KR100303333B1 - Plannar light waveguide element and method of fabricating the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 18
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
- C03B19/1005—Forming solid beads
- C03B19/106—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B2006/12061—Silicon
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
본 발명은 평면 광 도파로 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 평면 기판; 상기 평면 기판상에 증착되는 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층상에 증착되어 계면에서 발생하는 변형을 최소화하는 패시베이션 층; 상기 하부 클래딩층보다 굴절율이 큰 재질로 상기 패시베이션층상에서 패터닝되어 형성된 광 도파로; 및 상기 광 도파로와 상기 패시베이션 층상에 증착되는 상부 클래딩층을 포함한다. 따라서, 본 발명은 확산에 의한 도파로 변형을 최소화함으로서, 고신뢰성의 광 도파로 소자를 제작하게 되었다.The present invention relates to a planar optical waveguide device and a method of manufacturing the same. A lower clad layer deposited on the planar substrate; A passivation layer deposited on the lower clad layer to minimize deformation occurring at the interface; An optical waveguide formed on the passivation layer by patterning with a material having a refractive index higher than that of the lower cladding layer; And an upper cladding layer deposited on the optical waveguide and the passivation layer. Therefore, the present invention minimizes the waveguide deformation by diffusion, thereby manufacturing a highly reliable optical waveguide device.
Description
본 발명은 광 도파로(light waveguide)에 관한 것으로서, 특히 패시베이션 층(passivation layer)을 구비한 평면 광 도파로 소자(plannar light waveguide element) 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light waveguide, and more particularly, to a plannar light waveguide element having a passivation layer and a method of manufacturing the same.
최근에 광신호의 분기, 변조, 스윗칭, 신호 다중화등의 광신호 처리를 목적으로 평면 도파로 기술을 이용하여 평면 기판상에 광 도파로를 제작하는 광소자의 집적화 기술에 대하여 많은 연구가 이루어 지고 있다. 이러한 광 도파로 소자를 제작하기 위하여 필요한 기술로서는 도파로의 설계, 제작 및 패키지등을 예로 들수 있다.Recently, many researches have been made on the integration technology of optical devices that fabricate optical waveguides on flat substrates by using plane waveguide technology for optical signal processing such as branching, modulation, switching, and signal multiplexing of optical signals. Examples of technologies required for fabricating such an optical waveguide device include waveguide design, fabrication, package, and the like.
일반적인 광 도파로는 광파를 가두고 길이방향으로 손실이 적게 전파시키는 광 전송로로서, 굴절율이 큰 코아와, 코아를 둘러싸고 있는 굴절율이 낮은 클래딩으로 구성된다.A general optical waveguide is a light transmission line that confines light waves and propagates less loss in the longitudinal direction. It is composed of a core having a large refractive index and a cladding having a low refractive index surrounding the core.
상기와 같이 구성되는 광 도파로를 제작하기 위한 방법이 다양하게 제시되었다. 예를들어, 미국특허번호 제5,417,804호(OPTICAL WAVEGUIDE MANUFACTURING METHOD), 제5,598,501호(POLYIMIDE OPTICAL WAVEGUIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME), 제5,858,051호(METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE), 제5,872,883호(CURVED OPTICAL WAVEGUIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME), 제5,903,697호(OPTICAL WAVEGUIDE, METHOD OF MAKING THE SAME AND INTEGRATED OPTICAL DEVICE)등에 소자의 광특성의 목적에 따라 사용되는 광 도파로의 제작방법이 개시되어 있다.Various methods have been proposed for fabricating the optical waveguide as described above. For example, U.S. Patent No. 5,417,804 (OPTICAL WAVEGUIDE MANUFACTURING METHOD), 5,598,501 (POLYIMIDE OPTICAL WAVEGUIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME), 5,858,051 (METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE), 5,872,883 (CURVED OPTICAL WAVEGUIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, US Pat. No. 5,903,697 (OPTICAL WAVEGUIDE, METHOD OF MAKING THE SAME AND INTEGRATED OPTICAL DEVICE), and the like.
상기한 평면 광 도파로 제작을 위해서는 여러번의 박막 증착공정(deposition process)과 식각공정(etching process)이 요구되는데 소자 특성의 제어를 위해서는 원하는 굴절률 분포 및 도파로 구조를 쉽게 조절할 수 있어야 한다. 식각공정에서 원하는 폭과 높이의 패턴(pattern)을 만들어야 함은 물론이고, 여러번의 박막 증착 단계에서 계면이 확산(diffusion)되거나 변형되지 않고 일정하게 유지되어야 한다.In order to fabricate the planar optical waveguide, a plurality of thin film deposition processes and etching processes are required. In order to control the device characteristics, desired refractive index distributions and waveguide structures should be easily controlled. It is necessary not only to form a desired width and height pattern in the etching process but also to maintain the interface uniformly without being diffused or deformed in a plurality of thin film deposition steps.
실리콘 기판(silicon substrate)상에 하부 클래드층 및 코아층을 형성시키는 방법으로는 화염가수분해증착(FHD:Flame Hydrolysis Deposition)법이 가장 보편적으로 사용되고 있다. 상기 FHD방법은 먼저 토치(torch)를 이용하여 산수소 화염을 발생시키고, 화염내에서 SiCl4, GeCl4, POCl4, BCl4등을 반응시켜 실리카 수트(silica soot)를 생성함으로서 실리콘 기판위에 증착하는 증착 공정과, 수트가 증착된 기판을 소결로내에서 가열하여 투명한 유리막으로 만드는 소결 공정(sinstering process)으로 이루어 진다. 이러한 공정으로 제작된 실리카 기판상에 증착 공정과 식각 공정을 거쳐서 평면 광 도파로가 제작된다.Flame hydrolysis deposition (FHD) is the most commonly used method for forming a lower clad layer and a core layer on a silicon substrate. In the FHD method, an oxyhydrogen flame is generated using a torch, and a silica soot is formed by reacting SiCl 4 , GeCl 4 , POCl 4 , BCl 4, or the like in the flame to deposit on a silicon substrate And a sintering process in which the substrate on which the soot is deposited is heated in a sintering furnace to form a transparent glass film. A planar optical waveguide is fabricated through a deposition process and an etching process on a silica substrate manufactured by such a process.
그러나, 종래의 광 도파로 제작공정에서, 대부분의 박막 증착은 비교적 고온에서 이루어지고, 불순물의 확산이 원할하게 일어나기 때문에 경계가 변형되기 쉬운 단점이 있다. 특히, 실리카 박막 증착을 위해 널리 쓰이는 FHD법의 경우를 보면, 증착된 구형의 실리카 입자들의 기공도가 매우 크기 때문에 치밀한 구조를 만들기 위하여 약 1000∼1300℃에서 소결 공정을 거치게 된다. 이러한 고온의 소결과정중에 계면에서의 불순물 확산으로 인해 도파로 크기가 심한 경우 수 μm까지 줄어들기도 하고, 경계면이 완만해지는 문제점이 있다. 특히, 도파로간의 간격이 좁은 영역에서는 확산된 불순물들이 축적됨으로서 클래딩의 굴절율이 임의로 변하기 때문에 소자 특성에 악영향을 미칠 가능성이 크다. 이처럼 불순물의 확산으로 인한 경계의 변형은 박막의 조성 및 열적인 성질에 밀접한 관계가 있다.However, in the conventional optical waveguide fabrication process, most of the thin film deposition is performed at a relatively high temperature, and diffusion of the impurities occurs smoothly, so that the boundary is liable to be deformed. Particularly, in the case of the FHD method widely used for the deposition of the silica thin film, since the porosity of the spherical silica particles deposited is very large, the sintering process is performed at about 1000-1300 ° C to make a dense structure. When the waveguide size is large due to the diffusion of impurities at the interface during the sintering process at such a high temperature, there is a problem that the interface is reduced to several μm and the interface becomes gentle. Particularly, in the region where the gap between the waveguides is narrow, the diffused impurities are accumulated, and the refractive index of the cladding is arbitrarily changed, so that there is a great possibility of adversely affecting the device characteristics. The deformation of the boundary due to the diffusion of impurities is closely related to the composition and thermal properties of the thin film.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 현재로는 기판상에 증착된 하부 클래딩층(undercladding layer) 및 코아층의 연화점(softening temperature)을 높이거나 상부 클래딩층(uppercladding layer)의 소결온도를 낮추는 방법을 고려할수 있다. 그러나, 이를 위해서는 하부 클래딩 층에 대한 불순물 함량을 줄여야 하는데 이런 경우 실리콘 기판과의 열팽창계수차가 커지기 때문에 복굴절이 증가할 우려가 있고, 소결이 어려운 단점이 있다. 또한, 상부 클래딩 층의 소결온도를 낮추기 위해서는 불순물 함량을 늘려야 하지만 지나칠 경우 박막의 신뢰성이 나쁜 단점이 있다.In order to solve the above problems, a method of increasing the softening temperature of the undercladding layer and the core layer deposited on the substrate or lowering the sintering temperature of the upper cladding layer Can be considered. However, in order to achieve this, the impurity content in the lower cladding layer must be reduced. In this case, the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the silicon substrate increases, so that birefringence may increase and sintering is difficult. Further, in order to lower the sintering temperature of the upper cladding layer, the impurity content must be increased, but when it is too much, reliability of the thin film is poor.
또한, 불순물이 거의 함유되지 않은 실리카 기판을 음각 식각한 후, 그 골에 굴절율이 큰 코아를 채우고, 그 위에 상부 클래딩층을 증착하는 방법이 사용되고 있으나, 코아층을 증착한 후 불필요한 부분을 정확히 제거해야 하기 때문에 공정상 어려움이 있고, 상부 클래딩층 증착시 완전한 도파로 경계를 구현하는데 어려움이 있었다.In addition, a method of etching a silica substrate containing little impurities by etching, filling the core with a core having a large refractive index, and depositing an upper cladding layer thereon is used. However, after the core layer is deposited, And there is a difficulty in realizing a complete waveguide boundary upon deposition of the upper cladding layer.
본 발명은 상기한 종래의 문제점들을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 실리카 박막을 하부 클래딩 층 표면 및 식각된 코아표면에 증착하여 불순물의 확산을 최대한으로 억제함으로서, 하부 클래딩 층위에 코아층을 증착하거나 식각된 구조위에 상부 클래딩 층을 증착하는 계면에서 발생하는 도파로 변형을 최소화한 광 도파로 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art described above, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a silica thin film is deposited on a surface of a lower cladding layer and an etched core surface to minimize diffusion of impurities, And a method of manufacturing the optical waveguide device, which minimizes waveguide deformation occurring at an interface for depositing a layer or depositing an upper cladding layer on an etched structure.
본 발명의 다른 목적은 실리카 박막을 적어도 1층이상 구비한 광 도파로 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an optical waveguide device having at least one silica thin film and a manufacturing method thereof.
본 발명의 또 다른 목적은 CVD법을 이용하여 적어도 1층이상의 패시베이션층을 구비한 광 도파로 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide an optical waveguide device having at least one passivation layer using a CVD method and a manufacturing method thereof.
상기한 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은 평면 기판;According to an aspect of the present invention,
상기 평면 기판상에 증착되는 하부 클래드층;A lower clad layer deposited on the planar substrate;
상기 하부 클래드층상에 증착되어 계면에서 발생하는 변형을 최소화하는 패시베이션 층;A passivation layer deposited on the lower clad layer to minimize deformation occurring at the interface;
상기 하부 클래딩층보다 굴절율이 큰 재질로 상기 패시베이션층상에서 패터닝되어 형성된 광 도파로; 및An optical waveguide formed on the passivation layer by patterning with a material having a refractive index higher than that of the lower cladding layer; And
상기 광 도파로와 상기 패시베이션 층상에 증착되는 상부 클래딩층을 포함한다.And an upper cladding layer deposited on the optical waveguide and the passivation layer.
도 1a 내지 도 1f은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 패시베이션 층을 구비한 평면 광 도파로의 제작단계를 나타내는 도면이다.FIGS. 1A to 1F are views illustrating steps of fabricating a planar optical waveguide having a passivation layer according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 바람직한 다른 일실시예에 따른 패시베이션 층을 구비한 평면 광 도파로를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a planar optical waveguide having a passivation layer according to another preferred embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted so as to avoid obscuring the subject matter of the present invention.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 패시베이션 층을 구비한 광도파로 제작단계를 순차적으로 나타내는 도면이다. 상기 도면을 참조하면, 본 발명에 따른 광 도파로 소자는 일정한 두께로 제작된 평면 기판(10:plannar substrate)상에 소정의 굴절율을 가지는 하부 클래드 층(12:lower cladding layer)을 증착시킨다. 상기 기판(10)상에 하부 클래드 층(12)이 증착된 상태가 도 1a에 도시되었다. 상기 평면 기판(10)은 실리카 기판(silica substrate)이다. 이어서 상기 하부클래드 층(12)상에 일정한 굴절율을 갖는 제1패시베이션 층(14:passivation layer)을 얇게 형성시킨다. 상기 하부 클래딩 층(12)상에 제1패시베인션 층(14)이 증착된 상태가 도 1b에 도시되었다. 상기 제1패시베이션 층(14)은 연화점이 높으며, 불순물이 거의 없는 이산화규소(SiO2)를 포함하는 박막 즉, 거의 순수한 실리카 박막(pure silica film)을 의미한다. 상기 제1패시베이션 층(14)은 상기 하부 클래딩 층(12)의 굴절율과 유사하고, 연화점이 높다. 이러한 제1패시베이션 층(14)은 하부 클래딩 층(12)보다 불순물의 함량이 적기 때문에 경계면에서 발생하는 확산(diffusion)에 의한 변형을 최소화한다. 또한, 상기 제1패시베이션 층(14)은 화학기상증착법(CVD:Chemical Vapor Deposition Method)을 사용하여 제작된다. 상기한 제1패시베이션 층(14)에 의해서 확산에 의한 변형이 최소화되는 원리는 하기에 설명하기로 한다.FIGS. 1A to 1F are views sequentially illustrating steps of fabricating an optical waveguide having a passivation layer according to an embodiment of the present invention. Referring to the drawings, an optical waveguide device according to the present invention deposits a lower cladding layer 12 having a predetermined refractive index on a planar substrate 10 having a predetermined thickness. A state in which the lower clad layer 12 is deposited on the substrate 10 is shown in FIG. The planar substrate 10 is a silica substrate. Next, a first passivation layer 14 having a constant refractive index is formed on the lower clad layer 12 to be thin. A state in which the first passivation layer 14 is deposited on the lower cladding layer 12 is shown in FIG. The first passivation layer 14 refers to a thin film containing silicon dioxide (SiO 2 ) having a high softening point and little impurities, that is, a pure silica film. The first passivation layer 14 is similar to the refractive index of the lower cladding layer 12 and has a high softening point. Since the first passivation layer 14 has a smaller amount of impurities than the lower cladding layer 12, the first passivation layer 14 minimizes the deformation due to diffusion occurring at the interface. Also, the first passivation layer 14 is formed using a chemical vapor deposition (CVD) method. The principle that the deformation due to diffusion is minimized by the first passivation layer 14 will be described below.
이어서 상기 제1페시베이션 층(14)상에 상기 하부 클래딩 층(12)보다 굴절율이 큰 코어층(16:core layer)을 형성시킨다. 이러한 제1패시베이션 층(14)상에 코아층(16)을 증착한 상태가 도 1c에 도시되었다. 증착된 코어층(16)을 식각하여 광 도파로(light waveguide) 즉, 패턴화된 코어층(16a:patterned core layer)을 형성한다. 패터화된 코어층(16a)이 도 1d에 도시되었다. 이러한 패턴화된 코어층(16a) 및 상기 제1패시베이션 층(14)의 표면에 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 화학기상증착법(CVD:Chemical Vapor Deposition Method)을 사용하여 제2패시베이션 층(18)을 형성한다. 상기 제2패시베이션 층(18)은 연화점이 높은 거의 순수한 실리카 박막 즉, 순수한 이산화규소를 포함하는 것으로, 하부 클래딩층(12)의 굴절율과 유사하다. 상기 제2패시베이션 층(18)은 상기 패턴화된 코어층(16a)을 둘러싸게 증착된다. 즉, 상기 제2패시베이션 층(18)은 패터화된 코어층(16a)의 상단(top end)과 측단(side end)상에 증착되고, 상기 제1패시베이션 층(14)상에 증착된다. 마지막으로 상기 제2패시베이션 층(18)상에 상기 하부 클래딩 층(12)의 굴절율과 동일한 상부 클래딩 층(20:uppercladding layer)을 형성한다. 이때, 상기 제2패시베이션 층(18)은 상부 클래딩 층(20)보다 불순물 함량이 적기 때문에 경계면에서 발생하는 확산에 의한 변형을 최소화한다.Next, a core layer 16 having a higher refractive index than the lower cladding layer 12 is formed on the first passivation layer 14. A state in which the core layer 16 is deposited on the first passivation layer 14 is shown in Fig. 1C. The deposited core layer 16 is etched to form a light waveguide, that is, a patterned core layer 16a. The patterned core layer 16a is shown in Figure 1d. The second passivation layer 18 is formed on the surface of the patterned core layer 16a and the first passivation layer 14 using a chemical vapor deposition (CVD) method having excellent step coverage. . The second passivation layer 18 includes a substantially pure silica thin film having a high softening point, that is, pure silicon dioxide, and is similar to the refractive index of the lower cladding layer 12. The second passivation layer 18 is deposited to surround the patterned core layer 16a. That is, the second passivation layer 18 is deposited on the top end and the side end of the patterned core layer 16a and is deposited on the first passivation layer 14. An upper cladding layer 20 having the same refractive index as that of the lower cladding layer 12 is formed on the second passivation layer 18. At this time, since the impurity content of the second passivation layer 18 is less than that of the upper cladding layer 20, the deformation due to diffusion occurring at the interface is minimized.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 광 도파로 소자는 상기 패턴화된 코아층(16a)이 제1패시베이션 층(14)에 의해 하부 클래딩층(12)과 격리되고, 제2패시베이션 층(18)에 의해 상부 클래딩층(20)과 격리됨으로서, 계면에서의 변형이 최소화된다.As described above, in the optical waveguide device according to the present invention, the patterned core layer 16a is isolated from the lower cladding layer 12 by the first passivation layer 14, and the patterned core layer 16a is formed on the second passivation layer 18 Is isolated from the upper cladding layer 20, so that deformation at the interface is minimized.
본 발명의 실시예에 따라 상기 제1패시베이션 층(14)은 0.1∼1μm의 두께로 증착되며, 상기 제2패시베이션 층(18)도 0.1∼1μm의 두께로 증착된다.According to an embodiment of the present invention, the first passivation layer 14 is deposited to a thickness of 0.1 to 1 m, and the second passivation layer 18 is deposited to a thickness of 0.1 to 1 m.
상기 기술한 바와같이 본 발명에 따른 패시베이션 층을 구비한 광 도파로 소자에서 패시베이션 층을 적어도 한 층 이상 구비함으로서, 계면에서 발생하는 변형을 최소화할 수 있는 원리에 대해서 살펴보면 다음과 같다.As described above, in the optical waveguide device having the passivation layer according to the present invention, at least one passivation layer is provided to minimize the deformation occurring at the interface, as follows.
농도가 다른 두 층이 고온으로 달구어 지면, 계면을 중심으로 농도차가 작아지는 방향으로 물질이동이 일어난다. 고온 처리시간이 충분히 길어지면 농도가 같아지고, 더 이상 물질의 순이동이 일어나지 않는다. 물질 이동(확산) 속도는 계면에서의 농도차에 비례한다. 확산에 대한 픽스의 제1법칙(Fick's first law)의 수학식 1은 다음과 같다.When two layers with different concentrations are heated to a high temperature, mass transfer occurs in a direction in which the concentration difference becomes smaller around the interface. When the high-temperature treatment time becomes long enough, the concentration becomes the same, and the net movement of the substance no longer occurs. The mass transfer (diffusion) rate is proportional to the concentration difference at the interface. Equation 1 of Fick's first law on diffusion is as follows.
수학식 1에서, J는 물질성분의 이동량(flux of component)을 의미하고, D는 확산 계수(diffusion coefficient)를 나타내며, ▽C는 농도 구배(concentration gradient)를 나타낸다.In Equation 1, J denotes a flux of a component, D denotes a diffusion coefficient, and C denotes a concentration gradient.
상기 수학식 1에서 확산 속도(diffusion velocity)는 확산 계수(diffusion coefficient)에 비례하는데 확산 계수는 확산이 일어나는 물질의 종류와 확산 매개체의 밀도, 상태 및 온도에 영향을 받는다. 확산 계수는 하기 수학식 2와 같다.In Equation (1), the diffusion velocity is proportional to the diffusion coefficient. The diffusion coefficient is affected by the kind of the substance to be diffused and the density, state, and temperature of the diffusion medium. The diffusion coefficient is represented by the following equation (2).
수학식 2에서In Equation 2,
같은 온도 및 밀도를 갖는 경우, 확산 속도는 매개체의 상태 즉 실리카의 경우를 예로 들면, 조성에 의해 변화하는 연화점과 밀접한 관계가 있다. 고온에서도쉽게 연화되지 않는 경우가 연화가 잘 되는 경우에 비해 확산 속도가 느리다. 실리카의 경우, 연화점은 밀접한 연관이 있다. 일반적으로 불순물 함량이 많을 수록 연화점이 낮아지므로 확산 현상을 줄이려면 불순물 함량을 줄이는 것이 최선의 방법이다.In the case of having the same temperature and density, the diffusion rate is closely related to the state of the medium, that is, the case of silica, and the softening point which varies depending on the composition. The case of not being easily softened even at high temperature is slower than the case where softening is good. In the case of silica, the softening point is closely related. Generally, the higher the content of impurities, the lower the softening point, so it is best to reduce the impurity content in order to reduce diffusion.
본 발명에서는 특히 하부 클래딩 층(12) 또는 광 도파로(16a)의 불순물 함량이 많아 연화점이 낮은 경우 상층막을 증착하는 공정에서 확산에 의해 경계가 변형되는 것을 최소화하기 위해 불순물 함량이 없거나 상대적으로 적은 패시베이션 층을 하층막에 증착하는 방법을 사용하였다.In the present invention, in order to minimize the deformation of the boundary due to diffusion in the process of depositing the upper layer film when the softening point is low due to the high impurity content of the lower cladding layer 12 or the optical waveguide 16a, Layer was deposited on the lower layer film.
도 7에 도시된 바와같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 평면 광도파로는 계면에서 발생하는 확산에 의한 변형을 최소화하기 위하여 하부 클래딩 층(12)상에 단 하나의 패시베이션 층(14)을 구비한 평면 광 도파로가 개시된다. 도 6에는 두개의 패시베이션 층(14,18)이 하부 클래딩 층(12)과 패턴된 코아층(16a)에 증착되는 것을 예시하였으나, 도 7에 도시된 평면 광 도파로는 하나의 패시베이션 층(14)이 하부 클래딩 층상(12)에 증착된 것을 개시한다. 그 이외의 설명은 이미 상세히 설명하였기 때문에 상세한 설명은 생략하기로 한다.7, the planar optical waveguide according to another embodiment of the present invention includes a single passivation layer 14 on the lower cladding layer 12 to minimize deformation due to diffusion at the interface A planar optical waveguide is disclosed. 6 illustrates deposition of the two passivation layers 14 and 18 on the lower cladding layer 12 and the patterned core layer 16a. However, the planar optical waveguide shown in FIG. 7 includes one passivation layer 14, Is deposited on the lower cladding layer (12). Since the other explanations have already been described in detail, the detailed description will be omitted.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도내에서 여러가지 변형이 가능함은 당해분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어서 자명하다 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
이상으로 살펴본 바와같이, 본 발명은 하부층의 조성과는 무관하게 확산에 의한 도파로 변형을 최소화할 수 있는 패시베이션 층을 증착함으로서, 원하는 도파로 구조를 제작할 수 있다는 장점이 있다. 현재 CVD에 의한 실리카 박막 증착기술은 널리 보급되어 있으므로, 이러한 기술은 설계한 소자의 특성을 정확히 구현하고, 소자특성을 정밀하게 제어하고자 할 때나 재현성을 갖고자 할 때 쉽게 활용될 수 있다.As described above, the present invention is advantageous in that a desired waveguide structure can be fabricated by depositing a passivation layer that minimizes the waveguide deformation due to diffusion regardless of the composition of the lower layer. Since the silica thin film deposition technique by CVD is widely used, this technique can be easily used when it is necessary to precisely control the characteristics of the designed device, precisely control the device characteristics, or reproduce it.
Claims (19)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990035994A KR100303333B1 (en) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | Plannar light waveguide element and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990035994A KR100303333B1 (en) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | Plannar light waveguide element and method of fabricating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010019546A KR20010019546A (en) | 2001-03-15 |
KR100303333B1 true KR100303333B1 (en) | 2001-11-01 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990035994A KR100303333B1 (en) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | Plannar light waveguide element and method of fabricating the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100303333B1 (en) |
-
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- 1999-08-27 KR KR1019990035994A patent/KR100303333B1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010019546A (en) | 2001-03-15 |
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