KR100519539B1 - Photoresist Coating Apparatus and Method - Google Patents

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Abstract

웨이퍼에 포토레지스트의 분사를 스캔(Scan) 방식으로 수행하는 설비에서 포토레지스트가 분사되는 위치별로 분사압력을 가변함으로써 포토레지스트가 균일하게 코팅되도록 하고, 소모되는 포토레지스트의 양을 최소화하는 포토레지스트 코팅 장치 및 방법에 관한 것이다.Photoresist coating to uniformly coat the photoresist and to minimize the amount of photoresist consumed by varying the injection pressure for each position where the photoresist is sprayed in a facility that performs the scanning of the photoresist onto the wafer An apparatus and method are provided.

본 발명은, 회전척에 고정된 웨이퍼에 노즐을 통해 포토레지스트가 도포되는 포토레지스트 코팅 장치에 있어서, 노즐을 웨이퍼의 단부에서 심부 방향으로 이동시켜서 스캔 코팅을 수행시키는 노즐구동수단, 노즐구동수단에 연결되어 노즐의 위치에 따라 포토레지스트의 분사압력을 가변시키는 가압수단 및 노즐구동수단과 가압수단에 연결되고, 노즐구동수단에 의하여 웨이퍼의 변부에서 심부로 이동되는 노즐의 위치를 확인하여 가압수단의 가압을 제어하는 제어수단을 구비하여 이루어진다.The present invention provides a photoresist coating apparatus in which photoresist is applied to a wafer fixed to a rotating chuck through a nozzle, comprising: a nozzle driving means and a nozzle driving means for performing a scan coating by moving a nozzle from the end of the wafer to a deep direction; Connected to the pressurizing means for varying the injection pressure of the photoresist according to the position of the nozzle and the nozzle driving means and the pressurizing means, and the position of the pressurizing means by checking the position of the nozzle moved from the edge of the wafer to the core by the nozzle driving means. And control means for controlling the pressurization.

따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼에 도포되는 포토레지스트의 소모량이 감소되어 생산원가가 절감되고, 환경오염의 부담도 줄이는 효과가 있으며, 웨이퍼 상에 코팅되는 포토레지스트의 균일도가 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the consumption of the photoresist applied to the wafer is reduced, thereby reducing the production cost, reducing the burden of environmental pollution, and improving the uniformity of the photoresist coated on the wafer.

Description

포토레지스트 코팅 장치 및 방법Photoresist Coating Apparatus and Method

본 발명은 포토레지스트 코팅 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼에 포토레지스트의 분사를 스캔(Scan) 방식으로 수행하는 설비에서 포토레지스트가 분사되는 위치별로 분사압력을 가변함으로써 포토레지스트가 균일하게 코팅되도록 하고, 소모되는 포토레지스트의 양을 최소화하는 포토레지스트 코팅 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist coating apparatus and method, and more particularly, to uniformly photoresist by varying the injection pressure for each position where the photoresist is sprayed in a facility that performs the scanning of the photoresist on the wafer And a photoresist coating apparatus and method for minimizing the amount of photoresist consumed.

통상, 감광성 고분자는 광의 작용에 의하여 단시간 내에 화학적, 물리적 변회를 가져와 특정 용제에 대한 용해도, 접착력, 착색, 점도, 투명도, 굴절율, 전도도 및 이온투과성 등의 물성변화를 일으키는 물질의 조성물계를 말한다.In general, the photosensitive polymer refers to a composition system of a material that causes chemical and physical changes within a short time by the action of light to cause physical property changes such as solubility, adhesion, coloring, viscosity, transparency, refractive index, conductivity, and ion permeability to a specific solvent.

특히 포토레지스트는 화상 형성용의 사진식각에 사용되는 감광성 고분자를 일컫는 것으로, 미크론이나 미크론 이하의 미세형상 구현이 요구되는 반도체 제조공정의 필수재료이며 이외에도 인쇄분야, 인쇄회로 기판분야 및 정밀가공 금속제품이나 유리제품의 제조등 산업전반에 널리 이용된다.In particular, photoresist refers to a photosensitive polymer used for photolithography for image formation. It is an essential material for semiconductor manufacturing process that requires micron or submicron realization, and is also used in the field of printing, printed circuit board, and precision processing metal products. Widely used in industries such as the manufacture of glass products.

이러한 포토레지스트를 웨이퍼에 코팅하는 설비에서는 여러 가지 코팅방식 중 주로 스핀코팅(Spin Coating) 방식을 선택하고 있다. 그 이유로는 웨이퍼에 코팅되는 포토레지스트의 두께가 균일하지 못하면 노광장비를 조절하거나, 베이크(Bake) 조건을 조절해야 하는 등의 어려움으로 생산성이 감소되는 결과를 초래하기 때문이다.In the installation of the photoresist on the wafer, a spin coating method is mainly selected among various coating methods. The reason is that if the thickness of the photoresist coated on the wafer is not uniform, productivity may be reduced due to difficulty in adjusting exposure equipment or adjusting bake conditions.

종래의 포토레지스트의 코팅은 스핀코터(Spin Coater)에 의하여 이루어지며, 스핀코터는 포토레지스트 공급원으로부터 포토레지스트를 공급받는 펌핑부와 펌핑공급되는 포토레지스트를 분사코팅하는 코팅부로 구분된다.Conventional photoresist coating is performed by a spin coater (Spin Coater), the spin coater is divided into a pumping part receiving the photoresist from a photoresist source and a coating part spray coating the photoresist pumped supply.

그리고, 펌핑부에서는 포토레지스트의 펌핑이 질소가압방식으로 이루어지고, 코팅부에서는 대개 포토레지스트가 회전척 상에서 정속으로 회전되는 웨이퍼의 상면에 노즐을 통하여 분사되어 코팅되며, 분사 코팅되는 포토레지스트의 두께는 회전속도로 조절된다. 이와 같은 방식을 특히 다이나믹(Dynamic) 방식이라 한다.In the pumping part, the pumping of the photoresist is performed by nitrogen pressure, and in the coating part, the photoresist is usually sprayed and coated through a nozzle on the upper surface of the wafer rotated at a constant speed on the rotary chuck, and the thickness of the photoresist sprayed and coated. Is controlled by the speed of rotation. Such a method is particularly called a dynamic method.

다이나믹 방식에 의해 코팅이 이루어질 때의 포토레지스트의 소모량은 매장 당 7㏄ ∼ 9㏄ 정도 소모되며, 이 양은 실제 웨이퍼 상에 코팅되는 양에 비하여 엄청나게 많은 양이다.When the coating is performed by the dynamic method, the photoresist consumes about 7 to 9 kV per store, which is an enormous amount compared to the amount coated on the actual wafer.

그러므로, 웨이퍼에 포토레지스트 막질을 코팅하기 위해서 분사되는 양 중 실제 코팅된 이외의 많은 양의 포토레지스트가 낭비되므로, 경제적으로 많은 부담이 발생되고, 낭비되는 많은 양의 포토레지스트는 후(後) 처리과정에 있어서 이차적인 환경오염을 발생시키는 요인으로 작용되고 있다.Therefore, a large amount of photoresist other than the actual coating is wasted among the amounts injected to coat the photoresist film quality on the wafer, resulting in a large economic burden, and a large amount of wasted photoresist is post-processed. It is acting as a factor that causes secondary environmental pollution in the process.

따라서, 웨이퍼에 포토레지스트 코팅 막질을 형성함에 있어서 경제적인 부담과 환경오염 등의 문제점을 고려하여 보다 소량의 포토레지스트가 소모될 수 있는 방법이 심각히 요구되고 있다.Therefore, there is a serious need for a method in which a smaller amount of photoresist may be consumed in consideration of problems such as economic burden and environmental pollution in forming a photoresist coating film on a wafer.

본 발명의 목적은, 웨이퍼 평면의 변부에서 심부로의 포토레지스트를 분사하는 스캔코팅 방식을 채택하고, 분사압력에 변화를 주어서 분사함으로써 코팅되는 포토레지스트의 균일도를 향상시키며, 소모되는 포토레지스트의 양을 줄이기 위한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to adopt a scan coating method for spraying the photoresist from the edge of the wafer plane to the core, to improve the uniformity of the coated photoresist by varying the spray pressure and to spray the amount of photoresist consumed. To provide a photoresist coating apparatus and method for reducing the risk.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토레지스트 코팅 장치는, 회전척에 고정된 웨이퍼에 노즐을 통해 포토레지스트가 도포되는 포토레지스트 코팅 장치에 있어서, 상기 노즐을 상기 웨이퍼의 단부에서 심부 방향으로 이동시켜서 스캔 코팅을 수행시키는 노즐구동수단, 상기 노즐구동수단에 연결되어 상기 노즐의 위치에 따라 포토레지스트의 분사압력을 가변시키는 가압수단 및 상기 노즐구동수단과 상기 가압수단에 연결되고, 상기 노즐구동수단에 의하여 상기 웨이퍼의 변부에서 심부로 이동되는 상기 노즐의 위치를 확인하여 상기 가압수단의 가압을 제어하는 제어수단을 구비하여 이루어진다.In the photoresist coating apparatus according to the present invention for achieving the above object, the photoresist coating apparatus is applied to a wafer fixed to a rotating chuck through a nozzle, the nozzle is moved from the end of the wafer to the deep direction Nozzle driving means for performing a scan coating to be carried out, pressurizing means connected to the nozzle driving means to vary the injection pressure of the photoresist according to the position of the nozzle, and connected to the nozzle driving means and the pressing means, and the nozzle driving means. And control means for controlling the pressurization of the pressing means by checking the position of the nozzle moved from the edge portion of the wafer to the core portion.

그리고, 상기 제어수단은 상기 노즐이 상기 웨이퍼의 변부에서 심부로 스캔됨에 따라서 상기 가압수단의 가압시간 및 가압되는 압력을 각 부분마다 다르게 제어되도록 함이 바람직하다.The control means preferably controls the pressing time and the pressurized pressure of the pressing means differently for each part as the nozzle is scanned from the edge portion of the wafer to the core portion.

또한, 상기 제어수단은 상기 가압시간 및 가압되는 압력은 더욱 바람직하게는 상기 웨이퍼의 심부에서 다르게 분사되도록 제어한다.Further, the control means controls the pressurization time and the pressurized pressure to be sprayed differently at the core portion of the wafer more preferably.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토레지스트 코팅 장치는, 노즐을 이용하여 웨이퍼에 포토레지스트를 분사하는 포토레지스트 코팅 방법에 있어서, 상기 노즐을 상기 웨이퍼의 변부에서 심부로 스캔하면서 포토레지스트를 분사시키는 단계 및 상기 노즐의 분사위치에 따라 상기 포토레지스트의 분사압력을 가변시켜서 웨이퍼 상에 포토레지스트가 코팅되는 단계를 포함하여 이루어진다.In the photoresist coating apparatus according to the present invention for achieving the above object, in the photoresist coating method of spraying a photoresist on a wafer using a nozzle, the photoresist is sprayed while scanning the nozzle from the edge of the wafer to the core And varying the spraying pressure of the photoresist according to the spraying position of the nozzle and coating the photoresist on the wafer.

그리고, 상기 포토레지스트의 분사압력은 상기 웨이퍼의 심부와 변부가 서로 다르게 제공되도록 함이 바람직하다.In addition, the injection pressure of the photoresist is preferably such that the core portion and the edge portion of the wafer is provided differently.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 포토레지스트 코팅 장치의 실시예는 도1과 같이 웨이퍼(10)가 모터(12)의 구동에 의해 회전이 이루어지는 회전척(14) 상에 고정된 상태에서 소정거리 이격된 노즐(16)로부터 포토레지스트가 분사되도록 이루어진다.According to the embodiment of the photoresist coating apparatus according to the present invention, as shown in FIG. Photoresist is sprayed from

일정한 속도로 회전되는 회전척(14)에 놓여서 회전되는 웨이퍼(10)에 노즐(16)이 웨이퍼(10)의 변부로부터 점차적으로 스캔되면서 심부로 이동하면서 포토레지스트가 분사되어 코팅이 이루어진다.The photoresist is sprayed and coated on the wafer 10, which is placed on the rotating chuck 14 which is rotated at a constant speed, and moves to the core while the nozzle 16 is gradually scanned from the edge of the wafer 10.

구체적인 포토레지스트 분사 장치의 실시예는 도2를 참조하여 상세히 설명한다.A specific embodiment of the photoresist injection apparatus will be described in detail with reference to FIG.

도2에 의하면, 웨이퍼(10)의 로딩 및 언로딩을 담당하는 웨이퍼 로딩부(18)가 제어부(20)에 연결되어 있다. 제어부(20)에는 노즐(16)의 이동 및 적당한 지점에서의 개폐를 담당하는 노즐구동부(22)와, 노즐구동부(22)와 제어부(20)에 연결되어서 분사되는 포토레지스트의 분사압력을 조절하는 가압부(24)가 연결되어 있다. 그리고 제어부(20)에는 회전척(14)을 구동시키는 모터(12)가 연결되어 있다.According to FIG. 2, a wafer loading unit 18, which is responsible for loading and unloading the wafer 10, is connected to the controller 20. The control unit 20 is connected to the nozzle driving unit 22 and the nozzle driving unit 22 and the control unit 20, which is responsible for the movement of the nozzle 16 and opening and closing at an appropriate point, and adjusts the injection pressure of the photoresist injected. The pressurizing part 24 is connected. And the motor 12 which drives the rotary chuck 14 is connected to the control part 20.

전술한 구성에 의해 웨이퍼(10)의 변부에서부터 심부로 노즐(16)을 통해서 포토레지스트가 분사되어서 웨이퍼(10)에 코팅되도록 하는 스캔코팅이 이루어지며, 변부와 심부에서의 포토레지스트의 분사압력은 미리 서로 다르게 설정된다.By the above-described configuration, the photocoating is applied to the wafer 10 by coating the photoresist through the nozzle 16 from the edge portion of the wafer 10 to the core portion, and the injection pressure of the photoresist on the edge portion and the core portion is It is set differently in advance.

웨이퍼 로딩부(18)를 통해 웨이퍼(10)가 회전척(14)위에 놓여 포토레지스트 코팅 대기상태로 들어가면 제어부(20)는 모터(12)에 회전신호를 출력하고, 그와 동시에 노즐구동부(22)에 구동신호를 인가하여 웨이퍼(10)의 변부로 부터 심부로 포토레지스트가 코팅되도록 한다. 이때의 포토레지스트가 분사되는 압력은 가압부(24)에 미리 설정되어 있는 크기의 압력이 제공된다. 변부와 심부의 분사압력에 차이를 두는 이유는 웨이퍼(10)의 회전중심, 즉 심부로 갈수록 부분적으로 회전속도, 원심력 및 표면장력과의 역학적 관계로 포토레지스트가 코팅이 되지 않고 마치 구슬과 같이 웨이퍼(10) 표면을 흐르는 현상이 발생되기 때문이다.When the wafer 10 is placed on the rotary chuck 14 through the wafer loading unit 18 and enters the photoresist coating standby state, the controller 20 outputs a rotation signal to the motor 12, and at the same time, the nozzle driving unit 22. ) Is applied to the photoresist from the edge of the wafer 10 to the core. At this time, the pressure at which the photoresist is sprayed is provided with a pressure having a preset size to the pressing unit 24. The reason for the difference in the injection pressure of the edge and the core is that the photoresist is not coated due to the mechanical relationship between the rotational center of the wafer 10, ie, the rotational speed, the centrifugal force, and the surface tension toward the deeper part of the wafer. (10) This is because a phenomenon flowing through the surface occurs.

스캐닝(Scanning)이 이루어지면서 노즐구동부(22)에 연결되어 있는 가압부(24)의 분사압력 변화는 포토레지스트의 균일도에 영향을 주는 요소로 작용하는 것이다.As the scanning is performed, the change in the injection pressure of the pressing unit 24 connected to the nozzle driving unit 22 serves as an element that affects the uniformity of the photoresist.

코팅되는 정도에 따라서 가압부(24)에 설정되는 분사압력은 변부보다 더 높게 설정하거나, 더 낮게 설정할 수 있다.Depending on the degree of coating, the spraying pressure set on the pressurizing portion 24 may be set higher than the edge portion or lower.

웨이퍼(10)의 각 부위별로 나누어 도시된 도3을 참조하여 간략히 설명한다.A brief description will be given with reference to FIG. 3, which is shown for each portion of the wafer 10.

도시된 화살표는 노즐(16)이 웨이퍼(10)의 변부에서 심부로 이동하는 방향을 나타낸다. 미리 설정되어 있는 변부(A3)에서 포토레지스트의 분사압력은 제작자의 의도에 따라 중간부(A2)와 심부(A1)에서의 압력과 다르게 설정되어 분사될 수 있다. 본 발명에 따른 실시예는 도3과 같이 웨이퍼(10)를 평면적으로 A1, A2, A3구간으로 구분하여 구간별로 일정하거나 서로 다르게 분사압력을 제공하도록 구성되어 있다.The arrow shown indicates the direction in which the nozzle 16 moves from the edge of the wafer 10 to the core. The injection pressure of the photoresist at the preset side portion A3 may be set differently from the pressure at the intermediate portion A2 and the core portion A1 according to the manufacturer's intention. According to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, the wafer 10 is planarly divided into sections A1, A2, and A3 so as to provide the injection pressure uniformly or differently for each section.

웨이퍼(10)가 정속으로 회전되는 상태에서 포토레지스트의 분사가 웨이퍼(10)의 변부에서 심부로 스캔되면, 코팅에 필요한 포토레지스트의 양은 줄어드나 웨이퍼(10)의 변부와 심부에서 회전속도와, 원심력 및 표면장력과 같은 요소들의 역학적 관계에 의하여 코팅되는 상태가 달라진다. 즉 전술하였듯이 심부에서 포토레지스트가 접착되지 않고 구슬처럼 웨이퍼(10) 표면을 흐르는 현상이 발생되어서 부분적으로 코팅되지 않거나 불량 코팅되는 현상이 발생되며, 코팅되는 포토레지스트의 균일도(Uniformity)가 저하되는 현상이 발생된다.When the injection of the photoresist is scanned from the edge of the wafer 10 to the core while the wafer 10 is rotated at a constant speed, the amount of photoresist required for coating decreases but the rotational speed at the edge and the core of the wafer 10, The coating state is changed by the mechanical relationship of the elements such as centrifugal force and surface tension. That is, as described above, a phenomenon in which the photoresist is not adhered at the deep portion and flows on the surface of the wafer 10 like beads occurs, thereby partially uncoated or poorly coated, and the uniformity of the coated photoresist is reduced. Is generated.

전술한 문제점은 모터(12)가 정속으로 작동되는 상태에서 웨이퍼(10)의 구간별로 노즐(16)에서 분사되는 포토레지스트의 압력이 도3의 구간별로 회전속도와, 원심력 및 표면장력과 같은 요소들의 역학적 관계를 감안하여 가압하거나 감압 또는 일정하게 유지함으로써 해결된다.The above-mentioned problem is that the pressure of the photoresist injected from the nozzle 16 for each section of the wafer 10 in the state where the motor 12 is operated at a constant speed is such that the rotational speed, centrifugal force and surface tension for each section of FIG. It is solved by pressing, depressurizing or keeping constant in view of their mechanical relationship.

그리고, 본 발명에 따른 실시예에 의하면 웨이퍼(10)를 낱장 당 코팅하기 위하여 소모되는 포토레지스트의 양은 약 3.5㏄ 이하로 줄일 수 있어서, 종래에 포토레지스트 소모량에 비해 절반 이하의 양으로 절감되어서 비용이 절감되며, 환경오염을 줄이는 이점이 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, the amount of photoresist consumed to coat the wafer 10 per sheet can be reduced to about 3.5 kPa or less, which is reduced by half or less compared to the photoresist consumption. This reduces costs and has the advantage of reducing environmental pollution.

따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼에 도포되는 포토레지스트의 소모량이 감소되어 생산원가가 절감되고, 환경오염의 부담도 줄이는 효과가 있으며, 특히 웨이퍼 상에 코팅되는 포토레지스트의 균일도가 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the consumption of the photoresist applied to the wafer is reduced, thereby reducing the production cost and reducing the burden of environmental pollution. In particular, the uniformity of the photoresist coated on the wafer is improved.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

도1은 본 발명에 따른 포토레지스트 코팅 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a photoresist coating apparatus according to the present invention.

도2는 본 발명에 따른 포토레지스트 코팅 장치를 나타내는 블록도이다.2 is a block diagram showing a photoresist coating apparatus according to the present invention.

도3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 변부에서 심부로 순차적으로 포토레지스트가 코팅되는 상태를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a state in which the photoresist is sequentially coated from the edge of the wafer to the core according to the present invention.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing

10 : 웨이퍼 12 : 모터10 wafer 12 motor

14 : 회전척 16 : 노즐14: rotating chuck 16: nozzle

18 : 웨이퍼 로딩부 20 : 제어부18: wafer loading unit 20: control unit

22 : 노즐구동부 24 : 가압부22: nozzle driving unit 24: pressurizing unit

Claims (5)

회전척에 고정된 웨이퍼에 노즐을 통해 포토레지스트가 도포되는 포토레지스트 코팅 장치에 있어서,A photoresist coating apparatus in which photoresist is applied to a wafer fixed to a rotating chuck through a nozzle, 상기 노즐을 상기 웨이퍼의 단부에서 심부 방향으로 이동시켜서 스캔 코팅을 수행시키는 노즐구동수단;Nozzle driving means for moving the nozzle from the end of the wafer toward the deep direction to perform scan coating; 상기 노즐구동수단에 연결되어 상기 노즐의 위치에 따라 포토레지스트의 분사압력을 가변시키는 가압수단; 및Pressurizing means connected to the nozzle driving means for varying the injection pressure of the photoresist according to the position of the nozzle; And 상기 노즐구동수단과 상기 가압수단에 연결되고, 상기 노즐구동수단에 의하여 상기 웨이퍼의 변부에서 심부로 이동되는 상기 노즐의 위치를 확인하여 상기 가압수단의 가압을 제어하는 제어수단;Control means connected to the nozzle driving means and the pressurizing means and checking the position of the nozzle moved from the edge of the wafer to the core by the nozzle driving means to control the pressurizing means; 을 구비함을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 장치.Photoresist coating apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어수단은 상기 노즐이 상기 웨이퍼의 변부에서 심부로 스캔됨에 따라서 상기 가압수단의 가압시간 및 가압되는 압력을 각 부분마다 다르게 제어함을 특징으로 하는 상기 포토레지스트 코팅 장치.The control means is a photoresist coating apparatus, characterized in that for controlling the pressing time and the pressurized pressure of the pressing means for each part as the nozzle is scanned from the edge of the wafer to the core. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제어수단은 상기 가압시간 및 가압되는 압력은 더욱 바람직하게는 상기 웨이퍼의 심부에서 다르게 분사되도록 제어됨을 특징으로 하는 상기 포토레지스트 코팅 장치.The control means is the photoresist coating apparatus, characterized in that the pressing time and the pressure is more preferably controlled to be injected differently in the core of the wafer. 노즐을 이용하여 웨이퍼에 포토레지스트를 분사하는 포토레지스트 코팅 방법에 있어서,In the photoresist coating method of spraying a photoresist on a wafer using a nozzle, 상기 노즐을 상기 웨이퍼의 변부에서 심부로 스캔하면서 포토레지스트를 분사시키는 단계; 및Spraying photoresist while scanning the nozzle from the edge of the wafer to the core; And 상기 노즐의 분사위치에 따라 상기 포토레지스트의 분사압력을 가변시켜서 웨이퍼 상에 포토레지스트가 코팅되는 단계;Coating the photoresist on the wafer by varying the injection pressure of the photoresist according to the injection position of the nozzle; 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 방법.Photoresist coating method comprising a. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 포토레지스트의 분사압력은 상기 웨이퍼의 심부와 변부가 서로 다르게 제공됨을 특징으로 하는 상기 포토레지스트 코팅 방법.The injection pressure of the photoresist is a photoresist coating method, characterized in that the core and the edge portion of the wafer is provided differently.
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