KR100447987B1 - Slurry Feeding Equipment for Chemical Mechanical Polishing Process - Google Patents

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KR100447987B1
KR100447987B1 KR10-1998-0045023A KR19980045023A KR100447987B1 KR 100447987 B1 KR100447987 B1 KR 100447987B1 KR 19980045023 A KR19980045023 A KR 19980045023A KR 100447987 B1 KR100447987 B1 KR 100447987B1
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Abstract

본 발명은 화학기계적 연마 공정용 슬러리 공급 장치를 개시한다. 개시된 본 발명은, 슬러리가 저장된 제 1 탱크(20)와 연마 장비 사이에 제 2 탱크(21)가 배치된다. 제 1 및 제 2 탱크(20,21) 사이에 최소한 하나 이상의 필터(31,32)가 배치되는데, 각 필터(31,32)는 입자 크기가 큰 슬러리부터 여과시키도록 기공 크기가 점차적으로 줄어드는 순서대로 배치된다. 필터(31)와 제 1 탱크(20) 사이에 펌프(80)가 배치된다. 펌프(80)와 제 1 탱크(20)는 바이패스 라인(41)으로 연결되고, 이 바이패스 라인(41)에는 릴리프 밸브(50)가 설치된다. 필터(31,32)의 전후에는 탈이온수 인출 및 인입 라인(42,43)이 연결되어서, 막힌 필터(31,32)를 탈이온수로 뚫게 한다. 한편, 각 필터(31,32) 하단에는 그 저면에 침적된 슬러리 덩어리 제거를 위해, 배출 라인(46,47)이 연결되고, 각 배출 라인(46,47)에 에어 밸브(53,54)가 설치된다. 각 필터 상단(31,32)에는 에어 벤트 라인(44,45)이 연결되고, 각 에어 벤트 라인(44,45)에 릴리프 밸브(51,52)가 설치된다. 필터(31,32)의 막힘 상태를 알 수 있도록, 각 필터(31,32)의 전후에 압력계(60,61,62)가 설치된다.The present invention discloses a slurry supply apparatus for a chemical mechanical polishing process. In the disclosed invention, a second tank 21 is arranged between the first tank 20 in which the slurry is stored and the polishing equipment. At least one filter (31,32) is disposed between the first and second tanks (20, 21), each filter (31, 32) in order to gradually decrease the pore size to filter from a slurry with a large particle size Are placed as. A pump 80 is arranged between the filter 31 and the first tank 20. The pump 80 and the first tank 20 are connected by a bypass line 41, and a relief valve 50 is installed in the bypass line 41. Before and after the filters 31 and 32, deionized water withdrawal and inlet lines 42 and 43 are connected to allow the blocked filters 31 and 32 to be drilled with deionized water. Meanwhile, discharge lines 46 and 47 are connected to the bottom of each filter 31 and 32 to remove the slurry lumps deposited on the bottom thereof, and air valves 53 and 54 are connected to each discharge line 46 and 47. Is installed. Air vent lines 44 and 45 are connected to the upper ends of each filter 31 and 32, and relief valves 51 and 52 are installed to each air vent line 44 and 45. The pressure gauges 60, 61, 62 are provided before and after each filter 31, 32 so that the clogging state of the filters 31, 32 may be known.

Description

화학기계적 연마 공정용 슬러리 공급 장치Slurry Feeder for Chemical Mechanical Polishing Process

본 발명은 화학기계적 연마 공정용 슬러리(slurry) 공급 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : 이하, CMP라 영문표기함) 장비로 연마제인 슬러리를 공급하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a slurry supply apparatus for a chemical mechanical polishing process, and more particularly, to a slurry, which is an abrasive, by chemical mechanical polishing (CMP) equipment to planarize the surface of a wafer. It relates to a device for supplying.

반도체 기술의 진보와 더불어 더 나아가서는 반도체 소자의 고속화, 고집적화가 진행되고 있고, 이에 수반해서 패턴에 대한 미세화의 필요성이 점점 높아지고 있으며, 패턴의 칫수도 고정밀화가 요구되고 있다. 이는 반도체 소자에 있어서, 넓은 영역을 차지하는 소자 분리 영역에도 적용된다.In addition to the advances in semiconductor technology, high speed and high integration of semiconductor devices is progressing, and along with this, the necessity of miniaturization of patterns is increasing, and the size of patterns is also required to be highly accurate. This also applies to device isolation regions that occupy a wide area in semiconductor devices.

현재의 반도체 장치의 소자 분리로는 로코스(LOCOS) 소자 분리막이 대부분 이용된다. 이 로코스 방식의 소자 분리막은 기판을 선택적으로 국부 산화하여, 얻어진다.LOCOS device isolation films are mostly used for device isolation of current semiconductor devices. This LOCOS device isolation film is obtained by selectively localizing a substrate.

그러나, 로코스 방식의 소자 분리막은 그 가장자리 부분에 새부리 형상의 버즈빅이 발생하여, 소자 분리막의 면적을 확장시키면서 누설전류를 발생시키는 단점을 갖는다.However, in the LOCOS isolation layer, a bird-shaped bird's beak is generated at an edge portion thereof, and thus a leakage current is generated while expanding the area of the isolation layer.

따라서, 종래에는 좁은 폭을 가지며, 우수한 소자 분리 특성을 갖는 STI(Shallow Trench Isolation) 방식의 소자 분리막이 제안되었고, 도 1에 소자 분리막이 도시되어 있다.Therefore, conventionally, an STI (Shallow Trench Isolation) device isolation film having a narrow width and excellent device isolation characteristics has been proposed, and the device isolation film is illustrated in FIG. 1.

도시된 바와 같이, 반도체 기판(1)상에 소자 분리 예정 영역이 노출되도록, 산화방지용 패턴, 예를 들어 실리콘 질화막 패턴(3)을 형성한다. 여기서, 소자 분리 예정 영역은 소자와 소자 사이일수도 있고, 웰 사이의 영역일 수도 있다. 이때, 웰 사이의 소자 분리 예정 영역은 소자와 소자의 사이의 소자 분리 영역보다 큰 면적을 차지한다.As shown, an anti-oxidation pattern, for example, a silicon nitride film pattern 3, is formed on the semiconductor substrate 1 so that the device isolation region is exposed. In this case, the device isolation region may be between the device and the device, or may be a region between the wells. At this time, the device isolation region between the wells occupies a larger area than the device isolation region between the device and the device.

그후, 노출된 반도체 기판(1)을 소정 깊이만큼 에칭하여, 트랜치를 형성한다. 이어서, 트랜치 내부가 충분히 매립되도록 산화막(2)을 증착한 다음, 질화막(3) 표면이 노출되도록 CMP(chemical mechanical polishing) 공정을 진행하여 STI 형태의 소자 분리막(4)을 형성한다. 그후, 산화 방지용 패턴을 공지의 방식으로 제거한다.Thereafter, the exposed semiconductor substrate 1 is etched by a predetermined depth to form a trench. Subsequently, an oxide film 2 is deposited to sufficiently fill the inside of the trench, and then a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed to expose the surface of the nitride film 3 to form an STI type device isolation film 4. Thereafter, the antioxidant pattern is removed in a known manner.

이러한 STI 방식의 평탄화 공정에서 주로 사용되는 방법이 슬러리(slurry)를 이용해서 웨이퍼를 연마판에 연마하여 층간 절연막의 일정 두께를 제거하므로써, 평탄화를 이루는 화학기계적 연마법이다.A method mainly used in the STI planarization process is a chemical mechanical polishing method for achieving planarization by removing a predetermined thickness of an interlayer insulating film by polishing a wafer on a polishing plate using a slurry.

이러한 화학기계적 연마 장비의 구성을 개략적으로 설명하면 다음과 같다. 연마 패드가 구비된 연마판은 회전축으로 지지되어 있고, 웨이퍼가 고정된 캐리어 플레이트가 연마판의 상부에 배치되어서 역시 회전축으로 지지되어 있다. 한편, 슬러리를 웨이퍼상으로 공급하는 노즐이 연마판의 일측 상부에 배치되어 있다.The configuration of such a chemical mechanical polishing equipment is briefly described as follows. A polishing plate with a polishing pad is supported by a rotating shaft, and a carrier plate on which a wafer is fixed is disposed on the upper portion of the polishing plate and is also supported by a rotating shaft. On the other hand, the nozzle which supplies a slurry on a wafer is arrange | positioned at the upper side of one side of an abrasive plate.

상기와 같이 구성되어서, 노즐로부터 슬러리가 공급되는 상태에서, 반대 방향으로 회전되는 연마판과 캐리어 플레이트에 의해 웨이퍼가 연마되므로써, 평탄화되도록 되어 있다.The wafer is polished by the polishing plate and the carrier plate which are rotated in opposite directions in the state in which the slurry is supplied from the nozzle, as described above, so as to be flattened.

이와 같이, 연마 장비는 슬러리를 이용하게 되고, 따라서 연마 장비로 슬러리를 공급해야 하는데, 도 2에 종래의 슬러리 공급 장치가 도시되어 있다.As such, the polishing equipment utilizes a slurry, and therefore must supply the slurry to the polishing equipment, which is shown in FIG.

도시된 바와 같이, 연마 장비(C)에 슬러리 탱크(10)가 연결되어 있고, 연마 장비(C) 내부에 일정 크기 이상의 슬러리를 제거하기 위한 필터(14)가 설치되어 있다. 필터(14)와 슬러리 탱크(10) 사이에는 질소 가스와 슬러리가 혼합되는 탱크(11)가 배치되어 있고, 혼합 탱크(11)와 필터(14) 사이에는 진공 펌프(12)와 질소 가스에 압력을 제공하는 펌프(13)가 배치되어 있다.As shown, the slurry tank 10 is connected to the polishing equipment C, and a filter 14 for removing the slurry having a predetermined size or more is provided inside the polishing equipment C. As shown in FIG. A tank 11 in which nitrogen gas and a slurry are mixed is disposed between the filter 14 and the slurry tank 10, and a pressure between the vacuum tank 12 and the nitrogen gas is mixed between the mixing tank 11 and the filter 14. A pump 13 is arranged to provide.

한편, 필터(14)에서 여과된 슬러리 덩어리를 다시 혼합 탱크(11)로 순환시키기 위해서, 필터(14)는 별도의 라인을 통해 혼합 탱크(11)에 연결되어 있으며, 이 라인에도 전용 필터(15)가 설치되어 있다.On the other hand, in order to circulate the slurry mass filtered by the filter 14 back to the mixing tank 11, the filter 14 is connected to the mixing tank 11 through a separate line, which also has a dedicated filter 15 ) Is installed.

그런데, 슬러리는 자체 응집력으로 인해서, 도 3과 같이 미세한 분말로 되지 않고 덩어리 상태가 되어서, 이 슬러리 덩어리(S)가 연마가 되지 않고 밀리면서 질화막(3) 표면에 스크래치(scratch)를 발생시키게 될 소지가 매우 높다.However, due to its cohesive force, the slurry does not become a fine powder as shown in FIG. 3 but becomes agglomerate, so that the slurry agglomerate S is not polished and is pushed, causing scratches on the surface of the nitride film 3. Possession is very high.

이를 예방하기 위해, 종래에도 전술된 바와 같이 필터(14)가 사용되었다. 그러나, 종래의 슬러리 공급 장치는 필터(14)가 연마 장비(C)의 내부에 위치하고 필터(14)를 통해서 여과된 슬러리 덩어리를 계속 순환시키는 구조로 이루어져 있기 때문에, 필터(14)의 수명이 짧을 수밖에 없고, 따라서 종래의 필터(14)는 10㎛ 이상의 기공(pore)을 갖는 것만이 채용되었다.To prevent this, the filter 14 has also been used as previously described. However, the conventional slurry supply apparatus has a structure in which the filter 14 is located inside the polishing equipment C and continuously circulates the slurry mass filtered through the filter 14, so that the life of the filter 14 is short. Inevitably, the conventional filter 14 has only adopted a pore having a pore of 10 µm or more.

그런데, 슬러리는 입자 크기는 0.35㎛ 이하인 것만이 응집되지 않아서 스크래치를 발생시키지 않게 되는데, 종래의 필터(14)는 기공이 10㎛ 이상이기 때문에, 0.35 내지 10㎛ 사이 크기의 슬러리는 필터(14)에서 여과되지 않고 통과하여, 도 3과 같이 질화막(3)에 스크래치를 발생시키게 된다.By the way, the slurry is not agglomerated to produce a scratch only because the particle size is 0.35㎛ or less, the conventional filter 14 because the pore is 10㎛ or more, slurry of 0.35 ~ 10㎛ size is the filter 14 It passes through without being filtered, and scratches occur in the nitride film 3 as shown in FIG.

일견, 종래의 장치에 사용되던 필터(14)를 0.35㎛ 정도 크기의 기공을 갖는것으로 대체하면 상기의 문제점이 해결될 것처럼 보이나, 종래의 필터(14)는 연마 장비(C) 내부에 위치하고 있는 관계로, 수 시간 정도만 경과되면 필터로서의 기능이 완전히 상실되어서, 실질적으로 연마 작용을 하는 미세한 크기의 슬러리도 여과시키는 다른 문제점이 발생된다. 따라서, 종래의 장치에 미세 기공의 필터를 적용하는 것은 불가능하다.At first glance, replacing the filter 14 used in the conventional apparatus with a pore having a size of about 0.35 μm may solve the above problem, but the conventional filter 14 is located inside the polishing equipment C. As a result, after several hours, the function as a filter is completely lost, thereby causing another problem of filtering even a finely sized slurry that is substantially abrasive. Therefore, it is impossible to apply the microporous filter to the conventional apparatus.

따라서, 본 발명은 종래의 공급 장치로 인한 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 연마 장비 외부에서 슬러리 덩어리를 여과시켜, 필터의 수명이 단축되지 않으면서도 스크래치 발생을 줄일 수 있는 화학기계적 연마 공정용 슬러리 공급 장치를 제공하는데 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems caused by the conventional supply device, by filtering the slurry mass outside the polishing equipment, the slurry for the chemical mechanical polishing process that can reduce the occurrence of scratches without reducing the life of the filter The purpose is to provide a supply device.

도 1은 STI 방식의 소자 분리막을 나타낸 단면도1 is a cross-sectional view showing a device isolation film of the STI method

도 2는 종래의 슬러리 공급 장치를 나타낸 도면2 is a view showing a conventional slurry supply device

도 3은 슬러리 덩어리에 의해 스크래치가 발생되는 것을 나타낸 도면3 is a view showing that the scratch is generated by the slurry mass

도 4는 본 발명에 따른 슬러리 공급 장치를 나타낸 도면Figure 4 shows a slurry supply apparatus according to the present invention

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawing-

20 ; 제 1 탱크 21 ; 제 2 탱크20; First tank 21; 2nd tank

31 ; 제 1 필터 32 ; 제 2 필터31; First filter 32; Second filter

40 ; 메인 라인 41 ; 바이패스 라인40; Main line 41; Bypass line

42 ; 탈이온수 인입 라인 43 ; 탈이온수 인출 라인42; Deionized water inlet line 43; Deionized Water Withdrawal Line

44,45 ; 에어 벤트 라인 46,47 ; 배출 라인44,45; Air vent lines 46,47; Discharge line

50,51,52 ; 릴리프 밸브 53,54 ; 에어 밸브50,51,52; Relief valves 53,54; Air valve

60,61,62 ; 압력계 80 ; 펌프60,61,62; Pressure gauge 80; Pump

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 슬러리 공급 장치는 다음과 같은 구성으로 이루어진다.In order to achieve the above object, the slurry supply apparatus according to the present invention has the following configuration.

슬러리가 저장된 제 1 탱크와 연마 장비 사이에 제 2 탱크가 배치된다. 제 1 및 제 2 탱크 사이에 최소한 하나 이상의 필터가 배치되는데, 각 필터는 입자 크기가 큰 슬러리부터 여과시키도록 기공 크기가 점차적으로 줄어드는 순서대로 배치된다. 필터와 제 1 탱크 사이에 펌프가 배치된다. 펌프와 제 1 탱크는 바이패스 라인으로 연결되고, 이 바이패스 라인에는 릴리프 밸브가 설치되어, 필터가 막혀서 높아진 압력은 바이패스 라인을 통해 제 1 탱크로 공급된다.A second tank is disposed between the first tank in which the slurry is stored and the polishing equipment. At least one filter is arranged between the first and second tanks, with each filter being arranged in an order of decreasing pore size so as to filter from a slurry having a larger particle size. A pump is arranged between the filter and the first tank. The pump and the first tank are connected by a bypass line, and a relief valve is installed in the bypass line so that the high pressure due to the clogged filter is supplied to the first tank through the bypass line.

필터의 전후에는 탈이온수 인출 및 인입 라인이 연결되어서, 막힌 필터를 탈이온수로 뚫게 한다. 한편, 각 필터 하단에는 그 저면에 침적된 슬러리 덩어리 제거를 위해, 배출 라인이 연결되고, 각 배출 라인에 에어 밸브가 설치되어서, 탈이온수에 의한 플러싱(flushing)시, 슬러리 덩어리가 배출 라인을 통해 배출되도록 한다.Before and after the filter, deionized water withdrawal and inlet lines are connected to allow the blocked filter to be drilled with deionized water. On the other hand, at the bottom of each filter, a discharge line is connected to remove the slurry lump deposited on the bottom thereof, and an air valve is installed at each discharge line, so that when flushing with deionized water, the slurry lump passes through the discharge line. To be discharged.

또한, 각 필터 상단에는 에어 벤트 라인이 연결되고, 각 에어 벤트 라인에 릴리프 밸브가 설치되어서, 각 필터 내부의 높아진 압력은 에어 벤트 라인을 통해 배기된다.In addition, an air vent line is connected to the top of each filter, and a relief valve is installed at each air vent line, so that the increased pressure inside each filter is exhausted through the air vent line.

한편, 필터의 막힘 상태를 알 수 있도록, 각 필터의 전후에 압력계가 설치되어서, 각 압력계의 압력 차이로 필터의 막힘 상태를 알 수 있도록 하거나, 또는 제 1 탱크와 펌프 사이, 제 2 탱크와 연마 장비에 슬러리의 수소이온농도(pH)를 측정하는 게이지가 설치하는 것도 바람직하다.On the other hand, a pressure gauge is provided before and after each filter so that the filter is blocked, so that the filter is blocked due to the pressure difference between the pressure gauges, or between the first tank and the pump, between the second tank and the polishing. It is also preferable to install a gauge for measuring the hydrogen ion concentration (pH) of the slurry in the equipment.

상기된 본 발명의 구성에 의하면, 연마 장비 외부에 슬러리를 여과시키는 필터가 배치되므로써, 필터의 수명이 단축되지 않으면서 스크래치 발생을 억제시킬 수가 있게 된다.According to the configuration of the present invention described above, since the filter for filtering the slurry is disposed outside the polishing equipment, scratch generation can be suppressed without shortening the life of the filter.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 슬러리 공급 장치를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a slurry supply apparatus according to the present invention.

도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 탱크(20,21)가 메인 라인(40)으로 연결된다. 제 1 탱크(20)는 덩어리가 여과되지 않은 슬러리가 저장되는 탱크이고, 제 2 탱크(21)는 덩어리가 여과된 슬러리만이 저장된 탱크로서, 연마 장비로 연결된다.As shown, the first and second tanks 20, 21 are connected to the main line 40. The first tank 20 is a tank in which the slurry in which the mass is not filtered is stored, and the second tank 21 is a tank in which only the slurry in which the mass is filtered is stored, and is connected to the polishing equipment.

따라서, 최소한 하나 이상의 필터, 본 실시예에서는 2개의 필터(31,32)가 메인 라인(40)에 배치된다. 즉, 본 발명에 따르면, 필터(31,32)가 연마 장비의 내부에 배치되지 않고 외부에 배치된다. 따라서, 필터의 수명 제한으로 인해서 기공 크기가 한정되지 않게 된다. 한편, 각 필터(31,32)는 큰 입자의 슬러리부터 제거하도록 기공 크기가 점차적으로 작아지는 순서대로 배치된다. 본 실시예에서는 제 1 필터(31)의 기공 크기는 1㎛, 제 2 필터(32)의 기공 크기는 0.4㎛로서, 슬러리의 연마 기능을 하는데 있어서의 임계 크기인 0.35㎛ 이상의 입자를 여과시키게 된다.Thus, at least one filter, in this embodiment two filters 31, 32 is arranged in the main line 40. That is, according to the present invention, the filters 31 and 32 are disposed outside rather than inside the polishing equipment. Therefore, the pore size is not limited due to the life limitation of the filter. On the other hand, the filters 31 and 32 are arranged in order of decreasing pore size so as to remove from the slurry of large particles. In this embodiment, the pore size of the first filter 31 is 1 μm, and the pore size of the second filter 32 is 0.4 μm, which filters particles of 0.35 μm or more, which is a critical size for the polishing function of the slurry. .

제 1 탱크(20)의 슬러리를 각 필터(31,32)를 통해서 제 2 탱크(21)로 이동시키는 동력을 제공하는 펌프(80)가 제 1 탱크(20)과 제 1 필터(31) 사이의 메인 라인(40)에 설치된다. 또한, 필터(31,32)의 막힘에 의해서 펌프(80)에 과부하가 인가되어 고장나는 것을 방지하기 위해서, 펌프(80)와 제 1 탱크(20)는 별도의 바이패스 라인(41)으로도 연결되고, 바이패스 라인(41)에는 일정 이상의 압력에 의해서만 개방되는 릴리프 밸브(50)가 설치된다. 아울러, 각 필터(31,32) 내부의 압력이 규정 이상으로 상승되지 않도록, 에어 벤트 라인(44,45)이 각 필터(31,32)의 상단에 연결되고, 각 에어 벤트 라인(44,45)에도 일정 이상의 압력에 의해서만 개방되는 릴리프 밸브(51,52)가 설치된다.A pump 80, which provides power to move the slurry of the first tank 20 through the respective filters 31 and 32 to the second tank 21, is provided between the first tank 20 and the first filter 31. Is installed on the main line 40. In addition, in order to prevent the pump 80 from being overloaded due to clogging of the filters 31 and 32 and causing the pump 80 to fail, the pump 80 and the first tank 20 may also be separated by a separate bypass line 41. Connected, the bypass line 41 is provided with a relief valve 50 which is opened only by a predetermined pressure or more. In addition, the air vent lines 44 and 45 are connected to the upper ends of the respective filters 31 and 32 so that the pressure inside the respective filters 31 and 32 does not rise above the prescribed value, and the respective air vent lines 44 and 45 are connected. ), Relief valves 51 and 52 which are opened only by a predetermined pressure or more are provided.

막힌 필터(31,32)를 뚫기 위해서, 탈이온수를 각 필터(31,32)로 플러싱하는 인입 라인(42)이 제 2 필터(32)와 제 2 탱크(21) 사이에 연결되고, 인출 라인(43)은 제 1 필터(31)와 펌프(80) 사이에 연결된다. 탈이온수가 펌프(80)와 제 2 탱크(21)로 흐르지 않도록 하기 위해서 각 메인 라인(40)에 밸브(55,56)가 설치되고, 또한 슬러리가 인입 및 인출 라인(42,43)측으로 흐르지 않도록 하기 위해서 인입 및 인출 라인(42,43)에도 밸브(57,58)가 설치된다. 탈이온수 플러싱시, 각필터(31,32)에 침적되어 있던 슬러리 덩어리를 각 필터(31,32)로부터 배출시키기 위해서, 배출 라인(46,47)이 각 필터(31,32) 하단에 연결되고, 각 배출 라인(46,47)에 에어 밸브(53,54)가 설치된다.In order to drill the clogged filters 31 and 32, an inlet line 42 for flushing deionized water into the respective filters 31 and 32 is connected between the second filter 32 and the second tank 21, and withdrawal line 43 is connected between the first filter 31 and the pump 80. In order to prevent deionized water from flowing into the pump 80 and the second tank 21, valves 55 and 56 are installed at each main line 40, and slurry is not flowed to the inlet and outlet lines 42 and 43. In order to prevent this, the valves 57 and 58 are also provided in the inlet and outlet lines 42 and 43. In flushing deionized water, discharge lines 46 and 47 are connected to the lower ends of the filters 31 and 32 in order to discharge the lumps of slurry deposited on the respective filters 31 and 32 from the respective filters 31 and 32. Air valves 53 and 54 are installed in the discharge lines 46 and 47, respectively.

아울러, 필터(31,32)의 막힘 상태를 인식할 수 있도록, 각 필터(31,32)의 전후에 압력계(60,61,62)를 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 각 필터(31,32)의 교체 여부를 판단할 수 있도록, 제 1 탱크(20)와 펌프(80) 사이, 제 2 탱크(21)와 연마 장비 사이 각각에 슬러리의 수소이온농도를 감지하는 게이지(70,71)를 설치하는 것도 바람직하다.In addition, it is preferable to provide pressure gauges 60, 61, 62 before and after each filter 31, 32 so that the clogging state of the filters 31, 32 can be recognized. In addition, the hydrogen ion concentration of the slurry is sensed between each of the first tank 20 and the pump 80, and between the second tank 21 and the polishing equipment so as to determine whether the filters 31 and 32 are replaced. It is also preferable to provide gauges 70 and 71.

이하, 상기와 같이 구성된 본 실시예의 동작을 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of this embodiment configured as described above will be described in detail.

메인 라인(40)의 각 밸브(55,56)는 개방되고, 탈이온수 인입 및 인출 라인(42,43)의 각 밸브(57,58)는 폐쇄된 상태에서, 제 1 탱크(20)의 슬러리는 펌프(80)에 의해 제 1 및 제 2 필터(31,32)를 거치면서 0.35㎛ 이상 크기의 입자는 여과된다. 큰 입자가 여과된 슬러리는 제 2 탱크(21)를 거쳐서 연마 장비로 공급된다.Each of the valves 55, 56 of the main line 40 is open, and each of the valves 57, 58 of the deionized water inlet and outlet lines 42, 43 is closed and the slurry of the first tank 20 is closed. The particles having a size of 0.35 μm or more are filtered while passing through the first and second filters 31 and 32 by the pump 80. The slurry in which the large particles are filtered is supplied to the polishing equipment via the second tank 21.

이러한 동작 중에, 각 압력계(60,61,62)에서 측정된 압력 차이로 필터(31,32)가 막혀 있는지를 인식할 수가 있게 된다.During this operation, it is possible to recognize whether the filters 31 and 32 are clogged by the pressure difference measured by each of the pressure gauges 60, 61 and 62.

한편, 각 필터(31,32)가 막혀서 펌프(80)에서 필터(31,32)측으로 제공되는 압력이 규정 이상이 되면, 바이패스 라인(41)의 릴리프 밸브(50)가 개방되어, 일정 이상의 압력은 바이패스 라인(41)을 통해 제 1 탱크(20)로 유입된다. 따라서, 펌프(80)에 과도한 부하가 인가되어 고장나는 사태가 사전에 방지된다. 또한,필터(31,32)가 막혀서 그 내부의 압력이 규정 이상이 되면, 에어 벤트 라인(44,45)의 릴리프 밸브(51,52)가 개방되어, 일정 이상의 압력이 각 에어 벤트 라인(44,45)을 통해 배기된다.On the other hand, when each of the filters 31 and 32 is blocked and the pressure provided from the pump 80 to the filters 31 and 32 becomes higher than the prescribed value, the relief valve 50 of the bypass line 41 is opened, and the predetermined pressure or more is increased. Pressure enters the first tank 20 through the bypass line 41. Therefore, a situation in which an excessive load is applied to the pump 80 and malfunctions is prevented in advance. When the filters 31 and 32 are clogged and the pressure therein becomes above the prescribed value, the relief valves 51 and 52 of the air vent lines 44 and 45 are opened, so that a predetermined or more pressure is applied to each air vent line 44. Through 45).

압력계(60,61,62)에 의해 막혀 있다고 인식된 필터(31,32)를 뚫기 위해서, 메인 라인(40)의 각 밸브(55,56)를 폐쇄시키고, 탈이온수 인입 및 인출 라인(42,43)의 각 밸브(57,58)를 반대로 개방시킨 다음, 인입 라인(42)을 통해 탈이온수를 각 필터(31,32)로 플러싱시킨다. 플러싱된 탈이온수는 필터(31,32)를 뚫은 다음, 인출 라인(43)을 통해 배출된다. 한편, 필터(31,32)를 막고 있는 슬러리 덩어리는 에어 밸브(53,54)에 의해 개방된 배출 라인(46,47)을 통해 필터(31,32)에서 배출된다.In order to drill through the filters 31 and 32 which are recognized as clogged by the pressure gauges 60, 61 and 62, the respective valves 55 and 56 of the main line 40 are closed and the deionized water inlet and outlet lines 42, Each valve 57, 58 of 43 is opened in reverse, and then deionized water is flushed into each filter 31, 32 via an inlet line 42. The flushed deionized water is passed through the filters 31 and 32 and then discharged through the withdrawal line 43. On the other hand, the slurry lumps blocking the filters 31 and 32 are discharged from the filters 31 and 32 through the discharge lines 46 and 47 opened by the air valves 53 and 54.

상기된 바와 같이 본 발명에 의하면, 연마 장비 외부에서 슬러리의 여과 동작이 실시되므로써, 필터의 수명이 단축되지 않으면서 슬러리 덩어리 여과가 가능하게 되어, 스크래치 발생을 억제시킬 수가 있게 된다.As described above, according to the present invention, the slurry filtration operation is performed outside the polishing equipment, so that slurry lump filtration can be performed without shortening the life of the filter, and scratch generation can be suppressed.

한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the invention claimed in the claims. will be.

Claims (2)

슬러리가 저장된 제 1 탱크; 상기 제 1 탱크와 연마 장비 사이에 배치된 제 2 탱크; 상기 제 1 및 제 2 탱크 사이에 배치되어 일정 크기 이상의 슬러리를 여과시키는 최소한 하나 이상으로서, 큰 크기의 슬러리부터 제거하도록 기공 크기가 점차적으로 줄어드는 순서대로 배치된 필터; 및 상기 필터와 제 1 탱크 사이에 배치되어, 상기 제 1 탱크의 슬러리를 각 필터를 거쳐 제 2 탱크로 강제압송시키는 모터를 구비한 화학기계적 연마 공정용 슬러리 공급 장치에 있어서,A first tank in which the slurry is stored; A second tank disposed between the first tank and the polishing equipment; At least one filter disposed between the first and second tanks to filter a slurry of a predetermined size or more, the filter being disposed in an order of decreasing pore size so as to remove from a larger size slurry; And a motor disposed between the filter and the first tank, the motor for forcing the slurry of the first tank through each filter to the second tank. 상기 필터와 제 2 탱크 사이에 연결되어, 상기 각 필터가 슬러리에 의해 막힌 것을 탈이온수의 플러싱에 의해 뚫기 위한 탈수이온 인입 라인과,A dehydration ion inlet line connected between the filter and the second tank for piercing each filter blocked by slurry by flushing with deionized water; 상기 펌프와 필터 사이에 연결된 탈이온수 인출 라인과,A deionized water extraction line connected between the pump and the filter, 상기 배출 라인에 설치되며, 플러싱된 상기 탈이온수에 의해 각 필터의 저면으로 떨어진 슬러리 덩어리 배출을 위한 에어 밸브와,An air valve installed in the discharge line and configured to discharge slurry agglomerates dropped to the bottom of each filter by the flushed deionized water, 상기 펌프와 필터 사이 및 필터와 제 2 탱크 사이에 각각 설치되어, 상기 탈이온수가 펌프와 제 2 탱크로 유입되지 않도록 이를 제어하기 위한 제 1밸브와,A first valve installed between the pump and the filter and between the filter and the second tank, for controlling the deionized water so as not to flow into the pump and the second tank; 상기 인입라인 및 인출라인에 각각 설치되어, 상기 슬러리가 인입 및 인출라인측으로 유입되지 않도록 이를 제어하기 위한 제 2밸브와,A second valve installed at each of the inlet line and the outlet line to control the slurry so that the slurry does not flow into the inlet and outlet line; 상기 각 필터의 전후에 배치되어, 상기 필터의 막힘 상태를 각 필터간의 압력 차이로 인식하도록 하기 위한 수 개의 압력계를 포함한 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 공정용 슬러리 공급 장치.And a pressure gauge arranged before and after each filter to recognize a clogging state of the filter as a pressure difference between the filters. 제 1 항에 있어서, 상기 펌프와 제 1 탱크 사이는 바이패스 라인으로도 연결되고, 상기 바이패스 라인에 일정 이상의 압력에 의해서만 개방되는 릴리프 밸브가 설치되며,According to claim 1, The pump and the first tank is also connected to the bypass line, the bypass line is provided with a relief valve which is opened only by a predetermined pressure or more, 상기 각 필터 상단에 에어 벤트 라인이 연결되고, 상기 각 에어 벤트 라인에 일정 이상의 압력에 의해서만 개방되는 릴리프 밸브가 설치된 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 공정용 슬러리 공급 장치.An air vent line is connected to an upper end of each filter, and a relief valve is installed in each air vent line to be opened only by a predetermined pressure or more.
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