KR100495899B1 - AC edge-emitting EL device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
교류 분말형 모서리 발광 EL 소자 및 그 제조방법에 관해 개시하고 있다. 본 발명의 소자는, 기판; 제1 반사형 도전성 전극층; 제1 유전체층; 형광체층; 제2 유전체층; 제2 반사형 도전성 전극층; 보호막이 순차적으로 형성된 구조를 가지며, 분말을 주성분으로 사용하여 유전체층들과 형광체층을 만든다. 본 발명에 의하면, 낮은 전류밀도에서 동작하더라도 높은 휘도를 나타내는 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자를 얻을 수 있다.An AC powder edge light emitting EL device and a method of manufacturing the same are disclosed. An element of the present invention, the substrate; A first reflective conductive electrode layer; A first dielectric layer; Phosphor layer; A second dielectric layer; A second reflective conductive electrode layer; The protective film has a structure formed sequentially, and the dielectric layers and the phosphor layer are made using the powder as a main component. According to the present invention, an AC powder edge light emitting EL device exhibiting high luminance can be obtained even when operating at a low current density.
Description
본 발명은 교류 분말형 EL(ElectroLuminescence) 소자의 기술분야에 관한 것으로, 특히 종래의 소자보다 휘도가 높으면서도 전류는 더 적게 흐르고 전력 소모는 더 적은 특성을 가지는 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to the technical field of an AC powder type EL (ElectroLuminescence) device, and more particularly to an AC powder type edge light emitting EL device having a higher luminance and a lower power consumption than a conventional device, and a fabrication thereof It is about a method.
종래의 교류 분말형 EL 소자 및 그 제조방법에 대해서는 미국등록특허 제5,912,533호에 상세하게 개시되어 있다. 상기 특허를 참조하면, 교류 분말형 EL 소자는, 기판, 반사형 도전성 전극층, 유전체층, 형광체층, 투명 도전성 분말 및 투명 도전성 바인더의 혼합물로 이루어진 투명 도전성 전극층이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 상기 반사형 도전성 전극층은 자신에게 입사된 광을 다시 반사시킴과 아울러 전극의 역할도 수행하는 것으로서, 은, 알루미늄 또는 불투명 흑연과 같은 재질로 이루어진다. 또한, 투명 도전성 전극층 상에는 투명한 보호막층이 더 형성될 수 있다. 이러한 구조를 갖는 소자는 형광체층 아래에 반사형 도전성 전극층이 분포된 영역만큼 발광한다. 따라서, 형광체층에서 생성되는 빛이 투명 도전성 전극층과 투명 보호막층을 투과하여 발광하는 면발광 소자의 기능을 수행한다.A conventional AC powder type EL device and its manufacturing method are disclosed in detail in US Patent No. 5,912,533. Referring to the above patent, the AC powder type EL device has a structure in which a transparent conductive electrode layer made of a mixture of a substrate, a reflective conductive electrode layer, a dielectric layer, a phosphor layer, a transparent conductive powder, and a transparent conductive binder is sequentially stacked. The reflective conductive electrode layer reflects light incident thereto and also serves as an electrode, and is made of a material such as silver, aluminum, or opaque graphite. In addition, a transparent protective film layer may be further formed on the transparent conductive electrode layer. The device having such a structure emits light as much as the area where the reflective conductive electrode layer is distributed under the phosphor layer. Therefore, the light generated in the phosphor layer performs the function of the surface light emitting device that emits light through the transparent conductive electrode layer and the transparent protective film layer.
그러나, 상기 구조의 EL 소자는 면광원이라는 이점에 반하여 휘도가 낮고 소비전력이 높으며 축전용량과 단위면적당 저항이 높아서 발광효율이 낮다는 단점을 갖는다. 따라서, 이러한 단점으로 인하여 그 이용분야가 매우 제한적이다.However, the EL device having the above structure has the disadvantage of low luminous efficiency due to low luminance, high power consumption, high capacitance and resistance per unit area, in contrast to the advantage of surface light source. Therefore, these fields of use are very limited.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 60 내지 80 cd/㎡의 비교적 낮은 휘도로 인하여 이용분야가 제한적이었던 EL 소자의 이용범위를 늘리기 위한 고휘도의 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a high brightness AC powder edge light emitting EL device and a method for manufacturing the same for increasing the range of use of the EL device having a limited field of application due to relatively low luminance of 60 to 80 cd / m 2. To provide.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자는: 기판과; 상기 기판 상에 형성된 제1 반사형 도전성 전극층과; 상기 제1 반사형 도전성 전극층 상에 유전체 분말을 주성분으로 하여 형성된 제1 유전체층과; 상기 제1 유전체층 상에 형광체 분말을 주성분으로 하여 형성하되, 광이 방출될 부분은 상기 제1 유전체층의 끝까지 피복하도록 형성되고 광이 방출되지 않는 나머지 부분은 상기 제1 유전체층의 주변부를 남기도록 작은 면적으로 형성된 형광체층과; 상기 형광체층 및 상기 형광체층에 의해 피복되지 않은 상기 제1 유전체층의 주변부를 모두 피복하되, 유전체 분말을 주성분으로 하여 형성된 제2 유전체층과; 상기 제2 유전체층 상에 형성된 제2 반사형 도전성 전극층과; 상기 제2 반사형 도전성 전극층 상에 형성된 보호막을 구비함으로써, 상기 형광체층의 상하에 위치한 상기 유전체층들과 반사형 도전성 전극층들이 상기 형광체층에서 나온 빛을 반사시켜 상기 형광체층의 광 방출부분인 모서리로 발광되도록 하는 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.AC powder edge light emitting EL device of the present invention for achieving the above technical problem is a substrate; A first reflective conductive electrode layer formed on the substrate; A first dielectric layer formed mainly on the first reflective conductive electrode layer with dielectric powder; A phosphor is formed on the first dielectric layer as a main component, and a portion where light is to be emitted is formed to cover the end of the first dielectric layer, and the remaining portion where light is not emitted is small to leave a periphery of the first dielectric layer. A phosphor layer formed of; A second dielectric layer covering all of the peripheral portion of the phosphor layer and the first dielectric layer not covered by the phosphor layer, wherein the second dielectric layer is formed mainly of dielectric powder; A second reflective conductive electrode layer formed on the second dielectric layer; By providing a protective film formed on the second reflective conductive electrode layer, the dielectric layers and the reflective conductive electrode layers disposed above and below the phosphor layer reflect light emitted from the phosphor layer to an edge which is a light emitting portion of the phosphor layer. It is characterized by having a structure to emit light.
여기서, 상기 기판과 보호막의 각각을 플래스틱 필름 또는 폴리머층으로 만들 수 있다.Here, each of the substrate and the protective film may be made of a plastic film or a polymer layer.
또한, 상기 제1 및 제2 유전체층들의 각각은 상기 형광체층에 비하여 1/8 내지 1/3의 두께를 가지며, 상기 제1 및 제2 유전체층들의 각각의 유전율과 굴절율이 상기 형광체층의 유전율과 굴절율보다 큰 것이 바람직하다.In addition, each of the first and second dielectric layers has a thickness of 1/8 to 1/3 of the phosphor layer, and the dielectric constant and the refractive index of each of the first and second dielectric layers are different from each other. Larger is preferred.
한편, 상기 제1 및 제2 유전체층들의 각각을, 고유전체 분말과; 시아노에틸 풀루란 또는 플루오로레진의 고유전체 바인더로 형성하는 것이 바람직하며, 상기 고윤전체 분말이 BaTiO3 또는 CaS로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.On the other hand, each of the first and second dielectric layers, a high dielectric powder; Cyanoethyl pullulan or preferably formed with a high dielectric binder resin of fluoro, it is more preferred that the total goyun powder made of BaTiO 3 or CaS.
본 발명의 소자의 수명을 늘리기 위해, 상기 형광체 분말의 입자는 보호막으로 코팅된 것을 사용하는 것이 바람직하다.In order to increase the life of the device of the present invention, it is preferable to use the particles of the phosphor powder coated with a protective film.
또한, 상기 제1 및 제2 반사형 도전성 전극층들의 각각의 재질은, 은, 알루미늄, 니켈로 구성된 군으로부터 어느 하나를 선택할 수 있다.In addition, each material of the first and second reflective conductive electrode layers may be selected from a group consisting of silver, aluminum, and nickel.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자의 제조방법은: (a) 플래스틱 필름 또는 폴리머층으로 이루어진 기판 상에, 제1 반사형 도전성 전극층을 형성하는 단계와; (b) 상기 제1 반사형 도전성 전극층 상에, 유전체 분말과 유전체 바인더를 혼합한 액을 페이스트 상태로 도포하여 제1 유전체층을 형성하는 단계와; (c) 상기 (b) 단계의 결과물을 80 내지 170℃ 범위 내의 온도로 가열하여 상기 제1 유전체층을 조밀화하고 그 유전효과를 증대시키는 단계와; (d) 상기 제1 유전체층 상에, 형광체 분말과 바인더를 혼합한 액을 페이스트 상태로 도포하되, 광이 방출될 부분은 상기 제1 유전체층의 끝까지 피복하고 광이 방출되지 않는 나머지 부분은 상기 제1 유전체층의 주변부를 남기도록 작은 면적으로 피복하여 형광체층을 형성하는 단계와; (e) 상기 (d) 단계의 결과물을 100 내지 150℃ 범위 내의 온도로 가열하여 상기 형광체층을 조밀화하고 그 휘도를 증대시키는 단계와; (f) 상기 형광체층 및 상기 형광체층에 의해 피복되지 않은 상기 제1 유전체층의 주변부를 모두 피복하도록, 유전체 분말과 유전체 바인더를 혼합한 액을 페이스트 상태로 도포하여 제2 유전체층을 형성하는 단계와; (g) 상기 (f) 단계의 결과물을 80 내지 170℃ 범위 내의 온도로 가열하여 상기 제2 유전체층을 조밀화하고 그 유전효과를 증대시키는 단계와; (h) 상기 제2 유전체층 상에 제2 반사형 도전성 전극층을 형성하는 단계와; (i) 상기 제2 반사형 도전성 전극층 상에 플래스틱 필름 또는 폴리머층으로 이루어진 보호막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an AC powder edge light emitting EL device, the method including: (a) forming a first reflective conductive electrode layer on a substrate made of a plastic film or a polymer layer; (b) forming a first dielectric layer on the first reflective conductive electrode layer by applying a mixture of dielectric powder and dielectric binder in a paste state; (c) heating the resultant of step (b) to a temperature in the range of 80 to 170 ° C. to densify the first dielectric layer and increase its dielectric effect; (d) applying a mixture of phosphor powder and a binder on the first dielectric layer in a paste state, wherein a portion to which light is to be emitted is covered to the end of the first dielectric layer and the remaining portion where light is not to be emitted is Covering the surface with a small area to leave the periphery of the dielectric layer to form a phosphor layer; (e) heating the resultant of step (d) to a temperature in the range of 100 to 150 ° C. to densify the phosphor layer and increase its brightness; (f) applying a mixture of dielectric powder and dielectric binder in a paste state so as to cover both the phosphor layer and the periphery of the first dielectric layer not covered by the phosphor layer to form a second dielectric layer; (g) heating the resultant of step (f) to a temperature in the range of 80 to 170 ° C. to densify the second dielectric layer and increase its dielectric effect; (h) forming a second reflective conductive electrode layer on the second dielectric layer; (i) forming a protective film made of a plastic film or a polymer layer on the second reflective conductive electrode layer.
여기서, 상기 제1 및 제2 반사형 도전성 전극층들의 각각을 진공증착방식 또는 페이스트 도포방식에 의해 형성할 수 있다.Here, each of the first and second reflective conductive electrode layers may be formed by a vacuum deposition method or a paste coating method.
페이스트 도포방식을 사용할 경우에는: 금속분말과 바인더를 혼합하여 페이스트를 만드는 단계와; 상기 페이스트를 도포하는 단계와; 상기 페이스트가 도포된 결과물을 80 내지 150℃ 범위 내의 온도로 가열하여 전도성을 증가시키는 단계를 차례로 거치는 것이 바람직하다.In the case of using a paste coating method, the method includes: forming a paste by mixing a metal powder and a binder; Applying the paste; It is preferable to sequentially pass through the paste-coated resultant to increase the conductivity by heating to a temperature within the range of 80 to 150 ℃.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소자의 구조 및 제조방법에 대해 함께 설명한다.Hereinafter, a structure and a manufacturing method of a device according to a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings will be described together.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 실시예에 따른 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자의 제조공정을 나타내는 단면도들이다.1A to 1F are sectional views showing the manufacturing process of the AC powder type edge emitting EL device according to the embodiment of the present invention.
도 1a를 참조하면, 플래스틱 필름 또는 폴리머층으로 이루어진 기판(10) 위에 제1 반사형 도전성 전극층(20)이 형성된다. 제1 반사형 도전성 전극층(20)은 통상적으로 두 가지 방식에 의해 형성된다. 첫째, 진공 증착장비를 이용한 증착방식으로 표면이 거울처럼 매끈한 고반사율의 금속층, 예컨대 알루미늄이나 니켈 등의 도전성 전극층을 형성할 수 있다. 둘째, 알루미늄 분말이나 니켈 분말을 바인더와 혼합한 페이스트를 준비하고 이를 실크 스크린 방식으로 도포하여 도전성 전극층을 형성할 수 있다. 페이스트 도포 방식으로 제1 반사형 도전성 전극층(20)을 형성할 경우, 80 내지 150℃ 범위 내의 온도로 열처리를 행하여 그 전도성을 증가시킨다.Referring to FIG. 1A, a first reflective conductive electrode layer 20 is formed on a substrate 10 made of a plastic film or a polymer layer. The first reflective conductive electrode layer 20 is typically formed in two ways. First, a metal layer having a high reflectivity, such as aluminum or nickel, having a smooth surface like a mirror may be formed by a deposition method using a vacuum deposition apparatus. Second, a paste in which aluminum powder or nickel powder is mixed with a binder may be prepared, and then coated using a silk screen method to form a conductive electrode layer. When the first reflective conductive electrode layer 20 is formed by the paste coating method, the conductivity is increased by performing heat treatment at a temperature within a range of 80 to 150 ° C.
이어서, 도 1b에 도시한 바와 같이, 제1 반사형 도전성 전극층(20) 상에 제1 유전체층(30)을 형성한다. 제1 유전체층(30)은 고유전체 분말과 고유전상수를 갖는 바인더를 혼합한 액상의 페이스트를 도포하여 형성한다. 유전체 분말 물질로는 CaS 또는 BaTiO3가 이용될 수 있으며, 그 크기는 0.8㎛ 이하이어야 한다. 유전체 물질의 굴절율은 후술할 형광체층에 사용되는 형광체 물질의 굴절율보다 높아야 하며, 제1 유전체층(30)의 두께는 형광체층의 두께의 1/8 내지 1/3 정도가 되어야 한다. 그렇지 않으면, 발광효율이 현저하게 떨어지게 된다. 고유전상수를 갖는 바인더로는 시아노에틸 플루란(cyanoethyl pullulan) 또는 플루오로레진(fluororesin) 등을 사용할 수 있다. 제1 유전체층(30)을 도포에 의해 형성한 후에는, 80 내지 170℃ 범위 내의 온도로 가열을 하여 제1 유전체층(30)이 더욱 조밀해지도록 해주는데, 이렇게 함으로써 제1 유전체층(30)의 유전효과를 증대시킬 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, the first dielectric layer 30 is formed on the first reflective conductive electrode layer 20. The first dielectric layer 30 is formed by applying a liquid paste mixed with a high dielectric constant powder and a binder having a high dielectric constant. CaS or BaTiO 3 may be used as the dielectric powder material, and its size should be 0.8 μm or less. The refractive index of the dielectric material should be higher than the refractive index of the phosphor material used in the phosphor layer to be described later, and the thickness of the first dielectric layer 30 should be about 1/8 to 1/3 of the thickness of the phosphor layer. Otherwise, the luminous efficiency will drop significantly. As the binder having a high dielectric constant, cyanoethyl pullulan or fluororesin may be used. After the first dielectric layer 30 is formed by application, the first dielectric layer 30 is further densified by heating to a temperature within the range of 80 to 170 ° C., thereby permitting the dielectric effect of the first dielectric layer 30. Can be increased.
그 다음, 도 1c에 도시한 바와 같이, 제1 유전체층(30) 상에 형광체층(40)을 형성한다. 형광체층(40)은 형광체 분말과 바인더를 혼합한 액상의 페이스트를 도포하여 형성한다. 형광체 분말의 재질로는 2-6족 원소인 ZnS 등을 사용하는데, 그 입자의 크기는 약 20㎛ 정도가 되어야 한다. 특히, 수분침투로부터 형광체 분말을 보호하여 그 수명을 늘리기 위해 형광체 분말의 입자를 보호막으로 코팅한 형광체 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 바인더 물질은 형광체 분말 물질보다 높은 유전율을 가짐으로써 형광체층(40)에 강한 전기장을 인가할 수 있어야 한다. 형광체 분말과 함께 혼합되는 바인더 물질로는 시아노에틸 플루란 또는 플루오로레진 등이 사용될 수 있다. 형광체층(40)을 도포에 의해 형성한 후에는, 100 내지 150℃ 범위 내의 온도로 가열을 하여 형광체 분말이 더욱 조밀하게 분포하도록 만드는데, 이렇게 함으로써 휘도를 증진시킬 수 있다.Next, as shown in FIG. 1C, the phosphor layer 40 is formed on the first dielectric layer 30. The phosphor layer 40 is formed by applying a liquid paste in which phosphor powder and a binder are mixed. As the material of the phosphor powder, ZnS, which is a group 2-6 element, is used. The particle size should be about 20 μm. In particular, in order to protect the phosphor powder from moisture penetration and to increase its life, it is preferable to use a phosphor powder coated with particles of the phosphor powder with a protective film. The binder material should have a higher dielectric constant than the phosphor powder material, so that a strong electric field can be applied to the phosphor layer 40. As the binder material mixed with the phosphor powder, cyanoethyl pullulan or fluororesin may be used. After the phosphor layer 40 is formed by application, it is heated to a temperature within the range of 100 to 150 ° C. to make the phosphor powder more densely distributed, thereby improving brightness.
한편, 형광체층(40)은 제1 유전체층(30)의 전체 면을 피복하도록 형성되는 것이 아니라, 도 2에 도시한 바와 같이, 광이 방출될 부분(C)에서는 형광체층(40)이 제1 유전체층(30)을 끝까지 피복하도록 형성되고 광이 방출되지 않는 나머지 부분에서는 형광체층(40)이 제1 유전체층(30)의 주변부를 남기도록 작은 면적으로 형성된다. 형광체층(40)을 이와 같이 형성하는 이유는, 최종적으로 제조된 EL 소자의 한쪽 모서리에서만 발광이 되도록 하기 위함이다. 여기서, 도 2의 A-A'선에 따른 단면도에 해당하는 것이 도 1c임을 알 수 있다.On the other hand, the phosphor layer 40 is not formed to cover the entire surface of the first dielectric layer 30, as shown in Figure 2, the phosphor layer 40 is the first in the portion (C) where the light is to be emitted In the remaining portion where the dielectric layer 30 is completely covered and no light is emitted, the phosphor layer 40 is formed to have a small area to leave the periphery of the first dielectric layer 30. The reason why the phosphor layer 40 is formed in this manner is to allow light emission from only one corner of the finally produced EL element. Here, it can be seen that the cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG.
이어서, 도 1d에 도시한 바와 같이, 형광체층(40) 및 이에 의해 피복되지 않은 제1 유전체층(20)의 주변부를 모두 피복하는 제2 유전체층(50)을 형성한다. 제2 유전체층(50)은 고유전체 분말과 고유전상수를 갖는 바인더를 혼합한 액상의 페이스트를 도포하여 형성한다. 고유전체 분말 물질로는 CaS 또는 BaTiO3가 이용될 수 있으며, 그 크기는 0.8㎛ 이하이어야 한다. 고유전상수를 갖는 바인더로는 시아노에틸 플루란 또는 플루오로레진 등을 사용할 수 있다. 제2 유전체층(50)의 도포 이후에도, 제1 유전체층(20)의 경우와 마찬가지로 열처리가 행해진다.Subsequently, as shown in FIG. 1D, the second dielectric layer 50 covering all of the peripheral portion of the phosphor layer 40 and the first dielectric layer 20 which is not covered by this is formed. The second dielectric layer 50 is formed by applying a liquid paste mixed with a high dielectric constant powder and a binder having a high dielectric constant. CaS or BaTiO 3 may be used as the high dielectric powder material, and the size thereof should be 0.8 μm or less. As the binder having a high dielectric constant, cyanoethyl pullulan or fluororesin may be used. After the application of the second dielectric layer 50, heat treatment is performed similarly to the case of the first dielectric layer 20.
그 다음, 도 1e에 도시한 바와 같이, 제2 유전체층(50) 상에 제2 반사형 도전성 전극층(60)을 형성하는데, 상기한 제1 반사형 도전성 전극층(20)과 마찬가지 방법으로 형성할 수 있으므로 중복적인 설명은 생략한다.Next, as shown in FIG. 1E, the second reflective conductive electrode layer 60 is formed on the second dielectric layer 50, which may be formed in the same manner as the first reflective conductive electrode layer 20 described above. Therefore, duplicate description is omitted.
이어서, 도 1f에 도시한 바와 같이, 제2 반사형 도전성 전극층(60) 상에 플래스틱 필름이나 폴리머층으로 이루어진 보호막(70)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1F, a protective film 70 made of a plastic film or a polymer layer is formed on the second reflective conductive electrode layer 60.
본 발명의 실시예에 따른 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자는, 도 3에 도시한 바와 같이, 기존의 EL 소자와는 달리 모서리쪽으로 발광이 이루어진다. 제1 및 제2 반사형 도전성 전극층들(20, 60)에 연결된 교류 전원(100)에 의해 본 발명의 EL 소자에 전압이 인가되면, 전류가 흐르게 된다. 이 때, 형광체층(40)에 인가되는 전기장은 106V/㎝ 이상의 세기가 되어야 한다. 또한, 제1 및 제2 유전체층들(30, 50)과 제1 및 제2 반사형 도전성 전극층들(20, 60)은 형광체층(40)에서 발광되는 빛을 다시 반사시켜 빛이 상하로 투과하는 것을 방지하는 동시에 이 빛을 본 발명의 EL 소자의 모서리쪽으로 집속하는 역할을 한다. 이러한 집광 과정은 마치 광섬유 등의 광도파로와 같이 안쪽에서 발생되는 빛이 반사판층에 의해 반사되어 반사층이 없는 한쪽의 모서리로 모든 빛이 나가게 하는 원리와 동일하게 이루어진다. 따라서, 본 발명의 EL 소자의 휘도가 증가할 뿐 아니라 발광효율도 증가하게 된다. 제1 및 제2 유전체층들(30, 50)의 유전율이 낮아서 형광체층(40)과의 계면에서의 반사율이 낮고 흡수율이 높을 경우, 발광효율은 떨어지게 된다.In the AC powder type corner light emitting EL device according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. When a voltage is applied to the EL element of the present invention by the AC power supply 100 connected to the first and second reflective conductive electrode layers 20 and 60, current flows. At this time, the electric field applied to the phosphor layer 40 should be at least 10 6 V / cm. In addition, the first and second dielectric layers 30 and 50 and the first and second reflective conductive electrode layers 20 and 60 may reflect light emitted from the phosphor layer 40 again to transmit light vertically. Prevents light from condensing and simultaneously focuses this light toward the edge of the EL element of the present invention. This condensing process is made in the same manner as the light generated from the inside, such as an optical waveguide such as an optical fiber, is reflected by the reflecting plate layer so that all light is emitted to one corner without the reflecting layer. Therefore, not only the luminance of the EL element of the present invention increases but also the luminous efficiency increases. When the dielectric constants of the first and second dielectric layers 30 and 50 are low and the reflectance at the interface with the phosphor layer 40 is low and the absorption is high, the luminous efficiency is lowered.
상기와 같은 방법으로 제조된 본 발명의 EL 소자의 동작특성을 측정한 결과, 100V, 400㎐의 구동시 1cm2의 면적에서 500 cd/㎡ 이상의 높은 휘도와, 0.05 mA/㎠ 이하의 낮은 전류밀도를 나타내는 것을 알 수 있었다.As a result of measuring the operating characteristics of the EL device of the present invention produced in the same manner as described above, a low current density of less than 100V, when driving 1cm high brightness in the area over 500 cd / ㎡ of two of the 400㎐, 0.05 mA / ㎠ It was found to represent.
이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.Although preferred embodiments of the present invention have been described as described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention. .
본 발명에 따르면, 낮은 전류밀도에서 동작하더라도 높은 휘도를 나타내는 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자를 얻을 수 있으므로 많은 응용분야에 EL 소자를 사용할 수 있다.According to the present invention, an AC powder type edge light emitting EL device exhibiting high luminance can be obtained even when operating at a low current density, so that the EL device can be used in many applications.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 실시예에 따른 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자의 제조방법을 나타내는 개략적 단면도들;1A to 1F are schematic cross-sectional views showing a method of manufacturing an AC powder edge light emitting EL device according to an embodiment of the present invention;
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자에 있어서, 제1 유전체층 상에 형광체층이 형성되는 부위를 나타낸 도면; 및2 is a view showing a portion where a phosphor layer is formed on a first dielectric layer in an alternating current powder type edge-emitting EL device according to an embodiment of the present invention; And
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 교류 분말형 모서리 발광 EL 소자의 작동을 설명하기 위한 개략적 단면도이다.Fig. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation of the AC powder-type corner light emitting EL element according to the embodiment of the present invention.
* 도면 중의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 … 기판10... Board
20 … 제1 반사형 도전성 전극층20... First Reflective Conductive Electrode Layer
30 … 제1 유전체층30. First dielectric layer
40 … 형광체층40…. Phosphor layer
50 … 제2 유전체층50... Second dielectric layer
60 … 제2 반사형 도전성 전극층60... Second reflective conductive electrode layer
70 … 보호막70... Shield
100 … 교류 전원100... AC power
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0064066A KR100495899B1 (en) | 2002-10-19 | 2002-10-19 | AC edge-emitting EL device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0064066A KR100495899B1 (en) | 2002-10-19 | 2002-10-19 | AC edge-emitting EL device and method of manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040035279A KR20040035279A (en) | 2004-04-29 |
| KR100495899B1 true KR100495899B1 (en) | 2005-06-16 |
Family
ID=37334240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0064066A KR100495899B1 (en) | 2002-10-19 | 2002-10-19 | AC edge-emitting EL device and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100495899B1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040035279A (en) | 2004-04-29 |
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