KR100477949B1 - SPHERICAL SiC-BASED PARTICLES AND METHODS FOR PREPARING THE SAME - Google Patents

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Abstract

본 발명은 구형 탄화규소계 화합물 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 하기 수학식 1을 만족하는 구상의 구형 입자를 10 중량% 이상 포함하는 구형 탄화규소계 화합물과 그의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a spherical silicon carbide compound and a method for producing the same, and in particular, to provide a spherical silicon carbide compound containing 10% by weight or more of spherical spherical particles satisfying the following formula (1) and a method for producing the same.

[수학식 1][Equation 1]

0.99 ≤ a/b ≤ 10.99 ≤ a / b ≤ 1

(상기 식에서, a는 입자의 단경이고, b는 입자의 장경이다)(Wherein a is the short diameter of the particle and b is the long diameter of the particle)

Description

구형 탄화규소계 화합물 및 그의 제조방법{SPHERICAL SiC-BASED PARTICLES AND METHODS FOR PREPARING THE SAME}Spherical Silicon Carbide-Based Compound and Method for Manufacturing the Same {SPHERICAL SiC-BASED PARTICLES AND METHODS FOR PREPARING THE SAME}

본 발명은 구형 탄화규소계 화합물 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 크기가 0.1 ㎛ 이상인 구형의 탄화규소(SiC) 입자 또는 탄화규소가 코팅된 구형 탄소 입자인 탄화규소계 화합물, 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a spherical silicon carbide-based compound and a method for producing the same, in particular, a silicon carbide-based compound which is a spherical silicon carbide (SiC) particles having a size of 0.1 ㎛ or more, or a spherical carbon particles coated with silicon carbide, and a method for producing the same. It is about.

[종래 기술][Prior art]

탄화규소는 높은 강도와 강성을 나타내고 전기전도도가 낮으므로, 구형의 탄화규소 또는 탄화규소가 코팅된 구형 탄소는 전기유변유체(electrorheological fluids)의 분산입자로 사용되거나, 복합재료의 원료, 볼펜의 팁 또는 볼 베어링으로 사용될 수 있다.Since silicon carbide has high strength and stiffness and low electrical conductivity, spherical silicon carbide or silicon carbide coated spherical carbon is used as dispersed particles of electrorheological fluids, raw materials of composite materials, and tip of ballpoint pens. Or as a ball bearing.

종래의 상기 탄화규소 입자를 제조하는 방법으로 직접 실리콘을 탄화시키는 방법이 있으나, 실리콘의 가격이 비싸기 때문에 비경제적이다. 또 다른 방법으로 실란 화합물을 열분해시켜 탄화규소 분말을 제조하는 방법이 있으나, 이 방법 역시 취급하는 물질이 위험하고 고가의 비용이 소요되는 문제가 있었다.There is a method of directly carbonizing silicon as a conventional method for producing the silicon carbide particles, but it is uneconomical because the price of silicon is expensive. As another method, there is a method of preparing silicon carbide powder by pyrolyzing a silane compound, but this method also has a problem in that a material to be handled is dangerous and expensive.

또 다른 방법의 예로, 프로필렌 (C3H6)을 열분해하여 제조한 탄소에 흄드 실리카(fumed sillica) 입자를 코팅하여 불활성 가스 분위기 하에서 1,600 내지 2,100 ℃의 온도로 반응시켜 탄소열 환원(carbothermal reduction)에 의해 수에서 수십 ㎛의 크기를 갖는 베타-탄화규소(β-SiC)를 제조하는 방법이 보고된 바 있다(J. Mater. Sci., 33(1998) 2537). 상기 방법의 경우 생성된 탄화규소는 덩어리 형태로 분쇄과정을 거쳐야 하므로 최종적으로 얻어지는 탄화규소의 입자형태는 구형이 아닌 불규칙한 형태이다.As another example, carbon thermal reduction is performed by coating fumed silica particles on carbon prepared by pyrolysis of propylene (C 3 H 6 ) and reacting at a temperature of 1,600 to 2,100 ° C. under an inert gas atmosphere. Has been reported to produce beta-silicon carbide (β-SiC) having a size of several tens of micrometers in number (J. Mater. Sci., 33 (1998) 2537). In the case of the above method, since the produced silicon carbide has to be pulverized in the form of agglomerates, the finally obtained silicon carbide particles are irregular, not spherical.

또한, 최근에는 섬유상의 탄화규소를 제조하는 방법이 알려져 있다. 크리쉬나라오(Krishnarao) 등은 면섬유를 질화규소와 1300 ℃이상에서 반응시켜 SiC 단섬유를 제조하는 방법을 기술한 바 있으며(Krishnarao. R.V.; Mahajam, Y.R. J. Mater. Sci. Lett., 15 (1996) 232), 오카다(Okada)와 그의 공동연구자들은 활성탄소 섬유와 SiO 기체를 반응시켜 SiC 섬유를 제조하였고(Okada, K.; Kata, H.; Nakajima, K. J. Am. Ceram. Soc., 77 (1994) 1691-1693), 그 밖에 컬터(Culter)는 왕겨로부터 SiC 섬유를 제조하였다(Culter, I.B., 미국특허 제3,745,076호, 1970).In recent years, a method for producing fibrous silicon carbide is known. Krishnarao et al. Described a method for producing SiC short fibers by reacting cotton fibers with silicon nitride at temperatures above 1300 ° C. (Krishnarao. RV; Mahajam, YR J. Mater. Sci. Lett ., 15 (1996) 232) and Okada and their co-workers produced SiC fibers by reacting activated carbon fibers with SiO gas (Okada, K .; Kata, H .; Nakajima, K. J. Am. Ceram. Soc., 77 ( 1994) 1691-1693), and Culter also produced SiC fibers from chaff (Culter, IB, US Pat. No. 3,745,076, 1970).

또한, 전환방법('pack-cementation'이라고도 함)에 의해 탄소섬유로부터 SiC 섬유를 제조하는 방법이 보고되어 있다(Carbon Science 1(2000), 12-16). 즉, SiC, Si 및 Al2O3의 혼합물로 이루어진 충전 분말(pack-powder)을 1,100 내지 1,800 ℃의 온도로 30분 내지 4시간 동안 열처리하여 불안정한 기상의 SiO를 발생시키면, 이 기체는 탄소기질의 표면 및 내부로 확산되며, 이때 탄소와 반응하면서 SiC를 석출하고 기상의 CO를 방출하게 되어 기질은 SiC로 전환되고, CO는 다시 충전 분말로 확산되어 Si와 반응하여 연쇄반응으로 1 내지 10 ㎛의 SiC를 제조하고 있다. 그러나, 상기 방법의 경우 1800 ℃에서 SiO 기체가 섬유내부로 확산해가는 속도보다 섬유를 구성하고 있는 탄소와의 반응속도가 빠르기 때문에 섬유의 일정한 두께까지만 SiC로 전환되고 내부는 탄소가 그대로 남아 있는 코어쉘 구조를 가지는 문제가 있고, 또한 결정의 배열이 섬유의 축방향에 대해 수직으로 성장하여 섬유의 기계적 강도에 문제가 있다.In addition, a method for producing SiC fibers from carbon fibers by a conversion method (also called 'pack-cementation') has been reported (Carbon Science 1 (2000), 12-16). That is, when a packed powder composed of a mixture of SiC, Si, and Al 2 O 3 is heat-treated at a temperature of 1,100 to 1,800 ° C. for 30 minutes to 4 hours to generate an unstable gaseous SiO, the gas is carbon-based. It diffuses to the surface and inside of, where it reacts with carbon to precipitate SiC and release gaseous CO, so that the substrate is converted to SiC, and CO is diffused into the packed powder and reacted with Si to react with Si in a chain reaction of 1 to 10 ㎛. SiC is manufactured. However, in the above method, since the reaction rate with carbon constituting the fiber is faster than the rate at which SiO gas diffuses into the fiber at 1800 ° C., only a predetermined thickness of the fiber is converted into SiC and the inside of the carbon remains intact. There is a problem of having a shell structure, and also an arrangement of crystals grows perpendicularly to the axial direction of the fiber, thereby causing a problem in the mechanical strength of the fiber.

또한, 대한민국 특허등록 제 115794 호에 200 메쉬 이하의 실리카 1몰과 탄소원 1.5 내지 3몰, 50 메쉬 이하의 마그네슘(MgO) 2.0 내지 2.7몰을 혼합하여 성형체를 만들고, 이 성형체를 점화하여 자체 화학발열 반응시키고, 산 세척한 후 세척, 여과, 건조하고 배소하여 유리탄소를 제거시키고, 질산과 불산의 혼합용액을 가하여 가열시키고 여과, 세척, 건조 후 분쇄하여 0.5 ㎛ 이하의 크기를 갖는 탄화규소(SiC)를 제조하는 방법이 기술되어 있다. 또한, 대한민국 특허공개 제 1991-700198 호에는 반응물 수송 기관, 반응 챔버, 가열 수단, 냉각 챔버 등으로 구성된 장치에서, 비결정성 과립상 실리카, 발연 실리카, 수성 콜로이드 실리카, 실리카겔, 침전 실리카 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 실리카 공급원과, 탄화수소, 탄수화물, 전분, 셀룰로오스, 기타 탄소 함유 화합물 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 탄소 공급원을 탄소 대 실리카의 몰비가 3.5 미만으로 혼합시키고, 실리카 공급원과 탄소 공급원의 미립상 반응성 혼합물에 대하여 실질적으로 반응성 혼합물의 모든 입자를 약 100 ℃/초 이상의 가열속도로 1,400 내지 2,400 ℃의 온도에서 개별적으로 가열하고 0.2 내지 10초 동안 유지되는 가열대를 통과시키며, 과량의 탄소와 산소의 적어도 일부를 제거함으로써 탄화규소 결정의 50 중량% 이상이 중간 결정 크기의 0.4 내지 1.6배인 크기 분포를 갖는 탄화규소 결정이 약 80 중량% 이상이 되게 하는 탄소열 환원을 이용하여 미세한 탄화규소 세라믹 분말을 제조하는 방법이 기술되어 있다. 그러나, 상기 방법들은 미세한 크기의 탄화규소를 제조할 수는 있으나, 공정이 복잡하거나 제조된 탄화규소 입자의 형상이 구형이 아닌 불규칙한 형상이란 문제가 있다.In addition, Korean Patent Registration No. 115794 mixes 1 mole of silica or less with 200 mesh and 1.5 to 3 moles of carbon source and 2.0 to 2.7 moles of magnesium (MgO) of 50 mesh or less to make a molded product, and then ignites the molded product to self-heat the chemical. Reaction, washing with acid, washing, filtration, drying and roasting to remove free carbon, heating by adding nitric acid and hydrofluoric acid mixed solution, filtration, washing, drying and pulverizing silicon carbide (SiC) ) Is described. In addition, Korean Patent Publication No. 1991-700198 discloses amorphous granular silica, fumed silica, aqueous colloidal silica, silica gel, precipitated silica, and mixtures thereof in a device consisting of a reactant transport engine, a reaction chamber, a heating means, a cooling chamber, and the like. And a carbon source selected from hydrocarbons, carbohydrates, starches, celluloses, other carbon-containing compounds, and mixtures thereof, with a molar ratio of carbon to silica of less than 3.5, to a particulate reactive mixture of the silica source and the carbon source. Substantially all of the particles of the reactive mixture are heated individually at a temperature of 1,400 to 2,400 ° C. at a heating rate of at least about 100 ° C./sec and passed through a heating zone maintained for 0.2 to 10 seconds, at least a portion of the excess carbon and oxygen At least 50% by weight of the silicon carbide crystals A method for producing fine silicon carbide ceramic powders using carbon thermal reduction that results in silicon carbide crystals having a size distribution of 0.4 to 1.6 times the crystal size of at least about 80% by weight is described. However, the above methods can produce silicon carbide of a fine size, but there are problems in that the process is complicated or that the shape of the manufactured silicon carbide particles is irregular rather than spherical.

따라서, 본 발명은 상기 종래 기술에서의 문제점을 고려하여, 탄소 전구체와 소수성 실리카를 사용하여 간단한 방법에 의해 0.1 ㎛ 이상 크기의 구형의 형상을 갖는 구형 탄화규소계 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a spherical silicon carbide-based compound having a spherical shape of 0.1 μm or more by a simple method using a carbon precursor and hydrophobic silica.

본 발명의 다른 목적은 상기 구형 탄화규소계 화합물의 제조시 탄소 전구체와 실리카의 혼합 비, 및 소성온도와 시간을 조절하여 구형 탄화규소를 제조하거나 또는 탄화규소가 코팅된 탄소입자를 제조하는 구형 탄화규소계 화합물의 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to adjust the mixing ratio of the carbon precursor and silica, and the firing temperature and time in the production of the spherical silicon carbide-based compound to produce spherical silicon carbide or spherical carbide to produce carbon carbide coated carbon particles It is to provide a method for producing a silicon compound.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 구형 탄화규소계 화합물에 있어서,In order to achieve the above object, the present invention provides a spherical silicon carbide compound,

하기 수학식 1을 만족하는 구상의 구형 입자를 10 중량% 이상 포함하는 구형 탄화규소계 화합물을 제공한다.It provides a spherical silicon carbide compound containing 10% by weight or more of spherical spherical particles satisfying the following formula (1).

[수학식 1][Equation 1]

0.99 ≤ a/b ≤ 10.99 ≤ a / b ≤ 1

상기 식에서, a는 입자의 단경이고, b는 입자의 장경이다.Wherein a is the short diameter of the particle and b is the long diameter of the particle.

또한, 본 발명은 구형 탄화규소계 화합물의 제조방법에 있어서,In addition, the present invention provides a method for producing a spherical silicon carbide compound,

a) ⅰ) 탄소 전구체; 및a) iii) a carbon precursor; And

ⅱ) 표면이 소수성으로 처리된 실리카   Ii) silica with hydrophobic surface

를 혼합하는 단계; 및   Mixing; And

b) 상기 a)단계의 혼합물을 소성하는 단계b) calcining the mixture of step a)

를 포함하는 제조방법을 제공한다.It provides a manufacturing method comprising a.

이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 수지, 핏치, 구형 탄소 또는 이들의 혼합물을 탄소 전구체로 하여 소수성(hydrophobic)을 갖도록 표면이 처리된 실리카를 첨가하고 혼합한 후 이를 불활성 가스 분위기하에서 1400 ℃이상의 온도로 열처리하는 구형 탄화규소계 화합물 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다. 이러한 방법에 따르면 원료 혼합 후 단 한번만의 열처리만으로 0.1 ㎛ 이상의 크기를 갖는 구형입자를 제조할 수 있다.The present invention is a spherical silicon carbide which is a resin, pitch, spherical carbon or a mixture thereof, is added to the surface treated to have a hydrophobic (silica) hydrophobic (silica), and then mixed and heat-treated at a temperature of 1400 ℃ or more in an inert gas atmosphere It is to provide a sub-compound and a method for producing the same. According to this method, it is possible to produce spherical particles having a size of 0.1 μm or more by only one heat treatment after mixing raw materials.

이러한 본 발명의 구형 탄화규소계 화합물은 하기 수학식 1을 만족하는 구상의 구형 입자를 10 중량% 이상 포함하는 것이 바람직하다.Such spherical silicon carbide compound of the present invention preferably contains 10% by weight or more of spherical spherical particles satisfying the following formula (1).

또한, 상기 구형 탄화규소계 화합물의 나머지 입자는 하기 수학식 2를 만족하는 구상의 구형 입자를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the remaining particles of the spherical silicon carbide-based compound preferably includes spherical spherical particles satisfying the following formula (2).

[수학식 1][Equation 1]

0.99 ≤ a/b ≤ 10.99 ≤ a / b ≤ 1

[수학식 2][Equation 2]

0.1 ≤ a/b ≤ 0.990.1 ≤ a / b ≤ 0.99

상기 식에서, a는 입자의 단경이고, b는 입자의 장경이다.Wherein a is the short diameter of the particle and b is the long diameter of the particle.

이러한 본 발명의 구형 탄화규소계 화합물은 평균입경이 0.1 ㎛ 이상, 바람직하게 0.1 내지 500 ㎛인 것이 바람직하다.The spherical silicon carbide compound of the present invention has an average particle diameter of 0.1 µm or more, preferably 0.1 to 500 µm.

본 발명에서 상기 구형 탄화규소계 화합물은 구형 탄화규소 입자이거나 또는 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자인 것이 바람직하다.In the present invention, the spherical silicon carbide compound is preferably spherical silicon carbide particles or spherical carbon particles coated with silicon carbide.

또한, 본 발명의 구형 탄화규소계 화합물은 하기와 같이 간단한 방법으로 제조할 수 있다. 상세히 하면, 본 발명은 a) 탄소 전구체 및 표면이 소수성으로 처리된 실리카를 혼합하는 단계를 실시한 후, b) 상기 a)혼합물을 소성하는 단계를 실시하여 구형 탄화규소계 화합물을 제조한다.In addition, the spherical silicon carbide compound of the present invention can be prepared by a simple method as follows. In detail, the present invention performs a step of a) mixing the carbon precursor and the surface treated hydrophobic silica, and b) calcining the mixture to prepare a spherical silicon carbide-based compound.

본 발명에서는 탄소 전구체와 실리카의 혼합비, 소성온도 및 시간을 적절히 조절함으로써 구형을 갖는 탄화규소를 제조하거나, 또는 탄화규소가 코팅된 탄소입자를 제조할 수 있는 특징이 있다.In the present invention, by adjusting the mixing ratio, firing temperature and time of the carbon precursor and silica, there is a feature that can produce a silicon carbide having a spherical shape, or to produce a carbon carbide coated carbon particles.

상기 탄소 전구체와 표면이 소수성으로 처리된 실리카의 혼합비율은 100 : 0.1 내지 1000의 중량비로 혼합하는 것이 바람직하며, 이때 상기 탄소전구체 100 중량부에 대하여 표면이 소수성으로 처리된 실리카의 첨가량이 0.1 중량부 미만이면 구형 입자의 제조가 어렵고, 1000 중량부를 초과하면 첨가량 만큼의 효과를 얻기가 어렵다. 그러나 실리카의 첨가량이 클수록 탄소표면의 탄화규소 코팅 층의 두께가 증가하므로, 원하는 탄화규소 층의 두께에 맞도록 실리카 양을 조절할 필요가 있다. 즉, 구형의 탄화규소 입자를 얻기 위해서는 탄소 전구체에 대한 실리카의 무게비가 50% 이상이 되어야 한다.The mixing ratio of the carbon precursor and the surface-treated silica is preferably mixed in a weight ratio of 100: 0.1 to 1000, wherein the amount of the silica-treated surface hydrophobic is 0.1 weight based on 100 parts by weight of the carbon precursor. If it is less than parts, the production of spherical particles is difficult, and if it is more than 1000 parts by weight, it is difficult to obtain the effect as much as the added amount. However, as the amount of silica added increases, the thickness of the silicon carbide coating layer on the carbon surface increases, so it is necessary to adjust the amount of silica to suit the thickness of the desired silicon carbide layer. That is, in order to obtain spherical silicon carbide particles, the weight ratio of silica to carbon precursor should be 50% or more.

따라서, 본 발명에서는 구형 탄화규소를 제조할 경우에는 a) 탄소 전구체 및 표면이 소수성으로 처리된 실리카를 100 : 50 내지 1000의 중량비로 혼합한 후, 1 내지 100 ℃/분의 승온속도로 700 내지 1000 ℃의 온도에서 1 내지 10시간 동안 소성한 후, 다시 1 내지 100 ℃/분의 승온속도로 가열하여 1400 내지 2000 ℃의 온도에서 1 내지 10 시간 동안 재소성하는 것이 바람직하다.Therefore, in the present invention, when producing the spherical silicon carbide a) after mixing the carbon precursor and the surface-treated hydrophobic silica in a weight ratio of 100: 50 to 1000, 700 to a temperature increase rate of 1 to 100 ℃ / min After firing for 1 to 10 hours at a temperature of 1000 ℃, it is preferable to heat again at a temperature increase rate of 1 to 100 ℃ / min and refire for 1 to 10 hours at a temperature of 1400 to 2000 ℃.

또한, 본 발명에서 탄화규소가 코팅된 탄소입자를 제조할 경우에는 a) 탄소 전구체와 표면이 소수성으로 처리된 실리카를 100 : 0.1 내지 1000의 중량비로 혼합한 후, 1 내지 100 ℃/분의 승온속도로 700 내지 1000 ℃의 온도에서 1 내지 10시간 동안 소성한 후, 다시 1 내지 100 ℃/분의 승온속도로 가열하여 1400 내지 2000 ℃의 온도에서 30분 내지 10 시간 동안 재소성하는 것이 바람직하다.In the present invention, when preparing carbon carbide-coated carbon particles, a) a carbon precursor and a surface-treated hydrophobic silica are mixed at a weight ratio of 100: 0.1 to 1000, and then heated to 1 to 100 ° C / min. It is preferable to bake for 1 to 10 hours at a temperature of 700 to 1000 ° C at a rate, and then to again heat at a temperature rising rate of 1 to 100 ° C / min for 30 minutes to 10 hours at a temperature of 1400 to 2000 ° C. .

상기 혼합은 유발, 볼밀 등에서 실시하여 탄소 전구체 표면에 소수성 실리카 입자를 코팅하거나, 소수성 실리카와 고분자 결합제를 용매에 분산시켜 슬러리를 제조한 후 슬러리를 탄소 전구체 표면에 코팅하는 방법이 있다. 그러나 본 발명에서 탄소 전구체 표면에 소수성 실리카를 코팅하는 방법이 상기 방법만으로 한정되는 것은 아니다.The mixing may be performed in a mortar, ball mill, or the like to coat hydrophobic silica particles on the surface of the carbon precursor, or to prepare a slurry by dispersing the hydrophobic silica and the polymer binder in a solvent, and then coating the slurry on the surface of the carbon precursor. However, the method of coating the hydrophobic silica on the surface of the carbon precursor in the present invention is not limited to the above method.

본 발명에서 사용되는 탄소 전구체는 실리카와 혼합할 수 있는 고체 분말 상태이면 되므로 전구체 종류에는 특별한 제한이 없고, 바람직하게는 구형 탄소, 수지, 핏치, 또는 이들의 혼합물을 사용한다. 또한 전구체 분말의 입자크기에도 제한이 없다.Since the carbon precursor used in the present invention may be a solid powder that can be mixed with silica, there is no particular limitation on the kind of precursor, and spherical carbon, resin, pitch, or a mixture thereof is preferably used. In addition, the particle size of the precursor powder is not limited.

본 발명에서 탄소 전구체로 사용되는 수지는 열경화성 합성수지를 사용하는 것이 바람직하며, 이러한 열경화성 합성수지는 페놀(phenolics) 수지, 퓨란 (furan) 수지, 에폭시(epoxy) 수지, 폴리아크릴로니트릴 (polyacrylonitrile) 수지, 폴리이미드(polyimide) 수지, 폴리벤지 이미다졸(polybenzimidazoloe) 수지, 폴리페닐렌(polyphenylene) 수지, 및 바이페놀 (biphenol) 수지, 디비닐벤젠 스티렌 공중합체(divinylbenzene styrene copolymer), 및 셀룰로오스로부터 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것이 바람직하다.In the present invention, the resin used as the carbon precursor is preferably a thermosetting synthetic resin, and the thermosetting synthetic resin is a phenolics resin, a furan resin, an epoxy resin, a polyacrylonitrile resin, From the group consisting of polyimide resin, polybenzimidazoloe resin, polyphenylene resin, and biphenol resin, divinylbenzene styrene copolymer, and cellulose It is preferable that 1 or more types are selected.

또한, 본 발명에서 탄소 전구체로 사용되는 핏치는 석유 핏치 또는 석탄 핏치 등이 사용될 수 있다.In addition, the pitch used as the carbon precursor in the present invention may be used such as petroleum pitch or coal pitch.

본 발명은 상기 탄소 전구체에 표면이 소수성으로 처리된 실리카를 첨가함으로써 구형의 입자로 전환할 수 있다. 본 발명에서 사용하는 상기 소수성 실리카는 탄소 전구체 분말의 표면을 둘러싸서 탄화과정에서 탄소입자가 서로 뭉치는 현상을 방지하며, 또한 탄화과정에서 입자가 수축할 때 높은 표면장력을 제공하여 입자가 구형이 되도록 유도한다. 상기 탄소 전구체에 실리카를 도입하지 않거나 표면이 소수성으로 처리되지 아니한 실리카를 도입하여 탄화하면 덩어리 형태의 입자가 얻어지므로, 본 발명에서 표면이 소수성으로 처리된 실리카의 사용이 구형입자의 제조에 매우 중요한 요소가 된다.The present invention can be converted into spherical particles by adding a hydrophobically treated silica to the carbon precursor. The hydrophobic silica used in the present invention surrounds the surface of the carbon precursor powder to prevent agglomeration of carbon particles from each other in the carbonization process, and also provides a high surface tension when the particles shrink in the carbonization process so that the particles are spherical. Induce as much as possible. When the carbon precursor is not introduced into the carbon precursor or carbonized by introduction of silica that has not been hydrophobized on the surface, agglomerated particles are obtained. Therefore, in the present invention, the use of silica whose surface is hydrophobically treated is very important for the production of spherical particles. To be an element.

본 발명에서 사용하는 표면이 소수성으로 처리된 실리카의 구체적 예는 캐보트(Cabot)사의 카보실(CAB-O-SIL TS-720, TS-610, TS-530, TS-500, TG-308F, TG-810G530 등)과 대구사(Deggusa)사의 에어로실(AEROSIL R972, R974, R812, R812S, R202) 등과 같은 실리카 들이 있다. 이들 무기물은 상품화된 제품을 사용할 수도 있고, 또한 합성하여 사용할 수도 있다.Specific examples of silica whose surface is hydrophobicly treated in the present invention include Cabosil (Cab-O-SIL TS-720, TS-610, TS-530, TS-500, TG-308F, TG-810G530, etc.) and Deggusa's Aerosil (AEROSIL R972, R974, R812, R812S, R202). These inorganic substances may use a commercialized product, and may also use it synthetically.

상기 표면이 소수성으로 처리된 실리카의 합성방법은 구체적 예를 들면, 표면이 비소수성인 흄드 실리카(fumed silica)와 트리메틸클로로실란(trimethyl chlorosilane)과 같은 유기실란 표면처리제를 톨루엔과 같은 용매에 첨가한 후, 교반하면서 환류시켜주어 표면이 소수성으로 처리된 실리카를 쉽게 얻을 수 있다.The method of synthesizing the hydrophobized silica specifically includes adding an organosilane surface treatment agent such as fumed silica and trimethyl chlorosilane whose surface is non-hydrophobic to a solvent such as toluene. By refluxing with stirring, the surface-treated hydrophobic silica can be easily obtained.

본 발명은 상기 혼합물을 불활성 가스(예를 들면, 아르곤, 질소, 헬륨 등) 분위기 하에서 소성함으로써, 바로 구형을 갖는 탄화규소 또는 탄화규소가 코팅된 탄소입자를 얻게 된다. 이때 상기한 바와 같이 일반적으로 탄소 전구체의 탄소함량에 비해 실리카의 실리콘 함량이 증가할수록 코팅된 탄화규소 층의 두께가 증가하며, 소성온도와 시간이 증가할수록 탄화규소 코팅 층의 두께가 증가하므로, 첨가한 실리카의 함량이 충분하고 소성온도와 시간이 길면 구형의 순수한 탄화규소 입자가 얻어진다.In the present invention, the mixture is calcined under an inert gas (eg, argon, nitrogen, helium, etc.) atmosphere, thereby obtaining carbon spheres coated with silicon carbide or silicon carbide having a spherical shape. In this case, as described above, the thickness of the coated silicon carbide layer increases as the silicon content of the silica increases as compared to the carbon content of the carbon precursor, and the thickness of the silicon carbide coating layer increases as the firing temperature and time increase. If the content of one silica is sufficient and the firing temperature and time are long, spherical pure silicon carbide particles are obtained.

이하 본 발명을 하기 실시예 및 비교예를 참조로 하여 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명이 이들만으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the following Examples and Comparative Examples. However, these examples are only for illustrating the present invention, and the present invention is not limited thereto.

[실시예 1]Example 1

탄소 전구체인 페놀 수지 (phenolic resins)에 헥사메틸디실라진 (hexamethyldisilazane)으로 표면이 소수성으로 처리된 카보실 (CAB-O-SIL) TS-530 실리카 (fumed silica)를 1 : 1의 중량비로 유발에서 혼합한 후, 아르곤 가스 분위기 하에서 10 ℃/분의 승온 속도로 가열하여 1000 ℃에서 1시간 동안 유지시켰다. 다시 10 ℃/분의 승온 속도로 가열하여 1400 ℃에서 3시간 동안 열처리하여 구형의 탄화규소가 코팅된 탄소입자를 제조하였다. 이렇게 제조된 구형 입자의 탄소 표면에 코팅된 탄화규소 층의 두께는 약 2 ㎛이었다. 이의 주사 전자현미경 사진(8,000 배)을 촬영하여 도 1에 나타내었다. 도 2에는 상기에서 얻은 탄소입자의 주사전자 현미경 사진의 배율을 1,000배로 달리하여 나타낸 것이다. 도 2에서 보면, 탄화규소가 코팅된 대부분의 구형 탄소입자들의 단경 a와 장경 b의 비(a/b)는 0.99 이상이고, 평균입경은 22 ㎛이었다. 도 3에는 상기 방법으로 만들어진 탄화규소가 코팅된 탄소입자를 공기중에서 10 ℃/분의 승온 속도로 가열하여 800 ℃에서 15시간 동안 유지시켜 내부의 탄소를 제거한 입자의 단면의 주사현미경 사진(6,000 배)이다. 도 6에는 이의 열중량분석(공기 중, 10 ℃/분) 결과를 나타내었다. 도 6에서 보면, 탄화규소의 함량이 대략 81 중량%임을 알 수 있다.Phenol resin (CAB-O-SIL) TS-530 silica treated with hexamethyldisilazane hydrophobic surface was induced in phenolic resin, a carbon precursor, in a weight ratio of 1: 1. After mixing at, the mixture was heated at an elevated temperature rate of 10 ° C./min in an argon gas atmosphere and maintained at 1000 ° C. for 1 hour. Spherical silicon carbide-coated carbon particles were prepared by heating at a temperature increase rate of 10 ° C./min and heat-treating at 1400 ° C. for 3 hours. The thickness of the silicon carbide layer coated on the carbon surface of the spherical particles thus prepared was about 2 μm. Scanning electron micrograph (8,000 times) thereof was taken and shown in FIG. 1. 2 shows the magnification of the scanning electron micrograph of the carbon particles obtained above by 1,000 times. 2, the ratio (a / b) of the short diameter a and the long diameter b of most spherical carbon particles coated with silicon carbide was 0.99 or more, and the average particle diameter was 22 μm. 3 is a scanning micrograph (6,000 times) of the cross-section of the carbon carbide coated carbon particles made by the above method was heated at a temperature increase rate of 10 ℃ / min in air and maintained at 800 ℃ for 15 hours to remove the carbon inside )to be. 6 shows its thermogravimetric analysis (in air, 10 ° C./min). In Figure 6, it can be seen that the content of silicon carbide is approximately 81% by weight.

[실시예 2] Example 2

소성온도가 1500 ℃이고 1400 ℃ 이상에서 승온속도가 5 ℃/분인 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자를 제조하였다. 이렇게 제조된 구형입자의 탄소 표면에 코팅된 탄화규소 층의 두께는 약 4 ㎛ 이었다. 이의 주사 전자현미경 단면사진(2,300 배)을 도 4에 나타내었다. 또한, 도 6에는 이의 열중량 분석(공기 중, 10 ℃/분) 결과를 나타내었다. 도 6에서 보면, 탄화규소의 함량이 약 83 중량%임을 알 수 있다. 상기 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자의 단경 a와 장경 b의 비(a/b)는 0.99이고, 평균입경은 20 ㎛이었다.Spherical carbon particles coated with silicon carbide were prepared in the same manner as in Example 1, except that the firing temperature was 1500 ° C. and the temperature increase rate was 5 ° C./min. The thickness of the silicon carbide layer coated on the carbon surface of the spherical particles thus prepared was about 4 μm. Its scanning electron microscope cross section (2,300 times) is shown in FIG. 6 shows the result of thermogravimetric analysis thereof (in air, 10 ° C / min). In Figure 6, it can be seen that the content of silicon carbide is about 83% by weight. The ratio (a / b) of the short diameter a and the long diameter b of the silicon carbide-coated spherical carbon particles was 0.99, and the average particle diameter was 20 µm.

[실시예 3]Example 3

소성온도가 1600 ℃이고 1400 ℃ 이상에서 승온속도가 5 ℃/분인 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 순수한 구형의 탄화규소를 제조하였다. 이의 주사 전자현미경 단면사진(2,000 배)을 도 5에 나타내었다. 도 6에는 이의 열중량분석(공기 중, 10 ℃/분) 결과를 나타내었다. 도 6에서 보면 제조된 입자는 거의 순수한 탄화규소임을 알 수 있다. 상기 구형의 탄화규소 입자의 단경 a와 장경 b의 비(a/b)는 0.99이고, 평균입경은 18 ㎛이었다.Pure spherical silicon carbide was prepared in the same manner as in Example 1 except that the firing temperature was 1600 ° C and the temperature increase rate was 5 ° C / min. Its scanning electron microscope cross section (2,000 times) is shown in FIG. 6 shows its thermogravimetric analysis (in air, 10 ° C./min). In Figure 6 it can be seen that the particles produced are almost pure silicon carbide. The ratio (a / b) of the short diameter a and the long diameter b of the said spherical silicon carbide particles was 0.99, and the average particle diameter was 18 micrometers.

도 7에는 X선 회절 패턴을 나타내었다. 도 7에서 보면 베타-탄화규소(β-SiC)의 회절패턴과 동일하므로 생성된 물질은 베타-탄화규소(β-SiC)임을 알 수 있다.7 shows an X-ray diffraction pattern. In Figure 7 it can be seen that the same as the diffraction pattern of the beta-silicon carbide (β-SiC), the resulting material is beta-silicon carbide (β-SiC).

[실시예 4]Example 4

소성온도 1600 ℃에서 1시간동안 유지한 것을 제외하고는, 상기 실시예 3과 같은 방법으로 구형의 탄화규소 입자를 제조하였다. 상기 구형의 탄화규소 입자의 단경 a와 장경 b의 비(a/b)는 0.99이고, 평균입경은 19 ㎛이었다.Spherical silicon carbide particles were prepared in the same manner as in Example 3, except that the calcination temperature was maintained at 1600 ° C. for 1 hour. The ratio (a / b) of the short diameter a and the long diameter b of the said spherical silicon carbide particles was 0.99, and the average particle diameter was 19 micrometers.

도 6에 이에 대한 열중량 분석(공기 중, 10 ℃/분) 결과를 나타내었다. 도 6에서 보면, 탄화규소의 함량이 약 96 중량%임을 알 수 있다.6 shows the results of thermogravimetric analysis (in air, 10 ° C./min). In Figure 6, it can be seen that the content of silicon carbide is about 96% by weight.

[실시예 5]Example 5

탄소 전구체와 실리카를 1 : 1.5의 중량비로 혼합 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자를 제조하였다. 상기 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자의 단경 a와 장경 b의 비(a/b)는 0.99이고, 평균입경은 20 ㎛이었다.Spherical carbon particles coated with silicon carbide were prepared in the same manner as in Example 1, except that the carbon precursor and the silica were mixed in a weight ratio of 1: 1.5. The ratio (a / b) of the short diameter a and the long diameter b of the silicon carbide-coated spherical carbon particles was 0.99, and the average particle diameter was 20 µm.

[실시예 6]Example 6

폴리디메틸실록세인 (polydimethylsiloxane)으로 표면이 처리된 카보실 (CAB-O-SIL) TS-720 건식 실리카를 사용한 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자를 제조하였다. 상기 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자의 단경 a와 장경 b의 비(a/b)는 0.99이고, 평균입경은 23 ㎛이었다.Spherical carbon particles coated with silicon carbide in the same manner as in Example 1, except that Carbosil (CAB-O-SIL) TS-720 dry silica treated with polydimethylsiloxane was used. Was prepared. The ratio (a / b) of the short diameter a and the long diameter b of the silicon carbide coated spherical carbon particles was 0.99, and the average particle diameter was 23 μm.

[실시예 7]Example 7

탄소 전구체로 나프탈렌 등방성 피치를 혼합해서 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 같은 방법으로 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자를 제조하였다. 상기 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자의 단경 a와 장경 b의 비(a/b)는 0.99이고, 평균입경은 30 ㎛이었다.Spherical carbon particles coated with silicon carbide were prepared in the same manner as in Example 1, except that naphthalene isotropic pitch was used as a carbon precursor. The ratio (a / b) of the short diameter a and the long diameter b of the silicon carbide coated spherical carbon particles was 0.99, and the average particle diameter was 30 μm.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 탄소 전구체와 실리카의 혼합비, 및 소성온도와 시간을 조절함으로써 탄소 표면에 코팅된 탄화규소 층의 두께를 조절하여 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자를 제조하거나 구형의 순수한 탄화규소 입자를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명은 수지, 핏치 또는 이들의 혼합물을 탄소 전구체로 하고 표면이 소수성으로 처리된 실리카를 사용하여 종래와 같이 덩어리 형태로 생성되지 않아 분쇄과정이 필요 없으며, 단 한번의 열처리만으로도 보다 간단한 방법으로 0.1 ㎛ 이상의 크기를 갖는 탄화규소 또는 탄화규소가 코팅된 구형 탄소입자를 제조할 수 있다. 본 발명에서 제조된 탄화규소는 높은 강도와 강성을 나타내고 전기전도도가 낮으므로, 상기 구형의 탄화규소 또는 탄화규소가 코팅된 구형 탄소는 전기유변유체 (electrorheological fluids)의 분산입자로 사용되거나 복합재료의 원료, 볼펜의 팁, 또는 볼 베어링으로 사용될 수 있다.As described above, according to the present invention, by adjusting the mixing ratio of the carbon precursor and silica, and the calcination temperature and time, the thickness of the silicon carbide layer coated on the carbon surface is controlled to produce spherical carbon particles coated with silicon carbide or Pure silicon carbide particles can be prepared. In addition, the present invention does not require a pulverization process because the resin, pitch, or a mixture thereof is used as a carbon precursor and the surface is hydrophobicly treated and not formed in the form of agglomerates as in the prior art. In order to prepare a spherical carbon particles coated with silicon carbide or silicon carbide having a size of 0.1 ㎛ or more. Since the silicon carbide produced in the present invention has high strength and rigidity and low electrical conductivity, the spherical silicon carbide or silicon carbide coated spherical carbon is used as dispersed particles of electrorheological fluids or of composite materials. It can be used as a raw material, a tip of a ballpoint pen, or a ball bearing.

도 1은 본 발명에서 제조된 실시예 1의 탄화규소가 코팅된 구형 탄소의 8,000 배율의 주사전자현미경 사진이고,1 is a scanning electron micrograph at 8,000 magnification of spherical carbon coated with silicon carbide of Example 1 prepared in the present invention,

도 2는 본 발명에서 제조된 실시예 1의 탄화규소가 코팅된 구형 탄소의 1,000 배율의 주사전자현미경 사진이고,2 is a scanning electron micrograph at 1,000 magnification of the spherical carbon coated with silicon carbide of Example 1 prepared in the present invention,

도 3은 본 발명에서 제조된 실시예 1의 중심의 탄소가 제거된 탄화규소 껍질의 단면의 6,000 배율의 주사전자현미경 사진이고,Figure 3 is a scanning electron micrograph of 6,000 magnification of the cross section of the carbon-carburized silicon carbide shell of the center of Example 1 prepared in the present invention,

도 4는 본 발명에서 제조된 실시예 2의 탄화규소가 코팅된 구형 탄소 단면의 2,300 배율의 주사현미경 사진이고,4 is a scanning microscope photograph of 2,300 magnification of the spherical carbon cross-section coated with silicon carbide of Example 2 prepared in the present invention,

도 5는 본 발명에서 제조된 실시예 3의 구형 탄화규소 입자 단면의 2,000 배율의 주사전자현미경 사진이고,5 is a scanning electron micrograph at 2,000 magnification of the cross-section of spherical silicon carbide particles of Example 3 prepared in the present invention,

도 6은 본 발명에서 제조된 실시예 1, 실시예 2, 실시예 3, 실시예 4의 구형 탄화규소 또는 탄화규소가 코팅된 탄소에서 탄화규소의 함량을 나타내는 열중량분석 결과이고,6 is a thermogravimetric analysis result showing the content of silicon carbide in the spherical silicon carbide or silicon carbide coated carbon of Examples 1, 2, 3, and 4 prepared in the present invention,

도 7은 본 발명에서 제조된 실시예 3의 구형 탄화규소 입자의 X선 회절 패턴이다.7 is an X-ray diffraction pattern of the spherical silicon carbide particles of Example 3 prepared in the present invention.

Claims (12)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 구형 탄화규소계 화합물의 제조방법에 있어서,In the method for producing a spherical silicon carbide compound, a) ⅰ) 탄소 전구체; 및a) iii) a carbon precursor; And ⅱ) 표면이 소수성으로 처리된 실리카   Ii) silica with hydrophobic surface 를 혼합하는 단계; 및   Mixing; And b) 상기 a)단계의 혼합물을 소성하는 단계b) calcining the mixture of step a) 를 포함하는 제조방법.Manufacturing method comprising a. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, a) ⅰ) 탄소 전구체; 및a) iii) a carbon precursor; And ⅱ) 표면이 소수성으로 처리된 실리카   Ii) silica with hydrophobic surface 를 100: 50 내지 1000 중량비로 혼합하는 단계; 및   Mixing 100 to 50: 1000 by weight; And b) 상기 a)단계의 혼합물을 b) the mixture of step a) 1 내지 100 ℃/분의 승온속도로 700 내지 1000 ℃의 온도에서 1 내지 10시간 동안 소성한 후, 다시 1 내지 100 ℃/분의 승온속도로 가열하여 1400 내지 2000 ℃의 온도에서 1 내지 10 시간 동안 재소성하여 구형 탄화규소 입자를 제조하는 단계   After firing for 1 to 10 hours at a temperature of 700 to 1000 ℃ at a temperature rising rate of 1 to 100 ℃ / min, and then heated at a temperature rising rate of 1 to 100 ℃ / min 1 to 10 hours at a temperature of 1400 to 2000 ℃ Refired to produce spherical silicon carbide particles 를 포함하는 제조방법.Manufacturing method comprising a. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, a) ⅰ) 탄소 전구체; 및a) iii) a carbon precursor; And ⅱ) 표면이 소수성으로 처리된 실리카   Ii) silica with hydrophobic surface 를 100: 0.1 내지 1000의 중량비로 혼합하는 단계; 및   Mixing 100 at a weight ratio of 0.1: 1000; And b) 상기 a)단계의 혼합물을b) the mixture of step a) 1 내지 100 ℃/분의 승온속도로 700 내지 1000 ℃의 온도에서 1 내지 10시간 동안 소성한 후, 다시 1 내지 100 ℃/분의 승온속도로 가열하여 1400 내지 2000 ℃의 온도에서 30분 내지 10 시간 동안 재소성하여 탄화규소 입자가 코팅된 구형 탄소입자를 제조하는 단계   It is calcined for 1 to 10 hours at a temperature of 700 to 1000 ℃ at a temperature rising rate of 1 to 100 ℃ / min, then heated at a temperature rising rate of 1 to 100 ℃ / min and 30 minutes to 10 at a temperature of 1400 to 2000 ℃ Refiring for a time to produce spherical carbon particles coated with silicon carbide particles 를 포함하는 제조방법.Manufacturing method comprising a. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 a)단계 ⅰ)의 탄소 전구체는 수지, 핏치, 구형 탄소 또는 이들의 혼합물인 제조방법.The carbon precursor of step a) iii) is a resin, pitch, spherical carbon or a mixture thereof. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 수지가 페놀(phenol) 수지, 퓨란(furan) 수지, 에폭시(epoxy) 수지, 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile) 수지, 폴리이미드(polyimide) 수지, 폴리벤즈이미다졸(polybenzimidazoloe) 수지, 폴리페닐렌(polyphenylene) 수지, 및 바이페놀(biphenol) 수지류를 포함하는 열경화성 합성수지, 디비닐벤젠 스티렌 공중합체(divinylbenzene styrene copolymer), 및 셀룰로오스로 이루어진 군으로부터 선택되는 제조방법.The resin may be a phenol resin, furan resin, epoxy resin, polyacrylonitrile resin, polyimide resin, polybenzimidazoloe resin, polyphenylene ( A polyphenylene resin, and a thermosetting synthetic resin containing a biphenol resin, a divinylbenzene styrene copolymer, and a manufacturing method selected from the group consisting of cellulose. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 핏치가 석탄 핏치 또는 석유 핏치인 제조방법.The pitch is coal pitch or petroleum pitch. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 a)단계 ⅱ)의 표면이 소수성으로 처리된 실리카는 친수성 실리카와 유기실란 용액을 환류시켜 제조되는 제조방법.The a) silica of the surface of step a) step ii) hydrophobic is prepared by refluxing the hydrophilic silica and the organosilane solution.
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