KR100319101B1 - Cathod ray tube having a inner shield - Google Patents
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Abstract
반사저감물질층이 내표면에 형성된 내측쉴드를 구비한 음극선관에 관하여 개시한다. 반사저감물질층은 알루미늄, 멀라이트(3Al2O3ㆍ2SiO2), 베타-스폰듀멘(Li2OㆍAl2O3ㆍ4SiO2), 3Li2Oㆍ7B2O3, Li2B4O7및 카본 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 음극선관 내의 발광을 원하지 않는 영역에서의 비고의적인 발광, 즉 배경발광 또는 인접발광이 상기 내측쉴드의 반사저감기능에 의해 감소됨으로써, 목적하는 발광영역에서의 콘트라스트 및 색순도를 향상시킬 수 있다.Disclosed is a cathode ray tube having an inner shield having a reflection reducing material layer formed on an inner surface thereof. Reflection reducing material layer is aluminum, mullite (3Al 2 O 3 and 2SiO 2), beta-spawned dyumen (Li 2 O and Al 2 O 3 and 4SiO 2), 3Li 2 O and 7B 2 O 3, Li 2 B 4 It may comprise any one or more materials selected from O 7 and carbon. Unintentional light emission, i.e., background light or adjacent light emission, in areas where light emission is not desired in the cathode ray tube is reduced by the reflection reduction function of the inner shield, thereby improving contrast and color purity in the desired light emission area.
Description
본 발명은 음극선관에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 음극선관 내부에서 발생되는 배경발광, 인접발광 또는 1차 발광빛에 의한 2차 발광현상을 억제함으로써 개선된 콘트라스트 및 색순도를 구현할 수 있는 음극선관에 관한 것이다.The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly, to a cathode ray tube capable of realizing improved contrast and color purity by suppressing secondary light emission caused by background light, adjacent light emission, or primary light emission generated inside a cathode ray pipe. It is about.
음극선관의 콘트라스트 및 색순도를 저하시키는 요인으로 가장 중요한 것으로는, 음극선관 내부에서 발생되는 전자빔 또는 빛의 재반사로 인하여 초래되는 배경발광 또는 인접발광을 들 수 있다. 이러한 배경발광과 인접발광은 전자빔 또는 빛의 반사로부터 초래된다.The most important factors for lowering the contrast and color purity of the cathode ray tube include background light emission or adjacent light emission caused by electron beam or re-reflection of light generated inside the cathode ray pipe. These background and adjacent light emission results from the reflection of the electron beam or light.
이하, 첨부도면을 참조하여 음극선관 내부에서 초래되는 배경발광과 인접발광에 대해 설명하기로 하고, 그 문제점을 구체적으로 살펴보기로 한다.Hereinafter, the background light emission and the adjacent light emission caused in the cathode ray tube will be described with reference to the accompanying drawings, and the problem will be described in detail.
도 1 및 도 2는 종래의 음극선관 내부에서 발생되는 배경발광과 인접발광을 설명하기 위해 도시한 음극선관의 개략단면도이며, 도 2는 도 1의 내측쉴드를 통과한 프라이머리 전자빔에 의한 발광현상을 설명하기 위한 상세도이다.1 and 2 are schematic cross-sectional views of a cathode ray tube illustrated to illustrate background light emission and adjacent light emission generated in a conventional cathode ray tube, and FIG. 2 is a light emission phenomenon caused by a primary electron beam passing through an inner shield of FIG. 1. It is a detailed view for explaining.
도 1을 참조하여 배경발광과 인접발광에 대해 구체적으로 설명하기로 한다. 음극선관(10) 내에 구비된 전자총(미도시)에서 출발(화살표 30 참조)한 프라이머리 전자빔은 섀도우마스크(20)의 내측면에 의해 약 80% 정도가 반사(화살표 35 참조)되고, 약 20%만이 섀도우마스크(20)의 간극을 통과하여 브라운관(27)의 형광막(25)에 도달(화살표 50 참조)한다. 상기 형광막(25)에 도달하여, 목적하는 발광영역에 형성되어 있는 형광체를 발광(화살표 55 참조)시킨다. 상기 화살표 55에 의한 발광은 목적하는 발광영역에서의 발광으로서 '1차 발광'이라 한다.Referring to FIG. 1, background light emission and adjacent light emission will be described in detail. The primary electron beam starting from the electron gun (not shown) provided in the cathode ray tube 10 is reflected (refer to arrow 35) by about 80% by the inner surface of the shadow mask 20. Only% passes through the gap of the shadow mask 20 to reach the fluorescent film 25 of the CRT 27 (see arrow 50). The fluorescent film 25 is reached to emit light (refer to arrow 55) of the phosphor formed in the desired light emitting region. The light emission by the arrow 55 is referred to as 'primary light emission' as light emission in the target light emission region.
상기 섀도우마스크(20)의 차폐영역에 의해 반사된 전자빔(화살표 35 참조)은 음극선관(10) 내측벽에 구비된 내측쉴드(15)에 입사된 후, 재반사됨으로써 다시 섀도우마스크(20)의 다른 영역에 위치한 간극을 통과하여 상당량의 전자빔이 브라운관 내면의 형광막에 도달(화살표 40 참조)하게 되고, 이로써 발광을 의도하지 않았던 영역에 있는 형광체가 발광(화살표 45 참조)된다. 이러한 현상은, 일회의 전자빔의 조사만으로도 반사 및 재반사의 반복 메카니즘에 의해 수회 반복될 수 있다. 따라서, 전자빔이 연속적으로 조사되는 경우에는, 상기와 같은 비고의적인 영역에서의 발광이 브라운관(27)의 일부분이 아닌 브라운관(27) 형광막 전체에서 균일한 정도로 일어나게 된다. 이러한 발광을 '배경발광'이라 한다.The electron beam reflected by the shielding area of the shadow mask 20 (see arrow 35) is incident on the inner shield 15 provided on the inner wall of the cathode ray tube 10, and then is reflected back to the shadow mask 20 again. A large amount of electron beams reach the fluorescent film on the inner surface of the CRT (see arrow 40) through the gap located in the other area, whereby the phosphor in the area not intended to emit light is emitted (see arrow 45). This phenomenon can be repeated many times by the repetition mechanism of reflection and re-reflection only with one irradiation of the electron beam. Therefore, when the electron beam is continuously irradiated, light emission in the unintentional region as described above occurs to a uniform degree in the entire fluorescent tube 27 fluorescent film instead of a part of the cathode ray tube 27. Such light emission is called "background light emission".
이러한 배경발광이 심하게 일어나는 경우에는 특정 파장대에서의 발광의 강도가 상대적으로 감소하게 됨으로써 결국은 화질의 콘트라스트 및 색순도가 저하될 수 있다.In the case where such background light emission occurs severely, the intensity of light emission in a specific wavelength range is relatively decreased, and thus, contrast and color purity of image quality may be reduced.
종래의 섀도우마스크 전자 반사율은 입사각 또는 재질에 따라 약 25% 내지 50%의 범위를 가지며, 내측쉴드의 경우는 약 25% 이상이다. 상기와 같은 전자반사율 특성을 가진 물질로 이루어진 음극선관 내부를 구성하는 부품들을 종합적으로 고려하면, 프라이머리 전자빔의 약 3% 내지 8%가 배경발광에 관여하고 있다.Conventional shadow mask electron reflectance ranges from about 25% to 50%, depending on the angle of incidence or material, and about 25% or more for the inner shield. When comprehensively considering the components constituting the inside of the cathode ray tube made of a material having the above electron reflectance characteristics, about 3% to 8% of the primary electron beam is involved in the background light emission.
한편, 섀도우마스크(20)의 간극을 통과하여 형광막에 도달(화살표 50 참조)한 약 20% 정도의 전자빔 중 형광체에 의해 일부가 반사(화살표 60 참조)되며, 상기 반사된 전자빔은 섀도우마스크(20)의 외표면에 입사된 후, 재반사(화살표 65 참조)된다. 따라서, 목적하는 발광영역에 인접한 영역에 위치한 형광체를 발광(화살표 70 참조)시킴으로써 의도하지 않았던 발광이 초래된다. 이를 '인접발광'이라고 한다. 이러한 인접발광도 상기 배경발광과 마찬가지로 비고의적인 발광이다. 인접발광의 경우는, 형광체의 통상적인 반사율이 약 28% 정도이므로, 프라이머리 전자빔의 약 1 내지 2%의 전자빔이 인접발광에 관여함을 알 수 있다. 이때, 전자빔의 반사는 비탄성충돌이기 때문에, 반사과정에서 전자빔의 에너지의 일부가 손실된다. 따라서, 반사된 전자빔의 에너지는 프라이머리 전자빔보다는 작아진다. 그러나, 반사된 전자빔이 보유하고 있는 에너지만으로도 형광체를 발광시키기에는 충분할 수 있다. 음극선관을 구성하는 각종 부품, 예컨대 섀도우마스크, 내측쉴드, 형광체 등이 제품 종류에 따라 다소 차이는 있지만, 평균적으로 프라이머리 전자빔의 약 1%내지 3%의 양이 발광 영역과 인접한 영역에서 발광을 일으킴으로써 콘트라스트 및 색순도가 저하될 수 있다.On the other hand, some of the approximately 20% of the electron beam that reaches the fluorescent film through the gap of the shadow mask 20 (see arrow 50) is reflected by the phosphor (see arrow 60), and the reflected electron beam is a shadow mask ( After entering the outer surface of 20), it is re-reflected (see arrow 65). Thus, unintentional light emission is caused by light emission (see arrow 70) which is located in a region adjacent to the desired light emission region. This is called adjacent light. Such adjacent light emission is unintentional light emission similar to the background light emission. In the case of adjacent emission, since the typical reflectance of the phosphor is about 28%, it can be seen that about 1 to 2% of the primary electron beam is involved in the adjacent emission. At this time, since the reflection of the electron beam is an inelastic collision, part of the energy of the electron beam is lost in the reflection process. Thus, the energy of the reflected electron beam becomes smaller than the primary electron beam. However, the energy retained by the reflected electron beam may be sufficient to emit the phosphor. Various components constituting the cathode ray tube, such as shadow masks, inner shields, and phosphors, vary somewhat depending on the type of product, but on average, about 1% to 3% of the primary electron beam emits light in an area adjacent to the emission area. This can lead to a decrease in contrast and color purity.
도 2를 참조하여 음극선관 내에서 형광체에서 발생된 1차 발광의 발광빛의 다양한 형태의 반사를 통해 초래되는 목적하지 않는 인접 영역에서 발생되는 발광에 대해 구체적으로 설명하기로 한다. 프라이머리 전자빔이 섀도우마스크의 간극을 통과(화살표 30 참조)하고, 알루미늄 증착막(22)을 통과하여 그 내부의 형광체를 1차 발광(화살표 55 참조)시킨다.With reference to Figure 2 will be described in detail with respect to the light emission generated in the undesired adjacent area caused by the reflection of the various forms of the primary emission light emitted from the phosphor in the cathode ray tube. The primary electron beam passes through the gap of the shadow mask (see arrow 30), passes through the aluminum vapor deposition film 22, and causes the primary phosphor to emit light (see arrow 55).
상기 화살표 55로 참조되는 1차 발광에 의한 발광빛이 반사되면서 다양한 경로를 거쳐 목적하는 발광영역 이외의 영역에서의 발광이 일어나는 것을 '2차 발광'이라 하며, 상기 2차 발광의 유형은 하기 세 가지가 가장 일반적이다.When the light emitted by the primary light emitted by the primary light emitted by the arrow 55 is reflected and light is emitted in a region other than the desired light emitting area through various paths, the secondary light is called 'secondary light emission'. Eggplant is the most common.
첫째는, 발광빛의 일부가 알루미늄 증착막(22)을 통과하여, 섀도우마스크(20)의 외측면에 입사된 후, 재반사되어 인접 영역에 위치한 형광체(24)를 발광시키는(화살표 80 참조) 것이다.First, part of the emitted light passes through the aluminum deposition film 22, enters the outer surface of the shadow mask 20, and then reflects back to emit the phosphor 24 located in the adjacent region (see arrow 80). .
둘째는, 발광빛의 다른 일부는 섀도우마스크를 통과(화살표 75 참조)하여, 내측쉴드(도 1의 '15') 등의 음극선관 내부의 다른 부품에 의해 반사된 후, 임의의 경로를 거쳐 브라운관(27)의 임의의 영역에 형성되어 있는 형광체(24)를 발광시키는(화살표 85 참조) 것이다.Secondly, the other part of the emitted light passes through the shadow mask (see arrow 75), is reflected by other components inside the cathode ray tube, such as the inner shield ('15' in FIG. 1), and then passes through the cathode ray tube through an arbitrary path. The phosphor 24 formed in any region of (27) is made to emit light (see arrow 85).
마지막 셋째는, 발광빛의 또다른 일부가 형광체/진공/유리패널 등의 계면 산란에 의해 인접 영역으로 누설되어(화살표 90 참조) 목적하는 영역의 인접 영역에서 발광이 일어나게 되는 것이다.Lastly, another part of the emitted light leaks into the adjacent area by interfacial scattering such as phosphor / vacuum / glass panel (see arrow 90), so that light emission occurs in the area adjacent to the desired area.
한편, 전술한 다양한 유형의 상기 2차 발광은, 배경 발광을 일으키는 반사 전자빔의 약 2% 내지 20% 정도에 기인한다. 따라서, 상기 2차 발광은 전술한 배경발광이나 인접발광에 비해 상대적으로 미약하다. 그러나, 소정 영역에서의 형광체 발광을 정밀하게 제어하고자 하는 경우에는 상기 2차 발광 또한 중요한 문제점으로 대두될 수 있다.On the other hand, the above-mentioned various types of secondary light emission are due to about 2% to 20% of the reflected electron beam causing background light emission. Therefore, the secondary light emission is relatively weak compared to the background light or the adjacent light light. However, in order to precisely control phosphor emission in a predetermined region, the secondary emission may also become an important problem.
전술한 바와 같이, 종래의 음극선관은 내측쉴드(15)에 입사되는 전자빔 또는 1차 발광빛의 반사 또는 재반사 메카니즘(도 1의 화살표 35 참조, 도 2의 화살표 75 참조)에 의해 목적하지 않는 발광영역에서 비고의적인 발광현상이 초래됨으로써, 실제 목적하는 영역에서의 발광 효율은 저하되는 문제점을 갖고 있다. 또한, 종래의 음극선관의 내측쉴드는 음극선관 내부쪽의 대향면에는 통상 전자 반사물질로, 원자번호가 큰 원소의 산화물, 즉 비스무트 산화물이 형성되어 있으며, 이는 상기와 같은 비고의적인 발광을 더욱 악화시킬 수 있는 문제점이 있다.As described above, the conventional cathode ray tube is not intended by the reflection or re-reflection mechanism of the electron beam or primary emission light incident on the inner shield 15 (see arrow 35 in FIG. 1 and arrow 75 in FIG. 2). Unintentional light emission is caused in the light emitting area, so that the light emitting efficiency in the actual target area is lowered. In addition, the inner shield of the conventional cathode ray tube is usually an electron reflecting material on the opposite surface inside the cathode ray tube, and an oxide having a large atomic number, that is, bismuth oxide, is formed, which further causes unintentional light emission. There is a problem that can worsen.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전자빔 또는 빛이 음극선관 내에서 재반사되면서 초래되는 배경발광, 인접발광 및 1차 발광빛에 의한 2차 발광현상을 억제함으로써 음극선관의 콘트라스트 및 색순도가 저하되는 문제를 해결하고자 함에 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to reduce the contrast and color purity of the cathode ray tube by suppressing secondary light emission caused by the background light, adjacent light emission and primary light emission caused by the electron beam or light is reflected back in the cathode ray tube To solve the problem.
본 발명은 이러한 기술적 과제를 달성할 수 있는 내측쉴드를 구비하는 음극선관을 제공함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a cathode ray tube having an inner shield that can achieve such a technical problem.
도 1 및 도 2는 종래의 음극선관 내부에서 발생되는 배경발광과 인접발광을 설명하기 위해 도시한 음극선관의 개략단면도이며, 도 2는 도 1의 내측쉴드를 통과한 프라이머리 전자빔에 의한 발광현상을 설명하기 위한 상세도이다.1 and 2 are schematic cross-sectional views of a cathode ray tube illustrated to illustrate background light emission and adjacent light emission generated in a conventional cathode ray tube, and FIG. 2 is a light emission phenomenon caused by a primary electron beam passing through an inner shield of FIG. 1. It is a detailed view for explaining.
도 3은 본 발명에 따른 내측쉴드를 구비한 음극선관 내에서의 전술한 종래의 발광현상이 감소되는 것을 설명하기 위한 개략도이다.3 is a schematic view for explaining that the above-described conventional light emission phenomenon in a cathode ray tube having an inner shield according to the present invention is reduced.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명은 내측쉴드의 내표면에 알루미늄, Al2O3, 멀라이트(3Al2O3ㆍ2SiO2), 베타-스폰듀멘(Li2OㆍAl2O3ㆍ4SiO2), 3Li2Oㆍ7B2O3, Li2B4O7, 제올라이트 및 카본 등과 같은 물질군 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 반사저감물질층이 형성된 음극선관을 제공함을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides an aluminum, Al 2 O 3 , mullite (3Al 2 O 3 ㆍ 2SiO 2 ), beta-spondumen (Li 2 O · Al 2 O 3. 4SiO 2), 3Li and the 2 O and 7B 2 O 3, Li 2 B 4 O 7, zeolites, and characterized by providing a cathode ray tube reflection reducing material layer is formed containing either one or more materials selected from the same material group as the carbon .
이때, 상기 반사저감물질층은 상기 내측쉴드의 재질로 사용될 수 있음은 물론, 상기 내측쉴드에 입사되는 전자빔 또는 발광빛의 반사를 낮추기 위한 목적이라면, 호일 형태로 제조될 수도 있으며, 그 제조 형태는 제한이 없다.In this case, the reflection reducing material layer may be used as a material of the inner shield, as well as to reduce the reflection of the electron beam or the emitted light incident on the inner shield, may be manufactured in the form of a foil, the manufacturing form no limits.
본 발명은 종래의 내측쉴드가 구비된 음극선관 내부에서, 상기 내측쉴드에 원치않는 전자빔 또는 빛이 입사된 후, 반사됨으로써 발생되는 배경발광, 인접발광 또는 발광빛에 의한 2차 발광 등으로 인해 음극선관의 콘트라스트 및 색순도가 저하되기 때문에, 이를 해결하고자 하는 목적에서 제시된 것이다. 이를 위해 본 발명 따른 음극선관은 표면에 반사저김물질층이 형성된 내측쉴드를 구비한다.The present invention is a cathode ray tube due to a background light, a secondary light emission caused by the background light generated by the reflection after the unwanted electron beam or light is incident on the inner shield, the inside of the cathode ray tube provided with a conventional inner shield, etc. Since the contrast and color purity of the tube are lowered, it is presented for the purpose of solving this problem. To this end, the cathode ray tube according to the present invention includes an inner shield on which a reflection blocking material layer is formed.
이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
내측쉴드 표면에 반사저감물질층을 형성하는 방법은 다양하며, 예를 들어 다음의 반사저감물질층 형성방법 1 내지 3을 이용할 수 있다.The method of forming the reflective reducing material layer on the inner shield surface is various, and for example, the following methods of forming the reflective reducing material layer may be used.
반사저감물질층 형성방법 1Method of forming a reflection reducing material layer 1
내측쉴드에 형성하고자 하는 반사저감물질, 하기 실시예 1 내지 4, 실시예 7 및 8에서 각각 제시하고 있는 물질을 에폭시 레진과 용매에 분산시킨 후, 여기에바인더용으로 글래스 계통의 저융점 프리트를 첨가하여 충분히 교반한 후, 페이스트 형태로 준비한다. 상기 준비된 페이스트의 성분 비율은 인쇄에 적합한 점도를 갖도록 적절하게 조절한다. 에폭시 레진과 용매의 비율은 3:7 내지 7:3이 적합하며, 상기 저융점 프리트는 체적비로 반사저감물질의 5% 내지 50% 정도가 바람직하다. 이후, 준비된 페이스트를 인쇄법으로 내측쉴드 내면에 코팅하고, 이를 충분히 건조시킨 다음 에폭시 레진을 경화시킨다. 연속하여 성형 및 흑화를 거치면 상기 저융점 프리트에 의해 견고한 반사저감물질층을 형성한다.The reflective reducing material to be formed on the inner shield, and the materials shown in Examples 1 to 4, Examples 7 and 8, respectively, were dispersed in an epoxy resin and a solvent, and then the low melting point frit of the glass system was used for the binder. After addition and stirring sufficiently, it prepares in paste form. The component ratio of the prepared paste is appropriately adjusted to have a viscosity suitable for printing. The ratio of epoxy resin and solvent is preferably 3: 7 to 7: 3, and the low melting frit is preferably 5% to 50% of the reflection reducing material by volume ratio. Thereafter, the prepared paste is coated on the inner shield inner surface by a printing method, and then sufficiently dried, and then the epoxy resin is cured. Continuously forming and blackening to form a strong reflection reducing material layer by the low melting frit.
반사저감물질층 형성방법 2Formation method of reflection reducing material layer 2
내측쉴드에 형성하고자 하는 반사저감물질, 하기 실시예 1 내지 4, 실시예 7 및 8에서 각각 제시하고 있는 물질을 에폭시 레진과 용매에 분산시킨 후, 여기에 바인더용인 글래스 계통의 저융점 프리트를 첨가하여 충분히 교반한 후, 페이스트 형태로 준비한다. 상기 페이스트의 성분 비율은 붓으로 내측쉴드에 칠하기 적합하도록 조절한다. 에폭시 레진과 용매의 비율은 1:9 내지 5:5가 적합하며, 상기 저융점 프리트는 체적비로 반사저감물질의 5% 내지 50% 정도가 바람직하다. 상기 준비된 페이스트를 붓 등으로 내측쉴드 내면에 코팅한 후, 이를 건조하여 에폭시 레진을 경화시킨다.The reflective reducing material to be formed on the inner shield, the materials shown in Examples 1 to 4, Examples 7 and 8, respectively, were dispersed in an epoxy resin and a solvent, and then a low melting frit of glass type for binder was added thereto. After stirring sufficiently, it is prepared in paste form. The composition ratio of the paste is adjusted to be suitable for painting on the inner shield with a brush. The ratio of epoxy resin and solvent is preferably 1: 9 to 5: 5, and the low melting point frit is preferably 5% to 50% of the reflection reducing material by volume ratio. After coating the prepared paste on the inner shield inner surface with a brush or the like, it is dried to cure the epoxy resin.
반사저감물질층 형성방법 3Method of Forming Reflective Material Layer 3
하기 실시예 5 및 6에서 리튬(Li)의 원료로 리튬 아세테이트, 붕소(B)의 원료는 붕산 등의 가용성 물질로 하고, 이를 알코올에 용해시킨 용액을 원하는 비율로 섞고 여기에 에폭시 레진을 첨가한 후, 여기에 내측쉴드를 디핑하여 반사저감물질층을 형성한다. 연속하여 성형 및 흑화 단계를 진행하면 상기 반사저감물질층이 견고해진다.In Examples 5 and 6 below, the raw material of lithium acetate and boron (B) is used as a raw material of lithium (Li), and a soluble material such as boric acid, and the solution dissolved in alcohol is mixed at a desired ratio, and epoxy resin is added thereto. Afterwards, the inner shield is dipped to form a reflection reducing material layer. Subsequent molding and blackening steps harden the reflection reducing material layer.
본 발명에 따른 하기 실시예 1 내지 4, 실시예 7 및 8에서에서는 상기 반사저감물질층 형성방법 1에 따라 내측쉴드 표면에 반사저감물질층을 형성하였다. 한편, 하기 실시예 5 및 6은 상기 반사저감물질층 형성방법 3에 따라 내측쉴드 표면에 반사저감물질층을 형성하였다.In Examples 1 to 4, Examples 7, and 8 according to the present invention, the reflection reducing material layer was formed on the inner shield surface according to the method 1 for forming the reflection reducing material layer. Meanwhile, in Examples 5 and 6, a reflection reducing material layer was formed on the inner shield surface according to the method of forming the reflection reducing material layer 3.
실시예 1Example 1
내측쉴드 내면에 약 0.1 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 알루미늄층을 형성하였다. 이후, 내측쉴드에 입사된 후, 반사되는 전자빔에 대한 반사율을 측정하였다. 종래의 내측쉴드가 갖는 반사율을 100%로 기준하였을 때, 상기 실시예 1에 따른 내측쉴드에서의 반사율은 55% 수준으로 낮아졌다.An aluminum layer having a thickness of about 0.1 micrometer was formed on the inner surface of the inner shield. Subsequently, after entering the inner shield, the reflectance of the reflected electron beam was measured. When the reflectance of the conventional inner shield is based on 100%, the reflectance of the inner shield according to Example 1 is lowered to 55%.
실시예 2Example 2
내측쉴드 내면에 약 0.1 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 Al2O3층을 형성하였다. 상기 실시예 1과 동일하게 전자빔에 대한 반사율을 측정하였다. 상기 실시예 2에 따른 내측쉴드에서의 반사율은 종래의 내측쉴드에 비해 44% 수준으로 반사율이 낮아졌다.An Al 2 O 3 layer having a thickness of about 0.1 micrometer was formed on the inner surface of the inner shield. In the same manner as in Example 1, the reflectance of the electron beam was measured. The reflectance of the inner shield according to Example 2 was lowered to 44% as compared to the conventional inner shield.
실시예 3Example 3
내측쉴드 내면에 약 0.1 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 멀라이트(mullite, 3Al2O3ㆍ2SiO2)층을 형성하였다. 상기 실시예 1과 동일하게 전자빔에 대한 반사율을 측정하였다. 상기 실시예 3에 따른 내측쉴드에서의 반사율은 종래의 내측쉴드에 비해 46% 수준으로 반사율이 낮아졌다.A mullite (3Al 2 O 3 ㆍ 2SiO 2 ) layer having a thickness of about 0.1 micrometers was formed on the inner surface of the inner shield. In the same manner as in Example 1, the reflectance of the electron beam was measured. The reflectance of the inner shield according to Example 3 was lowered to 46% as compared to the conventional inner shield.
실시예 4Example 4
내측쉴드 내면에 약 0.1 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 베타-스폰듀멘(Li2OㆍAl2O3ㆍ4SiO2)층을 형성하였다. 상기 실시예 1과 동일하게 전자빔에 대한 반사율을 측정하였다. 상기 실시예 4에 따른 내측쉴드에서의 반사율은 종래의 내측쉴드에 비해 43% 수준으로 반사율이 낮아졌다.A beta-spondumen (Li 2 O.Al 2 O 3 .4SiO 2 ) layer having a thickness of about 0.1 micrometers was formed on the inner surface of the inner shield. In the same manner as in Example 1, the reflectance of the electron beam was measured. The reflectance of the inner shield according to Example 4 was lowered to 43% as compared to the conventional inner shield.
실시예 5Example 5
내측쉴드 내면에 약 0.1 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 3Li2Oㆍ7B2O3층을 형성하였다. 상기 실시예 1과 동일하게 전자빔에 대한 반사율을 측정하였다. 상기 실시예 5에 따른 내측쉴드에서의 반사율은 종래의 내측쉴드에 비해 27% 수준으로 반사율이 낮아졌다.On the inner surface of the inner shield was formed a 3Li 2 O.7B 2 O 3 layer having a thickness of about 0.1 micrometers. In the same manner as in Example 1, the reflectance of the electron beam was measured. The reflectance of the inner shield according to Example 5 was lowered to 27% as compared to the conventional inner shield.
실시예 6Example 6
내측쉴드 내면에 약 0.1 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 Li2B4O7층을 형성하였다. 상기 실시예 1과 동일하게 전자빔에 대한 반사율을 측정하였다. 상기 실시예 6에 따른 내측쉴드에서의 반사율은 종래의 내측쉴드에 비해 27% 수준으로 반사율이 낮아졌다.On the inner surface of the inner shield was formed a Li 2 B 4 O 7 layer having a thickness of about 0.1 micrometers. In the same manner as in Example 1, the reflectance of the electron beam was measured. The reflectance of the inner shield according to Example 6 was lowered to 27% as compared to the conventional inner shield.
실시예 7Example 7
내측쉴드 내면에 약 0.1 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 제올라이트층을형성하였다. 상기 실시예 1과 동일하게 전자빔에 대한 반사율을 측정하였다. 상기 실시예 7에 따른 내측쉴드에서의 반사율은 종래의 내측쉴드에 비해 40% 수준으로 반사율이 낮아졌다.A zeolite layer having a thickness of about 0.1 micrometer was formed on the inner surface of the inner shield. In the same manner as in Example 1, the reflectance of the electron beam was measured. The reflectance of the inner shield according to the seventh embodiment is lower than the conventional inner shield to a level of 40%.
실시예 8Example 8
내측쉴드 내면에 약 0.1 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 카본층을 형성하였다. 상기 실시예 1과 동일하게 전자빔에 대한 반사율을 측정하였다. 상기 실시예 8에 따른 내측쉴드에서의 반사율은 종래의 내측쉴드에 비해 70% 수준으로 반사율이 낮아졌다.A carbon layer having a thickness of about 0.1 micrometer was formed on the inner surface of the inner shield. In the same manner as in Example 1, the reflectance of the electron beam was measured. The reflectance of the inner shield according to the eighth embodiment is lower than the conventional inner shield at a level of 70%.
비교예Comparative example
본 발명에 따른 실시예와 비교하기 위한 비교예는 전자총에 대향하는 표면이 비스무트 산화물(BixOy)로 이루어진 종래의 내측쉴드가 구비된 음극선관으로서, 이때, 내측쉴드로 입사되는 전자빔의 반사율을 상대적인 기준치로 100%로 설정하였다.A comparative example for comparison with an embodiment according to the present invention is a cathode ray tube having a conventional inner shield made of bismuth oxide (Bi x O y ) whose surface facing the electron gun, wherein the reflectance of the electron beam incident on the inner shield Was set to 100% as a relative baseline.
이하, 본 발명에 따른 내측쉴드가 구비된 음극선관에서 종래의 문제점인 배경발광, 인접발광 또는 발광빛에 의한 2차 발광 현상을 현저하게 감소시키는 동작에 대해 첨부도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, an operation of significantly reducing the secondary light emission phenomenon caused by the background light, the adjacent light, or the light emitted by the conventional problem in the cathode ray tube having the inner shield according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Shall be.
도 3은 본 발명에 따른 내측쉴드를 구비한 음극선관 내에서의 전술한 종래의 발광현상이 감소되는 것을 설명하기 위한 개략도이다. 한편, 도 3에서 본 발명에서 제시하는 내측쉴드(115)는 다른 부재에 비해 두껍게 표현하였으나, 이는 상기 내측쉴드(115) 표면에 반사저감물질층이 형성되어 있음을 과장되게 표현한 것에 불과하다.Figure 3 is a schematic diagram for explaining that the above-described conventional light emission phenomenon in the cathode ray tube having an inner shield according to the present invention is reduced. Meanwhile, although the inner shield 115 shown in FIG. 3 is thicker than other members, this is merely an exaggeration of the fact that the reflection reducing material layer is formed on the inner shield 115 surface.
도 3에 따르면, 본 발명에 따른 내측쉴드는 입사되는 전자빔 또는 발광빛의 반사를 감소시킴으로써 종래의 배경발광을 현저하게 감소시키고 있다. 음극선관(10) 내에 구비된 전자총(미도시)에서 출발(화살표 30 참조)한 프라이머리 전자빔은 섀도우마스크(20)의 내측면에 의해 약 80% 정도가 반사(화살표 35 참조)되고, 약 20%만이 섀도우마스크(20)의 간극을 통과하여 브라운관(27)의 형광막(25)에 도달(화살표 50 참조)한다. 상기 형광막(25)에 도달하여, 목적하는 발광영역에 형성되어 있는 형광체를 발광(화살표 55 참조)시킨다. 상기 섀도우마스크(20)의 차폐영역에 의해 반사된 약 80%의 전자빔(35)은 음극선관(10) 내측벽에 반사용저감물질, 예컨대 알루미늄, Al2O3, 멀라이트(3Al2O3ㆍ2SiO2), 베타-스폰듀멘(Li2OㆍAl2O3ㆍ4SiO2), 3Li2Oㆍ7B2O3, Li2B4O7, 제올라이트 및 카본 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어진 구비된 내측쉴드(115)에 입사된다. 그러나, 입사된 전자빔은 내측쉴드(115)가 반사저감물질로 형성되어 있기 때문에 재반사되는 율이 현저하게 감소된다(도 3에서 점선으로 표시). 이로써, 종래의 배경발광의 주원인이 되고 있는 내측쉴드로부터의 전자빔의 반사를 현저하게 감소시킴으로써, 종래의 음극선관에서의 문제점을 해결하였다. 한편, 상기 전자빔 반사에 비해 그 정도는 미약하지만, 종래의 음극선관에서 1차 발광빛이 내측쉴드로 입사되어 반사됨으로써 초래되는 2차 발광현상도 함께 제어될 수 있다.According to FIG. 3, the inner shield according to the present invention significantly reduces the background light emission by reducing reflection of incident electron beams or emitted light. The primary electron beam starting from the electron gun (not shown) provided in the cathode ray tube 10 is reflected (refer to arrow 35) by about 80% by the inner surface of the shadow mask 20. Only% passes through the gap of the shadow mask 20 to reach the fluorescent film 25 of the CRT 27 (see arrow 50). The fluorescent film 25 is reached to emit light (refer to arrow 55) of the phosphor formed in the desired light emitting region. About 80% of the electron beam 35 reflected by the shielding area of the shadow mask 20 is formed on the inner wall of the cathode ray tube 10 to reduce reflection materials such as aluminum, Al 2 O 3 , and mullite (3Al 2 O 3). 2SiO 2 ), beta-spondumen (Li 2 O.Al 2 O 3 4SiO 2 ), 3Li 2 O.7B 2 O 3 , Li 2 B 4 O 7 , zeolite and any one or more selected from carbon It is incident on the inner shield 115 made of a material. However, since the incident electron beam has the inner shield 115 made of a reflection reducing material, the rate of rereflection is markedly reduced (indicated by the dotted line in FIG. 3). This significantly reduces the reflection of the electron beam from the inner shield, which is the main cause of the conventional background light emission, thereby solving the problem in the conventional cathode ray tube. On the other hand, although the degree is weak compared to the electron beam reflection, the secondary light emission phenomenon caused by the primary light emitted from the conventional cathode ray tube incident to the inner shield can also be controlled.
본 발명에 따른 상기 실시예들에 의하면, 발광영역에서의 콘트라스트 및 색순도의 향상이 다음과 같이 구체적으로 개선된다. 즉, 상기 내측쉴드에 사용하는 반사저감물질 및 그층의 두께에 따라 비발광 영역에서의 발광이 25 내지 50% 수준으로 감소되며, 결과적으로 발광영역의 콘트라스트가 33 내지 167%까지 향상되었다. 또한, 종래의 음극선관의 단색 색좌표(x, y)가 적색(0.645,0.316), 녹색(0.275, 0.607), 청색(0.143, 0.054)일 경우, 본 발명에 따른 내측쉴드를 사용하면 반사저감물질 및 그층의 두께에 따라 비발광 영역에서의 발광이 25 내지 50%의 수준으로 감소되었다. 한편, 본 발명에 따른 내측쉴드를 이용한 음극선관의 적색 색좌표는 (0.663, 0.314) 내지 (0.672, 0.316), 녹색 색좌표는 (0.274, 0.613) 내지 (0.274, 0.618) 및 청색 색좌표는 (0.141, 0.050) 내지 (0.140, 0.048)로 각각 개선되어 색재현 범위가 107 내지 110% 확대되었다.According to the embodiments according to the present invention, the improvement of the contrast and the color purity in the light emitting region is specifically improved as follows. That is, light emission in the non-emission area is reduced to 25 to 50% level according to the reflection reducing material and the thickness of the layer used for the inner shield, and as a result, the contrast of the light emission area is improved to 33 to 167%. In addition, when the monochromatic color coordinate (x, y) of the conventional cathode ray tube is red (0.645, 0.316), green (0.275, 0.607), blue (0.143, 0.054), when the inner shield according to the present invention is used And the emission in the non-luminescing region was reduced to a level of 25 to 50% according to the thickness of the layer. Meanwhile, the red color coordinates of the cathode ray tube using the inner shield according to the present invention are (0.663, 0.314) to (0.672, 0.316), the green color coordinates are (0.274, 0.613) to (0.274, 0.618), and the blue color coordinates are (0.141, 0.050). ) To (0.140, 0.048), respectively, to increase the color reproduction range by 107 to 110%.
이에 부가하여, 마스크의 도밍(msak doming) 방지를 위해 Bi2O3등의 전자 반사물질을 마스크 내측면 즉, 전자총 방향에 대향하는 면에 코팅하는 경우에는 전자 반사가 더욱 심해져 콘트라스트 및 색순도가 더욱 열화될 수 있다. 이러한 문제점은 본 발명에 따른 내측쉴드를 음극선관이 구비하면 더욱 바람직하게 해결될 수 있다.In addition, when the electron reflecting material such as Bi 2 O 3 is coated on the inner surface of the mask, that is, the surface facing the direction of the electron gun, in order to prevent the mask doming, the electron reflection is further increased, resulting in more contrast and color purity. May deteriorate. This problem can be more preferably solved if the cathode ray tube is provided with the inner shield according to the present invention.
이상의 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위해 구체적으로 기술한 것에 불과하므로, 본 발명의 범위를 한정하기 위한 목적으로 이해되어서는 안된다. 또한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 용이하게 본 발명에 대한 다양한 변형을 할 수 있으며, 이들이 본 발명의 범주에 속함은 자명하다.The above embodiments are only described in detail to aid the understanding of the present invention, and should not be understood for the purpose of limiting the scope of the present invention. In addition, various modifications to the present invention can be easily made by those skilled in the art, and it is obvious that they belong to the scope of the present invention.
본 발명에 따른 표면에 반사저감물질층이 형성된 내측쉴드를 구비한 음극선관은 음극선관 내에서의 전자빔 또는 빛의 반사 또는 재반사 메카니즘을 제어함으로써, 종래의 반사 또는 재반사 메카니즘으로부터 초래되는 배경발광 및 인접발광 등의 원하지 않는 영역에서 비고의적으로 발생되는 발광을 현저하게 감소시킴으로써 발광영역에서의 콘트라스트 및 색순도를 향상시킬 수 있다.A cathode ray tube having an inner shield having a layer of reflective reducing material formed on its surface according to the present invention controls the reflection or re-reflection mechanism of an electron beam or light in the cathode ray tube, thereby causing background light emission resulting from a conventional reflection or re-reflection mechanism. And significantly reducing light emission unintentionally generated in unwanted areas such as adjacent light emission, thereby improving contrast and color purity in the light emitting area.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20051129 Year of fee payment: 5 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |