KR100516934B1 - Method of fabricating fluorescent material of plasma display panel - Google Patents

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KR100516934B1
KR100516934B1 KR10-2002-0037760A KR20020037760A KR100516934B1 KR 100516934 B1 KR100516934 B1 KR 100516934B1 KR 20020037760 A KR20020037760 A KR 20020037760A KR 100516934 B1 KR100516934 B1 KR 100516934B1
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 수명을 연장시키도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a phosphor of a plasma display panel to extend the life of the plasma display panel.

본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체의 제조방법은 형광체 분말을 알코올을 포함하는 액체 내에 분산하는 단계와, 상기 형광체 분말이 분산된 액체 내에 실리카 코팅막을 형성하는 출발물질의 졸-겔화 반응을 유도하는 촉매를 투입하는 단계와, 상기 졸-겔화되는 상기 출발물질을 상기 액체 내에 투입하여 상기 출발물질 사이에 졸-겔화 반응을 일으키는 단계와, 상기 출발물질 사이의 반응 결과로 생성된 실리카 코팅막이 표면에 형성된 상기 형광체를 상기 액체로부터 분리하는 단계와, 상기 실리카 코팅막과 형광체를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a phosphor of a plasma display panel, the method comprising dispersing a phosphor powder in a liquid containing alcohol and a sol-gelation reaction of a starting material for forming a silica coating film in a liquid in which the phosphor powder is dispersed. Injecting a catalyst for inducing a, and the sol-gelling the starting material into the liquid to cause a sol-gelling reaction between the starting material, and the silica coating film produced as a result of the reaction between the starting material Separating the phosphor formed on the surface from the liquid, and firing the silica coating film and the phosphor.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조방법{METHOD OF FABRICATING FLUORESCENT MATERIAL OF PLASMA DISPLAY PANEL} Phosphor manufacturing method of plasma display panel {METHOD OF FABRICATING FLUORESCENT MATERIAL OF PLASMA DISPLAY PANEL}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널의 수명을 연장시키도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly, to a method of manufacturing a phosphor of a plasma display panel to extend the life of the plasma display panel.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다)은 통상 He+Xe, Ne+Xe, He+Xe+Ne 등의 불활성 혼합가스가 방전할 때 발생하는 147nm의 진공자외선이 형광체를 발광시킴으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이하여 대면적 평판 디스플레이로서 주목받고 있는 디스플레이 장치이다. 최근 한국과 일본의 업체들에서 상업적인 생산이 개시되어 시장을 넓혀 가고 있으며 기술 개발에 힘입어 화질이 향상되고 있다.Plasma Display Panels (hereinafter referred to as "PDPs") generally emit fluorescence by 147 nm vacuum ultraviolet rays generated when an inert mixed gas such as He + Xe, Ne + Xe, He + Xe + Ne is discharged. An image is displayed. Such a PDP is a display device that is attracting attention as a large area flat panel display due to its easy thin and large size. Recently, Korean and Japanese companies have begun commercial production, expanding the market, and improving image quality due to technology development.

도 1을 참조하면, 3전극 교류 면방전형 PDP의 방전셀은 상부기판(1) 상에 형성되어진 서스테인전극쌍(9)과, 하부기판(2) 상에 형성되어진 어드레스전극(X)을 구비한다. Referring to FIG. 1, a discharge cell of a three-electrode AC surface discharge type PDP includes a sustain electrode pair 9 formed on an upper substrate 1, and an address electrode X formed on a lower substrate 2. .

서스테인전극쌍(9) 각각은 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO) 등의 투명전극과, 투명전극의 선폭보다 작은 선폭을 가지며, 투명전극의 일측 가장자리에 형성되는 금속버스전극을 포함한다. 금속버스전극은 Cr/Cu/Cr을 증착법으로 적층한 후에 에칭공정을 거쳐 형성된다. 서스테인전극쌍(9)이 스크린인쇄나 진공증착법으로 형성된 상부기판(1)에는 상부 유전체층(6)과 보호층(7)이 적층된다. 상부 유전체층(6)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호층(7)은 대략 5000 Å 정도의 두께로 상부 유전체층(6) 상에 형성되어 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링으로 인한 상부 유전체층(6)과 서스테인전극쌍(9)의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호층(7)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다. Each of the sustain electrode pairs 9 includes a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO), a metal bus electrode having a line width smaller than that of the transparent electrode, and formed at one edge of the transparent electrode. . The metal bus electrode is formed by laminating Cr / Cu / Cr by vapor deposition and then etching. The upper dielectric layer 6 and the protective layer 7 are stacked on the upper substrate 1 on which the sustain electrode pairs 9 are formed by screen printing or vacuum deposition. In the upper dielectric layer 6, wall charges generated during plasma discharge are accumulated. The protective layer 7 is formed on the upper dielectric layer 6 to a thickness of approximately 5000 Å to prevent damage to the upper dielectric layer 6 and the sustain electrode pair 9 due to sputtering generated during plasma discharge. This increases the emission efficiency of the secondary electrons. As the protective layer 7, magnesium oxide (MgO) is usually used.

어드레스전극(X)이 형성된 하부기판(2) 상에는 하부 유전체층(4), 격벽(3)이 형성되며, 하부 유전체층(4)과 격벽(3)의 표면에는 스크린 프린팅공정으로 형광체(5)가 형성된다. 어드레스전극(2)은 서스테인전극쌍(9)과 직교된다. 격벽(3)은 스크린 프린팅공정이나 금형법 등으로 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체(5)는 방전셀에 주입된 혼합가스의 플라즈마 방전시 발생된 진공 자외선(VUV)에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. The lower dielectric layer 4 and the partition wall 3 are formed on the lower substrate 2 on which the address electrode X is formed, and the phosphor 5 is formed on the surfaces of the lower dielectric layer 4 and the partition wall 3 by a screen printing process. do. The address electrode 2 is orthogonal to the sustain electrode pair 9. The partition wall 3 is formed by a screen printing process, a mold method, or the like to prevent ultraviolet rays and visible light generated by the discharge from leaking into adjacent discharge cells. The phosphor 5 is excited by vacuum ultraviolet (VUV) generated during plasma discharge of the mixed gas injected into the discharge cell to generate visible light of any one of red, green, and blue.

형광체(5)는 진공자외선(VUV)에 의해 여기 발광되며, 발광되는 빛의 파장에 따라 적색 형광체, 녹색 형광체 및 청색 형광체로 나뉘어진다. The phosphor 5 is excited by vacuum ultraviolet (VUV) light, and is divided into a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor according to the wavelength of light emitted.

도 2를 참조하면, PDP에서 일반적으로 사용되는 적색 형광체의 조성은 (YGd)BO3:Eu3+이며, 녹색 형광체의 조성은 Zn2SiO4:Mn2+ 이다. 그리고 청색 형광체의 조성은 BaMgAl10O17:Eu3+이다. 이러한 형광체는 PDP의 격벽(3) 상에 도포되어 방전공간에 충진되어 있는 혼합가스에 직접적으로 노출되어 있다. 그런데 형광체는 대전특성을 가지므로 방전시 발생되는 양이온의 스퍼터링 즉, 양이온으로 인한 충격에 의해 결정파괴가 쉽게 일어나며, 그로 인하여 시간이 경과함에 따라 형광체의 휘도가 급격히 떨어지는 형광체의 열화현상이 초래된다. 특히, 방전시 발생된 양이온은 음이온에 비하여 질량이 크므로 형광체에 가해지는 충격 에너지는 매우 크게 된다. 전술한 바와 같은 형광체의 휘도 저하는 PDP의 수명저하를 초래하게 된다. 따라서, PDP의 수명을 연장하기 위해 형광체의 안티-스퍼터링(Anti-sputtering) 또는 내충격성을 강화하여 형광체의 열화현상을 저하시키는 것이 선결과제로 지적되고 있다.Referring to FIG. 2, a red phosphor generally used in PDP is (YGd) BO 3 : Eu 3+ , and a green phosphor is Zn 2 SiO 4 : Mn 2+ . The composition of the blue phosphor is BaMgAl 10 O 17 : Eu 3+ . These phosphors are directly exposed to the mixed gas applied on the partition 3 of the PDP and filled in the discharge space. However, since the phosphor has a charging characteristic, crystal destruction easily occurs due to sputtering of the cation generated during discharge, that is, the impact caused by the cation, and as a result, the degradation of the phosphor rapidly decreases as the luminance of the phosphor elapses. In particular, since the cations generated during discharge have a larger mass than the anions, the impact energy applied to the phosphor is very large. The lowering of the luminance of the phosphor as described above causes the lifetime of the PDP. Therefore, it is pointed out as a preemptive agent to reduce the deterioration of the phosphor by enhancing the anti-sputtering or impact resistance of the phosphor in order to extend the life of the PDP.

이에 따라, 형광체를 보호하는 물질을 이용하여 형광체의 표면에 박막 코팅을 실시해 형광체의 열화를 방지하는 방법이 대한민국 특허 공개번호 2002-025483에 기술되어 있다. Accordingly, a method of preventing the deterioration of the phosphor by applying a thin film coating on the surface of the phosphor using a material protecting the phosphor is described in Korean Patent Publication No. 2002-025483.

여기서 기술된 형광체 보호 방법은 도 3에 도시된 바와 같이 형광체 보호재로서 실리카 겔을 먼저 제조한 후, 미리 제조된 실리카 겔에 형광체 입자를 접촉시켜 형광체 표면에 SiO2 박막인 보호막을 입히는 방법이다.The phosphor protection method described here is a method of first preparing a silica gel as a phosphor protective material as shown in FIG. 3, and then contacting the phosphor particles with a silica gel prepared in advance to coat a protective film, which is a SiO 2 thin film, on the surface of the phosphor.

이를 단계적으로 설명하면, 먼저 유기용매와 물을 포함하는 테트라알킬오르소실리케이트(Tetra-Ethyl Ortho-Silicate; 이하 "TEOS" 라 함) 용액을 제조한다.(S31단계) 이때, 유기용매는 알코올, 케톤, 에스테르 및 에테르와 같은 극성 유기용매가 바람직하며, 그 중 알코올인 것이 더욱 바람직하다. 적합한 알코올에는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 또는 부탄올과 같은 저급알코올을 포함하며, 에탄올, 이소프로판올 또는 이들의 혼합물이 바람직하다. When described step by step, first, a tetra-alkyl ortho-silicate (hereinafter referred to as "TEOS") solution containing an organic solvent and water is prepared (step S31). Polar organic solvents such as ketones, esters and ethers are preferred, of which alcohols are more preferred. Suitable alcohols include lower alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol or butanol, with ethanol, isopropanol or mixtures thereof being preferred.

물은 후공정 중에 생성되는 SiO2에 비하여 과량의 양이 이용되는 것이 바람직하다. 따라서, SiO2 코팅막이 형성되는 출발물질(전구체: precursor; 이하 "출발물질" 이라 함)인 TEOS의 몰비는 약 10:1 이상, 바람직하게는 약 100:1이상, 약 300:1 인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that an excess amount of water be used as compared to SiO 2 generated during the post process. Accordingly, the molar ratio of TEOS, which is a starting material (precursor; referred to as "starting material") on which the SiO 2 coating film is formed, is about 10: 1 or more, preferably about 100: 1 or more, and about 300: 1. desirable.

또한, SiO2의 임의의 적합한 출발물질로서는 실리콘 화합물이 사용될 수 있으며 실리콘 유기 화합물이 바람직하다. 여기서는, 빠른 속도로 겔을 생성하는 출발물질이 바람직하며 증발이나 산화에 의해 SiO2로 부터 쉽게 제거될 수 있는 것으로 실리콘 알콕사이드가 바람직하다. 적합한 실리콘 알콕사이드는 탄소원자수가 약 1 내지 6개의 알킬그룹인 TEOS를 포함한다. 따라서, SiO2의 바람직한 출발물질로서 TEOS가 사용된다.In addition, as any suitable starting material for SiO 2 , a silicone compound may be used, with a silicon organic compound being preferred. Preferred here are silicon alkoxides, which are preferably starting materials which produce a gel at a high rate and can be easily removed from SiO 2 by evaporation or oxidation. Suitable silicon alkoxides include TEOS having an alkyl group of about 1 to 6 carbon atoms. Thus, TEOS is used as the preferred starting material of SiO 2 .

S31단계에서 형성된 TEOS 용액은 pH 4 내지 10 이 되도록 조절된다.(S32단계) 형성된 용액의 pH는 최종적으로 형광체에 형성되는 코팅막의 품질에 영향을 미친다. 이를 상세히 설명하면, TEOS 용액이 pH 4 내지 10 이 되도록 조절해야하며 바람직하게는 pH 5 내지 8, 더욱 바람직하게는 중성의 pH (예를 들면 pH 7.5) 가 되도록 조절해야 얇으면서도 매끄럽고 연속적인 코팅막이 형성된다. TEOS 용액의 pH를 조절하기 위해서는 염기가 사용된다. 적당한 염기로는 암모니아 또는 암모늄 하이드록사이드 및 우레아가 포함된다. The TEOS solution formed in step S31 is adjusted to pH 4 to 10. (Step S32) The pH of the formed solution affects the quality of the coating film finally formed on the phosphor. In detail, the TEOS solution should be adjusted to pH 4 to 10 and preferably adjusted to pH 5 to 8, more preferably to a neutral pH (eg pH 7.5). Is formed. Base is used to adjust the pH of the TEOS solution. Suitable bases include ammonia or ammonium hydroxide and urea.

TEOS 용액의 pH를 조절한 후에는 용액을 가열한다.(S33단계) 여기서, TEOS 용액은 환류용기에서 환류하에 가열된다. After adjusting the pH of the TEOS solution, the solution is heated (step S33). Here, the TEOS solution is heated under reflux in a reflux container.

S33단계에서 가열공정을 거친 TEOS 용액은 가수분해되어 겔이 생성된다.(S34단계) 가수분해 반응은 출발물질인 TEOS 용액을 가열함으로써 가속화될 수 있다. 이 때 가열온도는 40℃ 내지 100℃의 범위이며, 바람직하게는 50℃ 내지 85℃이다. 가열은 가수분해가 충분히 이루어질 때까지 수행되며 가수분해의 속도가 온도에 따라 증가되므로 가열시간은 온도에 상관관계를 갖게 된다. 즉, 온도가 높으면 가열시간은 짧아지게 된다. 이에의해, 전구체 용액은 0.1시간 이상 가열되는 데, 1시간 내지 72시간의 범위에서 가열되며 바람직하게는 10시간 내지 30시간, 더욱 바람직하게는 20시간 내지 24 시간동안 가열된다. In step S33, the TEOS solution subjected to the heating process is hydrolyzed to produce a gel. (S34) The hydrolysis reaction may be accelerated by heating the starting material TEOS solution. At this time, the heating temperature is in the range of 40 ° C to 100 ° C, preferably 50 ° C to 85 ° C. The heating is performed until the hydrolysis is sufficient and the heating time is correlated with temperature since the rate of hydrolysis increases with temperature. In other words, when the temperature is high, the heating time is shortened. Thereby, the precursor solution is heated for at least 0.1 hour, which is heated in the range of 1 hour to 72 hours and preferably for 10 hours to 30 hours, more preferably 20 hours to 24 hours.

S34단계에서 겔이 형성되면 이에 접촉시키기 위해 형광체 분말을 준비한다.(S35단계) 본 발명에 있어서, 형광체의 형상은 중요한 의미를 갖는 것이 아니므로 임의의 적합한 형태(예를 들어 0.01㎛ 내지 5㎛ 의 크기 또는 그 이상의 크기를 갖는 입자 분말)를 가진다. When the gel is formed in step S34, a phosphor powder is prepared to contact the gel. Particle powder having a size of or greater than).

S34단계에서 얻은 겔에 S35단계에서 준비된 형광체 분말을 접촉시킨다.(S36단계) 이러한 접촉은 형광체 입자를 용액 내에서 교반함으로써 실시된다. The phosphor powder prepared in step S35 is brought into contact with the gel obtained in step S34 (step S36). This contacting is performed by stirring the phosphor particles in a solution.

형광체와 실리콘 하이드록사이드 겔이 접촉된 후에는 겔 코팅된 형광체와 겔 용액을 분리한다.(S37단계) 겔 코팅된 형광체는 여과법에 의해 겔 용액으로부터 분리된다.After the phosphor is contacted with the silicon hydroxide gel, the gel-coated phosphor and the gel solution are separated (step S37). The gel-coated phosphor is separated from the gel solution by filtration.

S37단계에서 분리된 겔코팅된 형광체를 건조시킨다.(S38단계) 건조공정은 겔코팅된 형광체에 흡착된 용매를 제거하기 위해 수행되며 공기 중이나 진공 또는 불활성 가스 속에서 수행된다. 건조공정이 수행되는 온도는 30℃이거나 그 이상의 온도인 60℃ 내지 150℃, 바람직하게는 80℃ 내지 120℃ 이다. The gel-coated phosphor separated in step S37 is dried (step S38). The drying process is performed to remove the solvent adsorbed on the gel-coated phosphor, and is performed in air, in vacuum, or in an inert gas. The temperature at which the drying process is carried out is 60 ° C to 150 ° C, preferably 80 ° C to 120 ° C, which is 30 ° C or higher.

건조된 겔코팅 형광체를 소성한다.(S39단계) 이 때, 형광체 입자에 대한 겔의 결합력을 증가시키기 위해 소성공정이 실시된다. 소성 온도는 200℃이거나 그 이상의 온도인 250℃ 내지 120℃, 바람직하게는 400℃ 내지 1000℃ 이다. 소성 공정은 공기 중이나 진공 또는 불활성 가스/환원가스 속에서 실시되며 바람직하게는 환원가스 속에서 실시된다.The dried gel-coated phosphor is calcined (step S39). At this time, a calcining process is performed to increase the binding force of the gel to the phosphor particles. The firing temperature is 250 ° C to 120 ° C, preferably 400 ° C to 1000 ° C, which is 200 ° C or higher. The firing process is carried out in air or in vacuum or inert gas / reduced gas and preferably in reducing gas.

실제로, 위와 같은 소성공정을 마지막으로 형성된 코팅 형광체는 상대 휘도의 저하가 20%미만으로 매우 낮아지게 되며, 수명특성도 10% 이상 개선되는 것으로 나타났다. In fact, the coating phosphor which was finally formed by the above firing process was found to have a very low drop in relative luminance of less than 20% and an improvement in lifespan characteristics of 10% or more.

이를 도 4 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명하기로 한다. This will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 5.

도 4를 참조하면, X축에서 pH가 변화함에 따라 Y축에서 코팅 형광체의 상대휘도의 변화가 도시되어 있다. 또한, 코팅 형광체를 소성하는 온도가 400℃ 및 800℃로 설정하여 각 온도하에서 실험결과에 의한 데이터에 따른 추세선을 형성하였다. 이 때, 코팅 형광체의 휘도저하는 400℃에서 20% 미만이며 pH가 높을수록 코팅 형광체의 상대 휘도가 증가한다. 그리고, 800℃에서 코팅 형광체의 휘도저하는 10% 미만이며 pH가 낮을 수록 코팅 형광체의 상대 휘도가 증가한다. 이에 의해, 소성온도가 400℃ 일 때 코팅막이 형성되는 pH가 높을 수록 형광체 표면에 형성되는 코팅막은 필름형태와 같은 막으로 형성되어 상대 휘도가 증가됨을 알 수 있다. Referring to FIG. 4, the change in the relative luminance of the coated phosphor on the Y axis is shown as the pH changes on the X axis. In addition, the temperature for firing the coating phosphor was set to 400 ℃ and 800 ℃ to form a trend line according to the data according to the experimental results under each temperature. At this time, the luminance decrease of the coating phosphor is less than 20% at 400 ℃, the higher the pH, the higher the relative luminance of the coating phosphor. In addition, at 800 ° C., the luminance decrease of the coating phosphor is less than 10%, and as the pH is lower, the relative luminance of the coating phosphor increases. As a result, the higher the pH at which the coating film is formed when the firing temperature is 400 ° C., the coating film formed on the surface of the phosphor is formed in a film-like film, thereby increasing the relative luminance.

또한, 도 5를 참조하면, 코팅막이 형성될 때 포함되는 실리콘 알콕사이드의 중량분율(wt%)(X축)에 따라 형광체의 상대휘도(Y축) 변화가 도시되어 있다. 실리콘 알콕사이드의 wt% 가 0wt% 내지 10wt% 의 범위에 해당할 때, 코팅된 형광체의 상대휘도가 80% 수준을 유지한다. 따라서, 10wt% 이하의 실리콘 알콕사이드를 포함하는 코팅막이 형광체의 보호막으로 적합함을 알 수 있다. 5, the relative luminance (Y-axis) change of the phosphor is illustrated according to the weight fraction (wt%) (X-axis) of the silicon alkoxide included when the coating film is formed. When the wt% of silicon alkoxide falls in the range of 0 wt% to 10 wt%, the relative luminance of the coated phosphor is maintained at 80% level. Therefore, it can be seen that a coating film containing 10 wt% or less of silicon alkoxide is suitable as a protective film of the phosphor.

그러나, 상기 방법은 점도가 매우 높은 상태의 실리카 겔을 형광체 입자와 직접 접촉시키므로 형광체 입자 표면에 실리카 겔을 균일하게 형성시키기가 어려운 단점이 있다. 이와 같이, 실리카 코팅막이 형광체 상에 균일한 두께로 형성되기가 어렵기 때문에 코팅막 두께가 불균일하게 될 뿐 아니라, 심지어 형광체의 일부표면에 코팅막이 형성되지 않을 수도 있다. 이렇게 실리카 코팅막이 불균일하게 형광체 상에 형성되면, 실리카 코팅막의 두께가 얇은 부분이나 실리카 코팅막이 없는 부분에서 형광체의 열화가 상대적으로 빠르게 진행하게 되므로 PDP의 수명이 그 만큼 짧아지게 된다. However, the method has a disadvantage in that it is difficult to uniformly form the silica gel on the surface of the phosphor particles because the silica gel in a state of very high viscosity is in direct contact with the phosphor particles. As such, since the silica coating film is hardly formed to have a uniform thickness on the phosphor, not only the coating film thickness is uneven, but even a coating film may not be formed on some surfaces of the phosphor. When the silica coating film is unevenly formed on the phosphor, deterioration of the phosphor proceeds relatively quickly in a portion where the thickness of the silica coating film is thin or in the absence of the silica coating film, thereby shortening the lifetime of the PDP.

따라서, 본 발명의 목적은 PDP의 수명을 연장시키도록 한 PDP의 형광체 제조방법을 제공함에 있다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for producing a phosphor of a PDP to extend the life of the PDP.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 PDP의 형광체 제조방법은 형광체 분말을 알코올을 포함하는 액체 내에 분산하는 단계와, 상기 형광체 분말이 분산된 액체 내에 실리카 코팅막을 형성하는 출발물질의 졸-겔화 반응을 유도하는 촉매를 투입하는 단계와, 상기 졸-겔화되는 상기 출발물질을 상기 액체 내에 투입하여 상기 출발물질 사이에 졸-겔화 반응을 일으키는 단계와, 상기 출발물질 사이의 반응 결과로 생성된 실리카 코팅막이 표면에 형성된 상기 형광체를 상기 액체로부터 분리하는 단계와, 상기 실리카 코팅막과 형광체를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 있어서, 형광체 분말은 (YGd)BO3:Eu3+, Zn2SiO4:Mn2+, BaMgAl10O17:Eu3+ 중 어느 하나인 것이다.In order to achieve the above object, the phosphor manufacturing method of the PDP according to an embodiment of the present invention comprises the steps of dispersing the phosphor powder in a liquid containing alcohol, and the starting material for forming a silica coating film in the liquid in which the phosphor powder is dispersed Introducing a catalyst for inducing a sol-gelation reaction, introducing the sol-gelled starting material into the liquid to cause a sol-gelling reaction between the starting materials, and a reaction between the starting materials Separating the phosphor formed on the surface of the resulting silica coating film from the liquid, and calcining the silica coating film and the phosphor. In the present invention, the phosphor powder is (YGd) BO 3 : Eu 3+ , Zn 2 SiO 4 : Mn 2+ , BaMgAl 10 O 17 : Eu 3+ .

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본 발명에 있어서, 액체는 증류수와 알코올 중 적어도 어느 하나를 포함한다. In the present invention, the liquid contains at least one of distilled water and alcohol.

본 발명에 있어서, 알코올은 CnH2n+1OH의 화학식을 가지며 n = 5 이하이다.In the present invention, the alcohol has a chemical formula of C n H 2n + 1 OH and n = 5 or less.

본 발명에 있어서, 촉매는 암모니아, 수산화나트륨, 우레아 중 어느 하나이다. In the present invention, the catalyst is any one of ammonia, sodium hydroxide and urea.

본 발명에 있어서, 촉매가 포함된 액체는 pH 7. 0 이상이다.In the present invention, the liquid containing the catalyst is pH 7. 0 or more.

본 발명에 있어서, 출발물질은 실리콘 알콕사이드 화합물인 것을 특징으로 한다.In the present invention, the starting material is characterized in that the silicon alkoxide compound.

본 발명에 있어서, 소성에 필요한 열처리 온도는 50℃ 내지 350℃ 이다.In the present invention, the heat treatment temperature required for firing is 50 ° C to 350 ° C.

본 발명에 있어서, 실리카 코팅막의 두께는 5nm 내지 80nm 인 것을 특징으로 한다.상기 형광체 입자, 증류수, 알코올, 염기성 촉매 및 실리콘 알콕사이드를 포함하는 액체내에서, 상기 형광체 입자의 함유량은 0.1wt% 내지 5w% 정도이고, 상기 증류수의 함유량은 0.1wt% 내지 10wt% 정도이고, 상기 알코올의 함유량은 65wt% 내지 90wt% 정도이고, 상기 염기성 촉매의 함유량은 0.1wt% 내지 10wt% 정도이고, 상기 실리콘 알콕사이드의 함유량은 0.1wt% 내지 10wt% 정도인 것을 특징으로 한다. In the present invention, the thickness of the silica coating film is characterized in that 5nm to 80nm. In a liquid containing the phosphor particles, distilled water, alcohols, basic catalysts and silicon alkoxides, the content of the phosphor particles is about 0.1 wt% to about 5 w%, and the content of the distilled water is about 0.1 wt% to about 10 wt%. The content of alcohol is about 65 wt% to about 90 wt%, the content of the basic catalyst is about 0.1 wt% to about 10 wt%, and the content of the silicon alkoxide is about 0.1 wt% to about 10 wt%.

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이하, 도 6 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 8.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 PDP의 형광체는 형광물질로 이루어진 형광체와, 형광체의 입자 각각의 표면에 형성된 보호막을 구비한다. Referring to FIG. 6, a phosphor of a PDP according to an embodiment of the present invention includes a phosphor made of a phosphor and a protective film formed on the surface of each particle of the phosphor.

이 PDP의 상판은 상부기판(61) 상에 형성되어진 서스테인전극쌍(69), 서스테인전극쌍(69)이 형성된 상부기판(61) 상에 적층되는 상부 유전체층(66) 및 보호막(67)을 포함한다. 서스테인전극쌍(69) 각각은 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO) 등의 투명전극과, 투명전극의 선폭보다 작은 선폭을 가지며 투명전극의 일측 가장자리에 형성되는 금속버스전극을 포함한다. 이 서스테인전극쌍(69) 중 어느 하나는 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간에 부극성의 스캔펄스가 공급되어 주사라인을 선택하는 스캔전극 역할을 겸하게 된다. 또한, 서스테인전극쌍(69)은 서스테인기간에 교번적으로 서스테인펄스가 공급되어 어드레스방전에 의해 선택된 셀에 대하여 유지방전을 일으키게 된다. 상부 유전체층(66)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(67)은 MgO 등의 재료로 형성되어 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링으로 인한 상부 유전체층(66)과 서스테인전극쌍(69)의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. The top plate of the PDP includes a sustain electrode pair 69 formed on the upper substrate 61, an upper dielectric layer 66 and a protective film 67 stacked on the upper substrate 61 on which the sustain electrode pair 69 is formed. do. Each of the sustain electrode pairs 69 includes a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO), and a metal bus electrode having a line width smaller than that of the transparent electrode and formed at one edge of the transparent electrode. One of the sustain electrode pairs 69 serves as a scan electrode for selecting a scan line by supplying a negative scan pulse in an address period for selecting a cell. In addition, the sustain electrode pair 69 is supplied with sustain pulses alternately in the sustain period to cause sustain discharge for the cells selected by the address discharge. The wall charges generated during the plasma discharge are accumulated in the upper dielectric layer 66. The passivation layer 67 is formed of a material such as MgO, thereby preventing damage to the upper dielectric layer 66 and the sustain electrode pair 69 due to sputtering generated during plasma discharge, and increasing emission efficiency of secondary electrons.

이 PDP의 하판은 하부기판(62) 상에 형성되어진 어드레스전극(X6)과, 어드레스전극(X6)을 덮도록 하부기판(62) 상에 전면 증착되는 하부 유전체층(64), 하부 유전체층(64)으로부터 수직으로 형성되는 격벽(63) 및, 하부 유전체층(64)과 격벽(63)의 표면에 형성된 형광체(65)를 포함한다. 어드레스전극(X6)은 서스테인전극쌍(69)과 직교되어 서스테인전극쌍(69) 중 어느 하나에 공급되는 스캔펄스에 동기되는 정극성의 데이터펄스가 공급된다. 이 어드레스전극(X6)과 서스테인전극쌍(69) 중 어느 하나 사이에 대향방전 형태로 일어나는 어드레스방전에 의해 셀이 선택된다. 격벽(63)은 어드레스전극(X6)과 나란하게 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체에 있어서, 적색 형광체는 (YGd)BO3 : Eu3+이며, 청색 형광체는 BaMgAl10O17 : Eu2+이, 녹색 형광체는 Zn2SiO4:Mn2+이며 형광체 입자의 표면에 코팅막이 형성되어 방전 중에 발생하는 형광체의 열화가 저하된다. 이러한 형광체는 후술하는 공정에 의해 제조된다.The lower plate of the PDP includes an address electrode X6 formed on the lower substrate 62, a lower dielectric layer 64 and a lower dielectric layer 64 deposited on the lower substrate 62 so as to cover the address electrode X6. And a partition wall 63 formed vertically from the lower dielectric layer 64 and the phosphor 65 formed on the surface of the partition wall 63. The address electrode X6 is orthogonal to the sustain electrode pair 69 and supplied with a positive data pulse synchronized with the scan pulse supplied to any one of the sustain electrode pair 69. The cell is selected by the address discharge occurring in the form of counter discharge between any one of the address electrode X6 and the sustain electrode pair 69. The partition 63 is formed in parallel with the address electrode X6 to prevent ultraviolet rays and visible light generated by the discharge from leaking to the adjacent discharge cells. In the phosphor, the red phosphor is (YGd) BO 3 : Eu 3+ , the blue phosphor is BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , the green phosphor is Zn 2 SiO 4 : Mn 2+, and a coating film is formed on the surface of the phosphor particles. The degradation of the phosphors formed and generated during discharge is reduced. Such fluorescent substance is manufactured by the process mentioned later.

도 7은 본 발명에 따른 PDP의 형광체를 제조하는 공정을 단계적으로 나타낸 것이다. 7 shows a step-by-step process for producing a phosphor of the PDP according to the present invention.

도 7을 참조하면, 먼저, 형광체 분말을 준비한다.(S71단계) 본 발명에 있어서, 형광체의 형상은 중요한 의미를 갖는 것은 아니며, 종래 PDP에 사용되는 형광체의 분말을 그대로 사용할 수 있다. 이 때, 형광체 입자가 구형의 형상을 가지는 것이 바람직하며, 이러한 형상은 주로 액상법을 통해 제조되는 형광체가 갖게 되는 형상이다. 그리고 본 발명의 실시예에서는 열화현상이 가장 심한 청색형광체인 BaMgAl10O17:Eu2+ 을 사용하게 된다.Referring to Fig. 7, first, a phosphor powder is prepared. (Step S71) In the present invention, the shape of the phosphor does not have an important meaning, and powder of the phosphor used in the conventional PDP can be used as it is. At this time, it is preferable that the phosphor particles have a spherical shape, and this shape is mainly a shape that the phosphor produced by the liquid phase method has. In the embodiment of the present invention, BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , which is a blue phosphor having the most deterioration phenomenon, is used.

S71단계에서 준비된 형광체 분말은 증류수 및 알코올 혼합용액에 분산된다.(S72단계) 이 때, 혼합용액에 분산되는 형광체 입자는 5wt% 이하이며 교반을 통해 용액 내에 분산된다. 형광체 분말이 분산되는 용액은 증류수와 알코올 중 적어도 한 가지 이상을 포함하는 액체를 사용할 수 있다. 여기서, 알코올은 메틸 알코올(Methyl Alcohol), 에틸 알코올(Ethyl Alcohol), 노말프로필 알코올(n-Propyl Alcohol), 이소프로필 알코올(Iso-Propyl Alcohol) 등 탄소수가 5이하인 알코올을 사용한다. 이는, 탄소수가 더 큰 알코올을 사용할 경우, 알킬 크룹의 크기로 인해 가수분해반응이 저해됨을 방지하기 위함이다. The phosphor powder prepared in step S71 is dispersed in a mixed solution of distilled water and alcohol. (Step S72) At this time, the phosphor particles dispersed in the mixed solution is 5wt% or less and dispersed in the solution through stirring. As a solution in which the phosphor powder is dispersed, a liquid containing at least one of distilled water and alcohol may be used. The alcohol may be an alcohol having 5 or less carbon atoms such as methyl alcohol, ethyl alcohol, n-prop alcohol, and iso-propyl alcohol. This is to prevent the hydrolysis reaction from being inhibited due to the size of the alkyl croup when using an alcohol having a larger carbon number.

S72단계에서 형광체 분말이 분산된 분산액에는 실리콘 알콕사이드 및 염기성 수용액이 첨가된다.(S73단계) SiO2의 임의의 적합한 출발물질로서는 실리콘 화합물이 적합한데, 그 중 실리콘 유기 화합물이 바람직하다. 여기서는, 빠른 속도로 겔을 생성하며 증발이나 산화에 의해 SiO2로 부터 쉽게 제거될 수 있는 것으로 실리콘 알콕사이드가 바람직하다. 적합한 실리콘 알콕사이드는 탄소원자수가 약 1 내지 6개의 알킬그룹인 TEOS를 포함한다. 이에의해, SiO2의 바람직한 출발물질로서 TEOS가 사용된다. TEOS는 SiO2 코팅막을 형성하는 출발물질로서 물이나 알코올 용액 내에서 반응성이 뛰어난 특성을 갖는다. 염기성 수용액은 TEOS가 혼합된 분산액의 pH가 7 이상이 되도록 하며, TEOS가 혼합된 분산액이 가수분해/축중합 반응을 일으킬 때 촉매로서 작용하게 된다. 이러한 역할을 하는 염기성 수용액은 암모니아, 수산화나트륨, 우레아 등이 있다.The silicon alkoxide and the basic aqueous solution are added to the dispersion in which the phosphor powder is dispersed in step S72. (Step S73) As a suitable starting material of SiO 2 , a silicon compound is suitable, of which a silicon organic compound is preferable. Here, silicon alkoxides are preferred as they produce gels at high rates and can be easily removed from SiO 2 by evaporation or oxidation. Suitable silicon alkoxides include TEOS having an alkyl group of about 1 to 6 carbon atoms. Thereby, TEOS is used as the preferred starting material of SiO 2 . TEOS is a starting material for forming a SiO 2 coating film and has excellent reactivity in water or alcohol solution. The basic aqueous solution causes the pH of the dispersion mixed with TEOS to be 7 or more, and serves as a catalyst when the dispersion mixed with TEOS causes a hydrolysis / condensation reaction. Basic aqueous solutions that play this role include ammonia, sodium hydroxide, urea, and the like.

이 때, S73단계를 거치며 혼합된 물질들이 포함된 분산액에는 0.1wt% 내지 5wt% 의 중량분율로 형광체 입자가 포함된다. 그리고, 0wt% 내지 10wt%의 증류수와, 0wt% 내지 90wt%의 중량분율로 알코올이 포함된다. 또한, 0wt% 내지 10wt%의 중량분율로 염기성 촉매가 투입되고, 0.1wt% 내지 10wt% 의 중량분율로 실리콘 알콕사이드가 투입된다.At this time, the dispersion containing the mixed materials through the step S73 includes the phosphor particles in a weight fraction of 0.1wt% to 5wt%. In addition, 0 wt% to 10 wt% of distilled water and 0 wt% to 90 wt% of alcohol are included in the weight fraction. In addition, a basic catalyst is added at a weight fraction of 0 wt% to 10 wt%, and silicon alkoxide is added at a weight fraction of 0.1 wt% to 10 wt%.

S73단계에서 혼합된 물질들은 가수분해/축중합 반응에 의해 졸-겔화 반응이 이루어져 반응이 완료된다.(S74단계) 이러한 반응에서 형광체 입자는 구름 속의 먼지입자와 같이 응결핵의 역할을 하게 되며 반응이 완료되면 형광체 입자의 표면에는 SiO2 겔이 막처럼 형성된다.In step S73, the materials mixed in the sol-gelation reaction are completed by the hydrolysis / condensation polymerization reaction (step S74). In this reaction, the phosphor particles act as clot tuber like dust particles in the cloud, and the reaction is performed. Upon completion, a SiO 2 gel is formed on the surface of the phosphor particles as a film.

형광체 표면에 막이 형성되면 이러한 막으로 코팅된 형광체를 분리하기 위해 원심분리를 실시하게 된다.(S75단계) 반응이 완료된 분산액을 원심분리기에 넣어 가동시키면 코팅된 무기입자인 형광체와 나머지 분산액은 비중 차이에 의해 분리된다. 여기서 코팅된 형광체는 침전하게 된다. When the film is formed on the surface of the phosphor, centrifugation is performed to separate the phosphor coated with the film. (Step S75) When the dispersion is completed and operated in a centrifuge, the coated inorganic particles and the remaining dispersion differ in specific gravity. Separated by. Here, the coated phosphor is precipitated.

침전된 코팅된 형광체를 분리한 후, 코팅된 형광체를 가열하여 소성시킨다.(S76단계) 이 때, 열처리 온도는 50℃ 내지 350℃ 이며, 이러한 소성공정은 코팅된 형광체 입자 표면에 잔류하는 용매나 수산기를 제거하고 코팅막을 입자 표면에 강하게 부착시키는 역할을 한다. After the precipitated coated phosphor is separated, the coated phosphor is heated and calcined (step S76). At this time, the heat treatment temperature is 50 ° C to 350 ° C. It removes hydroxyl groups and strongly adheres the coating film to the particle surface.

S76단계를 마지막으로 보호막이 형성된 형광체가 형성된다. 이와같이, 막으로 코팅된 형광체가 소성된 후 형성된 형광체의 코팅막은 도 8에 도시된 바와 같이 5nm 내지 80nm의 폭(87)을 갖도로 형성된다. 이러한 SiO2 (88)는 화학적으로 산화 안정성이 우수하며, 밴드 갭이 크므로 진공 자외선의 투과도가 크다는 장점이 있다. 또한, SiO2 (88)는 형광체 입자(85) 상에 균일하고 연속적인 박막형태로 코팅되므로 형광체의 안티-스퍼터링(Anti-sputtering) 또는 내충격성을 강화하여 물리적 충격에 의한 형광체의 결정파괴를 방지하게 된다.In step S76, a phosphor having a protective film is finally formed. As such, the coating film of the phosphor formed after the phosphor coated with the film is fired is formed to have a width 87 of 5 nm to 80 nm as shown in FIG. 8. Such SiO 2 (88) has an excellent chemical stability, and has a large band gap, so that the transmittance of vacuum ultraviolet rays is high. In addition, since SiO 2 88 is coated on the phosphor particles 85 in a uniform and continuous thin film form, anti-sputtering or impact resistance of the phosphor is enhanced to prevent crystal destruction of the phosphor due to physical impact. Done.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 PDP의 형광체는 점도가 낮은 액상 상태에서 실리카 보호막을 형광체물질 상에 형성하게 된다. 그 결과, 본 발명에 따른 PDP의 형광체는 형광체 표면에 균일한 코팅막을 형성하게 되므로 형광체의 열화를 최소화하여 PDP의 수명을 연장시킬 수 있다. As described above, the phosphor of the PDP according to the present invention forms a silica protective film on the phosphor material in a liquid state having a low viscosity. As a result, since the phosphor of the PDP according to the present invention forms a uniform coating film on the surface of the phosphor, the degradation of the phosphor can be minimized to extend the life of the PDP.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다. Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 종래의 3전극 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타내는 사시도이다. 1 is a perspective view showing a discharge cell structure of a conventional three-electrode AC surface discharge type plasma display panel.

도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널을 부분 절개하여 나타내는 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of the plasma display panel shown in FIG. 1.

도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 보호막 제조공정을 나타내는 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a phosphor protective film of a conventional plasma display panel.

도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체의 소성 온도및 pH에 따른 휘도특성을 나타내는 그래프이다.4 is a graph showing luminance characteristics according to firing temperature and pH of a phosphor of a conventional plasma display panel.

도 5는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체의 코팅막을 형성하는 물질의 첨가비율에 따른 휘도특성을 나타내는 그래프이다. 5 is a graph showing luminance characteristics according to an addition ratio of a material forming a coating film of a phosphor of a conventional plasma display panel.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 부분 절개하여 나타내는 단면도이다. 6 is a cross-sectional view partially showing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조공정을 나타내는 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a phosphor manufacturing process of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체를 나타내는 단면도이다. 8 is a cross-sectional view illustrating a phosphor of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

1, 61 : 상부기판 2, 62 : 하부기판1, 61: upper substrate 2, 62: lower substrate

3, 63 : 격벽 4, 64 : 하부유전체층3, 63: partition 4, 64: lower dielectric layer

5, 65, 85 : 형광체 6, 66 : 상부유전체층5, 65, 85: phosphor 6, 66: upper dielectric layer

7, 67 : 보호층 9, 69 : 서스테인전극쌍7, 67: protective layer 9, 69: sustain electrode pair

88 : 형광체 코팅막 X, X6 : 어드레스전극88: phosphor coating film X, X6: address electrode

Claims (11)

형광체 상에 형성되는 실리카 코팅막을 제조하는 방법에 있어서,In the method for producing a silica coating film formed on the phosphor, 형광체 분말을 알코올을 포함하는 액체 내에 분산하는 단계와,Dispersing the phosphor powder in a liquid comprising alcohol, 상기 형광체 분말이 분산된 액체 내에 실리카 코팅막을 형성하는 출발물질의 졸-겔화 반응을 유도하는 촉매를 투입하는 단계와,Adding a catalyst for inducing a sol-gelation reaction of a starting material for forming a silica coating film in a liquid in which the phosphor powder is dispersed; 상기 졸-겔화되는 상기 출발물질을 상기 액체 내에 투입하여 상기 출발물질 사이에 졸-겔화 반응을 일으키는 단계와,Injecting the sol-gelled starting material into the liquid to cause a sol-gelling reaction between the starting materials; 상기 출발물질 사이의 반응 결과로 생성된 실리카 코팅막이 표면에 형성된 상기 형광체를 상기 액체로부터 분리하는 단계와,Separating the phosphor formed on the surface of the silica coating film formed as a result of the reaction between the starting materials from the liquid, 상기 실리카 코팅막과 형광체를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조방법.Firing the silica coating film and the phosphor. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 형광체 분말은 (YGd)BO3:Eu3+, Zn2SiO4:Mn2+, BaMgAl10O17:Eu3+ 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스를레이 패널의 형광체.The phosphor powder is any one of (YGd) BO 3 : Eu 3+ , Zn 2 SiO 4 : Mn 2+ , BaMgAl 10 O 17 : Eu 3+ . 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 알코올은 CnH2n+1OH의 화학식을 가지며 n = 5 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조 방법.The alcohol has a chemical formula of C n H 2n + 1 OH and n = 5 or less. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 촉매는 암모니아, 수산화나트륨, 우레아 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조 방법.The catalyst is a phosphor manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that any one of ammonia, sodium hydroxide, urea. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 촉매가 포함된 상기 액체는 pH 7. 0 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조 방법.The liquid containing the catalyst is a method of producing a phosphor of the plasma display panel, characterized in that the pH 7. 0 or more. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 출발물질은 실리콘 알콕사이드 화합물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조 방법.The starting material is a phosphor manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that the silicon alkoxide compound. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 소성에 필요한 열처리 온도는 50℃ 내지 350℃ 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조 방법. The heat treatment temperature required for the firing is 50 ℃ to 350 ℃ characterized in that the phosphor manufacturing method of the plasma display panel. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 실리카 코팅막의 두께는 5nm 내지 80nm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조 방법. The silica coating film has a thickness of 5nm to 80nm phosphor manufacturing method of the plasma display panel. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 형광체 입자, 증류수, 알코올, 염기성 촉매 및 실리콘 알콕사이드를 포함하는 액체내에서, In a liquid containing the phosphor particles, distilled water, alcohols, basic catalysts and silicon alkoxides, 상기 형광체 입자의 함유량은 0.1wt% 내지 5w% 정도이고, The content of the phosphor particles is about 0.1wt% to 5w%, 상기 증류수의 함유량은 0.1wt% 내지 10wt% 정도이고, The content of the distilled water is about 0.1wt% to 10wt%, 상기 알코올의 함유량은 65wt% 내지 90wt% 정도이고, The content of the alcohol is about 65wt% to 90wt%, 상기 염기성 촉매의 함유량은 0.1wt% 내지 10wt% 정도이고, The content of the basic catalyst is about 0.1wt% to 10wt%, 상기 실리콘 알콕사이드의 함유량은 0.1wt% 내지 10wt% 정도인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 제조 방법. Content of the silicon alkoxide is about 0.1wt% to about 10wt% phosphor manufacturing method of the plasma display panel.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR920003375A (en) * 1990-07-27 1992-02-29 김정배 Surface treatment method of phosphor
KR960039087A (en) * 1995-04-29 1996-11-21 엄길용 Phosphor for screen production of cathode ray tube and its manufacturing method and cathode ray tube having the phosphor
KR19980031033A (en) * 1996-10-31 1998-07-25 엄길용 Inorganic phosphor electrodeposition composition containing silica sol and fluorescent film using same
KR20000004600A (en) * 1998-06-30 2000-01-25 구자홍 Method of making phosphor used in plasma display panel
KR20020025483A (en) * 2000-09-29 2002-04-04 김순택 Phosphors for PDP coated with continuous thin protective layer and preparing process therefor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR920003375A (en) * 1990-07-27 1992-02-29 김정배 Surface treatment method of phosphor
KR100189803B1 (en) * 1990-07-27 1999-06-01 손욱 Surface processing method of fluorescent substance
KR960039087A (en) * 1995-04-29 1996-11-21 엄길용 Phosphor for screen production of cathode ray tube and its manufacturing method and cathode ray tube having the phosphor
KR19980031033A (en) * 1996-10-31 1998-07-25 엄길용 Inorganic phosphor electrodeposition composition containing silica sol and fluorescent film using same
KR20000004600A (en) * 1998-06-30 2000-01-25 구자홍 Method of making phosphor used in plasma display panel
KR20020025483A (en) * 2000-09-29 2002-04-04 김순택 Phosphors for PDP coated with continuous thin protective layer and preparing process therefor

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