KR100429197B1 - structure of gate tip in fabrication of semiconductor package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체패키지 제조 공정용 게이트 팁 구조에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 S-CSP등에 적용되는 와이드 골드 게이트에 맞추어 설계된 게이트 팁의 구조를 개선하여 몰딩콤파운드의 유동특성을 향상시킴과 더불어 게이트 주변의 플래시(flash) 발생을 방지할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a gate tip structure for a semiconductor package manufacturing process, and more particularly, to improve the flow characteristics of the molding compound by improving the structure of the gate tip designed for a wide gold gate applied to S-CSP, etc. It is to prevent the occurrence of flash.
이를 위해, 본 발명은 패키지 제조용 회로기판(1)의 와이드 골드 게이트(100)상에 위치하게 되는 몰딩 공정용 몰드다이의 게이트 팁(2)에 있어서; 상기 게이트 팁(2)은, 좌우 양측벽(200)과, 상기 좌우 양측벽(200) 중앙의 지지벽(210)에 의해 2개의 몰딩콤파운드 유입구를 갖는 구조를 띠게 되어 몰딩콤파운드 유입구의 유로면적이 확대되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체패키지 제조를 위한 게이트 팁 구조가 제공된다.To this end, the present invention relates to a gate tip (2) of a mold die for a molding process, which is located on a wide gold gate (100) of a circuit board (1) for manufacturing a package; The gate tip 2 has a structure having two molding compound inlets by the left and right both side walls 200 and the support wall 210 in the center of the left and right both side walls 200, so that the flow path area of the molding compound inlet is A gate tip structure is provided for fabricating a semiconductor package, characterized in that it is enlarged.
Description
본 발명은 반도체패키지 제조 공정용 게이트 팁 구조에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 적층형 칩 스케일 패키지(Stack-Chip Scale Package ;이하, "S-CSP"라고 한다)등에 적용되는 와이드 골드 게이트에 맞추어 설계된 게이트 팁의 구조를 개선하여 몰딩콤파운드의 유동특성을 향상시킴과 더불어 게이트 주변의 플래시(flash) 발생을 방지할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a gate tip structure for a semiconductor package manufacturing process, and more particularly, a gate designed for a wide gold gate applied to a stacked chip scale package (hereinafter, referred to as "S-CSP"). The tip structure is improved to improve the flow characteristics of the molding compound and to prevent flash around the gate.
일반적으로, S-CSP나 CABGA 또는 CVBGA 제조용 회로기판(1)상에 형성되는 게이트는 다른 BGA 계열 패키지 제조용 회로기판(1)의 게이트에 비해 그 영역(즉, 폭을 말함)이 상당히 넓을 뿐만 아니라 게이트의 전(全)영역에 걸쳐 골드(Au)가 도금되며, 이에 따라 와이드 골드 게이트(100)라 칭한다.In general, the gate formed on the S-CSP or CABGA or CVBGA fabrication circuit board 1 is not only considerably wider in its area (i.e., its width) than the gates of other BGA series package fabrication circuit boards 1; Gold (Au) is plated over the entire area of the gate, and thus is referred to as a wide gold gate 100.
이 때, 상기 와이드 게이트 영역에 골드를 도금하는 이유는 몰딩 완료 후, 잔류물인 컬(300)(cull)의 제거가 용이하도록 하기 위함이다.At this time, the reason for plating the gold on the wide gate region is to facilitate the removal of the curl 300 (cull), which remains after the molding is completed.
한편, 상기 와이드 골드 게이트(100)상에 위치하게 되는 종래의 S-CSP 제조용 몰드다이의 게이트 팁(2)은 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 3개의 몰딩콤파운드 유입구를 갖는 구조로 되어 있다.On the other hand, the gate tip 2 of the conventional mold die for manufacturing S-CSP located on the wide gold gate 100 has a structure having three molding compound inlets as shown in Figs. .
즉, 종래의 게이트 팁(2)은 좌우 양측벽(200)과 그 사이의 2군데지지벽(210)에 의해 3개의 몰딩콤파운드 유입구를 갖는 구조를 띠게 되며, 좌우 양측벽(200)은 와이드 골드 게이트(100) 영역 외측의 회로기판(1) 상면에 접하게 되고, 상기 좌우 양측벽(200) 사이의 지지벽(210)은 와이드 골드 게이트(100)에 접하게 된다.That is, the conventional gate tip 2 has a structure having three molding compound inlets by the left and right both side walls 200 and two support walls 210 therebetween, and the left and right both side walls 200 are wide gold. The upper surface of the circuit board 1 outside the gate 100 region is in contact with each other, and the support wall 210 between the left and right side walls 200 is in contact with the wide gold gate 100.
따라서, 지지벽(210)에 접하는 와이드 골드 게이트(100) 영역으로는 몰딩콤파운드가 흐르지 않으므로, 상기 와이드 골드 게이트(100)의 지지벽(210)에 접했던 영역에는 도 3에 도시한 바와 같이, 몰딩 완료 후에 컬(300)이 잔류하지 않게 된다.Therefore, since the molding compound does not flow in the region of the wide gold gate 100 that is in contact with the support wall 210, molding is formed in the region that is in contact with the support wall 210 of the wide gold gate 100. The curl 300 will not remain after completion.
그러나, 이와 같은 종래에는 좌우 양측벽(200) 사이에 구비된 2개의 지지벽(210)에 의해 유입구가 3개로 분리됨에 따라 게이트 팁(2)을 통한 실제 유로 면적이 좁아지므로 인해 몰딩콤파운드의 유동특성이 나빠지는 문제점이 있었다.However, in the related art, as the inlet is separated into two by the two support walls 210 provided between the left and right side walls 200, the actual flow path area through the gate tip 2 is narrowed, so that the molding compound flows. There was a problem that the characteristics deteriorate.
즉, 캐비티 내로의 몰딩콤파운드의 유입 압력이 높아져 와이어 휩쓸림(wire sweeping)등이 발생하게 되고, 몰딩콤파운드가 게이트 팁(2)의 양측벽(200)과 회로기판(1)과의 접촉면을 통해 빠져 나와 플래시(flash)를 발생시키는 등 많은 문제점이 있었다.That is, the inflow pressure of the molding compound into the cavity is increased to cause wire sweeping, and the molding compound is formed through the contact surface between the side walls 200 of the gate tip 2 and the circuit board 1. There have been many problems such as exiting and generating flash.
본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 몰딩 공정 진행시 몰딩콤파운드의 유동특성을 향상시킴과 더불어 게이트 주변의 플래시 발생을 방지할 수 있도록 한 반도체패키지 제조를 위한 게이트 팁 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, to provide a gate tip structure for manufacturing a semiconductor package to improve the flow characteristics of the molding compound during the molding process and to prevent the occurrence of flash around the gate. There is a purpose.
도 1은 종래의 S-CSP 제조용 게이트 팁 구조를 나타낸 것으로서, 피시비와의 접촉전 상태를 나타낸 종단면도1 is a view illustrating a conventional gate tip structure for S-CSP manufacturing, and a longitudinal cross-sectional view showing a state before contact with a PCB.
도 2는 도 1의 접촉후 상태를 나타낸 종단면도Figure 2 is a longitudinal cross-sectional view showing a state after contact of FIG.
도 3은 종래 기술에 따른 몰딩 완료 후의 피시비 상태를 나타낸 것으로서, 컬(CULL)을 제거하기 전의 상태를 나타낸 평면도3 is a plan view showing the state of the PCB after the molding is completed according to the prior art, before removing the curl (CULL)
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ선을 따른 종단면도4 is a longitudinal cross-sectional view taken along the line I-I of FIG.
도 5는 본 발명에 따른 S-CSP 제조용 게이트 팁 구조를 나타낸 것으로서, 피시비와의 접촉전 상태를 나타낸 종단면도5 is a longitudinal sectional view showing a gate tip structure for manufacturing an S-CSP according to the present invention, and a state before contact with a PCB.
도 6은 도 5의 접촉후 상태를 나타낸 종단면도Figure 6 is a longitudinal cross-sectional view showing a state after contact of FIG.
도 7은 본 발명 기술에 따른 몰딩 완료 후의 피시비 상태를 나타낸 것으로서, 컬을 제거하기 전의 상태를 나타낸 평면도7 is a plan view showing the state of the PCB after the completion of the molding according to the present invention, before removing the curl
도 8은 도 7의 Ⅱ-Ⅱ선을 따른 종단면도8 is a longitudinal cross-sectional view taken along the line II-II of FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1:회로기판 100:와이드 골드 게이트1: Circuit board 100: Wide gold gate
2:게이트 팁 200:좌우 양측벽2: gate tip 200: left and right side walls
210:지지벽 220:가압돌기210: support wall 220: pressure projection
3:몰드바디 300:컬3: molded body 300: curl
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 패키지 제조용 회로기판의 와이드 골드 게이트상에 위치하게 되는 몰딩 공정용 몰드다이의 게이트 팁에 있어서; 상기 게이트 팁은, 좌우 양측벽과, 상기 좌우 양측벽 중앙의 지지벽에 의해 2개의 몰딩콤파운드 유입구를 갖는 구조를 띠게 되어, 몰딩콤파운드 유입구의 유로면적이 확대되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체패키지 제조를 위한 게이트 팁 구조가 제공된다.In order to achieve the above object, the present invention is directed to a gate tip of a mold die for a molding process, which is located on a wide gold gate of a circuit board for package manufacture; The gate tip has a structure having two molding compound inlets by the left and right side walls and a support wall at the center of the left and right side walls, so that the flow path area of the molding compound inlet is enlarged. A gate tip structure for this is provided.
이하, 본 발명의 일실시예를 첨부도면 도 5 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 8.
도 5는 본 발명에 따른 S-CSP 제조용 게이트 팁(2) 구조를 나타낸 것으로서, 피시비와의 접촉전 상태를 나타낸 종단면도이고, 도 6은 도 5의 접촉후 상태를 나타낸 종단면도로서, 본 발명은 패키지 제조용 회로기판(1)의 와이드 골드 게이트(100)상에 위치하게 되는 몰딩 공정용 몰드다이의 게이트 팁(2)에 있어서; 상기 게이트 팁(2)은, 좌우 양측벽(200)과, 상기 좌우 양측벽(200) 중앙의 지지벽(210)에 의해 2개의 몰딩콤파운드 유입구를 갖는 구조를 띠게 되어 몰딩콤파운드 유입구의 유로면적이 확대되도록 구성한 것이다.FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a structure of a gate tip 2 for manufacturing an S-CSP according to the present invention, showing a state before contact with a PCB, and FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a state after contact with FIG. At the gate tip 2 of the mold die for a molding process, which is located on the wide gold gate 100 of the circuit board 1 for package manufacture; The gate tip 2 has a structure having two molding compound inlets by the left and right both side walls 200 and the support wall 210 in the center of the left and right both side walls 200, so that the flow path area of the molding compound inlet is It is configured to be enlarged.
이 때, 상기 지지벽(210)은 수평방향에 있어서는 몰딩콤파운드의 유동방향을 따라 회로기판(1) 상면의 몰드바디(3) 측으로 가까워질수록 그 폭이 좁아지는 구조를 이루는 한편, 수직방향에 있어서는 와이드 골드 게이트(100) 표면에서 멀어질수록 그 폭이 넓어지는 상광하협형(上廣下狹) 구조를 이루게 된다.At this time, the support wall 210 forms a structure in which the width thereof becomes narrower as the support wall 210 is closer to the mold body 3 on the upper surface of the circuit board 1 in the horizontal direction along the flow direction of the molding compound. In the case of the wide gold gate 100, the wider the narrower the structure is to form a wider (上 廣 下 狹) structure.
한편, 상기 게이트 팁(2)의 좌우 양측벽(200) 상면에는, 상기 좌우 양측벽(200)이 회로기판(1)의 와이드 골드 게이트(100) 외측 영역에 접촉시, 상호간의 접촉압력을 높여 상기 게이트 영역 주변에 플래시가 발생되는 현상을 방지하기 위한 가압돌기(220)가 형성된다.On the other hand, when the left and right both side walls 200 are in contact with the outer region of the wide gold gate 100 of the circuit board 1, the contact pressure between the left and right both side walls 200 of the gate tip 2 is increased. A pressing protrusion 220 is formed around the gate area to prevent a flash from being generated.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용은 다음과 같다.The operation of the present invention configured as described above is as follows.
본 발명은 와이드 골드 게이트(100)를 갖는 회로기판(1)을 사용하여 S-CSP등의 패키지 제조를 위한 몰딩 공정 진행시, 게이트 팁(2)을 구성하는 좌우 양측벽(200) 사이에 하나의 지지벽(210)만이 위치하게 되므로 몰딩콤파운드가 유입되는 유입구의 유로 면적이 실제적으로 확장된다.According to the present invention, one of the left and right side walls 200 constituting the gate tip 2 is used during a molding process for manufacturing a package such as S-CSP using the circuit board 1 having the wide gold gate 100. Since only the support wall 210 is located, the flow path area of the inlet through which the molding compound flows is actually expanded.
한편, 상기 지지벽(210)은 수평방향에 있어서는 그 폭이 몰딩콤파운드의 유입방향을 따라 점점 그 폭이 좁아지는 형태여서 상대적으로 유로 면적은 유입방향을 따라 점점 확장된다.Meanwhile, in the horizontal direction, the width of the support wall 210 gradually decreases along the inflow direction of the molding compound, so that the flow path area gradually expands along the inflow direction.
또한, 이와 더불어 상기 지지벽(210)은 수직방향에 있어서는 와이드 골드 게이트(100) 표면을 기준으로 상부로 갈수록 그 폭이 점점 넓어지는 형태여서 상대적으로 유로의 폭은 와이드 골드 게이트(100) 표면에 가까울수록 넓어지게 된다.In addition, the support wall 210 has a shape in which the width of the support wall 210 gradually increases toward the upper side with respect to the surface of the wide gold gate 100 in the vertical direction, so that the width of the flow path is relatively on the surface of the wide gold gate 100. The closer it is, the wider it is.
이에 따라, 본 발명은 와이드 골드 게이트(100)가 적용되는 S-CSP등의 패키지 제조시, 좌우 양측벽(200) 사이에 지지벽(210)이 2개 구비되어 있던 종래의 게이트 팁(2)에 비해 몰딩콤파운드가 유입되는 유로 면적이 확장되고, 몰딩콤파운드의 유동특성을 고려하여 그 유로 형태가 형성되므로 인해, 캐비티 내로의 몰딩콤파운드의 유입 압력이 감소되어 와이어 휩쓸림등의 종래 문제점이 해소된다.Accordingly, in the present invention, when manufacturing a package such as S-CSP to which the wide gold gate 100 is applied, the conventional gate tip 2 having two support walls 210 between the left and right side walls 200 is provided. Compared to the above, since the flow path area of the molding compound is expanded and the flow path shape is formed in consideration of the flow characteristics of the molding compound, the inflow pressure of the molding compound into the cavity is reduced to solve the conventional problems such as wire sway. .
한편, 본 발명의 게이트 팁(2)에 있어서의 중앙 지지벽(210)의 구조는 도 7 및 도 8의 컬(300) 형태를 통해서도 쉽게 확인할 수 있다.On the other hand, the structure of the central support wall 210 in the gate tip 2 of the present invention can be easily confirmed through the form of the curl 300 of FIGS.
즉, 도 7은 본 발명의 게이트 팁(2)이 적용된 상태에서 몰딩 공정이 완료된 후, 게이트 팁(2)을 제거한 상태로서, "A"부에 도시된 빈 공간은 게이트 팁(2)의 지지벽(210)이 위치하고 있다가 빠져나감에 따라 나타난 공간으로서, 게이트 팁(2)의 지지벽(210) 형태를 반영하고 있다.That is, FIG. 7 is a state in which the gate tip 2 is removed after the molding process is completed in the state in which the gate tip 2 of the present invention is applied, and the empty space shown in part “A” is supported by the gate tip 2. The space shown as the wall 210 is located and exits, reflecting the shape of the support wall 210 of the gate tip 2.
또한, 도 8은 도 7의 Ⅱ-Ⅱ선을 따른 종단면도로서, 게이트 팁(2)의 지지벽(210) 구조가 와이드 골드 게이트(100) 표면에 접하는 쪽이 좁고 위로 갈수록 넓어지는 상광하협형 구조임을 도 8을 통해 쉽게 확인할 수 있다.8 is a longitudinal cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 7, in which the support wall 210 structure of the gate tip 2 is in contact with the surface of the wide gold gate 100 and is narrower and wider toward the top. It can be easily confirmed through the structure shown in FIG.
한편, 본 발명은 상기 게이트 팁(2)의 좌우 양측벽(200) 상면에 가압돌기(220)가 형성되어 있으므로 인해, 상기 게이트 팁(2)의 좌우 양측벽(200)이 회로기판(1)의 와이드 골드 게이트(100) 외측 영역에 접촉시, 상기 가압돌기(220)에 의해 게이트 팁(2)의 좌우 양측벽(200)과 회로기판(1) 상호간의 접촉압력이 높아지게 된다.On the other hand, in the present invention, since the pressing protrusion 220 is formed on the upper and left side walls 200 of the gate tip 2, the left and right both side walls 200 of the gate tip 2 is the circuit board (1) In contact with the outer region of the wide gold gate 100, the pressure protrusion 220 increases the contact pressure between the left and right side walls 200 of the gate tip 2 and the circuit board 1.
이에 따라, 본 발명은 상기 게이트 팁(2)의 좌우 양측벽(200)과 회로기판(1) 사이의 틈새로 몰딩콤파운드가 빠져 나와 게이트 영역 주변에 플래시를 발생시키던 종래와는 달리, 게이트 영역 주변으로 몰딩콤파운드가 빠져 나오는 현상이 효과적으로 방지되므로써 플래시 발생 현상이 해소된다.Accordingly, the present invention is different from the conventional method in which the molding compound exits the gap between the left and right side walls 200 of the gate tip 2 and the circuit board 1 to generate a flash around the gate area. This effectively eliminates the molding compound, thereby eliminating the flash phenomenon.
이상에서와 같이, 본 발명은 반도체패키지 제조 공정용 게이트 팁의 구조를개선한 것이다.As described above, the present invention improves the structure of the gate tip for the semiconductor package manufacturing process.
즉, 본 발명은 S-CSP등에 적용되는 와이드 골드 게이트에 맞추어 설계된 게이트 팁의 구조를 개선하여 몰딩콤파운드의 유동특성을 향상시킴과 더불어 게이트 주변의 플래시 발생을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.That is, the present invention improves the flow characteristics of the molding compound by improving the structure of the gate tip designed for the wide gold gate applied to the S-CSP and the like, and effectively prevents flash generation around the gate.
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- 2001-02-28 KR KR10-2001-0010329A patent/KR100429197B1/en active IP Right Grant
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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