KR100448316B1 - Method for manufacturing probe tip using the micro tube for testing the elctro device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a probe tip for electronic device inspection using a micro tube.
본 발명에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법은, 탄성력을 지닌 도전성 재질로 내부홀이 구비된 마이크로 튜브(Micro tube)로 이루어지는 본체부를 준비하는 단계, 상기 본체부 외측 표면에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막이 형성된 상기 본체부의 하단부를 1차 습식식각함으로써 상기 본체부의 하단부를 상기 내부홀 방향으로 소정각도 경사지게 식각하여 경사면을 형성하는 단계, 상기 경사면이 형성된 상기 본체부 내부에 끼움물질을 매립하는 단계, 상기 끼움물질이 매립된 상기 본체부의 하단부에 보호막 패턴을 형성하는 단계, 상기 보호막 패턴이 형성된 상기 본체부를 2차 습식식각함으로써 서로 소정간격 이격된 복수의 절개부가 구비된 탄성부를 형성하는 단계 및 상기 끼움물질을 제거함으로써 상기 탄성부 하단부에 접촉단자가 구비된 프로브를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Method of manufacturing a probe tip for electronic device inspection using a micro tube according to the present invention, preparing a body portion consisting of a micro tube (Micro tube) having an inner hole made of a conductive material having an elastic force, the outer surface of the body portion Forming a passivation layer to form an inclined surface by firstly wet etching a lower end portion of the main body portion on which the passivation layer is formed to incline the lower end portion of the main body portion to a predetermined angle in the direction of the inner hole; Embedding a material, forming a protective film pattern at a lower end of the body part in which the material is embedded, and elastically provided with a plurality of cutouts spaced apart from each other by a second wet etching of the main body part on which the protective film pattern is formed. The elasticity by forming a portion and removing the sandwiching material Including the step of forming the contact terminals provided in the lower end of the probe is characterized in that formed.
따라서, 볼타입의 접촉단자와 용이하게 접촉할 수 있으며, 프로브 팁의 접촉단자와 전극패드의 접촉도가 향상되어 전기 전도성이 향상되며, 프로브 팁의 접촉단자에 파티클이 묻어나는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the ball type contact terminal can be easily contacted, and the contact between the contact tip of the probe tip and the electrode pad is improved, thereby improving the electrical conductivity, and preventing the particles from being deposited on the contact tip of the probe tip. It works.
Description
본 발명은 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 마이크로 튜브로 이루어지는 본체부의 하단부에 절개형 접촉단자가 구비되어 볼타입의 접촉단자와 용이하게 접촉할 수 있는 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a probe tip for electronic device inspection using a microtube, and more particularly, is provided with an incision contact terminal at the lower end of the main body portion made of a microtube to easily contact the ball-type contact terminal. The present invention relates to a method for manufacturing a probe tip for inspecting an electronic device using a microtube.
통상, 반도체 칩(Chip)은 산화, 확산, 이온주입, 식각 및 증착 등의 일련의 웨이퍼 가공공정을 반도체기판 상에 반복적으로 수행함으로써 반도체기판 상에 구현된다.In general, a semiconductor chip is implemented on a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of wafer processing processes such as oxidation, diffusion, ion implantation, etching, and deposition on the semiconductor substrate.
그리고, 상기 반도체기판 상에 구현된 반도체 칩에 개별적으로 전기신호를 인가함으로써 각 칩의 정상 및 비정상 유무를 테스트하는 EDS(Electrical Die Sorting)공정을 수행한 후, 상기 반도체기판 상에 구현된 각 칩을 슬라이싱(Slicing)하여 정상 칩만을 선별적으로 패키징(Packaging)하여 출하하게 된다.In addition, after performing an EDS (Electrical Die Sorting) process for testing whether each chip is normal or abnormal by applying an electrical signal to a semiconductor chip implemented on the semiconductor substrate, each chip implemented on the semiconductor substrate Slicing (Slicing) to selectively package only the normal chip (Packing) will be shipped.
상기 EDS공정을 보다 상세히 설명하면, 반도체기판 상에 구현된 칩의 전극패드와 접촉한 프로브카드의 프로브 팁을 통해서 테스트장치가 소정의 전기신호를 인가한 후, 이에 대응하는 전기신호를 다시 테스트장치가 수신함으로써 반도체기판 상에 구현된 칩의 정상 및 비정상 유무를 테스트하게 된다.The EDS process will be described in more detail. After the test device applies a predetermined electric signal through the probe tip of the probe card in contact with the electrode pad of the chip implemented on the semiconductor substrate, the test device reapplies the corresponding electric signal. By receiving the test, the normal and abnormality of the chip implemented on the semiconductor substrate is tested.
또한, 반도체 칩의 EDS공정과 동일하게 LCD(Liquid Crystal Display) 등의 평판디스플레이(Flat Pannel Display)소자 역시 일련의 평판디스플레이 소자 제조공정의 수행에 의해서 기판 상에 구현된 평판디스플레이소자의 전극패드에 프로브팁을 접촉시켜 전기신호를 인가함으로써 인가 전기신호에 대응하는 응답 전기신호를 디텍션하여 평판디스플레이소자의 정상 및 비정상 유무를 테스트하게 된다.In addition, similar to the EDS process of a semiconductor chip, a flat panel display device such as an LCD (Liquid Crystal Display) is also applied to an electrode pad of a flat panel display device implemented on a substrate by performing a series of flat panel display device manufacturing processes. By contacting the probe tip and applying an electric signal, a response electric signal corresponding to the applied electric signal is detected to test the normal and abnormality of the flat panel display device.
이러한 프로브 팁은, 반도체 칩의 전극패드 및 평판디스플레이소자의 전극패드와 직접 접촉함으로써 파티클의 발생이 억제되고, 전기 전도성이 뛰어나야 하는 등의 다양한 특성이 충족되어야 할 것이다.Such a probe tip should satisfy various characteristics such as generation of particles and direct electrical conductivity by directly contacting the electrode pad of the semiconductor chip and the electrode pad of the flat panel display device.
종래의 프로브 팁은 2000년 7월 7일자로 본 출원인에게 허여된 국내 특허 제 267835 호에 게시된 바와 같이, 금속판재로 내부가 빈 중공핀부로 형성되고, 상기 중공핀부의 직경방향 양 단부는 서로 떨어진 여유틈새를 두어 상기 중공핀부가 반지름 방향으로 스프링작용이 발생되며, 상기 중공핀부의 하부를 안쪽으로 굽힘을 주어 하방향 원뿔대 형태의 축방향 탄성핀부가 형성되며, 이 축방향 탄성핀부의 둘레에는 일정높이와 일정간격으로 복수의 골이 형성되어 이 골에 의해 전극패드와 접촉되는 접촉단부가 구성되어 있다.The conventional probe tip is formed as a hollow pin portion hollowed out of a metal plate, as published in Korean Patent No. 267835 issued to the applicant on July 7, 2000, the both ends of the hollow pin portion in the radial direction Spring operation occurs in the radial direction by placing the clearance gap away, and the lower portion of the hollow pin portion is bent inward to form an axial elastic pin portion in the form of a downward truncated conical, around the axial elastic pin portion A plurality of bones are formed at a predetermined height and at a predetermined interval, and the contact ends are formed in contact with the electrode pads by the bones.
그러나, 상기 프로브 팁은 금속판재를 롤 포밍하여 중공핀부를 형성함으로서 수㎛ 직경의 중공핀부을 정밀하게 가공함에 어려움이 있었다.However, the probe tip has a difficulty in precisely processing the hollow pin portion of several μm diameter by forming a hollow pin portion by roll forming a metal plate.
그리고, 상기 전극패드와 직접 접촉하는 접촉단부는, 중공핀부의 하부로 안쪽으로 굽힘을 주어 골에 의해 삼지창 형태로 형성된 것으로써 전극패드와 접촉시 전극패드와 접촉도가 떨어져 전기 전도성이 극히 떨어지고, 파티클을 발생시키는 문제점이 있었다.The contact end directly contacting the electrode pad is bent inwardly to the lower portion of the hollow pin to form a trident by the bone, and the contact with the electrode pad is extremely inferior in electrical conductivity when contacted with the electrode pad. There was a problem generating particles.
보다 상세히 설명하면, 상기 안쪽으로 굽힘이 가해진 삼지창 형태의 접촉단부는 전극패드 표면과 접촉하는 면적 즉, 접촉단부의 끝단부의 면적이 협소하여 전극패드와의 접촉도가 떨어져 전기 전도성이 떨어지는 문제점이 있었다.In more detail, the trident-shaped contact end portion inwardly bent has a problem in that the contact area with the electrode pad surface is narrow, that is, the contact end portion of the contact end portion is narrow, so that the contact degree with the electrode pad is reduced and the electrical conductivity is lowered. .
특히, 최근에 주로 사용되는 볼타입의 전극패드 즉, 상부 표면이 상부로 돌출되어 볼타입으로 이루어지는 전극패드와의 접촉시는 전기 전도성이 극히 떨어질뿐만아니라 전극패드 표면이 평탄하지 않으므로써 볼타입의 전극패드에 대응이 용이하지 않은 문제점이 있었다.In particular, the ball type electrode pad, which is mainly used in recent years, that is, the upper surface protrudes upward, and when contacted with the electrode pad made of a ball type, the electrical conductivity is extremely low and the surface of the electrode pad is not flat because the electrode pad is not flat. There was a problem that the electrode pad is not easy to respond.
그리고, 상기 접촉단자는 전극패드와 접촉시 소정의 OD(Over Drive)에 의해서 전극패드를 뚫고 소정깊이 삽입되며 수축된 후, 다시 자체 탄성력에 의해서 다시 팽창하여 원래의 형상으로 복원되는 데 접촉단자가 원래의 형상으로 복원되는 과정에 전극패드 상부의 산화막 등의 전극패드 물질이 접촉단자 끝단부 내부의 중공에 묻어 나오는 문제점이 있었다.When the contact terminal contacts the electrode pad, the contact terminal penetrates the electrode pad by a predetermined OD (Over Drive), is inserted into a predetermined depth and contracts, and then expands again by its own elastic force to restore the original shape. In the process of restoring the original shape, there was a problem that electrode pad material such as an oxide film on the electrode pad was buried in the hollow inside the contact terminal end.
따라서, 상기 접촉단자에 묻어 나온 전극패드 물질이 후속 EDS공정 과정에 전극패드에 다시 흡착되어 전기 접촉도 등을 저하시킴으로써 EDS공정의 불량요인으로 작용하는 문제점이 있었다.Therefore, the electrode pad material buried in the contact terminal is re-adsorbed to the electrode pad in the subsequent EDS process to reduce the electrical contact, there was a problem that acts as a bad factor of the EDS process.
본 발명의 목적은, 볼타입의 전극패드와 용이하게 접촉할 수 있는 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a probe tip for electronic device inspection that can be easily in contact with the ball-type electrode pad.
본 발명의 다른 목적은, 볼타입 등의 전극패드와의 접촉도를 높여 전기 전도성을 향상시킬 수 있는 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a probe tip for electronic device inspection using a micro tube that can improve electrical conductivity by increasing contact with electrode pads such as ball type.
본 발명의 또 다른 목적은, 반복적으로 전극패드와 접촉단자가 접촉하는 과정에 접촉단자에 전극패드 물질이 묻어 나오는 것을 방지할 수 있는 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법을 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a probe tip for electronic device inspection using a micro tube, which can prevent the electrode pad material from being repeatedly deposited on the contact terminal during repeated contact between the electrode pad and the contact terminal. There is.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.1 is a process chart for explaining a method for manufacturing a probe tip for electronic device inspection using a microtube according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 사시도이다.2 is a perspective view of a probe tip for electronic device inspection using a micro tube according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 저면도이다.3 is a bottom view of a probe tip for inspecting an electronic device using a microtube according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 2.
도 4a 및 도4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 사용 상태를 설명하기 위한 단면도이다.4A and 4B are cross-sectional views illustrating a state of use of a probe tip for inspecting an electronic device using a microtube according to an embodiment of the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
10 : 본체부 12 : 보호막10: main body 12: protective film
14 : 경사면 16 : 끼움물질14 inclined surface 16 sandwiching material
18 : 보호막 패턴 20 : 탄성부18: protective film pattern 20: elastic portion
22 : 접촉단자22: contact terminal
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법은, 탄성력을 지닌 도전성 재질로 내부홀이 구비된 마이크로 튜브(Micro tube)로 이루어지는 본체부를 준비하는 단계; 상기 본체부 외측 표면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막이 형성된 상기 본체부의 하단부를 1차 습식식각함으로써 상기 본체부의 하단부를 상기 내부홀 방향으로 소정각도 경사지게 식각하여 경사면을 형성하는 단계; 상기 경사면이 형성된 상기 본체부 내부에 끼움물질을 매립하는 단계; 상기 끼움물질이 매립된 상기 본체부의 하단부에 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 보호막 패턴이 형성된 상기 본체부를 2차 습식식각함으로써 서로 소정간격 이격된 복수의 절개부가 구비된 탄성부를 형성하는 단계; 및 상기 끼움물질을 제거함으로써 상기 탄성부 하단부에 접촉단자가 구비된 프로브 팁을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic device inspection probe tip using a microtube, the method comprising: preparing a main body part including a micro tube having an inner hole made of a conductive material having elastic force; Forming a protective film on an outer surface of the body portion; Forming an inclined surface by firstly etching the lower end of the main body portion in which the protective film is formed by inclining the lower end of the main body portion at a predetermined angle in the direction of the inner hole; Burying a fitting material inside the main body portion in which the inclined surface is formed; Forming a protective film pattern on a lower end of the main body portion in which the fitting material is embedded; Forming an elastic part having a plurality of cutouts spaced a predetermined distance from each other by second wet etching the main body part on which the protective film pattern is formed; And forming a probe tip provided with a contact terminal at a lower end of the elastic part by removing the fitting material.
이때, 상기 본체부는 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리 합금 및 텅스텐 합금 재질 중의 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있고, 상기 보호막으로 포토레지스트 또는 산화막을 사용할 수 있다.In this case, the body portion may be made of any one material of copper (Cu), tungsten (W), copper alloy, and tungsten alloy material, and a photoresist or an oxide film may be used as the protective film.
그리고, 상기 끼움물질은 2차 습식식각에 사용되는 식각액과 반응성이 떨어지는 물질을 사용함이 바람직하다.In addition, the fitting material may be a material that is less reactive with the etchant used in the secondary wet etching.
또한, 상기 보호막 패턴은 상기 보호막 소정부에 레이저 빔을 주사함으로써형성할 수 있다.The protective layer pattern may be formed by scanning a laser beam on a predetermined portion of the protective layer.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.1 is a process chart for explaining a method for manufacturing a probe tip for electronic device inspection using a microtube according to an embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 제조방법은, 도1에 도시된 바와 같이 먼저 소정의 탄성력을 지닌 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리 합금 및 텅스텐 합금 재질로써 중앙에 내부홀(10a)이 형성된 소정길이의 마이크로 튜브(Micro tube) 즉, 본체부(10)를 준비한다.Method of manufacturing a probe tip for an electronic device inspection using a microtube according to the present invention, as shown in Figure 1, first of the copper (Cu), tungsten (W), a copper alloy and a tungsten alloy material having a predetermined elastic force A micro tube having a predetermined length having an inner hole 10a formed thereon, that is, a main body portion 10 is prepared.
이때, 상기 본체부(10)는 후속공정에서 프로브 팁으로 제작되는 것으로써 상기 본체부(10)의 내부홀(10a)의 직경은 수㎛로 고집적화된 전자소자의 패드의 크기를 고려하여 적당한 직경의 마이크로 튜브로 준비한다.At this time, the body portion 10 is made of a probe tip in a subsequent process, the diameter of the inner hole (10a) of the body portion 10 is a suitable diameter in consideration of the size of the pad of the electronic device highly integrated to a few μm Prepare with a micro tube.
다음으로, 상기 본체부(10)의 외측 표면에 소정두께의 포토레지스트 등의 보호막(12)을 형성한다. 이때, 상기 보호막(12)은 포토레지스트 이외에 산화막 등과 같이 반도체 제조공정에서 식각 마스크로 사용되는 다양한 재질로 사용이 가능함은 당연하다할 것이다.Next, a protective film 12 such as a photoresist having a predetermined thickness is formed on the outer surface of the main body portion 10. At this time, it will be obvious that the protective film 12 may be used in various materials used as an etching mask in a semiconductor manufacturing process, such as an oxide film, in addition to a photoresist.
계속해서, 상기 외측 표면에 보호막이 형성된 본체부(10)의 하단부를 소정깊이 소정의 제 1 식각액이 저장된 제 1 배스(Bath : 2) 내부에 팁핑(Dipping)함으로써 본체부(10)의 내부 중앙에 형성된 내부홀(10a)을 내부 방향으로 소정각도 1차 경사 식각하여 본체부(10)의 하단부에 경사면(14)을 형성한다.Subsequently, the inner center of the main body portion 10 is tipped by tipping the lower end portion of the main body portion 10 having the protective film formed on the outer surface into the first bath 2 in which the first etching liquid having a predetermined depth is stored. An inclined surface 14 is formed at the lower end of the main body 10 by firstly inclining the inner hole 10a formed at a predetermined angle.
이어서, 상기 경사면(14)이 형성된 본체부(10)의 내부 중앙에 형성된 내부홀(10a)에 포토레지스트 등과 같이 식각액에 대해서 선택비가 떨어지는 끼움물질(16)을 매립한다.Subsequently, the fitting material 16 having a low selectivity with respect to the etchant, such as a photoresist, is embedded in the inner hole 10a formed at the inner center of the main body portion 10 on which the inclined surface 14 is formed.
이때, 상기 끼움물질(16)은 본체부(10)의 내부 중앙에 형성된 내부홀(10a) 전체에 매립할 수도 있으나 작업의 편리성을 감안하여 본체부(10) 하단부에서 본체부(10) 중앙부까지만 매립한다.At this time, the fitting material 16 may be buried in the entire inner hole (10a) formed in the inner center of the main body portion 10, but in consideration of the convenience of the main body portion 10 at the lower end of the main body portion 10 Only landfill until
다음으로, 상기 끼움물질(16)이 내부홀(10a)에 매립된 본체부(10)의 외부 표면에 형성된 보호막(12)에 레이저 빔을 주사함으로써 보호막 패턴(18)을 형성한다.Next, the protective film pattern 18 is formed by scanning the laser beam on the protective film 12 formed on the outer surface of the body portion 10 in which the fitting material 16 is embedded in the inner hole 10a.
이때, 상기 보호막 패턴(18)은 후속공정에서 탄성부가 형성되는 본체부(10)의 하단부에 형성되며, 상기 보호막 패턴(18)을 형성하는 과정은 본체부(16)를 회전시키면서 보호막(12)에 반복적으로 레이저 빔을 주사하여 보호막(12)을 제거함으로써 형성한다. 특히, 상기 레이저 빔을 주사하는 과정의 레이저 빔의 스팟 사이즈(Spot size)는 공정 진행자의 편리성을 감안하여 적당한 사이즈로 조절함이 바람직하다.In this case, the passivation layer pattern 18 is formed at the lower end of the main body portion 10 in which the elastic portion is formed in a subsequent process, and the process of forming the passivation layer pattern 18 rotates the main body portion 16 while the passivation layer 12 is formed. It is formed by repeatedly scanning the laser beam on the protective film 12. In particular, the spot size of the laser beam in the process of scanning the laser beam is preferably adjusted to an appropriate size in consideration of the convenience of the process coordinator.
그리고, 본 실시예에서는 레이저 빔을 이용하였으나 공지의 반도체 포토리소그래피(Photolithography)공정을 통해서도 형성할 수도 있을 것이다.In addition, although the laser beam is used in the present embodiment, it may be formed through a known semiconductor photolithography process.
계속해서, 상기 보호막 패턴(18)이 하단부에 형성된 본체부(10)를 소정의 제 2 식각액이 저장된 제 2 배스(4) 내부에 팁핑시킴으로써 보호막 패턴(18)에 의해서 개방된 본체부(10)를 완전히 2차 습식식각하여 서로 소정간격 이격된 복수의 절개부(19)가 구비된 탄성부(20)를 형성한다.Subsequently, the main body 10 opened by the protective film pattern 18 by tipping the main body 10 having the protective film pattern 18 formed at the lower end thereof into the second bath 4 in which the predetermined second etching solution is stored. The second wet etch completely to form an elastic portion 20 having a plurality of incisions 19 spaced apart from each other by a predetermined interval.
이때, 상기 본체부(10) 내측 중앙에 형성된 내부홀(10a)에 매립된 끼움물질(16)은 제 2 배스(4) 내부에 저장된 제 2 식각액이 보호막 패턴(18)에 의해서 폐쇄된 본체부(10) 하단의 내면을 습식식각하는 것을 방지하는 기능을 수행한다.In this case, the fitting material 16 embedded in the inner hole 10a formed at the inner center of the main body portion 10 may include a main body portion in which the second etchant stored in the second bath 4 is closed by the protective layer pattern 18. (10) It performs a function to prevent wet etching of the inner surface of the bottom.
마지막으로, 상기 본체부(10) 내측 중앙에 형성된 내부홀(10a)에 매립된 끼움물질(16)을 제거함으로써 복수의 절개부(19)를 구비하는 탄성부(20)와 상기 탄성부(10) 단부가 내측으로 소정각도 경사커팅된 접촉단자(22)가 구비된 프로브 팁을 형성한다.Finally, the elastic part 20 and the elastic part 10 having a plurality of cutouts 19 by removing the fitting material 16 embedded in the inner hole 10a formed at the inner center of the main body part 10. ) End to form a probe tip having a contact terminal 22 inclined at an angle.
이하, 전술한 바와 같은 방법에 의해서 구현된 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, an electronic device inspection probe tip using a microtube according to an embodiment of the present invention implemented by the method described above will be described in detail.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의 사시도이고, 도3은 저면도이다.2 is a perspective view of a probe tip for an electronic device inspection using a microtube according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a bottom view.
본 발명에 따른 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁은, 도2 및 도3에 도시된 바와 같이 소정의 탄성력을 지닌 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리 합금 및 텅스텐 합금 재질로써 중앙에 내부홀(10a)이 형성된 소정길이의 마이크로 튜브(Micro tube)로 이루어지는 원통형상의 본체부(10)를 구비한다.The probe tip for inspecting an electronic device using a microtube according to the present invention is made of copper (Cu), tungsten (W), a copper alloy, and a tungsten alloy material having a predetermined elasticity as shown in FIGS. 2 and 3. A cylindrical body portion 10 made of a micro tube of a predetermined length having an inner hole 10a is provided.
이때, 상기 본체부(10)의 내부홀(10a)의 직경은 고집적화된 전자소자의 패드의 크기가 고려되어 수㎛로 이루어진다.At this time, the diameter of the inner hole (10a) of the main body portion 10 is made of several ㎛ considering the size of the pad of the highly integrated electronic device.
그리고, 상기 본체부(10)의 하단부에는 본체부(10) 하측 외부 표면에 형성된 보호막(12)에 레이저 빔을 주사하여 소정영역의 보호막(12)을 제거함으로써 보호막패턴(18)을 형성한 후, 상기 보호막 패턴(18)이 형성된 본체부(10) 하측을 식각액에 딥핑(Dipping)하여 습식식각함으로써 형성된 복수의 절개부(19)를 구비하는 탄성부(20)가 형성되어 있다.In addition, after forming the protective film pattern 18 on the lower end of the main body 10 by removing a protective film 12 of a predetermined region by scanning a laser beam to the protective film 12 formed on the lower outer surface of the main body 10. In addition, an elastic portion 20 having a plurality of cutouts 19 formed by dipping a lower side of the main body portion 10 on which the protective layer pattern 18 is formed into an etching solution and wet etching the same is formed.
이때, 상기 탄성부(20)의 절개부(19)는 적어도 2개 이상 구비되어 탄성부(20)가 외측으로 팽창된 후, 다시 원래의 위치로 복원될 수 있도록 함이 바람직하다.At this time, it is preferable that at least two cutout portions 19 of the elastic portion 20 are provided so that the elastic portion 20 is expanded to the outside and then restored to its original position.
또한, 상기 탄성부(20)의 하단면에는 탄성부(20) 단부가 내측으로 소정각도 경사진 접촉단자(22)가 구비되어 있다.In addition, the lower end surface of the elastic portion 20 is provided with a contact terminal 22 in which the end portion of the elastic portion 20 is inclined at a predetermined angle.
상기와 같은 본 발명의 프로브 팁의 작용 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the probe tip of the present invention as described above are as follows.
본 발명에 따른 프로브 팁은 도시되지 않은 프로브 장치와 연결된 프로브 카드에 본 발명의 프로브 팁을 설치하여 이 프로브 팁이 도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드(30) 및 상부 표면이 평탄한 전극패드(32)와 접촉할때 프로브 팁은 프로브카드의 조립체에 수직적으로 고정되어 수직방향으로 전극패드(30, 32)를 가압하게 된다.The probe tip according to the present invention is provided with a probe tip of the present invention installed on a probe card connected to a probe device (not shown), and the probe tip is a ball-type electrode whose upper surface protrudes upward as shown in FIGS. 4A and 4B. When the pad 30 and the top surface are in contact with the flat electrode pad 32, the probe tip is vertically fixed to the assembly of the probe card to press the electrode pads 30 and 32 in the vertical direction.
그리고, 상기 전극패드(30, 32)를 가압함에 따라 프로브 팁의 탄성부(20)는 외부로 벌려지며 전극패드(30, 32)를 감싸안는 형상으로 소정길이 미끄러지며 전극패드(30, 32)와 접촉하게 된다.In addition, as the electrode pads 30 and 32 are pressed, the elastic portion 20 of the probe tip is opened to the outside and slides a predetermined length in a shape that surrounds the electrode pads 30 and 32. Contact with.
이때, 상기 탄성부(20)의 하단면은 내부 중앙에 형성된 내부홀(10a) 방향으로 경사져 있으므로 보다 용이하게 볼타입의 전극패드(30) 표면에서 미끄러지게 되며, 상기 미끄러짐 후 최종적으로 전극패드(30)와 접촉하는 접촉단자(22)는 경사져있으므로 접촉면적이 종래보다 증가하게 된다.At this time, the bottom surface of the elastic portion 20 is inclined in the direction of the inner hole 10a formed in the inner center more easily slips on the surface of the ball-type electrode pad 30, and finally after the sliding electrode pad ( Since the contact terminal 22 in contact with 30 is inclined, the contact area is increased than before.
또한, 상기 프로브 팁의 접촉단자(22)와 전극패드(30, 32)가 접촉한 상태에서 전극패드에 소정의 전기신호를 인가하여 테스트공정을 완료한 후, 전극패드(30, 32)에 가해지는 압력이 제거되면, 상기 탄성부(20)는 자체 탄성력에 의해서 원래 위치로 복원된다.In addition, after a predetermined electrical signal is applied to the electrode pad while the contact terminal 22 of the probe tip and the electrode pads 30 and 32 are in contact with each other, the test terminal is applied to the electrode pads 30 and 32. When the losing pressure is removed, the elastic portion 20 is restored to its original position by its elastic force.
특히, 상기 탄성부(20)의 자체 탄성력에 의해서 원래 위치로 복원되는 과정에는 먼저 접촉단자(22)의 미끄러짐이 발생된 전극패드(30, 32) 부위로 다시 탄성부(20)가 이동 복원됨으로써 접촉단자(22)에 패드 물질이 묻어나지 않는다.In particular, in the process of restoring to its original position by the elastic force of the elastic part 20, the elastic part 20 is moved back to the electrode pads 30 and 32 where the sliding of the contact terminal 22 occurs. The pad material does not adhere to the contact terminal 22.
그리고, 상기 본체부(10) 하단의 탄성부(20)는 외부로 벌려지며 볼타입의 전극패드(30)를 감싸안는 형상으로 볼타입의 전극패드(30)와 접촉함으로써 볼타입의 전극패드(30)에 용이하게 접촉할 수 있다.In addition, the elastic part 20 of the lower end of the main body 10 is opened to the outside and the ball-type electrode pad 30 in contact with the ball-type electrode pad 30 in a shape surrounding the ball-type electrode pad 30 ( 30) can be easily contacted.
또한, 본 발명에 따른 프로브 팁은 수직형이므로 고밀도의 배열 설치가 가능하여 고밀도로 배열된 프로브 팁에 의해 고집적화된 전자소자의 작은 크기의 전극패드에 대응이 가능할뿐만 아니라 짧은 피치간격에도 대응이 용이하다.In addition, since the probe tip according to the present invention is vertical, it is possible to install a high-density array, so that it is possible to cope with the small size electrode pad of the electronic device that is highly integrated by the high-density probe tip and to cope with short pitch intervals. Do.
본 발명에 의한 프보브 팁은 전극패드와 접촉시 외부로 벌려짐으로써 상부 표면이 돌출된 볼타입의 전극패드에 용이하게 대응할 수 있으며, 전기 전도성이 뛰어나며, 전극패드 물질이 접촉단자에 묻어나는 것을 방지할 수 있으며, 고집적화된 전자소자에 대응이 용이한 효과가 있다.The probe tip according to the present invention can easily correspond to the ball-type electrode pad protruding from the upper surface when the electrode tip is contacted with the electrode pad, has excellent electrical conductivity, and the electrode pad material is buried in the contact terminal. It can be prevented, and it is easy to cope with the highly integrated electronic device.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications are naturally within the scope of the appended claims.
Claims (5)
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| KR10-2002-0035265A KR100448316B1 (en) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | Method for manufacturing probe tip using the micro tube for testing the elctro device |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR10-2002-0035265A KR100448316B1 (en) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | Method for manufacturing probe tip using the micro tube for testing the elctro device |
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