KR100340014B1 - Cutter for liquid crystal display having polycrystalline diamond - Google Patents
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Abstract
본 발명은 85 ~ 95 부피%인 다이아몬드 분말, 및 3 ~ 10 부피%인 텅스텐 카바이드에 0.1 ~ 2 부피%인 보론 카바이드와 0.1 ~2 부피%인 금속 아연(Zn) 분말을 혼합하여 생성된 소결조제를 구비하고, 상기 다이아몬드 분말과 상기 소결조제의 혼합물은 고온 고압으로 몸체와 절단날부가 형성되도록 소결 합성시킨 중간판; 및 90 ~ 95부피%인 텅스텐 카바이드와 1 ~ 5 부피%인 코발트에 0.1 ~ 3 부피%인 탄탈륨 카바이드를 첨가시켜 제조된 제 1초경 기판과 제 2초경 기판을 포함한 것으로, 상기 제 1초경 기판과 상기 제 2초경 기판 사이에는 상기 중간판을 위치시켜 고온 고압으로 3중 결합체를 소결 합성시키는 것을 특징으로 한다.The present invention is a sintering aid produced by mixing a diamond powder of 85 to 95% by volume, and tungsten carbide of 3 to 10% by volume and 0.1 to 2% by volume of boron carbide and 0.1 to 2% by volume of metal zinc (Zn) powder. And a mixture of the diamond powder and the sintering aid is sintered and synthesized to form a body and a cutting blade at a high temperature and high pressure; And a first cemented carbide substrate and a second cemented carbide substrate prepared by adding 0.1 to 3 volume% of tantalum carbide to 90 to 95 volume% of tungsten carbide and 1 to 5 volume% of cobalt. The intermediate plate is positioned between the second cemented carbide substrate to sinter the triple bond at high temperature and high pressure.
다이아몬드의 소결을 위한 소결조제로써 철, 니켈, 코발트 등을 사용하지 않고 텅스텐 카바이드, 보론 카바이드나 금속아연 분말을 선택적으로 사용하여 내마모성을 크게 향상시킬 수 있다.As a sintering aid for diamond sintering, tungsten carbide, boron carbide or metal zinc powder may be selectively used without using iron, nickel, cobalt, or the like to greatly improve wear resistance.
Description
본 발명은 제 1초경기판과 제 2초경 기판 사이에 샌드위치형으로 결합하여 내마모성을 크게 향상시키도록 다이아몬드 소결체를 갖는 액정화면 디스 플레이용 커터에 관한 것이다.The present invention relates to a cutter for a liquid crystal screen display having a diamond sintered body so as to improve the wear resistance by sandwiching between the first cemented carbide substrate and the second cemented carbide substrate.
일반적으로 컴퓨터 산업, 디지털 영상 부분의 핵심인 칩(Chip)의 소재가 되는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)냐 액정 셀(Cell)의 가공 및 절단 공정에 커터 공구류가 사용되고 있었다.Generally, cutter tools have been used to process and cut silicon wafers or liquid crystal cells, which are materials of chips, the core of the digital industry.
액정화면 디스 플레이(Liquid Crystalline Display; LCD)의 개발시 유리기판 두장이 합착된 기판을 스크라이브하고 절단하는 공정이 필요하다. 절단 공정은 셀 단위의 절단과 액정 주입을 위해 어셈블리가 완료된 기판의 실(Seal)을 한후 소정의 갭 상태로 유지하며 경화시키는 공정의 다음 단계이다. 셀 절단 공정은 실패턴 경화 공정 이후에 기판에서 각각의 셀(Cell)로 절단하여 분리하는 공정으로, 단위 셀로 절단한 후에 액정 주입을 하는 과정을 거쳤다.In developing a liquid crystal display (LCD), a process of scribing and cutting a substrate in which two glass substrates are bonded is required. The cutting process is the next step of curing and maintaining a predetermined gap state after sealing a substrate on which the assembly is completed for cell-based cutting and liquid crystal injection. The cell cutting process is a process of cutting and separating each cell from the substrate after the fail-turn hardening process, and the liquid crystal is injected after being cut into unit cells.
이 같이. 액정화면 디스 플레이용 커터는 반도체 생산 라인에서 만들어진 웨이퍼를 스크라이브 라인을 따라 절단하는 다이싱(Dicing) 공정, 웨이퍼의 완전절단 공정, 힘을 가하여 절단하는 브레이크 공정 전에 사용하고 있었다.Like this. Cutters for LCD screens were used before the dicing process of cutting wafers made in semiconductor production lines along scribe lines, the complete cutting process of wafers, and the brake process of applying force.
종래 액정화면 디스 플레이용 커터는 도 1과 도 2에서와 같은 구조로 이루어져 있었는바, 커터(100)는 원형의 몸체(102), 몸체(102)의 사방 둘레를 따라 일체로 형성된 절단날부(104)로 이루어졌다. 커터(100)의 재질은 초경합금(超更合金)으로 형성되었다. 초경합금은 탄화 텅스텐(WC)·탄화 티타늄(TiC) 등 매우 단단한 금속간 화합물의 분말과 결합제로서 코발트 등의 분말을 섞은 것을 압축 성형후 고온으로 가열하여 소결한 합금이다.Conventional LCD screen cutter was made of the same structure as in Figure 1 and 2 bar, cutter 100 is a circular body 102, the cutting blade portion 104 formed integrally along the four sides of the body 102 ) The material of the cutter 100 was formed of cemented carbide. A cemented carbide is an alloy obtained by sintering a mixture of a powder of very hard intermetallic compounds such as tungsten carbide (WC) and titanium carbide (TiC) and a powder of cobalt or the like as a binder after compression molding.
이와 같은 구조로 이루어진 종래의 커터(100)는 몸체(102)에 다이싱 바(도시안됨)를 끼워 고속으로 회전하면서 액정화면 디스 플레이(106)의 표면을 다이싱 작업 및 절단토록 하였다. 그러나, 액정화면 디스 플레이(106)의 표면은 경도가 높지 않아 다이싱 및 절단시 소성 변형(Plastic Strain)이 일어나 커터(100)의 절단날부(104)의 마모로 인한 다이싱 폭이 넓어질 수 있었으며, 액정화면 디스 플레이(106)는 칩핑(Chipping; 절삭 부분의 깨짐)이나 백 사이드 크랙(Backside Crack; 웨이퍼 후미의 깨짐)이 발생되는 등의 문제점이 있었다.The conventional cutter 100 having such a structure has a dicing bar (not shown) inserted into the body 102 to rotate at a high speed while dicing and cutting the surface of the LCD screen 106. However, since the surface of the LCD screen 106 is not high in hardness, plastic strain occurs during dicing and cutting, and thus the dicing width due to wear of the cutting blade 104 of the cutter 100 may be widened. The LCD screen 106 has problems such as chipping (cracking of the cutting part) and backside crack (cracking of the wafer tail).
본 발명의 기술적 과제는 다이아몬드 분말의 소결조제로서 보론 카바이드나 금속아연을 선택적으로 혼합하여 다이아몬드 소결체를 생성하고, 이를 제 1초경기판과 제 2초경 기판 사이에 샌드위치형으로 결합하여 내마모성을 크게 향상시키는 다이아몬드 소결체를 갖는 액정화면 디스 플레이용 커터를 제공하는데 있다.Technical problem of the present invention is to produce a diamond sintered body by selectively mixing boron carbide or metal zinc as a sintering aid of diamond powder, and bonded to the sandwich between the first carbide substrate and the second carbide substrate to greatly improve the wear resistance An object of the present invention is to provide a cutter for a liquid crystal display having a diamond sintered body.
본 발명은, 85 ~ 95 부피%인 다이아몬드 분말, 및 3 ~ 10 부피%인 텅스텐 카바이드에 0.1 ~ 2 부피%인 보론 카바이드와 0.1 ~2 부피%인 금속 아연(Zn) 분말을 혼합하여 생성된 소결조제를 구비하고, 상기 다이아몬드 분말과 상기 소결조제의 혼합물은 고온 고압으로 몸체와 절단날부가 형성되도록 소결 합성시킨 중간판; 및 90 ~ 95부피%인 텅스텐 카바이드와 1 ~ 5 부피%인 코발트에 0.1 ~ 3 부피%인 탄탈륨 카바이드를 첨가시켜 제조된 제 1초경 기판과 제 2초경 기판을 포함한 것으로,상기 제 1초경 기판과 상기 제 2초경 기판 사이에는 상기 중간판을 위치시켜 고온 고압으로 3중 결합체를 소결 합성시키는 것을 특징으로 한다.The present invention is a sintering produced by mixing a diamond powder of 85 to 95% by volume, and tungsten carbide of 3 to 10% by volume and 0.1 to 2% by volume of boron carbide and 0.1 to 2% by volume of metal zinc (Zn) powder. An intermediate plate having a preparation, wherein the mixture of the diamond powder and the sintering aid is sintered and synthesized to form a body and a cutting blade at high temperature and high pressure; And a first cemented carbide substrate and a second cemented carbide substrate prepared by adding 0.1 to 3 volume% of tantalum carbide to 90 to 95 volume% of tungsten carbide and 1 to 5 volume% of cobalt. The intermediate plate is positioned between the second cemented carbide substrate to sinter the triple bond at high temperature and high pressure.
본 발명은, 상기 혼합물에는 최소 6분간 40 내지 70Kb 사이의 압력과 1,200 ~ 1,600℃ 사이의 온도를 가하는 것을 특징으로 한다.The invention is characterized in that the mixture is subjected to a pressure between 40 and 70 Kb and a temperature between 1,200 and 1,600 ° C. for at least 6 minutes.
도 1은 종래 기술에서 초경으로 이루어진 액정화면 디스 플레이용 커터의 측단면도;1 is a side cross-sectional view of a cutter for an LCD screen display made of cemented carbide in the prior art;
도 2는 도 1의 커터에 의한 액정화면 디스 플레이의 절단 상태를 보인 요부확대 단면도;FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing main parts of the LCD screen of the cutter of FIG. 1; FIG.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다이아몬드 소결체를 갖는 액정화면 디스 플레이용 커터를 보인 측단면도; 및3 is a side sectional view showing a cutter for a liquid crystal display having a diamond sintered body according to an embodiment of the present invention; And
도 4는 본 발명의 커터에 의한 액정화면 디스 플레이 절단 상태를 보인 요부확대 단면도이다.Figure 4 is an enlarged cross-sectional view showing the main portion showing the cutting state of the LCD screen display by the cutter of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 커터 12 : 몸체10 cutter 12 body
14 : 절단날부 16 : 액정화면 디스 플레이14: cutting blade portion 16: LCD screen display
20 : 중간판 22 : 제 1초경 기판20: intermediate plate 22: first carbide substrate
24 : 제 2초경 기판 DM : 다이아몬드 분말24: second carbide substrate DM: diamond powder
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예는 첨부된 도 3과 도 4에 의거하여 상세히 기술하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying Figures 3 and 4 as follows.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다이아몬드 소결체를 갖는 액정화면 디스 플레이용 커터를 보인 측단면도이고, 도 4는 본 발명의 커터에 의한 액정화면 디스 플레이 절단 상태를 보인 요부확대 단면도이다.3 is a side sectional view showing a liquid crystal display display cutter having a diamond sintered body according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is an enlarged cross-sectional view showing the main portion showing a cutting state of the liquid crystal display display by the cutter of the present invention.
이에 도시된 바와 같이 본 발명의 다이아몬드 소결체를 갖는 액정화면 디스 플레이용 커터(10)는 중간판(20)과 제 1초경 기판(22) 및 제 2초경 기판(24)을 포함하여 이루어진다.As shown therein, the cutter 10 for a liquid crystal display having the diamond sintered body of the present invention includes an intermediate plate 20, a first cemented carbide substrate 22, and a second cemented carbide substrate 24.
중간판(20)은 3 ~ 10 부피%인 텅스텐 카바이드(WC)에 0.1 ~ 2 부피%인 보론 카바이드(B4C)와 0.1 ~ 2 부피%인 아연(Zn) 금속분말 중 하나를 혼합하여 생성된 소결조제를 구비하고, 상기 다이아몬드 분말(DM)과 상기 소결조제의 혼합물은 고온 고압으로 몸체(12)와 절단날부(14)가 형성되도록 소결 합성시킨다. 절단날부(14)는 액정화면 디스 플레이(16)의 스크라이브 및 절단 공정을 수행한다.Intermediate plate 20 is produced by mixing 3 to 10% by volume tungsten carbide (WC) with 0.1 to 2% by volume boron carbide (B 4 C) and 0.1 to 2% by volume of zinc (Zn) metal powder. And a mixture of the diamond powder (DM) and the sintering aid are sintered and synthesized such that the body 12 and the cutting blade part 14 are formed at high temperature and high pressure. The cutting blade unit 14 performs a scribe and cutting process of the LCD screen 16.
제 1초경 기판(22)과 제 2초경 기판(24)은 90 ~ 95부피%인 텅스텐카바이드(WC)와 1 ~ 5 부피%인 코발트(C)에 0.1 ~ 3 부피%인 탄탈륨 카바이드(TaC)와 0.1 ~ 1 부피%인 아연 금속분말 중 하나를 첨가시켜 제조된다. 제 1초경 기판(22)과 상기 제 2초경 기판(24) 사이에는 상기 중간판(20)을 위치시켜 고온 고압으로 3중 결합체를 소결 합성시킨다.The first cemented carbide substrate 22 and the second cemented carbide substrate 24 are 90 to 95% by volume of tungsten carbide (WC) and 1 to 5% by volume of cobalt (C) of 0.1 to 3% by volume of tantalum carbide (TaC). And zinc metal powder of 0.1 to 1% by volume is added. The intermediate plate 20 is positioned between the first cemented carbide substrate 22 and the second cemented carbide substrate 24 to sinter the triple bond at high temperature and high pressure.
다이아몬드 분말(DM)과 소결조제의 혼합물에는 최소 6분간 40 내지 70Kb 사이의 압력과 1,200 ~ 1,600℃ 사이의 온도를 가한다.The mixture of diamond powder (DM) and the sintering aid is subjected to a pressure between 40 and 70 Kb and a temperature between 1,200 and 1,600 ° C. for at least 6 minutes.
이와 같이 구성된 본 발명의 다이아몬드 소결체를 갖는 액정화면 디스 플레이용 커터에 대한 제조 과정을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the manufacturing process for the LCD screen cutter having a diamond sintered body of the present invention configured as described above are as follows.
본 발명에서는 다이아몬드 소결체의 제조시, 85 ~ 95 부피%인 다이아몬드 분말(DM)에 철족 원소(철, 니켈, 코발트 등) 대신, 소결조제로써 텅스텐 카바이드(WC)에 보론 카바이드(B4C)와 같은 탄화물이나 아연(Zn)과 같은 금속 분말 중 하나를 혼합하여 다이아몬드 소결체를 제조하기 위한 소결조제로서 첨가하여 제조한다. 그 이유는 소결 조제로 다이아몬드 분말(DM)의 바인더인 철족 원소의 함량이 적을수록 내마모성이 향상되기 때문이다. 이러한 소결 조제의 함량에 따라, 다이아몬드 소결체는 기계적 성질이 크게 달라지는 것으로 알려져 있다. 즉, 소결조제는 다이아몬드 분말(DM)의 소결에 필요한 물질 이동을 가능케해야 하고, 다이아몬드 분말(DM)과의 반응이 크지 않으면서 결합력을 향상시키는 특성을 갖어야만 한다.In the present invention, in the manufacture of diamond sintered body, instead of iron group elements (iron, nickel, cobalt, etc.) in diamond powder (DM) of 85 to 95% by volume, tungsten carbide (WC) and boron carbide (B 4 C) and as a sintering aid It is prepared by adding one of the same carbide or a metal powder such as zinc (Zn) and adding it as a sintering aid for producing a diamond sintered body. The reason for this is that the smaller the content of the iron group element, which is a binder of the diamond powder (DM), as the sintering aid, the better the wear resistance. According to the content of such sintering aid, it is known that diamond sintered body has a large change in mechanical properties. That is, the sintering aid should be capable of mass transfer necessary for the sintering of the diamond powder DM, and should have a property of improving the bonding force without a large reaction with the diamond powder DM.
소결 소제의 제조 과정을 상세히 살펴볼 때, 3 ~ 10 부피%인 텅스텐 카바이드에 0.1 ~ 2 부피% 인 보론 카바이드나 0.1 ~ 1 부피%인 금속아연 분말 중 하나를 선택 혼합하여 소결조제를 생산한다. 이러한 소결조제는 초경합금구(도시안됨)와 함께 초경합금 불밀통(Ball Mill;도시안됨)에 넣어 분쇄한다. 이때, 알코올, 아세톤이나 헥산 등을 첨가제로 가하여 습식으로 행하면서 균일하게 혼합하기되 한다.When looking at the manufacturing process of the sintered granules in detail, a sintering aid is produced by selecting and mixing either 3 to 10% by volume of tungsten carbide with 0.1 to 2% by volume of boron carbide or 0.1 to 1% by volume of metal zinc powder. These sintering aids are ground together with cemented carbide (Ball Mill), together with cemented carbide (not shown). At this time, alcohol, acetone or hexane may be added as an additive and mixed uniformly while wet.
앞서와 같은 과정에 의해, 분쇄가 끝난 혼합물 슬러리는 오븐에서 건조시킨 후 다시 분쇄하면서 미세한 메쉬 크기의 체로 통과시켜 미세 균질 혼합물을 얻는다. 위와 같이 제조된 소결조제는 다이아몬드 분말(DM)을 기초로 하여 대략 85 ~ 95 부피%가 되도록 혼합한다. 혼합된 분말은 상기와 같은 방법을 습식 분쇄한 후 건조시킨다. 건조된 분말은 이에 혼합된 알코올, 아세톤 등을 탈기 처리하여 사용한다.By the same procedure as above, the pulverized mixture slurry is dried in an oven and then passed through a fine mesh size sieve while pulverized again to obtain a fine homogeneous mixture. The sintering aid prepared as described above is mixed to approximately 85 to 95% by volume based on diamond powder (DM). The mixed powder is dried by wet milling as described above. The dried powder is used by degassing alcohol, acetone, and the like mixed therein.
제 1초경 기판(22)과 제 2초경 기판(24)은 90 ~ 95 부피%인 텅스텐 카바이드(WC)와 1 ~ 5 부피%인 코발트(C)에 0.1 ~ 3 부피%인 탄탈륨 카바이드(TaC)와 0.1 ~ 1 부피%인 아연 금속분말 중 하나를 첨가시켜 제조하여 고강도 합금의 특성을 갖도록 한다.The first cemented carbide substrate 22 and the second cemented carbide substrate 24 are 90 to 95% by volume of tungsten carbide (WC) and 1 to 5% by volume of cobalt (C) of 0.1 to 3% by volume of tantalum carbide (TaC). And it is prepared by adding one of the zinc metal powder of 0.1 to 1% by volume to have the characteristics of high strength alloy.
소결조제와 미세한 다이아몬드 분말의 혼합물은 디스크 형으로 성형하거나 컵 모양의 얇은 호일(Foil)에 넣어 제 2초경 기판(24)에 올려 놓고 다진다. 그 다져진 다이아몬드 소결체 위로 제 1초경 기판(22)을 올려놓음으로써, 제 1초경 기판(22)과 제 2초경 기판(24) 사이에 다이아몬드 소결체를 중간판(20)으로하여 센드위치형으로 셀을 완성한다. 이렇게 제작 완료된 셀은 프레스장치에 의해 고온 고압으로 소결 합성시켜 본 발명의 커터(10)는 완성된다.The mixture of the sintering aid and the fine diamond powder is shaped into a disc or placed in a cup-shaped thin foil and placed on the second cemented carbide substrate 24. By placing the first cemented carbide substrate 22 on the compacted diamond sintered body, the sintered diamond is used as the intermediate plate 20 between the first cemented carbide substrate 22 and the second cemented carbide substrate 24 to complete the cell in the send position. do. The produced cell is sintered and synthesized at a high temperature and high pressure by a press device, thereby completing the cutter 10 of the present invention.
이를 더욱 상세히 설명하면, 제 2초경 기판(24)의 상면으로 다이아몬드 소결체를 올려 다진 후 그 상면으로 제 1초경 기판(22)을 올려 놓는다. 이후, 최소 6분간 섭씨 약 1,200 ~1,600℃ 온도와 약 40 내지 70kbar의 압력으로 고온 고압으로 처리하여 커터(10)를 제작한다. 이때, 제 1초경 기판(22)과 제 2초경 기판(24)으로부터 확산 또는 모세관 작용을 통하여 다이아몬드 소결체는 제 1초경 기판(22)과 제 2초경 기판(24)의 경계면에 금속 성분이 균일하게 결합된다. 이와 같이, 얻어진 다이아몬드 소결체의 경도는 6,500 ~9,000kg/mm2의 값을 갖는다.7In more detail, the diamond sintered compact is placed on the upper surface of the second cemented carbide substrate 24, and then the first cemented carbide substrate 22 is mounted on the upper surface of the second cemented carbide substrate 24. Thereafter, the cutter 10 is manufactured by treating at a high temperature and high pressure at a temperature of about 1,200 to 1,600 ° C. and a pressure of about 40 to 70 kbar for at least 6 minutes. At this time, the diamond sintered body is uniformly dispersed at the interface between the first cemented carbide substrate 22 and the second cemented carbide substrate 24 through diffusion or capillary action from the first cemented carbide substrate 22 and the second cemented carbide substrate 24. Combined. Thus, the hardness of the diamond sintered compact obtained has a value of 6,500-9,000 kg / mm <2> .
하부 초경 디스크 형의 지지체 위해 분말 상태로 넣어 다진 후 상부 초경 지지체를 넣고 다이아몬드층을 중간층으로 하는 3중 결합체가 샌드위치형으로 셀을 완성한 다음, 이런 형태를 몇 개 적층시켜 고온 고압 발생장치에서 소결 합성시킨다.After crushing into powder for the lower cemented carbide disc support, inserting the upper cemented carbide support and inserting a triple layer of diamond layer as an intermediate layer to complete the cell in the form of a sandwich. Let's do it.
또한, 0.1 ~ 2 부피%인 아연금속 분말을 첨가하는 방법은 주 성분이 아연으로 제조된 둥근 불밀통에 앞서 제조된 소결 조제를 넣어 제 1초경 기판(22)과 제 2초경 기판(24)과 함께 고온 고압으로 소결시킴으로써, 미세하게 연마되어 첨가하는 방법을 사용하여 최종 소결시간으로 첨가량을 정량화하는 방법을 사용하였다.In addition, the method of adding a zinc metal powder of 0.1 to 2% by volume is added to the first cemented carbide substrate 22 and the second cemented carbide substrate 24 by putting the sintering aid prepared before the round imperial cylinder made of zinc. By sintering together at high temperature and high pressure, a method of quantifying the addition amount by the final sintering time using a method of finely grinding and adding was used.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명의 다이아몬드 소결체를 갖는 액정화면 디스 플레이용 커터에 따르면, 제 1초경 기판과 제 2초경 기판 사이에 다이아몬드 소결체로 된 중간판을 넣어 3중 결합체로 커터를 제작함으로써, 액정화면 디스 플레이의 스크라이브 및 절단 과정에서의 불량률을 저하시킬 수 있다.According to the cutter for a liquid crystal display having the diamond sintered body of the present invention as described in detail above, by inserting an intermediate plate made of diamond sintered body between the first carbide substrate and the second cemented carbide substrate, the cutter is made of a triple bond, Defective rates during scribing and cutting of LCD screens may be reduced.
본 발명은 다이아몬드의 소결을 위한 소결조제로써 철, 니켈, 코발트 등을 사용하지 않고 텅스텐 카바이드, 보론 카바이드나 금속아연 분말을 선택적으로 사용하여 내마모성을 크게 향상시킬 수 있다.The present invention can greatly improve wear resistance by selectively using tungsten carbide, boron carbide or metal zinc powder without using iron, nickel, cobalt, or the like as a sintering aid for sintering diamond.
본 발명은 이상과 같이 기재된 실시예에 대하여만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 사상과 범위 내에서 변경이나 변형을 가할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 이러한 변경이나 변형은 첨부된 특허청구범위에 의하여 제한되어야 한다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the embodiments described above, it will be apparent to those skilled in the art that modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. It should be limited by the claims.
Claims (2)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020000041561A KR100340014B1 (en) | 2000-07-20 | 2000-07-20 | Cutter for liquid crystal display having polycrystalline diamond |
Applications Claiming Priority (1)
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