KR100339412B1 - device for grinding of semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼의 연마장치에 관한 것으로, 많은 갯수의 웨이퍼를 한번에 연마할 수 있도록 전체적인 구조를 달리하여 생산성 향상에 기여토록 함과 함께 연마에 쇼요되는 비용도 절감할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a polishing apparatus for a semiconductor wafer, and to reduce the cost required for polishing while contributing to the improvement of productivity by changing the overall structure so that a large number of wafers can be polished at one time.
이를 위해 본 발명은 상부면으로 복수개의 웨이퍼 수납홈(11a)이 형성된 웨이퍼 고정대(11)와, 상기 웨이퍼 고정대에 상,하로 수직이동가능하도록 설치되어 도시하지 않은 별도의 수단에 의해 이동되어진 웨이퍼를 받아 각 웨이퍼 수납홈(11a) 내로 수납시켜 주는 웨이퍼 수납로드(12)와, 상기 웨이퍼 고정대(11)의 일측 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 함과 함께 회전가능하도록 설치되어 웨이퍼 고정대의 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납된 웨이퍼를 일차적으로 연마하여 주는 원통형의 제1연마판(14)과, 상기 웨이퍼 고정대(11)의 타측 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 함과 함께 회전가능하도록 설치되어 웨이퍼 고정대의 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납된 웨이퍼를 이차적으로 연마하여 주는 원통형의 제2연마판(15)과, 상기 웨이퍼 고정대(11)의 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 설치되어 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납된 웨이퍼 위로 슬러리를 공급하여 주는 한쌍의 제1슬러리 공급부재(16)와, 상기 제1연마판(14)의 상방에 위치된 상태로 전,후로 수평이동가능하도록 설치되어 제1연마판 위로 슬러리를 공급하여 주는 제2슬러리 공급부재(17)와, 상기 제2연마판(15)의 상방에 위치된 상태로 전,후로 수평이동가능하도록 설치되어 제2연마판 위로 슬러리를 공급하여 주는 제3슬러리 공급부재(18)로 구성하여서 된 것이다.To this end, the present invention provides a wafer holder 11 having a plurality of wafer accommodating grooves 11a formed at an upper surface thereof, and a wafer which is installed to be vertically movable up and down on the wafer holder and moved by a separate means (not shown). A wafer receiving rod 12 that receives the wafer into the wafer receiving grooves 11a, and is installed to be rotatable horizontally while being positioned above one side of the wafer holder 11 and rotatable. Cylindrical first polishing plate 14 for first grinding the wafer contained in each wafer accommodating groove 11a of the holder and horizontally movable left and right in a state located above the other side of the wafer holder 11. And a cylindrical second polishing plate 15, which is installed to be rotatable and polishes the wafers accommodated in each wafer accommodating groove 11a of the wafer holder. A pair of first slurry supply members 16 which are installed to be horizontally movable left and right while being positioned above the wiper holder 11 and supply slurry to the wafers accommodated in the respective wafer accommodating grooves 11a; A second slurry supply member 17 installed to be horizontally movable forward and backward in a state positioned above the first polishing plate 14 to supply slurry to the first polishing plate, and the second polishing plate ( It is composed of a third slurry supply member 18 is installed so as to be horizontally movable back and forth in a state positioned above 15) to supply the slurry onto the second polishing plate.
Description
본 발명은 반도체 제조공정에서 웨이퍼의 표면을 매끄럽게 연마하는 웨이퍼의 연마장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus for smoothly polishing a surface of a wafer in a semiconductor manufacturing process.
일반적으로 반도체를 제조하는 공정중에는 웨이퍼의 표면을 매끄럽게 연마하는 연마단계가 있는데, 이는 가공하기 전의 웨이퍼 표면은 매우 거칠므로 이 상태로 웨이퍼를 가공하거나 가공 후 각종 막를 형성하게 된다면 작업이 원활하게 이루어지지 못함은 물론 작업 후의 막 두께 등도 전부분에 걸져 동일하지 못하게 되므로 우수한 품질의 반도체를 얻을 수 없게 된다.In general, during the semiconductor manufacturing process, there is a polishing step for smoothly polishing the surface of the wafer. This is because the surface of the wafer before processing is very rough, so if the wafer is processed in this state or various films are formed after the processing, the operation is not smooth. As well as the film thickness after the work is not the same across all parts, it is impossible to obtain a semiconductor of excellent quality.
따라서 상기 웨이퍼의 표면을 매끄럽게 가공하기 위한 하나의 장치가 요구 되고 있고, 이 장치에 의해 웨이퍼의 표면을 매끄럽게 가공한 후 이를 반도체 제조에 사용하여야 함은 이해 가능하다.Therefore, it is understood that one apparatus for smoothly processing the surface of the wafer is required, and that the surface of the wafer should be smoothly processed by the apparatus and then used for semiconductor manufacturing.
종래 반도체 웨이퍼의 연마장치는 첨부된 도 1 내지 도 2와 같이 도시하지 않은 별도의 수단을 통해 회전력을 부여받아 회전하도록 설치된 연마판 부착대(1)와, 상기 연마판 부착대의 상부면에 부착된 연마판(2)과, 도시하지 않은 별도의 수단을 통해 수직이동력을 부여받아 상,하로 수직이동하도록 함과 함께 회전력을 부여받아 회전하도록 상기 연마판 부착대(1)의 상방에 위치된 상태로 설치된 웨이퍼 캐리어(3)와, 상기 웨이퍼 캐리어의 하부면에 설치되어 복수개의 웨이퍼를 클램핑 하는 클램프(4)와, 상기 연마판 부착대(1)의 상방 일측에 구비되어 연마판 부착대에 부착된 연마판(2)으로 슬러리(slurry)를 공급하는 슬러리 공급부재(5)로 구성된다.Conventionally, a polishing apparatus for a semiconductor wafer is provided with an abrasive plate mounting plate 1 installed to be rotated by rotational force through a separate means (not shown) as shown in FIGS. 1 and 2, and attached to an upper surface of the abrasive plate attachment plate. The polishing plate 2 and the state positioned above the polishing plate mounting plate 1 to be rotated by being given a rotational force while being vertically moved upward and downward by being given vertical movement force through a separate means (not shown). A wafer carrier 3 installed on the wafer carrier, a clamp 4 mounted on a lower surface of the wafer carrier to clamp a plurality of wafers, and an upper side of the abrasive plate mounting plate 1 attached to the abrasive plate mounting plate. It consists of a slurry supply member 5 for supplying a slurry to the polished plate (2).
따라서, 별도의 수단을 통해 웨이퍼 캐리어(3)를 상부로 수직이동시킨 다음 상기 웨이퍼 캐리어의 하부면에 설치된 클램프(4)에 연마하고자 하는 복수개의 웨이퍼를 각각 지지시킨다.Therefore, the wafer carrier 3 is vertically moved upward through separate means, and then a plurality of wafers to be polished are supported by the clamp 4 provided on the lower surface of the wafer carrier.
이 상태에서 상기 웨이퍼 캐리어(3)를 다시 하부로 주직이동시켜 클램프(4)에 지지된 각 웨이퍼를 연마판 부착대(1)의 상부면에 부착된 연마판(2)에 접촉시킨 다음 별도의 수단에 의해 웨이퍼 캐리어(3)를 회전시킴과 함께 또다른 별도의 수단에 의해 연마판 부착대(1)를 회전시키면, 상기 각 웨이퍼가 연마판(2)에 의해 동시에 연마가 된다.In this state, the wafer carrier 3 is vertically moved downward to bring each wafer supported by the clamp 4 into contact with the polishing plate 2 attached to the upper surface of the polishing plate attachment stand 1, and then By rotating the wafer carrier 3 by means and by rotating the polishing plate attachment table 1 by another means, the wafers are simultaneously polished by the polishing plate 2.
한편 상기한 과정에 의해 각 웨이퍼가 연마될 때 슬러리 공급부재(5)를 통해 연마판(2) 위로 슬러리가 공급되고, 이 공급된 슬러리는 원심력에 의해 퍼지면서 각 웨이퍼와 연마판(2) 사이로 들어가 윤활작용을 하므로 상기 각 웨이퍼가 연마판(2)과의 접촉에 의해 실제로 연마가 이루어 질 때 그 연마상태가 원활해짐은 이해 가능하다.Meanwhile, when each wafer is polished by the above-described process, the slurry is supplied onto the polishing plate 2 through the slurry supply member 5, and the supplied slurry is spread between the wafers and the polishing plate 2 while being spread by centrifugal force. It is understood that the polishing state is smoothed when each wafer is actually polished by the contact with the polishing plate 2 because it is lubricated.
그러나 종래 이와같은 웨이퍼 연마장치는 연마하고자 하는 웨이퍼를 상,하로 수직이동 가능함과 함께 회전가능하게 설치된 웨이퍼 캐리어에 클램프를 이용하여 지지시키는 구조이므로 상기 웨이퍼를 한꺼번에 지지시킬 수 있는 장수가 3-5개로 한정됨에 따라 일시에 많은 갯수의 웨이퍼를 연마할 수가 없어 생산성이 떨어지는 문제점이 있었다.However, the conventional wafer polishing apparatus is a structure that supports the wafer to be polished up and down vertically, and supports the wafer to be rotatably installed by using a clamp, so that the number of wafers that can support the wafer at once is 3-5. As it is limited, it is impossible to polish a large number of wafers at one time, resulting in a problem of low productivity.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 많은 갯수의 웨이퍼를 한번에 연마할 수 있도록 전체적인 구조를 달리하여 생산성 향상에 기여토록 함과 함께 연마에 쇼요되는 비용도 절간할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and to improve the productivity by changing the overall structure so that a large number of wafers can be polished at a time, it is possible to cut the cost required for polishing. The purpose is.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명 형태에 따르면, 상부면으로 복수개의 웨이퍼 수납홈이 형성된 웨이퍼 고정대와, 상기 웨이퍼 고정대에 상,하로 수직이동가능하도록 설치되어 도시하지 않은 별도의 수단에 의해 이동되어진 웨이퍼를 받아 각 웨이퍼 수납홈 내로 수납시켜 주는 웨이퍼 수납로드와, 상기 웨이퍼 고정대의 일측 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 함과 함께 회전가능하도록 설치되어 웨이퍼 고정대의 각 웨이퍼 수납홈에 수납된 웨이퍼를 일차적으로 연마하여 주는 원통형의 제1연마판과, 상기 웨이퍼 고정대의 타측 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 함과 함께 회전가능하도록 설치되어 웨이퍼 고정대의 각 웨이퍼 수납홈에 수납된 웨이퍼를 이차적으로 연마하여 주는 원통형의 제2연마판과, 상기 웨이퍼 고정대의 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 설치되어 각 웨이퍼 수납홈에 수납된 웨이퍼 위로 슬러리를 공급하여 주는 한쌍의 제1슬러리 공급부재와, 상기 제1연마판의 상방에 위치된 상태로 전,후로 수평이동가능하도록 설치되어 제1연마판 위로 슬러리를 공급하여 주는 제2슬러리 공급부재와, 상기 제2연마판의 상방에 위치된 상태로 전,후로 수평이동가능하도록 설치되어 제2연마판 위로 슬러리를 공급하여 주는 제3슬러리 공급부재로 구성하여서 된 반도체 웨이퍼의 연마장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a wafer holder having a plurality of wafer receiving grooves formed on the upper surface, and a wafer which is installed to be vertically movable up and down on the wafer holder and moved by a separate means (not shown). A wafer receiving rod for receiving the wafer into each wafer receiving groove, and horizontally movable left and right in a state located above one side of the wafer holder, and rotatably installed to be stored in each wafer storage groove of the wafer holder; A cylindrical first polishing plate for first polishing the wafers, and horizontally movable left and right in a state located above the other side of the wafer holder, and rotatably installed in each wafer storage groove of the wafer holder. A cylindrical second polishing plate for secondarily polishing the received wafer; A pair of first slurry supply members installed horizontally to the left and right in a state located above the fur holder to supply slurry to the wafers stored in each wafer storage groove, and located above the first polishing plate. And a second slurry supply member which is installed to move horizontally before and after the second slurry supplying the slurry onto the first polishing plate, and is installed to be movable horizontally before and after the state located above the second polishing plate. Provided is a polishing apparatus for a semiconductor wafer composed of a third slurry supply member for supplying a slurry onto a second polishing plate.
도 1은 종래 반도체 웨이퍼의 연마장치를 나타낸 평면도1 is a plan view showing a polishing apparatus of a conventional semiconductor wafer
도 2는 종래 반도체 웨이퍼의 연마장치를 나타낸 정면도2 is a front view showing a polishing apparatus of a conventional semiconductor wafer.
도 3은 본 발명 반도체 웨이퍼의 연마장치를 나타낸 평면도3 is a plan view showing a polishing apparatus of the present invention semiconductor wafer
도 4는 본 발명 반도체 웨이퍼의 연마장치를 나타낸 정면도Figure 4 is a front view showing the polishing apparatus of the present invention semiconductor wafer
도 5는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ선 단면도5 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 3.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
11. 웨이퍼 고정대 11a. 웨이퍼 수납홈11. Wafer holder 11a. Wafer Receiving Groove
12. 웨이퍼 수납로드 13. 웨이퍼 고정패드12. Wafer receiving rod 13. Wafer fixing pad
14. 제1연마판 15. 제2연마판14. The first polishing plate 15. The second polishing plate
16. 제1슬러리 공급부재 17. 제2슬러리 공급부재16. First slurry supply member 17. Second slurry supply member
18. 제3슬러리 공급부재 19. 제1크리닝패드18. Third slurry supply member 19. First cleaning pad
20. 제2크리닝패드20. Second Cleaning Pad
이하 본 발명을 일 실시예로 도시한 첨부된 도 3 내지 도 5를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
첨부된 도 3은 본 발명 반도체 웨이퍼의 연마장치를 나타낸 평면도이고, 도 4는 본 발명 반도체 웨이퍼의 연마장치를 나타낸 정면도이며, 도 5는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ선 단면도로서, 본 발명은 상부면으로 복수개의 웨이퍼 수납홈(11a)이 형성된 웨이퍼 고정대(11)와, 상기 웨이퍼 고정대에 상,하로 수직이동가능하도록 설치되어 도시하지 않은 별도의 수단에 의해 이동되어진 웨이퍼를 받아 각 웨이퍼 수납홈(11a) 내로 수납시켜 주는 웨이퍼 수납로드(12)와, 상기 각 웨이퍼 수납홈(11a) 내에 위치된 상태로 웨이퍼 고정대(11)에 설치되어 수납된 상태의 웨이퍼를 잡아주는 웨이퍼 고정패드(13)와, 상기 웨이퍼 고정대(11)의 일측 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 함과 함께 회전가능하도록 설치되어 웨이퍼 고정대(11)의 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납된 웨이퍼를 일차적으로 연마하여 주는 원통형의 제1연마판(14)과, 상기 웨이퍼 고정대(11)의 타측 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 함과 함께 회전가능하도록 설치되어 웨이퍼 고정대(11)의 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납된 웨이퍼를 이차적으로 연마하여 주는 원통형의 제2연마판(15)과, 상기 웨이퍼 고정대(11)의 상방에 위치된 상태로 좌,우로 수평이동가능하도록 설치되어 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납된 웨이퍼 위로 슬러리를 공급하여 주는 한쌍의 제1슬러리 공급부재(16)와, 상기 제1연마판(14)의 상방에 위치된 상태로 전,후로 수평이동가능하도록 설치되어 제1연마판 위로 슬러리를 공급하여 주는 제2슬러리 공급부재(17)와, 상기 제2연마판(15)의 상방에 위치된 상태로 전,후로 수평이동가능하도록 설치되어 제2연마판 위로 슬러리를 공급하여 주는 제3슬러리 공급부재(18)와, 상기 제1연마판(14)의 하방 일측에 위치된 상태로 좌,우 및 전,후로 수평이동가능하도록 설치되어 제1연마판을 닦아주는 제1크리닝패드(19)와, 상기 제2연마판(15)의 하방 일측에 위치된 상태로 좌,우 및 전,후로 수평이동가능하도록 설치되어 제2연마판을 닦아주는 제2크리닝패드(20)로 구성된다.FIG. 3 is a plan view showing the polishing apparatus of the semiconductor wafer of the present invention, FIG. 4 is a front view showing the polishing apparatus of the semiconductor wafer of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view taken along the line I-I of FIG. Each wafer storage groove 11a receiving a wafer holder 11 having a plurality of wafer storage grooves 11a formed therein and a wafer which is installed on the wafer holder so as to be vertically movable up and down and moved by a separate means (not shown). A wafer holding rod 12 for storing the wafer into the wafer, a wafer holding pad 13 for holding the wafer in the state of being accommodated in the wafer holder 11 in a state located in each of the wafer receiving grooves 11a, A web which is installed to be rotatable horizontally and left and right while being positioned above one side of the wafer holder 11 and accommodated in each wafer accommodating groove 11a of the wafer holder 11. Cylindrical first polishing plate 14 for firstly polishing the wafer, and the wafer holder is installed to be rotatable horizontally and left and right while being positioned above the other side of the wafer holder 11. A cylindrical second polishing plate 15 for secondarily polishing the wafers accommodated in the wafer accommodating grooves 11a of 11), and horizontally movable left and right in a state located above the wafer holder 11. And a pair of first slurry supply members 16 for supplying slurry to the wafers accommodated in the wafer accommodating grooves 11a and the first polishing plate 14 in a state of being positioned above the first polishing plate 14. A second slurry supply member 17 which is installed to be movable horizontally and supplies slurry to the first polishing plate, and is installed to be movable horizontally before and after in a state located above the second polishing plate 15 Supply slurry over the second polishing plate The first cleaning for cleaning the first polishing plate is installed so as to be horizontally moved to the left, right, front, and rear in a state located on the lower side of the third slurry supply member 18 and the first polishing plate 14. The pad 19 and the second cleaning pad 20 which is installed on the lower side of the second polishing plate 15 so as to be horizontally movable to the left, right, and front and rear to wipe the second polishing plate 20. It is composed.
이와같이 구성된 본 발명은 도시하지 않은 수단(웨이퍼 무빙 로봇)을 이용해 연마하고자 하는 웨이퍼를 웨이퍼 고정대(11)의 상부면에 형성된 각 웨이퍼 수납홈(11a) 쪽으로 집어 넣어주면, 도 5에 도시된 바와같이 상기 웨이퍼 고정대(11)에 형성된 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 상,하로 수직이동가능하도록 설치되어 있는 웨이퍼 수납로드(12)가 상부로 수직이동된 상태에서 웨이퍼를 받은 다음 하부로 이동하여 웨이퍼를 각 웨이퍼 수납홈(11a) 내로 수납시킨다.According to the present invention configured as described above, the wafer to be polished by means of a not-shown means (wafer moving robot) is inserted into each wafer receiving groove 11a formed on the upper surface of the wafer holder 11, as shown in FIG. The wafer receiving rod 12 is installed in each wafer receiving groove 11a formed in the wafer holder 11 so as to be vertically movable up and down. It is accommodated in each wafer accommodating groove 11a.
이 상태에서 제1연마판(14)의 상방에 위치된 상태로 설치되어 있는 제2슬러리 공급부재(17)가 도면상 전,후로 수평이동하면서 상기 제1연마판(14) 위로 슬러리를 공급하여 줌과 함께 제2연마판(15)의 상방에 위치된 상태로 설치되어 있는 제3슬러리 공급부재(18)가 도면상 전,후로 수평이동하면서 상기 제2연마판(15) 위로 슬러리를 공급하여 주고, 상기 제1연마판(14) 및 제2연마판(15) 위로 슬러리의 공급이 완료되고 나면, 웨이퍼 고정대(11)의 상방 일측에 위치된 상태로 설치되어 있는 한쌍의 제1슬러리 공급부재(16)가 도면상 좌측에서 우측으로 수평이동서 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납된 웨이퍼 위로 슬러리를 공급하여 줌과 동시에 원통형상으로된 상기 제1연마판(14)이 도시하지 않은 별도의 수단에 의해 도면상 좌,우로 이동하면서 회전하므로 웨이퍼 고정대(11)의 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납되어 있는 웨이퍼가 어느 순간 제1연마판(14)과 접촉됨에 따라 결국 상기 웨이퍼는 일차적으로 연마된다.In this state, the second slurry supply member 17 installed in a state positioned above the first polishing plate 14 is supplied with a slurry onto the first polishing plate 14 while horizontally moving back and forth in the drawing. The third slurry supply member 18 installed in a state positioned above the second polishing plate 15 along with the zoom is supplied with a slurry onto the second polishing plate 15 while horizontally moving before and after the drawing. After the supply of the slurry onto the first polishing plate 14 and the second polishing plate 15 is completed, a pair of first slurry supply members are installed in a state located above one side of the wafer holder 11. The first polishing plate 14, which has a cylindrical shape while supplying slurry to the wafers accommodated in the respective wafer storage grooves 11a, moves horizontally from the left to the right in the drawing. Wafer holder because it rotates while moving left and right on the drawing by means As the wafer accommodated in each wafer accommodating groove 11a of (11) comes into contact with the first polishing plate 14 at any moment, the wafer is eventually polished first.
상기 일차 연마가 완료된 후 원통형상으로된 상기 제2연마판(15)이 도시하지 않은 별도의 수단에 의해 도면상 좌,우로 이동하면서 회전하므로 웨이퍼 고정대(11)의 각 웨이퍼 수납홈(11a)에 수납되어 있는 웨이퍼가 어느 순간 제2연마판(15)과도 접촉됨에 따라 결국 상기 웨이퍼는 이차적으로 연마되면서 모든 연마과정이 완료된다.After the primary polishing is completed, the second polishing plate 15 having a cylindrical shape is rotated while moving left and right in the drawing by a separate means (not shown), so that each wafer accommodating groove 11a of the wafer holder 11 can be rotated. As the stored wafer comes into contact with the second polishing plate 15 at any moment, the wafer is secondarily polished and all polishing processes are completed.
상기한 작용에서 웨이퍼의 연마에 앞서 상기 각 웨이퍼 위로 슬러리를 공급하여 줌과 함께 제1연마판(14) 및 제2연마판(15) 위로도 슬러리를 공급하여 주는 것은, 상기 제1연마판(14)에 의해 각 웨이퍼가 일차적으로 연마되거나 제2연마판(15)에 의해 각 웨이퍼가 이차적으로 연마되거나 할 때 슬러리가 윤활역할을 하도록 하여 연마가 원활하게 이루어지도록 하기 위함에 있다.In the above-described operation, the slurry is also supplied onto the first wafer 14 and the second abrasive plate 15 along with the supply of the slurry onto the wafer prior to the polishing of the wafer. In order to smoothly grind the slurry by lubrication when each wafer is first polished by 14) or each wafer is secondly polished by the second polishing plate 15.
한편 웨이퍼의 연마가 완료된 상태에서는 상기 웨이퍼의 연마에 사용되었던 제1연마판(14) 및 제2연마판(15)에 연마찌꺼기가 묻어 있어 되므로 이를 제거하지 않을 경우 다음 웨이퍼의 연마시 연마찌꺼기로 인하여 웨이퍼의 연마상태가 양호하지 못하게 되므로 한번 웨이퍼를 연마하였을 경우에는 계속해서 연마찌꺼기를 제거하는 과정을 거쳐야 하는데, 이에대한 과정을 이하에서 구체적으로 설명하면 다음과 같다.On the other hand, in the state in which the polishing of the wafer is completed, the polishing residues are deposited on the first polishing plate 14 and the second polishing plate 15 used for polishing the wafer. Due to the poor polishing state of the wafer, when the wafer is polished once, the polishing residues must be continuously removed, which will be described in detail below.
한번의 웨이퍼 연마가 완료된 상태에서는 원통형상으로된 제1연마판(14) 및 제2연마판(15)이 도 3 내지 도 4와 같이 최초의 위치에 있게 되는데, 이 상태에서 상기 제1연마판(14)의 하방 일측에 위치된 상태로 설치되어 있는제1크리닝패드(19)가 제1연마판(19) 쪽으로(도면상 우측으로) 수평이동함과 함께 제2연마판(20)의 하방 일측에 위치된 상태로 설치되어 있는 제2크리닝패드(20)가 제2연마판(20) 쪽으로(도면상 좌측으로) 수평이동하므로 상기 제1크리닝패드(19)는 제1연마판(14)에 접촉됨과 함께 제2크리닝패드(20)는 제2연마판(15)에 접촉된다.Once polishing of the wafer is completed, the first polishing plate 14 and the second polishing plate 15, which are cylindrical, are in an initial position as shown in FIGS. 3 to 4, and in this state, the first polishing plate The first cleaning pad 19 installed on the lower side of the side 14 moves horizontally toward the first polishing plate 19 (to the right in the drawing) and downward of the second polishing plate 20. Since the second cleaning pad 20 installed at one side is horizontally moved toward the second polishing plate 20 (to the left in the drawing), the first cleaning pad 19 is the first polishing plate 14. In contact with the second cleaning pad 20 is in contact with the second polishing plate (15).
이 상태에서 제1연마판(14)이 회전함과 동시에 제1크리닝패드(19)는 전,후로 수직이동하므로 이 과정에서 상기 제1연마판(14)에 묻어 있는 연마찌꺼기가 제거되고, 제2연마판(15)이 회전함과 동시에 제2크리닝패드(20)는 전,후로 수직이동하므로 이 과정에서 상기 제2연마판(15)에 묻어 있는 연마찌꺼기가 제거된다.상기 연마과정 중 제1연마판(14)이 회전하면서 수납된 웨이퍼상면을 연마할 때, 웨이퍼는 웨이퍼 고정패드(13)에 의해 고정되어 유동이 제한되고 상기 제1연마판(14)은 이러한 웨이퍼의 상면을 등속으로 선형이동한다. 이와 같이 선형이동시 웨이퍼의 가장자리와 중앙부의 연마정도는 거의 동일하게 이루어진다.그러나 정밀하게 연마되어야 하는 웨이퍼의 특성상 위와 같은 제1연마판(14)에 의해서 연마되더라도 그 표면이 단한번으로 고르게 연마되기는 거의 불가능하다. 이를 보완하기 위하여 뒤이어 진행되는 제2연마판(15)이 보다 고르게 연마하기 위하여 덜 연마된 부분에서 속도를 늦추어 연마량을 증가시킴으로써 각각의 부분별로 제어할 수 있도록 함도 바람직하다.뿐만 아니라 상기 제1연마판(14)과 제2연마판(15)은 선형으로 수평이동할 뿐 아니라 웨이퍼양이나 웨이퍼 두께에 따라 수직높이를 조절할 수 있도록 하여 상대적으로 연마량이 낮은 곳에서는 연마율을 높이도록 하방이동할 수 있도록 하고 연마량이 높은 곳에서는 상방이동할 수 있도록 하여 웨이퍼 상면의 전체적인 높이를 균일하게 할 수 있음은 물론이다.In this state, as the first polishing plate 14 rotates and the first cleaning pad 19 is vertically moved back and forth, in this process, the abrasive residue on the first polishing plate 14 is removed. As the second polishing plate 15 rotates and the second cleaning pad 20 moves vertically back and forth, in this process, the abrasive residue on the second polishing plate 15 is removed. When the polishing plate 14 is rotated to polish the contained wafer upper surface, the wafer is fixed by the wafer fixing pad 13 so that the flow is restricted and the first polishing plate 14 uniformly rotates the upper surface of the wafer. Move linearly. As such, the edges of the wafer and the center portion of the wafer are almost equally polished in the linear movement. However, even though the wafer is polished by the first polishing plate 14 as described above, the surface is hardly evenly polished once. impossible. In order to compensate for this, it is also preferable that the second polishing plate 15 to be processed can be controlled for each part by slowing down the speed in the less polished part and increasing the amount of polishing in order to more evenly polish. The first polishing plate 14 and the second polishing plate 15 can not only move horizontally linearly but also adjust the vertical height according to the amount of wafer or the thickness of the wafer so that the polishing rate can be moved downward to increase the polishing rate at a relatively low polishing amount. It is possible to make the overall height of the upper surface of the wafer uniform by moving upward in places where the polishing amount is high.
그러므로 본 발명은 한꺼번에 많은 갯수의 웨이퍼를 연마할 수 있으므로 생산성이 향상되는 효과와 함께 웨이퍼의 연마에 들어가는 비용도 절감되는 효과가 있다.Therefore, since the present invention can polish a large number of wafers at once, the productivity is improved and the cost of polishing the wafers is also reduced.
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