KR100358981B1 - ASK Modulator for NRD Guide - Google Patents

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Abstract

본 발명은 NRD 가이드를 이용한 ASK 변조기에 대한 것이다. 쇼트키 장벽 다이오드(Schottky Barrier Diode)가 장착된 다이오드 마운트를 NRD 가이드 종단에 장착함으로써 NRD 가이드를 통해 입사되는 발진전파에 대해 흡수의 정도에 따라 반사되는 출력을 반복하여 변화시킴으로써 변조를 할 수 있다. 또한, NRD 가이드의 종단과 다이오드 마운트의 사이에 공극(Air Gap)을 두어 변조함으로써 VSWR 특성이 우수하여 흡수/반사비가 매우 우수한 ASK 특성의 변조를 얻을 수 있다.The present invention relates to an ASK modulator using an NRD guide. By mounting a diode mount with a Schottky Barrier Diode at the end of the NRD guide, modulation can be achieved by repeatedly varying the reflected output with respect to the degree of absorption for the oscillating wave incident through the NRD guide. In addition, by providing an air gap between the end of the NRD guide and the diode mount to modulate the ASK characteristic with excellent VSWR characteristics and excellent absorption / reflection ratio.

Description

ＮＲＤ 가이드를 이용한 초고주파 ＡＳＫ 변조기{ASK Modulator for NRD Guide}ASK Modulator for NRD Guide using NDR Guide

〈28〉 본 발명은 밀리미터파 대역에서 NRD 가이드(Non Radiative Dielectric Waveguide : 비방사성유전체도파관)와 쇼트키 장벽 다이오드(Schottky Barrier Diode)를 이용한 밀리미터파 ASK 변조기에 관한 것이다.<28> The present invention relates to a millimeter wave ASK modulator using a non-radial dielectric waveguide (NRD) guide and a Schottky Barrier Diode in the millimeter wave band.

〈29〉 무선 통신기기의 전송데이터 양을 높이기 위해서는 사용주파수를 높여 짧은 시간 내에 많은 데이터를 전송할 수 있게 하여야 한다. 하지만, 파장이 짧아짐으로 인하여 전송손실이 발생하는 문제가 있다. 일반적으로 마이크로웨이브 이상의 대역을 처리하는 기술로 MMIC 방법을 생각할 수 있으나 이 기술은 사용주파수50GHz에서 1m에 60dB 정도의 급격한 전송손실이 발생한다. 즉, 이러한 기술로 높은 주파수에 대한 회로의 구성이 어렵다.<29> In order to increase the amount of data transmitted from a wireless communication device, the frequency of use should be increased to transmit a large amount of data in a short time. However, there is a problem in that transmission loss occurs due to the shortening of the wavelength. In general, the MMIC method can be considered as a technology for processing a microwave or more band, but this technology generates a rapid transmission loss of about 60dB at 1m at a frequency of 50GHz. In other words, this technique makes it difficult to construct a circuit for high frequencies.

〈30〉 기존의 ASK 변조를 위해 NRD 가이드의 종단에 쇼트키 다이오드를 삽입하여 흡수/반사를 반복하며 반사되는 밀리미터파의 출력을 조절하여 ASK 변조 특성을 얻을 수 있었다. 하지만, 흡수와 반사되는 밀리미터파의 출력의 차이가 미약하여 신호의 감쇠나 잡음의 영향으로 수신기에서의 수신감도가 나빠질 우려가 있다.For conventional ASK modulation, a Schottky diode was inserted at the end of the NRD guide to repeat absorption / reflection, and the output of reflected millimeter wave was adjusted to obtain ASK modulation characteristics. However, the difference in the output of the absorbed and reflected millimeter wave is weak, and the reception sensitivity of the receiver may be deteriorated due to the attenuation of the signal or the noise.

〈31〉 본 발명은 60GHz 대역에서 쇼트키 다이오드(14)가 장착되는 다이오드 마운트(6)와 NRD 가이드(3) 종단 사이에 일정한 공극을 가지는 구조적 발명에 의한 변조특성의 개선 방법을 제공하여 신호의 감쇠나 잡음의 영향으로 수신기에서의 수신감도를 좋게 할 수 있는 구현 예를 제공하고자 한다. 또한 본 발명의 구현 예에서는 60GHz 대역를 기준으로 하였으나, 다른 주파수 대역에서도 본 발명을 인용하여 실시할 수 있다.<31> The present invention provides a method for improving the modulation characteristics according to a structural invention having a constant gap between the end of the NRD guide (3) and the diode mount (6) on which the Schottky diode (14) is mounted in the 60 GHz band. The purpose of the present invention is to provide an example of improving reception sensitivity at a receiver due to attenuation or noise. In addition, although the embodiment of the present invention is based on the 60 GHz band, other frequency bands may be cited according to the present invention.

〈32〉 본 발명의 제 1 실시예는 전파가 흐르는 통로인 NRD 가이드(3), NRD 가이드(3)와 전방테프론(4) 사이의 공극(Air Gap), 전방테프론(4), 고유전율시트(5), 다이오드 마운트(6), 그리고 후방테프론(7)의 순서로 구성한다.<32> In the first embodiment of the present invention, the air gap, the air gap between the NRD guide 3 and the front teflon 4, the front teflon 4, the high dielectric constant sheet (5), diode mount (6), and rear teflon (7) in this order.

〈33〉 제 1 실시예에 있어서 ASK 변조기의 주파수와 반사되는 출력의 차이를 조절하는 매개변수는 공극(Air-Gap)과 전방테프론(4), 고유전율시트(5), 후방테프론(7)이다. 이들 매개변수를 조절하여 원하는 주파수와 반사되는 출력의 차이를 얻을 수 있도록 구성한다.33. In the first embodiment, the parameters for adjusting the difference between the frequency of the ASK modulator and the reflected output are air-gap, front Teflon 4, high dielectric constant sheet 5, and rear Teflon 7 to be. Adjust these parameters to configure the difference between the desired frequency and the reflected output.

〈34〉 본 발명의 제 2 실시예는 전파가 흐르는 통로인 NRD 가이드 선로(16)와 다이오드 마운트(17)사이의 공극(Air Gap)을 없애고, 고유전율시트(19)만을 삽입하여 NRD 가이드 선로(16)과의 임피던스 정합을 얻고, 후방테프론(18)을 삽입하는 순서로 구성한다.<34> The second embodiment of the present invention eliminates the air gap between the NRD guide line 16 and the diode mount 17, which are passages of radio waves, and inserts only the high dielectric constant sheet 19 to insert the NRD guide line. Impedance matching with (16) is obtained, and the rear teflon 18 is inserted in this order.

〈1〉 도 1 : 본 발명에 있어서 제 1 실시예의 NRD 가이드 회로를 이용한 밀리미<1> Fig. 1: Milli-Mi using the NRD guide circuit of the first embodiment in the present invention

터파 ASK 변조기의 사시도Perspective view of a Turpa ASK Modulator

〈2〉 도 2 : ASK 변조기의 상부도체판을 제거하고 도시한 평면도.2 is a plan view showing the top conductor plate of the ASK modulator removed.

〈3〉 도 3 : ASK 변조기의 측면도<3> Fig. 3: Side view of ASK modulator

〈4〉 도 4 : 쇼트키 장벽 다이오드가 장착되어 있는 다이오드 마운트(6)의 상세 설명을 위한 사시도<4> Fig. 4: Perspective view for detailed description of diode mount 6 on which Schottky barrier diode is mounted

〈5〉 도 5 : 제 1 실시예에서 공극이 1mm이고 전방테프론(4)이 1.5mm일 때, 다 이오드 마운트 전방에 삽입되는 고유전율 시트(5)에 따른 반사손실 측정 결과 그래프.<5> FIG. 5: Return loss measurement graph according to the high dielectric constant sheet 5 inserted in front of the diode mount when the air gap is 1 mm and the front teflon 4 is 1.5 mm in the first embodiment.

〈6〉 도 6 : 제 1 실시예에서 공극이 0.5mm이고 전방테프론(4)이 1.5mm일 때,다이오드 마운트 전방에 삽입되는 고유전율 시트(5)에 따른 반사손실 측정 결과 그래프.Fig. 6: A graph showing the results of measuring the reflection loss according to the high dielectric constant sheet 5 inserted in front of the diode mount when the air gap is 0.5 mm and the front teflon 4 is 1.5 mm in the first embodiment.

〈7〉 도 7 : 제 1 실시예에서 공극이 0.5mm이고 고유전율시트(5)가 0.18mm일 때, 다이오드 마운트 전방에 삽입되는 전방테프론(4)에 따른 반사손실 측정 결과 그래프.<7> Fig. 7: A graph showing the results of measuring the reflection loss according to the front Teflon 4 inserted in front of the diode mount when the air gap is 0.5 mm and the high dielectric constant sheet 5 is 0.18 mm in the first embodiment.

〈8〉 도 8 : 제 1 실시예에서 공극이 1mm과 0.5mm이고 전방테프론(4)이 1.5mm일때, 다이오드 마운트 전방에 삽입되는 고유전율 시트(5)에 따른 주파수의 변화를 나타내는 그래프.<8> Fig. 8: Graph showing the change of the frequency according to the high dielectric constant sheet 5 inserted in front of the diode mount when the voids are 1 mm and 0.5 mm and the front Teflon 4 is 1.5 mm in the first embodiment.

〈9〉 도 9 : 제 1 실시예에서 공극이 0.5mm이고 고유전율시트(5)가 0.18mm일 때, 전방테프론(4)에 따른 주파수의 변화를 나타내는 그래프.9 is a graph showing a change in frequency according to the front teflon 4 when the air gap is 0.5 mm and the high dielectric constant sheet 5 is 0.18 mm in the first embodiment.

〈10〉 도 10 : 제 2 실시예에서 공극이 존재하지 않는 NRD 가이드 회로를 이용한 밀리미터 파 ASK 변조기의 사시도.10 is a perspective view of a millimeter wave ASK modulator using an NRD guide circuit without voids in the second embodiment.

〈11〉 도 11 : 공극이 존재하지 않는 ASK 변조기의 상부도체판을 제거하고 도시한 평면도.Fig. 11 is a plan view showing the top conductor plate of the ASK modulator without voids.

〈12〉 도 12 : 공극이 존재하지 않는 ASK 변조기의 측면도Fig. 12: Side view of an ASK modulator without voids

〈13〉 도 13 : 고유전율 시트에 따른 흡수/반사로 인한 출력의 변화를 나타낸 그래프.Fig. 13 is a graph showing a change in output due to absorption / reflection according to the high dielectric constant sheet.

(도면부호에 대한 설명)(Description of the drawing reference)

〈14〉 1 : 상부도체판〈14〉 1: Upper conductor plate

〈15〉 2 : 하부도체판〈15〉 2: Lower conductor plate

〈16〉 3, 16 : NRD 가이드(Non-Radiative Dielectric wave-Guide ; 비방사성유전체도파관)<16> 3, 16: NRD guide (Non-Radiative Dielectric wave-Guide; non-radioactive dielectric waveguide)

〈17〉 4 : 전방 테프론〈17〉 4: Front Teflon

〈18〉 5, 19 : 고유전율 시트(High Permittivity Sheet)〈18〉 5, 19: High Permittivity Sheet

〈19〉 6, 17 : 다이오드 마운트<19> 6, 17: diode mount

〈20〉 7,18 : 후방 테프론〈20〉 7,18: Rear Teflon

〈21〉 8, 15 : 바이어스 선로(Semi-Rigid Cable)〈21〉 8, 15: Semi-Rigid Cable

〈22〉 9 : 입사파(Incident Wave)〈22〉 9: Incident Wave

〈23〉 10 : 반사파(Reflected Wave)〈23〉 10: Reflected Wave

〈24〉 11 : 공극 내에서의 입사하여 반사되는 전파<24> 11: radio waves incident and reflected in the voids

〈25〉 12 : 금속(구리)박막〈25〉 12: metal (copper) thin film

〈26〉 13 : 유전체 기판<26> 13: dielectric substrate

〈27〉 14 : 쇼트키 장벽 다이오드(Schottky Barrier Diode ; 본 발명에 대한 설명에서는 쇼트키 다이오드라 칭함)<27> 14: Schottky Barrier Diode (referred to as Schottky diode in the description of the present invention)

(실시예 1)(Example 1)

〈35〉 본 발명의 ASK 변조기는 상하도체판(1, 2)의 간격은 NRD 가이드 이론에 따라 반파장 이하로 하여야 하기 때문에 2.25 mm로 하였다. NRD 가이드의 폭은 2.5 mm이다.<35> The ASK modulator of the present invention is set to 2.25 mm because the distance between the upper and lower conductor plates 1 and 2 should be less than half wavelength according to the NRD guide theory. The width of the NRD guide is 2.5 mm.

〈36〉 쇼트키 다이오드(14)를 도 4에서와 같이 유전율이 2.6이고, 두께가 0.3 mm인 유전체 기판(13)의 초크형태의 금속박막(12) 위에 장하시킨다. 이때, 금속박막(12)에 쇼트키 다이오드(14)가 장하되는 부분은 두개의 안테나로 구성되어 있다고 생각할 수 있다. 쇼트키 다이오드(14)에 순방향 바이어스가 흐를 경우에는두 안테나 사이는 이어져 입사하는 전파를 흡수하게 되는 것으로 생각할 수 있고, 반대로 역방향 바이어스가 흐를 경우에는 두 안테나가 분리되어 입사하는 전파를 반사하는 역할을 한다고 생각할 수 있다. 즉, 쇼트키 다이오드(14)에 순방향 바이어스를 흘리게 되면 다이오드 마운트(6)로 입사하는 전파를 흡수하고, 역방향 바이어스를 흘리게 되면 다이오드 마운트(6)로 입사하는 전파를 반사하게 된다.<36> The Schottky diode 14 is mounted on the choke-shaped metal thin film 12 of the dielectric substrate 13 having a dielectric constant of 2.6 and a thickness of 0.3 mm as shown in FIG. At this time, it can be considered that the portion where the Schottky diode 14 is loaded on the metal thin film 12 is composed of two antennas. When forward bias flows through the Schottky diode 14, the two antennas can be considered to be connected to each other to absorb incident radio waves. On the contrary, when the reverse bias flows, the two antennas separate and reflect incident radio waves. I can think of it. That is, when forward bias is applied to the Schottky diode 14, the radio wave incident on the diode mount 6 is absorbed. When reverse bias is applied, the radio wave incident on the diode mount 6 is reflected.

〈37〉 이의 ASK 변조의 원리에 있어서, 흡수되는 정도를 조절하여, 입사되어 반사되는 밀리미터파의 출력의 변조를 얻을 수 있다. 기존의 공극을 두지 않은 NRD 가이드를 이용한 ASK 변조의 경우, 반사되는 출력의 차이가 미약하였다. 본 발명에서는 공극을 두고 전방테프론(4)과 고유전율시트(5)를 이용하였다.In the principle of ASK modulation thereof, the degree of absorption can be adjusted to obtain modulation of the millimeter wave output that is incident and reflected. In the case of ASK modulation using an NRD guide without conventional voids, the difference in reflected output is weak. In the present invention, the front teflon (4) and the high dielectric constant sheet (5) was used with a gap.

〈38〉 도 5는 고유전율시트(5)의 두께에 따라 쇼트키 다이오드(14)에 바이어스를 인가하여 순방향과 역박향을 인가하였을 때, 반사손실(Return Loss)을 측정한 것이다. 이때, 공극의 폭은 1mm이고, 전방테프론(4)과 후방테프론(7)의 길이는 1.5mm이다. 고유전율시트(5)의 두께가 0.12mm일 때의 반사되는 출력의 차이가 30dB 이상이 된다. 예를 들어 입사파의 출력이 1W일 경우, 바이어스가 인가되지 않은 쇼트키 다이오드(14)가 장착되어 있는 다이오드 마운트(6)의 안테나는 입사파의 3dB가 감쇠된 500mW가 반사된다. 반대로 쇼트키 다이오드(14)에 바이어스를 인가하여 순방향이 되어 입사파를 흡수하게 되어 반사되는 출력은 1mW가 된다.<38> FIG. 5 shows the return loss when the forward and reverse directional pulses are applied by applying a bias to the Schottky diode 14 according to the thickness of the high dielectric constant sheet 5. At this time, the width of the gap is 1mm, the length of the front teflon 4 and the rear teflon 7 is 1.5mm. When the thickness of the high dielectric constant sheet 5 is 0.12 mm, the difference of the reflected output becomes 30 dB or more. For example, when the output of the incident wave is 1 W, the antenna of the diode mount 6 equipped with the Schottky diode 14 to which bias is not applied is reflected by 500 mW in which 3 dB of the incident wave is attenuated. On the contrary, a bias is applied to the Schottky diode 14 to absorb the incident wave in the forward direction, and the reflected output becomes 1 mW.

〈39〉 도 6은 도 5의 같은 조건에서 공극의 폭을 0.5mm로 하였을 때의 고유전율시트(5)에 따른 반사손실(Return Loss)를 나타내고 있다. 따라서 도 6의 측정 결과과, 상기 도 5의 측정 결과를 비교하여 보면, 공극 폭이 1mm일 때보다 0.5㎜일 때가 고유전율시트(5)에 따른 영향이 적어진다는 사실을 알수 있다.<39> FIG. 6 shows the return loss caused by the high dielectric constant sheet 5 when the width of the void is 0.5 mm under the same conditions of FIG. 5. Therefore, when comparing the measurement result of FIG. 6 and the measurement result of FIG. 5, it can be seen that the effect of the high dielectric constant sheet 5 is less when the pore width is 0.5 mm than when the pore width is 1 mm.

〈40〉 도 7은 고유전율시트의 두께가 0.18이고, 공극 폭이 0.5mm이고, 후방테프론이 1.5mm일 때, 전방테프론에 따른 반사손실을 나타내고 있다. 전방테프론이 1.3mm일 때, 쇼트키 다이오드(14)에 인가되는 바이어스에 따른 반사파의 출력 차이가 32dB정도 되는 최대값을 얻을 수 있었다.<40> FIG. 7 shows the reflection loss according to the front Teflon when the thickness of the high dielectric constant sheet is 0.18, the pore width is 0.5mm, and the rear Teflon is 1.5mm. When the front Teflon was 1.3 mm, the maximum value of the difference in the output of the reflected wave according to the bias applied to the Schottky diode 14 was about 32 dB.

〈41〉 또한 고유전율시트(5) 및 전방테프론(4)에 따라 사용주파수 대역을 선택할 수 있음을 도 8과 9에서 보여준다. 도 8은 고유전율시트(5)에 따른 주파수의 변화이고, 도 9는 전방테프론(4)에 따른 것이다.<41> In addition, it is shown in Figures 8 and 9 that the frequency band to be used can be selected according to the high dielectric constant sheet (5) and the front Teflon (4). FIG. 8 is a change of frequency according to the high dielectric constant sheet 5 and FIG. 9 is according to the front teflon 4.

(실시예 2)(Example 2)

〈42〉 본 발명의 제 2 실시예의 공극이 존재하지 않는 ASK 변조기의 사시도와 평면도, 및 단면도를 도 10, 도 11, 도 12에 나타내었다. 도 11과 도 12의 평면도와 단면도에서는 입사하는 파와 반사하는 파의 모식도를 포함하고 있다.<42> A perspective view, a plan view, and a sectional view of an ASK modulator in which there is no gap in a second embodiment of the present invention are shown in FIGS. 10, 11, and 12. The top and sectional views of FIGS. 11 and 12 include schematic views of incident waves and reflected waves.

〈43〉 도 13은 NRD 가이드 선로(16)과 다이오드 마운트(17)의 사이에 임피던스정합을 위해 삽입되는 고유전율시트(19)의 두께에 따라 바이어스의 ON/OFF에 대한 출력의 변화를 보여주고 있다. 흡수/반사의 차이가 클수록 변조율은 개선된다.FIG. 13 shows the variation of the output of ON / OFF of the bias according to the thickness of the high dielectric constant sheet 19 inserted for impedance matching between the NRD guide line 16 and the diode mount 17. have. The greater the difference in absorption / reflection, the better the modulation rate.

〈44〉 본 발명의 제 1 실시예는 NRD 가이드의 종단으로부터 일정한 공극 폭을 두고, 전방테프론(4), 고유전율시트(5)와 다이오드 마운트(6), 후방테프론(7)의 순서로 장착되어 밀리미터파의 변조율을 높일 수 있음을 보여준다.<44> The first embodiment of the present invention has a constant pore width from the end of the NRD guide, and is mounted in the order of the front teflon 4, the high dielectric constant sheet 5, the diode mount 6, and the rear teflon 7. This shows that the modulation rate of the millimeter wave can be increased.

〈45〉 또한 공극의 폭과 전방테프론(4), 고유전율시트(5)의 두께에 따른 사용주파수 대역과 변조율을 조절할 수 있다.<45> In addition, it is possible to adjust the use frequency band and the modulation rate according to the width of the gap, the thickness of the front Teflon 4 and the high dielectric constant sheet 5.

〈46〉 본 발명의 제 2 실시예는 NRD 가이드 선로(16)와 다이오드 마운트(17)사이의 공극(Air Gap)이 존재하지 않기 때문에 반사계수의 특성은 제 1 실시예에 비해 좋은 것은 아니지만 보다 넓은 대역에 걸쳐 양호한 특성의 변조를 실행할 수 있다.<46> In the second embodiment of the present invention, since there is no air gap between the NRD guide line 16 and the diode mount 17, the reflection coefficient is not better than that of the first embodiment. Modulation of good characteristics can be performed over a wide band.

Claims (5)

NRD 가이드를 이용한 밀리미터파 변조 방법에 있어서,In the millimeter wave modulation method using the NRD guide, 전파가 흐르는 통로인 NRD 가이드(3)와 전방테프론(4) 사이의 공극(Air Gap), 전방테프론(4), 고유전율시트(5), 다이오드 마운트(6),그 후에 후방테프론(7)의 순서로 실장한 구조를 가지는 것을 특징으로 한 밀리미터파 ASK 변조기를 이용한 비방사성유전체회로.Air gap between the NRD guide 3 and the front teflon 4, the front teflon 4, the high dielectric constant sheet 5, the diode mount 6, and then the rear teflon 7 A non-radioactive dielectric circuit using a millimeter wave ASK modulator, characterized in that it has a structure mounted in the order of. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 잡음 및 신호의 감쇠를 위하여 NRD 가이드와 전방 테프론 사이에 일정한 간격의 공극을 둔 것을 특징으로 한 밀리미터파 ASK 변조기를 이용한 비방사성유전체회로.A non-radioactive dielectric circuit using a millimeter-wave ASK modulator characterized by a spaced gap between the NRD guide and the front Teflon for noise and signal attenuation. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 원하는 주파수와 반사되는 출력의 차이를 얻을 수 있도록 하기 위하여 ASK 변조기의 주파수와 반사되는 출력의 차이를 조절하는 매개변수인 공극(Air-Gap)의 간격과 전방테프론 및 후방 테프론의 크기, 고유전율시트의 조절이 가능토록 함을 특징으로 한 밀리미터파 ASK 변조기를 이용한 비방사성유전체회로To adjust the difference between the frequency of the ASK modulator and the reflected output, the gap between the air-gap, the size of the front and rear teflon, and the high dielectric constant sheet are used to adjust the difference between the frequency and the reflected output of the ASK modulator. Non-radioactive dielectric circuit using millimeter-wave ASK modulator characterized by NRD 가이드를 이용한 밀리미터파 변조 방법에 있어서,In the millimeter wave modulation method using the NRD guide, 전파가 흐르는 통로인 NRD 가이드 선로(16)와 다이오드 마운트(17)사이의 공극(Air Gap)을 없애고, 고유전율시트(19)만을 삽입하여 NRD 가이드 선로(16)과의 임피던스 정합을 얻고, 후방테프론(18)을 삽입하는 구조를 가지는 것을 특징으로 한 밀리미터파 ASK 변조기를 이용한 비방사성유전체회로The air gap between the NRD guide line 16 and the diode mount 17, which are the passages of radio waves, is removed, and only the high dielectric constant sheet 19 is inserted to obtain impedance matching with the NRD guide line 16. Non-radioactive dielectric circuit using millimeter wave ASK modulator characterized by having a structure for inserting Teflon 18 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 원하는 주파수와 반사되는 출력의 차이를 얻을 수 있도록 하기 위하여 ASK 변조기의 주파수와 반사되는 출력의 차이를 조절하는 매개변수인 후방 테프론의 크기, 고유전율시트의 조절이 가능토록 함을 특징으로 한 밀리미터파 ASK 변조기를 이용한 비방사성유전체회로.In order to obtain the difference between the desired frequency and the reflected output, the millimeter wave is characterized by the size of the rear Teflon and the high dielectric constant sheet which are the parameters that control the difference between the frequency of the ASK modulator and the reflected output. Non-radioactive dielectric circuit using ASK modulator.
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