KR100293365B1 - Dielectric Resonator VCO Using Passive Mode MESFET - Google Patents

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Abstract

본 발명은 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ에 관한 것으로, 특히, 공진 주파수를 발생시켜 주는 유전체 공진부(100)와; 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 1 바이패스부(200)와; 공진 주파수를 입력하여 증폭시키는 액티브 모드 MESFET(300)와; 공진 주파수를 가변시켜 주는 패시브 모드 MESFET(400)와; 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 2 바이패스부(500)와; 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 3 바이패스부(600)와; 발진 주파수를 입력하여, 50Ω과 매칭시킴으로 최대 출력의 발진 주파수를 발생시켜 주는 출력 매칭부(700)와; 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 4 바이패스부(800)와; 최대 출력 발진 주파수를 입력한 후, 발진 주파수의 DC 성분을 차단시켜 줌으로써 발진 주파수의 AC 성분만을 출력하는 DC 블록 캐패시터(900)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하며, 이러한 본 발명은 유전체 공진부의 피드백단에 패시브 모드 MESFET를 장착하여 주파수 가변소자로 사용함으로써, 전압가변값이 0∼3[V]이하의 좁은 전압가변 범위에서 주파수를 가변시키는 패시브 모드 MESFET의 특성으로 인해 전력소모량이 적어지고, MMIC화 하는 구현상의 어려움이 없음으로 대량생산이 용이하여 제품단가가 낮아지는 효과가 있다.The present invention relates to a dielectric resonator VCO using a passive mode MESFET, and more particularly to a dielectric resonator 100 for generating a resonance frequency; A first bypass unit 200 for blocking the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside; An active mode MESFET 300 for inputting and amplifying a resonance frequency; A passive mode MESFET 400 for varying the resonant frequency; A second bypass unit 500 for blocking the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; A third bypass unit 600 for blocking the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; An output matching unit 700 for generating an oscillation frequency of a maximum output by matching an oscillation frequency with 50?; A fourth bypass unit 800 for blocking the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; And a DC block capacitor 900 for receiving only the AC component of the oscillation frequency by blocking the DC component of the oscillation frequency after inputting the maximum output oscillation frequency. , The passive mode MESFET is used as a frequency variable device. As a result, the power consumption is reduced due to the characteristics of the passive mode MESFET in which the variable voltage is variable in a narrow voltage variable range of 0 to 3 [V] There is no difficulty in implementation, so that the mass production is easy and the product cost is lowered.

Description

패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯDielectric Resonator VCO Using Passive Mode MESFET

본 발명은 유전체 공진기 전압제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator; 이하 ＶＣＯ라 칭함.)에 관한 것으로, 특히, 안정된 발진과 스퓨리어스(Spurious) 성분을 줄이기 위한 유전체 공진부의 피드백(Feedback)단에 패시브 모드(Passive mode) 금속 반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Semiconductor Field Effect Transistor; 이하 MESFET라 칭함.)를 장착하여 주파수 가변소자로 사용함으로써, MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit Technology; 이하 MMIC라 칭함.)화가 용이하도록 해주는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric resonator voltage controlled oscillator (VCO), and more particularly, to a passive mode A passive-mode MESFET (Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal-Insulator-MESFET) To a dielectric resonator VCO.

종래 바랙터 다이오드를 이용한 유전체 공진기 VCO는 도 1 에 도시한 바와 같이, 공진 주파수를 발생시켜 주는 유전체 공진부(1)와; 상기 유전체 공진부(1)의 하부 일측면에 접속되어, 상기 유전체 공진부(1)를 통해 발생한 공진 주파수를 가변시켜 주는 바랙터 다이오드(2)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, a dielectric resonator VCO using a conventional varactor diode includes a dielectric resonator 1 for generating a resonant frequency; And a varactor diode 2 connected to a lower surface of the dielectric resonator 1 for varying a resonant frequency generated through the dielectric resonator 1.

즉, 종래 바랙터 다이오드를 이용한 유전체 공진기 VCO의 동작과정을 도 1 을 참조하여 설명하면, 먼저, 상기 유전체 공진부(1)는 공진 주파수를 발생시켜 주고, 상기 바랙터 다이오드(2)는 상기 유전체 공진부(1)를 통해 발생한 공진 주파수를 원하는 출력 주파수로 가변시켜 주게 되는 것이다.The operation of the dielectric resonator VCO using the conventional varactor diode will now be described with reference to FIG. 1. First, the dielectric resonator 1 generates a resonant frequency, and the varactor diode 2 is connected to the dielectric The resonance frequency generated through the resonance portion 1 is changed to a desired output frequency.

그러나, 상기와 같은 종래 바랙터 다이오드를 이용한 유전체 공진기 VCO는 바랙터 다이오드를 주파수 가변소자로 사용하였는데, 바랙터 다이오드는 인가되는 전압가변값이 0∼15[V]의 넓은 전압가변 범위에서 주파수를 가변시키기 때문에 전력소모량이 많고, 유전체 공진부단에 위치시켜 접속하는데 높은 열이 발생함으로써 Q값이 낮아질 뿐만 아니라, MMIC화 하는 구현상의 어려움이 있기 때문에 대량생산이 용이하지 않아 가격이 상승하는 문제점이 있었다.However, in the dielectric resonator VCO using the conventional varactor diode as described above, the varactor diode is used as a frequency variable element. In the varactor diode, the variable voltage value applied is a frequency in a wide voltage variable range of 0 to 15 [V] There is a problem that the Q value is lowered due to high power consumption and a high heat is generated in the connection to the dielectric resonance end of the dielectric resonator and there is a difficulty in realizing MMIC, .

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로, 안정된 발진과 스퓨리어스 성분을 줄이기 위한 유전체 공진부의 피드백단에 패시브 모드 MESFET를 장착하여 주파수 가변소자로 사용함으로써, MMIC화가 용이하도록 해주는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and a passive mode MESFET And a dielectric resonator VCO using the dielectric resonator.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ는, 공진 주파수를 발생시켜 주는 유전체 공진부와; 상기 유전체 공진부에 접속되어, 공진 주파수의 교류(Alternating Current; 이하 AC라 칭함.) 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 1 바이패스(By-pass)부와; 상기 유전체 공진부의 신호 출력단에 접속되어, 상기 유전체 공진부를 통해 발생한 공진 주파수를 입력하여 증폭시킨 후 출력하는 액티브 모드(Active mode) MESFET와; 상기 액티브 모드 MESFET의 소오스단에 게이트단이 접속되어, 상기 액티브 모드 MESFET를 통해 입력된 공진 주파수를 가변시킨 후 발진 주파수를 출력시켜 주는 패시브 모드 MESFET와; 상기 액티브 모드 MESFET의 소오스단 및 패시브 모드 MESFET의 게이트단에 접속되어, 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 2 바이패스부와; 상기 패시브 모드 MESFET에 접속되어, 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 3 바이패스부와; 상기 액티브 모드 MESFET의 드레인단에 접속되어, 상기 패시브 모드 MESFET를 통해 주파수 가변된 후 상기 액티브 모드 MESFET를 통해 증폭된 발진 주파수를 입력하여, 50Ω과 매칭(Matching)시킴으로 최대 출력의 발진 주파수를 발생시켜 주는 출력 매칭부(Output Matching)와; 상기 출력 매칭부와 접속되어, 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 4 바이패스부와; 상기 출력 매칭부의 신호 출력단에 접속되어, 상기 출력 매칭부에서 출력된 최대 출력 발진 주파수를 입력한 후, 발진 주파수의 직류(Direct Current; 이하 DC라 칭함.) 성분을 차단시켜 줌으로써 발진 주파수의 AC 성분만을 출력하는 DC 블록 캐패시터(Block Capacitor)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a dielectric resonator (VCO) using a passive mode MESFET including: a dielectric resonator for generating a resonant frequency; A first bypass unit connected to the dielectric resonator unit to block an alternating current component (hereinafter referred to as AC) from being emitted to the outside; An active mode MESFET connected to a signal output terminal of the dielectric resonance unit to receive and amplify a resonance frequency generated through the dielectric resonance unit and output the amplified resonance frequency; A passive mode MESFET having a gate terminal connected to a source terminal of the active mode MESFET and varying a resonance frequency inputted through the active mode MESFET and outputting an oscillation frequency; A second bypass unit connected to the gate terminal of the active mode MESFET and the gate terminal of the passive mode MESFET to block the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; A third bypass unit connected to the passive mode MESFET for blocking the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; The oscillation frequency of the maximum output is generated by inputting the oscillation frequency amplified through the active mode MESFET after the frequency is changed through the passive mode MESFET, and matching with 50 OMEGA, by being connected to the drain terminal of the active mode MESFET An output matching unit; A fourth bypass unit connected to the output matching unit for blocking the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; And an output matching unit connected to the output terminal of the output matching unit for inputting the maximum output oscillation frequency outputted from the output matching unit and then blocking a direct current (DC) component of the oscillation frequency, And a DC block capacitor for outputting only a DC voltage.

도 1 은 종래 바랙터 다이오드를 이용한 유전체 공진기 VCO의 구성을 나타낸 기능블록도,1 is a functional block diagram showing a configuration of a dielectric resonator VCO using a conventional varactor diode,

도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유 전체 공진기 ＶＣＯ의 구성을 나타낸 기능블록도,2 is a functional block diagram illustrating the configuration of a dielectric resonator VCO using a passive mode MESFET according to an embodiment of the present invention.

도 3a 은 도 2 에 따른 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ의 유전체 공진부에서 제 2 마이크로스트립 라인과 유전체 공진기가 자계결합된 상태를 나타낸 도면,FIG. 3A is a diagram illustrating a state where a second microstrip line and a dielectric resonator are magnetically coupled in a dielectric resonator of a dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET of FIG.

도 3b 는 도 3a 에 따른 유전체 공진부의 등가회로를 나타낸 회로도,Fig. 3B is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the dielectric resonator according to Fig. 3A,

도 3c 는 도 3a 에 따른 유전체 공진부를 네트워크 분석기를 사용하여 측정 한 결과값을 나타낸 그래프,FIG. 3C is a graph showing the results of measurement of the dielectric resonator according to FIG. 3A using a network analyzer, FIG.

도 4a 는 도 2 에 따른 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ에서 패시브 모드 MESFET의 등가회로를 나타낸 회로도,4A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a passive mode MESFET in a dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET according to FIG.

도 4b 는 도 2 에 따른 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ에서 패시브 모드 MESFET의 공핍영역 변환상태를 나타낸 도 면이다.And FIG. 4B is a view illustrating a depletion region conversion state of the passive mode MESFET in the dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET according to FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100 : 유전체 공진부 110 : 제 1 마이크로스트립 라인100: dielectric resonator part 110: first microstrip line

120 : 제 2 마이크로스티립 라인 130 : 유전체 공진기120: second microstrip line 130: dielectric resonator

200 : 제 1 바이패스부 210 : 제 3 마이크로파스트립 라인200: first bypass unit 210: third microwave strip line

220 : 제 4 마이크로파스트립 라인 230 : 제 1 캐패시터칩220: fourth microwave strip line 230: first capacitor chip

240 : 제 1 비어 홀 그라운드부 250 : 제 1 레지스터칩240: first via hole ground portion 250: first resistor chip

300 : 액티브 모드 MESFET 400 : 패시브 모드 MESFET300: active mode MESFET 400: passive mode MESFET

500 : 제 2 바이패스부 510 : 제 5 마이크로파스트립 라인500: second bypass section 510: fifth microwave strip line

520 : 제 6 마이크로파스트립 라인 530 : 제 2 캐패시터칩520: sixth microwave strip line 530: second capacitor chip

540 : 제 2 비어 홀 그라운드부 550 : 450 : 제 2 레지스터칩540: second via hole ground portion 550: 450: second register chip

600 : 제 3 바이패스부 610 : 제 7 마이크로파스트립 라인600: third bypass section 610: seventh microwave strip line

620 : 제 8 마이크로파스트립 라인 630 : 제 3 캐패시터칩620: eighth microwave strip line 630: third capacitor chip

640 : 제 3 비어 홀 그라운드부 650 : 제 3 레지스터칩640: third via hole ground portion 650: third register chip

700 : 출력 매칭부 710 : 제 9 마이크로파스트립 라인700: output matching unit 710: ninth microwave strip line

720 : 제 10 마이크로파스트립 라인 800 : 제 4 바이패스부720: tenth microwave strip line 800: fourth bypass section

810 : 제 11 마이크로파스트립 라인 820 : 제 12 마이크로파스트립 라인810: eleventh microwave strip line 820: twelfth microwave strip line

830 : 제 4 캐패시터칩 840 : 제 4 비어 홀 그라운드부830: fourth capacitor chip 840: fourth via hole ground part

850 : 제 4 레지스터칩 900 : DC 블록 캐패시터850: fourth register chip 900: DC block capacitor

910 : 제 13 마이크로파스트립 라인 920 : 제 14 마이크로파스트립 라인910: 13th microwave strip line 920: 14th microwave strip line

이하, 상술한 내용을 본 발명에 따른 실시예를 통해 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 도 2 에 도시한 바와 같이, 유전체 공진부(100)는 공진 주파수를 발생시켜 주고, 제 1 바이패스부(200)는 상기 유전체 공진부(100)에 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주며, 액티브 모드 MESFET(300)는 상기 유전체 공진부(100)를 통해 발생한 공진 주파수를 입력하여 증폭시킨 후 출력하고, 상기 패시브 모드 MESFET(400)는 상기 액티브 모드 MESFET(300)를 통해 증폭된 공진 주파수를 입력하여 주파수를 가변시킨 후 가변된 발진 주파수를 출력 매칭부(700)로 출력한다.2, the dielectric resonator unit 100 generates a resonance frequency, and the first bypass unit 200 is mounted on the dielectric resonator unit 100, and the AC component of the resonance frequency is The active mode MESFET 300 receives and amplifies the resonance frequency generated through the dielectric resonance part 100 and outputs the amplified resonance frequency. The passive mode MESFET 400 is connected to the active mode MESFET 300 300 to vary the frequency and then output the variable oscillation frequency to the output matching unit 700. [

또한, 제 2 바이패스(500)는 상기 액티브 모드 MESFET(300)의 소오스단 및 패시브 모드 MESFET(400)의 게이트단에 접속되어, 상기 액티브 모드 MESFET(300)를 통해 증폭된 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주고, 제 3 바이패스부(600)는 상기 패시브 모드 MESFET(400)에 접속되어, 상기 패시브 모드 MESFET(400)를 통해 가변된 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 준다.The second bypass 500 is connected to the gate terminal of the active mode MESFET 300 and to the gate terminal of the passive mode MESFET 400 so that the AC component of the oscillation frequency amplified through the active mode MESFET 300 And the third bypass unit 600 is connected to the passive mode MESFET 400. The AC component of the oscillation frequency variable through the passive mode MESFET 400 is discharged to the outside .

한편, 상기 출력 매칭부(700)는 상기 액티브 모드 MESFET(300)를 통해 증폭된 후 상기 패시브 모드 MESFET(300)를 통해 주파수 가변된 발진 주파수를 입력하여, 50Ω과 매칭시킴으로 최대 출력의 발진 주파수를 DC 블록 캐패시터(900)로 출력시켜 준다.Meanwhile, the output matching unit 700 receives the oscillation frequency that is varied in frequency through the passive mode MESFET 300 after being amplified through the active mode MESFET 300, and matches the oscillation frequency with 50 OMEGA. DC block capacitor 900 as shown in FIG.

한편, 제 4 바이패스부(800)는 상기 출력 매칭부(500)에 장착되어, 상기 출력 매칭부(700)를 통과하는 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주고, 상기 DC 블록 캐패시터(900)는 상기 출력 매칭부(700)에서 출력된 최대 출력 발진 주파수를 입력한 후, 발진 주파수의 DC 성분을 차단시켜 줌으로써 발진 주파수의 AC 성분만을 출력한다.On the other hand, the fourth bypass unit 800 blocks the AC component of the oscillation frequency passing through the output matching unit 700 from being emitted to the outside, and is mounted to the output matching unit 500, The capacitor 900 receives the maximum output oscillation frequency output from the output matching unit 700 and then cuts off the DC component of the oscillation frequency to output only the AC component of the oscillation frequency.

또한, 상기 유전체 공진부(100)내에 장착되어 있는 제 1 마이크로스트립 라인(110) 및 제 2 마이크로스트립 라인(Microstrip line)(120)은 마이크로파 전송선로이고, 상기 제 1 마이크로스트립 라인(110) 및 제 2 마이크로스트립 라인(120)은 소정거리 떨어진 지점에 평행하게 위치하며, 유전체 공진기(130)는 상기 제 1 마이크로스트립 라인(110) 및 제 2 마이크로스트립 라인(120) 사이에 자계결합으로 장착되어 있다.The first microstrip line 110 and the second microstrip line 120 mounted in the dielectric resonator unit 100 are microwave transmission lines and the first microstrip line 110 and the second microstrip line 120 are microwave transmission lines. The second microstrip line 120 is located at a predetermined distance from the dielectric resonator 130 and the dielectric resonator 130 is mounted between the first microstrip line 110 and the second microstrip line 120 by magnetic coupling have.

한편, 상기 제 1 바이패스부(200)내에 장착되어 있는 제 3 마이크로파스트립 라인(210)은 상기 유전체 공진부(100)내에 장착된 상기 제 2 마이크로파스트립 라인(120)과 수직으로 접속되어 있고, 부채꼴 모양의 제 4 마이크로파스트립 라인(220)은 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210)의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되며, 제 1 캐패시터칩(Capacitor Chip)(230)는 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210)의 상측에 수직으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주고, 제 1 비어 홀 그라운드(Via hole ground)부(240)는 상기 제 1 캐패시터칩(230)과 접속되어, 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드되도록 해주며, 제 1 레지스터칩(Resistor Chip)(250)는 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210)의 상측에 수평으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 준다.The third microwave strip line 210 mounted in the first bypass unit 200 is vertically connected to the second microwave strip line 120 mounted in the dielectric resonator unit 100, The fan-shaped fourth microwave strip line 220 is vertically connected to the center right side of the third microwave strip line 210. A first capacitor chip 230 is connected to the third microwave strip line 210 The first via hole ground portion 240 is connected to the first capacitor chip 230 so that the AC component of the resonance frequency is prevented from being discharged to the outside. A plurality of via holes are drilled so that the lead is inserted into the via hole to be grounded during the soldering process, and the first resistor chip 250 is horizontally disposed on the upper side of the third microwave strip line 210 Affixed to give the AC component of the resonance frequency is blocked from being emitted to the outside.

또한, 상기 제 2 바이패스부(500)내에 장착되어 있는 제 5 마이크로파스트립 라인(510)은 상기 액티브 모드 MESFET(300)의 소오스단 및 패시브 모드 MESFET(400)의 게이트단에 접속되어 있고, 부채꼴 모양의 제 6 마이크로파스트립 라인(520)은 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510)의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되며, 제 2 캐패시터칩(530)는 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510)의 상측에 수직으로 장착되어 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주고, 제 2 비어 홀 그라운드부(540)는 상기 제 2 캐패시터칩(530)과 접속되어, 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드되도록 해주며, 제 2 레지스터칩(550)는 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510)의 상측에 수평으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 준다.The fifth microwave strip line 510 mounted in the second bypass unit 500 is connected to the gate terminal of the active mode MESFET 300 and the gate terminal of the passive mode MESFET 400, The fifth microwave strip line 520 is vertically connected to the center right side of the fifth microwave strip line 510 and the second capacitor chip 530 is vertically connected to the fifth microwave strip line 510, And the second via hole ground portion 540 is connected to the second capacitor chip 530, and a plurality of via holes are opened. Thus, in the soldering process, the AC component of the oscillation frequency is prevented from being discharged to the outside, The second resistor chip 550 is mounted horizontally on the upper side of the fifth microwave strip line 510 so that the AC component of the resonance frequency is applied to the outside It allows to avoid blocking.

한편, 상기 제 3 바이패스부(600)내에 장착되어 있는 제 7 마이크로파스트립 라인(610)은 상기 패시브 모드 MESFET(400)에 접속되어 있고, 부채꼴 모양의 제 8 마이크로파스트립 라인(620)은 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610)의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되며, 제 3 캐패시터칩(630)는 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610)의 상측에 수직으로 장착되어 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주고, 제 3 비어 홀 그라운드부(640)는 상기 제 3 캐패시터칩(630)과 접속되어, 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드되도록 해주며, 제 3 레지스터칩(650)는 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610)의 상측에 수평으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 준다.The seventh microwave strip line 610 mounted in the third bypass unit 600 is connected to the passive mode MESFET 400 and the fan-shaped eighth microwave strip line 620 is connected to the passive mode MESFET 400, 7, the third capacitor chip 630 is vertically mounted on the seventh microwave strip line 610 and the AC component of the oscillation frequency is discharged to the outside The third via hole ground portion 640 is connected to the third capacitor chip 630 and a plurality of via holes are drilled so that lead is inserted into the via hole to be grounded during the soldering process, The resistor chip 650 is mounted horizontally above the seventh microwave strip line 610 to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside.

또한, 상기 출력 매칭부(700)내에 장착되어 있는 제 9 마이크로파스트립 라인(710)은 상기 패시브 모드 MESFET(300)에 접속되어, 50Ω을 발생시키기 위해 레지스터 성분을 구현해 주고, 제 10 마이크로파스트립 라인(720)은 상기 제 9 마이크로파스트립 라인(710)의 우측끝단에 수직으로 장착되어, 50Ω을 발생시키기 위한 리액턴스 성분을 구현해 준다.The ninth microwave strip line 710 mounted in the output matching unit 700 is connected to the passive mode MESFET 300 to implement a resistor component to generate 50 OMEGA, 720 are vertically mounted on the right end of the ninth microwave strip line 710 to realize a reactance component for generating 50?.

한편, 상기 제 4 바이패스부(800)내에 장착되어 있는 제 11 마이크로파스트립 라인(810)은 상기 출력 매칭부(700)내에 장착되어 있는 제 11 마이크로파스트립 라인(810)의 상측에서 부터 수직으로 장착되어 있고, 부채꼴 모양의 제 12 마이크로파스트립 라인(820)은 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810)의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어 있으며, 제 4 캐패시터칩(830)은 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810)의 상측에 수직으로 장착되어 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주고, 제 4 비어 홀 그라운드부(840)는 상기 제 4 캐패시터칩(830)과 접속되어, 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드되도록 해주며, 제 4 레지스터칩(850)은 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810)의 상측에 수평으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 준다.The eleventh microwave strip line 810 mounted in the fourth bypass unit 800 is vertically mounted from the top of the eleventh microwave strip line 810 mounted in the output matching unit 700 And the fan-shaped twelfth microwave strip line 820 is vertically connected to the center right side of the eleventh microwave strip line 810 and the fourth capacitor chip 830 is connected to the eleventh microwave strip line 810 And the fourth via hole ground portion 840 is connected to the fourth capacitor chip 830, and a plurality of via holes are opened to prevent the AC component of the oscillation frequency from being discharged to the outside. The fourth resistor chip 850 is mounted horizontally on the upper side of the eleventh microwave strip line 810, so that the lead is inserted into the via hole and grounded during the soldering process AC component of the resonant frequency to give a block from being emitted to the outside.

또한, 상기 DC 블록 캐패시터(900)내에 장착되어 있는 제 13 마이크로파스트립 라인(910)은 상기 출력 매칭부(700)내에 장착되어 있는 제 9 마이크로파스트립 라인(710)의 우측 일측면에서 부터 소정길이 연장되어 있고, 제 14 마이크로파스트립 라인(920)은 상기 제 13 마이크로파스트립 라인(910) 하측에서 부터 소정거리 떨어진 지점에 평행하게 장착되어, 초고주파용 캐패시터를 구현해 줌으로써 본 실시예를 구성한다.The 13th microwave strip line 910 mounted in the DC block capacitor 900 is extended from the right side of the ninth microwave strip line 710 mounted in the output matching unit 700 by a predetermined length And the fourteenth microwave strip line 920 is mounted in parallel at a predetermined distance from the bottom of the thirteenth microwave strip line 910 to constitute the present embodiment by implementing a capacitor for a very high frequency.

이하, 상기와 같이 구성된 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ의 동작과정을 도 2, 도 3a, 도 3b, 도 3c, 도 4a, 도 4b 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET will be described with reference to FIGS. 2, 3A, 3B, 3C, 4A and 4B.

먼저, 상기 유전체 공진부(100)는 마이크로파 전송선로인 상기 제 1 마이크로스트립 라인(110) 및 제 2 마이크로스트립 라인(120)과 유전체 공진기(130)를 자계결합시킴으로 구현한다.First, the dielectric resonator unit 100 is implemented by magnetically coupling the first microstrip line 110 and the second microstrip line 120, which are microwave transmission lines, with the dielectric resonator 130.

또한, 상기 제 1 마이크로스트립 라인(110) 및 제 2 마이크로스트립 라인(120)을 소정거리 떨어진 지점에 평행하게 위치시키고, 상기 유전체 공진기(130)를 상기 제 1 마이크로스트립 라인(110) 및 제 2 마이크로스트립 라인(120) 사이에 자계결합으로 장착시킨다.The first microstrip line 110 and the second microstrip line 120 may be positioned parallel to each other at a predetermined distance and the dielectric resonator 130 may be disposed between the first microstrip line 110 and the second microstrip line 120. [ And is mounted between the micro strip lines 120 by magnetic field coupling.

이때, 도 3a 에 도시한 바와 같이, 상기 유전체 공진부(100)내에 장착되어 있는 상기 제 2 마이크로스트립 라인(120)과 상기 유전체 공진기(130)를 자계결합시킬 때, 상기 제 2 마이크로스트립 라인(120)과 상기 유전체 공진기(130)와의 이격거리(d) 및 위치는 자계결합 계수(β)에 의해 구할 수 있다.3A, when the second microstrip line 120 and the dielectric resonator 130 mounted in the dielectric resonator unit 100 are magnetically coupled to each other, the second microstrip line 120 120 and the dielectric resonator 130 can be determined by the magnetic coupling coefficient beta.

한편, 도 3b 는 도 3a 의 등가회로를 나타낸 것이고, 자계결합 계수(β)를 구하기 위해 네트워크 분석기를 사용하여 도 3c 와 같은 결과값을 얻는다.FIG. 3B shows the equivalent circuit of FIG. 3A. To obtain the magnetic coupling coefficient β, a network analyzer is used to obtain the result shown in FIG. 3C.

이때, 상기 도 3c 에 도시한 바와 같은 결과값의 S12파형을 이용하여 QU값을 구하게 되는데, f1은 f0값에서 -3dB 떨어진 지점의 값이고, f2는 f0값에서 +3dB 떨어진 지점의 값을 나타낸다.At this time, there is also the rescued the resulting value Q U using the S 12 of the waveform values, as shown in 3c, f 1 is the value of -3dB away from the value of f 0, f 2 is at a value f 0 + 3dB Represents the value of a point at a distance.

그리고, 상기에서 구한 주파수(f0, f1, f2)를 이용하여 의 식에 의해 QU를 구한다.Then, using the frequencies (f 0 , f 1 , f 2 ) obtained above, To obtain Q U.

또한, 상기 도 3c 에 도시한 바와 같은 결과값의 S22파형을 이용하여 QL값을 구하게 되는데, f3는 f0값에서 -3dB 떨어진 지점의 값이고, f4는 f0값에서 +3dB 떨어진 지점의 값을 나타낸다.Further, there is also rescued the resulting Q value L using the value of the waveform S 22, as shown in 3c, f 3 is the value of -3dB away from the value of f 0, f 4 is at a value f 0 + 3dB Represents the value of a point at a distance.

한편, 상기에서 구한 주파수(f0, f3, f4)를 이용하여 의 식에 의해 QL을 구한다.On the other hand, using the frequencies (f 0 , f 3 , f 4 ) Q L is obtained by the following equation.

또한, 상기와 같이 QU및 QL을 구한 후, QU=QL(1+β)=Qexβ 식에 의해 자계결합 계수(β)를 구하고, 자계결합 계수(β)를 이용해 상기 제 1 마이크로스트립 라인(110) 및 제 2 마이크로스트립 라인(120)과 상기 유전체 공진기(130)와의 이격거리(d)를 구하며, 상기 제 1 마이크로스트립 라인 및 제 2 마이크로스트립 라인의 좌측에서 부터 λ/4 떨어진 지점에 상기 유전체 공진기를 위치시킴으로 자계결합한다.Further, after obtaining Q U and Q L as described above, Q U = Q L (1 +?) = Q ex ? And the magnetic coupling coefficient β is used to calculate the distance d between the first microstrip line 110 and the second microstrip line 120 and the dielectric resonator 130 ), And the dielectric resonator is positioned at a position separated by a distance of? / 4 from the left of the first microstrip line and the second microstrip line.

한편, 상기와 같이 구현된 유전체 공진부(100)는 공진 주파수를 상기 액티브 모드 MESFET(300) 및 패시브 모드 MESFET(400)로 발생시켜 준다.Meanwhile, the dielectric resonator 100 implemented as described above generates a resonant frequency in the active mode MESFET 300 and the passive mode MESFET 400.

이때, 상기 유전체 공진부(100)내에 장착된 상기 제 2 마이크로파스트립 라인(120)과 수직으로 접속되어 있는 상기 제 1 바이패스부(200)내에 장착된 제 3 마이크로파스트립 라인(210)은 상기 유전체 공진부(100)를 통해 발생된 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 1차적으로 차단시켜 준다.The third microwave strip line 210 mounted in the first bypass unit 200, which is perpendicularly connected to the second microwave strip line 120 mounted in the dielectric resonator unit 100, The AC component of the resonance frequency generated through the resonance unit 100 is primarily blocked so that the AC component is not emitted to the outside.

또한, 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210)은 길이를 λ/2로 설정해 줌으로써, 하이 임피던스를 갖도록 한다.In addition, the third microwave strip line 210 has a length of? / 2 so as to have a high impedance.

한편, 상기 제 1 바이패스부(200)내에 장착되어 있는 부채꼴 모양의 제 4 마이크로파스트립 라인(220)은 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210)의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어, 상기 유전체 공진부(100)를 통해 발생된 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 2차적으로 차단시켜 준다.The fan-shaped fourth microwave strip line 220 mounted in the first bypass unit 200 is vertically connected to the center right side of the third microwave strip line 210, 100 so that the AC component of the resonance frequency generated through the AC component 100 is not emitted to the outside.

이때, 부채꼴 모양의 상기 제 4 마이크로파스트립 라인(220)은 부채꼴의 반지름의 길이를 λ/4로 설정해 주고, 부채꼴의 현의 길이를 λ/4로 설정해 준다.At this time, the fan-shaped fourth microwave strip line 220 sets the length of the radius of the sector to? / 4 and the length of the sector of the sector to? / 4.

또한, 상기 제 1 바이패스부(200)내에 장착되어 있는 제 1 캐패시터칩(230)은 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210)의 상측에 수직으로 장착되어, 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210)에 의해 차단되지 못한 미미한 공진 주파수의 AC 성분을 외부로 방출되지 않도록 3차적으로 차단시켜 준다.The first capacitor chip 230 mounted in the first bypass unit 200 is vertically mounted on the third microwave strip line 210 and connected to the third microwave strip line 210 So that the AC component of a small resonance frequency which is not blocked by the resonance frequency can be prevented from being emitted to the outside.

한편, 상기 제 1 바이패스부(200)내에 장착되어 있는 제 1 레지스터칩(250)은 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210)의 상측에 수평으로 장착되어, 상기 제 1 캐패시터칩(230)에 의해 차단되지 못한 미미한 공진 주파수의 AC 성분을 외부로 방출되지 않도록 4차적으로 차단시켜 준다.The first resistor chip 250 mounted in the first bypass unit 200 is horizontally mounted on the third microwave strip line 210 and connected to the first capacitor chip 230 by the first capacitor chip 230. [ The AC component of the small resonance frequency which is not blocked is quadratically blocked so as not to be emitted to the outside.

또한, 상기 제 1 캐패시터칩(230)과 접속되어 있는 상기 제 1 바이패스부(200)내에 장착되어 있는 상기 제 1 비어 홀 그라운드부(240)는 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드가 용이하도록 해준다.Since the first via hole ground portion 240 mounted in the first bypass portion 200 connected to the first capacitor chip 230 has a plurality of via holes formed therein, It is inserted into the via hole to facilitate the grounding.

따라서, 상기 제 3 마이크로파스트립 라인(210), 제 4 마이크로파스트립 라인(220), 제 1 캐패시터칩(230), 제 1 비어 홀 그라운드부(240) 및 제 1 레지스터칩(250)으로 구성된 상기 제 1 바이패스부(200)에 의해 상기 유전체 공진부(100)에서 발생한 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 막아주는 것이다.Therefore, the third microwave strip line 210, the fourth microwave strip line 220, the first capacitor chip 230, the first via hole ground portion 240, and the first resistor chip 250, 1 bypass unit 200 prevents the AC component of the resonance frequency generated in the dielectric resonator unit 100 from being emitted to the outside.

한편, 상기 유전체 공진부(100)의 피드백단에 장착되어 있는 상기 액티브 모드 MESFET(300)는 상기 유전체 공진부(100)를 통해 발생한 공진 주파수를 입력하여 증폭한 후 출력하고, 상기 패시브 모드 MESFET(400)는 상기 액티브 모드 MESFET(300)를 통해 증폭된 발진 주파수를 입력하여 주파수를 가변시킨 후 가변된 발진 주파수를 상기 출력 매칭부(700)로 출력시켜 준다.The active mode MESFET 300 mounted on the feedback end of the dielectric resonator 100 receives and amplifies the resonance frequency generated through the dielectric resonator 100 and outputs the amplified resonance frequency to the passive mode MESFET 300. [ 400 inputs the amplified oscillation frequency through the active mode MESFET 300 to vary the frequency and then outputs the variable oscillation frequency to the output matching unit 700.

또한, 상기 패시브 모드 MESFET(400)의 등가회로는 도 4a 에 도시한 바와 같이, MESFET가 패시브 모드로 동작하려면 Vds=0, Id=0, -Vgs의 조건이 필요하게 된다.As shown in FIG. 4A, the equivalent circuit of the passive mode MESFET 400 requires a condition of Vds = 0, Id = 0, and -Vgs for the MESFET to operate in the passive mode.

이때, 도 4a 에 도시한 바와 같이, Cgs, Cgd는 -Vgs에 의해 전하가 생성됨에 따라 성장된 감소폭(Depletion Width)이 게이트단을 중심으로 소오스단과 드레인단에 동일하게 분포하여 Cds는 훨씬 작아지게 되고, 이로인해 Cds에 흐르는 전류 Ids는 0이 되게 되는데 이때를 패시브 모드라 한다.At this time, as shown in FIG. 4A, the Cgs and Cgd are distributed equally to the source and drain stages around the gate end, and the Cds becomes much smaller as the charge is generated by -Vgs. As a result, the current Ids flowing through Cds becomes 0, which is referred to as a passive mode.

한편, 상기에서 패시브 모드로 동작하기 위한 조건이 Vgs=0, -Vgd 이므로 도 4b 에 도시한 바와 같이, 공핍영역이 게이트-드레인 끝단에서 더 깊어지고, 드레인단 공핍영역이 증가하여 도 4a 에 도시한 Cgs가 감소하며, 이로인해 Cgs가 일정하게 되어 Cgd가 지배적인 캐패시터로 작용하게 된다.4B, since the depletion region is deeper at the gate-drain end and the drain end depletion region is increased, as shown in FIG. 4B, since the conditions for operating in the passive mode are Vgs = 0 and -Vgd, One Cgs decreases, which causes Cgs to become constant and Cgd to act as a dominant capacitor.

따라서, 캐패시터 의 식에 의해 주파수가 가변되게 되는 것이다.Therefore, The frequency is varied according to the following equation.

이때, 상기 액티브 모드 MESFET(300)의 소오스단 및 패시브 모드 MESFET(400)의 게이트단에 접속되어 있는 상기 제 2 바이패스부(500)내에 장착되어 있는 제 5 마이크로파스트립 라인(510)은 상기 액티브 모드 MESFET(300)을 통해 증폭된 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 1차적으로 차단시켜 준다.At this time, the fifth microwave strip line 510 mounted in the second bypass unit 500, which is connected to the gate terminal of the active mode MESFET 300 and the gate terminal of the passive mode MESFET 400, And blocks the AC component of the oscillation frequency amplified through the mode MESFET 300 from being discharged to the outside.

또한, 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510)은 길이를 λ/2로 설정해 줌으로써, 하이 임피던스를 갖도록 한다.Further, the fifth microwave strip line 510 has a high impedance by setting the length to? / 2.

한편, 상기 제 2 바이패스부(500)내에 장착되어 있는 부채꼴 모양의 제 6 마이크로파스트립 라인(520)은 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510)의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어, 상기 액티브 모드 MESFET(300)을 통해 증폭된 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 2차적으로 차단시켜 준다.The sixth microwave strip line 520 mounted in the second bypass unit 500 is vertically connected to the center right side of the fifth microwave strip line 510 so that the active mode MESFET 300 to prevent the AC component of the amplified oscillation frequency from being emitted to the outside.

이때, 부채꼴 모양의 상기 제 6 마이크로파스트립 라인(520)은 부채꼴의 반지름의 길이를 λ/4로 설정해 주고, 부채꼴의 현의 길이를 λ/4로 설정해 준다.At this time, the sixth microwave strip line 520 of the fan shape sets the length of the radius of the sector to? / 4 and the length of the sector of the sector to? / 4.

또한, 상기 제 2 바이패스부(500)내에 장착되어 있는 제 2 캐패시터칩(530)은 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510)의 상측에 수직으로 장착되어, 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510)에 의해 차단되지 못한 미미한 공진 주파수의 AC 성분을 외부로 방출되지 않도록 3차적으로 차단시켜 준다.The second capacitor chip 530 mounted in the second bypass unit 500 is vertically mounted on the fifth microwave strip line 510 and connected to the fifth microwave strip line 510 So that the AC component of a small resonance frequency which is not blocked by the resonance frequency can be prevented from being emitted to the outside.

한편, 상기 제 2 바이패스부(500)내에 장착되어 있는 제 2 레지스터칩(550)은 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510)의 상측에 수평으로 장착되어, 상기 제 2 캐패시터칩(530)에 의해 차단되지 못한 미미한 공진 주파수의 AC 성분을 외부로 방출되지 않도록 4차적으로 차단시켜 준다.The second resistor chip 550 mounted in the second bypass unit 500 is horizontally mounted on the upper side of the fifth microwave strip line 510 and connected to the second capacitor chip 530 by the second capacitor chip 530 The AC component of the small resonance frequency which is not blocked is quadratically blocked so as not to be emitted to the outside.

또한, 상기 제 2 캐패시터칩(530)과 접속되어 있는 상기 제 2 바이패스부(500)내에 장착되어 있는 상기 제 2 비어 홀 그라운드부(540)는 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드가 용이하도록 해준다.Since the plurality of via holes are formed in the second via hole ground portion 540 mounted in the second bypass portion 500 connected to the second capacitor chip 530, It is inserted into the via hole to facilitate the grounding.

따라서, 상기 제 5 마이크로파스트립 라인(510), 제 6 마이크로파스트립 라인(520), 제 2 캐패시터칩(530), 제 2 비어 홀 그라운드부(540) 및 제 2 레지스터칩(550)으로 구성된 상기 제 2 바이패스부(500)에 의해 상기 액티브 모드 MESFET(300)를 통과하는 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 막아주는 것이다.Therefore, the second microwave strip line 510, the sixth microwave strip line 520, the second capacitor chip 530, the second via hole ground unit 540, and the second resistor chip 550, 2 bypass unit 500 prevents the AC component of the oscillation frequency passing through the active mode MESFET 300 from being discharged to the outside.

이때, 상기 패티브 모드 MESFET(400)에 접속되어 있는 상기 제 3 바이패스부(600)내에 장착되어 있는 제 7 마이크로파스트립 라인(610)은 상기 패시브 모드 MESFET(400)를 통해 가변된 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 1차적으로 차단시켜 준다.The seventh microwave strip line 610 mounted in the third bypass unit 600 connected to the passive mode MESFET 400 is connected to the passive mode MESFET 400 through the passive mode MESFET 400, It blocks the AC component from being released to the outside.

또한, 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610)은 길이를 λ/2로 설정해 줌으로써, 하이 임피던스를 갖도록 한다.In addition, the seventh microwave strip line 610 has a high impedance by setting the length to? / 2.

한편, 상기 제 3 바이패스부(600)내에 장착되어 있는 부채꼴 모양의 제 8 마이크로파스트립 라인(620)은 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610)의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어, 상기 패시브 모드 MESFET(400)을 통해 가변된 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 2차적으로 차단시켜 준다.The fan-shaped eighth microwave strip line 620 mounted in the third bypass unit 600 is vertically connected to the center right side of the seventh microwave strip line 610, and the passive mode MESFET 400 to prevent the AC component having a variable oscillation frequency from being emitted to the outside.

이때, 부채꼴 모양의 상기 제 8 마이크로파스트립 라인(620)은 부채꼴의 반지름의 길이를 λ/4로 설정해 주고, 부채꼴의 현의 길이를 λ/4로 설정해 준다.At this time, the eighth microwave strip line 620 of the fan shape sets the length of the radius of the sector to? / 4 and the length of the sector of the sector to? / 4.

또한, 상기 제 3 바이패스부(600)내에 장착되어 있는 제 3 캐패시터칩(630)은 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610)의 상측에 수직으로 장착되어, 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610)에 의해 차단되지 못한 미미한 공진 주파수의 AC 성분을 외부로 방출되지 않도록 3차적으로 차단시켜 준다.The third capacitor chip 630 mounted in the third bypass unit 600 is vertically mounted on the seventh microwave strip line 610 and connected to the seventh microwave strip line 610 So that the AC component of a small resonance frequency which is not blocked by the resonance frequency can be prevented from being emitted to the outside.

한편, 상기 제 3 바이패스부(600)내에 장착되어 있는 제 3 레지스터칩(650)은 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610)의 상측에 수평으로 장착되어, 상기 제 3 캐패시터칩(630)에 의해 차단되지 못한 미미한 공진 주파수의 AC 성분을 외부로 방출되지 않도록 4차적으로 차단시켜 준다.The third resistor chip 650 mounted in the third bypass unit 600 is horizontally mounted on the seventh microwave strip line 610 and is connected to the third capacitor chip 630 by the third capacitor chip 630 The AC component of the small resonance frequency which is not blocked is quadratically blocked so as not to be emitted to the outside.

또한, 상기 제 3 캐패시터칩(630)과 접속되어 있는 상기 제 3 바이패스부(600)내에 장착되어 있는 상기 제 3 비어 홀 그라운드부(640)는 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드가 용이하도록 해준다.Since the third via hole ground portion 640 mounted in the third bypass portion 600 connected to the third capacitor chip 630 has a plurality of via holes formed therein, It is inserted into the via hole to facilitate the grounding.

따라서, 상기 제 7 마이크로파스트립 라인(610), 제 8 마이크로파스트립 라인(620), 제 3 캐패시터칩(630), 제 3 비어 홀 그라운드부(640) 및 제 3 레지스터칩(650)으로 구성된 상기 제 3 바이패스부(600)에 의해 상기 패시브 모드 MESFET(400)를 통과하는 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 막아주는 것이다.Therefore, the third microwave strip line 610, the eighth microwave strip line 620, the third capacitor chip 630, the third via hole ground unit 640, and the third resistor chip 650, 3 bypass unit 600 to prevent the AC component of the oscillation frequency passing through the passive mode MESFET 400 from being discharged to the outside.

한편, 상기 출력 매칭부(700)는 상기 패시브 모드 MESFET(400)를 통해 가변되고 액티브 모드 MESFET(300)를 통해 증폭된 발진 주파수를 입력하여, 50Ω과 매칭시킴으로 최대 출력의 발진 주파수를 상기 DC 블록 캐패시터(900)로 출력시켜 준다.The output matching unit 700 receives the oscillation frequency that is varied through the passive mode MESFET 400 and amplified through the active mode MESFET 300 and matches the oscillation frequency with 50 OMEGA, And outputs it to the capacitor 900.

또한, 상기 출력 매칭부(700)내에 장착되어 있는 제 9 마이크로파스트립 라인(710)은 상기 패시브 모드 MESFET(300)에 접속되어, 50Ω을 발생시키기 위해 레지스터 성분을 구현해 주고, 상기 제 10 마이크로파스트립 라인(720)은 상기 제 9 마이크로파스트립 라인(710)의 우측끝단에 수직으로 장착되어, 50Ω을 발생시키기 위한 리액턴스 성분을 구현해 준다.The ninth microwave strip line 710 mounted in the output matching unit 700 is connected to the passive mode MESFET 300 to implement a resistor component for generating 50 OMEGA, (720) is vertically mounted on the right end of the ninth microwave strip line (710) to realize a reactance component for generating 50?.

이때, 상기 출력 매칭부(700)에 접속되어 있는 상기 제 4 바이패스부(800)내에 장착되어 있는 제 11 마이크로파스트립 라인(810)은 상기 출력 매칭부(700)를 통과하는 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 1차적으로 차단시켜 준다.The 11th microwave strip line 810 mounted in the fourth bypass unit 800 connected to the output matching unit 700 receives the AC component of the oscillation frequency passing through the output matching unit 700, To prevent them from being released to the outside.

또한, 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810)은 길이를 λ/2로 설정해 줌으로써, 하이 임피던스를 갖도록 한다.In addition, the eleventh microwave strip line 810 has a high impedance by setting the length to? / 2.

한편, 상기 제 4 바이패스부(800)내에 장착되어 있는 부채꼴 모양의 제 12 마이크로파스트립 라인(820)은 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810)의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어, 상기 패시브 모드 MESFET(400)을 통해 가변된 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 2차적으로 차단시켜 준다.The fan-shaped twelfth microwave strip line 820 mounted in the fourth bypass unit 800 is vertically connected to the center right side of the eleventh microwave strip line 810, and the passive mode MESFET 400 to prevent the AC component having a variable oscillation frequency from being emitted to the outside.

이때, 부채꼴 모양의 상기 제 12 마이크로파스트립 라인(620)은 부채꼴의 반지름의 길이를 λ/4로 설정해 주고, 부채꼴의 현의 길이를 λ/4로 설정해 준다.At this time, the sector-shaped twelfth microwave strip line 620 sets the length of the radius of the sector to? / 4 and the length of the sector of the sector to? / 4.

또한, 상기 제 4 바이패스부(800)내에 장착되어 있는 제 4 캐패시터칩(830)은 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810)의 상측에 수직으로 장착되어, 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810)에 의해 차단되지 못한 미미한 공진 주파수의 AC 성분을 외부로 방출되지 않도록 3차적으로 차단시켜 준다.The fourth capacitor chip 830 mounted in the fourth bypass unit 800 is vertically mounted on the eleventh microwave strip line 810 and connected to the eleventh microwave strip line 810 So that the AC component of a small resonance frequency which is not blocked by the resonance frequency can be prevented from being emitted to the outside.

한편, 상기 제 4 바이패스부(800)내에 장착되어 있는 제 4 레지스터칩(850)은 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810)의 상측에 수평으로 장착되어, 상기 제 4 캐패시터칩(830)에 의해 차단되지 못한 미미한 공진 주파수의 AC 성분을 외부로 방출되지 않도록 4차적으로 차단시켜 준다.The fourth resistor chip 850 mounted in the fourth bypass unit 800 is horizontally mounted on the eleventh microwave strip line 810 and is connected to the fourth capacitor chip 830 by the fourth capacitor chip 830 The AC component of the small resonance frequency which is not blocked is quadratically blocked so as not to be emitted to the outside.

또한, 상기 제 4 캐패시터칩(830)과 접속되어 있는 상기 제 4 바이패스부(800)내에 장착되어 있는 상기 제 4 비어 홀 그라운드부(840)는 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드가 용이하도록 해준다.Since the fourth via hole ground portion 840 mounted in the fourth bypass portion 800 connected to the fourth capacitor chip 830 has a plurality of via holes formed therein, It is inserted into the via hole to facilitate the grounding.

따라서, 상기 제 11 마이크로파스트립 라인(810), 제 12 마이크로파스트립 라인(820), 제 4 캐패시터칩(830), 제 4 비어 홀 그라운드부(840) 및 제 4 레지스터칩(850)으로 구성된 상기 제 4 바이패스부(800)에 의해 상기 패시브 모드 MESFET(400)를 통과하는 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 막아주는 것이다.The fourth resistor chip 850 is formed of the eleventh microwave strip line 810, the twelfth microwave strip line 820, the fourth capacitor chip 830, the fourth via hole ground portion 840 and the fourth resistor chip 850. 4 bypass unit 800 to prevent the AC component of the oscillation frequency passing through the passive mode MESFET 400 from being discharged to the outside.

한편, 상기 DC 블록 캐패시터(900)는 상기 출력 매칭부(700)를 통해 출력된 최대 발진 주파수를 입력한 후 최대 발진 주파수의 DC 성분을 차단시켜 줌으로써 최대 발진 주파수의 AC 성분만을 출력시켜 준다.The DC block capacitor 900 receives the maximum oscillation frequency output through the output matching unit 700 and then blocks the DC component of the maximum oscillation frequency to output only the AC component of the maximum oscillation frequency.

또한, 상기 DC 블록 캐패시터(900)내에 장착되어 있는 제 13 마이크로파스트립 라인(910)은 상기 출력 매칭부(700)내에 장착되어 있는 제 9 마이크로파스트립 라인(710)의 우측 일측면에서 부터 소정길이 연장되어 있고, 제 14 마이크로파스트립 라인(920)은 상기 제 13 마이크로파스트립 라인(910) 하측에서 부터 소정거리 떨어진 지점에 평행하게 장착되어, 초고주파용 캐패시터를 구현한다.The 13th microwave strip line 910 mounted in the DC block capacitor 900 is extended from the right side of the ninth microwave strip line 710 mounted in the output matching unit 700 by a predetermined length And the fourteenth microwave strip line 920 is mounted in parallel at a predetermined distance from the bottom of the thirteenth microwave strip line 910 to realize a capacitor for a very high frequency.

이때, 상기 제 13 마이크로파스트립 라인(910) 및 제 14 마이크로파스트립 라인(920)의 길이는 λ/4 이다.At this time, the lengths of the 13th microwave strip line 910 and the 14th microwave strip line 920 are? / 4.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ는, 안정된 발진과 스퓨리어스 성분을 줄이기 위한 유전체 공진부의 피드백단에 패시브 모드 MESFET를 장착하여 주파수 가변소자로 사용함으로써, 인가되는 전압가변값이 0∼3[V]이하의 좁은 전압가변 범위에서 주파수를 가변시키는 패시브 모드 MESFET의 특성으로 인해 전력소모량이 적어지고, 유전체 공진부단의 피드백단에 패시브 모드 MESFET를 장착함으로 공긴기의 Q값을 높일 수 있을 뿐만 아니라, MMIC화 하는 구현상의 어려움이 없기 때문에 대량생산이 용이함으로 제품단가가 낮아지는 효과가 있다.As described above, in the dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET of the present invention, the passive mode MESFET is mounted on the feedback end of the dielectric resonator for reducing the stable oscillation and the spurious component, Due to the characteristics of the passive mode MESFET that changes the frequency in the narrow voltage range of 0 to 3 [V] or less, the power consumption is reduced. By attaching the passive mode MESFET to the feedback end of the dielectric resonance end, In addition, since there is no difficulty in implementation to make MMIC, mass production is facilitated, and the product cost is lowered.

Claims (18)

공진 주파수를 발생시켜 주는 유전체 공진부와; 상기 유전체 공진부에 접속되어, 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 1 바이패스부와; 상기 유전체 공진부의 신호 출력단에 접속되어, 상기 유전체 공진부를 통해 발생한 공진 주파수를 입력하여 증폭시킨 후 출력하는 액티브 모드 MESFET와; 상기 액티브 모드 MESFET의 소오스단에 게이트단이 접속되어, 상기 액티브 모드 MESFET를 통해 입력된 공진 주파수를 가변시킨 후 발진 주파수를 출력시켜 주는 패시브 모드 MESFET와; 상기 액티브 모드 MESFET의 소오스단 및 패시브 모드 MESFET의 게이트단에 접속되어, 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 2 바이패스부와; 상기 패시브 모드 MESFET에 접속되어, 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 3 바이패스부와; 상기 액티브 모드 MESFET의 드레인단에 접속되어, 상기 패시브 모드 MESFET를 통해 주파수 가변된 후 상기 액티브 모드 MESFET를 통해 증폭된 발진 주파수를 입력하여, 50Ω과 매칭시킴으로 최대 출력의 발진 주파수를 발생시켜 주는 출력 매칭부와; 상기 출력 매칭부와 접속되어, 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 4 바이패스부와; 상기 출력 매칭부의 신호 출력단에 접속되어, 상기 출력 매칭부에서 출력된 최대 출력 발진 주파수를 입력한 후, 발진 주파수의 DC 성분을 차단시켜 줌으로써 발진 주파수의 AC 성분만을 출력하는 DC 블록 캐패시터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.A dielectric resonator for generating a resonant frequency; A first bypass unit connected to the dielectric resonator unit for blocking the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside; An active mode MESFET connected to a signal output terminal of the dielectric resonance unit to receive and amplify a resonance frequency generated through the dielectric resonance unit and output the amplified resonance frequency; A passive mode MESFET having a gate terminal connected to a source terminal of the active mode MESFET and varying a resonance frequency inputted through the active mode MESFET and outputting an oscillation frequency; A second bypass unit connected to the gate terminal of the active mode MESFET and the gate terminal of the passive mode MESFET to block the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; A third bypass unit connected to the passive mode MESFET for blocking the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; An output matching circuit which is connected to a drain terminal of the active mode MESFET and changes the frequency through the passive mode MESFET, inputs an oscillation frequency amplified through the active mode MESFET, and matches the oscillation frequency with 50 OMEGA, Wealth; A fourth bypass unit connected to the output matching unit for blocking the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; And a DC block capacitor connected to the signal output terminal of the output matching unit and receiving the maximum output oscillation frequency outputted from the output matching unit and then blocking the DC component of the oscillation frequency to output only the AC component of the oscillation frequency A dielectric resonator VCO using a passive mode MESFET. 제 1항에 있어서, 상기 유전체 공진부는, 마이크로파용 전송선로인 제 1 마이크로스트립 라인과; 상기 제 1 마이크로파스트립 라인과 수평으로 소정거리 떨어진 지점에 위치하고, 마이크로파용 전송선로인 제 2 마이크로스티립 라인과; 상기 제 1 마이크로스트립 라인 및 제 2 마이크로스트립 라인 사이에 자계결합으로 장착되는 유전체 공진기를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.[2] The apparatus of claim 1, wherein the dielectric resonator comprises: a first microstrip line that is a microwave transmission line; A second microstrip line located at a position horizontally a predetermined distance from the first microwave strip line and being a microwave transmission line; And a dielectric resonator mounted in a magnetic field coupling between the first and second microstrip lines. 제 2항에 있어서, 상기 제 1 마이크로파스트립 라인 및 제 2 마이크로파스트립 라인과 상기 유전체 공진기와의 자계결합은, 네트워크 분석기를 이용해 QU및 QL을 구한 후, QU=QL(1+β)=Qexβ 식에 의해 자계결합 계수인 β를 구하고, 자계결합 계수 β를 이용해 상기 제 1 마이크로스트립 라인 및 제 2 마이크로스트립 라인의 좌측에서 부터 λ/4 떨어진 지점에 상기 유전체 공진기를 위치시킴으로 자계결합함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.3. The method of claim 2, wherein magnetic field coupling between the first microwave strip line and the second microwave strip line and the dielectric resonator is performed by obtaining Q U and Q L using a network analyzer, Q U = Q L (1 +?) = Q ex ? And a magnetic field coupling is performed by locating the dielectric resonator at a position spaced by a distance of? / 4 from the left of the first microstrip line and the second microstrip line by using the magnetic field coupling coefficient? A dielectric resonator VCO using a passive mode MESFET. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 바이패스부는, 상기 유전체 공진부내에 장착된 상기 제 2 마이크로파스트립 라인과 수직으로 접속되어 있는 제 3 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 3 마이크로파스트립 라인의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어 있는 부채꼴 모양의 제 4 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 3 마이크로파스트립 라인의 상측에 수직으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 1 캐패시터칩과; 상기 제 1 캐패시터칩과 접속되어, 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드되도록 해주는 제 1 비어 홀 그라운드부와; 상기 제 3 마이크로파스트립 라인의 상측에 수평으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 1 레지스터칩을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The microwave oven according to claim 1, wherein the first bypass portion comprises: a third microwave strip line vertically connected to the second microwave strip line mounted in the dielectric resonance portion; A fourth fan-shaped microwave strip line having a vertex connected to a center right side of the third microwave strip line; A first capacitor chip vertically mounted on the third microwave strip line to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside; A first via hole ground portion connected to the first capacitor chip and having a plurality of via holes formed therein to allow the lead to be inserted into the via hole and to be grounded during a soldering process; And a first resistor chip mounted horizontally above the third microwave strip line to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside. The passive mode MESFET of claim 1, 제 4항에 있어서, 상기 제 3 마이크로파스트립 라인은, 최대의 임피던스값을 갖음으로 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되는 것을 차단시키도록 하기 위해 길이를 λ/2로 설정함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The microwave oven according to claim 4, wherein the third microwave strip line has a maximum impedance value to set the length to be? / 2 so as to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside. Dielectric Resonator VCO Using Mode MESFET. 제 4항에 있어서, 상기 제 4 마이크로파스트립 라인은, 최대의 임피던스값을 갖음으로 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되는 것을 차단시키도록 하기 위해 부채꼴 현의 길이를 λ/4로 설정하고, 부채꼴 반지름의 길이를 λ/4로 설정함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.5. The microwave oven according to claim 4, wherein the fourth microwave strip line has a maximum impedance value so that the length of the sector is set to lambda / 4 so as to prevent the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside, And the length of the radius is set to? / 4. The dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 바이패스부는, 상기 액티브 모드 MESFET의 소오스단 및 패시브 모드 MESFET의 게이트단에 접속되어 있는 제 5 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 5 마이크로파스트립 라인의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어 있는 부채꼴 모양의 제 6 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 5 마이크로파스트립 라인의 상측에 수직으로 장착되어 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 2 캐패시터칩과; 상기 제 2 캐패시터칩과 접속되어, 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드되도록 해주는 제 2 비어 홀 그라운드부와; 상기 제 5 마이크로파스트립 라인의 상측에 수평으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 2 레지스터칩을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The semiconductor device according to claim 1, wherein the second bypass unit comprises: a fifth microwave strip line connected to a gate terminal of the active mode MESFET and a gate terminal of the passive mode MESFET; A sixth fan-shaped microwave strip line having a vertex connected to a center right side of the fifth microwave strip line; A second capacitor chip vertically mounted on the fifth microwave strip line and blocking the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; A second via hole ground portion connected to the second capacitor chip and having a plurality of via holes formed therein to allow the lead to be inserted and grounded in a soldering process; And a second resistor chip horizontally mounted on the fifth microwave strip line to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside. 제 7항에 있어서, 상기 제 5 마이크로파스트립 라인은, 최대의 임피던스값을 갖음으로 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되는 것을 차단시키도록 하기 위해 길이를 λ/2로 설정함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.8. The microwave oven according to claim 7, wherein the fifth microwave strip line has a maximum impedance value and sets the length to be? / 2 so as to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside. Dielectric Resonator VCO Using Mode MESFET. 제 7항에 있어서, 상기 제 6 마이크로파스트립 라인은, 최대의 임피던스값을 갖음으로 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되는 것을 차단시키도록 하기 위해 부채꼴 현의 길이를 λ/4로 설정하고, 부채꼴 반지름의 길이를 λ/4로 설정함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.8. The microwave oven according to claim 7, wherein the sixth microwave strip line has a maximum impedance value, so that the length of the fan-shaped string is set to? / 4 so as to prevent the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside, And the length of the radius is set to? / 4. The dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET. 제 1항에 있어서, 상기 제 3 바이패스부는, 상기 패시브 모드 MESFET에 접속되어 있는 제 7 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 7 마이크로파스트립 라인의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어 있는 부채꼴 모양의 제 8 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 7 마이크로파스트립 라인의 상측에 수직으로 장착되어 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 3 캐패시터칩과; 상기 제 3 캐패시터칩과 접속되어, 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드되도록 해주는 제 3 비어 홀 그라운드부와; 상기 제 7 마이크로파스트립 라인의 상측에 수평으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 3 레지스터칩을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The plasma display apparatus of claim 1, wherein the third bypass section comprises: a seventh microwave strip line connected to the passive mode MESFET; An eighth microwave strip line of a fan shape having a vertex connected to a center right side of the seventh microwave strip line; A third capacitor chip vertically mounted on the seventh microwave strip line to block the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; A third via hole ground portion connected to the third capacitor chip and having a plurality of via holes formed therein to allow the lead to be inserted into the via hole and to be grounded during the soldering process; And a third resistor chip mounted horizontally above the seventh microwave strip line to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside. 제 10항에 있어서, 상기 제 7 마이크로파스트립 라인은, 최대의 임피던스값을 갖음으로 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되는 것을 차단시키도록 하기 위해 길이를 λ/2로 설정함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The microwave oven according to claim 10, wherein the seventh microwave strip line has a maximum impedance value, and the length is set to lambda / 2 so as to prevent the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside. Dielectric Resonator VCO Using Mode MESFET. 제 10항에 있어서, 상기 제 8 마이크로파스트립 라인은, 최대의 임피던스값을 갖음으로 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되는 것을 차단시키도록 하기 위해 부채꼴 현의 길이를 λ/4로 설정하고, 부채꼴 반지름의 길이를 λ/4로 설정함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.11. The microwave oven according to claim 10, wherein the eighth microwave strip line has a maximum impedance value to set the length of the fan-shaped string to be? / 4 so as to prevent the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside, And the length of the radius is set to? / 4. The dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET. 제 1항에 있어서, 상기 출력 매칭부는, 상기 패시브 모드 MESFET에 접속되어, 50Ω을 발생시키기 위해 레지스터 성분을 구현해 주는 제 9 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 9 마이크로파스트립 라인의 우측끝단에 수직으로 장착되어, 50Ω을 발생시키기 위한 리액턴스 성분을 구현해 주는 제 10 마이크로파스트립 라인을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The apparatus of claim 1, wherein the output matching unit comprises: a ninth microwave strip line connected to the passive mode MESFET to implement a resistor component to generate 50?; And a tenth microwave strip line vertically mounted on the right end of the ninth microwave strip line for realizing a reactance component for generating 50 OMEGA. The dielectric resonator VCO using passive mode MESFET. 제 1항에 있어서, 상기 제 4 바이패스부는, 상기 출력 매칭부내에 장착되어 있는 제 9 마이크로파스트립 라인의 상측에서 부터 수직으로 장착되어 있는 제 11 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 11 마이크로파스트립 라인의 중앙 우측면에 꼭지점이 접속되어 있는 부채꼴 모양의 제 12 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 11 마이크로파스트립 라인의 상측에 수직으로 장착되어 발진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 4 캐패시터칩과; 상기 제 4 캐패시터칩과 접속되어, 다수개의 비어홀이 뚫어져 있음으로 납땜공정시 납이 비어홀에 삽입되어 그라운드되도록 해주는 제 4 비어 홀 그라운드부와; 상기 제 11 마이크로파스트립 라인의 상측에 수평으로 장착되어 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되지 않도록 차단시켜 주는 제 4 레지스터칩을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The microwave oven according to claim 1, wherein the fourth bypass unit comprises: an eleventh microwave strip line vertically mounted from above the ninth microwave strip line mounted in the output matching unit; A twelfth microwave strip line of a fan shape having vertexes connected to the center right side of the eleventh microwave strip line; A fourth capacitor chip vertically mounted on the eleventh microwave strip line to block the AC component of the oscillation frequency from being emitted to the outside; A fourth via hole grounding portion connected to the fourth capacitor chip and having a plurality of via holes formed therein to allow the lead to be inserted into the via hole during the soldering process so as to be grounded; And a fourth resistor chip horizontally mounted on the eleventh microwave strip line to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside. 제 14항에 있어서, 상기 제 11 마이크로파스트립 라인은, 최대의 임피던스값을 갖음으로 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되는 것을 차단시키도록 하기 위해 길이를 λ/2로 설정함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.15. The microwave oven according to claim 14, wherein the eleventh microwave strip line has a maximum impedance value and sets the length to be? / 2 so as to block the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside. Dielectric Resonator VCO Using Mode MESFET. 제 14항에 있어서, 상기 제 12 마이크로파스트립 라인은, 최대의 임피던스값을 갖음으로 공진 주파수의 AC 성분이 외부로 방출되는 것을 차단시키도록 하기 위해 부채꼴 현의 길이를 λ/4로 설정하고, 부채꼴 반지름의 길이를 λ/4로 설정함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.15. The microwave oven according to claim 14, wherein the twelfth microwave strip line has a maximum impedance value to set the length of the fan-shaped string to be? / 4 so as to prevent the AC component of the resonance frequency from being emitted to the outside, And the length of the radius is set to? / 4. The dielectric resonator VCO using the passive mode MESFET. 제 1항에 있어서, 상기 DC 블록 캐패시터는, 상기 출력 매칭부내에 장착되어 있는 제 9 마이크로파스트립 라인의 우측 일측면에서 부터 소정길이 연장된 제 13 마이크로파스트립 라인과; 상기 제 13 마이크로파스트립 라인 하측에서 부터 소정거리 떨어진 지점에 평행하게 장착되어, 초고주파용 캐패시터를 구현해 주는 제 14 마이크로파스트립 라인을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The microwave oven according to claim 1, wherein the DC block capacitor comprises: a thirteenth microwave strip line extending a predetermined length from a right side of a ninth microwave strip line mounted in the output matching unit; And a 14th microwave strip line mounted in parallel at a predetermined distance from a lower side of the 13th microwave strip line to implement a capacitor for a very high frequency. 제 17항에 있어서, 상기 제 13 마이크로파스트립 라인 및 제 14 마이크로파스트립 라인은, 초고주파용 캐패시터를 구현하기 위해 길이를 λ/4로 함을 특징으로 하는 패시브 모드 ＭＥＳＦＥＴ를 이용한 유전체 공진기 ＶＣＯ.The dielectric resonator VCO as claimed in claim 17, wherein the 13th microwave strip line and the 14th microwave strip line have a length of? / 4 in order to implement a capacitor for a very high frequency.
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