KR100467073B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 선택적 소거구간의 어드레스구간에서 공통서스테인전극에 소정의 바이어스를 인가하여 데이터전압을 낮출 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 및 장치는 다수의 서브필드 중 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 주사/서스테인전극에 부극성의 주사펄스를 인가하고 상기 주사펄스에 동기되는 약 40V의 저전압 정극성 데이터펄스를 어드레스전극에 인가하고, 상기 어드레스기간 동안 공통서스테인전극에 부극성 바이어스 전압을 인가한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 및 장치{METHDO AND APPARATUS DRIVING OF PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 관한 것으로, 특히 선택적 소거구간의 어드레스구간에서 공통서스테인전극에 소정의 바이어스 전압를 인가하여 데이터전압을 낮출 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 및 장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 He+Xe 또는 Ne+Xe 불활성 혼합가스의 방전시 발생하는 147nm의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다. 특히, 3전극 교류 면방전형 PDP는 방전시 표면에 벽전하가 축적되며 방전에 의해 발생되는 스퍼터링으로부터 전극들을 보호하기 때문에 저전압 구동과 장수명의 장점을 가진다.
도 1은 종래의 교류 면방전 PDP를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 3전극 교류 면방전형 PDP의 방전셀은 상부기판(10) 상에 형성되어진 주사/서스테인전극(12Y) 및 공통서스테인전극(12Z)과, 하부기판(18) 상에 형성되어진 어드레스전극(20X)을 구비한다.
주사/서스테인전극(12Y)과 공통서스테인전극(12Z)이 나란하게 형성된 상부기판(10)에는 상부 유전체층(14)과 보호막(16)이 적층된다. 상부 유전체층(14)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(16)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층(14)의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막(16)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다. 어드레스전극(20X)이 형성된 하부기판(18) 상에는 하부 유전체층(22), 격벽(24)이 형성되며, 하부 유전체층(22)과 격벽(24) 표면에는 형광체(26)가 도포된다. 어드레스전극(20X)은 주사서스테인전극(12Y) 및 공통서스테인전극(12Z)과 교차되는 방향으로 형성된다. 격벽(24)은 어드레스전극(20X)과 나란하게 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체(26)는 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판(10,18)과 격벽(24) 사이에 마련된 방전공간에는 가스방전을 위한 불활성 가스가 주입된다.
도 2를 참조하면, 종래의 교류 면방전형 PDP의 구동장치는 m×n 개의 방전셀들(1)이 주사/서스테인전극라인들(Y1 내지 Ym), 공통서스테인전극라인들(Z1 내지 Zm) 및 어드레스전극라인들(X1 내지 Xn)과 접속되게끔 매트릭스 형태로 배치된 PDP(30)와, 주사/서스테인전극라인들(Y1 내지 Ym)을 구동하기 위한 주사/서스테인 구동부(32)와, 공통서스테인전극라인들(Z1 내지 Zm)을 구동하기 위한 공통서스테인 구동부(34)와, 기수 번째 어드레스전극라인들(X1,X3,…,Xn-3,Xn-1)과 우수 번째 어드레스전극라인들(X2,X4,…,Xn-2,Xn)을 분할 구동하기 위한 제1 및 제2 어드레스 구동부(36A,36B)를 구비한다. 주사/서스테인 구동부(32)는 주사/서스테인전극라인들(Y1내지Ym)에 주사펄스와 서스테인펄스를 순차적으로 공급하여 방전셀들(1)이 라인 단위로 순차적으로 주사되게 함과 아울러 m×n 개의 방전셀들(1) 각각에서의 방전이 지속되게 한다. 공통서스테인 구동부(34)는 공통서스테인전극라인들(Z1 내지 Zm) 모두에 서스테인 펄스를 공급하게 된다. 제1 및 제2 어드레스 구동부(36A,36B)는 주사펄스에 동기되게끔 영상 데이터를 어드레스전극라인들(X1내지Xn)에 공급하게 된다. 제1 어드레스 구동부(36A)는 기수 번째 어드레스전극라인들(X1,X3,…,Xn-3,Xn-1)에 영상데이터를 공급하고 제2 어드레스 구동부(36B)는 우수 번째 어드레스전극라인들(X2,X4,…,Xn-2,Xn)에 영상데이터를 공급한다.
이와 같이 구동되는 교류 면방전 PDP에서는 어드레스 방전 및 서스테인 방전에 수백 볼트 이상의 고압이 필요하게 된다. 이에 따라, 어드레스 방전 및 서스테인 방전에 필요한 구동전력을 최소화하기 위하여 주사/서스테인 구동부(32), 공통서스테인 구동부(34) 및 어드레스 구동부(36A,36B)에 에너지 회수장치를 추가하고 있다. 에너지 회수장치는 주사/서스테인전극라인(Y) 및 공통서스테인전극라인(Z)에 충전되는 전압과 어드레스전극라인들(X) 사이에 충전되는 전압을 회수하여 이를 다음 방전시의 구동전압으로서 재이용 한다.
이러한 3전극 교류 면방전형 PDP(30)는 다수개의 서브필드로 분리되어 구동되고, 각 서브필드기간에는 비디오 데이터의 가중치에 비례시킨 횟수의 발광이 진행됨으로써 계조표시가 행해지게 된다.
도 3은 종래 기술에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 3전극 교류 면방전 PDP의 구동방법에 있어서, 한 프레임은 선택적 쓰기 방식의 서브필드들(SF1 내지 SF6)과 선택적 소거 방식의 서브필드들(SF7 내지 SF12)을 포함한다. 제1 서브필드(SF1)는 전화면을 끄는 리셋기간, 선택된 방전셀들을 켜는 선택적 쓰기 어드레스기간, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀에 대하여 서스테인 방전시키는 서스테인기간 그리고 서스테인 방전을 소거시키는 소거기간으로 나뉘어진다. 제2 내지 제5 서브필드들(SF2 내지 SF5) 각각은 선택적 쓰기 어드레스기간, 서스테인기간 및 소거기간으로 나뉘어진다. 그리고 제6 서브필드(SF6)는 선택적 쓰기 어드레스기간과 서스테인기간으로 나뉘어진다. 제1 내지 제6 서브필드들(SF1 내지 SF6)에 있어서 선택적 쓰기 어드레스기간과 소거 기간은 각 서브필드마다 동일한 반면에 서스테인기간은 각 서브필드에서 2n(n=0,1,2,3,4,5)의 비율로 증가된다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)은 전화면이 라이팅되는 전면 라이팅 기간없이 선택된 방전셀들을 끄는 선택적 소거 어드레스기간과 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들 이외의 방전셀들을 서스테인 방전시키는 서스테인기간으로 나뉘어진다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)에 있어서 선택적 소거 어드레스기간은 물론 서스테인기간도 동일하게 설정된다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)의 서스테인기간은 제6 서브필드(SF6)와 동일한 휘도 상대비를 갖도록 25의 휘도 상대비로 설정된다.
선택적 소거 방식으로 구동되는 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12) 각각은 서브필드들이 연속될 때마다 필요없는 방전셀들을 끌 수 있도록 이전 서브필드가 반드시 켜져 있어야만 한다. 예를 들어, 제7 서브필드(SF7)가 켜지기 위해서는 이전 서브필드인 선택적 쓰기 방식으로 구동되는 제6 서브필드(SF6)가 켜져야만 한다. 이렇게 제6 서브필드(SF6)가 켜진 후, 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)에서 필요 없는 방전셀들을 꺼나가게 된다. 이를 위하여, 선택적 소거 서브필드(ESF)가 사용되기 위해서는 마지막 선택적 쓰기 서브필드(WSF)인 제6 서브필드(WSF)에서 켜진 셀들이 서스테인 방전에 의해 켜진 상태가 유지되어야 한다. 따라서, 제7 서브필드(SF7)는 선택적 소거 어드레스를 위한 별도의 라이팅 방전이 필요 없게 된다. 또한, 제8 내지 제12 서브필드들(SF8 내지 SF12)도 전면 라이팅없이 이전 서브필드에서 켜져 있는 셀들을 선택적으로 끄게 된다.
도 4는 도 3에 도시된 PDP 구동방법에 따른 구동파형을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 제1 선택적 쓰기 서브필드(SW1)의 리셋기간 또는 셋업기간에는 주사/서스테인전극라인들(Y)에는 램프-업파형의 리셋펄스(RP)에 이어서 램프다운 파형의 리셋펄스(-RP)이 순차적으로 공급된다. 이 램프다운의 리셋펄스(-RP)은 부극성(-)의 스캔기준전압(Vw)까지 하강한다. 또한, 공통서스테인전극라인들(Z)에는 정극성의 주사직류전압(DCSC)이 공급된다.
선택적 쓰기 서브필드(SW1)의 어드레스기간에는 공통서스테인전극라인들(Z)에 정극성(+)의 주사직류전압(DCSC)이 공급되는 동안에 주사/서스테인전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 부극성(-)의 선택적 쓰기 주사펄스(-SWSP)와 정극성(+)의 선택적 쓰기 데이터펄스(SWDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 선택적 쓰기 서브필드(SW)의 어드레스 방전에 의해 켜진 셀에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다. 그리고 제2 선택적 쓰기 서브필드(SW2)의 종료시점에는 서스테인 방전이 소거되게 하는 소거펄스(EP)가 주사/서스테인전극라인들(Y)에 공급된다.
선택적 소거 서브필드(SE)의 리셋기간은 생략된다. 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스기간에는 주사/서스테인전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 셀을 끄기 위한 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)와 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 이 선택적 소거 주사펄스(-SESP)는 스캔기준전압(-Vw)보다 높은 선택적 소거용 스캔전압(-Ve)까지 하강한다. 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스 방전에 의해 꺼지지 않은 셀들에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거필드(SE)인 경우에 현재의 선택적 소거 서브필드(SE)의 종료시점에는 비교적 펄스폭이 큰 서스테인펄스(SUSPy)가 주사/서스테인전극라인들(Y)에 공급된다. 그리고 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(SW)인 마지막 선택적 소거 서브필드에는 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 소거펄스(EP)와 램프신호(RAMP)가 공급되어 켜진 셀들의 서스테인 방전을 소거시킨다.
도 5는 도 4의 선택적 소거 서브필드 구간 동안의 구동파형을 확대하여 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5에서의 선택적 소거 방전이 발생하는 셀에서의 벽전하 변화형태를 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스기간에는 주사/서스테인전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 셀을 끄기 위한 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)와 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 이 선택적 소거 주사펄스(-SESP)는 정극성 소거용 스캔전압(+Ve)에서 선택적 소거용 스캔전압(-Ve)까지 하강하도록 주사/서스테인 구동부(32)로부터 공급된다. 즉, 스캔을 하지 않는 전극은 정극성 소거용 스캔전압(+Ve)을 유지하고, 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)에 의해 어드레스 방전을 일으키는 셀에서는 선택적 소거용 스캔전압(-Ve)로 전압이 하강하면서, 이때 어드레스전극에 공급되는 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스와 어드레스 방전을 일으키게 된다. 이후 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스 방전에 의해 꺼지지 않은 셀들에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다.
도 5에 따른 선택적 소거방전이 발생하는 방전셀에서의 벽전하 변화 형태를 보면, 도 6a에서의 이전 서스테인 방전에 의해 많이 생성된 벽전하를 도 6b의 어드레스 방전을 통해 도 6c에서와 같이 약화시킴으로써 이후 서브필드에서 서스테인 방전이 발생하지 않게 하는 것이다.
도 5 및 도 6에서와 같은 일반적인 구동방법에서는 정상적으로 동작을 하지만, 도 7에서와 같이 데이터 전압을 낮추어 구동하고자 할 경우는 문제점이 있게된다.
도 7은 종래기술의 선택적 소거 서브필드 구간 동안의 다른 구동파형을 나타낸 도면이고, 도 8은 도 7에서의 선택적 소거 방전이 발생하는 셀에서의 벽전하 변화형태를 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8을 결부하여 설명하면, 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스기간에는 주사/서스테인전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 셀을 끄기 위한 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)와 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 이 선택적 소거 주사펄스(-SESP)는 정극성 소거용 스캔전압(+Ve)에서 선택적 소거용 스캔전압(-Ve)까지 하강하도록 주사/서스테인 구동부(32)로부터 공급된다. 이 때 선택적 소거용 스캔전압(-Ve')은 도 5에서의 선택적 소거용 스캔전압(-Ve)보다 더 낮은 전압을 가지게 되며, 상기 선택적 소거용 스캔전압(-Ve')과 동시에 인가되는 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)의 전압(-Ve')도 도 5에서의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)의 것보다 더 낮은 전압이 공급되게 있다. 이 경우 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)의 데이터전압(Va')은 도 5에서의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)의 데이터전압(Va)보다 약 절반의 값을 가지게 된다.
이로써 스캔을 하지 않는 전극은 정극성 소거용 스캔전압(+Ve)을 유지하고, 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)에 의해 어드레스 방전을 일으키는 셀에서는 더 낮아진 선택적 소거용 스캔전압(-Ve')로 전압이 하강하면서, 이때 어드레스전극(X)에 공급되는 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)와 어드레스 방전을 일으키게 된다. 이후 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스 방전에 의해 꺼지지 않은 셀들에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다.
그러나, 이 경우 주사/서스테인전극(Y)과 어드레스전극(X) 간에는 어드레스방전 조건을 만족하지만 공통서스테인전극(Z)의 영향이 발생한다. 즉, 선택적 소거용 주사펄스(-SESP)가 더 낮아지므로 공통서스테인전극(Z)의 그라운드 레벨(GROUND LEVEL, 0V)과는 전압차가 커지게 되므로 주사/서스테인전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 간의 오방전이 발생할 수 있다는 것이다. 이 오방전이 발생하는 것은 도 8의 벽전하 변화 형태를 통하여 알 수 있다. 여기서의 오방전이란 주사/서스테인전극(Y)과 어드레스전극(X)간 소거방전이 발생하지 않아야 하는 셀에서 방전이 일어나는 경우를 말한다.
이전 서브필드의 서스테인 방전에 의해 도 8a에서와 같이 많이 생성된 벽전하는 도 8b에서와 같이 데이터펄스(SEDP)가 없는데도 불구하고 선택적 소거용 주사펄스(-SESP)가 부극성(-) 방향으로 낮아지므로 주사/서스테인전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 간에 원하지 않는 방전이 발생하고 벽전압 상태가 도 8c에서와 같이 유지되어야 하지만 오방전에 의해 주사/서스테인전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 간 벽전압에 이상이 발생하고 이후 서브 필드에서는 서스테인방전이 발생하지 않는 문제점이 발생하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에서 공통서스테인전극에 부극성(-)의 바이어스 전압을 인가함으로써 주사/서스테인전극과 공통서스테인전극 사이의 오방전을 방지함과 아울러 데이터전압을 낮추도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 3전극 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타내는 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 배치 및 그 구동장치.
도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 서브필드 구동방법에 따른 프레임 구성도.
도 4는 도 3에서의 프레임 구성도에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 1 프레임 동안 구동하기 위한 종래 기술에 따른 구동파형도.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 선택적 쓰기 서브필드에서 리셋기간에 형성되는 벽전하 상태를 나타내는 도면.
도 6은 도 3에서의 프레임 구성도에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 1 프레임 동안 구동하기 위한 종래 기술에 따른 다른 구동파형도.
도 7은 종래기술의 선택적 소거 서브필드 구간 동안의 다른 구동파형을 나타낸 도면.
도 8은 도 7에서의 선택적 소거 방전이 발생하는 셀에서의 벽전하 변화형태를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP 구동방법에서 데이터 구동전압을 낮추기 위한 구동파형을 나타내는 도면.
도 10은 도 9의 선택적 소거 서브필드 구간 동안의 구동파형을 확대하여 나타낸 도면.
도 11a 내지 도 11c는 도 10에서의 선택적 소거 방전이 발생하는 셀에서의 벽전하 변화형태를 나타내는 도면.
도 12는 본 발명에 따른 PDP의 구동방법을 수행하기 위한 구동장치를 개략적으로 나타내는 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 상부기판 11 : 방전셀
12Y : 주사공통서스테인전극 12Z : 공통서스테인전극
14 : 상부유전층 16 : 보호막
18 : 하부기판 20X : 어드레스전극
22 : 하부유전층 24 : 격벽
26 : 형광체 30 : PDP
32 : 주사/서스테인 구동부 34 : 공통서스테인 구동부
36A,36B : 어드레스 구동부 40 : 에너지 회수장치
상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 다수의 서브필드 중 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 주사/서스테인전극에 부극성의 주사펄스를 인가하고 상기 주사펄스에 동기되는 저전압 정극성 데이터펄스를 어드레스전극에 인가하는 단계와; 상기 어드레스기간 동안 공통서스테인전극에 부극성 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함한다.상기 저전압 정극성 데이터펄스의 전압은 약 40V인 것을 특징으로 한다.상기 다수의 서브필드는 한 프레임 기간 내에 배치되는 적어도 하나 이상의 선택적 쓰기 서브필드들과 적어도 하나 이상의 선택적 소거 서브필드들을 포함한다.상기 다수의 서브필드는 한 프레임기간 내에 배치되는 적어도 하나 이상의 선택적 소거 서브필드들을 포함한다.상기 선택적 소거 서브필드는 이전 서브필드에서 켜진 방전셀들을 선택적으로 끄는 선택적 소거 어드레스기간과; 상기 선택적 소거 어드레스기간에 꺼진 방전셀들 이외의 나머지 방전셀들에 대하여 서스테인 방전을 일으키는 서스테인기간을 포함한다.상기 한 프레임 기간은 한 차례 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 전셀들에 대하여 전면 라이팅을 일으키는 전면 라이팅 기간을 포함한다.상기 선택적 쓰기 서브필드는 상기 주사/서스테인전극에 램프펄스를 인가하여 리셋방전을 일으키는 리셋기간과; 상기 주사/서스테인전극에 그라운드 레벨과 부극성 스캔전압 사이의 전압으로 인가되는 선택적 쓰기 주사펄스(SWSP)를 인가함과 동시에 상기 어드레스전극에 쓰기 데이터펄스를 인가하여 어드레스방전을 일으키는 선택적 쓰기 어드레스기간을 포함한다.본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는 다수의 서브필드 중 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 주사/서스테인전극에 부극성의 주사펄스를 인가하고 상기 주사펄스에 동기되는 저전압 정극성 데이터펄스를 어드레스전극에 인가하는 제1 구동부와; 상기 어드레스기간 동안 상기 공통서스테인전극에 부극성 바이어스 전압을 인가하는 제2 구동부와; 상기 제1 및 제2 구동부에 포함되는 에너지 회수장치와; 상기 공통서스테인전극에 부극성의 바이어스전압을 인가하기 위한 부극성 전압원과; 상기 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 상기 제2 구동부의 에너지 회수장치와 상기 부극성 전압원 사이에 접속되어 상기 부극성 바이어스 전압을 상기 공통서스테인전극에 인가하는 스위치를 구비한다.상기 제1 구동부는 약 40V의 전압으로 상기 저전압 정극성 데이터를 발생하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한실시예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 9 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP 구동방법에서 데이터 구동전압을 낮추기 위한 구동파형을 나타내는 도면이다.
본 발명에서의 PDP 구동방법도 도 3을 통하여 설명한 바와 같이 한 프레임은 선택적 쓰기 방식의 서브필드들(SF1 내지 SF6)과 선택적 소거 방식의 서브필드들(SF7 내지 SF12)을 포함한다. 제1 서브필드(SF1)는 전화면을 끄는 리셋기간, 선택된 방전셀들을 켜는 선택적 쓰기 어드레스기간, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀에 대하여 서스테인 방전시키는 서스테인기간 그리고 서스테인 방전을 소거시키는 소거기간으로 나뉘어진다. 제2 내지 제5 서브필드들(SF2 내지 SF5) 각각은 선택적 쓰기 어드레스기간, 서스테인기간 및 소거기간으로 나뉘어진다. 그리고 제6 서브필드(SF6)는 선택적 쓰기 어드레스기간과 서스테인기간으로 나뉘어진다. 제1 내지 제6 서브필드들(SF1 내지 SF6)에 있어서 선택적 쓰기 어드레스기간과 소거기간은 각 서브필드마다 동일한 반면에 서스테인기간은 각 서브필드에서 2n(n=0,1,2,3,4,5)의 비율로 증가된다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)은 전화면이 라이팅되는 전면 라이팅 기간없이 선택된 방전셀들을 끄는 선택적 소거 어드레스기간과 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들 이외의 방전셀들을 서스테인 방전시키는 서스테인기간으로 나뉘어진다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)에 있어서 선택적 소거 어드레스기간은 물론 서스테인기간도 동일하게 설정된다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)의 서스테인기간은 제6 서브필드(SF6)와 동일한 휘도 상대비를 갖도록 25의 휘도 상대비로 설정된다.
선택적 소거 방식으로 구동되는 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12) 각각은 서브필드들이 연속될 때마다 필요없는 방전셀들을 끌 수 있도록 이전 서브필드가 반드시 켜져 있어야만 한다. 예를 들어, 제7 서브필드(SF7)가 켜지기 위해서는 이전 서브필드인 선택적 쓰기 방식으로 구동되는 제6 서브필드(SF6)가 켜져야만 한다. 이렇게 제6 서브필드(SF6)가 켜진 후, 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)에서 필요 없는 방전셀들을 꺼나가게 된다. 이를 위하여, 선택적 소거 서브필드(ESF)가 사용되기 위해서는 마지막 선택적 쓰기 서브필드(WSF)인 제6 서브필드(WSF)에서 켜진 셀들이 서스테인 방전에 의해 켜진 상태가 유지되어야 한다. 따라서, 제7 서브필드(SF7)는 선택적 소거 어드레스를 위한 별도의 라이팅 방전이 필요 없게 된다. 또한, 제8 내지 제12 서브필드들(SF8 내지 SF12)도 전면 라이팅없이 이전 서브필드에서 켜져 있는 셀들을 선택적으로 끄게 된다.
도 9를 참조하면, 제1 선택적 쓰기 서브필드(SW1)의 리셋기간에는 주사/서스테인전극라인들(Y)에는 램프업파형의 리셋펄스(RP)에 이어서 램프다운 파형의 리셋펄스(-RP)이 순차적으로 공급된다. 이 램프다운의 리셋펄스(-RP)는 종래 기술의 부극성 스캔기준전압(-Vw)까지 하강하지 않고, 부극성 스캔기준전압(-Vw) 보다는 높은 리셋다운전압(Vrd) 까지 하강된다. 이로써 리셋펄스(-RP)가 리셋다운전압(Vrd)까지만 하강됨으로써 방전셀 내에는 일정의 벽전하가 남게 된다.
또한, 주사/서스테인전극라인들(Y)에서 리셋기간에 램프다운파형의 리셋펄스(-RP)와 어드레스기간에 상기 부극성(-)의 스캔전압을 가지는 선택적 쓰기 주사펄스(-SWSP)가 공급될 때, 공통서스테인전극라인들(Z)에는 소정의 주사직류전압(DCSC)이 공급된다.
또한 선택적 쓰기 서브필드(SW)의 어드레스기간에는 공통서스테인전극라인들(Z)에 정극성의 주사직류전압(DCSC)이 공급되는 동안에 주사/서스테인전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 선택적 쓰기 주사펄스(-SWSP)와 정극성(+)의 선택적 쓰기 데이터펄스(SWDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 선택적 쓰기 서브필드(SW)의 어드레스 방전에 의해 켜진 셀에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다. 그리고 제2 선택적 쓰기 서브필드(SW2)의 종료시점에는 서스테인 방전이 소거되게 하는 소거펄스(EP)가 주사전극라인들(Y)에 공급된다.
이때 주사/서스테인전극라인들(Y)에 인가되는 선택적 쓰기 주사펄스(-SWSP)는 종래의 선택적 쓰기 주사펄스(-SWSP)의 전압(-Vw)보다 낮은 전압(-Vw')을 가지게 되며, 어드레스전극(X)에도 종래의 데이터전압(Va)보다 낮은 전압(Va')을 가지는 데이터펄스(SWDP)를 상기 선택적 쓰기 주사펄스(-SWSP)와 상호 동기되게 공급한다.
선택적 소거 서브필드(SE)의 리셋기간은 생략된다. 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스기간에는 주사/서스테인전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 셀을 끄기 위한 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)와 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 이 선택적 소거 주사펄스(-SESP)는 도 5에서의 선택적 소거용 스캔전압(-Ve)보다 낮은 선택적 소거용 스캔전압(-Ve')까지 하강하게 된다.
선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스 방전에 의해 꺼지지 않은 셀들에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거필드(SE)인 경우에 현재의 선택적 소거 서브필드(SE)의 종료시점에는 비교적 펄스폭이 큰 서스테인펄스(SUSPy)가 주사/서스테인전극라인들(Y)에 공급된다. 그리고 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(SW)인 마지막 선택적 소거 서브필드에는 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 소거펄스(EP)와 램프신호(RAMP)가 공급되어 켜진 셀들의 서스테인 방전을 소거시킨다.
도 10은 도 9의 선택적 소거 서브필드 구간 동안의 구동파형을 확대하여 나타낸 도면이고, 도 11a 내지 도 11c는 도 10에서의 선택적 소거 방전이 발생하는 셀에서의 벽전하 변화형태를 나타내는 도면이다.
도 10 및 도 11을 결부하여 참조하면, 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스기간에는 주사/서스테인전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 셀을 끄기 위한 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)와 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 이 선택적 소거 주사펄스(-SESP)는 정극성 소거용 스캔전압(+Ve)에서 선택적 소거용 스캔전압(-Ve')까지 하강하도록 주사/서스테인 구동부(32)로부터 공급된다. 즉, 스캔을 하지 않는 전극은 정극성 소거용 스캔전압(+Ve)을 유지하고, 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)에 의해 어드레스 방전을 일으키는 셀에서는 선택적 소거용 스캔전압(-Ve')로 전압이 하강하면서, 이때 어드레스전극에 공급되는 정극성(+)의 선택적 소거 데이터펄스(SWDP)와 어드레스 방전을 일으키게 된다. 어드레스전극(X)에 인가되는 데이터전압(Va')이 종래(Va)보다 낮아짐에 따라 주사펄스(-SESP)도 종래보다 더 낮은 부극성 선택적 소거용 주사펄스(-SESP)의 스캔기준전압(-Ve')으로 낮아지므로 이에 대해 공통서스테인전극(Z)에서도 어드레스기간 동안 부극성(-)의 바이어스 전압을 유지시킨다. 이는 스캔기준전압(-Ve')로 인해 발생하는 공통서스테인전극(Z)과의 오방전을 피하기 위해 공통서스테인전극(Z)에서도 그에 상당하는 만큼 부극성(-) 전압을 낮추게 된다. 본 발명에서의 어드레스전극(X)에 인가되는 데이터전압은 약 40V 이하고, 도 5에서의 데이터전압(Va)은 약 80V이다.
상기 구동방법을 통한 방전셀 내의 벽전하 상태를 보면, 이전 서브필드의 방전을 통하여 도 11a에서와 같이 생성된 벽전하를 도 10에서 설명한 바와 같이 주사/서스테인전극(Y)과 어드레스전극(Z)에 인가되는 선택적 소거용 주사펄스(-SESP)와 데이터펄스(SEDP)의 구동전압을 낮춤과 아울러 공통서스테인전극(Z)에 부극성(-) 바이어스전압(-Vz)을 인가할 경우 주사/서스테인전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 간의 전압은 도 11b에서와 같이 상대적으로 같게 되므로 종래 기술에서의 단점이 오방전이 발생되지 않고 도 11c에서와 같은 벽전하 상태가 어드레스기간동안 계속 유지될 수 있게 된다.
이후 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스 방전에 의해 꺼지지 않은 셀들에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사/서스테인전극라인들(Y)과 공통서스테인전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다.
도 12는 본 발명에 따른 PDP의 구동방법을 수행하기 위한 구동장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 PDP는 도 2에서 설명한 바와 같이 어드레스 방전 및 서스테인 방전에 필요한 구동전력을 최소화하기 위해 주사/서스테인 구동부(32), 공통서스테인 구동부(34) 및 어드레스 구동부(36A,36B)에 에너지 회수장치를 추가하고 있다.
본 발명에 따른 공통서스테인 구동부(34)의 에너지 회수장치(40)는 기저 전압원에 접속된 외부 캐패시터(C1)와, 외부 캐패시터(C1)와 패널 사이에 직렬 접속되는 인덕터(L1)와, 외부 캐패시터(C1) 및 인덕터(L1)에 병렬로 접속된 제1 및 제3 스위치(S1, S3)와, 외부 유지전압 공급원(Vs)과 기저 전압원 사이에 직렬로 접속된 제2 및 제4 스위치(S2, S4)와, 제1 및 제3 스위치(S1,S3)에 각각 직렬 접속되어 충/방전되는 전압을 일정한 방향으로 흐르도록 하는 제1 및 제2 다이오드(D1, D2)를 구비한다. 또한 공통서스테인 구동부(34)에는 에너지 회수장치(40)와 더불어 어드레스기간동안 공통서스테인전극(X)에 부극성(-) 바이어스 전압을 인가하도록 하는 외부 부극성 전압원(-Vz)과 패널(30) 사이에 연결된 제5 스위치(S5)와, 제2 스위치(S2)에 직렬 접속되어 그라운드와의 단락이 되는 것을 방지하기 위한 제3 다이오드를 추가로 구비한다.
이로써 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에는 제5 스위치(S5)를 턴-온 시켜 부극성(-) 바이어스 전압이 인가되도록 하고, 서스테인기간에는 제5 스위치(S5)를 턴-오프시키고 에너지 회수장치(40)에 의해 서스테인 펄스가 인가되도록 한다.
또한 본 발명에 따른 PDP의 구동방법은 도 9를 통해 설명했던 선택적 쓰기 방식과 선택적 소거 방식을 병행하는 방법 뿐만 아니라, 선택적 소거 방식에 의한 PDP 구동방법에서도 적용될 수 있다.
선택적 소거 방식의 구동방법은 리셋기간에 전화면을 라이팅 방전시킴으로써 턴-온(Turn-on) 시킨 후, 어드레스기간에 선택된 방전셀들을 턴-오프(Turn-on)시키게 된다. 이어서, 서스테인기간에는 어드레스 방전에 의해 선택되지 않은 방전셀들을 서스테인 방전시킴으로써 화상을 표시하게 된다. 선택적 소거 방식의 구동방법에 있어서는 어드레스 방전시 선택된 방전셀들의 벽전하 및 공간전하를 소거시킬 수 있도록 대략 1μs의 선택적 소거 데이터펄스(SEDP)가 어드레스전극(X)에 공급된다. 이와 동시에, 주사/서스테인전극(Y)에는 선택적 소거 데이터펄스와 동기되는 대략 1μs의 주사펄스가 공급된다. 또한 다른 선택적 소거 방식의 구동방법은 프레임당 한 번만 전면 라이팅하고 매 서브필드마다 필요없는 방전셀들을 꺼나가는 방법이다. 이 경우도 어드레스 방전시 주사/서스테인전극(Y)에 인가되는 스캔펄스(-SESP)의 전압(-Ve')과 어드레스전극(X)에 상기 스캔펄스(-SESP)와 동기되게 인가되는 데이터펄스(SEDP)의 전압(Va')을 낮춤과 동시에 공통서스테인전극(X)에 부극성(-) 바이어스 전압(-Vz)을 인가함으로써 주사/서스테인전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 간의 오방전을 방지하며, 데이터의 저전압 구동이 가능하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간 동안 주사/서스테인전극의 부극성(-) 주사펄스의 전압을 더 낮추고 어드레스 전극의 데이터전압을 낮춤과 동시에 공통서스테인전극에 부극성(-) 바이어스전압을 인가하여 데이터 저전압 구동할 수 있게 된다. 또한 부극성(-) 주사펄스 전압과 데이터전압을 낮춤으로써 야기되는 주사/서스테인전극과 공통서스테인전극간의 오방전을 방지할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (13)

  1. 주사/서스테인전극, 공통서스테인전극 및 어드레스전극을 구비하며, 어드레스기간과 서스테인기간을 포함한 다수의 서브필드들을 이용하여 영상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서,
    상기 다수의 서브필드 중 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 상기 주사/서스테인전극에 부극성의 주사펄스를 인가하고 상기 주사펄스에 동기되는 저전압 정극성 데이터펄스를 상기 어드레스전극에 인가하는 단계와;
    상기 어드레스기간 동안 상기 공통서스테인전극에 부극성 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함하며;
    상기 저전압 정극성 데이터펄스의 전압은 약 40V인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 서브필드는,
    한 프레임 기간 내에 배치되는 적어도 하나 이상의 선택적 쓰기 서브필드들과 적어도 하나 이상의 선택적 소거 서브필드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 서브필드는,
    한 프레임기간 내에 배치되는 적어도 하나 이상의 선택적 소거 서브필드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택적 소거 서브필드는 이전 서브필드에서 켜진 방전셀들을 선택적으로 끄는 선택적 소거 어드레스기간과;
    상기 선택적 소거 어드레스기간에 꺼진 방전셀들 이외의 나머지 방전셀들에 대하여 서스테인 방전을 일으키는 서스테인기간을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 한 프레임 기간은,
    한 차례 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 전셀들에 대하여 전면 라이팅을 일으키는 전면 라이팅 기간을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 선택적 쓰기 서브필드는,
    상기 주사/서스테인전극에 램프펄스를 인가하여 리셋방전을 일으키는 리셋기간과;
    상기 주사/서스테인전극에 그라운드 레벨과 부극성 스캔전압 사이의 전압으로 인가되는 선택적 쓰기 주사펄스를 인가함과 동시에 상기 어드레스전극에 쓰기 데이터펄스를 인가하여 어드레스방전을 일으키는 선택적 쓰기 어드레스기간을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  9. 주사/서스테인전극, 공통서스테인전극 및 어드레스전극을 그 전극들의 교차부에 화소셀들이 매트릭스 형태로 배열되어지고 어드레스기간과 서스테인기간을 포함한 다수의 서브필드들을 이용하여 영상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널과;
    상기 다수의 서브필드 중 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 상기 주사/서스테인전극에 부극성의 주사펄스를 인가하고 상기 주사펄스에 동기되는 저전압 정극성 데이터펄스를 어드레스전극에 인가하는 제1 구동부와;
    상기 어드레스기간 동안 상기 공통서스테인전극에 부극성 바이어스 전압을 인가하는 제2 구동부와;
    상기 제1 및 제2 구동부에 포함되는 에너지 회수장치와;
    상기 공통서스테인전극에 부극성의 바이어스전압을 인가하기 위한 부극성 전압원과;
    상기 선택적 소거 서브필드의 어드레스기간에 상기 제2 구동부의 에너지 회수장치와 상기 부극성 전압원 사이에 접속되어 상기 부극성 바이어스 전압을 상기 공통서스테인전극에 인가하는 스위치를 구비하며;
    상기 제1 구동부는 약 40V의 전압으로 상기 저전압 정극성 데이터를 발생하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 에너지 회수장치는 상기 패널의 충방전시 에너지를 저장하게 되는 캐패시터와,
    상기 캐패시터에 충전된 전압으로 구동되어 상기 서스테인전극들 사이에 형성되는 패널 캐패시터와 함께 직렬 공진회로를 구성함으로써 상기 유지전극들에 공진파형을 공급하는 인덕터와,
    상기 캐패시터에 접속되어 상기 캐패시터와 상기 인덕터의 신호패스를 절환하는 제1 스위치와,
    상기 캐패시터와 상기 제1 스위치에 공통으로 접속되어 상기 캐패시터와 상기 인덕터의 신호패스를 절환하는 제2 스위치와,
    상기 인덕터, 패널 캐패시터 및 외부전압원에 접속되는 제3 스위치와,
    상기 인덕터, 패널 캐패시터 및 기저전압원에 접속되어 상기 유지전극들 중 어느 하나에 공진파형을 공급하게 하는 제4 스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 스위치에 직렬접속되어 상기 신호패스를 일정한 방향으로 흐르도록 하는 제1 및 제2 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제4 스위치에 직렬접속되어 상기 부극성 전압원이 인가될 경우 제4 스위치에 의해 그라운드와 단락되는 것을 방지하기 위한 제3 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 스위치들은 전계효과 트랜지스터(FET)로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
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