KR100406730B1

KR100406730B1 - Polishing pad of chemical mechanical polisher

Info

Publication number: KR100406730B1
Application number: KR10-2000-0077918A
Authority: KR
Inventors: 김상용
Original assignee: 아남반도체 주식회사
Priority date: 2000-12-18
Filing date: 2000-12-18
Publication date: 2003-11-21
Also published as: KR20020048691A

Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드에 관한 것으로, 정확한 연마 정지점을 찾아내기 위하여, 연마 패드의 연질 패드에 그의 에지 부분을 따라 위치하되, 다른 부분보다 치밀한 조직을 가지는 장벽 패턴을 형성한다. 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드에는, 제1 패드 위에 제2 패드가 접착되어 있다. 제1 패드에는 제1 홀이 형성되고, 다른 부분에 비하여 치밀한 조직을 가지는 장벽 패턴이 에지 부분을 따라 형성되어 있으며, 제2 패드에는 제1 홀에 대응하는 제2 홀이 형성되어 있다. 이러한 제2 패드의 제2 홀에 투명 부재가 개재되어 있다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a polishing pad of a chemical mechanical polishing apparatus, in order to find an accurate polishing stop point, a barrier pattern is formed on the soft pad of the polishing pad along its edge portion, but with a denser structure than the other portion. In the polishing pad of the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention, a second pad is attached onto the first pad. A first hole is formed in the first pad, a barrier pattern having a dense structure compared to other portions is formed along the edge portion, and a second hole corresponding to the first hole is formed in the second pad. The transparent member is interposed in the second hole of the second pad.

Description

POLISHING PAD OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHER

본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing pad of a chemical mechanical polishing apparatus.

반도체 디바이스의 고집적화나 고밀도화에 따라 적층 구조를 갖는 디바이스가 제조됨에 따라, 웨이퍼 표면을 고정밀도로 평탄화하는 기술이 요구되게 되었다.BACKGROUND ART As a device having a laminated structure is manufactured in accordance with high integration and high density of semiconductor devices, a technique for planarizing a wafer surface with high precision is required.

이러한 웨이퍼의 평탄화 기술 중 하나로서, 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)가 있다. 화학 기계적 연마는 회전하는 플래튼(platen)에 접착된 연마 패드에 지지부에 의해 지지된 웨이퍼를 눌러 부착해서, 화학 연마액을 공급하면서 연마 패드로 웨이퍼의 표면을 연마하는 것이다. 즉, 웨이퍼에 대하여연마 패드에 의한 기계적 연마와 화학 연마액을 이용한 화학적 연마를 동시에 수행하는 것이다.One of such wafer planarization techniques is chemical mechanical polishing. Chemical mechanical polishing is to press and adhere a wafer supported by a support to a polishing pad adhered to a rotating platen, thereby polishing the surface of the wafer with the polishing pad while supplying a chemical polishing liquid. In other words, mechanical polishing with a polishing pad and chemical polishing with a chemical polishing liquid are simultaneously performed on the wafer.

화학 기계적 연마 장치에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 연마 플래튼(16)과 반도체 웨이퍼(14)를 홀딩하기 위한 연마 헤드(12)를 가지고 있다. 연마 플래튼(16)은 연마 패드(18)로 덮혀 있다. 연마 패드(18)는 플래튼(16)의 표면과 결부되는 연질 패드(20)와 웨이퍼(14)를 연마하기 위한 화학적 연마액과 관련하여 사용되는 경질 패드(22)를 가진다. 플래튼(16)은 그것의 중앙 축(24)에 대해 회전하고, 부가적으로 연마 헤드(12)는 그것의 중앙 축(26)에 대해 회전함으로써, 웨이퍼(14)를 회전시킨다.The chemical mechanical polishing apparatus has a polishing head 12 for holding the polishing platen 16 and the semiconductor wafer 14, as shown in FIG. The polishing platen 16 is covered with a polishing pad 18. The polishing pad 18 has a soft pad 20 that is coupled to the surface of the platen 16 and a hard pad 22 used in connection with a chemical polishing liquid for polishing the wafer 14. The platen 16 rotates about its central axis 24, and additionally, the polishing head 12 rotates about its central axis 26, thereby rotating the wafer 14.

또한, 도 1에 도시된 화학 기계적 연마 장치는 화학 기계적 연마 작업을 진행하는 동안에 요구되는 웨이퍼의 표면 특성 또는, 두께가 달성되는 때를 검출할 수 있는 연마 정지점 검출 수단을 더 가지고 있다. 이러한 수단은 웨이퍼 또는 웨이퍼 위에 형성되는 층의 두께를 탐지하고, 두께의 변화를 검출된 신호에 의하여 모니터링함으로써, 연마 정지점을 찾는다.Further, the chemical mechanical polishing apparatus shown in FIG. 1 further has polishing stop point detection means capable of detecting when the surface characteristics or thickness of the wafer required during the chemical mechanical polishing operation are achieved. These means find the polishing stop by detecting the thickness of the wafer or the layer formed on the wafer and monitoring the change in thickness by the detected signal.

이러한 작업을 위하여, 플래튼(16)과 연마 패드(18)에는 레이저의 통로가 되는 윈도우(30)가 형성된다. 그리고, 레이저 간섭계(32)에서 발사된 레이저빔(34)이 플래튼(16) 및 연마 패드(18)에 형성된 윈도우(30)를 통과하여 이에 중첩된 웨이퍼(14)의 표면을 때릴 수 있도록 레이저 간섭계(32)가 플래튼(16)의 하부에 위치하고 있다.For this operation, the platen 16 and the polishing pad 18 are formed with a window 30 which serves as a passage for the laser. The laser beam 34 emitted from the laser interferometer 32 passes through the window 30 formed on the platen 16 and the polishing pad 18 to hit the surface of the wafer 14 superimposed thereon. An interferometer 32 is located below the platen 16.

플래튼(16)은 화학 기계적 연마를 하는 동안에 회전한다. 그러므로,플래튼(16)의 회전시의 일부 동안에만, 플래튼(16) 및 연마 패드(18)의 윈도우(30)를 통하여 웨이퍼(14)를 볼 수 있을 것이다. 레이저 간섭계(32)를 통하여 얻는 레이저 검출 신호는 웨이퍼(14)가 레이저빔(34)에 의해 충돌될 때만 샘플링된다.The platen 16 rotates during chemical mechanical polishing. Therefore, only during part of the rotation of the platen 16, the wafer 14 will be visible through the window 30 of the platen 16 and the polishing pad 18. The laser detection signal obtained through the laser interferometer 32 is sampled only when the wafer 14 is collided by the laser beam 34.

이러한 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 패드의 구조는 도 2a 및 도 2b에 도시한 배면도 및 단면도를 통하여 알 수 있다.The structure of the polishing pad used in the chemical mechanical polishing apparatus can be seen through the rear view and the cross-sectional view shown in FIGS. 2A and 2B.

연질 패드(20)와 경질 패드(22)가 제1 접착 테이프(31)에 의하여 접착되어 있다. 그리고, 연질 패드(20)의 하부에는 제2 접착 테이프(32)에 의하여 커버층(35)이 접착되어 있다. 경질 패드(22)는 웨이퍼를 직접적으로 연마하기 위하여 사용되고, 연질 패드(20)는 웨이퍼가 연마 패드(18)에 주는 충격을 흡수하기 위하여 사용된다. 경질 패드(22)는 압축률이 작은 경질 재료로 형성되고, 연질 패드(20)는 압축률이 큰 연질 재료로 형성된다.The soft pad 20 and the hard pad 22 are adhered by the first adhesive tape 31. The cover layer 35 is adhered to the lower portion of the soft pad 20 by the second adhesive tape 32. The hard pad 22 is used to directly polish the wafer, and the soft pad 20 is used to absorb the impact that the wafer exerts on the polishing pad 18. The hard pad 22 is formed of a hard material having a low compression rate, and the soft pad 20 is formed of a soft material having a high compression rate.

경질 패드(22)와 연질 패드(20)에는 제1 및 제2 홀(W1, W2)이 형성되어 있고, 경질 패드(22)의 제2 홀(W2)에는 투명 플러그(25)가 개재되어 있다. 웨이퍼의 연마 정도를 탐지하기 위한 레이저는 연질 패드(20)의 제1 홀(W1)과 투명 플러그(25)를 통과하여 연마 패드(18) 위의 웨이퍼에 충돌된 후, 검출된다.First and second holes W1 and W2 are formed in the hard pad 22 and the soft pad 20, and a transparent plug 25 is interposed in the second hole W2 of the hard pad 22. . A laser for detecting the degree of polishing of the wafer is detected after impacting the wafer on the polishing pad 18 through the first hole W1 of the soft pad 20 and the transparent plug 25.

이러한 연마 패드(18)는 커버층(25)을 떼어 내어 제2 접착 테이프(32)를 노출시킨 상태로 플래튼에 접착되어 연마 작업시에 사용된다.The polishing pad 18 is used in the polishing operation by removing the cover layer 25 and adhering to the platen while exposing the second adhesive tape 32.

연마 작업을 진행하면서, 레이저를 연마 패드(18)에 형성된 제1 홀(W1) 및 투명 플러그(25)를 통과시켜 웨이퍼에 충돌시킨 후, 검출한다. 검출된 레이저 신호를 통하여 웨이퍼의 두께를 모니터링하면서 연마 정지점을 찾아낸다.During the polishing operation, the laser is passed through the first hole W1 and the transparent plug 25 formed in the polishing pad 18 to impinge on the wafer and then detected. Abrasive stops are found by monitoring the thickness of the wafer through the detected laser signal.

연마 작업시에는, 연마액이 경질 패드(22)의 외주면을 따라 외부로 방출되는데, 이 때, 외부에 노출된 연질 패드(20)의 측면에 침투하게 되는 경우가 발생한다. 이 경우, 연마액 뿐만 아니라, 외부의 수분 등을 포함하는 이물질도 연마액과 함께 연질 패드(20)에 침투하게 된다. 연질 패드(20)가 연질 재료로 형성되기 때문에, 이물질은 패드 연질 패드(20) 내부로 확산되어 제1 홀(W1)에까지 고이게 된다. 제1 홀(W1)에 고인 이물질은 레이저의 검출 신호를 왜곡시키고, 연마 정지점을 찾는데 오판을 일으켜 연마 불량을 유발한다.In the polishing operation, the polishing liquid is discharged to the outside along the outer circumferential surface of the hard pad 22, and at this time, a case in which the polishing liquid penetrates the side of the soft pad 20 exposed to the outside occurs. In this case, not only the polishing liquid, but also foreign matter containing external moisture, etc., penetrate into the soft pad 20 together with the polishing liquid. Since the soft pad 20 is formed of a soft material, foreign matter diffuses into the pad soft pad 20 and accumulates in the first hole W1. The foreign matter accumulated in the first hole W1 distorts the detection signal of the laser and causes miscalculation to find the polishing stop point, thereby causing polishing failure.

본 발명은 정확한 연마 정지점을 찾아낼 수 있는 연마 패드를 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide a polishing pad which can find the exact polishing stop point.

도 1은 화학 기계적 연마 장치의 개략도이고,1 is a schematic diagram of a chemical mechanical polishing apparatus,

도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드의 평면 구조 및 배면 구조를 개략적으로 도시한 것이고,2a and 2b schematically show the planar structure and the back structure of the polishing pad of the conventional chemical mechanical polishing apparatus,

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드의 평면 구조 및 배면 구조를 개략적으로 도시한 것이다.3A and 3B schematically illustrate the planar structure and the back structure of the polishing pad of the chemical mechanical polishing apparatus according to the embodiment of the present invention.

본 발명은 이러한 기술적 과제를 해결하기 위하여, 연마 패드의 연질 패드에 그의 에지 부분을 따라 위치하되, 다른 부분보다 치밀한 조직을 가지는 장벽 패턴을 형성한다.In order to solve this technical problem, the present invention forms a barrier pattern on the soft pad of the polishing pad along its edge portion, but having a denser structure than the other portion.

상세하게 본 발명에 따른 연마 장치의 연마 패드에서는, 제1 패드 위에 제2 패드가 접착되어 있다. 제1 패드에는 제1 홀이 형성되고, 다른 부분에 비하여 치밀한 조직을 가지는 장벽 패턴이 에지 부분을 따라 형성되어 있으며, 제2 패드에는 제1 홀에 대응하는 제2 홀이 형성되어 있다. 이러한 제2 패드의 제2 홀에 투명 부재가 개재되어 있다.In detail, in the polishing pad of the polishing apparatus according to the present invention, the second pad is bonded onto the first pad. A first hole is formed in the first pad, a barrier pattern having a dense structure compared to other portions is formed along the edge portion, and a second hole corresponding to the first hole is formed in the second pad. The transparent member is interposed in the second hole of the second pad.

여기서, 제1 패드는 경도 특성이 60-63 ASKER-C을 가지는 연질 재료로 형성될 수 있고, 제2 패드는 경도 특성이 93-97 ASKER-C을 가지는 경질 재료로 형성될 수 있다. 장벽 패턴은 경도 특성이 93-97 ASKER-C을 가지게 형성될 수 있으며, 제1 패드의 장벽 패턴과 제2 패드는 동일 물질로 형성될 수 있다.Here, the first pad may be formed of a soft material having a hardness characteristic of 60-63 ASKER-C, and the second pad may be formed of a hard material having a hardness characteristic of 93-97 ASKER-C. The barrier pattern may have a hardness characteristic of 93-97 ASKER-C, and the barrier pattern of the first pad and the second pad may be formed of the same material.

또한, 본 발명에 따른 연마 장치의 연마 패드를 제조하기 위하여, 제1 홀이 형성되고, 다른 부분에 비하여 치밀한 조직을 가지는 장벽 패턴이 에지 부분을 따라 형성되어 있는 제1 패드를 형성하고, 제1 패드에 접착되고, 제1 홀에 대응하는 제2 홀이 형성되어 있는 제2 패드를 형성하되, 제2 패드의 제2 홀에 투명 부재를 개재하고, 제1 패드와 투명 부재가 개재된 제2 패드를 접착시킨다.Further, in order to manufacture the polishing pad of the polishing apparatus according to the present invention, a first hole is formed, and a first pad having a barrier pattern having a dense structure as compared with other portions is formed along the edge portion, and the first pad is formed. A second pad bonded to the pad and having a second hole corresponding to the first hole, wherein the second pad is formed, the second pad having the transparent member interposed therebetween, and the first pad and the transparent member interposed therebetween; Glue the pads.

여기서, 제1 패드는, 제2 패드보다 연질의 재질로 몸판을 형성하고, 몸판의 에지 부분을 따라 홀을 형성하고, 홀에 경질 재료를 개재하여 형성될 수 있다. 또한, 제1 패드는, 제2 패드보다 연질의 재질로 몸판을 형성하고, 몸판의 에지 부분을 따라 열 또는 압력은 가하여 형성될 수 있다.Here, the first pad may be formed by forming a body plate with a softer material than the second pad, forming a hole along an edge portion of the body plate, and interposing a hard material through the hole. In addition, the first pad may be formed by forming a body plate made of a softer material than the second pad, and applying heat or pressure along an edge portion of the body plate.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

화학 기계적 연마 장치에 대해서는 이미 설명한 바와 같으므로, 이에 대한 설명은 생략하며, 여기서는 본 발명과 직접적으로 관련있는 연마 패드에 대해서만 설명한다.Since the chemical mechanical polishing apparatus has already been described, the description thereof will be omitted and only the polishing pad directly related to the present invention will be described.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 연마 장치의 연마 패드를 설명하기 위한 도면으로, 도 3a는 연마 패드를 후면에서 본 배면도이고, 도 3b는 도 3a에 보인 절단선 Ⅲb-Ⅲb'에 따른 단면도를 나타낸 것이다.3A and 3B are views for explaining a polishing pad of the polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3A is a rear view of the polishing pad from the back, and FIG. 3B is a cut line IIIb-IIIb shown in FIG. 3A. It shows a cross-sectional view according to.

연마 패드(18)는 원판 모형을 하고 있다. 연마 작업시에는 이러한 연마 패드(18)에 웨이퍼(도면 미표시)를 접촉시키면서 연마한다.The polishing pad 18 has a disk model. In the polishing operation, the polishing pad 18 is polished while contacting the wafer (not shown).

연마 패드(18)에서는, 연질 패드(20)와 경질 패드(22)가 제1 접착 테이프(31)에 의하여 접착되어 있다. 연질 패드(20)의 하부에는 제2 접착 테이프(32)에 의하여 커버층(35)이 접착되어 있다. 경질 패드(22)는 웨이퍼를 직접적으로 연마하기 위하여 사용되고, 연질 패드(20)는 웨이퍼가 연마 패드(18)에 주는 충격을 흡수하기 위하여 사용된다.In the polishing pad 18, the soft pad 20 and the hard pad 22 are adhered by the first adhesive tape 31. The cover layer 35 is adhered to the lower portion of the soft pad 20 by the second adhesive tape 32. The hard pad 22 is used to directly polish the wafer, and the soft pad 20 is used to absorb the impact that the wafer exerts on the polishing pad 18.

경질 패드(22)는 조직이 치밀하고 압축률이 작은 경질 재료, 예컨대, 경질 폴리우레탄 발포체제의 패드가 사용될 수 있는데, 경도 특성이 60-63 ASKER-C 및 압축률 특성이 13-16%를 가지도록 형성될 수 있다. 또한, 연질 패드(20)는 조직이 경질 패드(22)보다는 덜 치밀하고 압축률이 큰 연질 재료, 예컨대, 연질 부직포제의 폴리싱크로스가 사용될 수 있는데, 경도 특성이 93-97 ASKER-C 및 압출률 특성이 61%를 가지도록 형성될 수 있다.The hard pad 22 may be a hard material having a compact structure and a small compressibility, such as a pad made of a rigid polyurethane foam, so that the hardness characteristic is 60-63 ASKER-C and the compression ratio characteristic is 13-16%. Can be formed. In addition, the soft pad 20 may be a soft material having a less dense structure and a higher compressibility than the hard pad 22, for example, a polishing cloth of a soft nonwoven fabric, which has a hardness characteristic of 93-97 ASKER-C and an extrusion rate. The property can be formed to have 61%.

본 발명에서는, 다른 부분보다 치밀한 조직을 가지는 장벽 패턴(P)이 연질 패드(20)의 에지 부분을 따라 형성되어 있다. 연질 패드(20)가 경도 특성이 60-63 ASKER-C 및 압축률 특성이 13-16%를 가지도록 형성되어 있다면, 연질 패드(20)에 형성된 장벽 패턴(P)은 경도 특성이 93-97 ASKER-C 및 압출률 특성이 61%를 가지도록 형성될 수 있다.In the present invention, the barrier pattern P having a denser structure than the other portions is formed along the edge portion of the soft pad 20. If the soft pad 20 is formed to have a hardness characteristic of 60-63 ASKER-C and a compression rate characteristic of 13-16%, the barrier pattern P formed on the soft pad 20 has a hardness characteristic of 93-97 ASKER. -C and extrusion rate characteristics can be formed to have 61%.

이 장벽 패턴(P)은 경질 패드(22)를 구성하는 물질 예를 들어, 폴리우레탄 발포체제로 형성되거나, 연질 패드(20)에 열이나 압력을 선택적으로 가하여 그 부분의 조직을 치밀하게 함으로써 형성될 수 있다.The barrier pattern P may be formed of a material constituting the hard pad 22, for example, a polyurethane foam, or may be formed by densifying the structure of the part by selectively applying heat or pressure to the soft pad 20. Can be.

원형의 연질 패드(20)를 먼저 형성하고, 연질 패드(20)의 에지 부분에 홀을 형성하고 이 홀을 따라 연질 패드(20)보다 치밀한 조직을 가지는 물질을 채워서 장벽 패턴(P)을 형성할 수 있다. 혹은, 원형의 연질 패드(20)를 형성한 후, 연질 패드(20)의 에지 부분을 따라 선택적으로 열을 가하거나 압력을 가하여 그 부분의 조직을 치밀하게 하여, 장벽 패턴(P)을 형성할 수 있다.A circular soft pad 20 is first formed, and a hole is formed in an edge portion of the soft pad 20, and a barrier pattern P is formed by filling a material having a denser structure than the soft pad 20 along the hole. Can be. Alternatively, after the circular soft pad 20 is formed, heat or pressure is selectively applied along the edge portion of the soft pad 20 to densify the tissue of the portion, thereby forming the barrier pattern P. Can be.

경질 패드(22)와 연질 패드(20)에는 제1 및 제2 홀(W1, W2)이 형성되어 있고, 경질 패드(22)의 제2 홀(W2)에는 투명 플러그(25)가 개재되어 있다. 웨이퍼의 연마 정도를 탐지하기 위한 레이저는 연질 패드(20)의 제1 홀(W1)과 투명 플러그(25)를 투과하여 그 위의 웨이퍼의 표면에 충돌된 후, 검출된다.First and second holes W1 and W2 are formed in the hard pad 22 and the soft pad 20, and a transparent plug 25 is interposed in the second hole W2 of the hard pad 22. . The laser for detecting the degree of polishing of the wafer is detected after passing through the first hole W1 and the transparent plug 25 of the soft pad 20 and impacting the surface of the wafer thereon.

이러한 구조를 가지는 연마 패드(18)는 커버층(25)을 떼어 내어 제2 접착 테이프(32)를 노출시킨 상태로 플래튼에 접착되어 연마 작업시에 사용된다.The polishing pad 18 having such a structure is used in the polishing operation by removing the cover layer 25 and adhering to the platen while exposing the second adhesive tape 32.

연마 작업을 진행하면서, 연마 패드(18)에 형성된 제1 홀(W1) 및 투명 플러그(25)를 통과하여 웨이퍼에 투사된 레이저를 검출하여 웨이퍼의 두께를 모니터링하면서 연마 정지점을 찾아낸다.During the polishing operation, a laser stop projected through the first hole W1 and the transparent plug 25 formed in the polishing pad 18 and detected on the wafer to find the polishing stop point while monitoring the thickness of the wafer.

연마 작업시, 연마액이 경질 패드(22)의 외주면을 따라 외부로 방출되는데, 이 때, 연마액이 외부에 노출된 연질 패드(20)의 측면에 침투하게 되는 경우가 발생한다. 이 때, 연마액 뿐만 아니라, 외부의 수분등을 포함하는 이물질도 연마액과 함께 연질 패드(20)에 침투하게 된다.In the polishing operation, the polishing liquid is discharged to the outside along the outer circumferential surface of the hard pad 22, at which time the polishing liquid penetrates the side of the soft pad 20 exposed to the outside. At this time, not only the polishing liquid, but also foreign substances including external moisture and the like penetrate into the soft pad 20 together with the polishing liquid.

그런데, 연질 패드(20)의 에지 부분을 따라 치밀한 조직을 가지는 장벽패턴(P)이 있기 때문에, 연질 패드(20)에 침투된 이물질은 이 장벽 패턴(P)에 막혀서 더 이상 내부로 침투하지 못하게 된다. 이물질의 이동은 장벽 패턴(P)에 의해 저지되어 연질 패드(20)의 에지 부분에만 존재하게 된다. 그래서, 연질 패드(20)에 형성된 제2 홀(W2)은 장벽 패턴(P)에 의하여 이물질의 침투로부터 보호된다.However, since there is a barrier pattern P having a dense structure along the edge portion of the soft pad 20, foreign matter penetrated into the soft pad 20 is blocked by the barrier pattern P so that it cannot be penetrated further inside. do. Movement of the foreign matter is prevented by the barrier pattern P and is present only at the edge portion of the soft pad 20. Thus, the second hole W2 formed in the soft pad 20 is protected from the infiltration of foreign matter by the barrier pattern P.

이와 같이, 본 발명에서는, 연질 패드의 제2 홀(W2)이 이물질에 의하여 오염되지 않고 초기의 상태를 유지하기 때문에, 레이저의 검출 신호가 왜곡되는 요인이 제거되어, 정확한 연마 정지점을 찾을 수 있다.As described above, in the present invention, since the second hole W2 of the soft pad is not contaminated by foreign matter and maintains its initial state, the factor of distorting the detection signal of the laser is eliminated, so that an accurate polishing stop point can be found. have.

이 때, 장벽 패턴(P)은 단일겹으로 형성될 수 있으나, 이중겹 이상으로 형성하는 것이 이물질의 침투를 보다 효과적으로 막을 있어서 유리하다.At this time, the barrier pattern (P) may be formed in a single layer, it is advantageous to form a double layer or more to more effectively prevent the penetration of foreign matter.

본 발명에서는, 연질 패드의 에지 부분을 따라 이물질의 침투를 막는 장벽 패턴을 형성함으로써, 연질 패드의 윈도우가 오염되는 것을 방지하기 때문에 윈도우 오염에 의해 야기되는 연마 정지점의 오판을 줄일 수 있다.In the present invention, by forming a barrier pattern that prevents the infiltration of foreign matter along the edge portion of the soft pad, it is possible to reduce the mistake of the polishing stop point caused by the window contamination because the window of the soft pad is prevented from being contaminated.

Claims

(Correction) a first pad in which a first hole is formed, and a barrier pattern having a dense structure compared to other portions is formed along the edge portion;

A second pad adhered to the first pad and having a second hole corresponding to the first hole; And

Transparent member interposed in the second hole of the second pad

Polishing pad of the polishing apparatus comprising a.

In claim 1,

And the first pad is formed of a soft material having a hardness characteristic of 60-63 ASKER-C.

In claim 1,

And the second pad is formed of a hard material having a hardness characteristic of 93-97 ASKER-C.

In claim 2,

The barrier pattern is a polishing pad having a hardness characteristic of 93-97 ASKER-C.

In claim 1,

The barrier pad of the first pad and the second pad are formed of the same material.

Forming a first pad in which a first hole is formed and a barrier pattern having a dense structure compared to other portions is formed along the edge portion;

Forming a second pad adhered to the first pad and having a second hole corresponding to the first hole;

Interposing a transparent member in a second hole of the second pad;

Bonding the first pad to a second pad having the transparent member interposed therebetween;

Method for producing a polishing pad of the polishing apparatus comprising a.

In claim 6,

The first pad,

The body plate is formed of a softer material than the second pad,

Forming a hole along an edge portion of the body plate,

A method for producing a polishing pad of a polishing apparatus, wherein a hard material is interposed in the hole.

In claim 6,

The first pad,

The body plate is formed of a softer material than the second pad,

A method for manufacturing a polishing pad of a polishing apparatus formed by applying heat along an edge portion of the body plate.

In claim 6,

The first pad,

The body plate is formed of a softer material than the second pad,

A method for producing a polishing pad of a polishing apparatus, formed by applying pressure along an edge portion of the body plate.