KR100407520B1 - A high voltage surge resistors and a method for manufacturing thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고 전압 써지 저항기 및 그 제조방법에 관한 것으로, 스파터링 법으로 박막을 제조하는데 있어 진공 분위기 하에서 아르곤 + 질소 가스를 주입하면서 세라믹 소자의 표면에 크롬과 실리콘이 함유된 금속으로 이루어진 제 1 층을 형성하는 제 1 단계와, 제 1 층 위에 진공 분위기 하에서 아르곤 가스만을 주입하면서 제 2 층을 형성하는 제 2 단계와, 제 2 층 위에 진공분위기 하에서 아르곤 + 질소 가스를 주입하면서 제 3 층을 형성하는 제 3 단계를 포함하는 고 전압 써지 저항기의 피막 제조 방법 및 그와 같은 제조방법으로 제조된 피막을 포함하는 고 전압 써지 저항기를 제공한다.본 발명에 따르면, 금속 피막 저항기의 피막을 3단계 증착 방법으로 증착하여 저항값 범위를 100Ω에서 150㏀ 까지 확대 할 수 있으며 피막의 두께를 1㎛ 이상으로 하여 고전압을 요구하는 써지 저항기로 금속 피막 저항기를 이용할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The present invention relates to a high voltage surge resistor and a method for manufacturing the same, the first method comprising a metal containing chromium and silicon on the surface of a ceramic device while argon + nitrogen gas is injected in a vacuum atmosphere to produce a thin film by the sputtering method A first step of forming a layer, a second step of forming a second layer while injecting only argon gas under a vacuum atmosphere on the first layer, and a third layer while injecting argon + nitrogen gas under a vacuum atmosphere on the second layer. Provided are a method of manufacturing a film of a high voltage surge resistor comprising a third step of forming and a high voltage surge resistor comprising a film prepared by such a manufacturing method. By depositing by vapor deposition method, resistance range can be extended from 100Ω to 150㏀ and the film thickness should be over 1㎛. A surge resistor requiring voltage effect can be obtained that can be used for the metal film resistor.
Description
본 발명은 고 전압 써지 저항기 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 피막 저항기의 피막을 3단계 증착방법으로 증착하여 저항값 범위 확대 및 피막 두께의 안정화로 고전압을 요구하는 써지 저항기로 금속 피막 저항기를 이용할 수 있도록 한 고 전압 써지 저항기 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a high voltage surge resistor and a method of manufacturing the same, and more particularly, a metal as a surge resistor that requires a high voltage by expanding the resistance value range and stabilizing the film thickness by depositing the film of the metal film resistor by a three-step deposition method. The present invention relates to a high voltage surge resistor and a method of manufacturing the same that enable a film resistor to be used.
일반적으로 저항기는 회로에서 전류를 제한하고 전압강하를 주기 위해 사용되는 전자소자이며, 저항소자에 도포되는 피막의 종류 및 두께에 따라 저항값이 달라지며 저 저항의 경우는 피막의 두께가 두껍고, 고 저항의 경우는 두께가 얇아진다. 따라서 저 저항은 전기적 특성이 안정적이나 고 저항은 특성이 불안정하다. 또한 저항기는 그 표면에 도포되는 피막의 종류에 따라 카본 저항, 니켈 저항, 산화 금속 저항, 메탈 글레이즈 저항, 금속 저항 등으로 구분 사용된다.In general, resistors are electronic devices used to limit the current and impart a voltage drop in a circuit, and the resistance value varies depending on the type and thickness of the coating applied to the resistor. In the case of low resistance, the thickness of the coating is thick and high. In the case of resistance, the thickness becomes thinner. Therefore, low resistance is stable electrical characteristics, but high resistance is unstable. In addition, resistors are classified into carbon resistors, nickel resistors, metal oxide resistors, metal glaze resistors, and metal resistors, depending on the type of coating applied to the surface thereof.
이러한 여러 종류의 저항기 중 현재 일반 저항기로 사용되는 금속 피막 저항기는 최대 사용전압이 750V 이하이며 저항 값 범위도 16㏀ 이상은 불가능하다. 이처럼 최대 사용전압이 낮은 것은 증착되는 피막층이 얇아서 그 이상의 전압에 견디질 못하기 때문이다. 또한, 저항값을 높이기 위해선 피막 층을 얇게 증착해야 하나 피막층이 얇을 경우 전기적 특성 및 내전압 특성에 문제가 발생되기 때문에 최대 저항값을 높이는데 한계가 있다.Among these resistors, the metallized resistors currently used as general resistors have a maximum working voltage of less than 750V and a resistance range of 16 kΩ or more. The low maximum voltage is because the deposited layer is thin and cannot withstand more voltage. In addition, in order to increase the resistance value, the coating layer must be thinly deposited, but when the coating layer is thin, there is a limit in increasing the maximum resistance value because of problems in electrical characteristics and withstand voltage characteristics.
한편, 종래의 금속 피막 저항기의 피막은 통상 스파터링 방법으로 제조되는 바, 스퍼터링 장비를 이용하여 Al2O3가 함유된 세라믹 소자에 통상적으로 3 ×10-3Torr 진공 분위기 하에서 아르곤(Ar) 가스를 주입하면서 타겟 물질인 니켈-알루미늄 합금 혹은 크롬-니켈 합금을 증착한다.On the other hand, the film of the conventional metal film resistor is usually manufactured by a sputtering method, argon (Ar) gas in a 3 × 10 -3 Torr vacuum atmosphere in a ceramic element containing Al 2 O 3 using a sputtering equipment, typically While depositing the target material to deposit a nickel-aluminum alloy or chromium-nickel alloy.
한편, 써지 저항 및 낙뢰전압으로부터 화재 발생 및 주위 부품 보호에 사용되는 고전압(5KV∼10KV)에 견딜 수 있는 고전압 써지 저항기로 예전에는 주로 고가의 메탈 그레이즈 저항기를 사용하고 있으나, 최근 들어 상대적으로 제조 원가가 저렴한 금속 피막 저항기를 이용하려는 기술적인 노력들이 진행되고 있다.On the other hand, it is a high voltage surge resistor that can withstand the high voltage (5KV ~ 10KV) used for the protection of fire and surrounding parts from surge resistance and lightning voltage. Technical efforts are underway to use inexpensive metallized resistors.
그러나, 종래의 금속 피막 저항기의 피막 증착 방법은 1회의 진공증착으로 이루어지기 때문에 피막의 두께가 대략 0.2∼0.3 ㎛로 두께가 얇고 피막이 불안정하여 앞서 언급한 바와 같이, 10KV의 고전압에 견디기에는 한계가 있을 뿐만 아니라 저항 값 범위를 높이는데도 어려움이 있었다.However, since the film deposition method of the conventional metal film resistor is made by one vacuum deposition, the film thickness is about 0.2 to 0.3 μm, the thickness is thin and the film is unstable, and as mentioned above, there is a limit to endure a high voltage of 10 KV. In addition, there was a difficulty in increasing the resistance value range.
본 발명은 이와 같은 종래기술의 단점을 해결하고 기술적인 요구에 부응하기 위한 것으로, 금속 피막 저항기의 피막을 3단계 증착방법으로 증착하여 저항값 범위 확대 및 피막 두께의 안정화로 고전압을 요구하는 써지 저항기로 금속 피막 저항기를 이용할 수 있도록 한 고 전압 써지 저항기 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the disadvantages of the prior art and to meet the technical requirements, a surge resistor that requires a high voltage by expanding the resistance value range and stabilization of the film thickness by depositing the film of the metal film resistor in a three-step deposition method It is an object of the present invention to provide a high voltage surge resistor and a method of manufacturing the same, which enable the use of a low metal film resistor.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 금속 피막 저항기를 고 전압 써지 저항기로 이용할 수 있도록 피막을 증착하는 방법에 있어서, 진공 분위기 하에서 아르곤 + 질소 가스를 주입하면서 세라믹 소자의 표면에 크롬과 실리콘이 함유된 금속으로 이루어진 제 1 층을 형성하는 제 1 단계와, 제 1 층 위에 진공 분위기 하에서 아르곤 가스만을 주입하면서 제 2 층을 형성하는 제 2 단계와, 제 2 층 위에 진공분위기 하에서 아르곤 + 질소 가스를 주입하면서 제 3 층을 형성하는 제 3단계를 포함하는 고 전압 써지 저항기의 피막 제조 방법 및 그와 같은 제조방법으로 제조된 피막을 포함하는 고 전압 써지 저항기를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of depositing a film to use a metal film resistor as a high voltage surge resistor, wherein chromium and silicon are contained on the surface of a ceramic device while argon + nitrogen gas is injected in a vacuum atmosphere. A first step of forming a first layer made of a metal, a second step of forming a second layer while injecting only argon gas under a vacuum atmosphere on the first layer, and argon + nitrogen gas under a vacuum atmosphere on the second layer. A method of manufacturing a film of a high voltage surge resistor comprising a third step of forming a third layer while injecting and a high voltage surge resistor comprising a film made by such a manufacturing method.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 금속 피막 저항기의 피막형성 단면을 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing the film-forming cross section of the metal film resistor according to an embodiment of the present invention,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 3층 구조의 저항체 박막의 오제이 전자현미경 분석 결과를 나타낸 그래프.Figure 2 is a graph showing the results of OJ electron microscope analysis of the resistor thin film of the three-layer structure according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 완성된 금속 피막 저항기의 구성을 도시한 단면도.<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>3 is a cross-sectional view showing the configuration of a completed metal film resistor according to an embodiment of the present invention.
10 : 세라믹 소자 11 : 제 1 층10 ceramic element 11: first layer
12 : 제 2 층 13 : 제 3 층12: second layer 13: third layer
14 : 저항체(피막) 15 : 실리콘 바니쉬14: resistor (film) 15: silicon varnish
16 : 주석 캡 17 : 리드선16: tin cap 17: lead wire
18 : 패놀 에폭시 19 : 실리콘 불연성 도료18: phenol epoxy 19: silicone non-flammable paint
이하, 본 발명에 따른 구체적인 실시 예를 첨부도면과 함께 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 금속 피막 저항기의 피막형성 단면을 도시한 단면도이며, 도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 완성된 금속 피막 저항기의 구성을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a film-forming cross section of the metal film resistor according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing the configuration of a completed metal film resistor according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시 된 바와 같이, 본 발명의 일실시 예에 따른 고 전압 써지 저항기로 이용할 수 있는 금속 피막 저항기의 피막 제조방법은 진공 분위기 하에서 아르곤 + 질소 가스를 주입하면서 세라믹 소자(10)의 표면에 크롬과 실리콘이 함유된 금속으로 이루어진 제 1 층(11)을 형성하는 제 1 단계와, 제 1 층(11) 위에 진공 분위기 하에서 아르곤 가스만을 주입하면서 제 2 층(12)을 형성하는 제 2 단계와, 제 2 층(12) 위에 진공분위기 하에서 아르곤 + 질소 가스를 주입하면서 제 3 층(13)을 형성하는 제 3 단계를 포함한다.한편, 본 발명에서는 진공 증착 되는 피막이 3 단계에 의해 3층 구조로 이루어지는 피막 형성 방법을 3층 진공 증착 방법이라 정의하여, 기존의 단일층으로 이루어진 피막 형성 방법과 구별될 수 있도록 하였다.As shown in FIG. 1, a method of manufacturing a film of a metal film resistor that can be used as a high voltage surge resistor according to an embodiment of the present invention is applied to the surface of the ceramic device 10 while injecting argon + nitrogen gas under a vacuum atmosphere. A first step of forming a first layer 11 made of a metal containing chromium and silicon, and a second step of forming a second layer 12 while injecting only argon gas under the vacuum atmosphere on the first layer 11; And a third step of forming the third layer 13 while injecting argon + nitrogen gas under the vacuum atmosphere on the second layer 12. Meanwhile, in the present invention, the film to be vacuum deposited is three layers in three steps. The film forming method consisting of the structure was defined as a three-layer vacuum deposition method, so that it can be distinguished from the existing single film forming method.
본 발명에 따른 3층 진공 증착 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Referring to the three-layer vacuum deposition method according to the present invention in detail.
먼저, Al2O3가 함유된 세라믹 소자를 600℃의 오븐(Oven)에 4시간 동안 열처리하여 세라믹 소자에 무기물 및 유기물의 불순물을 소각시켜 피막(14)의 접착력을 향상시킨다.First, the ceramic device containing Al 2 O 3 is heat-treated in an oven at 600 ° C. for 4 hours to incinerate impurities of inorganic and organic materials to the ceramic device to improve adhesion of the coating 14.
제 1 단계에서는 3 ×10-3Torr 진공 분위기 하에서 전류 1. 5 A, 작업시간 30분, 아르곤(Ar) + 질소(N2) 가스를 동시에 주입하면서 타겟 물질인 크롬-실리콘 합금을 세라믹 소자 표면에 증착한다. 이때 아르곤과 질소 가스는 혼합비율은 아르곤 : 70% + 질소 : 30% 가 바람직하다. 이러한 혼합가스를 사용하여 스파터링 증착을 하게 되면 플라즈마에 의하여 타겟 표면에서 튀어나온 금속 입자가 세라믹소자에 피착되는 도중에 스파터 가스에 혼합된 질소와 반응하여 질화물 박막을 형성하게 되는데 이 질화물 박막은 계속해서 증착되는 금속박막과 세라믹 소자의 중간층으로서 박막의 접착력을 향상시키는 역할을 하게 되는 것으로 판단된다. 즉 질소이온의 반경이 0.1Å정도로 산소이온의 반경이 0.13Å에 비하여 작기 때문에 산소를 포함하지 않은 제 2층과 산소를 포함한 세라믹 소자 사이에서 완충작용을 함으로서 접착력을 향상시키는 것으로 생각된다. 또 산화막의 증착 속도가 0.7Å/sec로 금속박막의 증착 속도가 4.1Å/sec 에 비하여 매우 낮아서 세라믹소자에 얇고 균일하게 피착 되어 접착력을 높일 뿐만 아니라 세라믹 소자로부터 산소의 유입을 방지하여 상대적으로 산화에 취약한 제 2층의 산화를 방지하는 역할도 할 것으로 생각된다.In the first step, the surface of the ceramic device is chromium-silicon alloy which is a target material while simultaneously injecting 1.5 A of current, 30 minutes of working time, and argon (Ar) + nitrogen (N 2 ) gas under a vacuum atmosphere of 3 × 10 -3 Torr To be deposited on. At this time, the mixing ratio of argon and nitrogen gas is preferably argon: 70% + nitrogen: 30%. When the sputtering deposition is performed using such a mixed gas, metal particles protruding from the target surface by plasma react with nitrogen mixed in the spatter gas to form a nitride thin film while being deposited on the ceramic device. It is judged to play a role of improving the adhesive force of the thin film as an intermediate layer between the deposited metal thin film and the ceramic element. That is, since the radius of nitrogen ion is about 0.1 kPa and the radius of oxygen ion is smaller than 0.13 kPa, it is thought that the adhesive force is improved by buffering between the 2nd layer which does not contain oxygen, and the ceramic element containing oxygen. In addition, the deposition rate of the oxide film is 0.7Å / sec and the deposition rate of the metal thin film is very low compared to 4.1Å / sec. It is also thought to play a role in preventing oxidation of the second layer, which is vulnerable.
제 1 단계에서 증착되는 제 1 층(11)은 저항체로서, 제 1 층(11)의 두께는 0.1∼0.2㎛으로 10㏁∼20㏁ 의 높은 저항 값이 형성된다.The first layer 11 deposited in the first step is a resistor, and the first layer 11 has a thickness of 0.1 to 0.2 µm, and a high resistance value of 10 to 20 Hz is formed.
제 2 단계에서는 제 1 층(11) 위에 3 ×10-3Torr 진공 분위기 하에서 아르곤(Ar) 가스만이 주입된다. 즉, 비활성 물질인 질소 가스의 주입이 중단되면 아르곤 이온이 타겟에 계속 부딪히게 되고 이 충격으로 크롬, 실리콘이 분해되면서 세라믹 소자(10)의 제 1 층(11) 위에 제 2 층(12)이 증착된다. 여기서, 작업시간을 길게 주고 전압을 높이면 낮은 저항 값이 만들어지고, 반대로 작업시간을 짧게 하고 전압을 낮추면 저항 값은 상승하게 된다. 제 2 단계에서 저항체의 두께 즉, 제 2 층(12)의 두께는 0.6∼1.0㎛가 형성되며, 본 발명에서 요구하는 저항값의 대부분이 결정된다.In the second step, only argon (Ar) gas is injected onto the first layer 11 under a 3 × 10 −3 Torr vacuum atmosphere. That is, when the injection of nitrogen gas, which is an inert material, is stopped, argon ions continue to hit the target, and chromium and silicon are decomposed by the impact, so that the second layer 12 is formed on the first layer 11 of the ceramic element 10. Is deposited. Here, when the working time is long and the voltage is increased, a low resistance value is created. On the contrary, when the working time is shortened and the voltage is decreased, the resistance value is increased. In the second step, the thickness of the resistor, that is, the thickness of the second layer 12 is 0.6 to 1.0 mu m, and most of the resistance values required by the present invention are determined.
제 3 단계에서는 제 2 층(12) 위에 3 ×10-3Torr 진공 분위기 하에서 아르곤(Ar) + 질소(N2) 가스를 동시에 주입하면서 제 1 단계와 동일하게 진행되며, 제 3 층(13)의 증착이 완료되면 저항체로써 3층 구조의 진공 증착 공정이 완료되며 그때의 저항값의 범위는 100Ω부터 150㏀까지 만들 수 있으며 박막(film)의 두께는 ≥0.8 ㎛이상 가능하다. 이와 같이 본 발명은 크롬과 실리콘이 함유된 금속으로 이루어진 하나의 타겟물질을 사용하는 것으로, 파워와 가스의 조절만으로 피막의 종류와 두께를 결정할 수 있으므로 공정이 단축되어 경제적이며, 더구나 연속공정이므로 시간이 단축된다.In the third step, the same procedure as in the first step is performed while simultaneously injecting argon (Ar) + nitrogen (N 2 ) gas under a 3 × 10 −3 Torr vacuum atmosphere on the second layer 12, and the third layer 13. When the deposition of is completed, the vacuum deposition process of the three-layer structure is completed as a resistor, the resistance range at that time can be made from 100Ω to 150㏀ and the thickness of the film (≥ 0.8 ㎛) is possible. As described above, the present invention uses a single target material made of a metal containing chromium and silicon. Since the type and thickness of the film can be determined only by controlling power and gas, the process is shortened and economical. This is shortened.
도 2는 본 발명의 방법대로 제조된 3층 구조의 저항체 박막의 오제이 전자현미경 분석 결과를 보인 것이다. 이 도로부터 스파터 가스로 알곤과 질소 혼합가스를 사용한 제1단계 박막과 제 3단계 박막에는 박막 중에 질소가스가 함유되어 있는 것을 알 수 있으며 이로부터 이들 박막은 질화물의 상태임을 확실하게 알 수 있다.Figure 2 shows the results of the OJ electron microscope analysis of the resistor thin film of the three-layer structure prepared according to the method of the present invention. From this figure, it can be seen that the first and third stage thin films using argon and nitrogen mixed gas as the spatter gas contain nitrogen gas in the thin film, and it can be clearly understood that these thin films are in the state of nitride. .
한편, 본 발명에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 3층 구조로 증착된 저항체(14) 위에 실리콘 바니쉬(15)를 도포하여 운송 및 보관 중에 외부의 습기 침투로인한 부식을 방지하는 것이 바람직하다. 또한, 통상적으로 3층 구조의 저항체(14)에 전극을 형성하기 위한 주석 캡(16)이 저항체(14) 양단에 설치되고, 주석 캡(16) 양단에 리드선(17)을 융착시켜 단자를 형성하여 전자제품의 기판에 용접이 용이하도록 하며, 페놀 에폭시(18)를 도포하여 외부로부터의 습기 침투를 방지하여 부식성을 강화시키며, 실리콘 불연성 도료(19)를 도포하여 고전압 유입 시 발생될 수 있는 불꽃 현상을 억제 시키는 것이 바람직하다.On the other hand, according to the present invention, as shown in Figure 3, it is preferable to apply the silicon varnish 15 on the resistor 14 deposited in a three-layer structure to prevent corrosion due to moisture ingress during transportation and storage. . In addition, a tin cap 16 for forming an electrode in a resistor 14 having a three-layer structure is typically provided at both ends of the resistor 14, and leads are formed by fusing the lead wires 17 at both ends of the tin cap 16. To facilitate welding on the substrate of electronic products, and to prevent moisture penetration from the outside by applying phenol epoxy (18) to strengthen the corrosiveness, by applying a silicone non-flammable paint (19) to spark that can be generated when high voltage inflow It is desirable to suppress the phenomenon.
이와 같이, 제조된 본 발명에 따른 3층 구조의 저항체(14)에서 제 1 층(11)은 세라믹 소자에 금속 입자의 밀착성을 강화시키는 역할을 하며, 제 2 층(12)은 제품에서 요구하는 실질적인 저항값을 결정하며, 제 3 층(13)은 금속의 산화작용을 방지하는 것으로 파악되었다.As such, in the resistor 14 having the three-layer structure according to the present invention, the first layer 11 serves to enhance the adhesion of the metal particles to the ceramic element, and the second layer 12 is required for the product. In determining the actual resistance value, it was found that the third layer 13 prevents the oxidation of the metal.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 고안의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.In the above description, it should be understood that those skilled in the present invention can only make modifications and changes to the present invention without changing the gist of the present invention as merely illustrative of a preferred embodiment of the present invention.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 3층 진공 증착 방법은 피막이 10KV의 고전압을 견딜 수 있는 최소한의 피막 두께인 ≥1㎛ 이상을 유지시키면서도 피막의 두께를 균일화시켜 내전압 특성이 우수한 저항체를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, the three-layer vacuum deposition method can obtain a resistor having excellent withstand voltage characteristics by uniformizing the thickness of the film while maintaining the film thickness at least ≧ 1 μm, which is the minimum film thickness capable of withstanding a high voltage of 10 KV. have.
또한, 질소 가스의 주입으로 금속 피막의 산화작용을 방지하여 고전압에서도 견딜 수 있는 전기적 특성을 유지할 수 있다.In addition, the injection of nitrogen gas can prevent the oxidation of the metal film to maintain electrical characteristics that can withstand high voltage.
따라서, 10KV 이하의 써지 전압 및 낙뢰전압으로부터 화재발생 및 주위 부품 보호를 위해 각종 전자제품의 전원단에 사용할 수 있으며, 이와 같은 본 발명은 종래의 고전압 저항기에 사용되는 메탈그레이즈 저항기보다 훨씬 낮은 제조원가로 제조할 수 있는 효과를 가져온다.Therefore, it can be used in the power supply terminal of various electronic products for the protection of fire and surrounding components from surge voltage and lightning voltage of 10KV or less, and the present invention is much lower than the metal gray resistor used in the conventional high voltage resistor. The effect can be produced horizontally.
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4766411A (en) * | 1986-05-29 | 1988-08-23 | U.S. Philips Corporation | Use of compositionally modulated multilayer thin films as resistive material |
| US4992772A (en) * | 1988-03-14 | 1991-02-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Metal oxide film resistor |
| US5345212A (en) * | 1993-07-07 | 1994-09-06 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Power surge resistor with palladium and silver composition |
| KR970005081A (en) * | 1995-07-14 | 1997-02-19 | 김흥국 | Feed using food waste and manufacturing method thereof |
| KR19980064983A (en) * | 1998-06-11 | 1998-10-07 | 김익수 | High voltage resistance production method and thing |
| KR100214405B1 (en) * | 1996-03-15 | 1999-08-02 | 정태민 | Method for manufacturing the non-inductivity type surge resistor and resistor thereof |
| KR19990084472A (en) * | 1998-05-07 | 1999-12-06 | 김윤경 | Method of manufacturing pulse resistor and pulse resistor manufactured by the method |
-
2001
- 2001-09-04 KR KR10-2001-0054007A patent/KR100407520B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4766411A (en) * | 1986-05-29 | 1988-08-23 | U.S. Philips Corporation | Use of compositionally modulated multilayer thin films as resistive material |
| US4992772A (en) * | 1988-03-14 | 1991-02-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Metal oxide film resistor |
| US5345212A (en) * | 1993-07-07 | 1994-09-06 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Power surge resistor with palladium and silver composition |
| KR970005081A (en) * | 1995-07-14 | 1997-02-19 | 김흥국 | Feed using food waste and manufacturing method thereof |
| KR100214405B1 (en) * | 1996-03-15 | 1999-08-02 | 정태민 | Method for manufacturing the non-inductivity type surge resistor and resistor thereof |
| KR19990084472A (en) * | 1998-05-07 | 1999-12-06 | 김윤경 | Method of manufacturing pulse resistor and pulse resistor manufactured by the method |
| KR19980064983A (en) * | 1998-06-11 | 1998-10-07 | 김익수 | High voltage resistance production method and thing |
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| Publication number | Publication date |
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