KR100467680B1 - Formation method of black matrix of color CRT - Google Patents
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Abstract
목적: 본 발명은 노광부분이 현상되어 제거되는 감광성 블랙 매트릭스 용액을 이용하여 단일의 막 처리공정으로 블랙 매트릭스 패턴을 형성할 수 있도록 한 컬러 브라운관의 블랙 매트릭스 형성방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION: The present invention provides a method for forming a black matrix of a color CRT tube in which a black matrix pattern can be formed by a single film treatment process using a photosensitive black matrix solution in which an exposed portion is developed and removed.
구성: 알킬 계로 치환된 폴리메탈레이트 또는 폴리아크릴레이트의 고분자, 감광제, 흑연, 첨가제로 혼합 조성된 감광성 블랙 매트릭스 용액을 사용하는 단일의 막 처리공정으로서 블랙 매트릭스 패턴을 형성한다. 상기 알킬 계는 t-부틸옥시카보닐(tertial-butyloxycarbonyl;t-BOC), t-부틸(tertial-butyl), 이소 부틸(iso-butyl), 세컨더리 부틸(sec-butyl), 또는 이소 프로필(iso-propyl) 계 중의 하나이고, 상기 감광제는 광산발생제로서 트리페닐설포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 디페닐요도늄 트리플레이트(diphenyliodonium), 4,4'-디-t-부틸디페닐요도늄 플로우로포스페이트(butyldipheyliodonium fluorophosphate) 중의 하나이며, 상기 첨가제는 실리케이트, 증점제, 안정제 중의 적어도 하나이다.Composition: A single film treatment process using a photosensitive black matrix solution mixed with a polymer, a photosensitive agent, graphite, and an additive of polymethacrylate or polyacrylate substituted with an alkyl system to form a black matrix pattern. The alkyl system is t-butyloxycarbonyl (t-BOC), t-butyl (tertial-butyl), isobutyl (iso-butyl), secondary butyl (sec-butyl), or isopropyl (iso -propyl), and the photosensitive agent is a photoacid generator, triphenylsulfonium triflate, diphenyliodonium, 4,4'-di-t-butyldiphenyl iodonium One of butyldipheyliodonium fluorophosphate, the additive being at least one of silicates, thickeners, stabilizers.
효과: 본 발명은 노광부분이 제거되는 감광성 블랙 매트릭스 용액을 사용한 단일의 막 처리공정에 의해 소망의 블랙 매트릭스 패턴을 형성할 수 있게 되므로 종래에 비해 공정 수를 절감할 수 있어 공정 관리가 수월해지고 생산성이 향상되며 생산비를 절감할 수 있다.Effect: In the present invention, since the desired black matrix pattern can be formed by a single film treatment process using a photosensitive black matrix solution in which the exposed portion is removed, the number of processes can be reduced compared to the conventional method, making process management easier and productivity. This improves the production cost.
Description
본 발명은 컬러 브라운관의 블랙 매트릭스 형성방법에 관한 것으로, 특히 노광부분이 현상되어 제거되는 감광성 블랙 매트릭스 용액을 사용한 단일의 막 처리공정으로 블랙 매트릭스 패턴을 형성할 수 있도록 한 컬러 브라운관의 블랙 매트릭스 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a black matrix of a color CRT, particularly a method for forming a black matrix of a CRT in which a black matrix pattern can be formed by a single film treatment process using a photosensitive black matrix solution in which an exposed portion is developed and removed. It is about.
종래의 새도우마스크형 컬러 브라운관은 패널 내면에 적,녹,청 형광체를 도트(스트라이프) 형태로 규칙적으로 배열하고 여기에 형광체 도트(스트라이프)의 크기보다 작은 크기의 전자빔을 주사해서 형광체를 발광시키도록 구성되어 있다.Conventional shadow mask type CRTs arrange red, green, and blue phosphors in the form of dots (stripes) on the inner surface of the panel, and emit light by emitting electron beams smaller than the size of the phosphor dots (stripes). Consists of.
이 경우에, 패널의 내벽과 새도우 마스크의 구멍의 주변에서 산란된 전자가 형광면 전체를 때리게 됨에 따라 형광막이 발광하여 콘트라스트가 저하되고, 게다가 형광체 도트의 전자 빔에 의한 발광이 인접하는 타색의 형광체 도트를 발광시키게 되어 색순도를 저하시키게 된다.In this case, as the electrons scattered around the inner wall of the panel and the periphery of the shadow mask hit the entire fluorescent surface, the fluorescent film emits light and the contrast decreases. It emits light to lower the color purity.
이러한 결점을 개선하기 위해 형광체의 크기를 주사되는 전자빔의 크기보다 작게 하고 각 형광체 도트 간의 공간을 흑연(Graphite)과 같은 비발광성 흡수물질로 충진하는 블랙 매트릭스 방식이 개발되었다.In order to solve this drawback, a black matrix method has been developed in which the size of the phosphor is smaller than the size of the electron beam to be scanned and the space between each phosphor dot is filled with a non-luminescent absorbing material such as graphite.
블랙 매트릭스 방식의 장점은 외광에 의한 콘트라스트의 저하방지 및 색순도 향상 및 전면 글래스의 투과율 증진에 따른 휘도 향상을 도모할 수 있다.The advantages of the black matrix method can be to prevent the lowering of the contrast due to external light, to improve the color purity, and to improve the luminance by increasing the transmittance of the front glass.
이와 같이 컬러 브라운관의 표시품질을 향상시킬 수 있도록 하는 블랙 매트릭스의 제조 과정을 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 설명하기로 한다.The manufacturing process of the black matrix for improving the display quality of the color CRT will be described with reference to FIGS. 2A to 2D.
블랙 매트릭스는 도 2a에 도시된 바와같이 세정된 패널(2) 전면에 감광성 수지 용액을 도포하여 감광성 수지막(4)을 형성 및 건조한 다음, 도 2b에 도시된 바와같이 마스크(MSK)를 덮고 사진식각공정에 의해 감광성 수지막(4)을 소망의 패턴으로 형성하고, 그 상부 전면에 도 2c와 같이 흑연을 도포 및 건조하여 흑연막(6)을 형성한 후, 상기 감광성 수지막(4)을 고압에칭하여 제거함으로써 도 2d에 도시된 바와같은 흑연막(6)의 남은 패턴에 의한 최종의 블랙 매트릭스 패턴(BM)을 형성하게 된다. The black matrix is coated with a photosensitive resin solution on the entire surface of the cleaned panel 2 as shown in FIG. 2A to form and dry the photosensitive resin film 4, and then covered with a mask MSK as shown in FIG. 2B. After the photosensitive resin film 4 is formed in a desired pattern by an etching process, graphite is coated and dried on the entire upper surface thereof to form the graphite film 6 as shown in FIG. 2C, and then the photosensitive resin film 4 is formed. The high-pressure etching removes the final black matrix pattern BM by the remaining pattern of the graphite film 6 as shown in FIG. 2D.
이러한 블랙 매트릭스 패턴 형성과정을 단계적으로 요약하면 다음과 같다.The process of forming the black matrix pattern is summarized as follows.
- 제 1 단계: 감광성 수지막 도포1st step: application of photosensitive resin film
- 제 2 단계: 도포된 감광성 수지막 건조 -Second step: drying the coated photosensitive resin film
- 제 3 단계: 검조된 감광성 수지막 현상 Third Step: Phenomenon of Photosensitive Resin Film
- 제 4 단계: 현상된 감광성 수지막 패턴 건조-Fourth step: drying the developed photosensitive resin film pattern
- 제 5 단계: 감광성 수지막 패턴의 상부에 흑연막 도포-Fifth step: applying a graphite film on top of the photosensitive resin film pattern
- 제 6 단계: 흑연막 건조6th step: drying the graphite film
- 제 7 단계: 에칭액 도포 Step 7: Applying Etching Solution
- 제 8 단계: 고압 에칭 후 완료 Step 8: complete after high pressure etching
상기 감광성 수지막의 형성에 사용되는 감광성 수지용액은 고분자 화합물, 감광제를 주성분으로 하여 실렌, 계면활성제 등이 첨가되어 조성되며, 이 중 고분자 화합물은 PVP(Polyvinyl Pyrrolidone)가 사용되고, 감광제로는 DAS(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-sodium disulationate)를 사용한 PVP-DAS 포토레지스트가 이용된다.The photosensitive resin solution used in the formation of the photosensitive resin film is composed of a polymer compound, a photosensitive agent as a main component, and silane, a surfactant, and the like are added. PVP-DAS photoresist using 4'-Diazidostilbene-2,2'-sodium disulationate) is used.
감광성 수지막의 반응은 노광된 부분에서 DAS가 분해되고 이것이 다시 PVP를 공격하여 광중합가교 반응을 일으킴으로써 노광된 부분은 경화반응이 일어나 현상액에 녹지 않고 노광되지 않은 부분은 현상되어진다.In the reaction of the photosensitive resin film, the DAS is decomposed in the exposed portion, which again attacks the PVP to cause the photopolymerization crosslinking reaction, so that the exposed portion is cured so that the exposed portion is not dissolved in the developer and the unexposed portion is developed.
이렇게 형성된 감광성 수지막의 상부 전면에 블랙 매트릭스막을 형성한 후 황산과 같은 강산을 도포한 후 고압수로 현상을 할 경우 감광성 수지막의 패턴이 형성되었던 부분이 황산에 의해 흑연과 함께 현상되어진다. 따라서 처음에 형성되었던 감광성 수지막의 패턴과 정확히 반대의 블랙 매트릭스막이 형성되는 것이다.When a black matrix film is formed on the entire upper surface of the photosensitive resin film thus formed, a strong acid such as sulfuric acid is applied, and then developed using high pressure water, a portion where the pattern of the photosensitive resin film is formed is developed together with graphite by sulfuric acid. Therefore, a black matrix film is formed which is exactly the opposite of the pattern of the photosensitive resin film formed at first.
이와 같은 종래의 블랙 매트릭스 형성방법은 제조 과정에서 전술한 바와같이 감광성 수지막과 흑연막을 형성 및 식각하는 2회에 걸친 막 처리공정이 필요하기 때문에 공정 시간이 오래 소요되고 그만큼 공정 관리가 힘들어지는 단점을 가지고 있다.The conventional method of forming a black matrix as described above in the manufacturing process requires a two-time film treatment process for forming and etching the photosensitive resin film and the graphite film, so that the process takes a long time and the process management becomes difficult. Have
전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은 블랙 매트릭스 형성을 위해 종래에 실시하던 2회에 걸친 막 처리공정을 한번의 막 처리공정으로 절감할 수 있도록 개선한 컬러 브라운관의 블랙 매트릭스 형성방법을 제공하는데 목적을 두고 있다.The present invention devised to solve the above-mentioned problems is a method of forming a black matrix of a color CRT tube, which can be reduced to a single film treatment process of two conventional film treatment processes for forming a black matrix. The purpose is to provide.
전술한 목적을 구현하는 본 발명의 방법은 컬러 브라운관의 블랙 매트릭스 형성방법에 있어서, 알킬 계로 치환된 폴리메탈레이트 또는 폴리아크릴레이트의 고분자, 감광제, 흑연, 첨가제로 혼합 조성된 감광성 블랙 매트릭스 용액을 사용하는 단일의 막 처리공정으로서 블랙 매트릭스 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.In the method of the present invention for achieving the above object, in the method of forming a black matrix of a color CRT, a photosensitive black matrix solution mixed with a polymer, a photosensitive agent, graphite, and an additive of an alkyl-based polymethacrylate or polyacrylate is used. The black matrix pattern is formed as a single film treatment step.
상기 알킬 계는 t-부틸옥시카보닐(tertial-butyloxycarbonyl;t-BOC), t-부틸(tertial-butyl), 이소 부틸(iso-butyl), 세컨더리 부틸(sec-butyl), 또는 이소 프로필(iso-propyl) 계 중의 하나를 적용할 수 있다.The alkyl system is t-butyloxycarbonyl (t-BOC), t-butyl (tertial-butyl), isobutyl (iso-butyl), secondary butyl (sec-butyl), or isopropyl (iso -propyl) can be applied.
상기 감광제는 광산발생제로서 트리페닐설포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 디페닐요도늄 트리플레이트(diphenyliodonium), 4,4'-디-t-부틸디페닐요도늄 플로우로포스페이트(butyldipheyliodonium fluorophosphate) 중의 하나를 적용할 수 있다. The photoresist is a photoacid generator in triphenylsulfonium triflate, diphenyliodonium triphenylate, 4,4'-di-t-butyldiphenyl iodonium fluorophosphate One can apply.
상기 첨가제는 실리케이트, 증점제, 안정제 중의 적어도 하나이다.The additive is at least one of silicates, thickeners, stabilizers.
한편, 상기 단일의 막 처리공정은 도포, 건조, 노광, 베이킹, 현상의 공정으로 순차 행해진다.In addition, the said single film | membrane process process is performed in order by the process of application | coating, drying, exposure, baking, and developing.
이하, 본 발명을 바람직한 실시예로서 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail as a preferred embodiment.
제 1 실시예First embodiment
t-BOC 으로 80 % 치환된 폴리메타크릴산 99 wt% 와, 트리페닐설포늄 트리플레이트 1 wt%를 PGMEA(Propyrene Glycol Methyl Ether Acetate)에 7 %의 농도로 녹이고, 여기에 흑연을 13 %의 혼합비율로 넣어 교반함으로써, 감광성 블랙 매트릭스 용액을 조성한 다음, 이를 세정된 유리패널에 회전코팅한다. 이러한 과정으로 감광성 블랙 매트릭스 막이 형성된 패널을 365 nm 파장의 UV에 30초간 노광한 후 30초간 120 ℃에서 베이킹하고 이를 5 % NaOH 용액으로 40초간 현상한다. 본 출원의 발명자는 이러한 제 1 실시예에 의한 다수회 반복된 실험 결과에서, 노광된 부분이 제거된 1㎛ 해상도의 블랙 매트릭스 패턴을 얻을 수 있었다.99 wt% of polymethacrylic acid 80% substituted with t-BOC and 1 wt% of triphenylsulfonium triflate were dissolved in PGMEA (Propyrene Glycol Methyl Ether Acetate) at a concentration of 7%. The mixture is stirred at a mixing ratio to form a photosensitive black matrix solution, which is then spin-coated to the cleaned glass panel. In this process, the panel on which the photosensitive black matrix film is formed is exposed to UV of 365 nm wavelength for 30 seconds, and then baked at 120 ° C. for 30 seconds and developed with 5% NaOH solution for 40 seconds. The inventors of the present application were able to obtain a black matrix pattern having a 1 μm resolution in which exposed portions were removed from the results of repeated experiments according to this first embodiment.
제 2 실시예Second embodiment
t-부틸 계로 85 % 치환된 폴리메타크릴산 99 wt% 와, 4,4'-디-t-부틸디페닐요도늄 트리플레이트 1 wt%를 PGMEA에 7 %의 농도로 녹이고, 여기에 흑연을 13 %의 혼합비율로 넣어 교반함으로써, 감광성 블랙 매트릭스 용액을 조성한 다음, 이를 세정된 유리패널에 회전코팅한다. 이러한 과정으로 감광성 블랙 매트릭스 막을 형성된 패널을 365 nm 파장의 UV에 30초간 노광한 후 30초간 120 ℃에서 베이킹하고 이를 다시 5 % NaOH 용액으로 40초간 현상한다. 본 출원의 발명자는 이러한 제 2 실시예에 의한 다수회 반복된 실험 결과에서도, 노광된 부분이 제거된 1㎛ 해상도의 블랙 매트릭스 패턴을 얻을 수 있었다.99 wt% of polymethacrylic acid, 85% substituted by t-butyl system, and 1 wt% of 4,4'-di-t-butyldiphenylyodonium triflate were dissolved in PGMEA at a concentration of 7%, and graphite was added thereto. The mixture is stirred at a mixing ratio of 13% to form a photosensitive black matrix solution, which is then spin-coated to the cleaned glass panel. In this manner, the panel on which the photosensitive black matrix film is formed is exposed to UV of 365 nm wavelength for 30 seconds, and then baked at 120 ° C. for 30 seconds and then developed for 40 seconds with 5% NaOH solution. The inventors of the present application were able to obtain a black matrix pattern having a 1 μm resolution in which the exposed portion was removed even in the results of repeated experiments according to this second embodiment.
상기 두 실시예에서, 감광제가 빛을 받을 경우 분해되어서 산을 발생시킨다. 이것이 고분자를 공격하여 반응을 일으켜 소수성기를 친수성기로 변화시켜 노광 후 NaOH 등의 알칼리 용액으로 현상할 경우, 노광된 부분만 고분자와 흑연이 함께 현상되어 포지티브 패턴을 얻게 되는 것이며, 이렇게 하여 블랙 매트릭스 패턴이 형성되는 것이다. In the above two embodiments, when the photosensitizer receives light, it decomposes to generate acid. When attacking the polymer and reacting to change the hydrophobic group into a hydrophilic group and developing with an alkali solution such as NaOH after exposure, only the exposed part is developed with the polymer and graphite to obtain a positive pattern. It is formed.
이러한 두 실시예를 통해 알 수 있듯이 본 발명에 의해서 제조되는 블랙 매트릭스 패턴은 종래와 같이 2회에 걸친 막 처리공정에 의해 형성되지 않고 단일의 막 처리공정에 의해 형성된다. As can be seen from these two embodiments, the black matrix pattern manufactured by the present invention is formed by a single film processing process rather than by two film processing processes as in the prior art.
즉, 도 1a에 도시된 바와같이 세정된 패널(12)에 감광성 수지와 흑연이 함유된 감광성 블랙 매트릭스 용액을 도포 및 건조하여 감광성 블랙 매트릭스 막(14)을 형성한 후, 그 상부 전면에 도 1b에 도시된 바와같이 마스크(MSK)를 덮어 노광을 실시하고, 이를 베이킹하여 경화한 다음, 현상을 실시하여 감광성 블랙 매트릭스 막(14) 중 노광된 부분을 제거함으로써, 도 1c에 도시된 바와같은 소망의 블랙 매트릭스 패턴(BM)을 형성할 수 있게 된다. That is, after the photosensitive black matrix solution containing the photosensitive resin and graphite is applied and dried to the cleaned panel 12 as shown in FIG. 1A to form the photosensitive black matrix film 14, the upper surface of FIG. As shown in FIG. 1C, the mask MSK is covered to be exposed, baked, cured, and then developed to remove the exposed portion of the photosensitive black matrix film 14, thereby providing a desired structure as shown in FIG. 1C. It is possible to form the black matrix pattern BM.
이상에서 설명한 본 발명에 의한 블랙 매트릭스 패턴의 제조 과정을 단계적으로 요약하면 다음과 같다. The process of manufacturing the black matrix pattern according to the present invention described above is summarized as follows.
- 제 1 단계 : 감광성 블랙 매트릭스 막(감광성 수지막&흑연막) 형성First step: forming a photosensitive black matrix film (photosensitive resin film & graphite film)
- 제 2 단계 : 감광성 블랙 매트릭스 막 건조 Second step: drying the photosensitive black matrix film
- 제 3 단계 : 노광 3rd step: exposure
- 제 4 단계 : 베이킹 4th step: baking
- 제 5 단계 : 감광성 블랙 매트릭스 막(감광성수지막&흑연막) 현상 후 완료-5th step: Complete after developing photosensitive black matrix film (photosensitive resin film & graphite film)
이와 같이 단계적으로 행하여 블랙 매트릭스 패턴을 형성할 수 있는 본 발명의 방법은 노광부분이 제거되는 감광성 블랙 매트릭스 막에 의한 단일의 막 처리공정으로 블랙 매트릭스 패턴을 형성할 수 있게 되므로, 감광성 수지막을 형성한 후 현상하여 패턴을 만들고, 여기에 다시 흑연막을 형성한 후 고압에칭하는 등, 2회의 막 처리공정에 의해서 소망의 블랙 매트릭스 패턴을 형성하던 종래에 비해, 한번의 막 처리공정을 절감할 수 있게 되는 것이다.As described above, the method of the present invention capable of forming a black matrix pattern in a stepwise manner can form a black matrix pattern in a single film processing step by a photosensitive black matrix film from which an exposed portion is removed, thereby forming a photosensitive resin film. It is possible to save one film processing process compared with the conventional method of forming a desired black matrix pattern by two film processing processes, such as post-development to make a pattern, and then forming a graphite film thereon and high pressure etching. will be.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 노광부분이 제거되는 감광성 블랙 매트릭스 용액을 사용한 단일의 막 처리공정에 의해 소망의 블랙 매트릭스 패턴을 형성할 수 있게 되므로 종래에 비해 공정 수를 절감할 수 있어 공정 관리가 수월해지고 생산성이 향상되며 생산비를 절감할 수 있다. As described above, the present invention can form the desired black matrix pattern by a single film treatment process using the photosensitive black matrix solution in which the exposed portion is removed, thereby reducing the number of processes compared to the conventional process management. It can be easier, improves productivity and reduces production costs.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 방법이 적용된 공정 순서도1A to 1C are process flowcharts to which the method of the present invention is applied.
도 2a 내지 도 2d는 종래의 블랙 매트릭스 형성방법에 의한 공정 순서도2a to 2d is a process flow chart according to the conventional black matrix forming method
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