부의 신호가 하이신호일 경우 소정 주기로 하이신호를 출력함이 바람직하다.The timer outputs a high signal at a predetermined period when the signal of the logic combination unit is a high signal.
그리고, 상기 스위칭부는 트랜지스터로 이루어질 수 있다.The switching unit may be formed of a transistor.
그리고, 상기 개폐부는 상기 소정 기체가 유입되는 경로에 설치되어 유입되는 기체의 압력을 가변하는 압력조절기 및 상기 분사신호 인가부의 신호에 따라 개폐동작이 이루어지는 개폐기를 구비함이 바람직하다.In addition, the opening and closing portion is preferably provided with a pressure regulator which is installed in the path through which the predetermined gas is introduced and the opening and closing operation is performed in accordance with the signal of the injection signal applying unit and a pressure regulator for varying the pressure of the introduced gas.
그리고, 상기 압력조절기에서 제공하는 압력은 30psi 내지 70psi로 설정될 수 있고, 더욱 바람직하기로는 40psi 내지 60psi로 설정됨이 바람직하다.In addition, the pressure provided by the pressure regulator may be set to 30 psi to 70 psi, and more preferably 40 psi to 60 psi.
또한, 상기 개폐기는 솔레노이드밸브로 이루어질 수 있다.In addition, the switch may be made of a solenoid valve.
그리고, 상기 분사부는 상기 렌즈에 상기 기체가 분사되는 분사호스 및 상기 분사호스에서 상기 기체가 분사될 때는 상기 렌즈의 하부에 상기 분사호스를 위치시키고, 상기 기체가 분사되지 않을 때는 상기 렌즈로부터 소정 거리 이격되게 상기 렌즈의 측부로 이동시키는 호스이동부를 구비함이 바람직하다.The injection unit may include a jet hose in which the gas is injected into the lens and a jet hose under the lens when the gas is jetted from the jet hose, and a predetermined distance from the lens when the gas is not jetted. It is preferable to have a hose moving portion for moving to the side of the lens spaced apart.
그리고, 상기 분사호스는 단부가 상기 렌즈를 향해 직각방향으로 굴곡이 형성됨이 바람직하다.In addition, the spray hose is preferably bent end is formed in a direction perpendicular to the lens.
또한, 상기 분사호스는 직경이 0.1인치(inch) 내지 1인치의 호스가 사용될 수 있고, 더욱 바람직하기로는 1/8인치의 호스가 사용됨이 바람직하다.In addition, the injection hose may be a hose of 0.1 inch (inch) to 1 inch in diameter, more preferably 1/8 inch hose is used.
또한, 상기 분사호스는 상기 기체분사시 상기 렌즈와 상기 척 사이에 위치될 수 있다.In addition, the injection hose may be located between the lens and the chuck during the gas injection.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 실시예는 도1을 참조하면, 웨이퍼(10)가 놓여 지지되는 척(12)과 레이저가 조사되는 렌즈(14) 사이에 호스(16)가 이동자재하게 설치되어 구성된다.In the embodiment according to the present invention, referring to FIG. 1, a hose 16 is disposed between the chuck 12 on which the wafer 10 is placed and the lens 14 on which the laser is irradiated.
최초 호스(16)가 렌즈(14)의 하부에 위치하지 않고, 소정거리 벗어난 위치에 있을 때 렌즈(14)의 하부에 웨이퍼(10)가 놓여서 EDS 공정의 프리레이저 단계가 수행된다. 프리레이저 단계가 수행된 데이터를 참조하여 레이저 리페어 단계가 수행되는데, 웨이퍼에 형성된 불량 칩의 다이마다 리페어가 이루어진다.When the initial hose 16 is not located at the bottom of the lens 14 but at a position out of a predetermined distance, the wafer 10 is placed at the bottom of the lens 14 to perform the prelaser step of the EDS process. The laser repair step is performed by referring to the data on which the pre-laser step is performed, and repair is performed for each die of the defective chip formed on the wafer.
본 발명에 따른 구체적인 동작은 도2 및 도3을 참조하여 상세히 설명한다.Specific operations according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.
도2는 호스(16)로부터 가압기체를 분사하기 위한 회로구성으로 그 구성은, 빔 포지셔너(Beam Positioner)의 신호(X)와 리페어 수행신호(Y)가 인가되는 앤드게이트(18)가 타이머(20)에 입력신호를 인가하도록 연결되어 있다. 그리고 타이머(20)에는 구동전압(Vcc)을 인가받는 저항(R1)과 콘덴서(C1)가 연결되어 클럭신호를 인가하고 상기 입력신호와 클럭신호의 결과가 출력되어 트랜지스터(Q1)의 베이스(Base)에 인가된다.2 is a circuit configuration for injecting the pressurized gas from the hose 16. The configuration is that the AND gate 18 to which the signal X of the beam positioner (Beam Positioner) and the repair performance signal Y is applied is a timer ( 20) is connected to apply an input signal. The timer 20 is connected to a resistor R1 receiving a driving voltage Vcc and a capacitor C1 to apply a clock signal, and outputs a result of the input signal and the clock signal to output the base of the transistor Q1. Is applied.
트랜지스터(Q1)의 콜렉터(Collector)에는 구동전압이 저항(R2)을 통해 인가되고, 에미터(Emitter)는 저항(R3)을 통해 솔레노이드 밸브(22)에 연결되어 있다.The driving voltage is applied to the collector of the transistor Q1 through the resistor R2, and the emitter is connected to the solenoid valve 22 through the resistor R3.
솔레노이드 밸브(22)가 열려서 기체가 배출되는 부분에는 분사부(24)가 연결되고, 기체가 공급되는 부분에는 압력조절기(26)가 솔레노이드 밸브(22)를 통해 기체공급원(도시하지 않음)에 연결되어 있다.The injection part 24 is connected to the part where the solenoid valve 22 is opened and the gas is discharged, and the pressure regulator 26 is connected to the gas supply source (not shown) through the solenoid valve 22 at the part where the gas is supplied. It is.
전술한 바와 같은 구성에 의하면 빔 포지셔너의 신호(X)와 리페어 수행신호(Y)가 모두 하이레벨의 신호로 입력되면 앤드게이트(18)의 출력은 하이가 되어서 타이머(20)에 인가된다. 그러면 타이머(20)에서는 소정 시간주기로 하이레벨의 신호(Z)를 출력하여 트랜지스터(Q1)가 턴온(Turn on)되어 솔레노이드 밸브(22)가 열려서 가압된 기체가 분사부(24)에 공급되어 분사부(24)를 이루는 호스(16)를 통해 렌즈(14)에 분사된다.According to the above-described configuration, when both the signal X and the repair performance signal Y of the beam positioner are input as high level signals, the output of the AND gate 18 becomes high and is applied to the timer 20. Then, the timer 20 outputs the high level signal Z at a predetermined time period, and the transistor Q1 is turned on, so that the solenoid valve 22 is opened, and the pressurized gas is supplied to the injection unit 24 to generate a minute. It is sprayed on the lens 14 through the hose 16 which forms the dead part 24.
구체적으로, 빔 포지셔너의 신호(X)는 척(12)이 웨이퍼(10)를 장착하기 위해 웨이퍼 로딩위치에 있을 때 하이레벨의 신호가, 척(12)의 위치가 렌즈(14)의 하부에 놓여 있을 경우에는 로우레벨의 신호가 앤드게이트(18)에 인가된다.Specifically, the signal X of the beam positioner is a high level signal when the chuck 12 is in the wafer loading position for mounting the wafer 10, and the position of the chuck 12 is below the lens 14. If it is, a low level signal is applied to the AND gate 18.
그리고, 리페어 수행신호(Y)는 레이저 리페어 단계가 로트(Lot) 단위로 수행될 수 있는데, 하나의 특정 로트가 로딩되어 리페어될 때 마지막 웨이퍼(10)가 로딩되어 언로딩될 때 까지에는 항상 하이레벨의 신호가 앤드게이트(18)에 인가되도록 이루어진다.In addition, the repair performing signal Y may be performed by the laser repair step in a lot unit. When one specific lot is loaded and repaired, the repair execution signal Y is always high until the last wafer 10 is loaded and unloaded. A level signal is applied to the AND gate 18.
도3에 의하면 빔 포지셔너의 신호가 하이인 경우, 즉 척(12)의 위치가 웨이퍼(10)를 로딩하기 위한 위치에 있는 경우로 4초 정도의 시간이다. 리페어되는 동안에는 리페어 수행신호(Y)가 하이를 유지하므로 타이머(20)에 하이레벨의 신호가 인가된다.According to Fig. 3, when the signal of the beam positioner is high, that is, when the position of the chuck 12 is in the position for loading the wafer 10, the time is about 4 seconds. During the repair process, the repair performance signal Y is kept high, so that the high level signal is applied to the timer 20.
그러면, 타이머(20)의 출력신호는 1초 마다 1초 동안 하이레벨의 신호가 출력되어 트랜지스터(Q1)가 턴온된다. 솔레노이드 밸브(22)에 전압이 인가되면서 솔레노이드 밸브(22)가 열리고, 가압 기체가 분사부(24)에 공급된다. 이때의 분사부(24)를 이루는 호스(16)는 호스(16)의 위치를 가변하는 가변수단(도시하지 않음)에 의해 렌즈(14)의 하부에 소정 거리 이격되어서 놓이고, 솔레노이드 밸브(22)가 열려서 가압기체가 호스(16)를 통해 렌즈(14)에 분사된다. 이 때 제공되는 압력은 50psi 내지 70psi의 압력으로 가압기체의 분사에 의해 렌즈(14)표면이 크리닝된다.Then, the output signal of the timer 20 outputs a high level signal for one second every second, thereby turning on the transistor Q1. As the voltage is applied to the solenoid valve 22, the solenoid valve 22 is opened, and pressurized gas is supplied to the injection unit 24. At this time, the hose 16 constituting the injection unit 24 is placed at a lower distance from the lens 14 by a variable means (not shown) for varying the position of the hose 16, the solenoid valve 22 ) Is opened so that the pressurized gas is injected into the lens 14 through the hose 16. The pressure provided at this time is the surface of the lens 14 is cleaned by the injection of a pressurized gas at a pressure of 50psi to 70psi.
빔 포지셔너의 신호(X)가 로우인 경우의 동작은 다음과 같다.Operation when the signal X of the beam positioner is low is as follows.
척(12)에 웨이퍼(10)가 장착되어서 척(12)이 렌즈(14)의 하부로 이동하면 렌즈(14)와 척(12)에 놓인 웨이퍼(10) 사이의 간격은 4㎜ 내지 8㎜정도가 유지되는데, 이때 빔 포지셔너의 신호(X)는 하이에서 로우레벨의 신호가 된다.When the wafer 10 is mounted on the chuck 12 and the chuck 12 moves to the lower portion of the lens 14, the distance between the lens 14 and the wafer 10 placed on the chuck 12 is 4 mm to 8 mm. The degree is maintained, where the signal X of the beam positioner becomes a signal of high to low level.
빔 포지셔너의 신호(X)가 로우레벨이면 앤드게이트(18)의 출력신호 및 타이머(20)의 출력신호(Z)가 로우로 되어 트랜지스터(Q1)는 턴오프(Turn off)가 된다. 솔레노이드 밸브(22)는 닫히고, 분사부(24)의 호스(16)는 렌즈(14)로부터 이동되어 크리닝 대기위치에서 대기한다.When the signal X of the beam positioner is at the low level, the output signal of the AND gate 18 and the output signal Z of the timer 20 go low, thereby turning off the transistor Q1. The solenoid valve 22 is closed, and the hose 16 of the injection portion 24 is moved from the lens 14 to stand by at the cleaning standby position.
전술한 바와 같은 동작이 25장의 웨이퍼(10)를 리페어하는 하나의 로트를 수행하는 동안 반복적으로 이루어진다.The operation as described above is repeated while performing one lot to repair the 25 wafers 10.
상술하듯이 본 발명에 따른 실시예에 의하면, 레이저를 이용한 리페어 단계에서 렌즈를 오염시킬 수 있는 오염원을 각 웨이퍼가 리페어된 후, 렌즈를 크리닝함으로써 렌즈오염으로 인한 공정불량이 사전에 방지되는 이점이 있다.As described above, according to an embodiment of the present invention, after each wafer is repaired with a source of contamination that can contaminate the lens in the repair step using a laser, the lens is cleaned to prevent process defects due to lens contamination in advance. have.
따라서, 본 발명에 의하면 렌즈가 오염될 수 있는 오염원을 가압기체에 의한 크리닝에 의해 사전에 자동적으로 크리닝이 이루어지고, 렌즈오염에 의한 공정불량이 사전에 방지되어 생산성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the source of contamination of the lens may be automatically cleaned in advance by cleaning with a pressurized gas, and process defects due to lens contamination may be prevented in advance, thereby improving productivity.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
도1은 본 발명에 따른 레이저 리페어 시스템의 렌즈 크리닝 장치의 동작을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the operation of the lens cleaning apparatus of the laser repair system according to the present invention.
도2는 본 발명에 따른 레이저 리페어 시스템의 렌즈 크리닝 장치의 실시예를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing an embodiment of a lens cleaning apparatus of the laser repair system according to the present invention.
도3은 도2의 회로도에 따른 동작을 설명하기 위한 동작 파형도이다.3 is an operation waveform diagram for describing an operation according to the circuit diagram of FIG. 2.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of codes for main parts of drawing
10 : 웨이퍼 12 : 척(Chuck)10 wafer 12 chuck
14 : 렌 즈 16 : 호스14: lens 16: hose
18 : 앤드게이트 20 : 타이머(Timer)18: Andgate 20: Timer
22 : 솔레노이드밸브 24 : 분사부22: solenoid valve 24: injection part
26 : 압력조절기 R1, R2 : 저항26: pressure regulator R1, R2: resistance
C1 : 콘덴서 Q1 : 트랜지스터C1: Capacitor Q1: Transistor
Vcc : 구동전압Vcc: driving voltage
Claims (14)
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| JPH0360890A (en) * | 1989-07-31 | 1991-03-15 | Nkk Corp | Laser beam welding apparatus |
| JPH0360889A (en) * | 1989-07-31 | 1991-03-15 | Nkk Corp | Laser beam welding method |
| KR950012423U (en) * | 1993-10-13 | 1995-05-17 | Pick-up lens cleaning device for laser disc players | |
| KR970002942U (en) * | 1995-06-28 | 1997-01-24 | Objective cleaning device for optical disc player |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990080095A (en) | 1999-11-05 |
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