KR100499167B1 - Tape for Analyzing Adhesion of Predetermined Film Formed on Wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프에 관한 것이다.The present invention relates to a tape for analyzing the adhesion of a given film formed on a wafer.
본 발명의 테이프는, 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막들의 접착력을 분석할 수 있는 서로 다른 접착력을 가지는 테이프들을 각각으로 필링할 수 있도록 차례대로 겹쳐지는 다층의 테이프로 형성시켜 이루어짐을 특징으로 한다.The tape of the present invention is characterized in that it is formed by forming a plurality of tapes that are sequentially stacked so as to fill each of the tapes having different adhesion to analyze the adhesion of predetermined films formed on the wafer.
본 발명의 또 다른 테이프는, 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막들의 접착력을 분석할 수 있도록 서로 다른 첩착력을 가지는 영역을 소정의 간격마다 반복적으로 배열시켜 이루어짐을 특징으로 한다.Another tape of the present invention is characterized in that it is made by repeatedly arranging regions having different adhesion forces at predetermined intervals so as to analyze the adhesion of predetermined films formed on the wafer.
따라서, 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막의 접착력을 개량적으로 평가함으로써 소정의 막의 접착력 등으로 인한 결함을 규명할 수 있는 효과가 있다.Therefore, by improving the adhesive force of the predetermined film formed on the wafer, there is an effect of identifying a defect due to the adhesive force of the predetermined film or the like.
Description
본 발명은 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼(Wafer) 상에 형성시킨 소정의 막의 접착력을 상대적으로 평가할 수 있는 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tape for analyzing the adhesion of a predetermined film formed on a wafer. More specifically, the present invention relates to a tape for analyzing a adhesion of a predetermined film formed on a wafer. It is about the tape to analyze.
일반적으로 반도체소자는 웨이퍼 상에 소정의 막을 형성시키고, 상기 소정의 막을 소정의 패턴(Pattern)으로 형성시킴으로써 제조된다.Generally, a semiconductor device is manufactured by forming a predetermined film on a wafer and forming the predetermined film in a predetermined pattern.
여기서 상기 웨이퍼 상에 형성되는 소정의 막은 다층으로 적층되는 것이 일반적이고, 고집적화되어가는 최근의 반도체소자의 제조에서는 상기 소정의 막을 계속적으로 적층시키는 형태로 형성되고 있다.In this case, a predetermined film formed on the wafer is generally laminated in multiple layers. In recent years, in the manufacture of semiconductor devices, which have become highly integrated, the predetermined film is formed in such a manner that the predetermined film is continuously laminated.
이러한 반도체소자의 제조에서 상기 소정의 막은 여러 가지의 스펙(Spec) 등을 평가하여 관리하고, 그 중에서 하부막과의 접착력의 평가 또한 중요한 스펙으로 관리된다.In the manufacture of such a semiconductor device, the predetermined film is managed by evaluating various specifications and the like, and evaluation of adhesive force with the lower film is also managed as an important specification.
이에 따라 종래에는 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막의 접착력, 즉 하부막과의 접착력을 평가하기 위하여 도1에 도시된 바와 같은 소정의 접착력을 가지는 테이프(Tape)(10)를 이용하였다.Accordingly, in order to evaluate the adhesion of the predetermined film formed on the wafer, that is, the adhesion with the lower film, a
즉, 상기 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막의 일정 영역을 소정의 깊이로 컷팅(Cutting)시킨 후, 상기 컷팅이 이루어진 소정의 막의 일정 영역에 상기 테이프(10)를 접착시킨다.That is, after cutting a predetermined region of the predetermined film formed on the wafer to a predetermined depth, the
그리고 상기 소정의 막 상에 접착이 이루어진 테이프(10)를 상기 소정이 막에서 떼어낸다.And the predetermined | prescribed peeling off the film |
이에 따라 상기 소정의 막의 접착력이 양호한 경우에는 상기 테이프(10)만 떨어지고, 접착력이 양호하지 않은 경우에는 소정의 막이 테이프(10)에 붙어서 떨어진다.Accordingly, when the adhesive force of the predetermined film is good, only the
이러한 종래의 하부막의 접착력의 평가 즉, 분석은 단순히 상기 소정의 막의 접착력의 좋고, 나쁨만을 분석할 수 있는 것으로써, 상기 소정의 막이 어느 정도의 접착력을 가지는가 하는 상대적인 분석은 이루어지지 않았다.The evaluation of the adhesion of the conventional lower film, that is, the analysis can only analyze the good and bad of the adhesion of the predetermined film, and thus the relative analysis of how much the predetermined film has the adhesion has not been made.
따라서 종래의 소정의 막의 접착력의 분석은 상대적인 분석이 이루어지지 않음으로 인해 소정의 막의 접착력으로 인한 결함 등을 규명할 수 없는 문제점이 있었다.Therefore, the conventional analysis of the adhesion of a predetermined film has a problem that can not identify the defect due to the adhesion of the predetermined film because the relative analysis is not made.
본 발명의 목적은, 소정의 막의 접착력을 상대적으로 분석하기 위한 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a tape for analyzing the adhesion of a given film formed on a wafer for relatively analyzing the adhesion of a given film.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프는, 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막들의 접착력을 분석할 수 있는 서로 다른 접착력을 가지는 테이프들을 각각으로 필링할 수 있도록 차례대로 겹쳐지는 다층의 테이프로 형성시켜 이루어짐을 특징으로 한다.Tapes for analyzing the adhesion of a predetermined film formed on a wafer according to the present invention for achieving the above object, each of the tapes having different adhesion to analyze the adhesion of the predetermined film formed on the wafer to It is characterized in that it is made of a multi-layered tape that is sequentially stacked so that.
상기 다층의 테이프의 끝단은 다층으로 형성되는 각각의 테이프가 소정의 길이만큼의 차이가 있도록 형성시키는 것이 바람직하다.The ends of the multilayer tape are preferably formed such that each tape formed in the multilayer is different by a predetermined length.
본 발명에 따른 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프는, 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막들의 접착력을 분석할 수 있도록 서로 다른 첩착력을 가지는 영역을 소정의 간격마다 반복적으로 배열시켜 이루어짐을 특징으로 한다.The tape for analyzing the adhesion of a predetermined film formed on the wafer according to the present invention is made by repeatedly arranging regions having different adhesion forces at predetermined intervals so as to analyze the adhesion of the predetermined films formed on the wafer. It is characterized by.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2 및 도3은 본 발명에 따른 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프의 실시예들을 나타내는 모식도이며, 도4는 도3을 이용한 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막의 접착력을 분석하는 상태를 나타내는 도면이다.2 and 3 are schematic diagrams showing embodiments of the tape for analyzing the adhesion of the predetermined film formed on the wafer according to the present invention, Figure 4 is a state of analyzing the adhesion of the predetermined film formed on the wafer using Figure 3 It is a figure which shows.
먼저, 도2는 서로 다른 접착력을 가지는 테이프(20)를 각각으로 필링(Peeling)할 수 있도록 차례로 겹쳐지는 다층의 테이프(20)가 구비되어 있는 상태를 나타낸다.First, FIG. 2 shows a state in which a plurality of
즉, 본 발명의 다층의 테이프(20)는 소정의 접착력을 가지는 테이프 상에 상기 테이프와는 다른 접착력을 가지는 테이프를 차례로 적층시키는 형태로써, 적어도 둘이상의 테이프를 적층시켜 형성시킬 수 있고, 실시예에서는 서로 다른 접착력을 가지는 4개의 테이프를 적층시킨다.That is, the
여기서 본 발명의 상기 다층의 테이프(20)는 그 끝단의 길이를 차이가 있도록 형성시킬 수 있다.Here, the
이에 따라 본 발명의 상기 다층의 테이프(20)는 상기의 길이만큼으로 각각 차이가 나도록 필링시킬 수 있다.Accordingly, the
그리고 도3은 서로 다른 접착력을 가지는 영역을 소정의 간격마다 반복적으로 배열하여 형성시킨 테이프(30)가 구비되어 있는 상태를 나타낸다.3 shows a state in which the
여기서 본 발명의 상기 테이프(30)는 소정이 영역마다 서로 다른 접착력을 가지는 영역이 배열되도록 형성시킬 수 있다.Here, the
그리고 실시예에서는 서로 다른 접착력을 가지는 영역을 4군데로 형성시켜 상기 4개의 접착력을 가지는 영역을 연속적으로 배열시킨다.In the embodiment, four regions having different adhesive strengths are formed in four places to sequentially arrange the regions having four adhesive forces.
이에 따라 본 발명은 상기의 테이프(20, 30)들을 이용하여 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막들의 접착력 즉, 하부막과의 접착력을 분석할 수 있다.Accordingly, the present invention can analyze the adhesion of predetermined films formed on the wafer using the
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 상기 테이프(20, 30)들을 이용하여 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막들의 접착력을 분석할 수 있는 것으로써, 상기 접착력이 분석시 서로 다른 접착력을 가지는 다층의 테이프(20) 또는 도4에 도시된 바와 같이 서로 다른 접착력을 가지는 영역이 연속적으로 배열되는 테이프(30)를 이용함으로써 상기 소정의 막의 접착력을 상대적으로 평가할 수 있다.According to the present invention having the above configuration, the adhesive force of predetermined films formed on the wafer may be analyzed by using the
즉, 도4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(40) 상에 형성시킨 소정의 막의 일정 영역을 소정의 깊이로 컷팅시킨 후, 상기 컷팅이 이루어진 소정의 막의 일정 영역에 본 발명의 상기 테이프(30)를 접착시킨다.That is, as shown in FIG. 4, after cutting a predetermined region of the predetermined film formed on the
그리고 상기 소정의 막 상에 접착이 이루어진 테이프(30)를 상기 웨이퍼(40)의 소정이 막에서 떼어낸다.Then, the
이에 따라 본 발명은 상기 테이프(30)를 이용함으로써 상기 소정의 막이 떨어지는 정도를 상대적으로 분석할 수 있다.Accordingly, the present invention can relatively analyze the degree to which the predetermined film falls by using the
즉, 상기 테이프(30)를 이용함으로써 웨이퍼(40) 상에 형성된 소정의 막의 각각의 영역의 접착력을 비교할 수 있고, 이에 따른 상대적인 접착력을 분석할 수 있다.That is, by using the
본 발명은 단순히 소정의 막의 접착력이 좋고, 나쁨을 판단하는 것이 아니라 어느 정도의 접착력을 가지는가 하는 등의 분석을 수행할 수 있다.According to the present invention, it is possible to carry out an analysis such as how much adhesive force a predetermined film has, and not having a bad judgment.
다시말해 상기 웨이퍼(40) 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 상대적으로 분석하여 상기 접착력을 개량적으로 평가할 수 있다.In other words, the adhesive force of the predetermined film formed on the
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막의 접착력을 개량적으로 평가함으로써 소정의 막의 접착력 등으로 인한 결함을 규명할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, by improving the adhesion of the predetermined film formed on the wafer, there is an effect of identifying the defect due to the adhesion of the predetermined film or the like.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
도1은 종래의 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a tape for analyzing the adhesive force of a predetermined film formed on a conventional wafer.
도2 및 도3은 본 발명에 따른 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막의 접착력을 분석하는 테이프의 실시예들을 나타내는 모식도이다.2 and 3 are schematic diagrams showing embodiments of a tape for analyzing the adhesion of a predetermined film formed on a wafer according to the present invention.
도4는 도3을 이용한 웨이퍼 상에 형성시킨 소정의 막의 접착력을 분석하는 상태를 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a view showing a state of analyzing the adhesive force of a predetermined film formed on the wafer using FIG.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
10, 20, 30 : 테이프 40 : 웨이퍼10, 20, 30: Tape 40: Wafer
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|---|---|---|---|
| KR1019970070621A KR100499167B1 (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Tape for Analyzing Adhesion of Predetermined Film Formed on Wafer |
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| JPH04186651A (en) * | 1990-11-16 | 1992-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | Peeling test method for tape and reel article |
| JPH06192629A (en) * | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Adhesive tape |
| JPH07106390A (en) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Nec Corp | Semiconductor wafer |
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1997
- 1997-12-19 KR KR1019970070621A patent/KR100499167B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04186651A (en) * | 1990-11-16 | 1992-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | Peeling test method for tape and reel article |
| JPH06192629A (en) * | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Adhesive tape |
| JPH07106390A (en) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Nec Corp | Semiconductor wafer |
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| KR19990051326A (en) | 1999-07-05 |
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