KR100327319B1 - Over temperature protection using temperature characteristics of transistor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 변압동작을 제어하는 어덥터의 내부에 발열상태를 감지하여 과열발생시 어덥터의 동작을 중지시키는 과열 보호회로에 관한 것으로 특히, 안정적인 임의의 기준전압을 입력받아 분압하여 출력하는 전압분압수단과; 상기 전압 분압수단을 통해 분압되어진 기준전압을 평활시키는 평활수단; 및 상기 어덥터의 동작을 제어하는 PWM IC의 구동전압으로 사용되는 소정 양전압을 콜렉터 단자에 입력받고 접지단이 에미터 단자에 연결되며 베이스 단자에는 상기 전압분압수단과 평활수단을 통해 분압되어지고 평활되어진 기준전압을 입력받되, 주변온도에 따라 가변되는 베이스-에미터 단자간의 한계전압이 상기 베이스 단자에 걸리는 전압보다 낮아지는 경우 턴온 동작하여 상기 PWM IC의 구동전압을 접지로 도통시켜 상기 PWM IC의 구동을 중지시키는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 온도 특성을 이용한 과열 보호회로를 제공하면, 특별한 온도검출 센서 및 그 주변의 부가회로 없이도 설계자가 요청하는 임계온도 범위 이상의 과열 발생시 어덥터의 동작이 중지될 수 있어 안정적이면서 생산단가가 절감되는 효과가 있다.The present invention relates to an overheat protection circuit that senses a heat state inside an adapter for controlling a transformer operation and stops the operation of the adapter when an overheat occurs. In particular, voltage division means for inputting and dividing and outputting a stable arbitrary reference voltage; Smoothing means for smoothing the reference voltage divided by the voltage dividing means; And a predetermined positive voltage, which is used as a driving voltage of the PWM IC for controlling the operation of the adapter, is input to the collector terminal, the ground terminal is connected to the emitter terminal, and the base terminal is divided and smoothed through the voltage dividing means and the smoothing means. When the threshold voltage between the base and emitter terminals, which are varied according to the ambient temperature, is lower than the voltage applied to the base terminal, the reference voltage is input. When the overheat protection circuit using the temperature characteristic of the transistor, characterized in that it comprises a transistor to stop the drive, the operation of the adapter in the event of overheating over the critical temperature range required by the designer without a special temperature detection sensor and the additional circuit around the As it can be stopped, it is stable and the production cost is reduced.
Description
본 발명은 AC 어덥터에서 2차측 출력단 주변의 과열상태에 대한 보호회로를 구현하는 방식에 관한 것으로 특히, AC 어덥터 구현시 전압 변환과정에서 발생되는 열에 의해 AC 어덥터가 오동작하는 것을 방지하기 위하여 출력전압에 따른 과열상태를 감지하는 센서등의 구성과 검출신호의 궤환시키는 부분을 제거하고 주변온도에 따라 도통되는 전류의 량이 달라지는 트랜지스터의 온도특성을 이용하여 과열발생시 AC 어덥터의 동작을 중지시킬 수 있는 트랜지스터의 온도 특성을 이용한 과열 보호회로에 관한 것이다.The present invention relates to a method of implementing a protection circuit for an overheating condition around a secondary output terminal in an AC adapter. In particular, in order to prevent an AC adapter from malfunctioning due to heat generated during a voltage conversion process in an AC adapter, It is possible to stop the operation of AC adapter by overheating by using the temperature characteristics of the transistor which removes the part of the sensor which detects the overheating condition and the part of feedback signal and the amount of current conducted according to the ambient temperature. The overheat protection circuit using the temperature characteristics.
일반적으로, AC 어덥터의 경우 하나의 세트를 개발한 후 동일한 전력에서 출력전압만 달리해서 후속 시리즈를 개발한다. 이와 같은 개발환경에서 시리즈를 생산하는 주요 파라메타는 트랜스 출력 변경에 따른 시정수 그리고 과전압 검출(OVP) 혹은 과열검출(OTP)에 따른 제너다이오드 시정수 변경을 예로 들 수 있다.In general, for AC adapters, one set is developed and subsequent series are developed with different output voltages at the same power. The main parameters that produce the series in such a development environment are the time constant according to the transformer output change and the zener diode time constant according to the overvoltage detection (OVP) or overheat detection (OTP).
그런데, 출력전압에 따른 과전압 검출은 과전압 검출용 제너다이오드의 전압만 변경하면 별 무리가 발생하지 않고서도 설계옵션을 만족시킬 수 있는 반면에, 과열검출은 출력전압이 낮아지면 그에 따른 센싱 저항치도 낮아지고 제어다이오드의 전압도 낮아지게 되므로 낮아진 저항치가 출력전압의 양단에 일종의 부하로 작용하게되어 로스가 발생된다는 문제점이 발생되었다.However, the overvoltage detection according to the output voltage can satisfy the design option without causing excessive change only by changing the voltage of the zener diode for the overvoltage detection, whereas the overheat detection has a lower sensing resistance when the output voltage is lowered. In addition, since the voltage of the control diode is also lowered, the lowered resistance acts as a kind of load on both ends of the output voltage, causing a problem of loss.
또한, 안정한 과열검출 포인트의 구현도 제어 다이오드의 통상적인 편차에 따라 오동작 할 염려가 많다는 문제점이 발생되었다.In addition, there is a problem that the implementation of a stable overheat detection point is more likely to malfunction due to the normal deviation of the control diode.
상술한 문제점을 첨부한 도 1과 도 2를 참조하여 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.Looking at in more detail with reference to Figures 1 and 2 attached to the above problem is as follows.
도 1은 통상적인 AC 어덥터의 전체적인 회로 구성도이며, 참조번호 10과 20으로 표현되는 부분의 세부 구성회로는 첨부한 도 2에 도시되어 있다. 첨부한 도 2에 도시되어 있는 도면이 상술한 종래 기술의 문제점이 발생되는 부분이며, 도 1은 도 2의 설명을 이해하기 위한 구성예시도로서 참조도이다.FIG. 1 is an overall circuit configuration diagram of a typical AC adapter, and detailed configuration circuits of parts represented by reference numerals 10 and 20 are shown in FIG. 2 is a part where the above-described problems of the prior art are generated, and FIG. 1 is a reference view as a configuration example for understanding the description of FIG. 2.
첨부한 도 2에 도시되어 있는 도면중 써미스터(TH)와 제 2제너 다이노드(ZD2) 및 제 7저항(R7) 부분은 상술한 과열검출회로이며, 제 1다이오드(ZD1)와 제 5저항(R5)과 제 6저항(R6) 및 제 3콘덴서(C3) 부분은 과전압 검출회로 부분이다.2, the thermistor TH, the second zener die node ZD2, and the seventh resistor R7 are the overheat detection circuit described above, and the first diode ZD1 and the fifth resistor ( R5), the sixth resistor R6 and the third capacitor C3 are portions of the overvoltage detection circuit.
이때, 상기와 같이 구성되는 종래 감지전압 궤환부는 AC 어덥터의 시리즈 개발시 설계자 혹은 제조자가 상기 OVP회로와 OTP회로에서 제1, 제2 제너 다이오드(ZD1, ZD2)와 제 7저항(R7)의 값을 변경하므로써 설계옵션의 필요조건을 만족시키고 있다.In this case, the conventional sensing voltage feedback unit configured as described above has the value of the first and second zener diodes ZD1 and ZD2 and the seventh resistor R7 in the OVP circuit and the OTP circuit when the designer or manufacturer develops a series of AC adapters. By changing the design, the design options are met.
그러나, 과열검출의 경우 출력전압이 높은 경우는 오동작의 위험이 적은 반면에 낮아지는 경우 오동작의 위험이 커지는데, 그 이유는 출력전압이 낮아지면 제 2제너 다이오드의 한계전압이 낮아짐과 더불어 제 7저항(R7)의 저항치가 낮아지게 된다.However, in the case of overheat detection, when the output voltage is high, there is a small risk of malfunction, but when the output voltage is low, the risk of malfunction increases. The reason is that when the output voltage decreases, the threshold voltage of the second zener diode decreases and The resistance value of the resistor R7 is lowered.
이러한 상황이 일정시간 이상 유지되는 상태에서 AC 어덥터 세트내부의 온도가 상승하는 경우 써미스터(TH)의 저항치가 낮아지므로 결국 써미스터(TH)와 제 7저항(R7)의 전체 저항치가 낮은 상태를 유지하게 되는데, 이렇게 낮은 저항치를 유지하게되는 경우 상기 써미스터(TH)와 제 7저항(R7)은 전체적으로 출력전압의 감지 혹은 과열감지 기능을 상실하고 단순히 부하로써 작용하게 된다.When the temperature inside the AC adapter set rises for a certain period of time, the resistance of the thermistor TH is lowered, so that the overall resistance of the thermistor TH and the seventh resistor R7 remains low. In this case, when the resistance is kept low, the thermistor TH and the seventh resistor R7 lose overall output voltage sensing or overheating sensing and simply act as a load.
이러한 경우 제 2제너 다이오드(ZD2)가 갖는 통상 20%의 편차에 의해서 과열검출 동작의 불안정성이 발생되는 것이다.In this case, the instability of the overheat detection operation is generated due to the deviation of the normal 20% of the second zener diode ZD2.
또한, 상기 써미스터(TH)등의 구성은 어덥터의 동작과는 관계없이 단순히 과열상태를 검출하기 위한 구성으로써, 상기 써미스터(TH)의 부가로 인해 생산단가의 상승이 초래되는 문제점이 발생되었다.In addition, the configuration of the thermistor (TH) is a configuration for simply detecting the overheat state irrespective of the operation of the adapter, a problem that the production cost increases due to the addition of the thermistor (TH).
상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 발명의 목적은 AC 어덥터 구현시 전압 변환과정에서 발생되는 열에 의해 AC 어덥터가 오동작하는 것을 방지하기 위하여 출력전압에 따른 과열상태를 감지하는 센서등의 구성과 검출신호의 궤환시키는 부분을 제거하고 주변온도에 따라 도통되는 전류의 량이 달라지는 트랜지스터의 온도특성을 이용하여 과열발생시 AC 어덥터의 동작을 중지시킬 수 있는 트랜지스터의 온도 특성을 이용한 과열 보호회로를 제공하는 데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is the configuration and detection signal of a sensor for detecting an overheat state according to the output voltage in order to prevent the AC adapter from malfunctioning by the heat generated during the voltage conversion process when implementing the AC adapter It is to provide an overheat protection circuit using the temperature characteristic of the transistor that can stop the operation of the AC adapter in the event of overheating by using the temperature characteristic of the transistor which removes the feedback portion of the transistor and the amount of current conducted according to the ambient temperature.
도 1은 일반적인 AC 어덥터의 세부 회로 구성예시도,1 is a detailed circuit diagram of a typical AC adapter,
도 2는 종래 과열감지신호 발생부와 그에 따른 수신부의 구성 예시도,2 is a diagram illustrating a configuration of a conventional overheat detection signal generation unit and a reception unit according thereto;
도 3은 본 발명에 따른 트랜지스터의 온도 특성을 이용한 과열 보호회로의 구성 예시도.3 is an exemplary configuration diagram of an overheat protection circuit using a temperature characteristic of a transistor according to the present invention.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 변압동작을 제어하는 어덥터의 내부에 발열상태를 감지하여 과열발생시 어덥터의 동작을 중지시키는 과열 보호회로에 있어서, 안정적인 임의의 기준전압을 입력받아 분압하여 출력하는 전압분압수단과; 상기 전압 분압수단을 통해 분압되어진 기준전압을 평활시키는 평활수단; 및 상기 어덥터의 동작을 제어하는 PWM IC의 구동전압으로 사용되는 소정 양전압을 콜렉터 단자에 입력받고 접지단이 에미터 단자에 연결되며 베이스 단자에는 상기 전압분압수단과 평활수단을 통해 분압되어지고 평활되어진 기준전압을 입력받되, 주변온도에 따라 가변되는 베이스-에미터 단자간의 한계전압이 상기 베이스 단자에 걸리는 전압보다 낮아지는 경우 턴온 동작하여 상기 PWM IC의 구동전압을 접지로 도통시켜 상기 PWM IC의 구동을 중지시키는 트랜지스터를 포함하는 데 있다.A feature of the present invention for achieving the above object is, in the overheat protection circuit for stopping the operation of the adapter in the event of overheating by sensing the heat state inside the adapter for controlling the transformer operation, by inputting and dividing a stable arbitrary reference voltage Output voltage dividing means; Smoothing means for smoothing the reference voltage divided by the voltage dividing means; And a predetermined positive voltage, which is used as a driving voltage of the PWM IC for controlling the operation of the adapter, is input to the collector terminal, the ground terminal is connected to the emitter terminal, and the base terminal is divided and smoothed through the voltage dividing means and the smoothing means. When the threshold voltage between the base and emitter terminals, which are varied according to the ambient temperature, is lower than the voltage applied to the base terminal, the reference voltage is input. It includes a transistor for stopping the drive.
본 발명의 상술한 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 후술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
첨부한 도 3은 본 발명에 따른 트랜지스터의 온도 특성을 이용한 과열 보호회로의 구성을 도시한 것으로, 첨부한 도 2에서 참조번호 20으로 표시된 감지신호 발생부의 구성은 도 3의 참조번호 20a로 표시되는 부분과 같이 과열상태 감지를 위한 구성요소인 써미스터(TH)와 제 2제너 다이노드(ZD2) 및 제 7저항(R7)이 제거된다.3 is a diagram illustrating a configuration of an overheat protection circuit using a temperature characteristic of a transistor according to the present invention. The configuration of a detection signal generator, indicated by reference numeral 20 in FIG. 2, is indicated by reference numeral 20a of FIG. 3. Like the parts, the thermistor TH, the second zener die node ZD2, and the seventh resistor R7, which are components for detecting an overheat state, are removed.
즉, 어덥터의 2차측에서 과열상태를 검출하지 않고, 단지 과전압상태만을 검출하도록 하는 것이다.That is, the overheating state is not detected at the secondary side of the adapter, but only the overvoltage state is detected.
따라서, 본 발명에 따른 감지신호 발생부의 구성은 과전압 검출 수단에 한정되는데, 그 구성은 AC 어덥터의 출력전압을 캐소드 단자에 입력받는 제 1제너 다이오드(ZD1)와, 두 개의 저항이 직렬 연결되어 있으며 전체적으로 상기 제 1제너 다이오드(ZD1)의 애노드 단자와 접지단사이에 연결되어 있는 제 5, 제 6저항(R5, R6)과, 상기 제 6저항(R6)에 병렬 연결되어 있으며 상기 제 5저항(R5)과 제 6저항(R6)의 연결점에 걸리는 전압을 안정화시키는 제 3콘덴서(C3)와, 상기 제 3콘덴서(C3)를 통해 안정화되어진 전압을 베이스 단자에 입력받으며 베이스 단자에 입력되는 전압의 상태에 따라 온/오프 동작하는 제 3트랜지스터(Q3)와, 상기 제 1제너 다이오드(ZD1)의 캐소드 단자에 일단이 연결되어 있는 제 4저항(R4)을 통해 애노드 단자에 구동전압이 입력되며 상기 제 3트랜지스터(Q3)의 온동작시에 발광 동작하는 발광 다이오드(PD)로 구성된다.Therefore, the configuration of the detection signal generating unit according to the present invention is limited to the overvoltage detection means. The configuration includes a first zener diode ZD1 for receiving the output voltage of the AC adapter at the cathode terminal and two resistors in series. In general, the fifth and sixth resistors R5 and R6 connected between the anode terminal of the first zener diode ZD1 and the ground terminal are connected in parallel with the sixth resistor R6 and the fifth resistor ( The third capacitor C3 for stabilizing the voltage applied to the connection point of the R5) and the sixth resistor R6, and the voltage stabilized through the third capacitor C3 are input to the base terminal, A driving voltage is input to the anode terminal through a third transistor Q3 operating on / off according to a state and a fourth resistor R4 having one end connected to a cathode terminal of the first zener diode ZD1. 3rd transistor It consists of a light emitting diode (PD) to the light-emitting operation at the time of ON operation of the emitter (Q3).
따라서, 본 발명에 따른 감지신호 수신부의 구성은, 어덥터의 동작을 제어하는 PWM IC(도시하지 않았음; 도 1에서 ic1 FA13843N으로 표시됨)의 구동전압으로사용되는 소정 양전압(Vdd)을 제 3저항(R3)을 통해 콜렉터 단자에 입력받고 상기 발광 다이오드(PD)에서 발광 동작시 발생되는 빛에 의하여 턴온 동작하는 포토트랜지스터(PTR)와, 상기 포토트랜지스터(PTR)의 에미터 단자에 걸리는 전압을 접지로 도통시키는 제 2저항(R2)과, 상기 제 2저항(R2)에 병렬 연결되는 제 2콘덴서(C2)와, 상기 소정 양전압(Vdd)을 에미터 단자에 입력받고 콜렉터 단자는 상기 포토트랜지스터(PTR)의 에미터 단자에 연결되는 제 1트랜지스터(Q1)와, 상기 제 1트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자와 베이스 단자에 연결되는 제 1콘덴서(C1)와, 상기 제 1콘덴서(C1)에 병렬 연결되는 제 1저항(R1)과, 어덥터의 동작을 제어하는 상기 PWM IC에서 발생되는 기준전압(Vref)을 입력받아 상기 포토트랜지스터(PTR)의 에미터 단자측에 걸어주는 제 100저항(R100), 및 상기 제 2콘덴서(C2)에 걸리는 전압이 임계전압이상 걸리는 경우 턴온 동작하여 PWM IC의 구동전원을 접지로 도통시켜 상기 PWM IC의 동작을 중지시키는 제 2트랜지스터(Q2)로 구성되어 있다.Accordingly, the configuration of the sensing signal receiving unit according to the present invention includes a third positive voltage (Vdd) used as a driving voltage of a PWM IC (not shown; ic1 FA13843N in FIG. 1) for controlling the operation of the adapter. The phototransistor (PTR) input to the collector terminal through the resistor (R3) and turned on by light generated during the light emission operation of the light emitting diode (PD) and the voltage applied to the emitter terminal of the phototransistor (PTR) The second resistor R2 connected to ground, the second capacitor C2 connected in parallel to the second resistor R2, and the predetermined positive voltage Vdd are inputted to the emitter terminal, and the collector terminal is connected to the port. A first transistor Q1 connected to the emitter terminal of the transistor PTR, a first capacitor C1 connected to the collector terminal and the base terminal of the first transistor Q1, and the first capacitor C1. The first resistor R1 connected in parallel to the The voltage applied to the second resistor C2 and the 100th resistor R100 that receives the reference voltage Vref generated by the PWM IC controlling the operation and is applied to the emitter terminal side of the phototransistor PTR. When the voltage exceeds the threshold voltage, the second transistor Q2 is turned on to turn the PWM IC driving power to ground to stop the operation of the PWM IC.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 안정된 과열 보호회로의 바람직한 동작예를 살펴보기로 한다.A preferred operation example of the stable overheat protection circuit according to the present invention configured as described above will be described.
과전압 상태에서의 구동에 대한 동작에 대해서는 통상적인 종래의 동작과 동일하므로 상세한 설명은 생략하고, 간략히 설명하면 제너 다이오드(ZD1)의 캐소드 단자에 과전압이 인가되면 상기 제너 다이오드(ZD1)가 턴온되고 그에 따라 제 3트랜지스터(Q3)가 턴온되어 포토커플러인 포토트랜지스터(PTR)가 온동작한다. 따라서, 제 2트랜지스터(Q2)가 온동작함으로써 PWM IC의 구동전원을 접지로 도통시켜 상기 PWM IC의 동작을 중지시키게 된다.Since the operation for driving in an overvoltage state is the same as a conventional conventional operation, a detailed description thereof will be omitted. In brief, when the overvoltage is applied to the cathode terminal of the zener diode ZD1, the zener diode ZD1 is turned on and thus Accordingly, the third transistor Q3 is turned on so that the photocoupler PTR, which is a photocoupler, is turned on. Accordingly, when the second transistor Q2 is turned on, the driving power of the PWM IC is conducted to ground to stop the operation of the PWM IC.
이상과 같은 과전압 상태에서의 구동과 달리 본 발명에 관련된 과열상태의 동작은 다음과 같다.Unlike the driving in the overvoltage state as described above, the operation of the overheat state according to the present invention is as follows.
우선, 본 발명에서 사용하는 트랜지스터의 온도특성에 대하여 설명한다.First, the temperature characteristic of the transistor used by this invention is demonstrated.
트랜지스터는 통상적으로 베이스 단자와 에미터 단자간의 한계전압(VBE)이 상온인 25℃에서 통상 0.6 혹은 0.7 볼트(Volt)이다. 그런데, 트랜지스터는 상기 베이스 단자와 에미터 단자간의 한계전압(VBE)이 주변 온도에 대하여 네가티브(negative) 특성을 갖기 때문에 예를 들어, 상온인 25℃에서 0.6의 한계전압(VBE)을 갖는 트랜지스터의 경우 125℃가 되면 상기 베이스 단자와 에미터 단자간의 한계전압(VBE)이 0.4볼트(Volt)가 된다.Transistors are typically 0.6 or 0.7 Volts at 25 ° C. where the threshold voltage V BE is typically between room and emitter terminals. However, since the transistor has a negative voltage (V BE ) between the base terminal and the emitter terminal having a negative characteristic with respect to the ambient temperature, for example, the transistor has a threshold voltage (V BE ) of 0.6 at a room temperature of 25 ° C. In the case of the transistor, when the temperature reaches 125 ° C, the threshold voltage V BE between the base terminal and the emitter terminal becomes 0.4 Volt.
이러한 관계를 수식으로 정리하면 아래의 수학식과 같아진다.This relationship can be summarized as the following equation.
따라서, 본 발명에서는 전압의 변동이 없는 기준전압(Vref)을 어덥터의 구동을 제어하는 PWM IC에서 뽑아 제 100저항(100)을 통해 상기 포토트랜지스터(PTR)의 에미터 단자측에 걸어주게 된다.Therefore, in the present invention, the reference voltage Vref having no voltage change is extracted from the PWM IC controlling the driving of the adapter and is applied to the emitter terminal side of the phototransistor PTR through the 100th resistor 100.
따라서, 상기 PWM IC의 기준전압(Vref)은 제 100저항(100)과 제 2저항(R2)에서 분압되어 제 2트랜지스터(Q2)의 베이스 단자에 연결되어진다.Therefore, the reference voltage Vref of the PWM IC is divided by the 100th resistor 100 and the second resistor R2 and connected to the base terminal of the second transistor Q2.
이때, 제 2콘덴서(C2)는 상기 제 100저항(100)과 제 2저항(R2)에서 분압되어진 상기 PWM IC의 기준전압(Vref)을 평활하는 기능을 수행하여 일정하면서도 안정적인 분압 전압을 상기 제 2트랜지스터(Q2)의 베이스 단자에 제공하는 기능을 수행한다.In this case, the second capacitor C2 performs a function of smoothing the reference voltage Vref of the PWM IC divided by the 100th resistor 100 and the second resistor R2 to obtain a constant and stable divided voltage. 2 Performs the function of providing the base terminal of transistor Q2.
따라서, 만약 상기 제 2트랜지스터(Q2)가 전술한 경우에서와 같이 상온인 25℃상태에서 0.6볼트(volt)의 한계전압(VBE)을 갖는 트랜지스터이며, 어덥터의 설계자가 어덥터의 기능 및 성능 그리고 안정성이 130℃를 넘는 경우 불안하다고 판단되면 상기 PWM IC의 기준전압(Vref)을 기준으로 분압된 전압이 0.4볼트(volt)가 되도록 상기 제 100저항(100)과 제 2저항(R2)의 저항치를 조정한다.Thus, if the second transistor (Q2) is a transistor having a threshold voltage (V BE ) of 0.6 volts at 25 ℃ at room temperature as in the case described above, the designer of the adapter and the function and performance of the adapter If it is determined that the stability is unstable when the temperature exceeds 130 ° C, the resistance values of the 100th resistor 100 and the second resistor R2 are divided into 0.4 volts based on the reference voltage Vref of the PWM IC. Adjust it.
이후, 어덥터가 정상적인 동작을 수행하다가 과열현상이 발생되어 125℃이상으로 과열되면 상기 제 2트랜지스터(Q2)는 턴온 동작하게 된다.Subsequently, when the adapter performs a normal operation and an overheating phenomenon occurs, the second transistor Q2 turns on when the overheat occurs.
상기 제 2트랜지스터(Q2)는 턴온 동작하면 PWM IC의 구동전원을 접지로 도통시켜 상기 PWM IC의 동작을 중지시키게 된다.When the second transistor Q2 is turned on, the driving power of the PWM IC is conducted to ground to stop the operation of the PWM IC.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.While the invention has been shown and described in connection with specific embodiments thereof, it will be appreciated that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention as indicated by the claims. Anyone who owns it can easily find out.
상술한 바와 같이 동작하는 본 발명에 따른 트랜지스터의 온도 특성을 이용한 과열 보호회로를 제공하면, 특별한 온도검출 센서 및 그 주변의 부가회로 없이도 설계자가 요청하는 임계온도 범위 이상의 과열 발생시 어덥터의 동작이 중지될수 있어 안정적이면서 생산단가가 절감되는 효과가 있다.If the overheat protection circuit using the temperature characteristics of the transistor according to the present invention operating as described above, the operation of the adapter can be stopped when the overheat occurs beyond the critical temperature range requested by the designer without a special temperature detection sensor and the additional circuit around the peripheral. It is stable and the production cost is reduced.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019990060218A KR100327319B1 (en) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Over temperature protection using temperature characteristics of transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990060218A KR100327319B1 (en) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Over temperature protection using temperature characteristics of transistor |
Publications (2)
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| KR20010063225A KR20010063225A (en) | 2001-07-09 |
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Family
ID=19627967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990060218A KR100327319B1 (en) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Over temperature protection using temperature characteristics of transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR100327319B1 (en) |
-
1999
- 1999-12-22 KR KR1019990060218A patent/KR100327319B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010063225A (en) | 2001-07-09 |
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