KR100417039B1 - A rubber band logic circuit for evaluating a logic input in response to a reference output and an evaluation method therefor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제 1 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 1 클록과 연결하기 위한 제 1 클록 터미날과 제 2 주파수 종속지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 2 클록과 연결하기 위한 제 2 클록 터미날을 포함하는 기준클록에 대응하는 논리입력을 평가하는 회로에 관계한다. 본 회로는 제 1 클록 터미날과 제 2 클록 터미날에 연결되는 펄스발생회로를 포함하는 첫 번째 회로단계를 더욱 포함한다. 한 구체예에서 첫 번째 회로단계는 출력터미날, 출력터미날에 연결되는 평가장치 및 펄스발생회로 및 출력터미날에 연결되는 사전충전장치, 제 3 클록터미날, 및 제 1 논리레벨, 제 3 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 3 클록을 더욱 포함한다.The present invention provides a method of controlling a clock terminal for connecting a first clock terminal for connection with a first clock delayed from a reference clock by a first frequency dependent delay period and a second clock terminal for connecting a second clock delayed from a reference clock by a second frequency dependent delay period Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > The circuit further includes a first circuit stage including a pulse generating circuit coupled to the first clock terminal and the second clock terminal. In one embodiment, the first circuit stage comprises an output terminal, an evaluation device coupled to the output terminal, and a precharge device coupled to the pulse generation circuit and the output terminal, a third clock terminal, and a first logic level, a third frequency dependent delay period And a third clock delayed from the reference clock.

Description

기준출력에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로 및 그 평가방법A rubber band logic circuit for evaluating a logic input in response to a reference output and an evaluation method therefor

본 발명은 CMOS 회로의 개선방법 및 장치에 관계한다. 더욱 특별히 본 발명은 출력노드를 이득이 되게 사전충전하고 사전 충전을 사용하여 논리입력을 평가하고 주파수 종속방식으로 서로간에 지연된 펄스를 평가하는 새로운 형태의 CMOS 회로에 관계한다.The present invention relates to a method and apparatus for improving CMOS circuits. More particularly, the present invention relates to a new type of CMOS circuit that advantageously precharges output nodes and evaluates logic inputs using pre-charge and evaluates delayed pulses between each other in a frequency dependent manner.

CMOS 동적 논리회로에서 출력노드는 대체로 회로의 사전충전 싸이클동안 사전충전 클록을 사용하여 사전충전된다. 사전충전후 논리회로로의 논리입력이 회로의 평가 싸이클동안 평가클록을 사용하여 평가된다. 상기 사전충전 및 평가업무를 수행하기 위해서 CMOS 동적논리회로는 대체로 두개의 분리된 지연클록을 사용하여 회로단계를 사전충전하고 평가한다. 동적 논리회로에서 평가 및 사전충전클록은 고정된 지연클록신호로 고려 된다. 왜냐하면 이들은 고정된 지연기간만큼 서로 지연되기 때문이다.In a CMOS dynamic logic circuit, the output node is pre-charged using a pre-charge clock during the pre-charge cycle of the circuit. Logic input to the logic circuit after pre-charging is evaluated using the evaluation clock during the evaluation cycle of the circuit. To perform the precharge and evaluation tasks, the CMOS dynamic logic circuit generally pre-charges and evaluates the circuit steps using two separate delayed clocks. In dynamic logic circuits, the evaluation and pre-charge clocks are considered as fixed delayed clock signals. Because they are delayed from each other by a fixed delay period.

크로바상태, 즉 논리평가 오류 및 소모전력 증대를 일으킬 수 있는 논리회로를 통한 Vdd와 Vss간의 바람직하지 않은 방전경로의 존재를 피하기 위해서 동적 논리 회로가 평가 싸이클에 앞서 사전 충전 싸이클을 종료하는 것이 중요하다. 다시 말하자면, 평가 및 사전충전클록이 서로에 대해서 타이밍이 맞아서 사전충전 및 평가가 시작될 시간간에 적절한 안전마진(margin)이 있게 하는 것이 중요하다.In order to avoid the presence of an undesired discharge path between V dd and V ss through a logic circuit that can cause a crowbar condition, that is, a logic evaluation error and an increase in power consumption, the dynamic logic circuit terminates the pre-charge cycle prior to the evaluation cycle It is important. In other words, it is important that the evaluation and pre-charge clocks are timed relative to each other so that there is an adequate safety margin between the time pre-charging and evaluation are to begin.

일반적으로 동적 논리회로를 사전충전하고 평가하기 위해 정해진 지연기간만큼 서로 분리된 2개의 클록의 사용은 만약 지연기간이 설계중에 정확히 결정되면 만족스럽다. 주어진 설계에 대해 적절한 지연을 결정하기 위해서 회로설계자는 대체로 주어진 운영클록 속도에 대해서 다른 회로의 매개변수에 비추어서 정해진 지연값을 대략 계산해야 한다. 이후에 논리회로는 다른 지연값을 사용하여 수차례 시뮬레이션된다. 한 주어진 운영속도에 대하여 최적의 정해진 지연시간 값은 회로의 사전충전과 평가싸이클간에 필요한 안전마진을 최소화하면서 올바른 평가 결과를 산출하는 것이다. 올바른 지연기간이 결정되면 인버터, 래치등의 고정된 지연요소가 조립되어서 그 운영주파수에 대해 적절한 사전충전과 평가클록을 발생한다.In general, the use of two clocks separated from each other by a predetermined delay period to precharge and evaluate the dynamic logic circuit is satisfactory if the delay period is accurately determined during design. In order to determine the appropriate delay for a given design, the circuit designer must roughly calculate the delay value determined in light of the parameters of the other circuit for a given operating clock speed. The logic circuit is then simulated several times using different delay values. The optimal settled delay time value for a given operating speed is to produce the correct evaluation results while minimizing the safety margin required between the circuit's pre-charge and evaluation cycles. Once the correct delay period is determined, a fixed delay element, such as an inverter, latch, or the like, is assembled to generate an appropriate precharge and evaluation clock for its operating frequency.

그러나, 평가 및 사전충전을 제어하기 위해 다중 고정 지연클록의 사용은 많은 결함이 있다. 우선 부당한 수행반칙을 범하지 않고 올바른 평가를 보장하기 위해서 클록들간의 안전 마진값과 최적의 고정된 지연값의 결정은 종종 시간이 걸리는 과정이다. 게다가 이들 고정된 지연기간은 물리적 회로요소를 통해 구현될지라도 부당한 설계노력없이 어떠한 상태하에서도 회로의 운영속도에서 변화를 수용하거나 수행을 최적화하기 위해서 쉽게 변화될 수 없다.However, the use of multiple fixed delay clocks to control evaluation and precharge has many drawbacks. First, the determination of the safety margin between clocks and the optimal fixed delay value is often a time-consuming process in order to ensure correct evaluation without violating unfair performance practices. Moreover, these fixed delay periods can not be easily varied to accommodate changes in the operating speed of the circuit under any circumstances or to optimize performance, even if implemented through physical circuit elements, without undue design effort.

설계기술의 향상이나 시스템 필요사항에서의 변화에 의해서 동적 논리회로가 고정된 지연기간이 계산된 운영주파수 이외의 다른 클록 주파수로 운영될 필요가 있는 경우에 고정된 지연값이 다시 결정되어서 사전충전 및 평가클록이 서로에 대해 타이밍이 맞고 회로의 사전충전과 평가 싸이클간에 여전히 적절한 안전마진이존재하도록 해야한다. 만약 적절한 수행을 위해서 지연값이 변경되어야 한다면 새로운 지연기간이 계산되고 회로가 재 시뮬레이션되고 논리회로의 기능 자체는 변경되지 않을지라도 적절한 고정된 지연클록을 발생시키도록 새로운 요소가 논리회에 물리적으로 조립되어야 한다. 다시 말하면 고정된 지연이 사전충전 및 평가클록을 발생시키는데 사용된다면 논리회로 동작속도가 변경되기만 해도 회로 설계자는 다시 한번 최적의 지연값을 계산하고 논리회로의 일부를 물리적으로 변경해야 한다는 것이다.Due to improvements in design techniques or changes in system requirements, if the dynamic logic circuit needs to operate at a clock frequency other than the calculated operating frequency, a fixed delay value is determined again, Make sure that the evaluation clocks are timed with respect to each other and that there is still an adequate safety margin between the circuit's pre-charge and evaluation cycles. If a delay value needs to be changed for proper performance, a new element is physically assembled into the logic circuit so that the new delay period is calculated and the circuit is re-simulated and the function of the logic circuit itself is not changed, . In other words, if a fixed delay is used to generate the precharge and evaluation clocks, the circuit designer must once again calculate the optimal delay value and physically change some of the logic circuitry, even if the logic circuit operating speed changes.

게다가 고정된 지연클록을 사용하여 시스템 클록 싸이클마다 다중 데이타 싸이클을 평가할수 있는 회로를 구현하는 것은 어렵다. 이 어려움은 고정된 지연클록의 발생 및 활용의 고유한 경직성 및 고정된 지연요소가 조직될때 고정된 지연클록이 프로세스 변경이 되는 경향의 결과로서 일어난다.In addition, it is difficult to implement a circuit that can evaluate multiple data cycles per system clock cycle using a fixed delayed clock. This difficulty arises as a result of the inherent rigidity of the generation and utilization of a fixed delay clock and the tendency of the fixed delay clock to become a process change when a fixed delay element is organized.

결과적으로 필요한 것은 사전충전이 출력노드이고 사전충전을 사용하여 논리 입력을 평가하고 주파수 종속방식으로 서로 지연된 클록을 평가하는 개선된 CMOS 동적 논리회로이다. 개선된 논리회로는 운영주파수에 무관하게 평가 싸이클의 개시에 앞서 사전충전싸이클이 종료된다.What is needed is an improved CMOS dynamic logic circuit in which precharge is an output node and evaluates the logic inputs using precharge and evaluates delayed clocks in a frequency dependent manner. The improved logic circuit ends the pre-charge cycle prior to the start of the evaluation cycle independent of the operating frequency.

사전충전 및 평가클록펄스를 발생하기 위해서 고정된 지연요소를 사용하는것 대신에 개선된 논리회로는 사전충전 및 평가클록을 발생하기 위해서 주파수 종속방식으로 서로 지연되는 다수의 클록을 활용한다. 또한 개선된 회로의 지연기간 및 마진은 운영주파수에 대해서 탄력적이므로 사전충전 싸이클은 동작주파수에 무관하게 평가 싸이클의 개시에 앞서 종료되고 개선된 논리회로는 사전충전과 평가싸이클간에 더작은 안전마진을 필요로 한다. 필요한 마진이 감소될때 개선된 회로는 더높은 동작주파수에서 작동되어 수행성이 향상된다. 또한 본 장치 및 방법은 클록싸이클 마다 다중 데이타를 더욱 효율적으로 수월하게 평가한다.Instead of using a fixed delay element to generate precharge and evaluation clock pulses, the improved logic circuit utilizes multiple clocks that are delayed from each other in a frequency dependent manner to generate precharge and evaluation clocks. Also, since the delay period and margin of the improved circuit are flexible with respect to the operating frequency, the precharge cycle is terminated prior to the start of the evaluation cycle independent of the operating frequency and the improved logic circuit requires a smaller safety margin between the precharge and evaluation cycles . When the required margin is reduced, the improved circuit operates at a higher operating frequency to improve performance. The apparatus and method also allow for more efficient and easier evaluation of multiple data per clock cycle.

본 발명은 제 1 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 1 클록과 연결하기 위한 제 1 클록 터미날과 제 2 주파수 종속지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 2 클록과 연결하기 위한 제 2 클록 터미날을 포함하는, 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 회로에 관계한다. 본 회로는 제 1 클록 터미날과 제 2 클록 터미널 모두에 연결되는 펄스발생회로를 포함하는 회로의 첫 번째 단계(first circuit stage)를 더욱 포함한다. 한 구체예에서 상기 회로의 첫 번째 단계(이하 '첫번째 회로단계'라 함)는 출력터미날, 출력터미날 및 펄스발생회로에 연결되는 평가장치 그리고 출력터미날, 제 3 클록터미날 및 제 1 논리레벨에 연결되는 사전충전장치를 포함하며, 상기 제 3 클록은 제 3 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연된다.The present invention provides a method of controlling a clock terminal for connecting a first clock terminal for connection with a first clock delayed from a reference clock by a first frequency dependent delay period and a second clock terminal for connecting a second clock delayed from a reference clock by a second frequency dependent delay period To a circuit for evaluating a logic input in response to a reference clock. The circuit further includes a first circuit stage of the circuit including a pulse generation circuit coupled to both the first clock terminal and the second clock terminal. In one embodiment, the first stage of the circuit (hereinafter referred to as the 'first circuit stage') is connected to an output terminal, an output terminal and an evaluation device coupled to the pulse generation circuit, and an output terminal, a third clock terminal, Wherein the third clock is delayed from the reference clock by a third frequency dependent delay period.

또다른 구체예에서 본 발명은 논리회로의 수행성 개선방법에 관계하며 논리회로의 사전충전노드에 사전충전펄스를 제공하는 단계를 포함한다. 본 방법은 논리회로의 데이타 입력노드에 주파수 종속지연만큼 사전충전 펄스로부터 지연되는 데이타 펄스를 제공하고 사전충전 펄스로 논리회로의 출력노드를 사전충전하는 단계를 더욱 포함한다. 본 방법은 논리회로의 평가장치를 사용하여 출력노드의 논리상태를 확실하게할 데이타 펄스로 논리회로로의 논리입력을 평가하는 단계를 포함한다.In yet another embodiment, the present invention relates to a method for improving the performance of a logic circuit and includes providing a precharge pulse to a precharge node of the logic circuit. The method further includes providing a data pulse delayed from the precharge pulse by a frequency dependent delay to the data input node of the logic circuit and precharging the output node of the logic circuit with a precharge pulse. The method includes evaluating a logic input to a logic circuit with a data pulse that will assure the logic state of the output node using an evaluation device of the logic circuit.

또다른 구체예에서 본 발명은 제 1 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연된 제 1 클록을 갖는 제 1 클록 터미널을 제공하는 단계, 제 2 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연된 제 2 클록을 갖는 제 2 클록 터미날을 제공하는 단계를 포함하는 회로로 성능을 개선하는 방법에 관계한다. 이 구체예에 있어서 본 방법은 제 1 클록너미날과 제 2 클록터미날에 펄스발생회로를 연결하고, 출력 터미날을 제공하고, 제1 단계 평가장치를 출력터미날과 펄스발생회로에 연결하고, 제 1 단계 사전충전장치를 제 3 클록 터미날과 출력터미날과 제 1 논리레벨에 연결하는 단계를 포함하는 첫 번째 회로단계를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 제 3 클록터미날은 제 3 클록을 가지며 제 3 클록은 제 3 주파수 종속지연기간만큼 기준클록으로부터 지연된다.In yet another embodiment, the invention provides a method comprising: providing a first clock terminal having a first clock delayed from a reference clock by a first frequency dependent delay period; providing a first clock terminal having a second clock delayed from the reference clock by a second frequency dependent delay period; Lt; RTI ID = 0.0 > 2 < / RTI > clock terminal. In this embodiment, the method includes connecting a pulse generation circuit to a first clock negative and a second clock terminal, providing an output terminal, connecting the first stage evaluation device to the output terminal and the pulse generation circuit, And connecting a stage pre-charging device to a third clock terminal and an output terminal and a first logic level. The third clock terminal has a third clock and the third clock is delayed from the reference clock by a third frequency dependent delay period.

또한 본 발명은 기준클록의 주파수에 반응하여 변하는 사전충전 펄스폭을 한정하는 사전충전 펄스활성화 모서리와 사전충전 펄스 탈활성화 모서리를 갖는 사전충전 펄스를 제공하는 사전충전노드를 포함하는 회로에 관계한다. 이 회로는 기준클록의 주파수에 반응하여 변하는 데이타 펄스폭을 한정하는 데이타 펄스 활성화모서리와 데이타 펄스 탈활성화 모서리를 갖는 데이타 펄스를 데이타 유효 싸이클동안 제공하는 데이타 입력 노드를 더욱 포함한다. 상기 데이타 펄스 활성화 모서리는 주파수 종속지연만큼 사전충전펄스 탈활성화 모서리로부터 지연된다. 또한 이 회로는 다수의 평가장치를 포함하며 다수의 평가장치중 제 1 평가장치는 데이타 입력노드에 연결되며 제 2 평가장치는 제 1 논리레벨, 사전충전노드와 제 1 평가장치에 연결된 출력노드 및 사전충전노드와 출력노드와 제 2 논리레벨에 연결된 사전충전 장치에 연결되며 사전충전장치는 출력노드를 사전충전펄스에 반응하는 제 2 논리레벨에 연결한다.The invention also relates to a circuit comprising a pre-charge pulse activation edge defining a pre-charge pulse width that varies in response to a frequency of a reference clock and a pre-charge node providing a pre-charge pulse having a pre-charge pulse deactivation edge. The circuit further includes a data input node that provides a data pulse active edge defining a data pulse width that varies in response to a frequency of the reference clock and a data pulse having a data pulse deactivation edge during a data valid cycle. The data pulse activation edge is delayed from the precharge pulse deactivation edge by a frequency dependent delay. The circuit also includes a plurality of evaluation devices, wherein the first evaluation device of the plurality of evaluation devices is coupled to a data input node and the second evaluation device comprises a first logic level, an output node coupled to the precharge node and the first evaluation device, Connected to a precharge device coupled to the precharge node and the output node and to a second logic level, the precharge device coupling the output node to a second logic level responsive to the precharge pulse.

본 발명인에 의해 1995년 3월 1일자 출원된 SN 08/397,419 와 특허출원 "Wave Propagation Logic" (Attorney Docket No. P688/SUN1P016)에서 개선된 동적논리회로가 발표되며 상세히 기술된다. 상기 파동전파 논리회로에서 출력노드는 대체로 회로의 사전충전 싸이클동안 사전충전 펄스에 의해 사전충전된다. 사전충전후 논리회로로의 논리입력이 회로의 평가 싸이클동안 평가펄스에 의해 평가된다. 본 특허출원에서 사전충전 및 노드평가를 위해 다중 주파수종속(러버밴드) 클록을 사용한 개선된 동적 논리회로가 발표된다.An improved dynamic logic circuit is disclosed and described in detail in SN 08 / 397,419 filed on March 1, 1995 by the present inventor and in the patent application "Wave Propagation Logic" (Attorney Docket No. P688 / SUN1P016). In the wave propagation logic circuit, the output node is pre-charged by a pre-charge pulse during a pre-charge cycle of the circuit. The logic input to the logic circuit after pre-charging is evaluated by the evaluation pulse during the evaluation cycle of the circuit. In this patent application, an improved dynamic logic circuit using multiple frequency dependent (rubber band) clocks for precharge and node evaluation is disclosed.

제 1 도는 다중 러버밴드 클록을 발생하는데 사용된 회로이다. 러버밴드 클록은 주파수 및 서로에 대한 지연이 외부기준클록의 주파수에 반응하여 증감하는 클록이다. 제 1 도의 특정회로는 외부 기준클록으로부터 다중 러버밴드 클록을 발생시키는 단지 하나의 방법이며 본 발명의 사상에 벗어남이 없이 다른 변경이 가능하다.Figure 1 is a circuit used to generate multiple rubber band clocks. The rubber band clock is a clock whose frequency and delay to each other increase and decrease in response to the frequency of the external reference clock. The specific circuit of FIG. 1 is only one way to generate a multiple rubber band clock from an external reference clock and other variations are possible without departing from the spirit of the present invention.

제 1 도에 PLL 회로(201)가 있다. PLL회로(201)는 PLL 회로의 전방단부에 배치된 위상주파수탐지기(203), 충전펌프(205) 및 전압제어 오실레이터(207)를 포함한다. PLL 분야에서 잘 알려진바 대로 PLL회로(201)는 조절기, 필터등의 다른 회로 요소를 포함할수 있으나 설명을 간략화 하기 위해 제 1 도에서 생략되었다.FIG. 1 shows a PLL circuit 201. The PLL circuit 201 includes a phase frequency detector 203, a charge pump 205 and a voltage control oscillator 207 disposed at the front end of the PLL circuit. As is well known in the art of PLL, PLL circuit 201 may include other circuit elements such as regulators, filters, etc., but is omitted in FIG. 1 to simplify the description.

PLL회로(201)는 PLL 분야에서 공지인 수정회로등의 클록발생회로로부터 발생되는 외부 기준클록신호(EXTCLK, 209)를 입력으로서 수신한다. PLL회로(201)는 비록 서로에 대해 몇퍼센트 기간만큼 위상이 이동될지라도 같은 주파수인 다수의 러버밴드 클록(CLK1(212), CLK2(218), CLK3(216), CLK4(214), CLK5(213))을 출력한다. 이들의 주파수가 변할때 러버밴드 클록(CLK1(212), CLK2(218), CLK3(216), CLK4(214), 와 CLK5(213))은 서로에 대해 위상이 이동된다. 이 방식으로 이들 러버밴드 클록은 주파수 종속지연만큼 서로간에 지열된다.The PLL circuit 201 receives, as an input, an external reference clock signal (EXTCLK) 209 generated from a clock generating circuit such as a correction circuit known in the field of PLL. The PLL circuit 201 includes a plurality of rubber band clocks (CLK1 212, CLK2 218, CLK3 216, CLK4 214, CLK5 213). When these frequencies change, the rubber band clocks (CLK1 212, CLK2 218, CLK3 216, CLK4 214, and CLK5 213) are shifted in phase with respect to each other. In this way, these rubber band clocks are geothermal to each other as much as frequency dependent delays.

동작시, PLL 회로(201)의 위상 주파수 탐지기(203)는 외부기준 클록신호(EXTCLK, 209)를 수신해서 외부기준 클록신호 (EXTCLK, 209)의 위상과 주파수를 내부기준 클록신호(Vfc,211)의 주파수와 비교한다. 한 구체예에서 내부 기준클록신호(Vfc,211)가 신호(CLK1, 212)나 신호(CLK1, 212)의 완충된 버젼등의 일부 편차에 연결된다. 만약 외부 기준클록신호(EXTCLK, 209)가 내부기준 클록신호(Vfc,211) 보다 빠르다면 위상 주파수 탐지기(203)는 업(up)신호(220)를 발생하고 업신호(220)를 충전펌프(205)에 출력한다. 역으로 만약 외부기준 클록신호(EXTCLK, 209)가 내부기준 클록신호(Vfc,211) 보다 느리면 위상주파수 탐지기(203)는 다운신호(222)를 발생하여 그 다운신호(222)를 충전펌프(205)에 출력한다.The phase frequency detector 203 of the operation when, PLL circuit 201 has an external reference clock signal (EXTCLK, 209) for receiving to an external reference clock signal and the internal reference clock signal the phase and frequency of the (EXTCLK, 209) (V fc , 211). In one embodiment, the internal reference clock signal (V fc , 211) is connected to some variation, such as a signal (CLK1, 212) or a buffered version of the signal (CLK1, 212). If the external reference clock signal EXTCLK 209 is faster than the internal reference clock signal V fc 211 the phase frequency detector 203 generates an up signal 220 and supplies the up signal 220 to a charge pump (205). Conversely, if the external reference clock signal (EXTCLK) 209 is slower than the internal reference clock signal (V fc , 211), then the phase frequency detector 203 generates a down signal 222 and supplies the down signal 222 to the charge pump 205.

충전펌프(205)는 업신호(220)나 다운신호(222)를 수신하여 거기에 반응하여 제어된 전압(VCNTRL, 224)을 출력한다. 만약 충전펌프(205)가 업신호(220)를 수신하면 제어된 전압(VCNTRL, 224)은 높다. 역으로 충전펌프(205)가 다운신호(222)를 수신하면 제어된 전압(VCNTRL, 224)은 낮다. 이중신호(VCNTRL2, 252)와 함께 제어된 전압(VCNTRL, 224)은 전압제어 오실레이터(207)의 다수의 전류가 부족한 단계(228,230,232,233,234)를 제어하는데 사용된다.The charge pump 205 receives the up signal 220 or the down signal 222 and outputs a controlled voltage VCNTRL 224 in response thereto. If the charge pump 205 receives the up signal 220, the controlled voltage VCNTRL, 224 is high. Conversely, when the charge pump 205 receives the down signal 222, the controlled voltage VCNTRL, 224 is low. The voltage VCNTRL 224 controlled with the dual signals VCNTRL2 and 252 is used to control steps 228, 230, 232, 233 and 234 in which the current of the voltage control oscillator 207 is insufficient.

제 1 도에서 5개의 러버밴드 클록(CLK1-CLK5)을 발생하기 위한 5개의 전류가 부족한 단계(228,230,232,233,234)가 있다. 대체로 단계(228,230,232,233,234)등의 한단계인 전류 부족단계는 인버터를 활용하여 지연을 변조한다. 전류가 부족한 단계(228)는 클록(CLKP2, 242)의 주파수 종속 지연을 제어하고; 전류가 부족한 단계(230)는 클록(CLKP3, 246)의 주파수 종속지연을 제어하고; 전류가 부족한 단계(232)는 클록(CLKP4, 246)의 주파수 종속지연을 제어하고; 전류가 부족한 단계(233)는 클록(CLKP5, 247)의 주파수 종속지연을 제어하고; 전류가 부족한 단계(234)는 클록(CLKP1, 248)의 주파수 종속지연을 제어한다. 제 1 도는 단지 5개의 전류가 부족한 단계와 5개의 대응출력 러버밴드 클록을 보여주지만 하나이상의 전류가 부족한 단계를 첨가 또는 제거함으로써 러버밴드 클록의 수를 크게하거나 줄이는 것이 가능하다.In FIG. 1, there are five current-deficient steps 228, 230, 232, 233, 234 for generating five rubber band clocks CLK1-CLK5. Generally, the one-step current deprivation step, such as steps 228, 230, 232, 233, 234, utilizes an inverter to modulate the delay. The lack of current step 228 controls the frequency dependent delay of the clocks CLKP2, 242; The current shortage step 230 controls the frequency dependent delay of the clocks CLKP3, 246; The current shortage step 232 controls the frequency dependent delay of the clocks (CLKP4, 246); The step 233 of lacking current controls the frequency dependent delay of the clocks CLKP5, 247; The current shortage step 234 controls the frequency dependent delay of the clocks CLKP1, 248. The first figure shows only five current shortages and five corresponding output rubber band clocks, but it is possible to increase or decrease the number of rubber band clocks by adding or removing one or more current shortage steps.

제 1 도에 도시된 대로 전류가 부족한 단계(228)내에 인버터(238)와 직렬로 연결된 p-채널장치(236)과 n-채널 장치(226)가 있다. 제 1 도의 단계(228)와 같은 전류가 부족한 단계는 단계의 장치를 통해 흐르는 전류의 양에 반응하여 단계 입력 신호에 대한 단계 출력신호에서 지연시키도록 변화시킨다. 예컨대 전류가 부족한 단계(228)는 p-채널장치(236), 인버터(238) 및 n-채널장치(226)를 통해 흐르는 전류의 양에 반응하여 단계(228) 입력신호(248)에 대해서 클록 CLKP2(242)의 지연을 조정한다.There is a p-channel device 236 and an n-channel device 226 connected in series with an inverter 238 in a current-deficient step 228 as shown in FIG. The step of lacking current, such as step 228 of FIG. 1, is changed to delay in the step output signal for the step input signal in response to the amount of current flowing through the stepping device. For example, current shortage step 228 may cause clock 228 to be input to step 228 input signal 248 in response to the amount of current flowing through p-channel device 236, inverter 238, and n-channel device 226, The delay of CLKP2 242 is adjusted.

p-채널장치(236)는 제어된 전압신호 VCNTRL(224)의 이중신호인 제어된 전압 VCNTRL2(252)에 의해 제어된다. 만약 제어된 전압 VCNTRL(224)이 크다면 꽤 많은양의 전류가 부족한 단계(228)의 장치를 통해 흐른다. 결과적으로 이 단계와 관련된 버퍼(254)의 정전용량을 포함하는 전류가 부족한 단계(228)의 출력 정전용량과 다음의 전류가 부족한 단계(230)에서 인버터를 형성하는 장치의 게이트 정전용량이 빠르게 충전되어 단계 출력신호, 즉 클록(CLKP2, 242)과 단계입력신호, 즉 클록(CLKP1, 248)간에 지연을 줄여준다. 전류가 부족한 단계(228)의 출력인 클록(CLKP2, 242)은 전류가 부족한 단계(230)를 위한 입력신호로서 역할을 한다. 전류가 부족한 단계(230)는 상기 제어된 전압(VCNTRL, 224)와 (VCNTRL2, 252)에 의해 제어되어 단계(230) 출력신호의 지연을 제어하는데 이것은 클록신호(CLKP2, 242)로 도시된 단계(230) 입력신호에 대해서 제 1도에서 클록(CLKP3, 244)으로 도시된다.The p-channel device 236 is controlled by a controlled voltage VCNTRL2 (252) which is a double signal of the controlled voltage signal VCNTRL 224. [ If the controlled voltage VCNTRL 224 is large, a fairly large amount of current flows through the device in step 228 which is deficient. As a result, the output capacitance of step 228, which lacks current, including the capacitance of the buffer 254 associated with this step, and the gate current of the device forming the inverter in step 230 where the next current is insufficient, Thereby reducing the delay between the step output signal, the clock (CLKP2, 242) and the phase input signal, the clocks (CLKP1, 248). The clock CLKP2, 242, which is the output of step 228 lacking current, serves as the input signal for step 230 where current is lacking. The lack of current step 230 is controlled by the controlled voltages VCNTRL 224 and VCNTRL2 252 to control the delay of the output signal of step 230 which is shown by the clock signal CLKP2 242 (CLKP3, 244) in FIGURE 1 for the input signal 230 of FIG.

같은 방식으로 클록(CLKP3, 244)은 제어된 전압(VCNTRL(224), VCNTRL2(252))에 반응하여 단계(232)의 입력신호에 대해서 클록(CLKP4, 246)인 것으로 도시된 단계(232)의 출력신호의 지연을 조정하는 전류가 부족한 단계(232)에 대한 입력으로서 작용한다. 유사하게 클록(CLKP4, 246)은 제어된 전압(VCNTRL(224), VCNTRL2(252))에 반응하여 단계(233)의 입력신호에 대해서 클록(CCLKP5, 247)인 것으로 도시된 단계(233)의 출력신호의 지연을 조정하는 전류가 부족한 단계(233)에 대한 입력으로서 작용한다. 유사하게 클록(CLKP5, 247)은 제어된 전압(VCNTRL(224), VCNTRL2(252))에 반응하여 단계(234)의 입력신호에 대해서 제 1도에서 클록(CLKP1,248)으로 도시된 단계(234)의 출력신호 지연을 조정하는 전류가 부족한 단계(234)에 대한 입력으로 작용한다.In a similar manner, clocks CLKP3 and 244 are responsive to the controlled voltages (VCNTRL 224, VCNTRL2 252) to produce a clock 232 (CLKP4, 246) for the input signal of step 232, Lt; RTI ID = 0.0 > 232 < / RTI > Similarly, clocks (CLKP4, 246) are responsive to the controlled voltage (VCNTRL 224, VCNTRL2 252) to generate a clock (CCLKP5, 247) for the input signal of step 233 And acts as an input to step 233 of lacking current to adjust the delay of the output signal. Similarly, clocks CLKP5 and 247 are applied to the input signal of step 234 in response to the controlled voltage (VCNTRL 224, VCNTRL2 252) in steps (shown as CLKP1,248 in FIGURE 1) 0.0 > 234 < / RTI > lacking current to adjust the output signal delay of the output signal 234.

전압 제어 오실레이터(207)은 클록(CLKP1, 248)을 수신하여 주파수 종속기간만큼 그 신호를 지연시키고 지연기간은 하나이상의 러버밴드 클록을 생성하는 제어된 전압(VCNTRL(224), VCNTRL2 (252))에 달려있다. 5개의 전류가 부족한 단계를 통해서 216도(360도의 1/5 + 전류가 부족한 단계의 구현에 사용된 인버터로 인한 180도)정도 위상이 이동된 클록(242,244,246,247,248)등의 다수의 단계 출력신호가 발생된다.The voltage control oscillator 207 receives the clocks CLKP1 and 248 to delay the signal for a frequency dependent period and the delay period comprises a controlled voltage (VCNTRL 224, VCNTRL2 252) that produces one or more rubber band clocks, . A number of step output signals, such as clocks 242, 244, 246, 247, 248, shifted in phase by as much as 216 degrees (1/5 of 360 degrees, 180 degrees due to the inverter used in the implementation of the step lacking current) do.

러버밴드 클록, 즉 클록(212,213,214,216,218)이 이 분야에서 공지인 버퍼/드라이버회로에 의해 각각의 단계 출력신호, 즉 클록(242,244,246,247,248)로부터 발생된다. 러버밴드 클록(212,213,214,216,218)은 외부 기준 클록신호(209)로부터 PLL회로(201)에 의해 발생되므로 외부기준 클록신호(209)의 주파수에 따라 그들의 주파수로 변한다. 제 1 도에서 각 러버밴드 클록은 작동주파수에 관계없이 서로 216 도만큼 위상이 이동된다.The rubber band clocks, i. E. Clocks 212,213, 214,216 and 218, are generated from the respective step output signals, i. E. Clocks 242,244,246,247,248, by buffer / driver circuits known in the art. The rubber band clocks 212, 213, 214, 216, and 218 are generated by the PLL circuit 201 from the external reference clock signal 209 and therefore change to their frequencies according to the frequency of the external reference clock signal 209. In Figure 1, each rubber band clock is shifted 216 degrees from each other regardless of the operating frequency.

제 2A 도는 외부 기준 클록신호(209)와 러버밴드 클록(CLK1,212)간에 주파수 종속관계를 단순화된 타이밍도표로 보여준다. 제 2A 도에서 클록(CLK1, 212)은 외부 기준클록신호(EXTCLK, 209)의 주파수(Fref, 기간(Tref)에 대응하는)와 같은 주파수 (Fp,기간(Tp)에 대응하는)를 갖는다. 게다가 클록(CLK1, 212)은 기간만큼 외부기준 클록신호(EXTCLK, 209)를 앞서며 이 기간은 제 2A 도에서 기간(Td)으로 도시된다. 기간(Tref)이 외부기준 클록신호(EXTCLK, 209)의 주파수에서 변화에 반응하여 팽창 또는 수축할때 기간(Tp)이 팽창 또는 수축한다. 클록(CLK1, 212)의 주파수는 외부 기준클록신호(209)가 변화될때 팽창 및 수축한다.FIG. 2A shows the frequency dependency between the external reference clock signal 209 and the rubber band clocks CLK1, 212 in a simplified timing diagram. In FIG. 2A, clocks CLK1 and CLK2 correspond to frequencies (F p , periods T p ) equal to the frequency (Fref, period Tref) of the external reference clock signal (EXTCLK) 209 . In addition, the clocks (CLK1, 212) precede the external reference clock signal (EXTCLK) 209 by a period, which is shown as a period (Td) in FIG. 2A. The period T p expands or contracts when the period Tref expands or contracts in response to a change in the frequency of the external reference clock signal EXTCLK 209. The frequency of the clocks CLK1, 212 expands and contracts when the external reference clock signal 209 changes.

제 2B 도는 클록(CLKP1, 248)과 러버밴드 블록(CLK1, 212), 클록(CLKP2, 242)과 러버밴드 클록(CLK2, 218)간의 주파수 종속관계를 단순한 타이밍도표로 보여준다. 제 2B 도에서 러버밴드 클록(CLK1, 212)은 지연기간(Tb1)만큼 클록(CLKP1,248)으로부터 지연된다. 지연기간(Tb1)은 클록(CLKP1, 248)으로부터 러버밴드 클록(CLK1, 212)을 발생하는데 사용된 버퍼(264) 및 드라이버(266) 회로와 관련된 지연을 나타낸다. 대체로 이 지연은 버퍼 및 드라이버회로의 설계에 의해 결정되며 보통 작은값으로 유지되고 외부 기준 클록신호(209)의 주파수에 반응하여 변하지 않는다. 제 1 도의 버퍼(264)는 단일신호를 차등신호로 변환하는 단일-차등 변환기를 포함할 수 있다. 비록 차등신호가 이용가능할지라도 신호(CLK2(218), CLK3(216), CLK4(214), CLK5(213))만이 설명의 목적으로 도시된다.Figure 2B shows a simple timing diagram of the frequency dependencies between clocks (CLKP1, 248), rubber band blocks (CLK1, 212), clocks (CLKP2, 242) and rubber band clocks (CLK2, 218). Figure 2B the rubber band clock (CLK1, 212) is in the delay as from the clock (CLKP1,248) delay period (T b1). The delay period T b1 represents the delay associated with the buffer 264 and driver 266 circuitry used to generate the rubber band clocks CLK1, 212 from the clocks CLKP1, 248. Typically, this delay is determined by the design of the buffer and driver circuit and is usually kept small and does not vary in response to the frequency of the external reference clock signal 209. Buffer 264 in FIG. 1 may include a single-to-differential converter for converting a single signal to a differential signal. Only signals (CLK2 218, CLK3 216, CLK4 214, CLK5 213) are shown for purposes of illustration, although a differential signal is available.

제 2B 도는 지연기간(Tr)만큼 클록(CLKP1, 248)으로부터 지연된 클록(CLKP2, 242)을 보여준다. 지연기간(Tr)은 제어된 전압(VCNTRL(224), VCNTRL2(252))에 의해 제어되는 전류가 부족한 단계(228)에 의해 제어된다. 지연기간(Tb1)과는 대조적으로 지연기간(Tr)은 외부기준 클록신호(209)의 주파수에 따라 변한다.2B shows the clocks CLKP2, 242 delayed from the clocks CLKP1, 248 by the delay period T r . The delay period T r is controlled by step 228 where the current controlled by the controlled voltage VCNTRL 224, VCNTRL2 252 is insufficient. In contrast to the delay period T b1 , the delay period T r varies with the frequency of the external reference clock signal 209.

또한 제 2B 도는 지연기간(Tb2)만큼 클록(CLKP2, 242)으로부터 지연되는 러버밴드 클록(CLK2, 218)을 보여준다. 지연기간(Tb1)과 유사하게 지연기간(Tb2)는 클록(CLKP2, 242)으로부터 러버밴드 클록(CLK2, 218)을 발생하는데 사용된 버퍼 및 드라이버회로와 관련된 지연을 나타낸다. 지연기간(Tb1)이 지연기간(Tb2)와 동일한 것이 선호된다. 클록(CLKP2, 242)은 주파수 종속 지연기간만큼 클록(CLKP1, 248)으로부터 지연되기 때문에 러버밴드 클록(CLK2, 218) 또한 동일한 주파수 종속지연기간(Tr)만큼 러버밴드 클록(CLK1, 212)으로부터 지연된다. 외부 기준 클록신호(209)의 주파수가 증가할때 두 러버밴드 클록간의 지연기간(TC2-TC1)은 감소한다. 역으로 외부기준 클록신호(209)의 주파수가 감소할때 두 러버밴드 클록간의 지연기간(TC2-TC1)은 증가한다.It also shows the rubber band clock (CLK2, 218) is delayed from the clock by (CLKP2, 242) of claim 2B delay period (T b2) degrees. Similar to the delay period Tb1, the delay period Tb2 represents the delay associated with the buffer and driver circuitry used to generate the rubber band clocks CLK2, 218 from the clocks CLKP2, 242. It is preferable that the delay period T b1 is equal to the delay period T b2 . Clock (CLKP2, 242) is because the delay from the clock (CLKP1, 248) by a frequency-dependent delay rubber band clock (CLK2, 218) Also, the rubber band clock (CLK1, 212) by the same frequency dependent delay period (T r) from Delayed. As the frequency of the external reference clock signal 209 increases, the delay period (T C2 -T C1 ) between the two rubber band clocks decreases. Conversely, when the frequency of the external reference clock signal 209 decreases, the delay period (T C2 -T C1 ) between the two rubber band clocks increases.

제 3 도는 본 발명의 한 측면에 따라 NAND-게이트 기초 러버밴드 논리회로를 단순화 회로도로 보여준다. 제 3 도의 회로는 펄스데이타 신호를 발생하는데 NAND 게이트 요소가 사용되므로 NAND-게이트 기초이다. 그러나 NOR, XOR, AND, OR 등의 다른 게이트 요소가 본 발명의 사상에 벗어남이 없이 게이트 신호를 유도하는데 사용될 수 있다. 제 3 도의 회로는 두 개의 회로단계(80,82)를 포함한다. 각 단계에는 논리입력, 즉 신호(88,90,92)의 수만큼 평가장치(110,112,114)가 있다. 러버밴드 클록신호(NINCLK, 286)상의 사전 충전 펄스에 반응하여 첫 번째 회로단계(80) 및 두 번째 회로단계(82)는 각각의 터미날, 즉 노드(100,108,122,128,137)을 직렬로 사전충전한다. 러버밴드 클록신호(INCLK1(84), INCLK2(85))가 평가단계에 들어가고 데이타신호(88)가 유효할때 평가 데이타펄스가 첫 번째 회로단계(80)의 평가를 시작하는데 사용되어 출력펄스를 발생한다. 이후에 첫 번째 회로단계(80)로부터의 출력펄스가 완충되어 두 번째 회로단계(82)로 전파되어 두 번째 회로단계(82)의 평가를 시작한다. 이 방식으로 사전충전 및 평가가 러버밴드 논리회로의 단계간에 파동처럼 직렬로 이루어진다.FIG. 3 shows a simplified circuit diagram of a NAND-gate based rubber band logic circuit in accordance with an aspect of the present invention. The circuit of FIG. 3 is a NAND-gate based, since a NAND gate element is used to generate the pulse data signal. However, other gate elements such as NOR, XOR, AND, and OR may be used to derive the gate signal without departing from the spirit of the present invention. The circuit of FIG. 3 includes two circuit stages 80 and 82. At each step, there are evaluation devices 110, 112, 114 as the number of logic inputs, i.e., signals 88, 90, 92. The first circuit stage 80 and the second circuit stage 82 pre-charge each terminal, i. E., Nodes 100,108,122, 128,137, in response to a precharge pulse on the rubber band clock signal NINCLK 286. [ An evaluation data pulse is used to start the evaluation of the first circuit stage 80 when the rubber band clock signals INCLK1 84 and INCLK2 85 enter the evaluation stage and the data signal 88 is valid, Occurs. The output pulse from the first circuit stage 80 is then buffered and propagated to the second circuit stage 82 to begin the evaluation of the second circuit stage 82. In this way, pre-charging and evaluation is done in series like waves between stages of the rubber band logic circuit.

제 3 도에서 신호(INCLK1(84), INCLK2(85))나 데이터(88)중의 하나가 낮을때 NAND게이트(94)의 NAND출력(96)은 높다. 클록신호(INCLK2, 85)가 높고 데이타(88)가 높을때(유효할 때) 저(low)에서 고(high)로 클록신호(INCLK1, 84)의 전이는 NAND 게이트(94)의 NAND출력(96)을 낮춘다.The NAND output 96 of the NAND gate 94 is high when one of the signals INCLK1 (84), INCLK2 (85) or data 88 is low in FIG. The transition of the clock signals INCLK1 and 84 from low to high when the clock signals INCLK2 and 85 are high and the data 88 is high is valid at the NAND gate 94 ' 96).

한 구체예에서 클록신호(INCLK1, 84)가 저에서 고로 전이할 때 클록신호(INCLK1, 84)에 상보적인 클록신호(NINCLK2, 86)가 동시에 고에서 저로 전이한다.In one embodiment, the complementary clock signals NINCLK2, 86 at the clock signal INCLK1, 84 transition from high to low simultaneously when the clock signals INCLK1, 84 transition from low to high.

클록신호(NINCLK2, 86)의 고에서 저로의 전이는 n-채널장치(116)를 끄고 노드(100)를 접지로부터 제거한다. NAND 출력(96)이 저로갈때 p-채널장치(98)는 노드(100)를 고로 당긴다. 클록(NINCLK2, 86)이 사전충전 단계의 시작에서 저에서 고로 바뀔때 노드(100)는 n-채널장치(116)에 의해 저로 당겨질때까지 고로 머무른다. p-채널장치(98)와 n-채널장치(116)는 제 3 도의 회로에서 동적 인버터로 기능을 한다. 필수적이지는 않지만 동적 인버터가 회로영역 및 속도에서의 장점 때문에 선호된다. NAND 게이트(94), p-채널장치(98) 및 n-채널장치(116)는 제 3 도의 회로에 펄스데이타 신호를 제공하는 펄스 발생회로로서 함께 기능을 한다.클록(NINCLK2,86)이 평가단계의 시작에서 고에서 저로가면 인버터(102)는 노드(104)를 고로가게한다. 노드(104)는 노드(104)를 고에서 저로 가게하는 사전충전단계 시작에서 저에서 고로 클록(NINCLK2,86)의 전이때까지고로 유지된다. 평가장치(110,112,114)는 노드(100)에 연결된 회로단계(80)의 평가를 제어하는데 사용될 수 있다.The transition from high to low of the clock signal NINCLK2, 86 turns off the n-channel device 116 and removes the node 100 from ground. The p-channel device 98 pulls the node 100 into the NAND output 96 as it goes down. When the clock (NINCLK2, 86) changes from low to high at the beginning of the pre-charge phase, the node 100 remains in the high state until pulled by the n-channel device 116. The p-channel device 98 and the n-channel device 116 function as dynamic inverters in the circuit of FIG. Although not required, dynamic inverters are preferred due to their advantages in circuit area and speed. The NAND gate 94, the p-channel device 98 and the n-channel device 116 together act as a pulse generation circuit for providing a pulse data signal to the circuitry of Figure 3. The clocks NINCLK2, At the beginning of the phase, going from high to low, inverter 102 drives node 104 high. Node 104 is maintained until the transition of low to high clock (NINCLK2,86) at the beginning of the precharge phase which causes node 104 to go from high to low. The evaluation devices 110, 112, 114 may be used to control the evaluation of the circuit steps 80 connected to the node 100.

저(low) 노드(104)는 p-채널 사전충전장치(106)를 켜고 외부터미날(108)을 Vdd에 연결한다. 노드(100)가 낮은 기간동안 n-채널 평가장치(110)는 꺼지고 Vss로부터 외부터미날(108) 연결을 끊는다. 이 사전충전 기간동안 출력터미날(108)은 p-채널 사전충전장치(106)를 통해 고(high)로 사전충전된다.The low node 104 turns on the p-channel pre-charge device 106 and connects the external terminal 108 to V dd . During the low period of the node 100, the n-channel evaluating device 110 is turned off and disconnects the external terminal 108 from V ss . During this pre-charge period, the output terminal 108 is precharged high through the p-channel pre-charge device 106.

만약 데이타신호(88)가 평가기간동안 낮다면 NAND 출력(96)은 NAND 게이트(94)의 작동에 의해 높아질 것이다. 데이터신호(88)가 평가기간동안 낮기 때문에 노드(96)가 고(high)일때 p-채널장치(98)는 켜지지 않아서 노드(100)는 저로 머무른다. 낮은 데이타신호(88) 때문에 노드(100)가 저로 머무를때 평가단계동안 n-채널 평가장치(100)는 전도하지 않는다. 비록 n-채널평가장치(112,114)로의 입력(90,92)이 높을지라도 이 평가단계동안 출력터미날(108)은 사전충전된 고(high)로 머무른다.If the data signal 88 is low during the evaluation period, the NAND output 96 will be raised by operation of the NAND gate 94. When the node 96 is high because the data signal 88 is low during the evaluation period, the p-channel device 98 is not turned on and the node 100 stays there. The n-channel estimation device 100 does not conduct during the evaluation phase when the node 100 stays low due to the low data signal 88. Although the inputs 90 and 92 to the n-channel estimators 112 and 114 are high, the output terminal 108 remains pre-charged during this evaluation stage.

선택적으로 데이타신호(88)와 클록신호(INCLK1(84), INCLK2(85))가 하이(high)로 있다면 노드(96)는 평가 기간동안 로우(low)로 있어서 노드(100)가 p-채널장치(98)를 통해 하이로 당겨지게한다. 노드(100)의 하이상태는 n-채널 평가장치(110)를 전도시켜서 Vss로 출력터미날(108)을 당긴다(단, 입력(90,92)이 평가단계동안 어떤 지점에서 하이인때).Optionally, if data signal 88 and clock signals INCLK1 84 and INCLK2 85 are high then node 96 is low during the evaluation period so that node 100 is on a p- And is pulled high through the device 98. The high state of the node 100 conducts the n-channel evaluation device 110 and pulls the output terminal 108 to V ss when the inputs 90 and 92 are high at some point during the evaluation phase.

클록(NINCLK2, 86)이 사전충전 단계의 시작에서 하이로 갈 때 출력터미날(108)이 다시 하이로 된다. 클록(NINCLK2, 86)이 하이로 갈때 노드(104)는 로우로 가고 p-채널 사전충전장치(106)를 켠다. 설명의 편의를 위해 데이타신호(88)가 하이이고 n-채널 평가장치(112,114)에 대한 입력(90,92)이 하이일 상황에만 회로단계(82)와 제 3 도 회로의 나머지 부분에 대한 설명이 적용된다. 데이타신호(88)가 로우일때 제 3 도 회로의 동작은 제 3 도의 회로도로부터 파악될 수 있다.The output terminal 108 goes high again when the clock (NINCLK2, 86) goes high at the beginning of the pre-charge phase. When the clock (NINCLK2, 86) goes high, the node 104 goes low and turns on the p-channel pre-charge device 106. [ For the sake of convenience of explanation, a description of the circuit steps 82 and the remainder of the third degree circuit only when the data signal 88 is high and the inputs 90 and 92 to the n-channel evaluation devices 112 and 114 are high, Is applied. The operation of the third degree circuit when the data signal 88 is low can be grasped from the circuit diagram of FIG.

클록의 평가단계 초기에 노드(104)가 로우에서 하이로갈 때 노드(118)는 인버터(120)의 작동으로 하이에서 로우로 간다. 노드(118)는 노드(104)가 하이에서 로우로 변해서 노드(118)를 로우에서 하이로 가게할때까지 로우로 머무를 것이다. 또한 출력터미날(108)이 평가동안 하이에서 로우로 변할때(즉, 데이타신호(88)와 클록신호(INCLK1(84), INCLK2(85)가 하이이고 n-채널장치(112,114)가 평가단계 중일때) 노드(122)는 p-채널장치(124)의 작동으로 인해 로우에서 하이로 간다. 노드(122)는 사전충전 단계의 초기에 노드(118)의 로우에서 하이로 전이에 의해 로우로 내려올때까지 하이로 머무를 것이다. 이것은 노드(118)의 하이상태가 n-채널장치(117)를 전도시켜서 노드(122)를 Vss로 연결하고 노드(122)를 로우로 당기기 때문이다. p-채널장치(124)와 n-채널장치(117)는 적절한 시기에 출력터미날(108)상의신호의 극성을 바꾸는 동적 인버터/버퍼의 기능을 수행한다.Node 118 goes from high to low with the operation of inverter 120 when node 104 goes low to high early in the evaluation phase of the clock. Node 118 will remain low until node 104 changes from high to low to cause node 118 to go from low to high. When the output terminal 108 is changed from high to low during the evaluation (i.e., when the data signal 88 and the clock signals INCLK1 84 and INCLK2 85 are high and the n-channel devices 112 and 114 are in the evaluation phase) ) Node 122 goes from low to high due to the operation of p-channel device 124. Node 122 goes low by transitioning from low to high of node 118 at the beginning of the pre- Channel device 117. This is because the high state of node 118 conducts n-channel device 117 to connect node 122 to V ss and pulls node 122 low. Channel device 117 and n-channel device 117 perform the function of a dynamic inverter / buffer that changes the polarity of the signal on output terminal 108 at the appropriate time.

다른한편 평가단계의 초기에 노드(118)의 하이-로우 전이는 노드(127)를 인버터(125)의 작동을 통해 하이로 가게한다. 평가 기간전에 노드(127)가 로우였고 노드(122)가 로우였을때 p-채널 사전충전장치(126)는 출력터미날(128)을 Vdd에 연결시키고 Vss로부터 출력터미날(128) 연결을 끊어서 출력터미날(108)의 사전충전과 유사한 방식으로 출력터미날(128)을 사전충전시킨다.On the other hand, the high-low transition of node 118 at the beginning of the evaluation phase causes node 127 to go high through the operation of inverter 125. The p-channel precharge device 126 connects the output terminal 128 to V dd and disconnects the output terminal 128 from V ss when node 127 was low and node 122 was low prior to the evaluation period Pre-charges the output terminal 128 in a manner similar to the pre-charging of the output terminal 108.

로우클록(NINCLK2, 86)이 인버터(102,120,125)를 통해 전파하여 노드(127)에 도달할때 노드(127)는 로우에서 하이로되어 p-채널 사전충전장치(126)를 오프(off)시킨다. 노드(122)는 하이로가서 n-채널장치(130,132,134,136)을 통해 출력터미날(128)을 Vss에 연결시킨다(단, n-채널장치(130,132,134,136)의 게이트로의 입력은 회로단계(82)의 평가단계동안 모두 하이인때). 또한 노드(127)가 하이로갈때 노드(131)는 인버터(133) 작동을 통해 로우로간다. 노드(131)가 로우로갈때 n-채널장치(135)가 차단되어 Vss로부터 노드(137) 연결을 끊는다. 출력터미날(128)이 로우로갈때 p-채널장치(138)는 노드(137)을 하이로 가게한다. 노드(127)가 로우로갈때 p-채널 사전충전장치(126)에 의해 하이로 올려질때까지 출력터미날(128)은 로우로 머무른다. 노드(127)가 로우로갈때 출력터미날(128)은 p-채널 사전충전장치(126)을 통해 Vdd에 연결되어 하이로간다.When node NINCLK2 86 propagates through inverters 102, 120 and 125 to node 127, node 127 goes low to turn off p-channel pre-charge device 126. The node 122 goes high and connects the output terminal 128 to V ss through the n-channel devices 130,132,134,136, with the input to the gates of the n-channel devices 130,132,134, When all are high during the step). Also, when node 127 goes high, node 131 goes low through inverter 133 operation. Channel device 135 is disconnected and node 137 disconnects from V ss when node 131 goes low. Channel device 138 causes node 137 to go high when output terminal 128 goes low. The output terminal 128 stays low until the node 127 is pulled high by the p-channel pre-charge device 126 when going low. When node 127 goes low, output terminal 128 is connected to V dd via p-channel pre-charge device 126 and goes high.

노드(137)는 노드(131)가 하이로갈때 p-채널장치(135)에 의해 로우로 내려올때까지 하이로 머무른다. 노드(137)의 하이에서 로우로 전이는 회로단계(82) 이후의 회로단계(도시안된)로의 입력의 Vss로 사전충전을 나타낸다.Node 137 stays high until node 131 goes low by p-channel device 135 when going high. The transition from high to low of node 137 represents pre-charging to V ss of the input to circuit steps (not shown) after circuit step 82.

특정회로가 러버밴드 클록(INCLK2)의 상보적인 러버밴드 클록(NINCLK2, 86)에 의해 제어되는 사전충전을 보여줄지라도 이것은 필수적이지 않다. 러버밴드 클록(NINCLK2(86), INCLK(85)) 은 제 3 도 회로에서 서로에 대해 상보적이므로 클록(NINCLK2, 86)은 대략 180도 만큼 클록(INCLK2, 85)와 위상이 다르다. 그러나 클록(NINCLK2, 86)은 PLL로부터 발생된 러버밴드 클록이거나 하나이상의 러버밴드로부터 발생된 러버밴드일 수 있다. 클록(INCLK2)이 로우로간 후에 클록(NINCLK2, 86)이 하이로 가능한 경쟁상태를 야기하지 않는 사전충전 펄스가 발생될 수 있다. 사전충전을 제어하기 위해서 클록(INCLK2)의 상보적인 것 이외의 신호의 사용은 타이밍 측면에서 추가적인 신축성을 제공한다는 것은 본 발명이 속하는 분야에서 숙련자에게는 명백하다. 예컨대 클록(INCLK2)이 로우로 간후에 클록(NINCLK2)을 항상 하이로 가도록 러버밴드 클록으로부터 클록(NINCLK2)의 상승 모서리를 유도하는 것이 가능하다. 유사하게 클록(INCLK1, 84)이 하이로 가기전 클록(NINCLK2)을 항상 로우로 가도록 러버밴드 클록으로부터 클록(NINCLK2)의 하강 모서리를 유도하는 것이 가능하다. 러버밴드 클록은 이러한 클록(NINCLK2)을 유도하는데 사용되므로 외부기준신호의 주파수에 무관하게 경쟁상태가 피해질 수 있다.Although this particular circuit shows a pre-charge controlled by the complementary rubber band clock (NINCLK2, 86) of the rubber band clock INCLK2, this is not necessary. Since the rubber band clocks NINCLK2 86 and INCLK 85 are complementary to each other in the third degree circuit, the clocks NINCLK2 and 86 are out of phase with the clocks INCLK2 and 85 by approximately 180 degrees. However, the clock (NINCLK2, 86) may be a rubber band clock generated from a PLL or a rubber band generated from one or more rubber bands. A precharge pulse may be generated that does not cause a race condition where clock NINCLK2 86 may go high after clock INCLK2 is low. It will be apparent to those skilled in the art that the use of signals other than the complementary of clock INCLK2 to control pre-charging provides additional flexibility in terms of timing. For example, it is possible to derive the rising edge of the clock NINCLK2 from the rubber band clock so that the clock NINCLK2 always goes high after the clock INCLK2 goes low. Similarly, it is possible to derive the falling edge of the clock NINCLK2 from the rubber band clock so that the clock NINCLK2 always goes low before the clocks INCLK1, 84 goes high. Since the rubber band clock is used to derive this clock (NINCLK2), the race condition can be avoided regardless of the frequency of the external reference signal.

평가는 첫 번째 회로단계(first circuit stage)(80)로부터 두 번째 회로단계(82) 및 본 발명의 러버밴드 논리회로의 후속회로단계로 파동방식으로 진행한다. 유사하게 사전충전은 평가를 파동방식으로 진행하여 직렬방식으로 사전충전이 일어난다. NAND 게이트나 NOR 게이트등을 통해 평가 클록펄스가 상기 첫 번째 회로단계를 평가하는데 사용된다. 상기 첫 번째 회로단계 평가의 결과는 후속회로 단계들로 직렬로 전파된다. 상기 첫 번째 회로단계의 사전충전 또한 사전충전펄스를 통해 수행된다. 이 사전충전 펄스는 후속 회로단계들로 직렬로 전파한다.The evaluation proceeds in a pulsed manner from the first circuit stage 80 to the second circuit stage 82 and to the subsequent circuit stage of the rubber band logic circuit of the present invention. Similarly, pre-charging leads to evaluation in a pulsed manner, resulting in pre-charging in a series fashion. An evaluation clock pulse through a NAND gate, a NOR gate, or the like is used to evaluate the first circuit stage. The result of the first circuit stage evaluation is propagated serially to subsequent circuit stages. The pre-charging of the first circuit stage is also performed through a pre-charge pulse. This pre-charge pulse propagates in series with subsequent circuit steps.

본 발명의 회로에서 한 단계내의 평가장치의 수는 논리입력의 수와 동일하다 도미노 논리회로의 평가 트리에 비해서 직렬장치의 수감소는 클록상의 정전용량 부하, 순간적 피크전류를 감소시키고 추진회로 단계의 추진력을 증가시킨다.The number of evaluation devices in one step in the circuit of the present invention is equal to the number of logic inputs. The reduction in the number of serial devices relative to the evaluation tree of the domino logic circuit reduces the capacitance load on the clock, instantaneous peak current, Increase propulsion.

제 3 도 회로는 Vdd에서 Vss로의 방전경로의 존재를 막아서 전력을 보존하고 에러출력을 막아준다. 회로단계(80)의 p-채널 사전충전장치(106)와 n-채널 평가장치가 동시에 켜진다면 방전경로가 존재한다. 제 3 도의 회로는 이런상태의 발생을 허용하지 않는다. 왜냐하면 또다른 러버밴드 신호가 평가를 개시하기전에 자신의 러버밴드 신호에 의해 사전충전이 종료되기 때문이다.The third stage circuit prevents the presence of a discharge path from V dd to V ss to preserve power and prevent error output. There is a discharge path if the p-channel pre-charge device 106 of the circuit stage 80 and the n-channel evaluation device are turned on at the same time. The circuit of FIG. 3 does not allow the occurrence of this condition. This is because the pre-charge is terminated by its own rubber band signal before another rubber band signal starts evaluation.

제 4 도는 평가 및 사전충전동안 제 3 도 회로의 노드의 논리상태와 러버밴드 클록(INCLK1(84), INCLK2(85), NINCLK2(86)) 간의 관계를 단순화된 타이밍도로 보여준다. 제 4 도에는 펄스폭(Wp)을 갖는 러버밴드 클록(INCLK1, 84)이 도시된다. 러버밴드 클록(INCLK1, 84)은 첫 번째 회로단계(80)를 평가하는 펄스데이타 신호를 발생하기 위해 제 3도 NAND 게이트(94)로 입력된 신호중의 하나이다. 펄스폭(Wp)을 가지며 NAND 게이트(94)로 입력된 제 2 신호는 러버밴드 클록(INCLK2, 85)이다. 이두 신호는 같은 기준클록 신호로부터 유도되므로 같은 펄스폭(Wp)을 갖는다. 클록(INCLK1, 84)은 클록(INCLK2, 85)으로부터 위상이 이동되며 주파수 종속 지연기간(Tfd)만큼 클록(INCLK2, 85)을 앞선다. 기준클록신호(즉, 제 1 도의 신호(209))의 주파수가 변할때 주파수 종속 지연기간(Tfd)도 변한다. 제 4 도에는 러버밴드 클록(INCLK2, 85)의 거울상이며 러버밴드 클록(INCLK1(84), INCLK(85))을 발생하기 위해 사용되는 동일회로에 의해 발생되는 러버밴드 클록(NINCLK2, 86)이 도시된다.FIG. 4 shows the relationship between the logic state of the node of the third degree circuit and the rubber band clocks INCLK1 (84), INCLK2 (85), NINCLK2 (86) during evaluation and precharge at a simplified timing. 4 also, the rubber band clock (INCLK1, 84) having a pulse width (W p) is shown. The rubber band clocks INCLKl and 84 are one of the signals input to the third NAND gate 94 to generate the pulse data signal for evaluating the first circuit stage 80. [ The second signal having a pulse width W p and input to the NAND gate 94 is a rubber band clock INCLK2, 85. The two signals have the same pulse width (W p ) since they are derived from the same reference clock signal. Clock (INCLK1, 84) are the clock and the phase is shifted from (INCLK2, 85) precedes by a clock (INCLK2, 85) frequency-dependent delay period (T fd). The frequency dependent delay period (T fd ) also changes when the frequency of the reference clock signal (i.e., signal 209 in FIG. 1) changes. 4 shows the rubber band clocks NINCLK2 and 86 generated by the same circuit used to generate the rubber band clocks INCLK1 and INCLK 85, which are mirror images of the rubber band clocks INCLK2 and 85, Respectively.

NAND 출력(96)은 신호(84,85,88)중의 하나가 로우일때 하이로 머무른다. 클록신호(INCLK1, 84)가 하이로갈때 이미 하이인 클록신호(INCLK2, 85)와 조합으로 클록신호(INCLK1, 84)의 로우에서 하이로 전이(단, 제 3 도의 전도체(88)상에 유효한 데이터가 있다면)는 NAND 출력(96)을 모서리(350)에서 로우로 가게한다. NAND출력(96)은 클록신호(INCLK2, 85)이 모서리(352)에서 로우로가서 NAND출력(96)을 모서리(354)에서 하이로 가게할때까지 로우로 머무른다.NAND output 96 stays high when one of signals 84,85,88 is low. Transition from low to high of the clock signals INCLK1 and 84 in combination with the already high clock signals INCLK2 and 85 when the clock signals INCLK1 and 84 go high ) Causes NAND output 96 to go low at edge 350. The NAND output 96 remains low until the clock signal INCLK2,85 goes low at edge 352 and causes the NAND output 96 to go high at edge 354.

모서리(350)에서 NAND 출력(96)의 하이에서 로우로 전이는 제 3 도의 p-채널장치(98)를 통해 모서리(356)에서 노드(100)를 하이로 가게한다. 노드(100)는 모서리(360)에서 클록신호(NINCLK2, 86)의 로우-하이 전이에 의해 모서리(358)에서 n-채널장치(116, 제 3 도)를 통해 하이에서 로우로 전이되는데 클록(NINCLK2, 86)은 클록신호(INCLK2, 85)가 하이-로우 전이를 갈때 동시에 전이한다. 모서리(356,358)에 의해 한정된 펄스는 단계(80)를 평가하기 위해서 n-채널장치(110)를 제어하는데 사용된 평가데이타 펄스를 규정한다.The transition from high to low of NAND output 96 at edge 350 causes node 100 to go high at edge 356 through p-channel device 98 in FIG. Node 100 transitions from high to low through n-channel device 116 (FIG. 3) at edge 358 by a low-to-high transition of clock signals NINCLK2,86 at edge 360, NINCLK2, 86 transition at the same time when the clock signal INCLK2, 85 goes high-low transition. The pulses defined by the edges 356 and 358 define the evaluation data pulses used to control the n-channel device 110 to evaluate step 80.

모서리(356)에서 노드(100)의 로우-하이전이는 출력노드(108)를 모서리(360)에서 사전충전된 하이로부터 로우로 가게한다(단, 입력(90,92)이 하이라면). 모서리(360)에서 클록(NINCLK2, 86)의 로우-하이전이는 노드(104)를 제 4 도에 도시된 대로 하이에서 로우로 가게한다(인버터(102)에 의해) 노드(104)가 모서리(362)에서 하이에서 로우로 갈때 p-채널장치(106)는 출력노드(108)를 Vdd에 연결시켜 모서리(364)에서 출력노드(108)를 다시 하이로 끌어올리도록 한다. 클록신호(NINCLK2, 86)가 인버터(102)를 횡단하여 p-채널장치(106)를 켜기전에 전파지연을 겪기 때문에 로우로 간후에 모서리(364)에서 노드(108)를 하이로 가게한다. 대조적으로 클록신호(NINCLK, 86)가 하이로 가자마자 n-채널장치(116)는 켜진다. 따라서 출력노드(108)는 Vdd로 사전충전되기에 앞서 Vss로부터 차단된다.The low-to-high transition of node 100 at edge 356 causes output node 108 to go from pre-charged high to low at edge 360 (provided inputs 90 and 92 are high). The low-to-high transition of clock NINCLK2 86 at edge 360 causes node 104 to go from high to low as shown in FIG. 4 (by inverter 102) The p-channel device 106 connects the output node 108 to V dd so that it pulls the output node 108 back high at the edge 364. Causes node 108 to go high at edge 364 after going low since clock signal NINCLK2 86 crosses inverter 102 and undergoes a propagation delay before turning on p-channel device 106. [ In contrast, the n-channel device 116 is turned on as soon as the clock signal NINCLK 86 goes high. Thus, the output node 108 is disconnected from V ss prior to pre-charging to V dd .

모서리(360)에서 노드(108)의 하이-로우 전이는 모서리(366)에서 p-채널장치(124)를 통해 노드(122)를 하이로 올리도록 한다. 노드(104)의 하이-로우 전이는 모서리(371)에서 노드(118)를 하이로 가게하여 모서리(368)에서 노드(122)를 로우로 떨어지게 한다. 모서리(366,368)에 의해 한정된 펄스는 제 3 도의 평가단계(82)에 사용되는 평가펄스이다. 단계(80)의 출력노드(108)가 하이에서 로우로 바뀌지 않으면 노드(122)는 평가를 위해서 하이로 가지 못한다. 전도체(122)상의 평가펄스의 로우-하이 모서리(366)는 노드(128)를 모서리(370)에서 사전충전된 하이로부터 로우로 가게한다(단, n-채널 평가장치(132,134,136)이 모두 전도하면).The high-to-low transition of node 108 at edge 360 causes node 122 to go high through p-channel device 124 at edge 366. The high-to-low transition of node 104 causes node 118 to go high at edge 371 causing node 122 to fall low at edge 368. The pulses defined by the edges 366 and 368 are evaluation pulses used in the evaluation step 82 of FIG. If the output node 108 of step 80 does not change from high to low, node 122 will not go high for evaluation. The low-high edge 366 of the evaluation pulse on conductor 122 causes node 128 to go from pre-charged high to low at edge 370 (provided that n-channel evaluation devices 132,134, ).

노드(104)의 하이-로우 전이는 인버터(120)를 가로질러 노드(118)를 로우에서 하이로 전이하게하여 모서리(368)에서 n-채널장치(117)가 노드(122)를 로우로 떨어지게 하여 평가펄스를 종료한다. 노드(122)가 평가펄스의 말엽에 다시 로우로 갈 때 출력노드(128)는 Vss로부터 효과적으로 제거된다. 노드(118)상의 동일 로우-하이 모서리(371)는 인버터(125)를 통해 이동해서 모서리(372)에서 노드(127)가 하이에서 로우로 변환하게하여 p-채널 사전충전장치(126)를 통해 출력노드(128)를 사전충전한다. 결과적으로 모서리(374)에 도시된 대로 노드(128)는 로우에서 하이로 간다.The high-to-low transition of node 104 causes node 118 to transition from low to high across inverter 120 such that n-channel device 117 at node 368 causes node 122 to fall low And the evaluation pulse is ended. The output node 128 is effectively removed from V ss when node 122 goes low again at the end of the evaluation pulse. The high-to-high edge 371 on node 118 is moved through inverter 125 to cause node 127 at node 372 to transition from high to low and through p-channel pre-charge device 126 Pre-charges the output node 128. As a result, node 128 goes from low to high, as shown at edge 374.

평가동안 출력노드(128)의 하이에서 로우로 전이는 p-채널장치(138)로 인해 모서리(378)에서 출력노드(137)를 하이로 가게한다. 출력노드(137)의 로우-하이 전이는 러버밴드 논리회로의 추가단계의 평가를 개시하는데 사용될수 있다. 모서리(127)에서 노드(127)의 하이-로우 전이는 인버터(133)를 가로질러 모서리(376)에서 노드(131)를 로우-하이 전이하게한다. 노드(131)의 로우-하이전이는 장치(135)를 켜서 출력노드(137)를 모서리(379)에서 로우로 가게하여 출력노드(137)를 로우로 사전충전 개시하게한다.The transition from high to low of output node 128 during evaluation causes output node 137 to go high at edge 378 due to p-channel device 138. The low-to-high transition of the output node 137 may be used to initiate an evaluation of the further step of the rubber band logic circuit. The high-to-low transition of node 127 at edge 127 causes node 131 to transit low-high across the inverter 133 at edge 376. The low-to-high transition of node 131 turns device 135 on and causes output node 137 to go low at edge 379, causing output node 137 to begin precharging low.

동적 논리회로에서 러버밴드 클록의 사용은 회로 성능 최적화작업을 단순화시킨다. 공지기술에서 지연 및 마진이 변경불가능한 방식으로 사전계산되어 구현된다. 공지회로에서 사전충전 클록과 평가클록 사이에 마진의 변경은 상당한 자원 및 비용을 필요로한다. 따라서 공지회로로 작업하는 설계자는 지연 및 마진에 매우 보수적이며 회로에 너무 많은 마진 및 지연을 설계하는 것에 실수를 범한다. 이것이 발생할때 회로는 주어진 시스템 클록 속도에서 최적으로 작동하지 않는다. 본 발명의 한 측면에 따라서 설계자는 사전충전 및 평가를 제어하기 위한 러버밴드 클록을 사용하여 최적의 지연 및 마진을 추정하여 회로를 구현할수 있다. 회로가 조립되면 설계자는 성능 최적화에 필요한 마진 및 지연을 증감시키기 위해서 기준클록(제 1 도의 클록(209))을 증가시킬 수 있다. 클록의 러버밴드 특성 때문에 사전충전 및 평가펄스가 서로간에 위상이 이동되어 회로가 작동하는 속도에 무관하게 크로바 상태를 방지할 수 있다.The use of rubber band clocks in dynamic logic circuits simplifies circuit performance optimization. In the known art, delay and margin are precomputed and implemented in an unchangeable manner. In the known circuit, changing the margin between the pre-charge clock and the evaluation clock requires significant resources and cost. Therefore, designers working with known circuits are very conservative in their delays and margins and make mistakes in designing too many margins and delays in the circuit. When this occurs, the circuit does not operate optimally at a given system clock speed. According to one aspect of the present invention, a designer can implement a circuit by estimating optimal delays and margins using a rubber band clock to control pre-charging and evaluation. Once the circuit is assembled, the designer can increase the reference clock (clock 209 in FIGURE 1) to increase or decrease the margin and delay needed to optimize performance. Because of the rubber band nature of the clock, the pre-charge and evaluation pulses can be shifted in phase with each other to prevent the crowbar condition independent of the speed at which the circuit operates.

어떤 논리 시스템에서(예, 마이크로프로세서) 한 시스템 클록에 두개이상의 데이타 싸이클이 제공된다. 각 시스템 클록에 대해서 다중 데이타가 처리될 수 있을때 주어진 논리회로의 처리전력은 시스템 클록의 속도를 증가시킬 필요없이 효과적으로 배가될 수 있다. 각 시스템 클록에 대해서 평가할 다중 데이타 유효싸이클이 있을경우 타이밍은 CMOS 동적 논리회로의 설계자에게 도전을 제기한다. 사전충전 및 평가클록의 주파수가 시스템 클록 싸이클당 더 많은 데이타를 처리하기 위해서 증가할때 사전충전 및 평가 펄스는 더 짧아진다. 이것이 발생할때 다음 데이타를 평가할 시간 이전에 데이타를 평가하고 사전충전하기 위해서 펄스간의 마진을 감소시킬 필요가 있다.In some logic systems (eg, microprocessors), two or more data cycles are provided in a system clock. When multiple data can be processed for each system clock, the processing power of a given logic circuit can be effectively doubled without having to increase the speed of the system clock. The timing when there are multiple data valid cycles to evaluate for each system clock poses a challenge to the designer of the CMOS dynamic logic circuit. The pre-charge and evaluate pulses become shorter as the frequency of the pre-charge and evaluate clocks increases to handle more data per system clock cycle. When this happens, it is necessary to reduce the margin between pulses in order to evaluate and pre-charge the data before the time to evaluate the next data.

안전 마진을 위해 이용가능한 시간에서의 감소와 사전충전 및 평가 싸이클간의 주파수에서 증가는 사전충전 및 평가펄스가 서로에 대해 적절히 타이밍이 맞춰지게할 필요가 있게 한다. 다중 러버밴드 클록의 사용은 작동 주파수에 무관하게각 클록기간에 대해 주어진 퍼센트만큼 사전충전 클록이 평가클록으로부터 위상이 이동되게함으로써 타이밍을 수월하게 해준다. 또한 사전충전 및 평가펄스 클록 모두가 외부 기준클록으로부터 유도되므로 두 클록을 축소시켜 성능을 최대화시킨다. 만약 더 많은 안전마진이 필요할때, 즉 사전충전 및 평가간에 중첩이 있다면 외부 기준클록의 주파수는 감소되어 클록과 해당 안전 마진간에 지연을 증가시킨 클록간의 지연이 고정된 공지회로와는 달리 본 발명의 회로의 평가와 사전충전 싸이클간의 마진량이 쉽게 조정되어 최대의 성능을 달성할 수 있다.The reduction in available time for the safety margin and the increase in frequency between the precharge and evaluation cycles make it necessary for the precharge and evaluation pulses to be timed appropriately for each other. The use of multiple rubber band clocks facilitates timing by allowing the precharge clock to shift the phase from the evaluation clock by a given percentage for each clock period, regardless of the operating frequency. In addition, both the pre-charge and evaluation pulse clocks are derived from the external reference clock, thus minimizing both clocks to maximize performance. Unlike known circuits in which the delay between the clocks that increase the delay between the clock and the corresponding safety margin is fixed, if the frequency of the external reference clock is reduced if more safety margins are needed, The margin between the evaluation of the circuit and the pre-charge cycle can be easily adjusted to achieve the maximum performance.

제 5 도 - 8 도에서 기준클록의 각 싸이클에 대해 두개의 데이타 평가를 수행하기 위한 러버밴드 논리회로가 도시된다. 제 5 도는 클록 싸이클당 2개의 데이타를 평가할 수 있는 러버밴드 논리회로를 위한 사전충전 펄스를 발생하는데 사용된 회로를 단순한 회로도로 보여준다. 제 6 도는 다수의 러버밴드 클록과 이로부터 발생된 사전충전 및 평가신호를 단순한 타이밍 도표로 보여준다. 제 7 도 및 8 도는 사전충전 클록 및 평가클록을 포함하여 대표적 러버밴드 논리회로의 관련부분을 단순한 회로도로 보여준다.In Figure 5-8 a rubber band logic circuit is shown for performing two data evaluations for each cycle of the reference clock. Figure 5 shows a simple circuit diagram of the circuit used to generate the pre-charge pulse for a rubber band logic circuit capable of evaluating two data per clock cycle. FIG. 6 shows a simple timing diagram of a number of rubber band clocks and the pre-charge and evaluation signals generated therefrom. 7 and 8 show, in a simple circuit diagram, the relevant parts of a representative rubber band logic circuit including a pre-charge clock and an evaluation clock.

제 5 도에 두개의 AND 게이트(501,502)가 도시된다. OR 게이트(511)는 입력으로 러버밴드 클록(CLK3(505), CLK1(508))을 수신한다. AND게이트(501)는 후속 OR게이트(512)로의 입력으로 사용되는 신호(CLKPC1, 510)를 출력한다. AND게이트(502)는 입력으로 러버밴드 클록(CLK3B(514), CLK1B(516))을 수신한다. 이 입력으로부터 AND게이트(502)는 2-입력 OR게이트(512)로의 입력으로 사용되는 신호(CLKPC2, 518)를 출력한다. 입력(CLKPC1(510), CLKPC2(518))으로부터OR게이트(512)는 시스템 클록의 싸이클마다 러버밴드 논리회로를 두번 사전충전하는데 사용된 러버밴드 신호(CLKPC, 520)를 출력한다. 클록(CLK3(505), CLK1(508))이 둘다 하이일때나 클록(CLK3B(514), CLK1B(516)이 둘다 하이일 때 신호 CLKPC(520)는 하이로 간다. 그렇지 않으면 신호CLKPC(520)는 로우로 머무른다.In FIG. 5, two AND gates 501 and 502 are shown. OR gate 511 receives the rubber band clocks (CLK3 505, CLK1 508) as inputs. The AND gate 501 outputs a signal (CLKPC1, 510) used as an input to the subsequent OR gate 512. [ The AND gate 502 receives as inputs the rubber band clocks CLK3B 514, CLK1B 516. From this input, the AND gate 502 outputs the signal (CLKPC2, 518) used as the input to the 2-input OR gate 512. From the inputs (CLKPC1 510, CLKPC2 518), the OR gate 512 outputs the rubber band signal (CLKPC) 520 used to precharge the rubber band logic circuit twice per cycle of the system clock. The signal CLKPC 520 goes high when both the clocks CLK3 505 and CLK1 508 are high or when the clocks CLK3B 514 and CLK1B 516 are both high, Stay at low.

시스템 클록 싸이클 마다 2개의 데이타를 평가하는 러버밴드 논리회로에서 러버밴드 신호(CLKPC, 520)의 역할을 더 상세히 하기 위해서 제 6 도는 다수의 러버밴드 클록(CLK1, CLK3)과 그의 상보적 러버밴드 클록을 단순한 타이밍 도표로 보여준다. 클록(CLK1, CLK3) 및 그의 상보적 클록은 제 1 도에 도시된 것과 유사한 회로에 의해 발생될 수 있다.To further illustrate the role of the rubber band signal (CLKPC, 520) in a rubber band logic circuit that evaluates two data per system clock cycle, FIG. 6 illustrates the use of multiple rubber band clocks (CLK1, CLK3) As a simple timing chart. The clocks CLK1 and CLK3 and their complementary clocks may be generated by a circuit similar to that shown in FIG.

제 6 도에 클록신호(CLK1, CLK3)가 도시된다. 클록신호(CLK1,CLK3)는 서로에 대해 위상이 이동된, 즉 주파수 종속 지연기간 만큼 서로 지연된 러버밴드 클록을 나타낸다. 클록(CLK3)은 제 5 도의 전도체(505)상의 클록(CLK3)이며 클록(CLK1B)은 제 5 도의 전도체(516)상의 클록(CLK1B)이다. 제 6 도는 상기 러버밴드 클록의 선택된 상보적 클록을 보여준다. 제 6 도에서 도시된 선택된 상보적인 러버밴드 클록은 클록(CLK1B, CLK3B)이다. 상보적 러버배드 클록(CLK3B)은 제 5 도의 전도체상의 클록(CLK3B)이며 클록(CLK1)은 제 5 도의 전도체상의 클록(CLK1)이다. 상보적 클록(CLK1B)은 해당 러버밴드 클록(CLK1)의 거울상이다. 제 6 도에는 제 5 도의 전도체(510, 518)상에 도시된 신호인 신호(CLKPC1, CLKPC2)가 도시된다.The clock signals CLK1 and CLK3 are shown in FIG. The clock signals CLK1 and CLK3 represent a rubber band clock phase shifted with respect to each other, that is, delayed from each other by a frequency dependent delay period. Clock CLK3 is the clock CLK3 on conductor 505 of FIGURE 5 and clock CLK1B is clock CLK1B on conductor 516 of FIGURE 5. [ FIG. 6 shows the selected complementary clock of the rubber band clock. The selected complementary rubber band clock shown in FIG. 6 is the clocks CLK1B and CLK3B. The complementary rubber bad clock CLK3B is the clock CLK3B on the conductor of FIG. 5 and the clock CLK1 is the clock CLK1 on the conductor of FIG. 5. The complementary clock CLK1B is an image of the rubber band clock CLK1. FIG. 6 shows the signals CLKPC1 and CLKPC2 which are the signals shown on the conductors 510 and 518 of FIG. 5.

제 6 도는 시스템 클록의 싸이클 마다 2번 제 7 도 논리회로의 출력노드를 사전충전하는데 사용되는 러버밴드신호(CLKPC)를 보여준다. 전도체(520)상에 도시된 신호(CLKPC)는 신호(CLKPC1, CLKPC2)로부터 발생된다. 클록(CLKPC, CLKPC1, CLKPC2)은 러버밴드 클록으로부터 유도되고 클록(CLKPC, CLKPC1, CLKPC2) 각각은 주파수 종속기간 만큼 제 1 도의 기준클록(209)으로부터 지연된다. 제 6 도에는 시스템 클록의 싸이클마다 데이터 유효싸이클(618,620)을 가진 것으로 도시된 데이터 신호(616)가 도시된다.FIG. 6 shows a rubber band signal (CLKPC) used to pre-charge the output node of the seventh-degree logic circuit 2 every cycle of the system clock. The signal CLKPC shown on the conductor 520 is generated from the signals CLKPC1 and CLKPC2. The clocks (CLKPC, CLKPC1, CLKPC2) are derived from the rubber band clock and the clocks (CLKPC, CLKPC1, CLKPC2), respectively, are delayed from the reference clock (209) in the first degree by the frequency dependent period. 6, there is shown a data signal 616 shown as having data valid cycles 618 and 620 per cycle of the system clock.

신호(CLKPC1)과 다중 러버밴드 클록간의 관계에 있어서 러버밴드 클록(CLK3, CLK1)을 고려해보자. 러버밴드 클록(CLK3)이 모서리(622)에서 로우에서 하이로 전이할때 러버밴드 클록(CLK1)은 이미 하이이다 클록(CLK3, CLK1)의 하이상태는 AND 게이트(501, 제 5 도에 도시된)를 통해 모서리(624)에서 신호(CLKPC1)을 하이로 가게한다. 신호(CLKPC1)는 러버밴드 클록(CLK1)이 모서리(626)에서 하이에서 로우로 전이할때까지 하이로 머무른다. 클록(CLK1)이 모서리(626)에서 하이-로우 전이를 할때 러버밴드 클록(CLK3)이 여전히 하이일지라도 신호(CLKPC1)는 AND 게이트(501)의 작동을 통해 모서리(627)에서 로우로 간다. 모서리(622,626)로 인한 클록(CLKPC1)상의 펄스는 제 6 도에서 모서리(624,627)에 의해 한정된다. 같은 방식으로 러버밴드 클록(CLK3)이 모서리(632)에서 하이로 갈때 신호(CLKPC1)은 상승하는 모서리(630)에서 다시 하이로 가며 러버밴드 클록(CLK1)이 모서리(636)에서 로우로 갈때 하강하는 모서리(634)에서 하이에서 로우로 전이한다.Consider the rubber band clocks CLK3 and CLK1 in the relationship between the signal CLKPC1 and the multiple rubber band clock. The rubber band clock CLK1 is already high when the rubber band clock CLK3 transitions from low to high at the edge 622. The high state of the clocks CLK3 and CLK1 is the AND gate 501, (CLKPC1) at an edge 624 via the signal CLKPC1. Signal CLKPC1 stays high until rubber band clock CLK1 transitions from high to low at edge 626. [ Signal CLKPC1 goes low at edge 627 through the operation of AND gate 501 when rubber band clock CLK3 is still high when clock CLK1 makes a high-low transition at edge 626. [ The pulse on the clock CLKPC1 due to the edges 622 and 626 is defined by the edges 624 and 627 in FIG. In the same manner, when the rubber band clock CLK3 goes high at the edge 632, the signal CLKPC1 goes high again at the rising edge 630 and falls when the rubber band clock CLK1 goes low from the edge 636 Lt; / RTI > transition from high to low at the edge 634 of FIG.

반면에 신호(CLKPC2)는 상보적인 러버밴드 클록(CLK1B,CLK3B)에 의해 제어된다. 상보적인 러버밴드 클록(CLK3B)가 모서리(640)에서 로우에서 하이로 전이할때 상보적인 러버밴드 클록(CLK1B)은 이미 하이이다. 따라서 AND 게이트(502)는 모서리(642)에서 신호(CLKPC2)를 하이로 가게한다. 상보적인 러버밴드 클록(CLK1B)이 모서리(644)에서 로우로 갈때 신호(CLKPC2)는 상보적인 러버밴드 클록(CLK3B)이 여전히 하이일지라도 모서리(646)에서 로우로간다. 모서리(650)를 특징으로 하는 클록(CLKPC) 펄스의 후속의 상승모서리가 같은 방식으로 발생된다.While the signal CLKPC2 is controlled by complementary rubber band clocks CLK1B and CLK3B. The complementary rubber band clock (CLK1B) is already high when the complementary rubber band clock (CLK3B) transitions from low to high at edge (640). Hence, AND gate 502 causes signal CLKPC2 to go high at edge 642. When the complementary rubber band clock CLK1B goes low at the edge 644, the signal CLKPC2 goes low at the edge 646, even though the complementary rubber band clock CLK3B is still high. The subsequent rising edge of the clock (CLKPC) pulse, which features edge 650, is generated in the same manner.

신호(CLKPC1, CLKPC2)의 합인 사전충전 클록신호(CLKPC)가 제 6 도에 도시된다. 신호(CLKPC)의 각 사전충전 펄스는 OR 게이트(51)의 작동으로 인한 신호(CLKPC1)나 신호(CLKPC2)에 의해서 각 구성펄스로부터 약간 지연된다. OR게이트(512)와 관련된 지연이 기간(654) 만큼 제 6 도에 도시된다.Precharge clock signal CLKPC, which is the sum of signals CLKPC1 and CLKPC2, is shown in FIG. Each precharge pulse of the signal CLKPC is slightly delayed from each constituent pulse by the signal CLKPC1 or the signal CLKPC2 due to the operation of the OR gate 51. [ The delay associated with OR gate 512 is shown in FIG. 6 for a period 654.

제 5 도의 회로와 다중 러버밴드 클록(CLK1, CLK1B, CLK3, CLK3B)을 사용하여 클록 싸이클당 2개의 사전충전 펄스 또는 제 6 도에서 펄스(660,662,664,666)으로 도시된 4개의 사전충전 펄스가 발생된다. 결과적으로 각 데이타 유효 싸이클당 하나의 사전충전 펄스가 존재하여 적절한 시기에 사전충전 펄스를 제공하여 러버밴드 논리회로를 사전충전한다. 기준클록이 가속되고 모서리(622,626,640,644,632,636)간의 시간이 수축할때 사전충전 펄스(660,662,664,666)의 크기는 감소하는 반면 사전충전 클록신호(CLKPC)의 주파수는 증가한다. 역으로 기준클록이 감속되고 모서리(622,626,640,644,632,636)간의 시간이 팽창할 때 사전 충전펄스(660,662,664,666)의 크기는 증가하는 반면에 사전충전 클록신호(CLKPC)의 주파수는 감소한다.Four pre-charge pulses are generated with two pre-charge pulses per clock cycle or with pulses 660, 662, 664, 666 in FIG. 6 using the circuit of FIG. 5 and multiple rubber band clocks CLK1, CLK1B, CLK3, CLK3B. As a result, there is one precharge pulse per data valid cycle, providing the precharge pulse at the appropriate time to pre-charge the rubber band logic circuit. As the reference clock is accelerated and the time between edges 622, 626, 640, 644, 632, 636 shrinks, the size of the precharge pulses 660, 662, 664, 666 decreases while the frequency of the precharge clock signal CLKPC increases. Conversely, when the reference clock is decelerated and the time between edges 622, 626, 640, 644, 632, 636 expands, the size of the precharge pulses 660, 662, 664, 666 increases while the frequency of the precharge clock signal CLKPC decreases.

제 7 도는 매 클록 싸이클마다 2편의 데이타를 평가하기 위해 다중 러버밴드 클록을 활용하는 러버밴드 논리회로를 단순한 회로도로 보여준다. 제 7 도에서 p-채널 사전충전장치(710)와 n-채널 평가장치(712,714,716)를 포함하는 러버밴드 논리회로 단계의 평가트리(708)가 도시된다. 러버밴드 논리회로의 나머지 부분의 작동은 제 3 도에서 토론되었으므로 여기서 반복되지 않는다.Figure 7 shows a simple circuit diagram of a rubber band logic circuit that utilizes multiple rubber band clocks to evaluate two data per clock cycle. 7 shows an evaluation tree 708 of a rubber band logic circuit stage that includes a p-channel pre-charge device 710 and an n-channel evaluation device 712, 714, 716. In FIG. The operation of the remainder of the rubber band logic circuit has not been repeated here, as discussed in FIG.

N-채널 평가장치(712)는 전도체(718)상이 데이타 펄스(DP)에 의해 제어된다. N-채널 평가장치(714,716)는 전도체(720, 722)상의 신호(DATA-A, DATA-C)에 의해 제어된다. n-채널 평가장치(714,716)의 게이트는 Vdd에 연결되나 n-채널장치(714,716)의 게이트로의 입력은 제 7 도의 러버밴드 논리회로로의 논리입력이다. 그러나 장치(712,714,716)중의 하나는 전도체(718)에 연결된 제 7 도 회로의 평가를 제어하는데 사용될 수 있다. 제 7 도의 러버밴드 논리회로로의 또다른 논리입력인 DATA-A 가 전도체(730)상에 도시된다. DATA-A 는 2-입력 NOR 게이트(738)의 제 1 입력포트에 연결된다. NOR 게이트(738)의 제 2 입력은 전도체(746)에 의해 러버밴드신호(CLKPC)에 연결된다. 신호(CLKPC)는 사전충전 펄스를 제 7 도의 러버밴드 논리회로에 제공한다. p-채널 사전충전장치(710)를 제어하기 위해서 전도선(745)을 통과하는 신호(CLKPC)는 제 7 도에 도시된 대로 인버터(748)에 의해 반전되어 크로바 상태(crowbar condition)의 존재를 막는다. 인버터(748)에 고유한 지연은 불필요한 전력소모를 막아준다.The N-channel estimator 712 is controlled on the conductor 718 by a data pulse DP. The N-channel estimators 714 and 716 are controlled by signals (DATA-A, DATA-C) on conductors 720 and 722. The gates of the n-channel estimation devices 714 and 716 are connected to V dd while the inputs to the gates of the n-channel devices 714 and 716 are logic inputs to the rubber band logic circuit of FIG. 7. However, one of the devices 712, 714, 716 may be used to control the evaluation of the seventh-degree circuit connected to the conductor 718. A further logic input DATA-A to the rubber band logic circuit of FIG. 7 is shown on the conductor 730. DATA-A is coupled to a first input port of a two-input NOR gate 738. [ The second input of the NOR gate 738 is connected to the rubber band signal CLKPC by a conductor 746. The signal CLKPC provides a pre-charge pulse to the rubber band logic circuit of FIG. the signal CLKPC passing through the conduction line 745 to control the p-channel pre-charge device 710 is inverted by the inverter 748 as shown in FIG. 7 to indicate the presence of a crowbar condition Stop. A delay inherent in the inverter 748 prevents unnecessary power consumption.

NOR 게이트에 익숙한 사람에게 잘알려져 있듯이, NOR 게이트(738)로의 입력중 하나가 하이라면 전도체(718)는 로우로 머무른다. 역으로 NOR 게이트(738)로의 모든 입력이 로우라면 전도체(718)는 하이로가서 n-채널 평가장치(712)를 켠다. 사전충전동안 전도체(745)상의 신호(CLKPC)는 하이이다. 전도체(745,746)의 하이상태는 NOR 게이트(738)의 출력을 로우로 머물게하여 n-채널장치(712)를 끄고 제 7 도 러버밴드 논리회로의 출력노드(752)를 Vdd로부터 차단한다. 동시에 전도체(750)는 인버터(748)의 작동을 통해 로우로가서 p-채널 사전충전장치(710)를 켜고 출력노드(752)를 사전충전한다. p-채널장치(710)는 n-채널장치(712)가 꺼진후 NOR 게이트(738)의 전파지연 보다 약간 긴 인버터(748)의 하이입력에서 로우출력으로 전이를 위해 지연시간을 만듦으로써 켜질 수 있다. 사전충전 싸이클의 말엽에 전도체(745)상의 신호(CLKPC)는 로우로가서 인버터(748)를 통해 전도체(750)를 하이로 가게하여 p-채널장치(710)를 끈다.As is well known to those familiar with NOR gates, if one of the inputs to NOR gate 738 is high, conductor 718 stays low. Conversely, if all inputs to NOR gate 738 are low, conductor 718 goes high and turns on n-channel estimator 712. During pre-charging, signal CLKPC on conductor 745 is high. The high state of conductors 745 and 746 causes the output of NOR gate 738 to stay low to turn off n-channel device 712 and disconnect the output node 752 of the seventh degree rubber band logic circuit from V dd . At the same time, conductor 750 goes low through the operation of inverter 748 to turn on p-channel pre-charge device 710 and pre-charge output node 752. The p-channel device 710 may be turned on by making the delay time for the transition from the high input to the low output of the inverter 748, which is slightly longer than the propagation delay of the NOR gate 738 after the n- have. At the end of the pre-charge cycle, signal CLKPC on conductor 745 goes low to drive conductor 750 high through inverter 748 to turn off p-channel device 710.

클록신호(CLKPC)가 로우인 평가 싸이클동안 전도체(730)상의 하이 DATA-A 는 NOR 게이트(738)의 출력을 로우로 머물게한다. 이경우에 n-채널 평가장치(712)는 켜지지 않고 출력노드(752)는 사전충전된 하이로 머무른다. 대조적으로 전도체(730)상의 DATA-A 가 로우일때 NOR 게이트(738)의 출력은 NOR 게이트(738)의 작동을 통해 하이로간다. 따라서 n-채널 평가장치(712)가 켜지고 평가장치(712,714,716)를 통해 출력노드(752)를 로우로 끌어내린다. 인버터(748)는 로우입력-하이출력 전이를 위한 지연이 NOR 게이트(738)의 전파지연 보다 약간 짧도록 경사진다. 따라서 전도체(718)가 하이로 가기전에 p-채널 사전충전장치(710)는 꺼지고 Vdd로부터 출력노드(752)를 제거한다. 사전충전 싸이클의 초기에 CLKPC 가 전도체(745)상에 하이로 갈때 평가 싸이클은 종료된다.The high DATA-A on conductor 730 during the evaluation cycle when the clock signal CLKPC is low causes the output of NOR gate 738 to stay low. In this case, the n-channel estimator 712 is not turned on and the output node 752 stays pre-charged high. In contrast, the output of NOR gate 738 goes high through the operation of NOR gate 738 when DATA-A on conductor 730 is low. Thus, the n-channel estimator 712 is turned on and the output node 752 is pulled low through the evaluation devices 712, 714, and 716. Inverter 748 is tilted so that the delay for the low input-high output transition is slightly shorter than the propagation delay of NOR gate 738. [ Therefore, the p-channel pre-charge device 710 is turned off and the output node 752 is removed from Vdd before the conductor 718 goes high. The evaluation cycle ends when CLKPC goes high on conductor 745 early in the pre-charge cycle.

제 8 도는 제 7 도 회로의 또다른 구체예로 러버밴드 신호(CLKEV)가 평가에 사용되며 분리된 러버밴드신호(NCLKPC)는 사전충전에 사용된다. 제 8 도의 회로에서 전도체(730)는 DATA 에 연결된다. 그러나 NOR 게이트(738) 입력중의 하나에 연결된 전도체(746)는 제 7 도에 도시된 신호(CLKPC)로 연결되지 않고 제 8 도의 분리된 러버밴드신호(CLKEV)에 연결된다. 제 8 도는 신호(NCLKPC)에 연결된 p-채널 사전충전장치(710)를 제어하는데 사용되는 전도체(750)를 보여준다. 신호(NCLKPC)는 제 7 도 신호(CLKPC)의 역이며 제 7 도에 도시된 방식으로 인버터를 신호(CLKPC)에 적용함으로써 유도될 수 있다. 역으로 OR 게이트(512)가 NOR 게이트로 대체된 점을 제외하면 제 5 도에 도시된 것과 유사한 회로에 의해 발생된 다수의 러버밴드 클록으로부터 직접 유도될 수 있다. 경쟁상태를 피하기 위해서 러버밴드 신호(NCLKEV)의 평가펄스는 평가 러버밴드신호(NCLKPC)의 사전충전 펄스와 중첩하지 않는다. 러버밴드 클록이 러버밴드 신호(NCLKPC, CLKEV)를 발생하는데 사용되므로 펄스발생을 위해 적절한 러버밴드 클록을 선택함으로써 신호상의 펄스는 결코 중첩하지 않는다. 이 방식으로 외부 기준신호의 주파수가 변할 때 조차도 러버밴드 신호(CLKEV, NCLKPC)상의 평가 및 사전충전 펄스간의 상대적 관계는 변하지 않는다. 게다가 클록간의 지연이 더이상 고정된 물리적 지연요소의 구성에 달려있지 않으므로 본 발명은 고정된 물리적 지연요소의 조립과 관련된 공정변화 문제를 피할 수 있다.FIG. 8 shows another embodiment of the circuit of FIG. 7 in which the rubber band signal CLKEV is used for evaluation and the separated rubber band signal NCLKPC is used for pre-charging. In the circuit of FIG. 8, conductor 730 is connected to DATA. However, the conductor 746 connected to one of the NOR gate 738 inputs is not connected to the signal CLKPC shown in FIG. 7 and is connected to the separate rubber band signal CLKEV of FIG. FIG. 8 shows a conductor 750 used to control the p-channel pre-charge device 710 coupled to the signal NCLKPC. The signal NCLKPC can be derived by applying the inverter to the signal CLKPC in the manner shown in FIG. 7, which is the inverse of the seventh degree signal CLKPC. Conversely, it can be derived directly from the plurality of rubber band clocks generated by a circuit similar to that shown in FIG. 5, except that the OR gate 512 is replaced by a NOR gate. In order to avoid a race condition, the evaluation pulse of the rubber band signal NCLKEV does not overlap with the precharge pulse of the evaluation rubber band signal NCLKPC. Since the rubber band clock is used to generate the rubber band signals (NCLKPC, CLKEV), the pulses on the signal never overlap by selecting the appropriate rubber band clock for pulse generation. Even when the frequency of the external reference signal changes in this manner, the relative relationship between the evaluation on the rubber band signals (CLKEV, NCLKPC) and the pre-charge pulse does not change. In addition, since the delay between clocks is no longer dependent on the configuration of the fixed physical delay elements, the present invention avoids process variation problems associated with the assembly of fixed physical delay elements.

본 발명이 이해의 편의를 위해 상세히 기술될지라도 첨부된 청구범위내에 변경이 가능하다. 조합 및 치환이 본 발명의 사상에 벗어남이 없이 가능하다는 것은이 분야 숙련자에게는 명백하다. 예컨대 구체예가 클록 싸이클당 2개의 데이타 싸이클을 평가하기 위한 회로를 말할지라도 클록 싸이클당 더욱 많거나 적은수의 데이타 싸이클을 평가하기 위한 회로가 구현될 수 있다. 또한 본 기술과 회로가 파동 전파회로를 참조로 기술될지라도 거기에 국한되지 않고 NOR 논리회로나 도미노 논리회로를 포함하는 다양한 형태의 CMOS 회로에 적용될 수 있다. 따라서 본 발명의 범위는 구체예 국한되지 않으며 첨부된 청구범위에 기술된다.Although the present invention has been described in detail for the sake of understanding, modifications may be made within the scope of the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that combinations and permutations are possible without departing from the spirit of the invention. For example, although a specific example refers to a circuit for evaluating two data cycles per clock cycle, a circuit for evaluating more or fewer data cycles per clock cycle may be implemented. Also, although the present technology and circuit are described with reference to a wave propagation circuit, the present invention is not limited thereto and can be applied to various types of CMOS circuits including NOR logic circuits and domino logic circuits. Accordingly, the scope of the present invention is not to be limited to the specific embodiments, but is defined in the appended claims.

제 1 도는 다중 러버밴드(rubberband) 클록(clock)을 발생시키는데 사용된 회로도.Figure 1 is a circuit diagram used to generate multiple rubberband clocks;

제 2A 도는 외부클록신호와 러버밴드 클록간의 주파수 종속관계를 보여주는 타이밍도표.Figure 2A is a timing diagram showing the frequency dependency between an external clock signal and a rubber band clock;

제 2B 도는 러버밴드 클록간의 주파수 종속관계를 보여주는 타이밍도표.Figure 2B is a timing diagram showing the frequency dependency of the rubber band clock.

제 3 도는 본 발명의 한 측면에 따른 NAND 게이트 기초 러버밴드 논리회로도.Figure 3 is a block diagram of a NAND gate based rubber band logic circuit according to one aspect of the present invention;

제 4 도는 평가 및 사전충전동안 제 3 도 회로의 노드의 논리상태와 러버밴드 클록간의 관계를 보여주는 타이밍도표.4 is a timing diagram showing the relationship between the logic state of the node of the third degree circuit and the rubber band clock during evaluation and pre-charging;

제 5 도는 클록 싸이클당 2개 데이타를 평가할 수 있는 러버밴드 논리회로를 위한 사전충전펄스를 발생하는데 사용되는 회로도.5 is a circuit diagram used to generate a precharge pulse for a rubber band logic circuit capable of evaluating two data per clock cycle.

제 6 도는 다수의 러버밴드 및 사전충전을 보여주며 이로부터 발생된 신호를 평가함을 보여준다.FIG. 6 shows multiple rubber bands and pre-charging and evaluates signals generated therefrom.

제 7 도는 매 클록 싸이클에 대해서 2개 데이타를 평가하기 위해 다중 러버밴드 클록을 사용하는 러버밴드 논리회로도.7 shows a rubber band logic circuit using multiple rubber band clocks to evaluate two data for each clock cycle.

제 8 도는 한 러버밴드 신호가 평가에 사용되며 또다른 분리된 러버밴드가 사전충전에 사용되는 제 7 도 회로의 또다른 구체예.FIG. 8 shows another embodiment of a seventh phase circuit in which one rubber band signal is used for evaluation and another separate rubber band is used for pre-charging.

* 부호설명* Code Description

80,82 ... 회로단계 100,108,122,128,137 ... 노드80, 82 ... circuit steps 100,108,122,128,137 ... node

110,112,114 ... 평가장치 201 ... PLL 회로110, 112, 114 ... evaluation device 201 ... PLL circuit

203 ... 위상주파수 탐지기 205 ... 충전펌프203 ... phase frequency detector 205 ... charge pump

207 ... 전압제어 오실레이터 209 ... 외부기준 클록신호207 ... Voltage control oscillator 209 ... External reference clock signal

211 ... 내부 기준 클록신호 212,213,214,216,218 ... 클록211 ... internal reference clock signal 212,213,214,216,218 ... clock

220 ... 업신호 222 ... 다운신호220 ... up signal 222 ... down signal

224,252 ... 제어전압 226 ... n-채널장치224,252 ... control voltage 226 ... n-channel device

228,230,232,233,234 ... 전류가 부족한 단계228, 230, 232, 233, 234 ...

236,710 ... p-채널장치 238,748 ... 인버터236,710 ... p-channel device 238,748 ... Inverter

242,244,246,247,248 ... 클록 254 ... 버퍼242, 244, 246, 247, 248 ... clock 254 ... buffer

378,622,624,626,627,630,632,634,636,640,644,650 ... 모서리378,622,624,626,627,630,632,634,636,640,644,650 ... Corner

508,510,518,520 ... 전도체508,510,518,520 ... conductors

501,502 ... AND 게이트 512 ... NOR 게이트501, 502 ... AND gate 512 ... NOR gate

618,620 ... 데이타 싸이클618,620 ... Data Cycle

660,662,664,666 ... 사전 충전 펄스660,662,664,666 ... Pre-charge pulse

712,714,716 ... n-채널장치712,714,716 ... n-channel device

718,720,722,730,745,746,750 . . . 전도체718, 720, 722, 730, 745, 746, . . conductor

738 ... NOR 게이트 752 ... 출력노드738 ... NOR gate 752 ... output node

Claims (22)

제 1 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 1 클록과 연결하기 위한 제 1 클록 터미날;A first clock terminal for coupling with a first clock that is delayed from a reference clock by a first frequency dependent delay period; 제 2 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 2 클록과 연결하기 위한 제 2 클록 터미날; 그리고A second clock terminal for coupling with a second clock that is delayed from the reference clock by a second frequency dependent delay period; And 상기 제1클록 터미날과 상기 제2클록 터미날에 연결된 펄스발생회로, 출력 터미날, 상기 출력 터미날과 상기 펄스 발생회로에 연결된 평가장치, 그리고 상기 출력 터미날과 제1논리레벨과 제3주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제3클록 터미날에 연결되는 사전충전장치를 포함하는 첫 번째 회로단계(first circuit stage)(80)를 포함하여 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.A pulse generator circuit coupled to the first clock terminal and the second clock terminal, an output terminal, an evaluation device coupled to the output terminal and the pulse generator circuit, and an output terminal coupled to the output terminal and a first logic level and a third frequency dependent delay time And a first circuit stage (80) including a precharge device coupled to a third clock terminal that is delayed from a reference clock to evaluate a logic input in response to a reference clock. 제 1 항에 있어서, 상기 제3주파수 종속지연 기간이 상기 제1주파수 종속 지연 기간과 유사함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.2. The rubber band logic circuit of claim 1, wherein the third frequency dependent delay period is similar to the first frequency dependent delay period, wherein the third frequency dependent delay period is similar to the first frequency dependent delay period. 제 1 항에 있어서, 상기 제3주파수 종속지연 기간이 상기 제1주파수 종속 지연 기간과 상기 제2주파수 종속 지연 기간 보다 긴것을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.2. The rubber band logic circuit of claim 1, wherein the third frequency dependent delay period is longer than the first frequency dependent delay period and the second frequency dependent delay period. 제 3 항에 있어서, 상기 펄스 발생회로가 상기 평가장치에 연결된 인버터 출력을 갖는 제1인버터, 그리고4. The apparatus of claim 3, wherein the pulse generator circuit comprises: a first inverter having an inverter output coupled to the evaluation device; and 한 데이터 터미날에 제1게이트 요소입력, 상기 제1클록 터미날에 연결된 제2게이트 요소입력, 상기 제2클록 터미날에 연결된 제3게이트 요소 입력, 및 상기 제1인버터 입력에 연결된 게이트요소 출력을 갖는 게이트요소 게이트를 포함함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.A gate having a first gate element input at one data terminal, a second gate element input coupled to the first clock terminal, a third gate element input coupled to the second clock terminal, and a gate element output coupled to the first inverter input, And wherein the logic gate comprises an element gate. 제 4 항에 있어서, 상기 제1인버터가 상기 제1논리레벨, 상기 평가장치 및 상기 게이트요소출력에 연결된 제1 p-채널장치, 그리고5. The apparatus of claim 4, wherein said first inverter is connected to said first logic level, said evaluation device and said gate element output, and a first p- 상기 제1 p-채널장치, 상기 평가장치, 상기 제3클록 터미날 및 제2논리레벨에 연결된 제1 n-채널장치를 더욱 포함함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.Further comprising a first n-channel device coupled to the first p-channel device, the evaluation device, the third clock terminal and a second logic level. Logic circuit. 제 5 항에 있어서, 상기 첫 번째 회로단계(80)가 제2인버터 입력과 제2인버터 출력을 갖는 제2인버터를 더욱 포함하며, 상기 제2인버터 입력이 상기 제3클록 터미날에 연결되며, 상기 제2인버터 출력이 상기 사전충전장치의 제어터미날에 연결됨을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.6. The method of claim 5, wherein the first circuit stage (80) further comprises a second inverter having a second inverter input and a second inverter output, the second inverter input coupled to the third clock terminal, And a second inverter output is coupled to the control terminal of the pre-charge device. 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6, 두 번째 회로(82)단계 출력터미날,The second circuit (82) step output terminal, 상기 두 번째 회로단계 출력터미날에 연결된 제2단계 평가장치,A second stage evaluation device connected to the second circuit stage output terminal, 상기 두 번째 회로단계 출력 터미날과 상기 제1논리 레벨에 연결된 제2단계 사전충전장치; 그리고A second stage precharge device coupled to the second circuit stage output terminal and to the first logic level; And 상기 첫 번째 회로단계(80)의 상기 출력터미날과 상기 두 번째 회로단계(82)평가장치사이에 직렬로 연결된 제3인버터를 포함하는 상기 두 번째 회로단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.Further comprising a second circuit stage comprising a third inverter connected in series between the output terminal of the first circuit stage (80) and the evaluation device of the second circuit stage (82) A rubber band logic circuit responsive to evaluating a logic input. 제 7 항에 있어서, 상기 펄스발생회로가 상기 제1클록터미날과 상기 제2클록터미날의 평가 싸이클에 응답하여 데이타 펄스를 발생함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.8. The method of claim 7, wherein the pulse generation circuit generates a data pulse in response to an evaluation cycle of the first clock terminal and the second clock terminal. Circuit. 제 1 항에 있어서, 상기 제2주파수 종속 지연기간이 상기 제1주파수 종속지연 기간과 동일함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.2. The rubber band logic circuit of claim 1, wherein the second frequency dependent delay period is the same as the first frequency dependent delay period, and wherein the logic input is evaluated in response to a reference clock. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 펄스발생회로가 상기 평가장치에 연결된 인버터출력을 갖는 제1인버터;그리고A first inverter having an inverter output connected to the evaluation device, 데이타 터미날에 연결된 제1게이트요소 입력, 상기 제1클록 터미날에 연결된 제2게이트 요소 입력, 상기 제2클록 터미날에 연결된 제3게이트 요소 입력, 그리고 상기 제1인버터의 입력에 연결된 게이트 요소 출력을 포함함을 특징으로 하는 기준 클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 러버밴드 논리회로.A first gate element input coupled to the data terminal, a second gate element input coupled to the first clock terminal, a third gate element input coupled to the second clock terminal, and a gate element output coupled to the input of the first inverter Wherein the logic input is in response to a reference clock. 논리회로의 사전충전 노드에 사전충전 펄스를 제공하고;Providing a precharge pulse to a precharge node of the logic circuit; 상기 논리회로의 데이타 입력 노드에서 주파수 종속 지연기간만큼 상기 사전충전펄스로부터 지연된 데이타 펄스를 제공하고;Providing a data pulse delayed from the precharge pulse by a frequency dependent delay period at a data input node of the logic circuit; 상기 논리회로의 출력노드를 상기 사전충전 펄스로 충전하고; 그리고Charge the output node of the logic circuit with the precharge pulse; And 상기 출력노드의 논리상태를 유도하기 위해서 상기 데이터 펄스로 상기 논리회로의 평가장치를 사용하여 상기 논리회로로의 논리입력을 평가하는 단계를 포함하여 논리회로의 성능을 개선하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.And evaluating a logic input to the logic circuit using the evaluating device of the logic circuit with the data pulse to derive a logic state of the output node, How to evaluate input. 제 11 항에 있어서, 상기 데이타펄스와 상기 사전충전 펄스가 적어도 두개의 클록에 의해 발생되며, 상기 적어도 두개의 클록은 기준클록으로부터 유도된 클록이며 서로에 대해 위상이 이동됨을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.12. The method of claim 11 wherein said data pulse and said precharge pulse are generated by at least two clocks, said at least two clocks being clocks derived from a reference clock and shifted relative to each other. How to evaluate logic inputs in response. 제 12 항에 있어서, 상기 두개의 클록이 PLL 회로를 사용하여 상기 기준클록으로부터 발생됨을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.13. The method of claim 12, wherein the two clocks are generated from the reference clock using PLL circuitry. 제 1 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 1 클록을 갖는 제 1 클록 터미날을 제공하고;Providing a first clock terminal having a first clock delayed from a reference clock by a first frequency dependent delay period; 제 2 주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제 2 클록을 갖는 제 2 클록 터미날을 제공하고; 그리고Providing a second clock terminal having a second clock that is delayed from the reference clock by a second frequency dependent delay period; And 상기 제1클록 터미날과 상기 제2클록 터미날에 펄스 발생회로를 연결하고, 출력 터미날을 제공하고, 상기 출력 터미날과 상기 펄스 발생회로에 첫 번째 회로단계 평가장치를 연결하고, 그리고Connecting a pulse generation circuit to the first clock terminal and the second clock terminal, providing an output terminal, connecting a first circuit stage evaluation device to the output terminal and the pulse generation circuit, and 상기 출력 터미널과 제1논리레벨과 제3주파수 종속 지연기간만큼 기준클록으로부터 지연되는 제3클록 터미날에 사전충전장치를 연결하는 첫 번째 회로단계(80)를 제공하여 회로의 성능을 개선하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.And a first circuit stage (80) for connecting the precharge device to a third clock terminal that is delayed from the reference clock by a first logic level and a third frequency dependent delay period, To evaluate logic inputs. 제 14 항에 있어서, 상기 펄스발생회로를 제공하는 상기 단계가 제 1인버터를 제공하고;15. The method of claim 14, wherein the step of providing the pulse generating circuit provides a first inverter; 상기 첫 번째 회로단계 평가장치에 상기 제1인버터의 출력터미날을 연결하고;Connecting an output terminal of the first inverter to the first circuit stage evaluation device; 게이트요소 게이트를 제공하고; 그리고Providing a gate element gate; And 상기 게이트요소 게이트의 제1게이트 요소 입력을 데이터 터미날에, 상기 게이트 요소 게이트의 제2게이트 요소 입력을 상기 제1클록 터미날에, 상기 게이트요소 게이트의 제3게이트 요소입력을 상기 제2클록 터미날에, 상기 게이트 요소 게이트의 게이트 요소 출력을 상기 제1인버터의 입력에 연결하는 것을 포함함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.A second gate terminal input of said gate element gate to said first clock terminal, a third gate element input of said gate element gate to said second clock terminal And connecting a gate element output of the gate element gate to an input of the first inverter. 제 15 항에 있어서, 상기 제1인버터를 제공하는 상기 단계가16. The method of claim 15, wherein said step of providing said first inverter 제1 p-채널장치를 제공하고;Providing a first p-channel device; 상기 제1 p-채널장치를 상기 제1논리레벨, 상기 첫 번째 회로단계 평가장치 및 상기 게이트 요소출력에 연결하고;Connecting said first p-channel device to said first logic level, said first circuit stage evaluation device and said gate element output; 제 1 채널장치와 제4클록을 갖는 제4클록 터미널을 제공하고(상기 제3클록은 상기 제4클록의 역전된 버전이다); 그리고Providing a fourth clock terminal having a first channel device and a fourth clock, said third clock being an inverted version of said fourth clock; And 상기 제1 n-채널장치를 상기 제1 p-채널장치, 상기 첫 번째 회로단계 평가장치, 상기 제4클록 터미날, 및 제2논리레벨에 연결하는 것을 포함함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.And connecting said first n-channel device to said first p-channel device, said first circuit stage evaluator, said fourth clock terminal, and a second logic level. A method for evaluating a logic input. 제 16 항에 있어서, 상기 제1인버터를 제공하는 상기 단계가 두번째 회로단계(82) 출력 터미날을 제공하고, 상기 두 번째 회로단계 평가장치를 상기 두 번째 회로단계 출력 터미날에 연결하고, 그리고 두 번째 회로단계 사전충전장치를 상기 두 번째 회로단계 출력 터미날과 상기 제1논리레벨에 연결함을 포함하는 두 번째 회로단계를 제공하고; 그리고17. The method of claim 16, wherein said step of providing said first inverter provides an output terminal of a second circuit stage (82), connecting said second circuit stage evaluation device to said second circuit stage output terminal, Providing a second circuit step comprising connecting a circuit-stage pre-charging device to the second circuit-stage output terminal and the first logic level; And 상기 첫 번째 회로단계의 상기 출력터미날과 상기 두 번째 회로단계 평가장치간 사이에 제2인버터를 직렬로 연결하는 것을 포함함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.And connecting a second inverter in series between the output terminal of the first circuit stage and the second circuit stage evaluation device. 제 17 항에 있어서, 다수의 평가장치를 제공하는 단계를 더욱 포함하고, 상기 다수의 평가장치 각각은 논리입력에 연결되고, 상기 다수의 평가장치중 첫 번째 평가장치가 상기 제2논리레벨에 연결되고, 두 번째 평가장치가 상기 첫번째 회로단계 평가장치에 연결됨을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.18. The method of claim 17, further comprising providing a plurality of evaluation devices, each of the plurality of evaluation devices being coupled to a logic input, and wherein a first one of the plurality of evaluation devices is coupled to the second logic level And a second evaluation device is coupled to the first circuit stage evaluation device. 제 18 항에 있어서, 상기 다수의 평가장치와 상기 첫 번째 회로단계 평가장치의 합은 상기 첫 번째 회로단계로의 논리입력의 수와 동일함을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.19. The method of claim 18, wherein the sum of the plurality of evaluation devices and the first circuit stage evaluation device is equal to the number of logic inputs to the first circuit stage evaluating the logic input in response to the reference clock Way. 기준클록의 주파수에 응답하여 변하는 사전충전 펄스폭을 한정하는 사전충전 펄스 활성화 모서리와 사전충전 펄스 탈활성화 모서리를 갖는 사전충전 펄스를 제공하는 사전충전 노드;A precharge node providing a precharge pulse having a precharge pulse activation edge and a precharge pulse deactivation edge defining a precharge pulse width varying in response to a frequency of a reference clock; 기준 클록 주파수에 응답하여 변하는 데이타 펄스폭을 한정하는 데이타 펄스 활성화 모서리와 데이타 펄스 탈활성화 모서리를 갖는 데이타 펄스를 데이타 유효 싸이클동안 제공하는 데이타 입력노드(상기 데이타 펄스 활성화 모서리는 주파수종속지연 만큼 상기 사전충전 펄스 탈활성화 모서리로부터 지연된다);A data input node providing a data pulse having a data pulse activation edge and a data pulse deactivation edge during a data valid cycle, the data pulse activation edge defining a data pulse width varying in response to a reference clock frequency, Delayed from the charge pulse deactivation edge); 다수의 평가장치중 첫 번째 평가장치는 상기 데이타 입력노드에 연결되며 두번째 평가장치는 제1논리레벨에 연결되는 다수의 평가장치;A plurality of evaluation devices, wherein a first evaluation device of the plurality of evaluation devices is connected to the data input node and a second evaluation device is connected to the first logic level; 상기 사전충전 노드에 연결된 출력노드; 그리고An output node coupled to the pre-charged node; And 상기 사전충전 노드, 상기 출력노드 그리고 제2논리레벨에 연결된 사전충전장치(상기 사전충전 장치는 상기 출력노드를 상기 사전충전 펄스에 응답하여 상기 제2논리레벨에 연결시킨다)를 포함하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.A precharge device coupled to the precharge node, the output node and a second logic level, the precharge device coupling the output node to the second logic level in response to the precharge pulse, How to evaluate logic inputs in response. 제 20 항에 있어서, 상기 데이타 펄스 활성화 모서리와 상기 사전충전 펄스 탈활성화 모서리가 적어도 두개의 클록에 의해 발생되며, 상기 적어도 두개의 클록은 서로에 대해 위상 이동된 클록을 나타냄을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.21. The method of claim 20, wherein the data pulse activation edge and the precharge pulse deactivation edge are generated by at least two clocks, wherein the at least two clocks represent a phase shifted relative to each other. To evaluate logic inputs. 제 21 항에 있어서, 상기 2개의 클록이 PLL 회로를 사용하여 상기 기준클록으로부터 발생됨을 특징으로 하는 기준클록에 응답하여 논리입력을 평가하는 방법.22. The method of claim 21, wherein the two clocks are generated from the reference clock using a PLL circuit.
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