KR100485663B1 - A Grower of silicon crysital ingot - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리 실리콘을 챔버 내부의 석영 도가니에 적재한 후, 용융시켜 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for loading polysilicon into a quartz crucible inside a chamber and then melting to grow a silicon single crystal ingot.

이를 위한 본 발명인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 설치된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 지지하는 흑연 도가니와, 상기 석영 도가니와 흑연 도가니를 지지 및 회전시키는 페데스탈과, 상기 챔버의 내부에서 열을 복사시키는 히터와, 상기 히터로부터의 열이 상기 챔버의 외부로 방출되는 것을 차단하는 열차폐막과, 상기 석영 도가니의 상부에 설치된 열쉴드와, 상기 챔버의 상부로 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장탑과, 상기 실리콘 단결정 잉곳 성장탑의 내부와 상기 챔버 내부의 상부에 설치된 수냉관을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에 있어서, 상기 열쉴드의 내부 벽면에 고정 설치된 1차 석영 튜브와, 상기 챔버의 상부에는 튜브 관통구가 형성되고, 상기 챔버의 튜브 관통구에 분리 가능하도록 설치된 2차 석영 튜브를 포함하되, 상기 1차 석영 튜브 또는 2차 석영 튜브는 그 지름이 10 내지 50㎜로 형성된 것이 특징이다. An apparatus for growing a silicon single crystal ingot according to the present invention includes a chamber, a quartz crucible installed inside the chamber, a graphite crucible supporting the quartz crucible, a pedestal supporting and rotating the quartz crucible and the graphite crucible, and the chamber. A heater for radiating heat inside the heat shield, a heat shield for preventing heat from the heater from being discharged to the outside of the chamber, a heat shield provided at the top of the quartz crucible, and an ingot growing at the top of the chamber. A silicon single crystal ingot growth tower, and a silicon single crystal ingot growth tower comprising a water cooling tube installed inside the silicon single crystal ingot growth tower and the upper portion of the chamber, the primary quartz tube fixedly fixed to the inner wall surface of the heat shield And a tube through hole is formed at an upper portion of the chamber, and the tube through hole of the chamber is separated. Comprising: a second quartz tube is installed to the primary silica tube, or a secondary silica tube is characterized by that the diameter formed by 10 to 50㎜.

Description

실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치{A Grower of silicon crysital ingot}A Grower of silicon crysital ingot

본 발명은 폴리 실리콘을 챔버 내부의 석영 도가니에 적재한 후, 용융시켜 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for loading polysilicon into a quartz crucible inside a chamber and then melting to grow a silicon single crystal ingot.

일반적인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는, 도 1a에 도시된 바와 같이, 챔버(100)의 내부에 설치된 석영 도가니(110)와, 석영 도가니를 지지하는 흑연 도가니(120)와, 석영 도가니(110)와 흑연 도가니를 지지 및 회전시키는 페데스탈(130)과, 석영 도가니 내부에 적재되는 폴리 실리콘을 용융시키기 위한 열을 복사하는 히터(130)와, 히터의 열이 챔버 외부로 방출되는 것을 방지하기 위한 열차폐막(150)과, 실리콘 단결정 잉곳의 성장 시 실리콘 단결정 잉곳으로의 열복사를 차단하기 위한 열쉴드(160)와, 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장 탑(170)의 내부와 챔버(100)의 상부로 설치된 수냉관(180) 등을 포함하여 이루어진다. As shown in FIG. 1A, a typical silicon single crystal ingot growth apparatus includes a quartz crucible 110 installed inside the chamber 100, a graphite crucible 120 supporting the quartz crucible, and a quartz crucible 110. A pedestal 130 for supporting and rotating the graphite crucible, a heater 130 for radiating heat for melting the polysilicon loaded inside the quartz crucible, and a heat shield for preventing the heat of the heater from being released to the outside of the chamber 150, a heat shield 160 for blocking heat radiation to the silicon single crystal ingot during growth of the silicon single crystal ingot, and a chamber 100 and the inside of the silicon single crystal ingot growth tower 170 for growing the silicon single crystal ingot. It consists of a water cooling tube 180 and the like installed on the top.

이렇게 이루어진 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위하여, 석영 도가니(110)에 실리콘 단결정의 원재료인 폴리 실리콘를 적재하여 이를 용융시킨 후, 실리콘 단결정 잉곳 성장 탑(170)의 상부에 설치된 실리콘 단결정 잉곳 인상 장치(미도시)를 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 것이다. In order to grow a silicon single crystal ingot, the silicon single crystal ingot growth device is loaded with polysilicon, which is a raw material of silicon single crystal, in a quartz crucible 110 and melted therein, and then silicon is installed on the silicon single crystal ingot growth tower 170. Silicon single crystal ingots are grown using a single crystal ingot pulling apparatus (not shown).

이러한 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에서는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 시 생산성 및 품질의 향상을 위하여 실리콘 단결정의 원부재료들의 순도와 보관, 그리고 원재료인 폴리 실리콘을 석영 도가니(110)에 충진하기 위한 다양한 방법들이 다각도로 연구ㆍ개발되고 있다.In the growth apparatus of the silicon single crystal ingot, various methods for filling the silicon crucible 110 with purity and storage of raw materials of silicon single crystal and filling polysilicon as a raw material for quartz to improve productivity and quality during the growth of the silicon single crystal ingot are various. It is being researched and developed.

이에, 종래의 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에서는 석영 도가니(110)에 폴리 실리콘을 적재하여 폴리 실리콘을 용융하는 과정에서 폴리 실리콘이 실리콘 단결정 잉곳의 성장에 필요한 적정량에 부족하게 적재가 되었을 경우에, 부족한 양 만큼의 폴리 실리콘을 석영 도가니(110)에 재충진하기 위하여, 도 1b에 도시된 바와 같이, 챔버(100)의 상부에 튜브 관통구(100-A)를 형성하고, 튜브 관통구(100-A)를 통하여 석영 튜브(190)를 석영 도가니(160) 내부의 용융 실리콘(MS)의 상부까지 삽입 설치한 후, 폴리 실리콘(PS)을 재충진하는 방법이 사용된다. Therefore, in the conventional silicon single crystal ingot growth apparatus, when polysilicon is loaded in the quartz crucible 110 and the polysilicon is melted, the polysilicon is insufficiently loaded in an appropriate amount necessary for the growth of the silicon single crystal ingot. In order to refill the amount of polysilicon into the quartz crucible 110, a tube through hole 100-A is formed in the upper portion of the chamber 100, as shown in FIG. After the quartz tube 190 is inserted into the upper part of the molten silicon MS inside the quartz crucible 160 through A), a method of refilling the polysilicon PS is used.

그러나, 이러한 종래의 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 폴리 실리콘(PS)의 재충진용 석영 튜브(190)가 일체로 형성되어 챔버(100) 상부의 튜브 관통구(100-A)를 통하여 석영 도가니(110) 내부의 용융 실리콘(MS) 상부까지 삽입되므로, 실리콘 단결정 잉곳의 냉각 효율을 증대하기 위하여 설치된 열쉴드(160) 및 수냉관(180) 등의 장치에 의하여 석영 튜브(190)의 설치 및 제거를 위한 이동 통로의 확보에 제약이 따르게 되어, 폴리 실리콘(PS)의 안정적이고 원활한 재충진이 어렵게 되는 것이다.However, such a conventional silicon single crystal ingot growth apparatus has a quartz crucible 190 for refilling polysilicon (PS) integrally formed, and thus the quartz crucible (through the tube through hole 100 -A on the upper part of the chamber 100). 110 is inserted into the upper part of the molten silicon (MS), the installation and removal of the quartz tube 190 by a device such as a heat shield 160 and a water cooling tube 180 installed to increase the cooling efficiency of the silicon single crystal ingot. There is a restriction in securing the movement path for the polysilicon (PS) is difficult to be stable and smooth refilling.

그리고, 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에서 일체로 형성된 석영 튜브에 의한 폴리 실리콘의 재충진은 실리콘 단결정 잉곳의 생산성 및 품질 향상을 위한 챔버 내부의 구조적 개선을 제약하는 원인이 되는 문제점이 있는 것이다. In addition, the refilling of polysilicon by a quartz tube integrally formed in the growth apparatus of the silicon single crystal ingot has a problem of limiting structural improvement inside the chamber for improving productivity and quality of the silicon single crystal ingot.

본 발명의 목적은 챔버 내부에 설치되어 있는 다양한 구조체의 제약을 받지 않고 안정적으로 폴리 실리콘을 재충진할 수 있는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 제공하려는 것이며, 또한, 실리콘 단결정 잉곳의 생산성 및 품질 향상을 위하여 챔버 내부의 구조를 다양하게 개선함에 있어서 폴리 실리콘을 재충진에 따른 구조적 한계를 받지 않는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 제공하려는 것이다. It is an object of the present invention to provide a growth apparatus of silicon single crystal ingots capable of stably refilling polysilicon without being constrained by various structures installed inside the chamber, and also to improve the productivity and quality of silicon single crystal ingots. In order to provide a growth apparatus of silicon single crystal ingots that do not suffer from structural limitations due to the refilling of polysilicon in various improvements of the structure inside the chamber.

이를 위한 본 발명인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 설치된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 지지하는 흑연 도가니와, 상기 석영 도가니와 흑연 도가니를 지지 및 회전시키는 페데스탈과, 상기 챔버의 내부에서 열을 복사시키는 히터와, 상기 히터로부터의 열이 상기 챔버의 외부로 방출되는 것을 차단하는 열차폐막과, 상기 석영 도가니의 상부에 설치된 열쉴드와, 상기 챔버의 상부로 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장탑과, 상기 실리콘 단결정 잉곳 성장탑의 내부와 상기 챔버 내부의 상부에 설치된 수냉관을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에 있어서, 상기 열쉴드의 내부 벽면에 고정 설치된 1차 석영 튜브와, 상기 챔버의 상부에는 튜브 관통구가 형성되고, 상기 챔버의 튜브 관통구에 분리 가능하도록 설치된 2차 석영 튜브를 포함하되, 상기 1차 석영 튜브 또는 2차 석영 튜브는 그 지름이 10 내지 50㎜로 형성된 것이 특징이다. 그리고, 상기 1차 석영 튜브는 상기 열쉴드의 내부 벽면에 흑연(Graphite) 또는 CCM(carbon composite material) 재질로 형성된 볼트 및 행어(hanger)로 고정 설치되고, 상기 1차 석영 튜브는 그 상부에 깔때기 모양의 폴리 실리콘 투입구가 형성된 것이 바람직하다. 또한, 상기 2차 석영 튜브가 분리되었을 때 챔버의 튜브 관통구를 막는 덮개를 부가로 포함하는 것이 더욱 바람직하다. An apparatus for growing a silicon single crystal ingot according to the present invention includes a chamber, a quartz crucible installed inside the chamber, a graphite crucible supporting the quartz crucible, a pedestal supporting and rotating the quartz crucible and the graphite crucible, and the chamber. A heater for radiating heat inside the heat shield, a heat shield for preventing heat from the heater from being discharged to the outside of the chamber, a heat shield provided at the top of the quartz crucible, and an ingot growing at the top of the chamber. A silicon single crystal ingot growth tower, and a silicon single crystal ingot growth tower comprising a water cooling tube installed inside the silicon single crystal ingot growth tower and the upper portion of the chamber, the primary quartz tube fixedly fixed to the inner wall surface of the heat shield And a tube through hole is formed at an upper portion of the chamber, and the tube through hole of the chamber is separated. Comprising: a second quartz tube is installed to the primary silica tube, or a secondary silica tube is characterized by that the diameter formed by 10 to 50㎜. The primary quartz tube is fixed to the inner wall of the heat shield by bolts and hangers formed of graphite or carbon composite material, and the primary quartz tube is a funnel on the top. It is preferable that a shaped polysilicon inlet is formed. It is further preferred to further include a cover which closes the tube through hole of the chamber when the secondary quartz tube is separated.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 챔버(100)와, 챔버(100)의 내부에 설치된 석영 도가니(110)와, 석영 도가니(110)를 지지하는 흑연 도가니(120)와, 석영 도가니(110)와 흑연 도가니(120)를 지지 및 회전시키는 페데스탈(130)과, 챔버(100)의 내부에서 열을 복사시키는 히터(140)와, 히터(140)로부터의 열이 챔버(100)의 외부로 방출되는 것을 차단하는 열차폐막(150)과, 석영 도가니(110)의 상부에 설치된 열쉴드(160)와, 챔버(100)의 상부로 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장탑(170)과, 실리콘 단결정 잉곳 성장탑(170) 내부와 챔버(100) 내부의 상부에 설치된 수냉관(180)을 포함한다. As shown in FIG. 2A, the growth apparatus of the silicon single crystal ingot according to the present invention includes a chamber 100, a quartz crucible 110 installed inside the chamber 100, and a graphite crucible 120 supporting the quartz crucible 110. ), A pedestal 130 for supporting and rotating the quartz crucible 110 and the graphite crucible 120, a heater 140 radiating heat inside the chamber 100, and heat from the heater 140. A heat shield film 150 for blocking the emission to the outside of the chamber 100, a heat shield 160 disposed on the quartz crucible 110, and a silicon single crystal growing silicon single crystal ingots over the chamber 100. Ingot growth tower 170, and the silicon single crystal ingot growth tower 170 and the water cooling pipe 180 is installed on the inside of the chamber 100.

그리고, 석영 도가니의 내부로 폴리 실리콘(PS)을 재충진하기 위하여, 열쉴드(160)의 내부 벽면에 고정 설치된 1차 석영 튜브(210)와, 챔버(100)의 상부에는 튜브 관통구(100-B)가 형성되고, 챔버(100)의 튜브 관통구(100-B)에 분리 가능하도록 설치된 2차 석영 튜브(220)를 포함한다. In order to refill polysilicon (PS) into the quartz crucible, the primary quartz tube 210 is fixedly installed on the inner wall of the heat shield 160, and the tube through hole 100 is provided on the upper portion of the chamber 100. -B) is formed and includes a secondary quartz tube 220 detachably installed in the tube through-hole 100-B of the chamber 100.

따라서, 석영 도가니(110)의 내부로 폴리 실리콘(PS)을 재충진하기 위하여 2차 석영 튜브(220)를 통하여 챔버(100)의 내부로 투입되는 폴리 실리콘(PS)은 열쉴드(160)에 고정 설치된 1차 석영 튜브(210)를 통하여 석영 도가니(110)의 내부로 재충전할 수 있는 것이다. 그리고, 2차 석영 튜브(220)는 1차 석영 튜브(210)와 분리되어 있으며, 또한 튜브 관통구(100-B)와 분리가능하도록 설치되어 있으므로 폴리 실리콘(PS)의 재충진 전, 또는 재충진을 하고 난 후에는 도 2b에 도시된 바와 같이, 튜브 관통구(100-B)로부터 분리함으로서 챔버(100) 내부의 구조를 간단히 할 수 있는 것이다. 여기에서 미설명 도면 부호인 MS는 석영 도가니(110)의 내부에 용융 되어 있는 실리콘 융액을 의미한다. 또, 101은 2차 석영 튜브(220)의 제거시 챔버(100)의 튜브 관통구(100-B)를 막는 덮개를 나타낸다.Therefore, in order to refill the polysilicon PS into the quartz crucible 110, the polysilicon PS injected into the chamber 100 through the secondary quartz tube 220 is transferred to the heat shield 160. It can be recharged into the inside of the quartz crucible 110 through the fixed primary quartz tube 210 is installed. In addition, since the secondary quartz tube 220 is separated from the primary quartz tube 210 and is detachably installed with the tube through hole 100 -B, before or after refilling the polysilicon (PS). After filling, as shown in FIG. 2B, the internal structure of the chamber 100 can be simplified by separating from the tube through hole 100 -B. Here, MS, which is not described, denotes a silicon melt that is melted in the quartz crucible 110. Reference numeral 101 denotes a lid that closes the tube through hole 100 -B of the chamber 100 when the secondary quartz tube 220 is removed.

1차 석영 튜브(210)는 열쉴드(160)의 내부 벽면에 볼트 및 행어(hanger)로서 고정 설치되고, 1차 석영 튜브(210)를 열쉴드(160)의 내부 벽면에 고정 설치하는 볼트 및 행어는 흑연(Graphite) 또는 CCM(carbon composite material) 재질로 형성된 것이 바람직하다. 이는 실리콘 단결정 잉곳의 성장시 1차 석영 튜브를 고정 설치하기 위한 볼트 및 행어에 의한 오염을 방지하기 위한 것이다. The primary quartz tube 210 is fixedly installed as a bolt and a hanger on the inner wall of the heat shield 160, the bolt for fixing the primary quartz tube 210 to the inner wall of the heat shield 160 and The hanger is preferably formed of graphite or carbon composite material. This is to prevent contamination by bolts and hangers for fixed installation of the primary quartz tube during the growth of the silicon single crystal ingot.

그리고, 2차 석영 튜브(220)로부터 투입되는 폴리 실리콘(PS)를 안정적으로 1차 석영 튜브의 내부로 투입하기 위하여, 1차 석영 튜브(210)는 그 상부에 깔때기 모양의 폴리 실리콘 투입구(211)가 형성된 것이 바람직하다. In addition, in order to stably inject the polysilicon PS input from the secondary quartz tube 220 into the primary quartz tube, the primary quartz tube 210 has a funnel-shaped polysilicon inlet 211 thereon. Is preferably formed.

또한, 1차 석영 튜브(210) 또는 2차 석영 튜브(220)를 통하여 폴리 실리콘(PS)의 적정량을 안정적으로 석영 도가니(110)의 내부로 투입하기 위하여, 1차 석영 튜브(210)와 2차 석영 튜브(220)의 지름은 10 내지 50㎜로 형성된 것이 더욱 바람직하다. In addition, the primary quartz tube 210 and the secondary quartz tube 220 through the primary quartz tube 210 and 2 in order to stably inject an appropriate amount of polysilicon (PS) into the quartz crucible 110. More preferably, the diameter of the primary quartz tube 220 is 10 to 50 mm.

상술한 바와 같은 구성으로 형성된 본 발명인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 폴리 실리콘(PS)을 재충진하지 않는 상태에서는 도 2b에 도시된 바와 같이, 2차 석영 튜브(220)를 분리 제거한 상태를 유지하여 챔버(100) 내부의 구조를 간단히 할 수 있다. 그리고 폴리 실리콘(PS)를 재충진할 경우에는 도 2a에 도시된 바와 같이 2차 석영 튜브(220)를 튜브 관통구(100-B)에 설치하여 폴리 실리콘(PS)을 석영 도가니(110)의 내부에 재충진할 수 있는 것이다. 따라서, 석영 도가니(110)의 내부에 폴리 실리콘(PS)을 재충진함에 있어서, 챔버(100) 내부 구조체의 제약을 받지 않고 안정적으로 폴리 실리콘(PS)을 충진할 수 있는 것이다.In the growth apparatus of the silicon single crystal ingot of the present invention formed in the above-described configuration, the secondary quartz tube 220 is separated and removed as shown in FIG. 2B without refilling polysilicon (PS). The structure inside the chamber 100 can be simplified. In the case of refilling polysilicon (PS), as shown in FIG. 2A, a secondary quartz tube 220 is installed in the tube through hole 100 -B, thereby forming polysilicon PS in the quartz crucible 110. It can be refilled inside. Therefore, in refilling the polysilicon PS in the quartz crucible 110, the polysilicon PS may be stably filled without being restricted by the internal structure of the chamber 100.

또, 폴리 실리콘(PS)을 재충진하기 위한 장치로서, 1차 석영 튜브(210)가 열쉴드(160)에 고정 설치된 상태에서 1차 석영 튜브(210)와 분리된 2차 석영 튜브(220)를 설치 및 분리하면서 사용이 가능하도록 하였으므로, 실리콘 단결정 잉곳의 생산성 및 품질 향상을 위한 챔버(100) 내부의 구조체의 변경에 있어서, 폴리 실리콘(PS)의 재충진을 위한 장치에 영향을 받지 않고 용이하게 구조 변경을 할 수 있도록 하였다. In addition, as a device for refilling polysilicon (PS), the secondary quartz tube 220 separated from the primary quartz tube 210 in a state where the primary quartz tube 210 is fixedly installed on the heat shield 160. Since it is possible to use while installing and removing, it is easy to change the structure inside the chamber 100 to improve the productivity and quality of the silicon single crystal ingot, without being affected by the device for refilling polysilicon (PS). It is possible to make structural changes.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the claims It belongs to the scope of the present invention.

본 발명은 챔버 내부에 설치되어 있는 다양한 구조체의 제약을 받지 않고 안정적으로 폴리 실리콘을 재충진할 수 있는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 제공하였다. The present invention provides a growth apparatus of a silicon single crystal ingot capable of stably refilling polysilicon without being limited by various structures installed inside the chamber.

그리고, 실리콘 단결정 잉곳의 생산성 및 품질 향상을 위하여 챔버 내부의 구조를 다양하게 개선함에 있어서 폴리 실리콘을 재충진에 따른 구조적 한계를 받지 않는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 제공하였다. In addition, in order to improve the productivity and quality of the silicon single crystal ingot, in order to improve the structure inside the chamber in various ways, the growth apparatus of the silicon single crystal ingot does not receive structural limitations due to the refilling of polysilicon.

도 1은 종래의 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치의 개략적인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a growth apparatus of a conventional silicon single crystal ingot.

도 2a 및 도 2b는 본 발명인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치의 개략적인 단면도.2A and 2B are schematic cross-sectional views of a growth apparatus of a silicon single crystal ingot of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 챔버 100-A, 100-B : 튜브 관통구100: chamber 100-A, 100-B: tube through hole

110 : 석영 도가니110: quartz crucible

120 : 흑연 도가니 130 : 페데스탈120: graphite crucible 130: pedestal

140 : 히터(heater) 150 : 열차폐막140: heater 150: heat shield

160 : 열쉴드(heat shield) 170 : 실리콘 단결정 잉곳 성장 탑160: heat shield 170: silicon single crystal ingot growth top

180 : 수냉관 190 : 석영 튜브180: water cooling tube 190: quartz tube

210 : 1차 석영 튜브 211 : 폴리 실리콘 투입구210: primary quartz tube 211: polysilicon inlet

220 : 2차 석영 튜브220: secondary quartz tube

PS : 폴리 실리콘 PS: Polysilicon

Claims (4)

챔버와, 상기 챔버의 내부에 설치된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 지지하는 흑연 도가니와, 상기 석영 도가니와 흑연 도가니를 지지 및 회전시키는 페데스탈과, 상기 챔버의 내부에서 열을 복사시키는 히터와, 상기 히터로부터의 열이 상기 챔버의 외부로 방출되는 것을 차단하는 열차폐막과, 상기 석영 도가니의 상부에 설치된 열쉴드와, 상기 챔버의 상부로 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장탑과, 상기 실리콘 단결정 잉곳 성장탑의 내부와 상기 챔버 내부의 상부에 설치된 수냉관을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에 있어서,A chamber, a quartz crucible provided inside the chamber, a graphite crucible supporting the quartz crucible, a pedestal supporting and rotating the quartz crucible and the graphite crucible, a heater radiating heat inside the chamber, A heat shield for preventing heat from the heater from being discharged to the outside of the chamber, a heat shield provided on the top of the quartz crucible, a silicon single crystal ingot growth tower for growing the ingot over the chamber, and the silicon single crystal ingot In the growth apparatus of the silicon single crystal ingot comprising a water cooling tube installed inside the growth tower and the upper portion of the chamber, 상기 열쉴드의 내부 벽면에 고정 설치된 1차 석영 튜브와,A primary quartz tube fixedly installed on an inner wall of the heat shield; 상기 챔버의 상부에는 튜브 관통구가 형성되고,A tube through hole is formed in the upper portion of the chamber, 상기 챔버의 튜브 관통구에 분리 가능하도록 설치된 2차 석영 튜브를 포함하되, Includes a secondary quartz tube detachably installed in the tube through hole of the chamber, 상기 1차 석영 튜브 또는 2차 석영 튜브는 그 지름이 10 내지 50㎜로 형성된 것이 특징인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.The primary quartz tube or the secondary quartz tube is a silicon single crystal ingot growth apparatus, characterized in that formed in a diameter of 10 to 50mm. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 1차 석영 튜브는 상기 열쉴드의 내부 벽면에 흑연(Graphite) 또는 CCM(carbon composite material) 재질로 형성된 볼트 및 행어(hanger)로 고정 설치된 것이 특징인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.And the primary quartz tube is fixed to the inner wall of the heat shield by bolts and hangers formed of graphite or carbon composite material. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 1차 석영 튜브는 그 상부에 깔때기 모양의 폴리 실리콘 투입구가 형성된 것이 특징인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치. The primary quartz tube is a growth apparatus of silicon single crystal ingot, characterized in that the funnel-shaped polysilicon inlet is formed on the top. 제 1항 내지 제 3항의 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 2차 석영 튜브가 분리되었을 때 챔버의 튜브 관통구를 막는 덮개를 부가로 포함하는 것이 특징인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치. And a cover for blocking the tube through hole of the chamber when the secondary quartz tube is separated.
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