KR100476052B1 - Apparatus for reflection mode liquid crystal display - Google Patents

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KR100476052B1
KR100476052B1 KR10-2001-0054524A KR20010054524A KR100476052B1 KR 100476052 B1 KR100476052 B1 KR 100476052B1 KR 20010054524 A KR20010054524 A KR 20010054524A KR 100476052 B1 KR100476052 B1 KR 100476052B1
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Abstract

본 발명은 반사형 액정표시장치에 관한 것으로, 기판상에 상호 수직 교차 배열된 게이트 라인과 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 데이터 라인 교차부에 형성된 박막트랜지스터, 상기 게이트 라인과 수평 배열하는 캐패시턴스 라인, 및 상기 데이터 라인과 연결된 화소반사전극을 포함하는 반사형 액정표시장치에 있어서, 상기 화소반사전극은 상기 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의된 화소개구부내에 배치되되, 상기 화소반사전극은 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 일부 또는 전부와 중첩하는 것이며, 개구율을 잠식할 수 있는 게이트 라인, 데이터 라인 또는 박막트랜지스터 소자 등의 일부나 전부를 오버랩하도록 화소반사전극을 배치하여 이론적으로 100%에 가까운 개구율을 확보할 수 있는 것이다.The present invention relates to a reflective liquid crystal display device, comprising: a gate line and a data line vertically arranged on a substrate, a thin film transistor formed at an intersection of the gate line and a data line, a capacitance line arranged horizontally with the gate line, and A reflective liquid crystal display device comprising a pixel reflecting electrode connected to the data line, wherein the pixel reflecting electrode is disposed in a pixel opening defined by the gate line and the data line, and the pixel reflecting electrode includes the gate line and the data. Overlapping part or all of the lines, the pixel reflecting electrode can be arranged so as to overlap part or all of the gate line, data line, or thin film transistor element that can encroach the aperture ratio, and theoretically close to 100% aperture ratio can be secured. It is.

Description

반사형 액정표시장치{APPARATUS FOR REFLECTION MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Reflective Liquid Crystal Display {APPARATUS FOR REFLECTION MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

본 발명은 반사형 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 고개구율을 얻을 수 있는 반사형 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective liquid crystal display device, and more particularly to a reflective liquid crystal display device capable of obtaining a high opening ratio.

일반적으로, 액정표시장치는 고정세화, 대화면화, 경량박형화 등의 특성을 지니고 있어서 기존의 음극선관을 대신하여 각종의 디스플레이기기 등에 그 쓰임새가 넓혀져 가고 있다. 이러한 액정표시장치를 광원의 유무로 대별하여 보면 투광형과 반사형으로 나누어 볼 수 있다.BACKGROUND ART In general, liquid crystal display devices have characteristics such as high definition, large screen, light weight, and the like, and their use has been widened in various display apparatuses in place of existing cathode ray tubes. The liquid crystal display can be classified into a light transmitting type and a reflective type by classifying the presence or absence of a light source.

반사형 액정표시장치는 별도로 그 내부에 광원을 필요치 않으며, 외부의 자연광을 광원으로 사용하는 것이다. The reflective liquid crystal display does not require a light source therein, but uses external natural light as a light source.

이러한 반사형 액정표시장치는, 도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(10)상에 게이트 라인(11)과 캐패시턴스 라인(12)이 수평 배열하며, 데이터 라인(13)이 상기 게이트 라인(11)과 캐패시턴스 라인(12)에 수직 교차 배열하고 있으며, 상기 게이트 라인(11)과 데이터 라인(13)으로 한정되는 단위화소부에 화소반사전극(16)이 배치된다.In the reflective liquid crystal display, as shown in FIG. 1A, a gate line 11 and a capacitance line 12 are horizontally arranged on a substrate 10, and a data line 13 is disposed on the gate line 11. And the pixel reflection electrode 16 is vertically arranged to cross the capacitance line 12 and the unit pixel defined by the gate line 11 and the data line 13.

여기서, 상기 화소반사전극(16) 하부에는 상기 캐패시터 라인(12)이 형성되어 있어 상기 캐패시터 라인(12)과 화소반사전극(16)간에 용량 캐패시턴스(Cst)를 형성한다. 그리고, 상기 게이트 라인(11)과 데이터 라인(13) 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(14)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(14)는 상기 화소반사전극(16)과 비아홀(15)을 통해 콘택되어 있다.The capacitor line 12 is formed under the pixel reflection electrode 16 to form a capacitance capacitance Cst between the capacitor line 12 and the pixel reflection electrode 16. A thin film transistor 14, which is a switching element, is formed at an intersection of the gate line 11 and the data line 13, and the thin film transistor 14 connects the pixel reflection electrode 16 and the via hole 15 to each other. Contacted through.

도 1b는 상기와 같은 단위화소부 구조를 다수개 배열한 형태로서, 이러한 구조의 반사형 액정표시장치는, 외부로부터 자연광이 입사되면, 화소 전극을 통하여, 다시 빛이 반사되어지는데, 이때, 액정 분자들의 배열 상태에 따라서 빛이 흡수되거나 통과되어 화상이 구현되는 것이다.FIG. 1B is a structure in which a plurality of unit pixel unit structures as described above are arranged. In the reflective liquid crystal display device having such a structure, when natural light is incident from the outside, light is reflected again through the pixel electrode. Depending on the arrangement of molecules, light is absorbed or passed through to produce an image.

한편, 반사형 액정표시장치는 발광형이 아니라 흡광형이기 때문에 컬러필터와 편광판이 모두 흡광재료이다. 따라서, 반사형 액정표시장치에 있어서는 개구율은 화면의 밝기를 좌우하는 가장 중요한 요소가 된다.On the other hand, since the reflective liquid crystal display device is not a light emitting type but an absorbing type, both the color filter and the polarizing plate are light absorbing materials. Therefore, in the reflective liquid crystal display device, the aperture ratio is the most important factor in determining the brightness of the screen.

그러나, 종래 기술에 따른 반사형 액정표시장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다.However, there is the following problem in the reflection type liquid crystal display device according to the prior art.

종래 기술에 있어서는, 반사형 액정표시장치의 화소 구조는, 도 1a 및 1b에 도시된 바와 같이, 투과형 액정표시장치의 화소 구조와 동일하며, 종래의 투과형 액정표시장치의 화소 구조에 적용되던 배선을 매우 가늘게 하여 화소전극이 최대한의 공간을 확보하더라도 화소개구부의 총면적을 중심으로 60 내지 70%를 초과하지 못하여 높은 개구율을 얻는데 불리하다는 문제점이 있다.In the prior art, the pixel structure of the reflective liquid crystal display device is the same as the pixel structure of the transmissive liquid crystal display device, as shown in FIGS. 1A and 1B, and the wiring applied to the pixel structure of the conventional transmissive liquid crystal display device is omitted. Even if the pixel electrode has a very thin space to secure the maximum space, there is a problem in that it does not exceed 60 to 70% based on the total area of the pixel opening so that a high aperture ratio is obtained.

따라서, 종래 기술에 있어서는, 흡광재료 사용으로 인한 내재적 문제로 광효율이 낮으며, 화면의 밝기도 낮을 수 밖에 없는 문제점이 있다.Therefore, in the related art, there is a problem that the light efficiency is low due to the inherent problems caused by the use of light absorbing materials and the brightness of the screen is low.

이에, 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 화소반사전극이 게이트 라인, 데이터 라인 또는 박막트랜지스터 소자 등의 일부나 전부를 오버랩하도록 배치하여 고개구율을 확보할 수 있는 반사형 액정표시장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, an object of the present invention is to arrange the pixel reflecting electrode to overlap some or all of the gate line, data line or thin film transistor element to secure a high opening ratio The present invention provides a reflective liquid crystal display device.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치는, 기판상에 상호 수직 교차 배열된 게이트 라인과 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 데이터 라인 교차부에 형성된 박막트랜지스터, 상기 게이트 라인과 수평 배열하는 캐패시턴스 라인, 및 상기 데이터 라인과 연결된 화소반사전극을 포함하는 반사형 액정표시장치에 있어서, 상기 화소반사전극은 상기 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의된 화소개구부내에 배치되되, 상기 화소반사전극은 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 일부 또는 전부와 중첩하는 것을 특징으로 한다.In accordance with one aspect of the present invention, a reflective liquid crystal display device includes a gate line and a data line vertically arranged on a substrate, a thin film transistor formed at an intersection of the gate line and a data line, and a horizontal arrangement with the gate line. A reflective liquid crystal display device comprising a capacitance line and a pixel reflection electrode connected to the data line, wherein the pixel reflection electrode is disposed in a pixel opening defined by the gate line and the data line. And overlapping some or all of the gate line and the data line.

이하, 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a reflective liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 및 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 평면도이고, 도 3a 및 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 평면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치의 화소개구부의 평면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치에 있어서, 반투과 반반사형 화소반사전극의 평면도이다.2A and 2B are plan views of a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A and 3B are plan views of a reflective liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a plan view of a reflective liquid crystal display device according to another embodiment, FIG. 5 is a plan view of a pixel opening of a reflective liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 6 is a transflective liquid crystal display device according to the present invention. A plan view of a semi-reflective pixel reflecting electrode.

본 발명의 일실시예에 따른 반사형 액정표시장치는, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(200)상에 게이트 라인(210)과 캐패시턴스 라인(220)이 수평 배열하며, 데이터 라인(230)이 상기 게이트 라인(210)과 캐패시턴스 라인(220)에 수직 교차 배열하고 있으며, 상기 게이트 라인(210)과 데이터 라인(230)에 의해 정의되는 화소개구부에 화소반사전극(260)이 배치된다.In the reflective LCD according to the exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2A, the gate line 210 and the capacitance line 220 are horizontally arranged on the substrate 200, and the data line 230 is disposed. The pixel lines are arranged vertically across the gate line 210 and the capacitance line 220, and the pixel reflection electrode 260 is disposed in the pixel opening defined by the gate line 210 and the data line 230.

상기 화소반사전극(260) 하부에는 상기 캐패시터 라인(220)이 형성되어 있되, 상기 캐패시터 라인(220)과 화소반사전극(260)간에 용량 캐패시턴스(Cst)를 형성한다. 그리고, 상기 게이트 라인(210)과 데이터 라인(230) 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(240)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(240)는 상기 화소반사전극(260)과 비아홀(250)을 통해 콘택되어 있다.The capacitor line 220 is formed under the pixel reflection electrode 260, and a capacitance capacitance Cst is formed between the capacitor line 220 and the pixel reflection electrode 260. In addition, a thin film transistor 240 as a switching element is formed at an intersection of the gate line 210 and the data line 230, and the thin film transistor 240 connects the pixel reflection electrode 260 and the via hole 250. Contacted through.

여기서, 상기 화소반사전극(260)은 상기 게이트 라인(210) 및 데이터 라인(230)의 일부와 중첩한다. 또한, 상기 화소반사전극(260)은 상기 게이트 라인(210) 및 데이터 라인(230)과 일부 중첩하므로 상기 박막트랜지스터의 일부와도 중첩한다.The pixel reflection electrode 260 overlaps a portion of the gate line 210 and the data line 230. In addition, since the pixel reflection electrode 260 partially overlaps the gate line 210 and the data line 230, the pixel reflection electrode 260 also overlaps a part of the thin film transistor.

상기와 같은 단위화소부를 수개 배열하여 보면, 도 2b에 도시된 바와 같이, 결과적으로 상기 화소반사전극(260)은 상기 게이트 라인(210), 캐패시턴스 라인(220), 데이터 라인(230) 및 박막트랜지스터(240) 거의 모두와 중첩하도록 배치되어 있다.As shown in FIG. 2B, as shown in FIG. 2B, the pixel reflecting electrode 260 has the gate line 210, the capacitance line 220, the data line 230, and the thin film transistor. 240 is arranged so as to overlap with almost everything.

따라서, 상기 박막트랜지스터(240)의 위치는 상기 화소반사전극(260)의 가장자리 뿐만 아니라 화소반사전극(260)의 임의의 부분에 배치할 수 있으며, 상기 게이트 라인(210), 캐패시턴스 라인(220) 및 데이터 라인(230)의 경우도 그 위치와 폭을 임의로 배치할 수 있다.Accordingly, the thin film transistor 240 may be disposed at any portion of the pixel reflection electrode 260 as well as the edge of the pixel reflection electrode 260, and may be disposed on the gate line 210 and the capacitance line 220. In the case of the data line 230, the position and the width may be arbitrarily arranged.

한편, 상기 화소반사전극(260)은 절연층(미도시)을 사이에 두고 상기 박막트랜지스터(240)와 비아홀(250)을 통해 전기적으로 콘택되어 있는데, 이 경우 상기 비아홀(250)의 위치는 상기 화소반사전극(260)의 가장자리 뿐만 아니라 화소반사전극(260)의 임의의 부분에 배치할 수 있다.Meanwhile, the pixel reflection electrode 260 is electrically contacted through the thin film transistor 240 and the via hole 250 with an insulating layer interposed therebetween. In this case, the position of the via hole 250 is The pixel reflection electrode 260 may be disposed at any portion of the pixel reflection electrode 260 as well as at an edge thereof.

따라서, 상기 비아홀(250)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 화소개구부(500)의 중심으로부터 화소개구부(500)의 90% 면적부(510) 내에도 배치될 수 있으며, 또한 상기 비아홀(250) 크기도 개구율을 고려하여 제한적일 필요가 없으므로 상기 화소반사전극(260) 면적의 1/20,000 이상의 면적으로도 형성될 수도 있다.Thus, as shown in FIG. 5, the via hole 250 may be disposed within the 90% area 510 of the pixel opening 500 from the center of the pixel opening 500, and may also be disposed in the via hole 250. Since the size does not need to be limited in consideration of the aperture ratio, an area of 1 / 20,000 or more of the area of the pixel reflection electrode 260 may be formed.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사형 액정표시장치는, 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(300)상에 게이트 라인(310)과 캐패시턴스 라인(320)이 수평 배열하며, 데이터 라인(330)이 상기 게이트 라인(310)과 캐패시턴스 라인(320)에 수직 교차 배열하고 있으며, 상기 게이트 라인(310)과 데이터 라인(330)에 의해 정의되는 화소개구부에 화소반사전극(360)이 배치된다.In addition, in the reflective LCD according to another exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3A, the gate line 310 and the capacitance line 320 are horizontally arranged on the substrate 300, and the data line ( 330 is vertically intersected with the gate line 310 and the capacitance line 320, and the pixel reflection electrode 360 is disposed at the pixel opening defined by the gate line 310 and the data line 330. .

상기 화소반사전극(360) 하부에는 상기 캐패시터 라인(320)이 형성되어 있되, 상기 캐패시터 라인(320)과 화소반사전극(360)간에 용량 캐패시턴스(Cst)를 형성한다. 그리고, 상기 게이트 라인(310)과 데이터 라인(330) 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(340)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(340)는 상기 화소반사전극(360)과 비아홀(350)을 통해 콘택되어 있다.The capacitor line 320 is formed under the pixel reflection electrode 360, and a capacitance capacitance Cst is formed between the capacitor line 320 and the pixel reflection electrode 360. A thin film transistor 340, which is a switching element, is formed at an intersection of the gate line 310 and the data line 330, and the thin film transistor 340 connects the pixel reflection electrode 360 and the via hole 350. Contacted through.

여기서, 상기 화소반사전극(360)은 상기 게이트 라인(310) 및 데이터 라인(330)의 전부와 중첩한다. 또한, 상기 화소반사전극(360)은 상기 게이트 라인(310) 및 데이터 라인(330)과 전부 중첩하므로 상기 박막트랜지스터의 전부와도 중첩한다.The pixel reflection electrode 360 overlaps all of the gate line 310 and the data line 330. In addition, since the pixel reflection electrode 360 overlaps all of the gate line 310 and the data line 330, the pixel reflection electrode 360 overlaps all of the thin film transistors.

상기와 같은 단위화소부를 수개 배열하여 보면, 도 3b에 도시된 바와 같이, 결과적으로 상기 화소반사전극(360)은 상기 게이트 라인(310), 캐패시턴스 라인(320), 데이터 라인(330) 및 박막트랜지스터(340) 모두와 중첩하도록 배치되어 있다.As shown in FIG. 3B, as shown in FIG. 3B, the pixel reflecting electrode 360 has the gate line 310, the capacitance line 320, the data line 330, and the thin film transistor. 340 is disposed to overlap with all.

따라서, 상기 박막트랜지스터(340)의 위치는 상기 화소반사전극(360)의 가장자리 뿐만 아니라 화소반사전극(360)의 임의의 부분에 배치할 수 있으며, 상기 게이트 라인(310), 캐패시턴스 라인(320) 및 데이터 라인(330)의 경우도 그 위치와 폭을 임의로 배치할 수 있다.Accordingly, the thin film transistor 340 may be disposed at any portion of the pixel reflection electrode 360 as well as at the edge of the pixel reflection electrode 360. The gate line 310 and the capacitance line 320 may be disposed on the thin film transistor 340. In the case of the data line 330, the position and the width may be arbitrarily arranged.

한편, 상기 화소반사전극(360)은 절연층(미도시)을 사이에 두고 상기 박막트랜지스터(340)와 비아홀(350)을 통해 전기적으로 콘택되어 있는데, 이 경우 상기 비아홀(350)의 위치는 상기 화소반사전극(360)의 가장자리 뿐만 아니라 화소반사전극(360)의 임의의 부분에 배치할 수 있다.Meanwhile, the pixel reflection electrode 360 is electrically contacted through the thin film transistor 340 and the via hole 350 with an insulating layer interposed therebetween. In this case, the position of the via hole 350 is The pixel reflection electrode 360 may be disposed on any portion of the pixel reflection electrode 360 as well as the edge of the pixel reflection electrode 360.

따라서, 상기 비아홀(350)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 화소개구부(500)의 중심으로부터 화소개구부(500)의 90% 면적부(510) 내에도 배치될 수 있으며, 또한 상기 비아홀(350) 크기도 개구율을 고려하여 제한적일 필요가 없으므로 상기 화소반사전극(360) 면적의 1/20,000 이상의 면적으로도 형성될 수도 있다.Thus, as shown in FIG. 5, the via hole 350 may be disposed within the 90% area 510 of the pixel opening 500 from the center of the pixel opening 500, and may also be disposed in the via hole 350. Since the size does not need to be limited in consideration of the aperture ratio, an area of 1 / 20,000 or more of the area of the pixel reflection electrode 360 may be formed.

또한, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반사형 액정표시장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(400)상에 임의의 폭을 가진 게이트 라인(410)을 배치할 수 있으므로 필연적으로 상기 게이트 라인(410)은 화소반사전극(460)과 충분한 면적으로 중첩되므로 별도로 캐패시턴스 라인을 생략할 수 있다. 이외에 도면부호 430, 440 및 450은 각각 데이터 라인, 박막트랜지스터 및 비아홀을 나타낸다.In addition, in the reflective LCD according to another exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, the gate line 410 having an arbitrary width may be disposed on the substrate 400. Since the gate line 410 overlaps the pixel reflection electrode 460 with a sufficient area, the capacitance line may be omitted separately. In addition, reference numerals 430, 440, and 450 denote data lines, thin film transistors, and via holes, respectively.

또한, 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치는, 도 6에 도시된 바와 같이, 화소반사전극(600)이 반사형 부분(600a) 및 투과형 부분(600b)으로 양분되어 구성될 수 있다. 여기서, 상기 투과형 부분(600b)은 ITO와 같은 투명체로 구성되어 있다.In addition, in the reflective LCD according to the present invention, as illustrated in FIG. 6, the pixel reflective electrode 600 may be divided into a reflective portion 600a and a transmissive portion 600b. Here, the transmissive portion 600b is made of a transparent body such as ITO.

한편, 이 경우에 있어서도 상기 화소반사전극(600)은 게이트 라인(610), 캐패시턴스 라인(620), 데이터 라인(630) 및 박막트랜지스터(640) 전부 또는 일부와 중첩하며, 상기 화소반사전극(600)은 상기 데이터 라인(630)과 비아홀(650)을 통하여 전기적으로 콘택되어 있다.In this case, the pixel reflection electrode 600 overlaps all or part of the gate line 610, the capacitance line 620, the data line 630, and the thin film transistor 640, and the pixel reflection electrode 600. ) Is electrically contacted through the data line 630 and the via hole 650.

본 발명의 원리와 정신에 위배되지 않는 범위에서 여러 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 뿐만 아니라 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본원에 첨부된 특허청구범위는 이미 상술된 것에 한정되지 않으며, 하기 특허청구범위는 당해 발명에 내재되어 있는 특허성 있는 신규한 모든 사항을 포함하며, 아울러 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 균등하게 처리되는 모든 특징을 포함한다.Various embodiments can be easily implemented as well as self-explanatory to those skilled in the art without departing from the principles and spirit of the present invention. Accordingly, the claims appended hereto are not limited to those already described above, and the following claims are intended to cover all of the novel and patented matters inherent in the invention, and are also common in the art to which the invention pertains. Includes all features that are processed evenly by the knowledgeable.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the reflective liquid crystal display according to the present invention has the following effects.

본 발명에 있어서는, 개구율을 잠식할 수 있는 게이트 라인, 데이터 라인 또는 박막트랜지스터 소자 등의 일부나 전부를 오버랩하도록 화소반사전극을 배치하여 이론적으로 100%에 가까운 개구율을 확보할 수 있다.In the present invention, a pixel reflecting electrode may be disposed so as to overlap part or all of the gate line, data line, or thin film transistor element capable of encroaching the aperture ratio, thereby ensuring an aperture ratio close to 100% in theory.

도 1a 및 1b는 종래 기술에 따른 반사형 액정표시장치의 평면도.1A and 1B are plan views of a reflective liquid crystal display device according to the prior art.

도 2a 및 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 평면도.2A and 2B are plan views of a reflective liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 및 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 평면도.3A and 3B are plan views of a reflective liquid crystal display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 평면도.4 is a plan view of a reflective liquid crystal display device according to still another embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치의 화소개구부의 평면도.5 is a plan view of a pixel opening of a reflective liquid crystal display device according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치에 있어서, 반투과 반반사형 화소반사전극의 평면도.6 is a plan view of a semi-transmissive semi-reflective pixel reflective electrode in the reflective liquid crystal display device according to the present invention;

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

200: 기판 210: 게이트 라인200: substrate 210: gate line

220: 캐패시턴스 라인 230: 데이터 라인220: capacitance line 230: data line

240: 박막트랜지스터 250: 비아홀240: thin film transistor 250: via hole

260: 화소반사전극260 pixel reflection electrode

Claims (4)

기판상에 상호 수직교차 배열된 게이트 라인과 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 데이터 라인 교차부에 형성된 박막트랜지스터, 상기 게이트 라인과 수평배열된 캐패시턴스 라인, 및 상기 데이터 라인과 비아홀을 통해 연결된 화소반사전극을 포함하는 반사형 액정표시장치에 있어서,A gate line and a data line vertically arranged on a substrate, a thin film transistor formed at an intersection of the gate line and a data line, a capacitance line horizontally arranged with the gate line, and a pixel reflection electrode connected through the data line and a via hole. A reflective liquid crystal display device comprising: 상기 화소반사전극은 상기 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의된 화소개구부내에서 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 일부 또는 전부와 중첩하게 형성되며, 상기 화소반사전극의 일부는 투명체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치.The pixel reflecting electrode is formed to overlap with a part or all of the gate line and the data line in the pixel opening defined by the gate line and the data line, and a part of the pixel reflecting electrode is made of a transparent body. Type liquid crystal display device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 비아홀은 상기 화소반사전극 면적의 1/20,000 이상의 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치.And the via hole has an area of 1 / 20,000 or more of the area of the pixel reflection electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 비아홀은 상기 화소개구부의 중심부로부터 화소개구부 면적의 90% 영역내에 배치되는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치.And the via hole is disposed within 90% of the area of the pixel opening from the center of the pixel opening. 삭제delete
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