KR100410590B1 - Image sensor and Method for fabricating image sensor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이미지센서의 마이크로렌즈에 관한 것으로 페시베이션막을 식각하여 칼라필터를 형성함으로써 마이크로렌즈의 촛점거리가 줄어들어 빛의 감도가 향상되며 또한 smear현상을 줄일 수 있고 또한 마이크로렌즈 형성시 틀의 역할을 할 수 있는 구조를 얻을 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법이다. 이러한 것을 달셩하기 위한 본 발명은, 기판 상에 형성된 수광소자를 포함하는 이미지센서 관련 소자들; 상기 소자들 상부에 형성되며 상기 수광소자에 대응되는 영역이 오픈되되, 그 측면이 경사지게 형성된 최종금속배선; 상기 최종금속배선의 표면을 따라 일정두께로 형성된 소자보호막; 상기 수광소자에 대응되는 영역인 상기 최종금속배선 및 상기 소자보호막 사이의 영역에 매립된 칼라필터; 및 상기 소자보호막을 틀로 하여, 상기 칼라필터에 접하며 형성된 마이크로렌즈를 포함하여 이루어진다.The present invention relates to a microlens of an image sensor to form a color filter by etching a passivation film, thereby reducing the focal length of the microlens, thereby improving light sensitivity, reducing smear and also serving as a framework for forming a microlens. An image sensor and a method of manufacturing the same can be obtained. The present invention for solving this, the image sensor-related elements including a light receiving element formed on a substrate; A final metal wiring formed on the elements and having a region corresponding to the light receiving element being opened, the side of which is inclined; A device protection film formed at a predetermined thickness along the surface of the final metal wiring; A color filter embedded in an area between the final metal wiring and the device protection layer, which is an area corresponding to the light receiving device; And a microlens formed in contact with the color filter using the device protective film as a frame.
Description
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an image sensor, and more particularly, to an image sensor and a manufacturing method thereof.
잘 알려진 바와 같이, 칼라 이미지를 구현하기 위한 이미지센서는 외부로부터의 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부분 상부에 칼라 필터가 어레이되어 있다. 칼라필터어레이(CFA : Color Filter Array)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 칼라로 이루어지거나, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다.As is well known, an image sensor for implementing a color image has an array of color filters on the light sensing portion that receives and receives light from the outside to generate and accumulate photocharges. The color filter array (CFA) consists of three colors: red, green, and blue, or three colors: yellow, magenta, and cyan. It is made of collar.
또한, 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있는바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주기 위하여 광감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼리필터 상에 마이크로렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.In addition, the image sensor is composed of a light sensing part for detecting light and a logic circuit part for processing the detected light as an electrical signal to make data. The ratio of the area of the light sensing part to the overall image sensor element is increased to increase the light sensitivity. Efforts have been made to increase the fill factor, but these efforts are limited in a limited area because the logic circuit part cannot be removed. Therefore, a condensing technology has emerged to change the path of light incident to a region other than the light sensing portion to raise the light sensitivity, and to collect the light sensing portion. For this purpose, the image sensor forms microlens on the kali filter. I'm using the method.
종래의 일반적인 이미지센서의 제조방법을 도1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A conventional method of manufacturing an image sensor will be described with reference to FIG. 1.
기판(1)위에 소자간의 전기적인 절연을 위하여 필드산화막(2)을 형성한 후폴리실리콘과 텅스텐 실리사이드막을 연속적으로 도포하고 패턴닝함으로써 게이트 전극을 형성한다.(게이트전극은 도1에 도시되어 있지않다.)After forming the field oxide film 2 on the substrate 1 for electrical insulation between the devices, a gate electrode is formed by successively applying and patterning a polysilicon and a tungsten silicide film. (The gate electrode is not shown in Fig. 1). not.)
이후 적절한 이온주입 공정을 진행함으로써 포토다이오드(3)를 형성하고 트랜지스터의 소오스/드레인 및 센싱노드를 형성하기 위한 이온주입을 실시한 후 층간절연막, 제1금속배선을 형성한다. 그리고 그 상부에 금속층간절연막, 제2금속배선을 형성한다.Thereafter, an appropriate ion implantation process is performed to form the photodiode 3 and to perform ion implantation for forming a source / drain and a sensing node of the transistor, and then to form an interlayer insulating film and a first metal wiring. A metal interlayer insulating film and a second metal wiring are formed thereon.
도1의 도면부호(4)는 층간절연막, 제1금속배선, 금속층간절연막, 제2금속배선등이 형성되어 있는 하부막을 나타낸 것이고 도1의 도면부호(5)는 최종 금속배선을 도시한 것이다. 마지막으로 최종 금속배선(5) 상부에 페시베이션보호막(6)을 형성하면 일반 시모스 로직 프로세스가 완료된다.Reference numeral 4 in FIG. 1 shows a lower layer on which an interlayer insulating film, a first metal wiring, a metal interlayer insulating film, a second metal wiring, and the like are formed, and reference numeral 5 in FIG. 1 shows a final metal wiring. . Finally, when the passivation protective film 6 is formed on the final metallization 5, the general CMOS logic process is completed.
이후 칼라 이미지 구현을 위한 세가지 종류의 칼라필터 형성공정을 진행하고 OCL(Over Coating Layer)막(8)을 이용한 평탄화 공정을 진행하여 칼라필터어레이를 형성한다. 칼라필터의 물질은 통상 염색된 포토레지스트를 사용한다.Thereafter, three types of color filter forming processes are performed to implement a color image, and a color filter array is formed by performing a planarization process using an OCL (Over Coating Layer) film 8. The material of the color filter usually uses dyed photoresist.
OCL(8)은 일종의 감광막으로서 후속 마이크로렌즈 마스크 패터닝을 용이하게 하기 위한 평탄화 목적으로 쓰인다. OCL막을 이용하여 평탄화공정을 수행한 다음 광집속율을 증가시키기 위해 마이크로렌즈(10)를 형성하는데 마이크로렌즈는 주로 유기물 포토레지스트 물질을 이용하여 형성되며 다음과 같이 수행된다.The OCL 8 is a kind of photoresist and is used for the purpose of flattening to facilitate subsequent microlens mask patterning. After the planarization process using the OCL film, the microlenses 10 are formed to increase the light focusing rate. The microlenses are mainly formed using an organic photoresist material and are performed as follows.
마이크로렌즈 감광제를 도포한 후 마스크 공정을 통해 패턴을 형성한다. 이후 베이킹을 하여 마이크로렌즈를 플로우 시켜서 돔 형태의 마이크로렌즈를 형성시키게 된다.After applying the microlens photosensitizer, a pattern is formed through a mask process. After baking, the microlens is flowed to form a dome-shaped microlens.
종래의 칼라필터 제조시 페시베이션 보호막 형성 후 블루, 레드, 그린의 순으로 칼라필터를 제조하게 된다. 이때에 인접한 칼라필터는 서로 겹쳐지게 되어 표면이 평탄하지 않아 곧바로 마이크로렌즈를 형성할 수 없었다.In the conventional color filter manufacturing, after forming the passivation protective film, the color filters are manufactured in the order of blue, red, and green. At this time, the adjacent color filters overlap with each other, and thus the surface is not flat, and thus the microlenses cannot be formed immediately.
따라서 평탄화막을 형성한 뒤에나 마이크로렌즈를 형성할 수 있었기 때문에 평탄화물질로 인해 마이크로렌즈의 촛점거리가 증가하게 되고 광특성이 저하되는 단점이 있었다.Therefore, since the microlens can be formed after the planarization film is formed, the focusing distance of the microlens increases due to the planarization material and the optical characteristics are deteriorated.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로 마이크로렌즈의 촛점거리를 줄인 이미지센서 및 그 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an image sensor and a method of manufacturing the same to reduce the focal length of the microlens to solve the above problems.
도1은 종래의 이미지센서를 도시한 도면1 is a view showing a conventional image sensor
도2 내지 도6은 본 발명에 따른 이미지센서의 제조공정을 도시한 도면2 to 6 illustrate a manufacturing process of an image sensor according to the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 기판 2 : 필드산화막1 substrate 2 field oxide film
3 : 포토다이오드 4 : 하부막3: photodiode 4: lower film
5 : 최종금속배선 6 : 페시베이션보호막5: final metal wiring 6: passivation protective film
7 : 칼라필터 8 : 오버코팅레이어7: Color filter 8: Overcoat layer
9 : 마이크로렌즈 10 : 산화막9 microlens 10 oxide film
11 : 최종 금속배선 12 : 페시베이션보호막11: final metallization 12: passivation protective film
13 : 칼라필터 14 : 마이크로렌즈13 color filter 14 microlens
15 : 산화막15: oxide film
상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 기판 상에 형성된 수광소자를 포함하는 이미지센서 관련 소자들; 상기 소자들 상부에 형성되며 상기 수광소자에 대응되는 영역이 오픈되되, 그 측면이 경사지게 형성된 최종금속배선; 상기 최종금속배선의 표면을 따라 일정두께로 형성된 소자보호막; 상기 수광소자에 대응되는 영역인 상기 최종금속배선 및 상기 소자보호막 사이의 영역에 매립된 칼라필터; 및 상기 소자보호막을 틀로 하여, 상기 칼라필터에 접하며 형성된 마이크로렌즈를 포함하여 이루어진다.The present invention to solve the conventional problems as described above, the image sensor-related elements including a light receiving element formed on a substrate; A final metal wiring formed on the elements and having a region corresponding to the light receiving element being opened, the side of which is inclined; A device protection film formed at a predetermined thickness along the surface of the final metal wiring; A color filter embedded in an area between the final metal wiring and the device protection layer, which is an area corresponding to the light receiving device; And a microlens formed in contact with the color filter using the device protective film as a frame.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention.
도2 내지 도6은 본발명에 따른 실시예를 도시한 도면으로 이를 참조하여 설명하면 다음과 같다.2 to 6 illustrate an embodiment according to the present invention with reference to this as follows.
본 발명의 실시예 중 최종 금속배선(11)을 형성까지의 공정은 종래기술과 동일하며 최종 금속배선(11)을 형성한 후의 공정이 도2에 도시되어 있다. 본 발명에의하면 최종 금속배선(11) 사이에 칼라필터가 형성되며, 이를 위해 최종 금속배선을 형성한 후 도2에 도시된 것처럼 경사지게 식각하여 그 하부로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상을 갖게 한다. 그 후에 페시베이션 보호막(12)을 형성하는데 상기 페시베이션 보호막(12)의 두께와 최종 금속배선(11)의 두께의 합이 후속 공정에서 형성될 칼라필터의 두께보다 조금 더 두껍도록 형성한다.In the embodiment of the present invention, the process up to the formation of the final metallization 11 is the same as in the prior art, and the process after the formation of the final metallization 11 is shown in FIG. According to the present invention, a color filter is formed between the final metal wires 11, and for this purpose, the final metal wires are formed and then etched obliquely as shown in FIG. 2 to have a trapezoidal shape that becomes wider toward the bottom thereof. Thereafter, the passivation protective film 12 is formed so that the sum of the thickness of the passivation protective film 12 and the thickness of the final metal wiring 11 is formed to be slightly thicker than the thickness of the color filter to be formed in a subsequent process.
페시베이션 보호막(12)을 형성한 후에 이를 최종 금속배선(11)과 마찬가지로 경사지게 식각하여 상기의 사다리꼴 형상을 만든다. 이와 같이 페시베이션보호막 (12)을 경사지게 식각할 때는 최종 금속배선 상부에 페시베이션 보호막이 남는 면적이 최소화되도록 식각하며 또한 금속배선 측면에 남겨지는 페시베이션 보호막도 되도록 얇게 형성되도록 식각한다.After the passivation protective film 12 is formed, it is etched obliquely as in the final metal wiring 11 to form the trapezoidal shape. As such, when the passivation passivation layer 12 is inclinedly etched, the passivation passivation layer is etched to minimize the area of the passivation passivation layer on the top of the final metal line, and the passivation passivation layer, which is left on the side of the metal line, is etched to be thinly formed.
페시베이션 보호막이 얇아져도 후속 공정에서 칼라필터를 보호하기 위한 산화막이 증착되므로 하부에 존재하는 막 보호에는 문제가 없다.Even if the passivation passivation layer is thin, there is no problem in protecting the film underneath since an oxide layer is deposited to protect the color filter in a subsequent process.
도3은 최종 금속배선(11)과 페시베이션 보호막(12)이 경사지게 식각된 모습과 그 결과물상에 칼라필터 형성물질인 레지스트(13)을 도포한 모습을 도시한 도면이다.FIG. 3 is a view showing the final metal wiring 11 and the passivation protective film 12 being etched obliquely, and the resultant coating of the resist 13, which is a color filter forming material, on the resultant.
칼라필터 형성물질을 도포한 후 노광/현상 공정을 통해 3가지 칼라필터를 형성한다. 본 발명에서는 도 4에 도시된 바와 같이 최종 금속배선(11)과 최종 금속배선(11) 사이에 칼라필터(13)가 형성되게 된다.After applying the color filter forming material, three color filters are formed through an exposure / development process. In the present invention, as shown in FIG. 4, the color filter 13 is formed between the final metal wiring 11 and the final metal wiring 11.
본 발명에서 최종 금속배선 및 페시베이션 보호막을 경사지게 식각한 이유는 도4와 같이 칼라필터가 형성될 경우에 칼라필터용 레지스트가 균일하게 도포되고 또한 칼라필터(13)의 상부 면적을 넓힘으로써 후속 공정의 마이크로렌즈를 보다 크게 형성할 수 있기 때문이다.The reason why the final metallization and passivation protective film are etched obliquely in the present invention is that when the color filter is formed as shown in FIG. 4, the resist for the color filter is uniformly applied, and the subsequent process is performed by widening the upper area of the color filter 13. This is because the microlens can be made larger.
또한 본 발명에서는 도4에 도시된 바와 같이 경사식각 후 남아있는 페시베이션 보호막(12)의 높이가 칼라필터(13)의 높이보다 약간 높도록 페시베이션 보호막 (12)의 증착두께를 조절하였다. 그 이유는 도 5에 도시된 바와 같이 칼라필터(13)상에 반구형의 마이크로렌즈(14)를 형성할 때 약간 높게 튀어나온 부분이 틀 역할을 해주어 마이크로렌즈 플로우시에 포토레지스트가 서로 붙어버리는 브리지 현상을 방지하고 또한 형성되는 반구형의 마이크로렌즈(14)의 크기를 일정하게 해주기 위해서이다.In addition, in the present invention, the deposition thickness of the passivation protective film 12 is adjusted such that the height of the passivation protective film 12 remaining after the inclined etching is slightly higher than the height of the color filter 13 as shown in FIG. The reason for this is that when the hemispherical microlens 14 is formed on the color filter 13 as shown in FIG. 5, a portion that protrudes slightly higher serves as a frame so that photoresist sticks to each other during microlens flow. This is to prevent the phenomenon and to make the size of the hemispherical microlenses 14 formed constant.
최종 금속배선(11)과 페시베이션 보호막(12)이 경사지게 식각된 구조들 사이에 칼라필터(13)가 형성되고 칼라필터(13) 상부에 반구형의 마이크로렌즈(14)가 형성된모습이 도5에 도시되었다. 마이크로렌즈를 형성한 후에는 금속 패드 식각시에 마이크로렌즈의 보호 및 마이크로렌즈의 크기 확대를 위하여 상기 마이크로렌즈의 표면에 일정두께의 저온 산화막(15)을 증착한 모습이 도6에 도시되어 있다.The color filter 13 is formed between the structures in which the final metallization 11 and the passivation passivation layer 12 are etched obliquely, and a hemispherical microlens 14 is formed on the color filter 13. Has been shown. After the microlens is formed, a low-temperature oxide film 15 having a predetermined thickness is deposited on the surface of the microlens to protect the microlens and enlarge the size of the microlens during metal pad etching.
상술한 바와 같이 칼라필터를 형성하게 되면 종래에 사용되던 평탄화막을 형성하지 않으므로 마이크로렌즈의 촛점거리가 짧아지며 또한 마이크로렌즈 형성시 틀 역할을 할 수 있는 구조를 얻을 수 있어 이미지센서의 광특성이 좋아진다.When the color filter is formed as described above, since the flattening film used in the prior art is not formed, the focal length of the microlens is shortened and a structure that can play a role in forming the microlens can be obtained, so that the optical characteristic of the image sensor is good. Lose.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and the present invention may be variously substituted, modified, and changed without departing from the spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.
본 발명에서는 페시베이션막을 식각하여 칼라필터를 형성함으로써 마이크로렌즈의 촛점거리가 줄어들어 빛의 감도가 향상되고 smear현상을 줄이는 효과가 있으며 또한 마이크로렌즈 형성시 틀의 역할을 할 수 있는 구조를 얻을 수 있기 때문에 균일한 크기의 마이크로렌즈를 형성할 수 있어 센서의 광감도가 향상되고 또한 브리지 현상도 줄일 수 있는 효과가 있다.In the present invention, by forming a color filter by etching the passivation film, the focal length of the microlenses is reduced, thereby improving the sensitivity of light, reducing the smear phenomenon, and obtaining a structure that can serve as a framework for forming the microlenses. Therefore, a uniform size of the microlens can be formed, thereby improving the light sensitivity of the sensor and reducing the bridge phenomenon.
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0485960A (en) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Toshiba Corp | Solid state pickup device and manufacture thereof |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485960A (en) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Toshiba Corp | Solid state pickup device and manufacture thereof |
| JP2000340776A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Sharp Corp | Solid-state image pickup device and manufacture thereof |
| KR20010004173A (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-15 | 김영환 | Method for fabricating image sensor |
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