KR100524889B1 - 오메가트론질량분석계 - Google Patents

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Abstract

ECR (Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마를 형성하는 ECR 시스템, 및 ECR 시스템 내부에 위치하며 사이클로트론 공명 현상을 이용하여 ECR 시스템 내부에 형성되는 플라즈마 내부에 존재하는 음이온들을 검출하는 오메가트론 분석기를 구비하는 오메가트론 질량 분석계가 개시되어 있다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 내의 양이온 종들에 대한 정보와 더불어 플라즈마 내의 음이온 종들, 특히 ECR O2 플라즈마 및 ECR SF6 플라즈마 내의 음이온 종들에 대한 정보를 얻을 수 있는 효과를 가진다.

Description

오메가트론 질량 분석계{Omegatron mass spectrometer}
본 발명은 오메가트론(Omegatron) 질량 분석계에 관한 것으로서, 특히 ECR (Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마(Plasma) 리액터(Reactor) 내의 음이온을 검출하는 오메가트론 질량 분석계에 관한 것이다.
집적회로 공정 중 플라즈마를 이용한 공정에 있어서 플라즈마 내의 이온 종(Species)들의 분포를 알아내는 것이 중요한 관건이 된다. 특히, 건식 식각에 사용되는 ECR 플라즈마 내에 존재하는 음이온의 역할을 명확하게 하기 위해서는 음이온의 정량적 측정이 필요하다. 이러한 플라즈마 내의 전위 분포 및 하전 입자의 거동은 전기 음성도가 작은 가스(Gas)를 사용하는 플라즈마 내의 전위 분포 및 하전 입자의 거동과 아주 다르다.
종래의 여타 질량 분석계에 있어서는 ECR 시스템이 자장으로부터 차폐되어야하므로 플라즈마와 직접 접촉하도록 위치시키기가 곤란하였다. 또한 오메가트론을 이용한 기존의 질량 분석계의 연구에서는 양이온의 검출에 대해서만 이루어 왔기 때문에 플라즈마 내에 존재하는 음이온 종들에 대한 정보를 얻을 수 없는 문제가 있다.
따라서 본 발명의 목적은 플라즈마 내의 양이온 종들에 대한 정보와 더불어 플라즈마 내의 음이온 종들, 특히 ECR O2 플라즈마 및 ECR SF6 플라즈마 내의 음이온 종들에 대한 정보를 얻을 수 있는 오메가트론 질량 분석계를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 오메가트론 질량 분석계는
ECR 플라즈마를 형성하는 ECR 시스템; 및
상기 ECR 시스템 내부에 위치하며 사이클로트론 공명 현상을 이용하여 상기 ECR 시스템 내부에 형성되는 플라즈마 내부에 존재하는 음이온들을 검출하는 오메가트론 분석기를 구비하고,
상기 ECR 시스템은,
챔버;
상기 챔버의 소정 위치에 접속되어 있으며 상기 챔버 내부에 사용자의 필요에 따라 자장의 크기가 가변될 수 있는 상기 자장을 인가하는 자장 발생기;
상기 챔버에 연결되어 있으며 사용자의 필요에 따라 소정 가스를 상기 챔버로 주입할 수 있도록 구성되어 있는 가스 주입 통로;
상기 챔버에 연결되어 있으며 상기 챔버 내부의 압력을 조정하는 제 1 펌핑 시스템; 및
상기 챔버의 외부로부터 상기 오메가트론 시스템에 연결되어 있으며 상기 오메가트론 시스템 내부의 압력을 조정하는 제 2 펌핑 시스템을 구비하며,
상기 오메가트론 시스템은,
상기 자장의 방향과 수직 방향으로 소정 크기의 제 1 홀을 구비하고, 상기 제 2 펌핑 시스템이 연결되어 있는 오메가트론 챔버;
상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 자장의 방향과 수직 방향으로 위치하며 상기 제 1 홀과 동일한 위치에 소정 크기의 제 2 홀을 구비하는 제 1 트래핑 플레이트;
상기 오메가트론 챔버에 위치하며, 상기 제 1 트래핑 플레이트와 수직 방향으로 소정 거리 떨어져 상기 제 1 트래핑 플레이트와 평행하게 위치하는 플라즈마 콜렉션 플레이트;
상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 제 1 트래핑 플레이트의 한 가장자리와 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트의 한 가장 자리 사이의 소정 위치에 상기 제 1 트래핑 플레이트와 수직한 방향으로 위치하는 프론트 플레이트;
상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 제 1 트래핑 플레이트의 다른 가장자리와 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트의 다른 가장 자리 사이의 소정 위치에 상기 제 1 트래핑 플레이트와 수직한 방향으로 위치하고, 소정 크기의 제 3 홀을 구비하는 백 플레이트;
상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 제 1 트래핑 플레이트의 다른 가장자리와 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트의 다른 가장 자리 사이 그리고 또한 상기 프론트 플레이트와 상기 백 플레이트 사이의 소정 거리에 상기 제 1 트래핑 플레이트와 수직한 방향으로 위치하는 이온 콜렉션 플레이트;
상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 프론트 플레이트의 한 가장자리와 상기 백 플레이트의 한 가장자리 사이의 소정 위치에 상기 제 1 트래핑 플레이트 및 상기 프론트 플레이트와 수직한 방향으로 위치하는 제 1 사이드 플레이트;
상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 프론트 플레이트의 다른 가장자리와 상기 백 플레이트의 다른 가장자리 사이의 소정 위치에 상기 제 1 트래핑 플레이트 및 상기 프론트 플레이트와 수직한 방향으로 위치하는 제 2 사이드 플레이트; 및
상기 제 1 트래핑 플레이트, 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트, 상기 프론트 플레이트, 상기 백 플레이트, 상기 이온 콜렉션 플레이트, 상기 제 1 사이드 플레이트, 및 상기 제 2 사이드 플레이트의 전위들 및 인가되는 신호들을 제어하는 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이어서 첨부한 도면들을 첨부하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 자세히 설명하기로 한다.
오메가트론은 사이클로트론(Cyclotron) 공명을 이용하여 고 진공 시스템 내의 이온들의 전하 대 질량비를 측정하는 장치이다. 그 동작 원리는 균일한 정자장 및 이와 수직으로 인가되어 있는 RF 전장 내에서 이온들이 운동하는 경우에 일어나는 이온들의 질량 분리에 근거를 두고 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 ECR-오메가트론 시스템의 구성도를 나타내고 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 ECR-오메가트론 시스템은 ECR 시스템(110), 및 오메가트론 분석기(120)를 구비한다.
ECR 시스템(110)은 ECR 플라즈마를 형성하기 위한 것이다.
ECR 시스템(110)은 챔버(111), 자장 발생기(112), 가스 주입 통로(113), 펌핑 시스템들(114,115)로써 구성되어 있다.
자장 발생기(112)는 챔버(111)의 소정 위치에 접속되어 있으며 챔버(111) 내부에 사용자의 필요에 따라 가변될 수 있는 자장의 크기(B)를 가지는 자장(Magnetic Field)을 인가한다.
가스 주입 통로(113)는 챔버(111)에 연결되어 있으며 사용자의 필요에 따라 소정 가스들을 챔버(111) 내부로 주입할 수 있도록 구성되어 있다.
펌핑 시스템(114)은 챔버(111)에 연결되어 있으며 챔버(111) 내부의 압력을 조정한다.
펌핑 시스템(115)은 챔버(111)의 외부로부터 오메가트론 분석기(120)에 연결되어 있으며 오메가트론 분석기(120) 내부의 압력을 조정한다. 펌핑 시스템(115)은 차동(Differential) 펌프 방식을 사용하여 오메가트론 분석기(120) 내부의 압력을 더욱 정확하게 조정한다.
오메가트론 분석기(120)는 ECR 시스템(110) 내부에 위치하며 사이클로트론(Cyclotron) 공명 현상을 이용하여 ECR 시스템(110) 내부에 형성되는 플라즈마 내부에 존재하는 음이온들을 검출한다.
도 2는 도 1에 있어서 오메가트론 분석기(120)를 내부의 제어 회로와 함께 개략적으로 나타내고 있다.
도 2를 참조하면, 오메가트론 분석기(120)는 오메가트론 챔버(121), 트래핑 플레이트들(122,123), 플라즈마 콜렉션 플레이트(124), 프론트 플레이트(125), 백 플레이트(126), 이온 콜렉션 플레이트(127), 사이드 플레이트들(128,129), 및 제어 회로(130)를 구비한다.
오메가트론 챔버(121)는 ECR 시스템(110) 내부에 형성되는 자장의 방향과 수직한 방향으로 소정 크기의 홀(H1)을 구비하고, 펌핑 시스템(115)이 연결되어 있다.
트래핑 플레이트(122)는 오메가트론 챔버(121) 내부에 위치하며, ECR 시스템(110) 내부에 형성되는 자장의 방향과 수직한 방향으로 위치하며 홀(H1)과 동일한 위치에 소정 크기의 홀(H2)을 구비하고 있다.
플라즈마 콜렉션 플레이트(124)는 오메가트론 챔버(121) 내부에 위치하며, 트래핑 플레이트(122)와 수직 방향으로 소정 거리 떨어져 그리고 트래핑 플레이트(122)와 평행하게 위치한다.
프론트 플레이트(125)는 오메가트론 챔버(121) 내부에 위치하며, 트래핑 플레이트(122)의 한 가장자리와 플라즈마 콜렉션 플레이트(124)의 한 가장 자리 사이의 소정 위치에 트래핑 플레이트(122)와 수직한 방향으로 위치한다.
백 플레이트(126)는 오메가트론 챔버(121) 내부에 위치하며, 트래핑 플레이트(122)의 다른 가장자리와 플라즈마 콜렉션 플레이트(124)의 다른 가장 자리 사이의 소정 위치에 트래핑 플레이트(122)와 수직한 방향으로 위치하고, 소정 크기의 홀(H3)을 구비한다.
이온 콜렉션 플레이트(127)는 오메가트론 챔버(121) 내부에 위치하며, 트래핑 플레이트(122)의 다른 가장자리와 플라즈마 콜렉션 플레이트(124)의 다른 가장 자리 사이 그리고 또한 프론트 플레이트(125)와 백 플레이트(126) 사이의 소정 거리에 트래핑 플레이트(122)와 수직한 방향으로 위치한다.
트래핑 플레이트(123)는 오메가트론 챔버(121) 내부에 위치하며, 트래핑 플레이트(122)와 수직 방향으로 소정 거리 떨어져 있으며 트래핑 플레이트(122)와 플라즈마 콜렉션 플레이트(124) 사이에 플라즈마 콜렉션 플레이트(124)와 평행하게 위치한다.
사이드 플레이트(128)는 오메가트론 챔버(121) 내부에 위치하며, 프론트 플레이트(125)의 한 가장자리와 백 플레이트(126)의 한 가장자리 사이의 소정 위치에 트래핑 플레이트(122) 및 프론트 플레이트(125)와 수직한 방향으로 위치한다.
사이드 플레이트(129)는 오메가트론 챔버(121) 내부에 위치하며, 프론트 플레이트(125)의 다른 가장자리와 백 플레이트(126)의 다른 가장자리 사이의 소정 위치에 트래핑 플레이트(122) 및 프론트 플레이트(125)와 수직한 방향으로 위치한다.
제어 회로(130)는 트래핑 플레이트(122), 플라즈마 콜렉션 플레이트(124), 프론트 플레이트(125), 백 플레이트(126), 이온 콜렉션 플레이트(127), 사이드 플레이트들(128,129)의 전위들 및 인가되는 신호들을 제어한다.
제어 회로(130)는 가변 전원들(132,134,136), 함수 발생기(138), 접지 단자(GND), 변위 리코더(142)로써 구성되어 있다.
가변 전원(132)은 트래핑 플레이트(122)에 양의 값을 가지는 가변 전위(VR1)를 인가하기 위한 것이다.
가변 전원(134)은 플라즈마 콜렉션 플레이트(124)에 양의 값을 가지는 가변 전위(VR2)를 인가하기 위한 것이다.
함수 발생기(138)는 프론트 플레이트(125)에 해당되는 신호를 인가하기 위한 것이다.
접지 단자(GND)는 백 플레이트(126)에 접속되어 있다.
변위 리코더(142)는 이온 콜렉션 플레이트(127)와 함수 발생기(138)에 접속되어 있다.
가변 전원(136)은 사이드 플레이트들(128,129)에 양의 값을 가지는 가변 전위(VR3)를 인가하기 위한 것이다.
도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 오메가트론 질량 분석계의 동작을 설명하면 아래와 같다.
ECR 시스템(110) 내부에 형성되는 플라즈마가 플로팅(Floating) 되어 있는 홀(H1)을 통해 자장을 따라 들어가면, 입사된 이온 빔(Beam)은 함수 발생기(138)에 의하여 프론트 플레이트(125)와 백 플레이트(126) 사이에 자장과 수평 방향으로 형성되어 있는 RF 전장을 만나게 된다. 이 때, 플라즈마 내부의 이온들은 사이클로트론 공명의 결과로 아래의 식과 같이 나타내어지는 각주파수를 가지고 선회 운동을 하면서 질량에 따른 이온 분리가 일어나게 된다.
w={Ze cdot B} over {m}
여기서, B는 자장의 세기를 나타내고, e는 기본 전하량을 나타내고, Z는 전자 번호를 나타내고, m은 질량을 나타내고 있다. 오메가트론 분석기(120) 내부의 중심 축에서 적정한 크기의 반경만큼 떨어진 위치에서는 이온 콜렉션 플레이트(127)가 프론트 플레이트(125)와 백 플레이트(126) 사이 소정 위치에 백 플레이트(126)와 수평하게 위치하고 있다. 이 때, RF 전장의 주파수가 특정 이온의 사이클로트론 공명 주파수와 일치할 때에만 에너지 흡수의 결과로 그 이온이 이온 콜렉션 플레이트(127)에 충돌하여 콜렉터 전류가 피크치를 보이게 된다. 공명을 일으키지 않는 이온은 에너지를 잃었다 얻었다 하는 과정을 반복함으로써 축에 매우 근접한 반경 내에 머물게 된다. 인가되는 RF 전장의 주파수를 가변시키면서 이온 콜렉터 전류와 RF 전장 주파수 사이에 대한 결과를 도시함으로써 이온 빔의 질량 스펙트럼(Spectrum)을 알아낼 수 있다.
오메가트론과 플라즈마의 인접 표면에는 강한 전장이 형성되어 구멍으로 들어온 이온을 자장 방향으로 가속시키므로, 최대의 이온 수집을 위해 자장 방향의 이온 속도를 줄일 필요가 있다. 이를 위해 질량 분석계 내의 자장에 수직 방향인 전극을 형성하고 있는 트래핑 플레이트(123)에 작은 트래핑(Trapping) 전위를 인가시켜 줌으로써 시스템의 신호 대 잡음비를 증가 시킬 수 있다. 다시 말하면, 함수 발생기(138)에서 공급되는 RF 전압이 프론트 플레이트(125)와 백 플레이트(126) 사이에 인가되면, 이 때, 인가된 RF 전장의 주파수가 홀들(H1,H2)을 통과한 여러 종류의 이온들의 사이클로트론 주파수 중 어느 하나와 일치할 경우 그 일치된 이온의 공전 궤도 반경은 점점 증가하여 결국에는 이온 콜렉션 플레이트(127)에 도달하게 된다. 따라서, 콜렉터 전류는 RF 전장의 주파수를 변화시킴에 따라 이온의 공명이 일어나는 주파수에서 피크를 이룬다. 트래핑 플레이트(123)에 인가되는 트래핑 전위는 고정된 RF 전장에 대하여 콜렉터 전류의 피크의 크기가 최대치를 이루도록 조정된다.
오메가트론 내부의 압력은 ECR 시스템(110) 내 반응실 쪽의 터보(Turbo) 분자 펌프와 별도의 터보 분자 펌프를 사용하여 ECR 시스템(110) 내 반응실에 비해 훨씬 낮게 유지하였다.
실제적으로 본 발명의 실시예에 따른 오메가트론 질량 분석계를 이용하여 음이온을 검출하는 방법을 설명하면 아래와 같다.
자장의 크기(B)를 가지는 자장이 주어졌을 때, 검출되는 이온 전류의 피크에 해당되는 실제의 공명 주파수는 다음의 식으로 주어진다.
f=1.52 times 10^3 {ZB} over {M}
여기서, M은 이온의 원자 단위 질량을 나타낸다. 위의 수학식 2로부터 이온의 질량비(M/Z)를 구하면 아래의 식과 같다.
{M} over {Z} = 1.52 {B} over {f}
위의 수학식 3에 측정으로 주어지는 자장의 세기의 최대값(Bmax), 최소값(Bmin), 공명 주파수(f)를 대입하여, 이온의 질량비(M/Z)의 최대값과 최소값을 구한 다음, 플라즈마 내에 존재할 수 있는 이온들 중에서 그 사이에 위치하는 값의 질량비(M/Z)를 가진 이온을 찾는다.
도 3은 도 2의 오메가트론 질량 분석기를 통하여 O_2 플라즈마에서 검출된 음이온에 의한 신호를 나타내는 그래프이다. 여기서 가로축은 인가된 RF 전장의 주파수를 나타내고 세로축은 신호의 강도를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 각 신호에 대응하는 주파수의 경우에 이온의 질량비(M/Z)의 최소값과 최대값을 계산하고, 그 사이에 위치하는 질량비(M/Z)를 가지는 이온을 찾은 결과 첫 번째 신호(310)는 O^{2-} 이고, 두 번째 신호(320)는 O^- 인 것으로 파악되었다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 오메가트론 질량 분석계는 플라즈마 내의 양이온 종들에 대한 정보와 더불어 플라즈마 내의 음이온 종들, 특히 ECR O2 플라즈마 및 ECR SF6 플라즈마 내의 음이온 종들에 대한 정보를 얻을 수 있다.
본 발명에 의하면, 플라즈마 내의 양이온 종들에 대한 정보와 더불어 플라즈마 내의 음이온 종들, 특히 ECR O2 플라즈마 및 ECR SF6 플라즈마 내의 음이온 종들에 대한 정보를 얻을 수 있는 효과를 가진다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 ECR(Electron Cyclotron Resonance)-오메가트론 시스템의 구성도를 나타내고 있다.
도 2는 도 1에 있어서 오메가트론 분석기의 구체적인 일실시예에 따른 회로를 내부의 제어 회로와 함께 개략적으로 나타내고 있다.
도 3은 도 2의 오메가트론 질량 분석기를 통하여 O_2 플라즈마에서 검출된 음이온에 의한 신호를 나타내는 그래프이다.
* 도면의 부호에 대한 자세한 설명
H1,H2,H3: 홀들, VR1,VR2,VR3: 가변 전위들,
B: 자장의 세기, 112: 자장 발생기,
113: 가스 주입 통로, 114,115: 펌핑 시스템들,
122,123: 트래핑 플레이트들, 124: 플라즈마 콜렉션 플레이트,
125: 프론트 플레이트, 126: 백 플레이트,
127: 이온 콜렉션 플레이트, 128,129: 사이드 플레이트들,
138: 함수 발생기, 140: 접지 단자,
142: 변위 리코더.

Claims (8)

  1. ECR (Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마를 형성하는 ECR 시스템; 및
    상기 ECR 시스템 내부에 위치하며 사이클로트론 공명 현상을 이용하여 상기 ECR 시스템 내부에 형성되는 플라즈마 내부에 존재하는 음이온들을 검출하는 오메가트론 분석기를 구비하고,
    상기 오메가트론 분석기는
    상기 자장의 방향과 수직 방향으로 소정 크기의 제 1 홀을 구비하고, 상기 제 2 펌핑 시스템이 연결되어 있는 오메가트론 챔버;
    상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 자장의 방향과 수직 방향으로 상기 제 1 홀과 동일한 위치에 소정 크기의 제 2 홀을 구비하는 제 1 트래핑 플레이트;
    상기 오메가트론 챔버에 위치하며, 상기 제 1 트래핑 플레이트와 수직 방향으로 소정 거리 떨어져 상기 제 1 트래핑 플레이트와 평행하게 위치하는 플라즈마 콜렉션 플레이트;
    상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 제 1 트래핑 플레이트의 한 가장자리와 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트의 한 가장 자리 사이의 소정 위치에 상기 제 1 트래핑 플레이트와 수직한 방향으로 위치하는 프론트 플레이트;
    상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 제 1 트래핑 플레이트의 다른 가장자리와 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트의 다른 가장 자리 사이의 소정 위치에 상기 제 1 트래핑 플레이트와 수직한 방향으로 위치하고, 소정 크기의 제 3 홀을 구비하는 백 플레이트;
    상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 제 1 트래핑 플레이트의 다른 가장자리와 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트의 다른 가장 자리 사이, 그리고 상기 프론트 플레이트와 상기 백 플레이트 사이의 소정 거리에 상기 제 1 트래핑 플레이트와 수직한 방향으로 위치하는 이온 콜렉션 플레이트;
    상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 프론트 플레이트의 한 가장자리와 상기 백 플레이트의 한 가장자리 사이의 소정 위치에 상기 제 1 트래핑 플레이트 및 상기 프론트 플레이트와 수직한 방향으로 위치하는 제 1 사이드 플레이트;
    상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하며, 상기 프론트 플레이트의 다른 가장자리와 상기 백 플레이트의 다른 가장자리 사이의 소정 위치에 상기 제 1 트래핑 플레이트 및 상기 프론트 플레이트와 수직한 방향으로 위치하는 제 2 사이드 플레이트; 및
    상기 제 1 트래핑 플레이트, 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트, 상기 프론트 플레이트, 상기 백 플레이트, 상기 이온 콜렉션 플레이트, 상기 제 1 사이드 플레이트, 및 상기 제 2 사이드 플레이트의 전위들 및 인가되는 신호들을 제어하는 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 오메가트론 질량 분석계.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 ECR 시스템은,
    챔버;
    상기 챔버의 소정 위치에 접속되어 있으며 상기 챔버 내부에 사용자의 필요에 따라 가변될 수 있는 크기를 가지는 자장을 인가하는 자장 발생기;
    상기 챔버에 연결되어 있으며 사용자의 필요에 따라 소정 가스를 상기 챔버로 주입할 수 있도록 구성되어 있는 가스 주입 통로;
    상기 챔버에 연결되어 있으며 상기 챔버 내부의 압력을 조정하는 제 1 펌핑 시스템; 및
    상기 챔버의 외부로부터 상기 오메가트론 분석기에 연결되어 있으며 상기 오메가트론 분석기 내부의 압력을 조정하는 제 2 펌핑 시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 오메가트론 질량 분석계.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 오메가트론 분석기는 상기 오메가트론 챔버 내부에 위치하고, 수직 방향으로 상기 제 1 트래핑 플레이트와 소정 거리 떨어져 있으며 상기 제 1 트래핑 플레이트와 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트 사이에 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트와 평행하게 위치하는 제 2 트래핑 플레이트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 오메가트론 질량 분석계.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제어 회로는
    상기 제 1 트래핑 플레이트에 가변 전위를 인가하기 위한 제 1 가변 전원;
    상기 플라즈마 콜렉션 플레이트에 가변 전위를 인가하기 위한 제 2 가변 전원;
    상기 프론트 플레이트에 해당되는 신호를 인가하기 위한 함수 발생기;
    상기 백 플레이트에 접속되어 있는 접지 단자;
    상기 이온 콜렉션 플레이트와 상기 함수 발생기에 접속되어 있는 변위 리코더; 및
    상기 제 1 및 제 2 사이드 플레이트에 가변 전위를 인가하기 위한 제 3 가변 전원을 구비하는 것을 특징으로 하는 오메가트론 질량 분석계.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 가변 전원은 상기 제 1 트래핑 플레이트에 소정의 양의 전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 오메가트론 질량 분석계.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 가변 전원은 상기 플라즈마 콜렉션 플레이트에 소정의 양의 전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 오메가트론 질량 분석계.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 제 3 가변 전원은 상기 제 1 및 제 2 사이드 플레이트에 소정의 양의 전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 오메가트론 질량 분석계.
  8. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 펌핑 시스템은 차동 펌프 방식을 사용하는 것을 특징으로 하는 오메가트론 질량 분석계.
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