JPH02170552A - Method of dividing semiconductor substrate - Google Patents
Method of dividing semiconductor substrateInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エアブリッジ配線（架空配線）構造を有する
電子回路が形成された半導体基板の分割方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for dividing a semiconductor substrate on which an electronic circuit having an air bridge wiring (overhead wiring) structure is formed.
半導体集積回路は、その集積規模の拡大に伴い、多層配
線構造を採るようになってきている。そして、多層配線
構造を採用した場合、重なり合う配線層間に寄生容量が
発生し、この寄生容量のために、信号伝播が遅延すると
いった問題が生じた。Semiconductor integrated circuits are increasingly adopting multilayer wiring structures as the scale of integration increases. When a multilayer wiring structure is adopted, a problem arises in that parasitic capacitance occurs between overlapping wiring layers, and this parasitic capacitance delays signal propagation.
この信号伝播の遅延を改善するため、重なり合う配線層
間を空気で絶縁することが行われている。In order to improve this signal propagation delay, overlapping wiring layers are insulated with air.
すなわち、重なり合う配線のうち、上方に配置されるも
のの重なり部分を空間的に浮かせ、互いに重なり合う部
分の間に空隙を形成している。この様な構造を称して、
エアブリッジ配線構造若しくは架空配線構造という。That is, among the overlapping wirings, the overlapping portions of the wires disposed above are spatially floated to form a gap between the mutually overlapping portions. This kind of structure is called
This is called an air bridge wiring structure or an overhead wiring structure.
かかるエアブリッジ配線構造を有する半導体集積回路素
子は、ウェーハ状の半導体基板上に、フォトリソグラフ
ィ、イオン打ち込み、メツキ等の技術を駆使して複数形
成されるが、エアブリッジ配線構造は構造的に脆さを有
する。それゆえ、半導体Ｕ板をダイヤモンドブレード等
によって分割してチップ化する際に、研削水の水圧等に
よってエアブリッジ配線構造が破壊されることを防止す
べく、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形成されて
いる面に有機物質による保護膜を予め設けておいて、分
割後に半導体チップを有機溶剤に浸し、該保護膜を取り
除くことが行われている。A plurality of semiconductor integrated circuit elements having such an air bridge wiring structure are formed on a wafer-shaped semiconductor substrate using techniques such as photolithography, ion implantation, plating, etc. However, the air bridge wiring structure is structurally fragile. It has a certain quality. Therefore, when the semiconductor U board is divided into chips using a diamond blade or the like, an air bridge wiring structure is formed on the semiconductor substrate in order to prevent the air bridge wiring structure from being destroyed by the water pressure of the grinding water. A protective film made of an organic substance is previously provided on the surface of the chip, and after the semiconductor chip is divided, the semiconductor chip is immersed in an organic solvent to remove the protective film.
しかしながら、上述のように、有機物質によって保護膜
を形成し、分割後に有機溶剤によって保護膜を除去する
場合には、エキスパンドテープが該有機溶剤に弱いこと
から、エキスパンドテープに半導体チップを貼り付けた
ままの状態では、保護膜を除去することが出来ず、半導
体チップをエキスパンドテープから一つ一つ引き剥がし
て有機溶剤に浸さなければならなかった。However, as mentioned above, when a protective film is formed using an organic substance and the protective film is removed using an organic solvent after division, semiconductor chips are pasted on the expanded tape because the expanded tape is sensitive to the organic solvent. In this state, the protective film could not be removed, and the semiconductor chips had to be peeled off one by one from the expanded tape and immersed in an organic solvent.
この為、該保護膜の除去に多大の工数を必要とし、生産
性向上の障害となっていた。また、有機溶剤による保護
膜除去の際に、半導体チップは、ばらばらになってしま
うため、ウェーハ状態でプローブ装置等によって検査・
測定した検査・測定結果との対応が取れなくなる不都合
があった。For this reason, removing the protective film requires a large amount of man-hours, which has been an obstacle to improving productivity. In addition, when removing the protective film using an organic solvent, the semiconductor chip breaks into pieces, so it is necessary to inspect the semiconductor chip in the wafer state using a probe device, etc.
There was an inconvenience that it was impossible to correspond with the measured inspection/measurement results.
そこで、本発明は、上述の事情に鑑み、エアブリッジ配
線構造を有する電子回路が形成された半導体基板を分割
する場合に、分割後に有機溶剤によって保護膜を除去す
る必要のない半導体基板の分割方法を提供することを目
的としている。Therefore, in view of the above-mentioned circumstances, the present invention provides a method for dividing a semiconductor substrate that does not require removing a protective film with an organic solvent after dividing when dividing a semiconductor substrate on which an electronic circuit having an air bridge wiring structure is formed. is intended to provide.
上述の目的を達成するため、本発明による半導体基板の
分割方法においては、半導体基板のエアブリッジ配線構
造が形成された面に保護テープを貼り付けた後、半導体
基板を分割することを特徴としている。In order to achieve the above object, the method for dividing a semiconductor substrate according to the present invention is characterized in that the semiconductor substrate is divided after applying a protective tape to the surface of the semiconductor substrate on which the air bridge wiring structure is formed. .
この様に、本発明による半導体基板の分割方法において
は、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形成された面
に保護テープを貼り付けた後、半導体基板を分割するこ
ととしているので、該エアブリッジ配線構造に損傷を与
えることなく半導体基板の分割をすることが出来る。As described above, in the method for dividing a semiconductor substrate according to the present invention, the semiconductor substrate is divided after applying a protective tape to the surface of the semiconductor substrate on which the air bridge wiring structure is formed. A semiconductor substrate can be divided without damaging the structure.
以下、本発明の実施例について添付図面（ａ）〜（ｇ）
を参照しつつ、説明する。Hereinafter, attached drawings (a) to (g) regarding embodiments of the present invention are shown.
This will be explained with reference to.
図（ａ）〜（ｇ）は、本発明による半導体基板の分割方
法によって、半導体基板を分割する場合の半導体基板等
の断面を、その工程順に示している。Figures (a) to (g) show cross sections of a semiconductor substrate, etc., in the order of steps, when the semiconductor substrate is divided by the semiconductor substrate dividing method according to the present invention.
図（ａ）に示したように、先ず、半導体基板１の裏面１
ｂに、エキスパンドテープ２を貼り付ける。この半導体
基板１の表面１ａには、エアブリッジ配線構造を有する
電子回路が多数形成されている。エキスパンドテープ２
は、基板１に接する面に粘着材が塗布された粘着テープ
であり、粘着材の粘着力によって基板１をしっかりと固
定する。As shown in Figure (a), first, the back surface 1 of the semiconductor substrate 1 is
Attach expand tape 2 to b. On the surface 1a of this semiconductor substrate 1, a large number of electronic circuits having an air bridge wiring structure are formed. Expand tape 2
is an adhesive tape whose surface in contact with the substrate 1 is coated with an adhesive material, and the substrate 1 is firmly fixed by the adhesive force of the adhesive material.
次に、図（ｂ）に示したように、半導体基板１の表面１
ａに保護テープ３を貼り付ける。この保護テープ３も、
基板１に接する面に粘着材が塗布された粘着テープであ
るが、その粘着材には、エキスパンドテープ２の場合に
比べ粘着力が弱く、かつ、保護テープ３を基板１から引
き剥がす際に、表面１ａに形成されているエアブリッジ
配線構造を損傷させることがない程度の粘着力の粘着材
が用いられている。なお、この粘着力は、エアブリッジ
配線構造を形成する材料や配線の太さ、形状に応じて異
なるので、これらを勘案して決定される。Next, as shown in Figure (b), the surface 1 of the semiconductor substrate 1 is
Attach protective tape 3 to a. This protective tape 3 also
This adhesive tape has an adhesive applied to the surface that contacts the substrate 1, but the adhesive has weaker adhesive force than the expanded tape 2, and when the protective tape 3 is peeled off from the substrate 1, The adhesive material used has an adhesive strength that does not damage the air bridge wiring structure formed on the surface 1a. Note that this adhesive strength varies depending on the material forming the air bridge wiring structure, the thickness and shape of the wiring, and is determined by taking these into consideration.
保護テープ３を基板表面１ａに貼り付けた後、図（Ｃ）
に示したように、スクライブライン５上の保護テープ３
を取り除く。このスクライブライン５上の保護テープ３
の除去は、具体的には、２枚の剃刀状のカッタ（図示せ
ず）をその刃先がスクライブライン５の幅に一致するよ
うに重ね合わせ、重ね合わせたカッタをスクライブライ
ン５上にあわせて引き、これによって保護テープ３に形
成される２本の切込みの間の保護テープ３を、基板１か
ら引き剥がすことによってなされる。After pasting the protective tape 3 on the substrate surface 1a, Figure (C)
As shown in the figure, the protective tape 3 on the scribe line 5
remove. Protective tape 3 on this scribe line 5
Specifically, the removal is performed by overlapping two razor-shaped cutters (not shown) so that their cutting edges match the width of the scribe line 5, and aligning the overlapping cutters on the scribe line 5. This is done by peeling off the protective tape 3 from the substrate 1 between the two cuts formed in the protective tape 3 by pulling it.
次に、図（ｄ）に示したように、基板１を分割する。こ
の分割は、回転するダイヤモンドブレード（図示せず）
等を用いて、切削水を供給しながら、スクライブライン
５に沿って、基板１にその表面から裏面まで貫通する溝
６を形成することによってなされる。このとき、エアブ
リッジ配線構造は、保護テープ３によって覆われており
、切削水の水圧等によっても損傷しないように保護され
ている。Next, as shown in Figure (d), the substrate 1 is divided. This division is performed using a rotating diamond blade (not shown)
This is done by forming a groove 6 that penetrates the substrate 1 from the front surface to the back surface along the scribe line 5 while supplying cutting water using a tool or the like. At this time, the air bridge wiring structure is covered with a protective tape 3 to protect it from being damaged by water pressure of cutting water or the like.
基板１の分割の後、図（ｅ）に示したように、エキスパ
ンドテープ２を引き伸ばして、溝６の幅を拡張させ、こ
の後、図（ｆ）に示したように、半導体基板１の表面ｌ
ａ側に保護テープ３のうえから、更に、剥離テープ７を
貼り付ける。剥離テープ７は、保護テープ３に接する面
に粘着材が塗布された粘着テープであるが、その粘着材
には、保護テープ３の粘着材より粘着力が強い粘着材が
用いられている。After dividing the substrate 1, the expandable tape 2 is stretched to expand the width of the groove 6 as shown in FIG. l
A release tape 7 is further attached to the a side over the protective tape 3. The release tape 7 is an adhesive tape whose surface in contact with the protective tape 3 is coated with an adhesive material, and an adhesive material having stronger adhesive force than the adhesive material of the protective tape 3 is used as the adhesive material.
従って、剥離テープ７を一旦貼り付けた後、図（ｇ）に
示したように、剥離テープ７を基板１から剥離するよう
にすれば、保護テープ３の粘着力は、剥離テープ７の粘
着力より弱く、かつ、エキスパンドテープ２の粘着力よ
り弱いので、保護テープ３が剥離テープ７と共に、基盤
１から引き剥がされ、保護テープ３が基板１の表面１ａ
から除去される。ところで、保護テープ３の粘着力は、
上述したように、その剥離の際に、エアブリッジ配線構
造を損傷させることのない程度に抑えられているので、
この引き剥がしによって、エアブリッジ配線構造が損傷
することはないようになっている。Therefore, once the release tape 7 is pasted, if the release tape 7 is peeled off from the substrate 1 as shown in FIG. Since the adhesive force is weaker and weaker than the adhesive force of the expanded tape 2, the protective tape 3 is peeled off from the substrate 1 together with the release tape 7, and the protective tape 3 is attached to the surface 1a of the substrate 1.
removed from By the way, the adhesive strength of the protective tape 3 is
As mentioned above, the peeling is suppressed to the extent that it does not damage the air bridge wiring structure.
This peeling off will not damage the air bridge wiring structure.
上述の実施例においては、基板１に、先ず、エキスパン
ドテープ２を貼り付けた後、保護テープ３を貼り付ける
こととしているが、エキスパンドテープ２及び保護テー
プ３の基板１への貼り付は順序は、この逆であっても良
いし、また、同時であっても良い。In the above embodiment, the expandable tape 2 is first pasted on the substrate 1, and then the protective tape 3 is pasted, but the order of pasting the expandable tape 2 and the protective tape 3 on the substrate 1 is different. , this may be the reverse, or may be simultaneous.
また、上述の実施例においては、保護テープ３としては
、その粘着力が、保護テープ３を基板１の表面１ａから
引き剥がす際に、表面１ａに形成されているエアブリッ
ジ配線構造を破壊することのない程度のものを用（ごろ
こととしているが、剥離テープ７を保護テープ３の上か
ら貼り付ける前に、保護テープ３に紫外線を照射して、
保護テープ３の粘着力をエアブリッジ配線構造を破壊す
ることのない程度に弱めることとすれば、強い粘着力を
有する粘着テープを保護テープ３として用いることも可
能である。Further, in the above embodiment, the adhesive force of the protective tape 3 is such that when the protective tape 3 is peeled off from the surface 1a of the substrate 1, the air bridge wiring structure formed on the surface 1a is destroyed. Before pasting the release tape 7 on top of the protective tape 3, use a material with no
If the adhesive force of the protective tape 3 is weakened to an extent that does not destroy the air bridge wiring structure, it is also possible to use an adhesive tape with strong adhesive force as the protective tape 3.
上述のようにして、基板１を分割し、保護テープ３を除
去した後は、エキスパンドテープ２上で分割された半導
体チップは、パッケージ（図示せず）内に固定するダイ
ボンディング工程に至るまで、エキスパンドテープ２に
貼り付けたまま取り扱うことが可能である。After dividing the substrate 1 and removing the protective tape 3 as described above, the semiconductor chips divided on the expandable tape 2 are subjected to a die bonding process to be fixed in a package (not shown). It is possible to handle it while it is attached to the expandable tape 2.
以上説明したように、本発明による半導体基板の分割方
法においては、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形
成された面に保護テープを貼り付けた後、半導体基板を
分割することを特徴としているので、エアブリッジ配線
構造に損傷を与えることなく半導体基板の分割をするこ
とが出来、従来のように、分割後に、多大な工数を掛け
て、半導体チップを一つ一つエキスパンドテープから弓
き剥がし、有機溶剤に浸して有機保護膜を除去する必要
がなくなる。従って、生産性が向上すると共に、ウェー
ハ状態でプローブ装置等によって検査・ｎ１定した検査
・測定結果との対応が取りやすくなる。As explained above, the method for dividing a semiconductor substrate according to the present invention is characterized in that the semiconductor substrate is divided after applying a protective tape to the surface of the semiconductor substrate on which the air bridge wiring structure is formed. Semiconductor substrates can be divided without damaging the air bridge wiring structure, and unlike conventional methods, after division, the semiconductor chips are peeled off one by one from the expanded tape, requiring a large amount of man-hours. There is no need to remove the organic protective film by soaking in a solvent. Therefore, productivity is improved, and it becomes easier to correspond to the inspection and measurement results obtained by inspecting and determining n1 using a probe device or the like in the wafer state.
図（ａ）〜（ｇ）は、本発明による半導体基板の分割方
法によって、半導体基板を分割する場合の半導体基板等
の断面をその工程順に示した断面図である。
１・・・半導体基板、２・・・エキスパンドテープ、３
・・・保護テープ、５・・・スクライブライン、６・・
・溝、７・・・剥離テープ。
炙 大硬」
手続補正書（放）
事件の表示
昭和６３年
特許願
第３２５４８７号
発明の名称
半導体基板の分割方法
補正をする者
事件との関係Figures (a) to (g) are cross-sectional views showing cross sections of a semiconductor substrate, etc., in the order of steps when the semiconductor substrate is divided by the semiconductor substrate dividing method according to the present invention. 1... Semiconductor substrate, 2... Expanded tape, 3
...Protective tape, 5...Scribe line, 6...
・Groove, 7...Peeling tape. Procedural Amendment (Ho) Indication of the case 1986 Patent Application No. 325487 Name of the invention Person who amends the method of dividing semiconductor substrates Relationship with the case
Claims (1)
成された半導体基板の分割方法であって、前記半導体基
板の裏面にエキスパンドテープを貼り付け、前記半導体
基板の表面に保護テープを貼り付けた後、前記半導体基
板を分割することを特徴とする半導体基板の分割方法。 ２、前記保護テープの粘着力は、これを前記半導体基板
から引き剥がす際に、前記エアブリッジ配線構造を破壊
することがない程度のものであることを特徴とする請求
項１記載の半導体基板の分割方法。 ３、請求項１記載の半導体基板の分割方法を用いて前記
半導体基板を分割した後、分割された半導体基板の表面
に貼り付けられている保護テープに紫外線を照射し、こ
の紫外線照射の後に前記保護テープを前記半導体基板か
ら引き剥がすことを特徴とする半導体基板の分割方法。[Claims] 1. A method for dividing a semiconductor substrate on which an electronic circuit having an air bridge wiring structure is formed, the method comprising: attaching an expandable tape to the back surface of the semiconductor substrate to protect the surface of the semiconductor substrate; A method for dividing a semiconductor substrate, comprising dividing the semiconductor substrate after pasting a tape. 2. The semiconductor substrate according to claim 1, wherein the adhesive strength of the protective tape is such that the air bridge wiring structure is not destroyed when the protective tape is peeled off from the semiconductor substrate. Division method. 3. After dividing the semiconductor substrate using the semiconductor substrate dividing method according to claim 1, UV rays are irradiated to the protective tape attached to the surface of the divided semiconductor substrate, and after this UV irradiation, the A method for dividing a semiconductor substrate, comprising peeling off a protective tape from the semiconductor substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325487A JPH02170552A (en) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | Method of dividing semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325487A JPH02170552A (en) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | Method of dividing semiconductor substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170552A true JPH02170552A (en) | 1990-07-02 |
Family
ID=18177427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325487A Pending JPH02170552A (en) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | Method of dividing semiconductor substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170552A (en) |
Cited By (7)
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-
1988
- 1988-12-23 JP JP63325487A patent/JPH02170552A/en active Pending
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