KR100497275B1 - Method for setting a location of a wafer transfer arm - Google Patents

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KR100497275B1
KR100497275B1 KR10-2003-0002786A KR20030002786A KR100497275B1 KR 100497275 B1 KR100497275 B1 KR 100497275B1 KR 20030002786 A KR20030002786 A KR 20030002786A KR 100497275 B1 KR100497275 B1 KR 100497275B1
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 이송아암의 이동위치를 설정하는 방법에 관한 것으로, 지그웨이퍼에 큰 직경을 가진 홀을 형성하고, 상기 홀 내로 일단 센서에서 발광된 광이 조사되면 이후에는 일정단계에 따라 지그웨이퍼의 정확한 로딩위치를 검출한다.The present invention relates to a method for setting a moving position of a wafer transfer arm, wherein a hole having a large diameter is formed in a jig wafer, and once the light emitted from the sensor is irradiated into the hole, the jig wafer is subjected to a predetermined step. Detect the correct loading position.

본 발명에 의하면, 지그웨이퍼에 형성된 큰 직경을 가진 홀 내로 센서에서 발광된 광이 조사되면 이후에는 지그웨이퍼의 정확한 로딩위치를 정확하게 검출할 수 있으므로 이송아암의 수평 이동위치를 용이하게 설정할 수 있다According to the present invention, when the light emitted from the sensor is irradiated into the hole having a large diameter formed on the jig wafer, since the exact loading position of the jig wafer can be accurately detected, the horizontal movement position of the transfer arm can be easily set.

Description

웨이퍼 이송 아암의 위치 설정 방법{METHOD FOR SETTING A LOCATION OF A WAFER TRANSFER ARM}METHOD FOR SETTING A LOCATION OF A WAFER TRANSFER ARM}

본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 웨이퍼를 소정위치로 이송하는 이송아암의 수직위치 및 수평위치를 설정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for setting the vertical position and the horizontal position of the transfer arm for transferring the wafer to a predetermined position.

반도체 장치를 제조하기 위하여는 포토공정, 식각공정, 확산공정, 증착공정 및 금속공정 등을 통하여 적절한 전기적 특성들을 갖는 소자들을 웨이퍼 상에 형성하고, 이렇게 처리된 웨이퍼를 조립공정에 따라 다이싱하고, 팩케이징하는 등의 여러 공정들을 거치게 된다. In order to manufacture a semiconductor device, devices having appropriate electrical characteristics are formed on a wafer through a photo process, an etching process, a diffusion process, a deposition process, and a metal process, and the processed wafer is diced according to an assembly process, It goes through several processes, such as packaging.

웨이퍼는 이들 공정들간에 수차례 이동이 불가피하며, 각각의 공정을 진행하는 챔버 내의 서포터로 이송아암에 의해 이동된다. 예컨데, 스핀 코터 공정을 수행하는 설비에서, 웨이퍼는 이송아암에 의해 베이크, 도포 등의 공정을 각각 수행하는 복수의 유니트내의 서포터로 이동되거나, 이송아암간 웨이퍼를 수수하기 위한 버퍼부로 이동된다. 이 때 웨이퍼가 서포터의 정중앙에 정확하게 놓이는 것은 매우 중요하다. 웨이퍼가 베이크유니트나 도포유니트 내의 서포터에 부정확하게 위치되면 웨이퍼의 전체면에 대해 균일하게 가열되지 않거나 포토레지스트의 균일한 도포가 이루어지지 않게 되는 문제가 발생한다. 또한, 버퍼부의 서포터에 정확하게 놓이지 않으면 이송아암은 웨이퍼를 불안정하게 홀딩하게 되고, 이로 인해 이송간에 웨이퍼가 떨어지는 등의 문제가 발생한다. The wafer is inevitably moved several times between these processes and is moved by the transfer arm to the supporter in the chamber where each process proceeds. For example, in a facility for performing a spin coater process, a wafer is moved by a transfer arm to a supporter in a plurality of units which respectively perform a process such as baking and coating, or a buffer unit for receiving a wafer between transfer arms. At this time, it is very important that the wafer is placed exactly at the center of the supporter. If the wafer is inaccurately placed in the bake unit or supporter in the application unit, a problem arises in that the entire surface of the wafer is not uniformly heated or uniform application of the photoresist occurs. In addition, if it is not correctly placed on the supporter of the buffer unit, the transfer arm unstablely holds the wafer, which causes problems such as the wafer falling off between transfers.

따라서, 웨이퍼를 서포터에 정확하게 위치시키기 위해 각 공정을 수행하기 전에 서포트 상에 웨이퍼를 위치시키는 이송아암의 이동위치를 설정하여야 한다. 이송아암의 이동위치의 설정은 작업자에 의한 수동작업으로 이루어지거나 다음과 같은 방법으로 이루어진다. 웨이퍼가 로딩되는 위치의 센터로 광을 조사하는 센서가 서포터의 상부에 위치되고, 이송아암의 위치설정을 위해 사용되는 지그웨이퍼의 중앙에는 매우 미세한 홀(대략 지름 1mm 이하)이 형성된다. 이후 이송아암이 지그웨이퍼를 지그재그방식으로 이동시키면서 광이 상기 홀 내로 유입되는 위치를 찾고, 그 위치를 이송아암의 위치로 설정한다. 그러나 이러한 방법은 홀이 미세하기 때문에 그 위치를 찾는데 많은 어려움이 있을 뿐만 아니라, 그 위치를 찾는 데에 많은 시간이 소요된다. 이러한 방식에서 홀의 직경이 커지면 서포트 상에 놓이는 웨이퍼의 위치가 부정확하게 된다.Therefore, in order to accurately position the wafer on the supporter, the transfer position of the transfer arm for placing the wafer on the support must be set before performing each process. Setting of the movement position of the transfer arm is made by manual operation by the operator or in the following manner. A sensor for irradiating light to the center of the position where the wafer is loaded is located on the upper part of the supporter, and a very fine hole (approximately 1 mm or less in diameter) is formed in the center of the jig wafer used for positioning the transfer arm. Thereafter, the transfer arm moves the jig wafer in a zigzag manner and finds a position where the light is introduced into the hole, and sets the position to the position of the transfer arm. However, this method is not only difficult to find the location because the hole is minute, but also takes a long time to find the location. In this way, the larger the diameter of the hole, the incorrect position of the wafer on the support.

본 발명은 서포터상에 웨이퍼가 정확하게 놓여질 수 있도록 이송아암의 이동위치를 용이하고 정확하게 설정할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a method for easily and accurately setting a moving position of a transfer arm so that a wafer can be accurately placed on a supporter.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이송아암의 위치 설정방법은 상기 웨이퍼의 로딩위치 센터에 광을 조사하는 센서부가 위치되는 단계, 중앙에 소정크기의 홀이 형성된 지그 웨이퍼가 상기 아암에 의해 상기 서포터 상으로 이동되는 단계, 상기 아암의 수직 이동위치를 설정하는 단계, 그리고 상기 지그 웨이퍼의 중심이 상기 로딩위치 센터에 위치되도록 상기 아암의 수평 이동위치를 설정하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, the method of setting a transfer arm according to an embodiment of the present invention includes positioning a sensor unit for irradiating light to a loading position center of the wafer, wherein a jig wafer having a predetermined size hole is formed by the arm. Moving onto the supporter, setting the vertical movement position of the arm, and setting the horizontal movement position of the arm such that the center of the jig wafer is located at the loading position center.

또한, 상기 아암의 수평 이동위치를 설정하는 단계는 상기 광이 상기 지그 웨이퍼의 홀내로 조사되도록 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 일정방향으로 이동하는 단계, 상기 광이 상기 홀내로 최초 조사되는 상기 아암의 제 1수평위치와 이후에 상기 광이 상기 홀로부터 벗어나는 상기 아암의 제 2수평위치를 검출하는 단계, 상기 제 1수평위치와 상기 제 2수평위치의 중심으로 상기 아암이 상기 지그 웨이퍼를 이동하는 단계, 상기 제 1수평위치와 상기 제 2수평위치를 연결한 선분과 수직한 일방향으로 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 이동하고 상기 광이 상기 홀로부터 벗어나는 상기 아암의 제 3수평위치를 검출하는 단계, 상기 일방향과 반대방향으로 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 이동하고 상기 광이 상기 홀로부터 벗어나는 상기 아암의 제 4수평위치를 검출하는 단계, 그리고 상기 제 3수평위치와 상기 제 4수평위치의 중심을 상기 아암의 수평 이동위치로 설정하는 단계를 포함한다.The setting of the horizontal movement position of the arm may include moving the jig wafer in a predetermined direction so that the light is irradiated into the hole of the jig wafer, and the light is first irradiated into the hole. Detecting a first horizontal position and a second horizontal position of said arm from which said light deviates from said hole, and said arm moving said jig wafer about the center of said first horizontal position and said second horizontal position; Detecting a third horizontal position of the arm in which the arm moves the jig wafer in a direction perpendicular to a line segment connecting the first horizontal position and the second horizontal position and the light deviates from the hole; A fourth horizontal position of the arm in which the arm moves the jig wafer in a direction opposite to one direction and the light deviates from the hole And detecting a center of the third horizontal position and the fourth horizontal position as the horizontal movement position of the arm.

또한, 상기 아암의 수직 이동위치를 설정하는 단계는 상기 센서부로부터 반사량이 최대가 되는 아암의 위치인 기준위치를 검출하는 단계와 상기 기준위치로부터 기설정된 소정거리를 가감한 위치를 상기 아암의 수직 이동위치로 설정하는 단계를 포함한다. 상기 기준위치를 검출하는 단계는 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 상하방향 중 일방향으로 이동하는 단계, 상기 지그웨이퍼로부터 반사되는 상기 광의 반사량이 기설정된 반사량의 소정크기와 동일한 순간의 상기 아암의 제 1수직위치를 검출하는 단계, 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 상기 상하방향 중 일방향과 반대방향으로 이동하는 단계, 상기 지그웨이퍼로부터 반사되는 상기 광의 반사량이 상기 기설정된 반사량의 소정크기와 동일한 순간의 상기 아암의 제 2수직위치를 검출하는 단계, 그리고 상기 제 1수직위치와 상기 제 2수직위치의 중심을 상기 기준위치로 설정하는 단계를 포함한다.The setting of the vertical movement position of the arm may include detecting a reference position, which is a position of an arm having a maximum reflection amount, from the sensor unit, and adding or subtracting a predetermined distance from the reference position. And setting the movement position. In the detecting of the reference position, the arm moves the jig wafer in one of the up and down directions, and the first vertical direction of the arm at a moment when the reflection amount of the light reflected from the jig wafer is equal to a predetermined size of a predetermined reflection amount. Detecting a position, the arm moving the jig wafer in a direction opposite to one of the up and down directions, and when the amount of reflection of the light reflected from the jig wafer is equal to a predetermined size of the predetermined amount of reflection, Detecting a second vertical position, and setting a center of the first vertical position and the second vertical position as the reference position.

상기 지그웨이퍼에 형성된 상기 홀은 5mm 내지 10mm의 직경을 가진다. 그러나 이와 달리 상기 홀은 시스템에 따라 적당한 직경으로 형성될 수 있다.The hole formed in the jig wafer has a diameter of 5mm to 10mm. Alternatively, however, the holes may be formed to a suitable diameter depending on the system.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 및 도 8을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 본 실시예에서 이송아암의 이동위치는 서포터로부터 리프트 핀이 돌출될 때 리프트 핀상에 지그웨이퍼(또는 웨이퍼)를 위치시키기 위해 이송아암이 서포터 위로 이동된 최종위치를 말한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 and 8. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description. In this embodiment, the transfer position of the transfer arm refers to the final position where the transfer arm is moved above the supporter to position the jig wafer (or wafer) on the lift pin when the lift pin protrudes from the supporter.

도 1은 포토 공정을 수행하는 설비의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 일측에는 웨이퍼를 소정온도로 가열하는 베이크 유니트들(100)이 일렬로 위치되고, 베이크 유니트(100)와 마주보는 타측에는 포토레지스트를 웨이퍼에 도포하기 위한 도포 유니트들(200)이 일렬 위치된다. 베이크 유니트(100)와 도포 유니트(200)의 사이에는 이들 유니트들(100, 200)로 웨이퍼를 이송하는 이송아암(320)이 설치된 이송부들(300)이 위치된다. 또한 이송부들(300) 사이에는 이송아암들(320)간 웨이퍼를 주고받기 위해 웨이퍼가 놓여지는 버퍼부(400)가 위치된다.1 is a view schematically showing a part of a facility for performing a photo process. Referring to FIG. 1, baking units 100 for heating a wafer to a predetermined temperature are disposed at one side, and coating units 200 for coating a photoresist on the other side facing the baking unit 100. ) Is lined up. Between the baking unit 100 and the application unit 200, the transfer unit 300 is provided with a transfer arm 320 for transferring the wafer to these units (100, 200). In addition, a buffer unit 400 in which a wafer is placed is disposed between the transfer units 300 to exchange wafers between the transfer arms 320.

이송아암(320)은 상하 및 전후방향의 직선이동과 자신의 축을 중심으로 회전이동된다. 이와 함께 이송아암(320)은 좌우방향으로 직선이동될 수도 있다. 이송아암(320)은 소정공정을 수행하기 위해 각 유니트(100, 200) 내에 위치된 서포터(440)로 웨이퍼를 이동시키거나 이송아암(320)간 웨이퍼를 주고받기 위해 버퍼부(400) 내에 위치된 서포터(440)로 웨이퍼를 이동시킨다. 서포터(440)는 웨이퍼를 장착하는 방식에 따라 기계적인 핑거를 지니는 기계적인 척, 웨이퍼와 척사이에 정전기적 인력을 발생하여 웨이퍼를 고정시키는 정전척, 진공에 의해 웨이퍼를 고정시키는 진공척등이 될 수 있다.The transfer arm 320 is rotated about its own axis and linear movement in the vertical direction. In addition, the transfer arm 320 may be linearly moved in the left and right directions. The transfer arm 320 is positioned in the buffer unit 400 to move the wafer to the supporter 440 located in each unit 100 or 200 to perform a predetermined process or to exchange wafers between the transfer arms 320. The wafer is moved to the supported supporter 440. The supporter 440 may include a mechanical chuck having a mechanical finger, an electrostatic chuck that generates an electrostatic attraction between the wafer and the chuck according to a method of mounting the wafer, and a vacuum chuck that fixes the wafer by vacuum. Can be.

서포터(440)의 가장자리에는 리프트 핀들(442)이 상하로 이동되는 통로인 홀들이 형성되며, 그 수는 세 개 또는 그 이상일 수 있다. 즉 웨이퍼가 이송아암(320)에 의해 서포터(440) 상으로 이동되면, 리프트 핀들(442)이 상승하여 웨이퍼를 지지한다. 이후 이송아암(320)이 웨이퍼를 릴리즈한 후 원위치로 복귀하며, 리프트 핀들(442)은 아래로 하강하면서 웨이퍼는 정전기적 인력에 의해 또는 진공에 의해 서포터(440)에 장착된다. 웨이퍼를 서포터(440) 상에 위치시키는 이송아암(320)의 수평 이동위치가 부정확하게 설정되면, 웨이퍼가 불균일하게 가열되거나, 포토레지스트가 불균일하게 도포되는 등 소정의 공정이 웨이퍼에 균일하게 수행되지 않게 된다. 그리고 서포터(440) 상에 위치된 웨이퍼를 홀딩하기 위한 이송아암(320)의 수평 이동위치가 부정확하게 설정되면, 이송아암(320)간 웨이퍼를 수수하기 위한 버퍼부(400)에서는 서포터(440)에 놓여진 웨이퍼를 정확히 홀딩하지 못하고 이동 중 웨이퍼를 떨어뜨릴 수 있다. Holes, which are passages through which the lift pins 442 are moved up and down, are formed at the edge of the supporter 440, and the number may be three or more. That is, when the wafer is moved onto the supporter 440 by the transfer arm 320, the lift pins 442 are raised to support the wafer. The transfer arm 320 then returns to its original position after releasing the wafer, and the lift pins 442 are lowered while the wafer is mounted to the supporter 440 by electrostatic attraction or by vacuum. If the horizontal movement position of the transfer arm 320 that positions the wafer on the supporter 440 is set incorrectly, a predetermined process such as the wafer being unevenly heated or the photoresist is unevenly applied may not be performed uniformly on the wafer. Will not. If the horizontal movement position of the transfer arm 320 for holding the wafer positioned on the supporter 440 is set incorrectly, the supporter 440 is used in the buffer unit 400 for receiving the wafer between the transfer arms 320. It is not possible to correctly hold the wafer placed on the wafer and may drop the wafer during movement.

또한, 이송아암(320)의 수직 이동위치가 부정확하게 설정되면 웨이퍼를 지지하기 위해 위로 상승되는 리프트 핀들(442)과 웨이퍼가 충돌될 수 있다. 따라서 공정을 진행하기 전 지그웨이퍼(20)를 사용하여 이송아암(320)의 위치를 설정한다. 지그웨이퍼(20)는 중앙에 홀이 형성된 웨이퍼로서, 일반웨이퍼를 사용하거나 일반웨이퍼와 동일조건을 가진 모형일 수 있다. In addition, if the vertical movement position of the transfer arm 320 is set incorrectly, the lift pins 442, which are lifted up to support the wafer, may collide with the wafer. Therefore, the position of the transfer arm 320 is set using the jig wafer 20 before proceeding with the process. The jig wafer 20 is a wafer with a hole formed in the center, and may be a model using a general wafer or having the same conditions as a general wafer.

도 2는 이송아암(320)의 이동위치를 설정하기 위한 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 하부에는 웨이퍼가 놓여지는 서포터(440)가 위치되고, 그 상부에는 센서(420)가 설치된다. 도 2에서 가상선으로 표시된 것은 서포터(440)로부터 돌출된 리프트 핀(442) 상의 정확한 위치에 로딩된 상태의 지그웨이퍼(20)를 보여주는 것이다. 이하 가성선으로 표시된 지그웨이퍼의 위치를 로딩위치라 칭한다. 센서(420)는 상기 로딩위치의 센터로 광을 조사하는 발광부와 지그웨이퍼(20)의 표면에 부딪혀 반사되는 광을 수용하는 수광부를 가진다. 센서(420)는 반사되는 광의 반사량을 측정할 수 있는 센서(420)를 사용하는 것이 바람직하다. 센서(420)는 이송아암(320)의 이동을 제어하는 제어부(500)와 연결된다.2 is a view schematically showing a configuration for setting the movement position of the transfer arm (320). Referring to FIG. 2, a supporter 440 on which a wafer is placed is positioned at a lower portion thereof, and a sensor 420 is installed at an upper portion thereof. Shown as an imaginary line in FIG. 2 shows the jig wafer 20 loaded at the correct position on the lift pin 442 protruding from the supporter 440. Hereinafter, the position of the jig wafer indicated by the pseudo line is called a loading position. The sensor 420 has a light emitting part for irradiating light to the center of the loading position and a light receiving part for receiving light reflected from the surface of the jig wafer 20. The sensor 420 preferably uses a sensor 420 capable of measuring the amount of reflection of the reflected light. The sensor 420 is connected to the control unit 500 that controls the movement of the transfer arm 320.

다음에는 도 4 내지 도 8을 참조하여 이송아암(320)의 이동위치를 설정하는 방법을 설명한다. 도 4와 도 5는 각각 이송아암(320)의 수직 이동위치와 수평이동위치를 설정하는 방법을 각각 보여주는 도면이고, 도 6 내지 도 8은 각각 이송아암(320)의 이동위치, 수직 이동위치, 그리고 수평이동위치를 설정하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로차트이다.Next, a method of setting the moving position of the transfer arm 320 will be described with reference to FIGS. 4 to 8. 4 and 5 are views showing a method for setting the vertical movement position and the horizontal movement position of the transfer arm 320, respectively, and FIGS. 6 to 8 are the movement position, vertical movement position, respectively of the transfer arm 320, And it is a flowchart showing how to set the horizontal movement position sequentially.

처음에 센서(420)로부터 상기 로딩위치의 센터로 광이 조사된다(스텝 S100). 이송아암(320)은 지그웨이퍼(20)를 서포터(440) 상부로 이동한다(스텝 S200). 다음에 이송아암(320)의 위치설정을 행한다. 이송아암(320)의 위치설정은 크게 이송아암(320)의 수직 이동위치 설정과 수평 이동위치 설정으로 나누어 행해지며, 수직 이동위치 설정을 먼저 행한다(스텝 S300). First, light is irradiated from the sensor 420 to the center of the loading position (step S100). The transfer arm 320 moves the jig wafer 20 to the upper portion of the supporter 440 (step S200). Next, the transfer arm 320 is positioned. The positioning of the transfer arm 320 is largely divided into the vertical movement position setting and the horizontal movement position setting of the transfer arm 320, and the vertical movement position is first set (step S300).

도 3은 센서(420)와 지그웨이퍼(20)와의 거리와 지그웨이퍼(20)로부터 반사된 광의 반사량의 관계를 보여주는 도면이다. 일반적으로 반사량은 지그웨이퍼(20)의 상태, 주변의 환경조건등에 따라 그 크기가 변하나, 센서(420)와 지그웨이퍼(20)와의 거리 및 광의 반사량은 도 3에 도시된 그래프와 같은 형상을 가진다. 도 3에서 X축은 센서(420)와 지그웨이퍼(20)사이의 거리를 나타내는 축이고, Y축은 반사량을 나타내는 축이다. 즉, 소정거리(Q) 이내에서는 지그웨이퍼(20)가 센서(420)로부터 멀어질수록 반사량은 증가하나, 소정거리(Q) 이상되면 지그웨이퍼(20)가 센서(420)로부터 멀어질수록 반사량이 감소된다. 도 3에서 보는 바와 같이 반사량과 거리의 관계는 Q 점을 중심으로 대칭을 이룬다.3 is a diagram illustrating a relationship between the distance between the sensor 420 and the jig wafer 20 and the amount of reflection of light reflected from the jig wafer 20. In general, the amount of reflection varies according to the state of the jig wafer 20 and the surrounding environmental conditions, but the distance between the sensor 420 and the jig wafer 20 and the amount of light reflection have a shape as shown in the graph of FIG. 3. . In FIG. 3, the X axis represents the distance between the sensor 420 and the jig wafer 20, and the Y axis represents the reflection amount. That is, within the predetermined distance Q, the reflection amount increases as the jig wafer 20 moves away from the sensor 420, but when the jig wafer 20 moves away from the sensor 420, the reflection amount increases when the jig wafer 20 moves away from the sensor 420. Is reduced. As shown in FIG. 3, the relationship between the reflection amount and the distance is symmetric about the Q point.

본 발명에서 이송아암(320)의 수직위치는 리프트 핀(442)이 서포터(440)의 상부로 돌출된 상태에서 웨이퍼가 리프트 핀(442)에 맞닿는 상태가 되도록 설정되는 것이 바람직하다. 상술한 이송아암(320)의 수직위치를 설정하기 위해, 우선 기준위치(도 4e의 n)를 검출한다(스텝 S320). 여기서 기준위치는 상기 로딩위치(도 4e의 k)로부터 소정거리(Z) 이격된 위치를 나타내며, 본실시예에서 상기 기준위치는 센서로부터 조사된 광이 지그웨이퍼(20)에 부딪혀 반사되는 양이 최대가 되는 위치이다. 상기 소정거리는 설비에 따라 기설정된 거리이다. In the present invention, the vertical position of the transfer arm 320 is preferably set such that the wafer is in contact with the lift pin 442 in a state in which the lift pin 442 protrudes above the supporter 440. In order to set the vertical position of the transfer arm 320 described above, first, the reference position (n in Fig. 4E) is detected (step S320). Here, the reference position represents a position spaced apart from the loading position (k in FIG. 4E) by a predetermined distance (Z). In this embodiment, the reference position is an amount of light reflected from the sensor hitting the jig wafer 20 and reflected. This is the maximum position. The predetermined distance is a distance preset according to the facility.

도 4는 이송아암(320)의 기준위치(n)를 검출하는 것을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 처음에 이송아암(320)은 지그웨이퍼(20)를 서포터(440)의 상부로 이동시킨다(도 4a). 여기서 이송아암(320)은 정확한 위치설정이 되어 있지 않은 상태이므로 지그웨이퍼(20)의 중심은 상술한 로딩위치의 센터와 일치하지 않는다. 이송아암(320)의 수직 이동위치를 설정하기 위해 이송아암(320)은 지그웨이퍼(20)를 아래로 이동시킨다(스텝 S321). 센서로부터 조사된 광은 지그웨이퍼(20)에 부딪혀 반사되며, 그 반사량은 계속적으로 체크된다. 반사량이 소정크기(도 3의 P점)를 가지게 되면 그 위치를 이송아암(320)의 제 1수직위치(ℓ)로 제어부(500)에 저장된다(도 4b, 스텝 S322). 이후 이송아암(320)은 지그웨이퍼(20)를 위로 이동시킨다(스텝 S323). 반사량은 계속 증가하며, 어느 순간 최대값을 가지며 이후에는 줄어든다. 반사량이 상기 소정크기(도 3의 P)를 가지게 되면, 그 위치를 이송아암(320)의 제 2수직위치(m)로 제어부(500)에 저장한다(도 4c, 스텝 S324). 제 1수직위치(ℓ)와 제 2수직위치(m)의 중심(n)을 상기 기준위치로 설정한다(도 4d, 스텝 S325). 이후에 상기 기준위치로부터 소정거리(Z)만큼 이동된 위치(k)를 이송아암(320)의 수직 이동위치로 설정한다(도 4e스텝 S340).4 is a diagram illustrating detecting a reference position n of the transfer arm 320. Referring to FIG. 4, the transfer arm 320 initially moves the jig wafer 20 to the top of the supporter 440 (FIG. 4A). Since the transfer arm 320 is not in the correct position, the center of the jig wafer 20 does not coincide with the center of the above-described loading position. To set the vertical movement position of the transfer arm 320, the transfer arm 320 moves the jig wafer 20 downward (step S321). Light irradiated from the sensor hits the jig wafer 20 and is reflected, and the amount of reflection is continuously checked. When the amount of reflection has a predetermined size (P point in Fig. 3), the position is stored in the control part 500 at the first vertical position l of the transfer arm 320 (Fig. 4B, step S322). Thereafter, the transfer arm 320 moves the jig wafer 20 upward (step S323). The amount of reflection continues to increase, at which point it peaks and then decreases. When the amount of reflection has the predetermined size (P in Fig. 3), the position is stored in the control part 500 at the second vertical position m of the transfer arm 320 (Fig. 4C, step S324). The center n of the first vertical position l and the second vertical position m is set to the reference position (Fig. 4D, step S325). Thereafter, the position k moved by the predetermined distance Z from the reference position is set as the vertical movement position of the transfer arm 320 (Fig. 4E step S340).

상술한 예에서는 이송아암을 처음에 아래로 이동시키고 이후에 위로 이동시켜 제 1수직위치와 제 2수직위치를 검출하였으나, 이와 달리 처음에 위로 이동시키고 이후에 아래로 이동시키는 순서를 취할 수 있다.In the above-described example, the first and second vertical positions are detected by moving the transfer arm downward first and then upwardly. Alternatively, the transfer arm may be moved first and then downward.

이송아암(320)의 수직 이동위치 설정이 끝나면 이송아암(320)의 수평 이동위치를 설정한다(스텝 S400). 수평 이동위치는 지그웨이퍼(20)의 중심이 로딩상태에서 센터와 일치되도록 하는 이송아암(320)의 위치이다. 도 5는 이송아암(320)의 수평 이동위치를 설정하는 것을 보여주는 도면이며, 도 5에서 x는 로딩위치의 센터를 나타내며, 이와 동시에 광이 조사되는 위치이다.After setting the vertical movement position of the transfer arm 320, the horizontal movement position of the transfer arm 320 is set (step S400). The horizontal movement position is the position of the transfer arm 320 such that the center of the jig wafer 20 coincides with the center in the loaded state. 5 is a view showing setting the horizontal movement position of the transfer arm 320, x in Figure 5 represents the center of the loading position, and at the same time the position to which the light is irradiated.

도 5를 참조하면, 센서(420)로부터 나오는 광이 지그웨이퍼(20)에 형성된 홀(22) 내에 조사되도록 이송아암(320)은 지그웨이퍼(20)를 지그재그식으로 이동시킨다(도 5a, 스텝 S410). 지그웨이퍼(20)의 표면은 상기 광을 반사시킬 수 있는 재질로 되어 있으므로 그 표면으로 조사되는 광은 반사되나 지그웨이퍼(20)에 형성된 홀로 조사되는 광은 반사되지 않는다. 광이 홀(22) 내에 조사되는 순간 그 위치를 이송아암(320)의 제 1수평위치(12)로 제어부(500)에 저장한다(도 5b). 이송아암(320)은 지그웨이퍼(20)를 계속 이동시키면서 광이 홀(22)로부터 벗어나는 순간, 그 위치를 이송아암(320)의 제 2수평위치(13)로 제어부(500)에 저장한다(도 5c, 스텝 S420). 이송아암(320)은 제 1수평위치(12)와 제 2수평위치(13)의 중심(14)으로 지그웨이퍼(20)를 이동한다(도 5d, 스텝 S430). 이 후 이송아암(320)은 제 1수평위치(12)와 제 2수평위치(13)를 연결한 선분에 수직한 방향으로 지그웨이퍼(20)를 이동한다(스텝 S440). 이동 중 광이 홀(22)로부터 벗어나는 순간, 그 위치를 제 3수평위치(15)로 제어부(500)에 저장한다(도 5e, 스텝 S450). 이송아암(320)은 반대방향으로 지그웨이퍼(20)를 이동하며(스텝 S460), 광이 홀(22)로부터 벗어나는 순간, 그 위치를 제 4수평위치(16)로 제어부(500)에 저장한다(도 5f. 스텝 S470). 상기 제 3수평위치(15)와 제 4수평위치(16)의 중심(17)을 이송아암(320)의 수평 이동위치로 설정한다(도 5g, 스텝 S480).Referring to FIG. 5, the transfer arm 320 moves the jig wafer 20 in a zigzag fashion so that the light from the sensor 420 is irradiated into the hole 22 formed in the jig wafer 20 (FIG. 5A, step). S410). Since the surface of the jig wafer 20 is made of a material capable of reflecting the light, the light irradiated to the surface of the jig wafer 20 is reflected, but the light irradiated to the hole formed in the jig wafer 20 is not reflected. The moment the light is irradiated into the hole 22, the position is stored in the control unit 500 as the first horizontal position 12 of the transfer arm 320 (FIG. 5B). The transfer arm 320 stores the position in the control unit 500 as the second horizontal position 13 of the transfer arm 320 as soon as the light deviates from the hole 22 while continuously moving the jig wafer 20 ( 5C, step S420). The transfer arm 320 moves the jig wafer 20 to the center 14 of the first horizontal position 12 and the second horizontal position 13 (FIG. 5D, step S430). Thereafter, the transfer arm 320 moves the jig wafer 20 in the direction perpendicular to the line segment connecting the first horizontal position 12 and the second horizontal position 13 (step S440). The moment the light deviates from the hole 22 during movement, the position is stored in the control part 500 as the 3rd horizontal position 15 (FIG. 5E, step S450). The transfer arm 320 moves the jig wafer 20 in the opposite direction (step S460), and at the moment when the light deviates from the hole 22, the transfer arm 320 stores the position in the control unit 500 as the fourth horizontal position 16. (FIG. 5F. Step S470). The center 17 of the third horizontal position 15 and the fourth horizontal position 16 is set to the horizontal moving position of the transfer arm 320 (Fig. 5G, step S480).

이후 실제 공정진행시에 이송아암(320)은 설정된 이동위치로 웨이퍼를 이송하며, 웨이퍼는 안정적으로 리프트 핀(442) 상에 놓여질 수 있고, 한쪽으로 치우치지 않고 서포터(440)의 중심에 정확히 위치될 수 있다.Thereafter, during the actual process, the transfer arm 320 transfers the wafer to the set moving position, and the wafer can be stably placed on the lift pin 442 and is exactly positioned at the center of the supporter 440 without being biased to one side. Can be.

지그웨이퍼(20)에 형성된 홀(22)은 일반적인 경우에 비해 매우 크게 형성된다. 홀(22)의 지름이 지나치게 작으면 처음에 이송아암(320)의 제 1 수평위치(12)를 검출하는 것이 어렵기 때문이다. 바람직하게는 홀의 지름은 5mm 내지 10mm로 유지되는 것이 바람직하다.The holes 22 formed in the jig wafer 20 are formed to be much larger than in the general case. If the diameter of the hole 22 is too small, it is difficult to detect the first horizontal position 12 of the transfer arm 320 initially. Preferably the diameter of the hole is preferably maintained from 5mm to 10mm.

본 실시예에 의하면, 지그웨이퍼에 형성된 홀이 일반적인 경우에 비해 매우 크기 때문에 제 1수평위치를 용이하게 검출할 수 있고, 이후 이동아암의 수평이동위치는 수학적인 계산에 의해 정확하게 설정할 수 있다.According to this embodiment, since the hole formed in the jig wafer is much larger than in the general case, the first horizontal position can be easily detected, and then the horizontal moving position of the movable arm can be accurately set by mathematical calculation.

본 실시예에서는 도포유니트(200), 베이크 유니트(100), 그리고 이송아암(320)간 웨이퍼를 수수하는 버퍼부를 구비한 설비를 예로 들어 설명하였으나, 이외에 스크러버 설비 등과 같이 웨이퍼를 소정위치로 이송하는 이송아암(320)을 사용하는 모든 설비에 사용될 수 있다.In the present embodiment, a description has been made with an example having a buffer unit for receiving a wafer between the coating unit 200, the baking unit 100, and the transfer arm 320, but in addition, the wafer is moved to a predetermined position such as a scrubber facility. It can be used for all installations using the transfer arm 320.

본 발명에 의하면 지그웨이퍼에 형성된 큰 직경을 가진 홀 내로 센서에서 발광된 광이 조사되면 이후에는 지그웨이퍼의 정확한 로딩위치를 정확하게 검출할 수 있으므로 이송아암의 수평 이동위치를 용이하게 설정할 수 있다.According to the present invention, when the light emitted from the sensor is irradiated into the hole having the large diameter formed on the jig wafer, the precise loading position of the jig wafer can be detected accurately, so that the horizontal movement position of the transfer arm can be easily set.

또한, 본 발명에 의하면, 이송아암의 수직 이동위치를 쉽고 용이하게 검출할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, there is an effect that the vertical movement position of the transfer arm can be easily and easily detected.

또한, 본 발명에 의하면, 지그웨이퍼에 형성된 홀의 크기가 일반적인 경우에 비해 매우 크므로 이송아암은 최초 광이 조사되는 위치를 용이하게 찾을 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the size of the hole formed in the jig wafer is very large as compared with the general case, the transfer arm has an effect that it is easy to find the position where the initial light is irradiated.

도 1은 스핀코터설비의 개략적인 구성을 보여주는 도면;1 is a view showing a schematic configuration of a spin coater facility;

도 2는 본 발명의 웨이퍼 이송 아암의 위치를 설정하는 장치를 개략적으로 도시한 도면;2 schematically illustrates an apparatus for positioning a wafer transfer arm of the present invention;

도 3은 센서와 지그웨이퍼간의 거리와 광의 반사량과의 관계를 보여주는 그래프;3 is a graph showing the relationship between the distance between the sensor and the jig wafer and the amount of light reflection;

도 4a 내지 도4e는 이송아암의 수직 이동위치를 설정하는 순서를 보여주는 도면;4A to 4E show a procedure for setting the vertical movement position of the transfer arm;

도 5a 내지 도5g는 이송아암의 수평 이동위치를 설정하는 순서를 보여주는 도면;5A to 5G show a procedure for setting the horizontal movement position of the transfer arm;

도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 이송아암의 위치를 설정하는 순서를 순차적으로 보여주는 플로차트;6 is a flowchart showing a sequence of setting the position of the transfer arm according to an embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 이송아암의 수직위치를 설정하는 순서를 순차적으로 보여주는 플로차트;그리고7 is a flowchart sequentially showing the order of setting the vertical position of the transfer arm according to an embodiment of the present invention; and

도 8은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 이송아암의 수평위치를 설정하는 순서를 순차적으로 보여주는 플로차트이다.8 is a flowchart sequentially showing the order of setting the horizontal position of the transfer arm according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on main parts of the drawing

420 : 센서 440 : 서포터420: sensor 440: supporter

442 : 리프트 핀 500 : 제어부442: lift pin 500: control unit

320 : 이송아암320: transfer arm

Claims (7)

반도체 소자 제조를 위한 설비에서 웨이퍼를 서포터로 이동하는 아암의 위치를 설정하는 방법에 있어서,In the method for setting the position of the arm for moving the wafer to the supporter in a facility for manufacturing a semiconductor device, 상기 웨이퍼의 로딩위치 센터에 광을 조사하는 센서부가 위치되는 단계와;Positioning a sensor unit for irradiating light to a loading position center of the wafer; 중앙에 원형의 홀이 형성된 지그 웨이퍼가 상기 아암에 의해 상기 서포터 상부로 이동되는 단계와; 그리고Moving the jig wafer having a circular hole in the center to the upper portion of the supporter by the arm; And 상기 지그 웨이퍼의 중심이 상기 로딩위치 센터에 위치되도록 상기 아암의 수평 이동위치를 설정하는 단계를 포함하되,Setting a horizontal movement position of the arm such that the center of the jig wafer is located at the loading position center, 상기 아암의 수평 이동위치를 설정하는 단계는,Setting the horizontal movement position of the arm, 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 이동하는 단계와;The arm moving the jig wafer; 상기 광이 상기 홀 내로 최초 조사되는 상기 아암의 제 1수평위치와 이후에 상기 광이 상기 홀로부터 벗어나는 상기 아암의 제 2수평위치를 검출하는 단계와;Detecting a first horizontal position of said arm at which said light is first irradiated into said hole and thereafter a second horizontal position of said arm at which said light deviates from said hole; 상기 제 1수평위치와 상기 제 2수평위치의 중심으로 상기 아암이 상기 지그 웨이퍼를 이동하는 단계와;The arm moving the jig wafer about the center of the first horizontal position and the second horizontal position; 상기 제 1수평위치와 상기 제 2수평위치를 연결한 선분과 수직한 일방향으로 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 이동하고, 상기 광이 상기 홀로부터 벗어나는 상기 아암의 제 3수평위치를 검출하는 단계와;Detecting the third horizontal position of the arm in which the arm moves the jig wafer in one direction perpendicular to the line segment connecting the first horizontal position and the second horizontal position, and wherein the light deviates from the hole; 상기 일방향과 반대방향으로 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 이동하고, 상기 광이 상기 홀로부터 벗어나는 상기 아암의 제 4수평위치를 검출하는 단계와; 그리고Detecting a fourth horizontal position of the arm in which the arm moves the jig wafer in a direction opposite to the one direction, and wherein the light deviates from the hole; And 상기 제 3수평위치와 상기 제 4수평위치의 중심을 상기 아암의 수평 이동위치로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 아암의 위치 설정 방법.And setting a center of the third horizontal position and the fourth horizontal position to a horizontal movement position of the arm. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 이송 아암의 위치 설정 방법은 상기 아암의 수평 이동위치를 설정하는 단계에 앞서 상기 아암의 수직 이동위치를 설정하는 단계를 더 포함하되,The method of setting the position of the wafer transfer arm further includes setting a vertical movement position of the arm prior to setting the horizontal movement position of the arm, 상기 아암의 수직 이동위치를 설정하는 단계는,Setting the vertical movement position of the arm, 상기 센서부로부터의 광의 반사량이 최대가 되는 아암의 위치인 기준위치를 검출하는 단계와;Detecting a reference position which is a position of an arm in which the amount of reflection of light from the sensor portion is maximum; 상기 기준위치로부터 기설정된 거리를 가감한 위치를 상기 아암의 수직 이동위치로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 아암의 위치 설정 방법.And setting a position at which the predetermined distance is subtracted from the reference position as a vertical movement position of the arm. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기준위치를 검출하는 단계는,Detecting the reference position, 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 상하방향 중 일방향으로 이동하는 단계와;The arm moving the jig wafer in one of vertical directions; 상기 지그웨이퍼로부터 반사되는 상기 광의 반사량이 기설정된 반사량의 크기와 동일한 순간의 상기 아암의 제 1수직위치를 검출하는 단계와;Detecting a first vertical position of the arm at a moment when the reflection amount of the light reflected from the jig wafer is equal to a magnitude of a predetermined reflection amount; 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 상기 상하방향 중 일방향과 반대방향으로 이동하는 단계와;The arm moving the jig wafer in a direction opposite to one of the up and down directions; 상기 지그웨이퍼로부터 반사되는 상기 광의 반사량이 상기 기설정된 반사량의 크기와 동일한 순간의 상기 아암의 제 2수직위치를 검출하는 단계와;그리고Detecting a second vertical position of the arm at a moment when the reflection amount of the light reflected from the jig wafer is equal to the predetermined reflection amount; and 상기 제 1수직위치와 상기 제 2수직위치의 중심을 상기 기준위치로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송아암의 위치 설정 방법.And setting a center of the first vertical position and the second vertical position as the reference position. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 홀은 5mm 내지 10mm의 직경을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송아암의 위치 설정 방법.The hole is a positioning method of the wafer transfer arm, characterized in that formed to have a diameter of 5mm to 10mm. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 설비는 스피너 설비 또는 스크러버 설비인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송아암의 위치 설정 방법.And said equipment is a spinner equipment or a scrubber equipment. 반도체 소자 제조를 위한 설비에서 웨이퍼를 서포터로 이동하는 아암의 위치를 설정하는 방법에 있어서,In the method for setting the position of the arm for moving the wafer to the supporter in a facility for manufacturing a semiconductor device, 상기 웨이퍼의 로딩위치 센터에 광을 조사하는 센서부가 위치되는 단계와;Positioning a sensor unit for irradiating light to a loading position center of the wafer; 지그 웨이퍼가 상기 아암에 의해 상기 서포터 상부로 이동되는 단계와; 그리고 Moving a jig wafer over the supporter by the arm; And 상기 아암의 수직 이동위치를 설정하는 단계를 포함하되,Setting a vertical movement position of the arm, 상기 아암의 수직 이동위치를 설정하는 단계는,Setting the vertical movement position of the arm, 상기 센서부로부터 광의 반사량이 최대가 되는 아암의 위치인 기준위치를 검출하는 단계와;Detecting a reference position which is a position of an arm in which the amount of reflection of light is maximized from the sensor unit; 상기 기준위치로부터 기설정된 거리를 가감한 위치를 상기 아암의 수직 이동위치로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 아암의 위치 설정 방법.And setting a position at which the predetermined distance is subtracted from the reference position as a vertical movement position of the arm. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기준위치를 검출하는 단계는,Detecting the reference position, 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 상하방향 중 일방향으로 이동하는 단계와;The arm moving the jig wafer in one of vertical directions; 상기 지그웨이퍼로부터 반사되는 상기 광의 반사량이 기설정된 반사량의 크기와 동일한 순간의 상기 아암의 제 1수직위치를 검출하는 단계와;Detecting a first vertical position of the arm at a moment when the reflection amount of the light reflected from the jig wafer is equal to a magnitude of a predetermined reflection amount; 상기 아암이 상기 지그웨이퍼를 상기 상하방향 중 일방향과 반대방향으로 이동하는 단계와;The arm moving the jig wafer in a direction opposite to one of the up and down directions; 상기 지그웨이퍼로부터 반사되는 상기 광의 반사량이 상기 기설정된 반사량의 크기와 동일한 순간의 상기 아암의 제 2수직위치를 검출하는 단계와;그리고Detecting a second vertical position of the arm at a moment when the reflection amount of the light reflected from the jig wafer is equal to the predetermined reflection amount; and 상기 제 1수직위치와 상기 제 2수직위치의 중심을 상기 기준위치로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송아암의 위치 설정 방법.And setting a center of the first vertical position and the second vertical position as the reference position.
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