KR100365505B1 - Plasma Display Panel Drived With Radio Frequency - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소비전력을 줄이고 방전효율을 높이도록 한 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a high frequency plasma display panel to reduce power consumption and increase discharge efficiency.
본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 데이터가 공급되는 어드레스전극과, 어드레스전극과 교차하는 지점이 이웃한 셀들 간에 상대적으로 상측과 아래측에 각각 위치하도록 패터닝된 스캔전극과, 고주파신호가 공급되어 스캔전극과 함께 고주파 유지방전을 일으키기 위한 고주파전극을 구비한다.The high frequency plasma display panel according to the present invention includes an address electrode to which data is supplied, a scan electrode patterned to be positioned at an upper side and a lower side between cells adjacent to an intersection point of the address electrode, and a high frequency signal is supplied and scanned A high frequency electrode for generating a high frequency sustain discharge together with the electrode is provided.
Description
본 발명은 평판 표시장치에 관한 것으로, 특히 소비전력을 줄이고 방전효율을 높이도록 한 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display, and more particularly, to a high frequency plasma display panel that reduces power consumption and improves discharge efficiency.
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 He+Xe 또는 Ne+Xe 가스의 방전시 발생하는 147nm의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다. 이러한 PDP는 크게 직류형과 교류형으로 대별된다. 직류형 PDP는 전면기판과 배면기판 각각에 형성된 양극과 음극 사이의 대향방전을 일으킴으로써 화상을 표시한다. 이에 비하여, 교류형 PDP는 유전층을 사이에 두고 배치된 전극들 간에 교류 전압신호를 인가하여 그 신호의 반주기마다 방전이 일어나게 함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 교류형 PDP는 방전시 표면에 벽전하가 축적되는 유전층을 사용하기 때문에 메모리 효과가 나타나게 된다.Plasma Display Panels (hereinafter referred to as "PDPs") display an image including characters or graphics by emitting phosphors by ultraviolet rays of 147 nm generated upon discharge of He + Xe or Ne + Xe gas. Such a PDP is not only thin and easy to enlarge, but also greatly improved in quality due to recent technology development. These PDPs are roughly classified into direct current type and alternating current type. The direct current type PDP displays an image by causing an opposite discharge between an anode and a cathode formed on each of the front substrate and the back substrate. In contrast, an AC-type PDP displays an image by applying an AC voltage signal between electrodes disposed with a dielectric layer interposed therebetween to cause discharge every half cycle of the signal. The AC-type PDP exhibits a memory effect because it uses a dielectric layer in which wall charges are accumulated on the surface during discharge.
도 1을 참조하면, 교류형 PDP는 유지전극쌍(10)이 형성된 전면기판(1)과, 어드레스전극(4)이 형성된 배면기판(2)을 구비한다. 전면기판(1)과 배면기판(2)은 격벽(3)을 사이에 두고 평행하게 이격된다. 전면기판(1), 배면기판(2) 및 격벽(3)에 의해 마련되어진 방전공간에는 Ne+Xe 또는 He+Xe 등의 혼합가스가 주입된다. 유지전극쌍(10) 중 어느 하나는 어드레스기간에 공급되는 스캔펄스에 응답하여 어드레스전극(4)과 함께 대향방전을 일으키고 서스테인기간에 공급되는 서스테인펄스에 응답하여 인접한 유지전극(10)과 면방전을 일으키는 주사/서스테인전극으로 이용된다. 또한, 유지전극쌍 중 나머지 하나는 서스테인펄스가 공통으로 공급되는 공통서스테인전극으로 이용된다. 유지전극쌍(10)이 형성된 전면기판(1) 상에는 상부유전층(8)과 보호층(9)이 적층된다. 상부유전층(8)은 플라즈마 방전전류를 제한함과 아울러 방전시 벽전하를 축적하는 역할을 한다. 보호막(9)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부유전층(8)의 손상을 방지하고 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 이 보호막(9)은 통상 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진다. 어드레스전극(4)이 형성된 배면기판(2) 상에는 하부유전층(6)이 형성된다. 이 하부유전층(6) 상에는 방전공간을 분할하기 위한 격벽들(3)이 수직으로 신장된다. 배면기판(2)과 격벽들(3)의 표면에는 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생하는 형광체(5)가 형성된다.Referring to FIG. 1, an AC PDP includes a front substrate 1 on which sustain electrode pairs 10 are formed, and a back substrate 2 on which address electrodes 4 are formed. The front substrate 1 and the rear substrate 2 are spaced in parallel with the partition 3 therebetween. A mixed gas such as Ne + Xe or He + Xe is injected into the discharge space provided by the front substrate 1, the back substrate 2, and the partition wall 3. One of the sustain electrode pairs 10 causes a counter discharge with the address electrode 4 in response to the scan pulse supplied in the address period, and the surface discharge with the adjacent sustain electrode 10 in response to the sustain pulse supplied in the sustain period. It is used as a scan / sustain electrode which causes The other one of the sustain electrode pairs is used as a common sustain electrode to which a sustain pulse is commonly supplied. The upper dielectric layer 8 and the protective layer 9 are stacked on the front substrate 1 on which the sustain electrode pairs 10 are formed. The upper dielectric layer 8 serves to limit the plasma discharge current and to accumulate wall charges during discharge. The protective film 9 prevents damage to the upper dielectric layer 8 due to sputtering generated during plasma discharge and increases emission efficiency of secondary electrons. This protective film 9 is usually made of magnesium oxide (MgO). The lower dielectric layer 6 is formed on the back substrate 2 on which the address electrode 4 is formed. On the lower dielectric layer 6, partition walls 3 for dividing the discharge space extend vertically. On the surfaces of the back substrate 2 and the partition walls 3, phosphors 5 are excited by vacuum ultraviolet rays to generate visible light.
이와 같은 교류형 PDP는 한 프레임이 다수의 서브필드로 구성되어 서브필드의 조합에 의해 계조가 실현된다. 예를 들어, 256 계조를 실현하고자 하는 경우에 한 프레임 기간은 8개의 서브필드들로 시분할된다. 아울러, 8개의 서브 필드들 각각은 리셋기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다. 리셋기간에는 전화면이 초기화된다. 어드레스 기간에는 데이터가 표시될 셀들이 어드레스 방전에 의해 선택되어진다. 선택된 셀들은 서스테인 기간에 방전이 유지된다. 서스테인 기간은 서브필드들 각각의 휘도 상대비에 따라 2n에 해당하는 기간씩 길어지게 된다. 다시 말하여, 제1 내지 제8 서브필드들 각각에 포함되어진 서스테인 기간은 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27의 비율로 길어지게 된다. 이를 위하여, 서스테인 기간에 발생되는 서스테인 펄스의 수도 서브필드들의 휘도 상대비에 따라 상위 서스필드들로 갈수록 증가된다. 이들 서브필드들의 조합에 따라 표시영상의휘도 및 색도가 결정되게 된다.In such an AC-type PDP, one frame is composed of a plurality of subfields, and gradation is realized by a combination of subfields. For example, in the case where 256 gray levels are to be realized, one frame period is time-divided into eight subfields. In addition, each of the eight subfields is divided into a reset period, an address period, and a sustain period. The full screen is initialized during the reset period. In the address period, cells in which data is to be displayed are selected by the address discharge. The selected cells are discharged in the sustain period. The sustain period is lengthened by a period corresponding to 2 n depending on the luminance relative ratio of each of the subfields. In other words, the sustain period included in each of the first to eighth subfields is lengthened by a ratio of 2 0 , 2 1 , 2 2 , 2 3 , 2 4 , 2 5 , 2 6 , 2 7 . For this purpose, the number of sustain pulses generated in the sustain period is gradually increased to higher sustain fields according to the luminance relative ratio of the subfields. The luminance and chromaticity of the display image are determined according to the combination of these subfields.
이러한 교류형 PDP에 있어서, 유지전극쌍(10)에는 듀티비(Duty ratio)가 1이고 200∼300kHz의 주파수와 10∼20㎲정도의 펄스 폭을 가지는 서스테인 펄스가 교번적으로 공급된다. 이 서스테인 펄스에 응답하여 유지전극쌍(10) 간에 일어나는 유지방전은 유지펄스당 극히 짧은 순간에 1번만 발생하게 된다. 유지방전에 의해 발생된 하전입자들은 유지전극쌍(10)의 극성에 따라 유지전극쌍(10) 사이의 방전경로를 이동하여 상부 유전층(8)에 축적됨으로써 벽전하로 남게 된다. 이러한 벽전하는 다음 유지방전시 구동전압을 낮추게 되지만 해당 유지방전시 방전공간의 전계를 감소시키게 된다. 이에 따라, 유지방전시 벽전하가 형성되면 방전이 멈추어지게 된다. 이와 같이, 유지방전은 유지펄스의 폭에 비하여 극히 짧은 순간에 1번만 발생하고 그 외 대부분 시간은 벽전하 형성 및 다음 유지방전을 위한 준비단계로 소비되게 된다. 이로 인하여, 종래의 교류형 PDP에서는 전체 방전기간에 비하여 실제 방전기간이 매우 짧아지게 되므로 휘도 및 방전효율이 낮을 수밖에 없었다.In such an AC-type PDP, the sustain electrode pair 10 is alternately supplied with a sustain pulse having a duty ratio of 1, a frequency of 200 to 300 kHz, and a pulse width of about 10 to 20 Hz. The sustain discharge occurring between the sustain electrode pairs 10 in response to the sustain pulse occurs only once at a very short moment per sustain pulse. Charged particles generated by the sustain discharge move along the discharge path between the sustain electrode pair 10 according to the polarity of the sustain electrode pair 10 and accumulate in the upper dielectric layer 8 to remain as wall charges. This wall charge lowers the driving voltage during the next sustain discharge, but reduces the electric field of the discharge space during the sustain discharge. Accordingly, when the wall charge is formed during the sustain discharge, the discharge is stopped. As such, the sustain discharge occurs only once at a very short moment compared to the width of the sustain pulse, and most of the other time is consumed in the preparation of the wall charge and the next sustain discharge. For this reason, in the conventional AC PDP, the actual discharge period becomes very short compared to the total discharge period, so that the luminance and the discharge efficiency are inevitably low.
교류형 PDP의 낮은 휘도 및 방전효율 문제를 해결하기 위하여, 수십 내지 수백 MHz의 고주파 신호를 이용하여 유지방전을 일으키는 고주파 PDP(Radio Frequency PDP : 이하 "RF PDP"라 함)가 제안된 바 있다. RF PDP는 고주파 방전에 의해 셀 내에서 전자가 진동운동을 하게 된다.In order to solve the problem of low luminance and discharge efficiency of the AC PDP, a radio frequency PDP (hereinafter referred to as "RF PDP") has been proposed to generate a sustain discharge using a high frequency signal of several tens to several hundred MHz. In RF PDP, electrons vibrate in a cell by high frequency discharge.
도 2 및 도 3을 참조하면, 종래의 RF PDP는 적·녹·청색 각각을 표시하며 직사각형 형태로 형성되는 3 개의 서브 화소셀들(34R,34G,34B)을 포함하는 화소셀(32)이 매트릭스 형태로 배열된다. 각 서브 화소셀들(34R,34G,34B)은 어드레스전극(14)과 스캔전극(18)이 직교되게끔 형성된 배면기판(12)과, 스캔전극(18)과 나란하게 고주파전극(28)이 형성된 전면기판(30)을 구비한다. 어드레스전극(14)과 스캔전극(18) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 하부유전층(16)이 형성된다. 스캔전극(18) 위에는 상부유전층(20)과 보호막(22)이 적층되고, 그 위에 서브 화소셀 단위로 횡단면이 직사각형인 격벽(24)이 형성된다. 직사각형 격벽(24)과 하부 유전층(16)의 표면에는 형광체(26)가 도포된다.Referring to FIGS. 2 and 3, the conventional RF PDP displays red, green, and blue colors, and includes pixel cells 32 including three sub pixel cells 34R, 34G, and 34B formed in a rectangular shape. Arranged in matrix form. Each of the sub pixel cells 34R, 34G, and 34B includes a rear substrate 12 formed so that the address electrode 14 and the scan electrode 18 are orthogonal to each other, and the high frequency electrode 28 is parallel to the scan electrode 18. The front substrate 30 is formed. A lower dielectric layer 16 is formed between the address electrode 14 and the scan electrode 18 to insulate the electrodes. An upper dielectric layer 20 and a passivation layer 22 are stacked on the scan electrode 18, and a partition wall 24 having a rectangular cross section is formed on each sub pixel cell. Phosphor 26 is applied to the surfaces of the rectangular partition wall 24 and the lower dielectric layer 16.
RF PDP는 리셋기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간을 포함하는 다수의 서브필드들의 조합으로 화상을 표시한다. 먼저, 리셋기간에는 전화면이 초기화된다. 이어서, 어드레스 기간에는 어드레스전극(14)과 스캔전극(18) 사이의 방전에 의해 셀들이 선택된다. 선택된 셀들은 서스테인 기간에 전자의 진동운동에 의해 화상을 표시하게 된다. 이 때, 고주파전극(28)에는 수 내지 수십 ㎒의 고주파신호가 인가되며 스캔전극(18)에는 소정레벨의 직류바이어스 전압이 인가된다. 이 고주파신호에 의해 셀 내의 전자들은 고주파신호의 극성에 따라 방전공간 내에서 진동운동하게 된다. 전자들의 진동운동에 의해 방전가스가 연속적으로 이온화된다. 이러한 방전에 의해 발생되는 진공자외선은 형광체(26)를 여기시키게 되고 형광체(26)가 천이되면서 가시광이 발생된다. 이렇게 RF PDP는 고주파신호를 이용하여 서스테인 기간동안 연속적으로 방전을 일으킴으로써 교류형 PDP에 비하여 휘도와 방전효율이 높아지게 된다.The RF PDP displays an image in a combination of a plurality of subfields including a reset period, an address period and a sustain period. First, the full screen is initialized in the reset period. Subsequently, in the address period, cells are selected by discharge between the address electrode 14 and the scan electrode 18. The selected cells display an image by vibrating motion of electrons in the sustain period. At this time, a high frequency signal of several to several tens of MHz is applied to the high frequency electrode 28, and a DC bias voltage of a predetermined level is applied to the scan electrode 18. The high frequency signal causes the electrons in the cell to vibrate in the discharge space according to the polarity of the high frequency signal. The discharge gas is continuously ionized by the vibrating motion of the electrons. The vacuum ultraviolet rays generated by this discharge excite the phosphor 26 and generate visible light as the phosphor 26 transitions. In this way, the RF PDP generates a discharge continuously during the sustain period by using a high frequency signal, thereby increasing luminance and discharge efficiency as compared with an AC PDP.
그러나, RF PDP는 셀의 구조에 의해 전자가 격벽(24)에 충돌되어 손실되는 문제점이 있다. 다시 말하여, 화소셀(32)에 포함된 적·녹·청색의 서브 화소셀들(34R,34G,34B) 각각은 장축방향(또는, 세로방향)에 비하여 단축방향(또는, 가로방향)이 짧은 직사각형 형태를 가지게 된다. 이러한 서브 화소셀에 대응하여 서브 화소셀을 둘러싸는 격벽(24)은 단축방향의 간격이 'd'라면 장축방향의 간격이 '3d' 정도로 설정된다. 이러한 서브화소셀들(34R,34G,34B)의 좁은 단축방향 방전공간(d)에서 방전이 확산되면서 일부 전자들이 단축방향(또는, 가로방향) 격벽들(24a)에 충돌된다. 이렇게 격벽(24a)에 충돌된 전자들은 중화되어 소멸된다. 이렇게 방전가스를 이온화시키는 전자들의 양이 줄어들게 되므로 종래의 RF PDP는 방전효율과 휘도가 낮아지게 된다. 이에 따라, 종래의 RF PDP는 만족한 휘도를 얻기 위하여 높은 고주파 신호의 전력이 인가되기 때문에 소비전력이 그 만큼 커지게 된다.However, the RF PDP has a problem in that electrons collide with the partition wall 24 due to the structure of the cell and are lost. In other words, each of the red, green, and blue sub-pixel cells 34R, 34G, and 34B included in the pixel cell 32 has a shorter direction (or a horizontal direction) than a long axis direction (or a vertical direction). It will have a short rectangular shape. Corresponding to the sub pixel cell, the partition wall 24 surrounding the sub pixel cell is set to have a distance in the major axis direction of about 3d if the interval in the minor axis direction is 'd'. As the discharge spreads in the narrow unidirectional discharge space d of the subpixel cells 34R, 34G, and 34B, some electrons collide with the uniaxial (or lateral) barrier ribs 24a. The electrons collided with the partition wall 24a are neutralized and extinguished. Since the amount of electrons ionizing the discharge gas is reduced, the conventional RF PDP has low discharge efficiency and brightness. Accordingly, the power consumption of the conventional RF PDP is large because power of a high frequency signal is applied to obtain satisfactory luminance.
따라서, 본 발명의 목적은 소비전력을 줄이고 방전효율을 높이도록 한 RF PDP를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an RF PDP which reduces power consumption and increases discharge efficiency.
도 1은 종래의 3전극 교류형 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.1 is a perspective view showing a conventional three electrode AC plasma display panel.
도 2는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.2 is a perspective view showing a conventional high frequency plasma display panel.
도 3은 도 2에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.3 is a plan view illustrating a cell structure and an electrode structure of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 2;
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 절개 사시도.4 is a partially cutaway perspective view showing a high frequency plasma display panel according to a first embodiment of the present invention;
도 5는 도 4에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.FIG. 5 is a plan view illustrating a cell structure and an electrode structure of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 4. FIG.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 절개 사시도.Fig. 6 is a partially cutaway perspective view showing a high frequency plasma display panel according to a second embodiment of the present invention.
도 7은 도 6에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.7 is a plan view showing a cell structure and an electrode structure of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 6;
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 절개 사시도.Fig. 8 is a partially cutaway perspective view showing a high frequency plasma display panel according to a third embodiment of the present invention.
도 9는 도 8에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.9 is a plan view showing a cell structure and an electrode structure of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 8;
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 절개 사시도.Fig. 10 is a partially cutaway perspective view showing a high frequency plasma display panel according to a fourth embodiment of the present invention.
도 11은 도 10에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.FIG. 11 is a plan view showing a cell structure and an electrode structure of the high frequency plasma display panel shown in FIG. 10; FIG.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
1,30,50,80,110,140 : 전면기판 2,12,32,62,92,122 : 배면기판1,30,50,80,110,140: Front board 2,12,32,62,92,122: Back board
3,24,74,104,134 : 격벽 4,14,34,64,94,124 : 어드레스전극3, 24, 74, 104, 134: partition 4, 14, 34, 64, 94, 124: address electrode
5,26 : 형광체 9,22,42,72,102,132 : 보호막5,26: phosphor 9,22,42,72,102,132: protective film
10 : 유지전극쌍 32,52,82,112,142 : 화소셀10: sustain electrode pair 32,52,82,112,142: pixel cell
68a,78a,128a,138a : 돌출부68a, 78a, 128a, 138a: protrusion
8,16,20,36,40,66,70,96,100,126,130 : 유전층8,16,20,36,40,66,70,96,100,126,130: dielectric layer
34R,34G,34B,54R,54G,54B,84R,84G,84B,114R,114G,114B,144R,144G,144B : 서브화소셀34R, 34G, 34B, 54R, 54G, 54B, 84R, 84G, 84B, 114R, 114G, 114B, 144R, 144G, 144B: Subpixel Cell
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 RF PDP는 데이터가 공급되는 어드레스전극과, 어드레스전극과 교차하는 지점이 이웃한 셀들 간에 상대적으로 상측과 아래측에 각각 위치하도록 패터닝된 스캔전극과, 고주파신호가 공급되어 스캔전극과 함께 고주파 유지방전을 일으키기 위한 고주파전극을 구비한다.In order to achieve the above object, the RF PDP according to the present invention includes an address electrode to which data is supplied, a scan electrode patterned such that a point at which the address electrode intersects is located at an upper side and a lower side between neighboring cells, respectively, and a high frequency wave. The signal is supplied with a high frequency electrode for causing a high frequency sustain discharge together with the scan electrode.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will become apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도 4 내지 도 11을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to Figures 4 to 11 attached to an embodiment of the present invention will be described in detail.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 RF PDP는 적·녹·청색 각각을 표시하며 삼각형 형태로 형성되는 서브 화소셀들(54R,54G,54B)을 포함하는 화소셀(52)이 매트릭스 형태로 배열된다. 각 서브 화소셀들(54R,54G,54B)은 어드레스전극(34)과 스캔전극(38)이 교차되게끔 형성되는 배면기판(32)과, 스캔전극(38)과 나란하게 고주파전극(48)이 형성된 전면기판(50)을 구비한다. 어드레스 전극(34)은 스트라이프(stripe) 형태로 패터닝되어 비디오 데이터가 공급된다. 스캔전극(38)은 물결 구조로 패터닝되어 산과 골 부분이 어드레스전극(34)을 교차하게 된다. 이 스캔전극(38)은 어드레스기간에 비디오 데이터에 동기되어 스캔펄스가 공급되어 어드레스전극(34)과 함께 어드레스 방전을 일으킴과 아울러 서스테인기간에 고주파전극(48)과 함께 고주파 유지방전을 일으키게 된다. 고주파전극(48)은 스캔전극(38)과 마찬가지로, 물결 구조로 패터닝되어 산과 골 부분이 어드레스전극(34)을 교차하게 된다. 이 고주파전극(48)에는 서스테인기간에 고주파신호가 인가된다. 어드레스전극(34)과 스캔전극(38) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 하부유전층(36)이 형성된다. 스캔전극(38) 위에는 상부유전층(40)과 보호막(42)이 적층되고, 그 위에 횡단면이 서브 화소셀 단위로 삼각형인 격벽(44)이 형성된다. 격벽(44)의 표면에는 형광체가 도포된다.4 and 5, the RF PDP according to the present invention displays red, green, and blue pixels, and includes pixel cells 52 including sub pixel cells 54R, 54G, and 54B formed in a triangular shape. Arranged in matrix form. Each of the sub pixel cells 54R, 54G, and 54B includes a rear substrate 32 formed to cross the address electrode 34 and the scan electrode 38, and the high frequency electrode 48 in parallel with the scan electrode 38. It is provided with a front substrate 50 formed. The address electrode 34 is patterned in a stripe form to supply video data. The scan electrode 38 is patterned in a wavy structure so that the peaks and valleys cross the address electrode 34. The scan electrode 38 is supplied with a scan pulse in synchronization with the video data in the address period to generate an address discharge with the address electrode 34 and to generate a high frequency sustain discharge with the high frequency electrode 48 in the sustain period. The high frequency electrode 48, like the scan electrode 38, is patterned in a wavy structure so that the peaks and valleys cross the address electrode 34. As shown in FIG. The high frequency electrode 48 is supplied with a high frequency signal in the sustain period. A lower dielectric layer 36 is formed between the address electrode 34 and the scan electrode 38 to insulate the electrodes. The upper dielectric layer 40 and the passivation layer 42 are stacked on the scan electrode 38, and a partition 44 having a triangular cross section in the unit of sub pixel cells is formed thereon. Phosphor is coated on the surface of partition 44.
본 발명에 따른 RFPDP는 도 5에서 알 수 있는 바, 물결구조의 고주파전극(48)과 스캔전극(38)이 삼각형 격벽(44)의 빗변과 빗변에서 고주파 유지방전이 단축방향으로 가장 길게 일어나는 방전공간 부분을 횡단하게 된다. 이렇게 고주파 유지방전이 단축방향으로 가장 길게 일어나는 방전공간을 횡단하게 되므로 고주파전극(48)과 스캔전극(38)은 인접한 서브 화소셀들(54R,54G,54B)을 교번적으로 위 아래로 횡단하게 된다. 삼각형 서브 화소셀(54R,54G,54B)의 밑변의 길이는 도 3에 도시된 직사각형 서브 화소셀의 단축방향 길이를 'd'라 할 때, '2d'가 되며, 높이는 '3d'로 설정된다. 따라서, 단위 화소셀(52)의 면적은 도 1에 도시된 단위 화소셀(32)과 동일하게 9d2가 되지만 고주파 유지방전이 일어나는 단축방향의 방전공간 길이는 도 1에 도시된 단위 화소셀(32)에서의 고주파 유지방전이 일어나는 그것보다 길어지게 된다. 이렇게 고주파 유지방전이 일어나는 단축방향 방전공간의 길이가 길어지게 되므로 즉, 고주파 유지방전이 일어나는 방전공간 상에 대면하는 삼각형 격벽(44)의 빗변과 빗변 사이의 간격이 커지게 되므로 고주파 유지방전시 격벽(44)에 충돌되어 소멸되는 전자 및 전하를 최소화할 수 있게 된다.As can be seen in Figure 5 RFPDP according to the present invention, the high frequency electrode 48 and the scan electrode 38 of the wavy structure discharge in the hypotenuse and hypotenuse of the triangular partition 44 is the longest discharge in the short axis direction It will traverse the space part. Since the high frequency sustain discharge traverses the discharge space that occurs longest in the short axis direction, the high frequency electrode 48 and the scan electrode 38 alternately cross the adjacent sub pixel cells 54R, 54G, and 54B up and down. do. The length of the bottom side of the triangular sub pixel cells 54R, 54G, 54B becomes '2d' when the short-axis length of the rectangular sub pixel cell shown in FIG. 3 is 'd', and the height is set to '3d'. . Accordingly, the area of the unit pixel cell 52 is 9d 2, which is the same as that of the unit pixel cell 32 shown in FIG. 1, but the length of the discharge space in the short axis direction in which the high frequency sustain discharge occurs is shown in FIG. 1. The high frequency sustain discharge in 32 becomes longer than that which occurs. Since the length of the unidirectional discharge space in which the high frequency sustain discharge occurs is increased, that is, the spacing between the hypotenuse and the hypotenuse of the triangular partition 44 facing the discharge space where the high frequency sustain discharge occurs is increased. It is possible to minimize the electrons and charges that collide with the 44) and disappear.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 RF PDP를 나타낸다.6 and 7 illustrate an RF PDP according to a second embodiment of the present invention.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 RF PDP는 단위 화소셀(82)에 포함된 삼각형 서브 화소셀들(84R,84G,84B)의 빗변을 단축방향으로 횡단하며 어드레스전극(64) 방향으로 돌출되는 돌기부(68a,78a)가 형성되는 스캔전극(68) 및 고주파전극(78)을 구비한다. 스트라이프 형태의 어드레스전극(64)과 돌출부(68a)가 형성된 스캔전극(68)은 배면기판(62) 상에 상호 교차되게끔 형성된다. 돌출부(78a)가 형성된 고주파전극(78)은 스캔전극(68)과 나란하게 전면기판(80) 상에 형성된다. 어드레스전극(64)과 스캔전극(68) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 하부유전층(66)이 형성된다. 스캔전극(68) 위에는 상부유전층(70)과 보호막(72)이 적층되고, 그 위에 횡단면이 서브 화소셀 단위로 삼각형인 격벽(74)이 형성된다. 격벽(74)의 표면에는 형광체가 도포된다.6 and 7, the RF PDP according to the present invention traverses the hypotenuse of the triangular sub pixel cells 84R, 84G, and 84B included in the unit pixel cell 82 in the uniaxial direction, and the address electrode 64. The scan electrode 68 and the high frequency electrode 78 having protrusions 68a and 78a protruding in the direction are provided. The stripe-shaped address electrode 64 and the scan electrode 68 having the protrusion 68a are formed to cross each other on the back substrate 62. The high frequency electrode 78 having the protrusion 78a formed thereon is formed on the front substrate 80 in parallel with the scan electrode 68. A lower dielectric layer 66 is formed between the address electrode 64 and the scan electrode 68 to insulate the electrodes. The upper dielectric layer 70 and the passivation layer 72 are stacked on the scan electrode 68, and the partition wall 74 having a triangular cross section in the unit of sub pixel cells is formed thereon. Phosphor is coated on the surface of the partition 74.
스캔전극(68)과 고주파전극(78)의 돌출부(68a,78a)는 삼각형 서브 화소셀들(84R,84G,84B) 상에서 방전공간이 넓은 장축방향 쪽으로 돌출된다. 이렇게 고주파 유지방전이 단축방향으로 가장 길게 일어나는 방전공간 쪽으로 돌출되므로 스캔전극(68)과 고주파전극(78)의 돌출부(68a,78a)는 인접한 서브 화소셀들(84R,84G,84B) 간에 교번적으로 고주파전극(78)과 스캔전극(68)의 위쪽 변과 아래쪽 변으로부터 돌출된다. 삼각형 서브 화소셀(84R,84G,84B)과 화소셀(82)의 형태와 면적은 도 5에 도시된 그것과 동일하다. 따라서, 단위 화소셀(82)의 면적은 도 1에 도시된 단위 화소셀(32)과 동일하지만 고주파 유지방전이 일어나는 단축방향의 방전공간 길이는 종래보다 더 길게 되어 고주파 유지방전시 격벽(74)에 충돌되어 소멸되는 전자 및 전하를 최소화할 수 있다.The protruding portions 68a and 78a of the scan electrode 68 and the high frequency electrode 78 protrude toward the major axis of the discharge space on the triangular sub pixel cells 84R, 84G and 84B. Since the high frequency sustain discharge protrudes toward the longest discharge space in the short axis direction, the protrusions 68a and 78a of the scan electrode 68 and the high frequency electrode 78 alternate between the adjacent sub pixel cells 84R, 84G and 84B. The protrusions protrude from the upper and lower sides of the high frequency electrode 78 and the scan electrode 68. The shape and area of the triangular sub pixel cells 84R, 84G, 84B and the pixel cells 82 are the same as those shown in FIG. Accordingly, the area of the unit pixel cell 82 is the same as that of the unit pixel cell 32 shown in FIG. 1, but the length of the discharge space in the uniaxial direction in which the high frequency sustain discharge occurs is longer than that of the prior art, so It is possible to minimize electrons and charges that collide and disappear.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 RF PDP를 나타낸다.8 and 9 illustrate an RF PDP according to a third embodiment of the present invention.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 RF PDP는 단위 화소셀(112)에 포함된 철(凸)자 형태의 서브 화소셀들(114R,114G,114B)과, 철자 형태의 서브 화소셀들(114R,114G,114B)의 광폭부분을 단축방향으로 횡단하는 요철(凹凸) 형태의 스캔전극(98) 및 고주파전극(108)과, 스캔전극(98) 및 고주파전극(108)과 교차되는 어드레스전극(94)을 구비한다. 스트라이프 형태의 어드레스전극(94)과 요철 형태의 스캔전극(98)은 배면기판(92) 상에 상호 교차되게끔 형성된다. 요철 형태의 고주파전극(108)은 스캔전극(98)과 나란하게 전면기판(110) 상에 형성된다. 어드레스전극(94)과 스캔전극(98) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 하부유전층(96)이 형성된다. 스캔전극(98) 위에는 상부유전층(100)과 보호막(102)이 적층되고, 그 위에 횡단면이 서브 화소셀 단위로 철자 형태의 격벽(104)이 형성된다. 격벽(104)의 표면에는 형광체가 도포된다.Referring to FIGS. 8 and 9, the RF PDP according to the present invention includes the subpixel cells 114R, 114G, and 114B in the spelled shape included in the unit pixel cell 112, and the subpixels in the spelled shape. The uneven shape scan electrode 98 and the high frequency electrode 108 crossing the wide portions of the cells 114R, 114G, and 114B in the uniaxial direction and intersect the scan electrode 98 and the high frequency electrode 108. The address electrode 94 is provided. The stripe address electrode 94 and the concave-convex scan electrode 98 are formed to cross each other on the back substrate 92. The uneven high frequency electrode 108 is formed on the front substrate 110 in parallel with the scan electrode 98. A lower dielectric layer 96 is formed between the address electrode 94 and the scan electrode 98 to insulate the electrodes. The upper dielectric layer 100 and the passivation layer 102 are stacked on the scan electrode 98, and a partition 104 having a cross sectional shape in the unit of sub pixel cells is formed thereon. Phosphor is coated on the surface of the partition 104.
요철 형태의 스캔전극(98)과 고주파전극(108)은 인접한 서브 화소셀들(114R,114G,114B) 상에서 단축방향으로 횡단하게 된다. 이렇게 고주파전극(108)이 단축방향으로 방전공간이 넓은 쪽을 횡단하게 되므로 스캔전극(98)과 고주파전극(108)은 인접한 서브 화소셀들(114R,114G,114B)의 광폭부분을 횡단하게 된다. 다시 말하여, 스캔전극(98)과 고주파전극(108)은 인접한 서브 화소셀들(114R,114G,114B)을 교번적으로 위 아래 즉, 지그재그로 횡단하게 된다. 철자 형태의 서브 화소셀(114R,114G,114B)의 광폭부분 밑변 길이는 1.5d이고 협폭부분 윗변의 길이는 0.75d로 설정된다. 여기서, 윗변과 밑변의 길이는 설계자에 의해 임의로 선택될 수 있다.The uneven scan electrode 98 and the high frequency electrode 108 traverse in the uniaxial direction on the adjacent sub pixel cells 114R, 114G, and 114B. Since the high frequency electrode 108 traverses the wider discharge space in the shorter direction, the scan electrode 98 and the high frequency electrode 108 traverse the wide portions of the adjacent sub pixel cells 114R, 114G, and 114B. . In other words, the scan electrode 98 and the high frequency electrode 108 alternately traverse adjacent sub-pixel cells 114R, 114G, and 114B in an up-and-down manner, ie, zigzag. The lower side of the wide portion of the spelled sub-pixel cells 114R, 114G, 114B is set to 1.5 d and the length of the upper side of the narrow portion is set to 0.75 d. Here, the length of the upper side and the lower side may be arbitrarily selected by the designer.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 RF PDP를 나타낸다.10 and 11 illustrate an RF PDP according to a fourth embodiment of the present invention.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명에 따른 RF PDP는 단위 화소셀(142)에 포함된 철자 형태의 서브 화소셀들(144R,144G,144B)과, 철자 형태의 서브 화소셀들(144R,144G,144B)의 광폭부분에서 고주파 유지방전이 일어나는 장축방향 쪽으로 돌출되는 돌출부(128a,138a)가 형성된 스캔전극(128) 및 고주파전극(138)과, 스캔전극(128) 및 고주파전극(138)과 교차되는 어드레스전극(124)을 구비한다. 스트라이프 형태의 어드레스전극(124)과 돌출부(128a)가 형성된 스캔전극(128)은 배면기판(122) 상에 상호 교차되게끔 형성된다. 돌출부(138a)가 형성된 고주파전극(138)은 스캔전극(128)과 나란하게 전면기판(140) 상에 형성된다. 어드레스전극(124)과 스캔전극(128) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 하부유전층(126)이 형성된다. 스캔전극(128) 위에는 상부유전층(130)과 보호막(132)이 적층되고, 그 위에 횡단면이 서브 화소셀 단위로 철자 형태의 격벽(134)이 형성된다. 격벽(134)의 표면에는 형광체가 도포된다.Referring to FIGS. 10 and 11, the RF PDP according to the present invention includes the spelling sub-pixel cells 144R, 144G, and 144B included in the unit pixel cell 142, and the spelling sub-pixel cells 144R. The scan electrodes 128 and the high frequency electrode 138, and the scan electrodes 128 and the high frequency electrode 138, which have protrusions 128a and 138a protruding toward the major axis direction in which the high frequency sustain discharge occurs in the wide portions of the 144G and 144B. ) And an address electrode 124 intersecting. The stripe-shaped address electrode 124 and the scan electrode 128 having the protrusion 128a are formed to cross each other on the rear substrate 122. The high frequency electrode 138 having the protrusion 138a is formed on the front substrate 140 in parallel with the scan electrode 128. A lower dielectric layer 126 is formed between the address electrode 124 and the scan electrode 128 to insulate the electrodes. An upper dielectric layer 130 and a passivation layer 132 are stacked on the scan electrode 128, and a partition 134 having a cross sectional shape in the sub pixel cell unit is formed thereon. Phosphor is coated on the surface of the partition 134.
스캔전극(128)과 고주파전극(138)의 돌출부(128a,138a)는 인접한 서브 화소셀들(144R,144G,144B) 상에서 장축방향 쪽으로 돌출된다. 이렇게 고주파 전극(138)이 방전공간이 넓은 장축방향 쪽으로 돌출되므로 스캔전극(128)과 고주파전극(138)의 돌출부(128a,138a)는 인접한 서브 화소셀들(144R,144G,144B) 간에 교번적으로 고주파전극(128)과 스캔전극(138)의 위쪽 변과 아래쪽 변으로부터 돌출된다. 철자 형태의 서브 화소셀(144R,144G,144B) 및 화소셀(142)의 형상과 면적은 도 9에 도시된 그 것과 동일하다.The protrusions 128a and 138a of the scan electrode 128 and the high frequency electrode 138 protrude in the major axis direction on the adjacent sub pixel cells 144R, 144G, and 144B. Since the high frequency electrode 138 protrudes in the long axis direction with a large discharge space, the protrusions 128a and 138a of the scan electrode 128 and the high frequency electrode 138 alternate between the adjacent sub pixel cells 144R, 144G, and 144B. Thus, the high frequency electrode 128 and the scan electrode 138 protrude from the upper side and the lower side. The shape and area of the sub-pixel cells 144R, 144G, and 144B and the pixel cells 142 in the spelled form are the same as those shown in FIG.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 RF PDP는 위 아래 비대칭적인 형태로 셀을 형성하고 인접한 고주파 유지방전을 일으키는 고주파전극과 스캔전극이 셀에서 단축방향으로 방전공간이 넓은 쪽을 횡단하도록 인접한 셀을 지그재그로 횡단하는 형상으로 패터닝된다. 따라서, 본 발명에 따른 RFPDP는 고주파 유지방전이 일어나는 단축방향에서 격벽간 거리가 길어지게 되어 격벽에 충돌되는 전자를 최소화시키므로 소비전력을 줄이고 방전효율을 높일 수 있다.As described above, the RF PDP according to the present invention forms a cell in an asymmetrical shape up and down and moves adjacent cells so that a high frequency electrode and a scan electrode that cause adjacent high frequency sustain discharges traverse a wide discharge space in the uniaxial direction of the cell. Patterned into zigzag transverse shapes. Therefore, the RFPDP according to the present invention increases the distance between the barrier ribs in the short axis direction in which high frequency sustain discharge occurs, thereby minimizing electrons colliding with the barrier ribs, thereby reducing power consumption and increasing discharge efficiency.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 스캔전극과 고주파전극을 물결구조 또는 요철 구조로 형성하며 인접한 셀 간에 비대칭적으로 돌출부를 형성할 수도 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. For example, the scan electrode and the high frequency electrode may be formed in a wavy structure or an uneven structure, and protruding portions may be formed asymmetrically between adjacent cells. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050912 Year of fee payment: 4 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |