KR100301197B1 - Anode section in magnetron - Google Patents
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Abstract
개시된 내용은 양극부의 브레이징성 향상 및 부품 변형 방지를 위한 마그네트론의 양극부에 관한 것이다.The disclosed content relates to the anode portion of the magnetron for improving the brazing property of the anode portion and preventing component deformation.
이를 위해 본 발명은 베인의 아노드 접촉부, 내스트랩링 접촉부, 외스트랩링 접촉부, 선단부가 수직단면을 이룰 때 각각의 수직단면이 대응되는 각 부품의 베인 접촉부와 유사한 곡률로 형성되도록 한 것이며,To this end, when the anode contact portion, the inner strapping contact portion, the outer strapping contact portion, and the tip portion of the vane form a vertical cross section, the vertical cross section is formed to have a similar curvature to the vane contact portion of each corresponding component.
이에 따라, 베인과 각 부품의 밀착성을 높일 수 있으므로 부품의 변형이 방지됨은 물론 조립성 및 브레이징성 향상을 도모할 수 있으며, 특히 센터핀의 억지끼움에 의한 베인 선단부의 변형을 방지할 수 있으므로 설계시 설정된 마그네트론의 파워 및 양극전압특성을 균일하게 유지할 수 있어 신뢰성 있는 마그네트론을 제공할 수 있는 이점이 있다.As a result, the adhesion between the vane and each part can be improved, thereby preventing deformation of the part, as well as improving assembly and brazing properties, and in particular, it is possible to prevent deformation of the vane tip portion due to interference fit of the center pin. Since the power and anode voltage characteristics of the magnetron set at time can be maintained uniformly, there is an advantage of providing a reliable magnetron.
Description
본 발명은 마그네트론에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양극부의 브레이징성 향상 및 부품 변형 방지를 위한 마그네트론의 양극부 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetron, and more particularly, to the anode portion structure of the magnetron for improving the brazing property of the anode portion and preventing component deformation.
일반적으로, 마그네트론은 방송용 기기, 드라이어, 전자레인지 등과 같은 대전력 전자파 에너지를 이용하는 기기에 요구되는 초단파를 발생시키는 장치로서, 도 1에 제시된 장치를 종래 기술에 따른 마그네트론의 한 예로서 설명한다.In general, the magnetron is a device for generating ultra-short waves required for a device using high-power electromagnetic energy such as a broadcasting device, a dryer, a microwave oven, and the like, and the device shown in FIG. 1 will be described as an example of the magnetron according to the prior art.
도시된 바와 같이, 상판(1)과 하판(2)이 이루는 공간에 전계 형성을 위해 양극부와 음극부가 위치되는데, 양극부는 양의 전압이 인가되는 부위로서 원통형의 아노드(3) 및 이의 내벽에 방사상으로 형성된 다수의 베인(4)이 해당되고, 음극부는 음의 전압이 인가되는 부위로서 열전자를 방사하는 나선형의 필라멘트(5)가 해당되며, 필라멘트(5)는 양극부의 중심축상에 위치되고, 다수개의 베인(4) 선단과 필라멘트(5)의 사이는 열전자의 마이크로파 형성이 진행되는 작용공간(6)을 이룬다.As shown, the anode portion and the cathode portion are positioned in the space formed by the upper plate 1 and the lower plate 2 to form an electric field, and the anode portion is a portion where the positive voltage is applied and the cylindrical anode 3 and the inner wall thereof. A plurality of vanes (4) formed radially to the corresponding, the cathode portion is a spiral filament (5) for radiating hot electrons as a portion to which a negative voltage is applied, the filament (5) is located on the central axis of the anode portion In addition, between the tip of the plurality of vanes 4 and the filament 5 forms a working space 6 through which microwave formation of hot electrons proceeds.
또한, 작용공간(6)에 자계를 형성하기 위해 아노드(3)의 상부 및 하부에는 영구자석(7)(7')이 설치되고, 영구자석(7)(7')으로부터 발생된 자계의 통로를 이루는 자극(8)(8')이 아노드(3)에 고정되며, 자극(8)(8')과 함께 자계의 통로 역할을 하면서 몸체 지지체 역할을 하는 아노드 시일(9) 및 필라멘트 시일(9')에 의해 마그네트론의 기밀성을 유지하게 되고, 작용공간(6)으로부터 생성된 마이크로파를 외부로 출력하기 위한 안테나 피이더(10)는 하나의 베인(4)에 연결되어 상부의 출력부까지 인출되어 있다.In addition, permanent magnets (7) and (7 ') are provided on the upper and lower portions of the anode (3) to form a magnetic field in the working space (6), and the magnetic field generated from the permanent magnets (7) and (7'). Anode seals 9 and filaments, which form passages, are fixed to the anode 3 and serve as a body support while acting as a magnetic field passage along with the poles 8 and 8 '. The seal 9 'maintains the airtightness of the magnetron, and the antenna feeder 10 for outputting microwaves generated from the working space 6 to the outside is connected to one vane 4 so as to output the upper portion. Is withdrawn.
이러한 상태에서 영구자석(7)(7')에서 형성된 자계가 상, 하판(1)(2)과 자극(8)(8')에 따라 자기회로를 형성하여 작용공간(6)에 자계를 형성시키고, 각 리드(11)(11')로부터 필라멘트(5)에 전원이 공급되어 작용공간(6)에 전계가 형성되면 음극인 필라멘트(5)에서 방사되는 열전자가 이 자계와 전계에 의해 작용공간(6)내에서 사이클로이드 운동을 하면서 고주파에너지인 마이크로파로 변환되고, 이 에너지가 베인(4)으로 전달되어 안테나 피이더(10)를 통해 외부로 출력된다.In this state, the magnetic field formed in the permanent magnets 7 and 7 'forms a magnetic circuit according to the upper and lower plates 1 and 2 and the magnetic poles 8 and 8', thereby forming a magnetic field in the working space 6. When electric power is supplied to the filament 5 from each of the leads 11 and 11 'and an electric field is formed in the working space 6, hot electrons radiated from the filament 5, which is a cathode, are operated by this magnetic field and the electric field. It is converted into a microwave which is a high frequency energy while performing cycloidoid movement in (6), and this energy is transmitted to the vanes 4 and output to the outside through the antenna feeder 10.
이때, 임의의 베인(4)과 인접 베인(4)의 사이는 캐패시턴스 성분을 갖게 되고, 다수의 베인(4)이 외스트랩링(12) 및 내스트랩링(13)에 의해 서로 연결된 상태에 있으므로 각각의 캐패시턴스 성분들이 직렬로 연결된 상태가 되며, 아노드(3)와 베인(4)들 사이의 중심공간(작용공간)은 하나의 큰 인덕턴스 성분을 갖게 된다.At this time, since any vanes 4 and the adjacent vanes 4 have a capacitance component, and the plurality of vanes 4 are connected to each other by the outer strapping 12 and the inner strapping 13. Each capacitance component is connected in series, and the central space (acting space) between the anode 3 and the vanes 4 has one large inductance component.
따라서, 이 캐패시턴스 성분과 인덕턴스 성분이 병렬로 연결되어져 양극부 전체로서 하나의 병렬공진구조를 갖게 되어 폐회로가 형성된다.Therefore, the capacitance component and the inductance component are connected in parallel to have one parallel resonant structure as the entire anode portion, thereby forming a closed circuit.
한편, 이와 같은 전기적 특성을 갖는 공진구조에서 베인(4)의 개수가 N개일 경우에 N/2개의 공진 모드를 갖게 되는데, 예를 들어 베인(4)의 개수가 10개일 경우 이 공진구조는 n = 1,2,3,4,5 와 같이 5개의 공진모드를 갖는 것이다.On the other hand, in the resonant structure having such electrical characteristics, when the number of vanes 4 is N, N / 2 resonance modes are obtained. For example, when the number of vanes 4 is 10, the resonant structure is n. = Five resonance modes such as 1,2,3,4,5.
이러한 각각의 공진모드는 베인(4) 사이의 위상차에 의하여 결정되어진다. 즉 임의의 베인(4)과 인접 베인(4)간 전계의 위상차가 각각 π/5,π/4,π/3,π/2,π가 되며, 특히 n = 5 의 모드를 통상 'π-모드'라고 부르는데, 상기한 5개의 모드중 적절한 모드를 선정하여 마그네트론을 동작시킬 수 있으나 통상 마그네트론의 효율이 가장 높은 π-모드에서 마그네트론을 동작시키는 것이 보통이다.Each of these resonance modes is determined by the phase difference between the vanes 4. That is, the phase difference of the electric field between the arbitrary vanes 4 and the adjacent vanes 4 becomes π / 5, π / 4, π / 3, π / 2, π, and in particular, the mode of n = 5 is usually 'π- Mode ', the magnetron can be operated by selecting an appropriate mode among the above five modes, but it is common to operate the magnetron in the π-mode where the efficiency of the magnetron is the highest.
여기서, 도 2a 내지 도 2c와 같이 양극부를 구성하고 있는 아노드(3), 베인(4), 외스트랩링(12) 및 내스트랩링(13)의 결합구조를 살펴보면, 먼저 각 부품의 접촉면에 있어 베인은 각진 구조로 되어 있고, 이와 결합되는 아노드, 내외스트랩링 등은 원형으로 되어 있으므로 결합을 위해 각 부품을 밀착시킬 때 베인과 타부품이 완전 밀착되지 못하고 그 사이에 틈(G)이 발생된다.Here, referring to the coupling structure of the anode (3), the vanes (4), the outer strap ring 12 and the inner strap ring 13 constituting the anode portion as shown in Figs. 2a to 2c, first to the contact surface of each component Since the vanes have an angular structure, and the anodes, inner and outer straps, etc., which are combined with them, have a circular shape, the vanes and other parts do not come into close contact with each other when the parts are in close contact for the purpose of engagement. Is generated.
이러한 틈(G)을 보상하기 위하여 각 부품을 결합시킬 때 억지끼움에 의해 결합시키고 있는데, 억지끼움에 의해서도 각 부품이 완전 밀착되지 못하여 부품의 브레이징 불량을 초래함은 물론 억지끼움시 각 부품이 변형되어 제작 초기 설정된 전기적인 특성이 달라지므로 안정적인 마그네트론의 특성을 유지하지 못하는 문제가 있다.In order to compensate for this gap (G), when the parts are joined together, they are joined by interference fit, and each component does not come into close contact even by the interference fit, resulting in poor brazing of the parts, and deformation of each part during the interference fit. Since the electrical properties set at the beginning of the production is different, there is a problem that can not maintain the characteristics of the stable magnetron.
또한, 도 2d와 같이 베인을 아노드에 고정하기 위해 베인의 선단면에 접촉되게 센터핀(14)을 삽입할 때, 베인의 선단면은 각진 구조인 반면 센터핀의 외경은 원형을 이루고 있으므로 베인 선단면의 중앙부위에만 센터핀이 접촉된 상태로 억지끼움될 수밖에 없으며, 이러한 이유로 베인 선단면이 변형되어 마그네트론 파워와 양극전압특성이 저하되는 문제가 있다.In addition, when inserting the center pin 14 in contact with the front end surface of the vane to fix the vane to the anode as shown in Figure 2d, the vane front end surface is an angled structure while the outer diameter of the center pin is a circular vane The center pin is inevitably fitted only to the center portion of the front end face, and for this reason, the vane front end face is deformed to deteriorate the magnetron power and the anode voltage characteristics.
따라서, 본 발명은 이러한 점을 감안하여 제안된 것으로, 베인과 타부품의 접촉부 형상을 개선하여 양극부의 브레이징성을 향상시킴과 아울러 변형을 방지하는 마그네트론의 양극부를 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been proposed in view of this point, and an object thereof is to provide a magnetron anode portion that improves brazing property of the anode portion and prevents deformation by improving the shape of the contact portion of the vane and other parts.
도 1은 일반적인 마그네트론의 구성도이고,1 is a configuration diagram of a general magnetron,
도 2는 종래 양극부의 상세도로서,2 is a detailed view of a conventional anode portion,
도 2a는 베인과 아노드의 결합부 상세도이고,Figure 2a is a detailed view of the coupling portion of the vane and the anode,
도 2b는 베인과 외스트랩링의 결합부 상세도이고,Figure 2b is a detailed view of the coupling portion of the vane and outer strapping,
도 2c는 베인과 내스트랩링의 결합부 상세도이고,Figure 2c is a detail view of the coupling portion of the vane and the strapping,
도 2d는 베인과 센터핀의 접촉부 상세도이고,Figure 2d is a detailed view of the contact portion of the vane and the center pin,
도 3은 본 발명에 따른 마그네트론의 베인 구성도이고,3 is a vane configuration of the magnetron according to the present invention,
도 4는 본 발명에 따른 양극부의 상세도로서,4 is a detailed view of the anode portion according to the present invention;
도 4a는 베인과 아노드의 결합부 상세도이고,Figure 4a is a detailed view of the coupling portion of the vane and the anode,
도 4b는 베인과 외스트랩링의 결합부 상세도이고,Figure 4b is a detailed view of the coupling portion of the vane and outer strapping,
도 4c는 베인과 내스트랩링의 결합부 상세도이고,Figure 4c is a detailed view of the coupling portion of the vane and the strapping,
도 4d는 베인과 센터핀의 접촉부 상세도이다.Figure 4d is a detailed view of the contact portion of the vane and the center pin.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***
3 : 아노드 4 : 베인3: anode 4: vane
4a : 아노드 접촉부 4b : 외스트랩링 접촉부4a: anode contact 4b: outer strapping contact
4c : 내스트랩링 접촉부 4d : 베인의 선단면4c: strapping contact part 4d: vane tip
12 : 외스트랩링 13 : 내스트랩링12: outer strapping 13: inner strapping
14 : 센터핀14: center pin
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마그네트론의 양극부는, 원통형의 아노드, 상기 아노드의 내벽에 방사상으로 형성된 다수의 베인, 상기 다수의 베인을 서로 연결하는 내스트랩링 및 외스트랩링을 포함하며, 상기 베인은 센터핀에 의해 상기 아노드에 고정되는 마그네트론에 있어서: 상기 베인은, (1) 상기 아노드 접촉부, 상기 내스트랩링 접촉부, 상기 외스트랩링 접촉부, 그리고 선단부가 수직단면을 이루며; (2) 상기 각각의 수직단면이 대응되는 상기 각 부품의 상기 베인 접촉부와 유사한 곡률로 형성된 것을 특징으로 한다.The anode part of the magnetron according to the present invention for achieving the above object includes a cylindrical anode, a plurality of vanes radially formed on the inner wall of the anode, and a strapping and outer strapping connecting the plurality of vanes to each other. The vane may be a magnetron fixed to the anode by a center pin. The vane may include: (1) the anode contact portion, the inner strapping contact portion, the outer strapping contact portion, and the tip portion forming a vertical section; ; (2) The vertical section is characterized by having a curvature similar to that of the vane contact of each of the corresponding parts.
바람직하기로, 상기 아노드 접촉부의 수직단면은 상기 아노드의 내주면과 유사한 곡률로 형성되며, 그 곡률반경은 16∼19㎜인 것을 특징으로 한다.Preferably, the vertical cross section of the anode contact portion is formed with a curvature similar to the inner circumferential surface of the anode, the radius of curvature is characterized in that 16 to 19mm.
바람직하기로, 상기 내스트랩링 접촉부의 수직단면은 상기 내스트랩링의 내주면과 유사한 곡률로 형성되며, 그 곡률반경은 5∼8㎜인 것을 특징으로 한다.Preferably, the vertical section of the inner strap ring contact portion is formed with a curvature similar to the inner circumferential surface of the inner strap ring, the radius of curvature is characterized in that 5 ~ 8mm.
바람직하기로, 상기 외스트랩링 접촉부의 수직단면은 상기 외스트랩링의 외주면과 유사한 곡률로 형성되며, 그 곡률반경은 8∼11㎜인 것을 특징으로 한다.Preferably, the vertical section of the outer strapping contact portion is formed with a curvature similar to the outer circumferential surface of the outer strap ring, the radius of curvature is characterized in that 8 ~ 11mm.
바람직하기로, 상기 선단부의 수직단면은 상기 센터핀의 외주면과 유사한 곡률로 형성되며, 그 곡률반경은 4∼5㎜인 것을 특징으로 한다.Preferably, the vertical section of the tip portion is formed with a curvature similar to the outer circumferential surface of the center pin, the radius of curvature is characterized in that 4 ~ 5mm.
이와 같이 하면, 베인과 대응되는 각 부품이 서로 밀착될 수 있으므로 브레이징성이 향상됨은 물론 부품의 변형이 방지되어 마그네트론의 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In this case, since the vanes and the corresponding parts may be in close contact with each other, the brazing property may be improved and the deformation of the parts may be prevented, thereby improving the efficiency of the magnetron.
그리고, 본 발명의 실시 예로는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서는 가장 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다.And, there may be a plurality of embodiments of the present invention, hereinafter will be described in detail with respect to the most preferred embodiment.
이 바람직한 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 보다 잘 이해할 수 있게 된다.This preferred embodiment allows for a better understanding of the objects, features and advantages of the present invention.
또한, 설명에 사용되는 도면에 있어서 종래 기술과 같은 부호에 대해서는 동일한 부호를 부여하며, 그 설명을 생략하는 것도 있다.In addition, in drawing used for description, the code | symbol same as a prior art is attached | subjected, and the description may be abbreviate | omitted.
본 실시예에 따른 마그네트론의 양극부는 종래와 마찬가지로 원통형의 아노드(3), 아노드(3)의 내벽에 방사상으로 형성되는 다수의 베인(4), 다수의 베인(4)을 서로 연결시켜주어 양극부가 공진구조를 이루게 하는 외스트랩링(12) 및 내스트랩링(11)으로 구성되는데, 아노드(3), 외스트랩링(12), 내스트랩링(13) 등의 부품과 베인(4) 사이의 밀착성을 높여 브레이징 불량을 최소화하도록 베인(4)의 각 부품 접촉부의 형상을 대응되는 부품의 접촉부위 형상에 부합되도록 구성한 것에서 차이가 있다.The anode portion of the magnetron according to the present embodiment connects a plurality of vanes 4 and a plurality of vanes 4 radially formed on the inner wall of the cylindrical anode 3 and the anode 3 as in the related art. The anode portion is composed of an outer strap ring 12 and an inner strap ring 11 to form a resonant structure, and components such as the anode 3, the outer strap ring 12, and the inner strap ring 13 and vanes 4. There is a difference in that the shape of each part contact part of the vane 4 is configured to match the shape of the contact part of the corresponding part so as to increase the adhesion between the parts and minimize the brazing defect.
즉, 도 3과 같이 베인(4)의 아노드 접촉부(4a), 외스트랩링 접촉부(4b), 내스트랩링 접촉부(4c)가 수직방향으로 단면을 이루며, 상기 각각의 수직단면이 대응되는 각 부품의 접촉부 형상과 같이 수직방향으로 반원형상을 갖도록 구성되는 것으로, 이때 아노드 접촉부(4a)의 수직단면은 아노드(3)의 내주면과 접촉되므로 볼록한 반원형상으로 구성되며 그 곡률반경은 아노드(3)의 내경과 유사한 16∼19㎜ 정도로 설정할 수 있고, 외스트랩링 접촉부(4b)의 수직단면은 외스트랩링의 외주면과 접촉되므로 오목한 반원형상으로 구성되며 그 곡률반경은 외스트랩링(12)의 외경과 유사한 8∼11㎜ 정도로 설정할 수 있고, 또한 내스트랩링 접촉부(4c)의 수직단면은 내스트랩링(13)의 내주면과 접촉되므로 볼록한 반원형상으로 구성되며 그 곡률반경은 내스트랩링(13)의 내경과 유사한 5∼8㎜ 정도로 설정할 수 있다.That is, as shown in FIG. 3, the anode contact portion 4a, the outer strapping contact portion 4b, and the inner strapping contact portion 4c of the vane 4 form a cross section in the vertical direction, and the respective vertical cross sections correspond to each other. It is configured to have a semi-circle shape in the vertical direction, such as the shape of the contact portion of the part, wherein the vertical section of the anode contact portion 4a is in contact with the inner circumferential surface of the anode 3, so it is composed of a convex semicircle shape and its radius of curvature is the anode It can be set to about 16 to 19 mm similar to the inner diameter of (3), and the vertical section of the outer strap contacting portion 4b is in contact with the outer circumferential surface of the outer strap ring, so that it is formed in a concave semicircular shape, and the radius of curvature is the outer strap ring 12 It can be set to about 8 to 11 mm, which is similar to the outer diameter of), and the vertical section of the inner strap ring contact portion 4c is in contact with the inner circumferential surface of the inner strap ring 13 so that it has a convex semicircular shape. Inner diameter of 13 It can be set so similar 5~8㎜.
여기서, 베인(4)은 그 선단면(4d)에 접촉하여 센터핀(14)을 억지끼움함에 따라 아노드(3)에 고정되므로 베인(4)의 선단면(4d) 형상도 센터핀(14)과의 밀착성 향상을 위하여 변경할 수 있는데, 센터핀(14)의 외경이 베인(4)의 선단면(4d)에 접촉되므로 베인(4)의 선단면(4d)을 오목한 형상으로 구성할 수 있으며, 그 곡률반경은 센터핀(14)의 외경과 유사한 4∼5㎜ 정도로 설정할 수 있다.Here, the vane 4 is fixed to the anode 3 as the vane 4 is in contact with the front end surface 4d and the center pin 14 is pressed, so that the shape of the front end surface 4d of the vane 4 is also center pin 14. The outer diameter of the center pin 14 is in contact with the front end surface 4d of the vane 4 so that the front end surface 4d of the vane 4 can be concave. The radius of curvature may be set to about 4 to 5 mm similar to the outer diameter of the center pin 14.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 마그네트론의 양극부를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the anode portion of the magnetron according to the present invention configured as described above in more detail.
먼저, 아노드(3)는 원통형이고, 외스트랩링(12) 및 내스트랩링(13)은 링형이므로 이러한 부품들의 베인 접촉부 역시 일정한 곡률을 갖게 된다.First, since the anode 3 is cylindrical, and the outer strap ring 12 and the inner strap ring 13 are ring-shaped, the vane contact of these parts also has a constant curvature.
즉, 아노드(3)는 그 내주면이 베인(4)과 접촉되고, 외스트랩링(12)은 그 외주면이 베인(4)과 접촉되며, 내스트랩링(13)은 그 내주면이 베인(4)과 접촉된다.That is, the anode 3 has its inner circumferential surface in contact with the vanes 4, the outer strap ring 12 has its outer circumferential surface in contact with the vanes 4, and the inner strap ring 13 has the inner circumferential surface thereof with the vanes 4. ).
이때, 베인(4)의 각 부품 접촉부(4a)(4b)(4c)를 평탄한 면으로 구성할 경우에는 베인(4)과 각 부품 사이가 밀착되지 못하고 일정한 틈이 발생되어 브레이징 불량 및 억지끼움에 의한 변형이 발생됨은 전술한 바 있다.At this time, when the component contact portions 4a, 4b, and 4c of the vane 4 are formed with a flat surface, a gap is generated between the vanes 4 and each component, and a certain gap is generated, resulting in poor brazing and interference fit. The deformation caused by the above has been described above.
따라서, 본 발명은 베인(4)의 각 부품 접촉부(4a)(4b)(4c) 형상을 대응되는 부품(3)(12)(13)의 베인 접촉부 형상과 유사한 곡률을 갖도록 구성한 것으로, 베인(4)의 후단, 즉 아노드 접촉부(4a)는 아노드(3)의 내경과 유사한 곡률을 가지고 볼록하게 형성되어 있으므로 베인(4)이 도 4a와 같이 아노드(3)의 내주면에 밀착될 수 있으며, 베인(4)의 외스트랩링 접촉부(4b)는 외스트랩링(12)의 외경과 유사한 곡률을 가지고 오목하게 형성되어 있으므로 도 4b와 같이 베인(4)과 외스트랩링(12)이 서로 밀착될 수 있으며, 또한 베인(4)의 내스트랩링 접촉부(4c)는 내스트랩링(13)의 내경과 유사한 곡률을 가지고 볼록하게 형성되어 있으므로 도 4c와 같이 베인(4)과 내스트랩링(13)이 밀착될 수 있는 것이다.Accordingly, the present invention is configured such that the shape of each part contact portion 4a, 4b, 4c of the vane 4 has a curvature similar to that of the vane contact portion of the corresponding component 3, 12, 13, Since the rear end of 4), that is, the anode contact portion 4a is formed convexly with a curvature similar to the inner diameter of the anode 3, the vanes 4 can be in close contact with the inner circumferential surface of the anode 3 as shown in FIG. The outer strapping contact portion 4b of the vane 4 has a curvature similar to the outer diameter of the outer strapring 12 and is formed concave, so that the vane 4 and the outer strapring 12 are mutually as shown in FIG. 4B. The inner strapping contact portion 4c of the vane 4 may be in close contact with the curvature of the inner diameter of the inner strapring 13, and thus may be in close contact with the vane 4 and the inner strapring as shown in FIG. 13) can be in close contact.
이와 같이 베인(4)과 각 부품(3)(12)(13)의 사이가 밀착되면 이를 고정하기 위한 브레이징이 보다 용이하게 수행될 뿐만 아니라 보다 견고한 브레이징이 가능해지며, 억지끼움을 할 필요가 없으므로 부품의 변형이 방지됨은 자명하다.As such, when the vanes 4 and the parts 3, 12, and 13 are in close contact with each other, the brazing for fixing the vanes 4 and the parts 4, 12, and 13 are more easily performed. It is obvious that deformation of the part is prevented.
한편, 양극부의 제작초기 베인(4)을 아노드(3)에 고정하기 위하여 베인(4)의 선단면(4d)에 접하여 센터핀(14)이 삽입될 경우에 있어, 베인(4) 선단면(4d)을 센터핀(14)의 외경과 유사한 곡률을 가지고 오목하게 형성하게 되면 도 4d와 같이 베인(4)과 센터핀(14)이 밀착될 수 있으므로 센터핀(14)의 억지끼움에 의한 베인(4) 선단면(4d)의 변형이 방지될 수 있어 설계시 설정된 마그네트론의 파워 및 양극전압특성을 균일하게 유지할 수 있게 된다.On the other hand, in the case where the center pin 14 is inserted in contact with the front end face 4d of the vane 4 to fix the initial vane 4 to the anode 3, the vane 4 front end face If the concave shape (4d) has a curvature similar to the outer diameter of the center pin 14, the vane 4 and the center pin 14 can be in close contact as shown in FIG. Deformation of the vane 4 front end surface 4d can be prevented, so that the power and anode voltage characteristics of the magnetron set at the time of design can be maintained uniformly.
그리고, 상기에서 본 발명의 특정한 실시 예가 설명 및 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.In addition, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated above, it is obvious that the present invention may be variously modified and implemented by those skilled in the art.
이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 첨부된 특허청구범위 안에 속한다 해야 할 것이다.Such modified embodiments should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention, and such modified embodiments should fall within the appended claims of the present invention.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 양극부를 구성함에 있어 아노드, 외스트랩링, 내스트랩링 등의 부품과 베인의 밀착성을 높일 수 있으므로 부품의 변형이 방지됨은 물론 조립성 및 브레이징성 향상을 도모할 수 있으며, 특히 센터핀의 억지끼움에 의한 베인 선단부의 변형을 방지할 수 있으므로 설계시 설정된 마그네트론의 파워 및 양극전압특성을 균일하게 유지할 수 있어 신뢰성 있는 마그네트론을 제공할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention can improve the adhesion between the parts such as the anode, the outer strapping, the strapping, and the vane in the configuration of the anode part, thereby preventing the deformation of the parts and improving the assembly and the brazing properties. In particular, since it is possible to prevent the deformation of the vane tip due to interference fit of the center pin, it is possible to maintain the power and anode voltage characteristics of the magnetron set at design uniformly, thereby providing a reliable magnetron.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990030544A KR100301197B1 (en) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Anode section in magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990030544A KR100301197B1 (en) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Anode section in magnetron |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010011253A KR20010011253A (en) | 2001-02-15 |
| KR100301197B1 true KR100301197B1 (en) | 2001-11-01 |
Family
ID=19604885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990030544A KR100301197B1 (en) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Anode section in magnetron |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100301197B1 (en) |
-
1999
- 1999-07-27 KR KR1019990030544A patent/KR100301197B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010011253A (en) | 2001-02-15 |
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