KR100293041B1 - Polymers with N, N-disubstituted sulfonamide pendant groups and uses thereof - Google Patents

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카흐홀즈 트라우델, 귀틀라인 파울
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Abstract

본 발명은 일반식 R1-SO2-N(CO-OR2)-R3-O-CO-CR4=CH2및 R1-N(CO-OR2)-SO2-R3-O-CO-CR4=CH2의 단량체[여기서, R1은 (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이고, 여기서 알킬을 함유하는 라디칼중 각각의 메틸렌 그룹은 헤테로 원자에 의해 임의로 치환되며, R2는 (C3-C11)알킬, (C3-C11)알케닐 또는 (C7-C11)아르알킬이며, R3은 비치환되거나 치환된 (C1-C6)알킬, (C3-C6)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬 라디칼이고, R4는 수소원자 또는 메틸 그룹이다]에 관한 것이다.The invention is formula R 1 -SO 2 -N (CO-OR 2 ) -R 3 -O-CO-CR 4 = CH 2 and R 1 -N (CO-OR 2 ) -SO 2 -R 3 -O Monomer of —CO—CR 4 ═CH 2 , wherein R 1 is (C 1 -C 20 ) alkyl, (C 3 -C 10 ) cycloalkyl, (C 6 -C 14 ) aryl or (C 7 -C 20 Is an aralkyl radical, wherein each methylene group in the alkyl containing radicals is optionally substituted by a hetero atom, and R 2 is (C 3 -C 11 ) alkyl, (C 3 -C 11 ) alkenyl or (C 7 -C 11 ) aralkyl, R 3 is unsubstituted or substituted (C 1 -C 6 ) alkyl, (C 3 -C 6 ) cycloalkyl, (C 6 -C 14 ) aryl or (C 7 -C 20 ) an aralkyl radical, R 4 is a hydrogen atom or a methyl group.

본 발명은 또한 일반식 -R3-N(CO-OR2)-SO2-R1(Ⅰ) 및/또는 -R3-SO2-N(CO-OR2)-R1(Ⅱ)의 펜던트 그룹을 갖는 단위를 5몰%이상 포함하는 중합체, 화학 방사선의 영향하에서 산을 형성하는 화합물(a)와 수성 알칼리성 현상액 중에서 이의 분해 생성물의 용해도가 출발 화합물보다 큰 산 분해가능한 화합물을 포함하는 방사선 민감성 화합물(b)[여기서, 산 분해가능한 화합물(b)는 상기 유형의 중합체이다] 및 지지체와 방사선 민감성 층을 포함하는 기록 물질에 관한 것이다.The invention also relates to the general formula -R 3 -N (CO-OR 2 ) -SO 2 -R 1 (I) and / or -R 3 -SO 2 -N (CO-OR 2 ) -R 1 (II) A polymer comprising at least 5 mol% of units having a pendant group, a radiation comprising a compound (a) which forms an acid under the influence of actinic radiation, and an acid decomposable compound having a higher solubility of its decomposition product in an aqueous alkaline developer than the starting compound. A recording material comprising a sensitive compound (b), wherein the acid degradable compound (b) is a polymer of this type, and a support and a radiation sensitive layer.

본 발명에 따른 혼합물은 특히 오프셋 인쇄판 및 감광성 내식막을 제조하는데 적합하다.The mixtures according to the invention are particularly suitable for producing offset printing plates and photoresists.

Description

[발명의 명칭][Name of invention]

N,N-이치환 설폰아미드 펜던트 그룹을 갖는 중합체 및 이의 용도Polymers with N, N-disubstituted sulfonamide pendant groups and uses thereof

[발명의 상세한 설명]Detailed description of the invention

본 발명은 N,N-이치환 설폰아미드 그룹을 함유하는 단량체, N,N-이치환 설폰아미드 펜던트 그룹(pendent group)을 함유하는 중합체, 및 화학선(actinic radiation)의 영향하에 산을 형성하는 화합물(a), 수성 알칼리성 현상액 중에서 이의 분해 생성물의 용해도가 출발 화합물보다 큰 산 분해가능한 화합물(b) 및 물 속에서는 불용성이나 알칼리성 수용액 중에서는 수용성이거나 적어도 팽윤성인 중합체성 결합제(c)를 함유하는 방사선 감수성 혼합물(radiation-sensitive mixture)에 관한 것이다.The present invention relates to a monomer containing an N, N-disubstituted sulfonamide group, a polymer containing an N, N-disubstituted sulfonamide pendant group, and a compound that forms an acid under the influence of actinic radiation ( a), a radiation sensitive mixture containing an acid-decomposable compound (b) having a higher solubility of its decomposition product in the aqueous alkaline developer than the starting compound and a polymeric binder (c) that is insoluble in water or water-soluble or at least swellable in alkaline aqueous solutions. (radiation-sensitive mixture).

이는 오프셋 인쇄판 및 감광성 내식막(photoresist)을 제조하기 위한 기판과 방사선 감수성 층을 포함하는 기록 물질용으로 특히 적합하다.It is particularly suitable for recording materials comprising a substrate for producing an offset printing plate and a photoresist and a radiation sensitive layer.

포지티브(positive) 방사선 감수성 기록 층, 즉 용해도가 비조사 영역(non-irradiated zone)에서 보다 조사 영역(irradiated zone)에서 훨씬 큰 층은 공지되어 있다. 이들 층에서의 감광성 성분으로서는, 특히 오르토-나프토퀴논디아지드가 통상적으로 허용된다. 그러나, 이들 층의 감광성은 통상적으로는 만족스럽지 못하다.Positive radiation sensitive recording layers, i.e. layers in which solubility is much larger in the irradiated zone than in the non-irradiated zone, are known. As the photosensitive component in these layers, especially ortho-naphthoquinonediazide is usually acceptable. However, the photosensitivity of these layers is usually not satisfactory.

이른바 비교적 "화학적으로 증강된(chemically enhanced)" 혼합물은 양자수율(quantum yield)이 1 이상이기 때문에 감광성이 높다. 일반적으로 포지티브의 "화학적으로 증강된" 혼합물은 대개, 수성 알칼리성 현상액 중에서 이의 분해 생성물의 용해도가 초기 화합물의 것보다 훨씬 큰 산 형성 성분 및 산 분해가능한 성분을 함유한다.So-called relatively "chemically enhanced" mixtures are highly photosensitive because their quantum yield is greater than one. In general, positive "chemically enhanced" mixtures usually contain acid-forming and acid-decomposable components whose solubility of their degradation products in aqueous alkaline developers is much higher than that of the initial compounds.

지금까지 사용된 산 분해가능한 화합물은 단량체성 및 중합체성 아세탈과 하이드록실 또는 아미노 성분으로서 방향족 화합물(참조: 미국 특허원 제3 779 778호) 및 오르토에스테르와 아미드 아세탈(참조: DE-B 제26 10 842호)을 함유하는 O,N-아세탈이다. 포지티브 방사선 감수성 혼합물은 중합체성 오르토에스테르(참조: EP-B 제0 022 571호), 중합체성 지방족 아세탈(참조: 독일 특허원 제27 18 254호), 에놀 에테르(참조: EP-B 제0 006 627호) 및 N-아실이미노카보네이트(참조: EP-B 제0 006 626호)를 사용할 경우에도 수득된다. 분해 반응을 개시하기 위한 상기 유형의 혼합물은 광화학적으로 발생되는 산 뿐만 아니라 물도 필요로 하며, 이는 실제 적용시 문제를 야기시킨다. 더욱이, 상기 화합물중 다수는 입수하기가 쉽지 않다.Acid decomposable compounds used to date include monomeric and polymeric acetals and aromatic compounds as hydroxyl or amino components (see US Patent Application No. 3 779 778) and orthoesters and amide acetals (DE-B 26). 10, 842) containing O, N-acetal. Positive radiation sensitive mixtures include polymeric orthoesters (see EP-B 0 022 571), polymeric aliphatic acetals (Germany Patent No. 27 18 254), enol ethers (EP-B 0 006). 627) and N-acyliminocarbonates (see EP-B 0 006 626). Mixtures of this type for initiating the decomposition reaction require not only photochemically generated acids but also water, which causes problems in practical applications. Moreover, many of these compounds are not readily available.

조사시에 산을 생성하는 화합물을 함유하고, 또한 산 불안정성 t-부톡시카보닐 또는 t-부톡시카보닐옥시 펜던트 그룹을 갖는 중합체를 함유하는 포지티브 방사선 감수성 혼합물은 유럽 특허원 제0 102 450호 및 유럽 특허원 제0 366 590호에 기술되어 있다. 그러나, 상기의 중합체 대신에 산 불안정성 그룹을 갖는 저분자량 화합물을 함유하는 유사한 혼합물이 유럽 특허원 제0 249 139호에 기술되어 있다. 일반적으로는, 분자량이 1,000 미만인 저분자량 화합물 중의 산 불안정성 그룹으로는, 특히 t-부톡시, t-부톡시카보닐, t-부톡시카보닐옥시, 1-메틸-1-페닐에톡시카보닐 및 트리메틸실라닐옥시 그룹이 있다. 한편, 상기의 시스템은 분해 반응을 개시하는데 물을 필요로 하지는 않지만 다른 단점을 지닌다. 예를 들어, 이들은 비교적 높은 "암 융식율(dark ablation)"[예를 들어, 현상액 중에서 방사선 감수성 층의 용해도가 비노출 영역에서 조차 비교적 높다]을 나타냄으로써 노출 영역과 비노출 영역간의 차이가 적다.Positive radiation sensitive mixtures containing a compound which produces an acid upon irradiation and which also contain a polymer having an acid labile t-butoxycarbonyl or t-butoxycarbonyloxy pendant group are described in European Patent Application No. 0 102 450 And EP 0 366 590. However, similar mixtures containing low molecular weight compounds having acid labile groups instead of the above polymers are described in EP 0 249 139. Generally, as an acid labile group in a low molecular weight compound whose molecular weight is less than 1,000, t-butoxy, t-butoxycarbonyl, t-butoxycarbonyloxy, 1-methyl-1-phenylethoxycarbonyl And trimethylsilanyloxy groups. On the other hand, the above system does not require water to initiate the decomposition reaction but has other disadvantages. For example, they exhibit a relatively high "dark ablation" (eg, the solubility of the radiation sensitive layer in the developer is relatively high even in the unexposed areas), so that the difference between the exposed and non-exposed areas is small.

본 발명의 목적은, 간단하면서도 염가로 제조가능하고, 화학선, 특히 엑시머 레이저(excimer laser) 및 고압 수은 램프에 의해 방출되는 화학선에 대해 감수성이 높은 포지티브의 "화학적으로 증강된" 혼합물에 특히 적합한 산 분해가능한 화합물을 개발하고자 하는 것이다.It is an object of the present invention, in particular to positive, "chemically enhanced" mixtures which are simple and inexpensive and which are sensitive to actinic radiation, in particular excimer lasers and actinic radiation emitted by high-pressure mercury lamps. It is an attempt to develop suitable acid degradable compounds.

상기 목적은, 본 발명에 따라 하기 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 N,N-이치환 설폰아미드 그룹을 갖는 단량체 및 일반식 (Ⅰ) 및/또는 (Ⅱ)의 펜던트 그룹을 갖는 단위가 5몰% 이상인 중합체를 제공함으로써 달성된다.The object is that according to the invention, a monomer having a N, N-disubstituted sulfonamide group of the following general formula (I) or (II) and a unit having a pendant group of the general formula (I) and / or (II) By providing a polymer that is at least mole%.

-R3-N(CO-OR2)-SO2-R1(Ⅰ)-R 3 -N (CO-OR 2 ) -SO 2 -R 1 (Ⅰ)

-R3-SO2-N(CO-OR2)-R1(Ⅱ)-R 3 -SO 2 -N (CO-OR 2 ) -R 1 (II)

상기식에서,In the above formula,

R1은 (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C14)아릴 또는 (C7-C20)아르알킬라디칼(여기서, 알킬을 함유하는 라디칼에서 각각의 메틸렌 그룹은 비치환되거나 헤테로 원자로 치환된다)이고,R 1 is (C 1 -C 20 ) alkyl, (C 3 -C 10 ) cycloalkyl, (C 6 -C 14 ) aryl or (C 7 -C 20 ) aralkylradical, wherein in a radical containing alkyl Each methylene group is unsubstituted or substituted with a hetero atom),

R2는 (C3-C11)알킬, (C3-C11)알케닐 또는 (C7-C11)아르알킬 라디칼이고,R 2 is a (C 3 -C 11 ) alkyl, (C 3 -C 11 ) alkenyl or (C 7 -C 11 ) aralkyl radical,

R3은 비치환되거나 치환된 (C1-C12)알킬렌, (C3-C12)사이클로알킬렌, (C6-C15)아릴렌 또는 (C8-C20)아릴렌디알킬 라디칼이다.R 3 is an unsubstituted or substituted (C 1 -C 12 ) alkylene, (C 3 -C 12 ) cycloalkylene, (C 6 -C 15 ) arylene or (C 8 -C 20 ) arylenedialkyl radical to be.

R2는 바람직하게는 (C3-C6)알킬 라디칼, 특히 바람직하게는 이소프로필, 2급-부틸 또는 3급-부틸 라디칼이다.R 2 is preferably a (C 3 -C 6 ) alkyl radical, particularly preferably an isopropyl, secondary-butyl or tert-butyl radical.

실시예에서 기술하는 바와 같이, 중합체는 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ) 그룹을 갖는 단위를, 바람직하게는 10 내지 90몰%, 특히 바람직하게는 20 내지 80몰%로 함유한다. 따라서, 통상적으로는 단독중합체 보다 공중합체가 바람직하다. 중합체의 분자량은 통상적으로는 2,000 내지 100,000, 바람직하게는 5,000 내지 50,000이다.As described in the examples, the polymer contains units having the general formula (I) or (II) groups, preferably from 10 to 90 mol%, particularly preferably from 20 to 80 mol%. Therefore, copolymers are usually preferred over homopolymers. The molecular weight of the polymer is usually 2,000 to 100,000, preferably 5,000 to 50,000.

적합한 공단량체는 원칙적으로는 산 분해가능한 그룹이 없는 모든 중합가능한 화합물이다. 본 명세서에서 "산 분해 불가능한(non acid cleavable)"이란 본 발명에 따른 혼합물 중에서 생성된 산에 의해 그룹을 분해시킬 수 없음을 의미한다. 상기 공단량체는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, (C1-C10)알킬 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, (C6-C10)아릴 아크릴레이트 및 메타크릴레이트(특히, 페닐 아크릴레이트, 페닐 메타크릴레이트 및 피로카테콜 모노메타크릴레이트), 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 비치환되거나 치환된 N-(C1-C10)알킬아크릴아미드 및 -메타크릴아미드(특히, N-(2-하이드록시에틸)아크릴아미드 및 -메타크릴아미드), N,N-디-(C1-C10)알킬아크릴아미드, N-페닐아크릴아미드 및 -메타크릴아미드, N,N-디페닐아크릴아미드 및 -메타크릴아미드, N-(C1-C10)알킬-N-(C6-C10)아릴아크릴아미드(특히 N-페닐-N-메틸아크릴아미드 및 -메타크릴아미드), N-프탈이미도메틸-메타크릴아미드, 알릴 화합물(예: 알릴 에스테르 및 알릴 옥시에탄올), 비닐 화합물(예: 비닐 에테르 및 비닐 에스테르), 비닐 방향족 화합물(예: 스티렌, 알킬스티렌, 알콕시스티렌, 하이드록시스티렌, 알킬-하이드록시스티렌, 아세톡시스티렌, α-메틸스티렌, α-메틸-하이드록시스티렌) 및 마지막으로 아크릴로니트릴과 메타크릴로니트릴이 있다. 이들 보다는 덜 바람직하지만 산 분해가능한 그룹을 갖는 공단량체를 사용하는 것이 특정한 상황하에서는 편리하다.Suitable comonomers are in principle all polymerizable compounds free of acid degradable groups. By "non acid cleavable" is meant herein that the group cannot be decomposed by the acid produced in the mixture according to the invention. The comonomers are for example acrylic acid, methacrylic acid, (C 1 -C 10 ) alkyl acrylates and methacrylates, (C 6 -C 10 ) aryl acrylates and methacrylates (especially phenyl acrylates, Phenyl methacrylate and pyrocatechol monomethacrylate), acrylamide, methacrylamide, unsubstituted or substituted N- (C 1 -C 10 ) alkylacrylamide and -methacrylamide (especially N- (2 -hydroxyethyl) acrylamide and-methacrylamide), N, N- di - (C 1 -C 10) alkyl acrylamide, N- phenyl-acrylamide and-methacrylamide, N, N- diphenyl-acrylamide And -methacrylamide, N- (C 1 -C 10 ) alkyl-N- (C 6 -C 10 ) arylacrylamides (especially N-phenyl-N-methylacrylamide and -methacrylamide), N-phthal Imidomethyl-methacrylamide, allyl compounds such as allyl esters and allyl oxyethanol, vinyl compounds such as vinyl ethers and vinyl s Tere), vinyl aromatic compounds (e.g., styrene, alkylstyrene, alkoxystyrene, hydroxystyrene, alkyl-hydroxystyrene, acetoxystyrene, α-methylstyrene, α-methyl-hydroxystyrene) and finally acrylonitrile And methacrylonitrile. It is convenient under certain circumstances to use comonomers which are less preferred than these but have acid decomposable groups.

일반식(Ⅰ)의 N,N-이치환 설폰아미드 그룹을 갖는 바람직한 단량체는 R1-SO2-N(CO-OR2)-R3-O-CO-CR4=CH2이고, 일반식(Ⅱ)의 그룹을 갖는 바람직한 단량체는 R1-N(CO-OR2)-SO2-R3-O-CO-CR4=CH2(여기서, R4는 수소원자 또는 메틸 그룹이다)이다. 따라서 바람직한 단량체는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트이다.Preferred monomers having an N, N-disubstituted sulfonamide group of formula (I) are R 1 -SO 2 -N (CO-OR 2 ) -R 3 -O-CO-CR 4 = CH 2, wherein Preferred monomers having a group of II) are R 1 -N (CO-OR 2 ) -SO 2 -R 3 -O-CO-CR 4 = CH 2 , where R 4 is a hydrogen atom or a methyl group. Preferred monomers are therefore acrylates or methacrylates.

N,N-이치환 설폰아미드 그룹을 갖는 단량체는, 촉매량의 유기 염기(예: 4-디메틸아미노피리딘)의 존재하에 알콜 성분으로서 그룹 -OR2을 함유하는 활성화된 카본산 에스테르와 이들을 반응시킴으로써 N-일치환 설폰아미드 그룹을 갖는 상응하는 화합물로부터 제조할 수 있다.Monomers having an N, N-disubstituted sulfonamide group are reacted with an activated carboxylic acid ester containing a group -OR 2 as an alcohol component in the presence of a catalytic amount of an organic base (e.g. 4-dimethylaminopyridine). It can be prepared from the corresponding compound having a monocyclic sulfonamide group.

N-일치환 설폰아미드는 설폰산 및 1차 아민으로부터 당해 분야의 숙련가들에게 공지된 방법에 따라 제조할 수 있다. 일반식(Ⅱ)의 그룹을 갖는 단량체의 제조 방법은 일반적으로는 모노아민을 사용한다. 모노아민은 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 6인 직쇄 또는 측쇄의 알킬아민[예: 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 2급-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민, 1-메틸부틸아민, 2-메틸부틸아민 및 헥실아민]이다. 또한 탄소수가 3 내지 12인 사이클로알킬아민이 바람직하고, 탄소수가 5 내지 8인 사이클로알킬아민(예: 사이클로펜틸아민, 사이클로헥실아민, 사이클로헵틸아민 및 사이클로옥틸아민)이 특히 바람직하다. 방향족 모노아민 중에서는 탄소수 6 내지 15인 것이 바람직하고, 이의 방향족 부분은 특히 할로겐 원자, 알킬 또는 알콕시 그룹으로 치환될 수 있다. 바람직한 방향족 아민의 예로는 아닐린, 4-메틸아닐린, 4-에틸아닐린, 4-메톡시아닐린, 3-메톡시아닐린, 4-에톡시아닐린, 4-페녹시아닐린, 나프틸아민, 비페닐아민, 1- 및 2-아미노안트라센 및 9-아미노페난트렌이 있다. 아르알킬아민중에서는 탄소수 7 내지 20인 것이 바람직하다. 이들은 방향족 아민과 동일한 방법으로 치환될 수 있다. 적합한 아르알킬아민의 예는 벤질아민, 4-메톡시벤질아민, 2,2- 및 3,3-디페닐프로필아민이다.N-monosubstituted sulfonamides can be prepared from sulfonic acids and primary amines according to methods known to those skilled in the art. The method for producing a monomer having a group of general formula (II) generally uses monoamine. Monoamines are preferably straight or branched chain alkylamines having 1 to 12 carbon atoms, particularly preferably 1 to 6 carbon atoms [eg methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, butylamine, secondary- Butylamine, isobutylamine, t-butylamine, pentylamine, 1-methylbutylamine, 2-methylbutylamine and hexylamine]. Furthermore, cycloalkylamines having 3 to 12 carbon atoms are preferred, and cycloalkylamines having 5 to 8 carbon atoms such as cyclopentylamine, cyclohexylamine, cycloheptylamine and cyclooctylamine are particularly preferred. Among the aromatic monoamines, those having 6 to 15 carbon atoms are preferred, and the aromatic moiety thereof may be particularly substituted with halogen atoms, alkyl or alkoxy groups. Examples of preferred aromatic amines include aniline, 4-methylaniline, 4-ethylaniline, 4-methoxyaniline, 3-methoxyaniline, 4-ethoxyaniline, 4-phenoxyaniline, naphthylamine, biphenylamine, 1- and 2-aminoanthracene and 9-aminophenanthrene. In aralkylamine, it is preferable that it is C7-20. These may be substituted in the same way as aromatic amines. Examples of suitable aralkylamines are benzylamine, 4-methoxybenzylamine, 2,2- and 3,3-diphenylpropylamine.

일반식(Ⅰ)의 그룹을 갖는 단량체를 제조하는데 중합가능한 올레핀계의 불포화 그룹 또는 상기 중합가능한 그룹에 결합하는 작용 그룹을 갖는 1차 아민을 사용한다. 상기한 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 제조하는데는 하이드록시아민(예: 에탄올아민)이 특히 적합하다. 하이드록시 그룹을, 예를 들어 메타크릴산 무수물과 반응시켜 중합가능한 이중 결합을 도입할 수 있다.In preparing a monomer having a group of general formula (I), a primary amine having a polymerizable olefin-based unsaturated group or a functional group bonded to the polymerizable group is used. Hydroxyamines such as ethanolamine are particularly suitable for preparing the above acrylates and methacrylates. The hydroxy group can be reacted with, for example, methacrylic anhydride to introduce a polymerizable double bond.

동일한 내용이 아민에 대한 단량체의 제조에 사용되는 설폰산에도 적용된다. 일반식(Ⅰ)의 그룹을 갖는 단량체를 제조하는데 바람직한 설폰산으로는 메탄설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 에탄설폰산, 프로판설폰산, 퍼플루오로프로판설폰산, 퍼플루오로부탄설폰산, 헥산설폰산, 퍼플루오로옥탄설폰산, 벤젠설폰산, 펜타플루오로벤젠설폰산, p-톨루엔설폰산 및 나프탈렌설폰산이 있다. 따라서 일반식(Ⅱ)의 그룹을 갖는 단량체를 제조하는데는 일반식(Ⅰ)의 그룹을 갖는 단량체를 제조하기 위한 아민과 동일한 방법으로 작용화된 설폰산을 사용한다. 작용화된 설폰산의 예로는 4-하이드록시 벤젠설폰산이 있다.The same applies to the sulfonic acids used in the preparation of monomers for amines. Preferred sulfonic acids for preparing monomers having a group of general formula (I) include methanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, perfluoropropanesulfonic acid, perfluorobutanesulfonic acid Hexanesulfonic acid, perfluorooctanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, pentafluorobenzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid and naphthalenesulfonic acid. Thus, to prepare monomers having a group of formula (II), sulfonic acids functionalized in the same way as amines for preparing monomers having a group of formula (I) are used. An example of a functionalized sulfonic acid is 4-hydroxy benzenesulfonic acid.

설폰산은 일반적으로 반응에서는 상기한 바와 같이 사용되지 않고, 보다 반응성인, 소위 "활성화된" 형태로 사용된다. 이에는 특히 설포닐 할라이드, 특히 염화설포닐이 포함된다.Sulphonic acid is generally not used in the reaction as described above, but in the more reactive, so-called "activated" form. This includes in particular sulfonyl halides, in particular sulfonyl chloride.

소위 "활성화된 카본산 에스테르"는 -CO-OR2와 N-일치환 설폰아미드의 아실화를 수행할 수 있는 것들이다. 이들은 특히 디알킬디카보네이트(=피로카본산 디알킬 에스테르)이다. 디-3급-부틸 디카보네이트(=O[CO2-C(CH3)3]2)가 특히 바람직하다.So-called "activated carboxylic acid esters" are those capable of carrying out acylation of -CO-OR 2 and N-monosubstituted sulfonamides. These are especially dialkyldicarbonates (= pyrocarboxylic acid dialkyl esters). Particular preference is given to di-tert-butyl dicarbonate (= O [CO 2 -C (CH 3 ) 3 ] 2 ).

활성화된 카본산 에스테르와 N-일치환 설폰아미드의 반응은, 반응 조건하에, 각각의 경우 N-일치환 설폰아미드의 몰 양을 기준으로 하여, 0.01 내지 10몰%, 바람직하게는 0.05 내지 2몰%의 유기 염기의 존재하에 반응 혼합물 중의 다른 성분과 어떠한 비가역 반응도 개시하지 않는 용매 중에서 바람직하게 수행된다. 상기의 염기는 바람직하게는 3급 아민(예: 디알킬아미노피리딘)이다. 적합한 용매로는 특히 테트라하이드로푸란, 에틸 아세테이르, 디에틸 에테르, 부탄온(=메틸 에틸 케톤)이 있다. 초기 충전물로서 N-일치환 설폰아미드 및 유기 염기를 용해된 형태로 도입하고, 이 혼합물에 활성화된 카본산 에스테르를 서서히 가하는 것이 편리하다는 사실이 밝혀졌다. 반응은 일반적으로는 0 내지 80℃, 바람직하게는 10 내지 50℃의 온도에서 수행한다. 반응 혼합물을 물속에 붓고, 침전물을 여과하고 건조시키거나, 또는 단순히 감압하에서 휘발 성분을 스트리핑시킴으로써 반응 생성물을 충분한 순도로 분리시킬 수 있다. 필요한 경우, 재결정, 재침전, 증류 또는 예비 크로마토그래피법에 의해 추가로 정제할 수 있다.The reaction of the activated carboxylic acid ester with the N-monosubstituted sulfonamide is, under reaction conditions, in each case from 0.01 to 10 mole percent, preferably 0.05 to 2 mole, based on the molar amount of the N-monosubstituted sulfonamide It is preferably carried out in a solvent which does not initiate any irreversible reaction with the other components in the reaction mixture in the presence of% organic base. The base is preferably a tertiary amine such as dialkylaminopyridine. Suitable solvents are in particular tetrahydrofuran, ethyl acetate, diethyl ether, butanone (= methyl ethyl ketone). It was found to be convenient to introduce N-monosubstituted sulfonamides and organic bases in dissolved form as an initial charge and to slowly add activated carboxylic acid esters to this mixture. The reaction is generally carried out at a temperature of 0 to 80 ° C, preferably 10 to 50 ° C. The reaction product can be separated into sufficient purity by pouring the reaction mixture into water, filtering the precipitate and drying, or simply stripping the volatile components under reduced pressure. If necessary, it can be further purified by recrystallization, reprecipitation, distillation or preparative chromatography.

본 발명에 따라, 화학선의 영향하에 산을 형성하는 화합물(a) 및 수성 알칼리성 현상액 중에서 이의 분해 생성물의 용해도가 출발 화합물의 것보다 큰 산 분해가능한 화합물(b)[여기서, 산 분해가능한 화합물 (b)는 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 N,N-이치환 설폰아미드 펜던트 그룹을 갖는 단위를 5몰% 이상 함유하는 중합체이다]을 함유하는 방사선 감수성 화합물이 또한 제안되어 있다.According to the present invention, an acid-decomposable compound (b) having a solubility of an acid-forming compound (a) and its decomposition product in an aqueous alkaline developer under the influence of actinic radiation than that of the starting compound, wherein the acid-decomposable compound (b ) Is a polymer containing 5 mol% or more of units having N, N-disubstituted sulfonamide pendant groups of general formula (I) or (II).

화학선의 영향하에, 바람직하게는 강산을 형성하는 화합물(a)로서 적합한 것은, 예를 들어, 특히 디아조늄, 포스포늄, 설포늄 및 요오도늄 형, 할로겐 화합물, o-퀴논 디아지드설포클로라이드, 에스테르와 아미드, 및 또한 유기 금속/유기 할로겐 혼합물이다. 상기의 디아조늄, 포스포늄, 설포늄 및 요오도늄 화합물은 통상적으로는 유기 용매중에서 이들의 가용성 염의 형태로 사용되는데, 특히 설포네이트의 형태로, 특별하게는 트리플루오로메탄설포네이트, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 헥사플루오로안티모네이트 또는 헥사플루오로아르세네이트의 형태로 사용된다. 그러나, 1,2-나프토퀴논-2-디아지드설폰산의 할라이드, 에스테르 및 아미드를 사용할 수도 있다. 그러나, O-나프토퀴논 디아지드의 조사에 따라 생성되는 인덴 카복실산의 산도는 충분한 영상 방식의 차별화에 겨우 해당할 뿐이다. 따라서, 상기 그룹중에서는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-설포닐 클로라이드가 바람직한데, 이는 조사시에 3개의 산을 형성하여 비교적 큰 증강 인자를 수득하도록 한다. 결국, 적합한 산 형성제는 또한 유기 할로겐 화합물, 예를 들어 탄소원자 또는 방향족 환 위에 하나 이상의 할로겐 원자를 함유하는 화합물을 포함한다. 상기 할로겐 함유 화합물의 분광 감도는 자체 공지된 감광제에 의해 개질되고 증가될 수 있다. 특히 적합한 산 형성제의 예로는 상기한 화합물 뿐만 아니라 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-설포닐 클로라이드; 4-디프로필아미노벤젠디아조늄 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트 및 트리플루오로메탄설포네이트; 2,5-디에톡시-4-p-톨릴머캅토벤젠디아조늄 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트 및 트리플루오로메탄설포네이트; 4-아닐리노벤젠디아조늄 설페이트 및 4-디에틸아미노벤젠디아조늄 트리플루오로메탄설포네이트가 있다. 또한 4-메틸-6-트리클로로메틸-2-피론; 4-(3,4,5-트리메톡시스티릴)-6-트리클로로메틸-2-피론; 4-(4-메톡시스티릴)-6-(3,3,3-트리클로로프로페닐)-2-피론; 2-트리클로로메틸벤즈이미다졸; 2-트리브로모메틸퀴놀린-4-온; 2,4-디메틸-1-트리브로모아세틸벤젠; 3-니트로-1-트리브로모아세틸벤젠; 4-디브로모아세틸벤조산; 1,4-비스-디브로모메틸-벤젠; 치환된 4,6-비스-트리클로로메틸-2급-트리아진(예: 2-(6-메톡시나프탈렌-2-일)-, 2-(나프탈렌-1-일)-, 2-(나프탈렌-2-일)-, 2-[4-(2-에톡시에틸)-나프탈렌-1-일]-, 2-벤조피란-3-일, 2-페난트렌-9-일- 및, 2-(4-메톡시안트라센-1-일)-4,6-비스-트리클로로메틸-2급-트리아진 및 트리스-디브로모메틸-2급-트리아진을 사용할 수도 있다.Under the influence of actinic radiation, suitable as compounds (a), which preferably form strong acids, are, for example, in particular diazonium, phosphonium, sulfonium and iodonium forms, halogen compounds, o-quinone diazidesulfochloride, Esters and amides, and also organometallic / organic halogen mixtures. The above diazonium, phosphonium, sulfonium and iodonium compounds are usually used in the form of their soluble salts in organic solvents, in particular in the form of sulfonates, in particular trifluoromethanesulfonate, tetrafluoro Used in the form of roborate, hexafluorophosphate, hexafluoroantimonate or hexafluoroarsenate. However, halides, esters and amides of 1,2-naphthoquinone-2-diazidesulfonic acid can also be used. However, the acidity of the indene carboxylic acid produced by the irradiation of O-naphthoquinone diazide only corresponds to sufficient imaging differentiation. Thus, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonyl chloride is preferred in this group, which forms three acids upon irradiation to obtain a relatively large enhancer. Finally, suitable acid formers also include organic halogen compounds, for example compounds containing one or more halogen atoms on carbon atoms or aromatic rings. The spectral sensitivity of the halogen containing compound can be modified and increased by photosensitizers known per se. Examples of particularly suitable acid formers include the above-mentioned compounds as well as 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonyl chloride; 4-dipropylaminobenzenediazonium tetrafluoroborate, hexafluorophosphate and trifluoromethanesulfonate; 2,5-diethoxy-4-p-tolylmercaptobenzenediazonium tetrafluoroborate, hexafluorophosphate and trifluoromethanesulfonate; 4-anilinobenzenediazonium sulfate and 4-diethylaminobenzenediazonium trifluoromethanesulfonate. Also 4-methyl-6-trichloromethyl-2-pyrone; 4- (3,4,5-trimethoxystyryl) -6-trichloromethyl-2-pyrone; 4- (4-methoxystyryl) -6- (3,3,3-trichloropropenyl) -2-pyrone; 2-trichloromethylbenzimidazole; 2-tribromomethylquinolin-4-one; 2,4-dimethyl-1-tribromoacetylbenzene; 3-nitro-1-tribromoacetylbenzene; 4-dibromoacetylbenzoic acid; 1,4-bis-dibromomethyl-benzene; Substituted 4,6-bis-trichloromethylsecondary-triazines such as 2- (6-methoxynaphthalen-2-yl)-, 2- (naphthalen-1-yl)-, 2- (naphthalene 2-yl)-, 2- [4- (2-ethoxyethyl) -naphthalen-1-yl]-, 2-benzopyran-3-yl, 2-phenanthrene-9-yl-, and 2- (4-methoxyanthracen-1-yl) -4,6-bis-trichloromethyl-secondary-triazine and tris-dibromomethyl-secondary-triazine can also be used.

혼합물 중에서 산 형성 화합물(들)(a)의 비율은 혼합물의 조성에 따라 다양하다. 각각의 경우에, 혼합물중의 총 고체 중량을 기준으로 하여 약 0.1 내지 20중량%, 바람직하게는 0.2 내지 10중량%에서 양호한 결과가 수득된다. 특히, 두께가 10㎛ 이상인 복사 층에 있어서는 비교적 소량의 산 형성제를 사용하는 것이 바람직하다.The proportion of acid forming compound (s) (a) in the mixture varies depending on the composition of the mixture. In each case, good results are obtained at about 0.1 to 20% by weight, preferably 0.2 to 10% by weight, based on the total weight of solids in the mixture. In particular, in the radiation layer having a thickness of 10 µm or more, it is preferable to use a relatively small amount of an acid forming agent.

통상적인 산 분해가능한 중합체(b)의 비율은 각각의 경우에, 혼합물중의 총고체 중량을 기준으로 하여 약 30 내지 98중량%, 바람직하게는 50 내지 95중량%이다.The proportion of conventional acid degradable polymers (b) is in each case about 30 to 98% by weight, preferably 50 to 95% by weight, based on the total solids weight in the mixture.

본 발명에 따른 산 분해가능한 화합물 이외에도 다른 성분이 혼합물중에 존재할 수 있다. 특히, t-부톡시 카보닐 그룹을 갖는 중합체가 있다. 그러나 상기의 산 분해가능한 화합물을 추가로 갖는 혼합물은 통상적으로는 바람직스럽지 못하다.In addition to the acid decomposable compounds according to the invention, other components may be present in the mixture. In particular, there are polymers having t-butoxy carbonyl groups. However, mixtures with additional acid decomposable compounds are usually undesirable.

필요한 경우, 당해 혼합물은 중합체성 유기 결합제를 추가로 함유할 수 있다. 특히 적합한 중합체성 결합제는 페놀 수지, 특히 크레졸-포름알데히드 노볼락(novolak, DIN 53181에 따른 융점 : 105 내지 120℃) 및 페놀-포름알데히드 노볼락(DIN 53181에 따른 융점 : 110 내지 120℃)이다.If necessary, the mixture may further contain a polymeric organic binder. Particularly suitable polymeric binders are phenolic resins, in particular cresol-formaldehyde novolac (novolak, melting point according to DIN 53181: 105 to 120 ° C) and phenol-formaldehyde novolak (melting point according to DIN 53181: 110 to 120 ° C). .

결합제의 유형 및 비율은 적용 목적에 좌우된다. 결합제의 비율은 각각의 경우에, 혼합물 중의 총 고체 중량을 기준으로 하여, 바람직하게는 5 내지 70중량%, 특히 바람직하게는 20 내지 50중량%이다.The type and proportion of binder depends on the purpose of the application. The proportion of binder is in each case preferably 5 to 70% by weight, particularly preferably 20 to 50% by weight, based on the total solids weight in the mixture.

산의 작용에 의해 알칼리 용해도를 증가시키는 결합제가 본 발명에 따른 혼합물에도 사용될 수 있다. 상기의 결합제는, 예를 들어, 페놀계 OH 그룹이 알칼리 용해도를 감소시키는 산 불안정성 그룹과 함께 제공되는 폴리하이드록시스티렌일 수 있다. 발명에 따른 화합물은 혼합물의 감광도에 역효과없이 암 융식율을 명백하게 감소시킨다.Binders that increase alkali solubility by the action of acids can also be used in the mixtures according to the invention. The binder may be, for example, polyhydroxystyrene in which a phenolic OH group is provided with an acid labile group that reduces alkali solubility. The compounds according to the invention clearly reduce the rate of cancer fusion without adversely affecting the photosensitivity of the mixture.

말레산 무수물 및 스티렌 뿐만 아니라 다른 알칼리 가용성 수지(예: 메타크릴산 및 메틸 메타크릴레이트, 비닐 아세테이트 및 크로톤산으로부터 제조된 공중합체)도 결합제로서 역시 적합하다.Maleic anhydride and styrene as well as other alkali soluble resins such as copolymers made from methacrylic acid and methyl methacrylate, vinyl acetate and crotonic acid are also suitable as binders.

또한, 동시에 공중합체에 의해 차례로 개질될 수 있는 수많은 수지, 바람직하게는 비닐 중합체[예: 폴리(비닐 아세테이트), 폴리아크릴레이트, 폴리(비닐 에테르) 및 폴리(비닐피롤리돈)]이 사용될 수 있다. 이들 수지의 가장 유리한 비율은 현상 조건에 따른 적용 요건 및 효과에 따라 좌우된다. 통상적으로는, 혼합물중의 총 고체 중량을 기준으로 하여 50중량% 이하이다.In addition, a number of resins, preferably vinyl polymers, such as poly (vinyl acetate), polyacrylates, poly (vinyl ethers) and poly (vinylpyrrolidone), which can be modified at the same time by copolymers in turn, can be used. have. The most advantageous ratio of these resins depends on the application requirements and the effects of the development conditions. Typically it is up to 50% by weight based on the total weight of solids in the mixture.

가요성, 접착성 또는 광택과 같은 특수 요구에 부합하기 위해, 방사선 감수성 혼합물은 추가로 폴리글리콜과 같은 물질, 에틸 셀룰로스와 같은 셀룰로스 유도체, 습윤제, 염료 및 미분된 안료를 함유할 수 있다. 특히 유용한 것으로 공지된 염료는 특히 이는 카비놀 염기 형태의 트리페닐메탄 염료이다. 가장 유리한 정량적인 성분비는 각각의 구체적인 경우에 대한 실험에 의해 용이하게 밝혀낼 수 있다.To meet special needs such as flexibility, adhesion or gloss, the radiation sensitive mixture may additionally contain materials such as polyglycol, cellulose derivatives such as ethyl cellulose, wetting agents, dyes and finely divided pigments. Dyes known to be particularly useful are in particular triphenylmethane dyes in the form of carbinol base. The most advantageous quantitative component ratios can be easily found by experiments for each specific case.

최종적으로 본 발명은 또한 기판 및, 본 발명에 따른 혼합물을 함유하는 방사선 감수성 층을 포함하는 기록 물질에 관한 것이다. 기록 물질은 통상적으로는 기판은 혼합물 용액으로 피복시켜 제조한다.Finally, the invention also relates to a recording material comprising a substrate and a radiation sensitive layer containing a mixture according to the invention. The recording material is usually prepared by coating the substrate with a mixture solution.

본 발명에 따른 방사선 감수성 혼합물로 적합한 용매로는 케톤(예: 메틸 에틸 케톤), 염소화 탄화수소(예: 트리클로로에틸렌 및 1,1,1-트리클로로에탄), 알콜(예: n-프로판올), 에테르(예: 테트라하이드로푸란), 글리콜 에테르(예: 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르) 및 에스테르(예: 부틸 아세테이트)가 있다. 더욱이 특수 목적용으로 아세토니트릴, 디옥산 또는 디메틸포름아미드와 같은 용매를 추가로 함유할 수 있는 혼합물을 사용하는 것도 가능하다. 원칙적으로는, 층의 구성 성분과 비가역적으로는 반응하지 않는 모든 용매를 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 의도하는 피복 공정, 층의 두께 및 건조 장치에 따라 선택되어야 한다. 바람직하게는 실험적인 양으로 약 5㎛ 이하의 박층이 스핀 피복에 의해 적용된다. 회전 디스크에 단일 적용시키거나, 또는 의료용 나이프를 사용하여 고체 함량이 약 40% 이하인 용액으로 두께가 60㎛ 이상인 층을 수득할 수 있다. 양측 피복은 바람직하게는 침지 피복에 의해 수행하며, 신속한 표면 건조가 유리하고 저비등 용매를 사용하여 달성된다. 시트 다이를 사용하여 피복 용액을 분무시키거나 롤러를 사용하여 적용시켜 스트립형 기재 물질을 피복시킨다. 커튼 피복(curtain coating)에 의해 각각의 판(예: 아연판 및 다중 금속판)을 피복시킬 수 있다.Suitable solvents for the radiation sensitive mixtures according to the invention include ketones (e.g. methyl ethyl ketone), chlorinated hydrocarbons (e.g. trichloroethylene and 1,1,1-trichloroethane), alcohols (e.g. n-propanol), Ethers such as tetrahydrofuran, glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and esters such as butyl acetate. It is furthermore possible to use mixtures which may further contain solvents such as acetonitrile, dioxane or dimethylformamide for special purposes. In principle, it is possible to use all solvents which do not irreversibly react with the components of the layer. However, they must be selected according to the intended coating process, the thickness of the layer and the drying apparatus. Preferably a thin layer of about 5 μm or less is applied by spin coating in an experimental amount. A single application to a rotating disk or a medical knife can be used to obtain a layer having a thickness of at least 60 μm with a solution having a solids content of about 40% or less. Both coatings are preferably carried out by immersion coatings, where rapid surface drying is advantageous and is achieved using low boiling solvents. The coating solution is sprayed using a sheet die or applied using a roller to coat the strip-like base material. Each plate (eg zinc plate and multiple metal plate) can be coated by curtain coating.

다른 포지티브 층, 특히 o-나프토퀴논 디아지드를 기본으로 하는 것과 비교할 경우, 본 발명에 따른 혼합물의 감광성은 두께에 따라 비교적 변화가 적기 때문에 보다 두꺼운 층을 제조할 수도 있다. 두께가 100㎛ 이상인 층을 노출시키고 가공하는 것이 가능하다.When compared to other positive layers, in particular o-naphthoquinone diazide, the photosensitivity of the mixtures according to the invention can be made thicker, since the change in thickness is relatively small. It is possible to expose and process a layer having a thickness of 100 μm or more.

두께가 10㎛ 이상인 층에 대한 바람직한 기판은 이후에 전달층에 대한 임시적 기판으로 제공되는 플라스틱 시트이다. 상기 목적과 색상 시트의 경우에는, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트로부터 제조된 폴리에스테르 시트가 바람직하다. 그러나, 폴리프로필렌과 같은 폴리올레핀 시트도 적합하다. 층의 두께가 10㎛ 미만일 경우, 사용된 박막 기판은 통상적으로는 금속이다. 오프셋 인쇄 판은, 기계적으로나 전기화학적으로 조악하고 화학적으로(예를 들어, 폴리비닐포스폰산, 규산염 또는 인산염을 사용함) 예비처리될 수 있는 임의의 양극 산화된 알루미늄을 사용하여 제조할 수 있다. 또한, 최상부 층으로는 Cu/Cr 또는 놋쇄/Cr을 함유하는 다중 금속판도 적합하다. 활판 인쇄판을 제조하기 위해, 본 발명에 따른 혼합물로부터 생성된 층은 아연판 또는 마그네슘 판이나 분말이 없는 부식용으로 시판되고 있는 미세결정성 합금에 적용할 수 있고, 또한 부식성 플라스틱(예: 폴리옥시메틸렌)에도 적용할 수 있다. 상기 층은 구리 또는 니켈 표면에서 우수한 접착성 및 내부식성을 가지므로 윤전 그라비어(rotogravure) 또는 망판 성형(halftone forme)용으로 적합하다. 유사하게는, 이들이 감광성 내식막으로 사용될 수 있으며, 화학적 밀링에도 사용할 수 있다.Preferred substrates for layers having a thickness of at least 10 μm are plastic sheets which subsequently serve as temporary substrates for the transfer layer. In the case of the above object and color sheet, for example, a polyester sheet made from polyethylene terephthalate is preferable. However, polyolefin sheets such as polypropylene are also suitable. If the thickness of the layer is less than 10 μm, the thin film substrate used is usually metal. Offset printing plates can be made using any anodized aluminum that can be mechanically, electrochemically coarse and chemically pretreated (eg using polyvinylphosphonic acid, silicate or phosphate). Also suitable as a top layer is a multiple metal plate containing Cu / Cr or brass / Cr. In order to produce letterpress printing plates, the layers produced from the mixtures according to the invention can be applied to zinc or magnesium plates or to microcrystalline alloys which are commercially available for powder-free corrosion, and also to corrosive plastics such as polyoxymethylene Can also be applied. The layers have good adhesion and corrosion resistance on copper or nickel surfaces and are therefore suitable for rotogravure or halftone forme. Similarly, they can be used as photoresist and also for chemical milling.

따라서, 경우에 따라 피복을 직접 수행하거나, 또는 임시 기판으로부터, 접착을 촉진시키기 위해 예비처리 가능한 유리 또는 세라믹 물질의 한쪽 또는 양쪽을 구리로 피복시킨 절연판을 포함하는 인쇄용 회로판지 물질 및, 예를 들어, 적당하게는 질화물 또는 산화물 층으로 존재할 수 있는 표면의 실리콘 웨이퍼로 건조층을 이동시켜 피복을 수행할 수 있다. 또한, 바람직하게는 투영(projection)에 의해 도시되고 알칼리성 현상액의 영향에 내성이 있는 목재, 섬유 및 다양한 물질의 표면, 직물 및 목재를 피복할 수 있다.Thus, for example, a printed circuit board material comprising an insulating plate which is directly coated or optionally coated with copper on one or both sides of the glass or ceramic material which can be pretreated to facilitate adhesion from a temporary substrate, for example. The coating may be carried out by transferring the dry layer to a silicon wafer on the surface, which may suitably be present as a nitride or oxide layer. It is also possible to coat the surfaces, fabrics and wood of wood, fibers and various materials, which are preferably shown by projection and resistant to the effects of alkaline developer.

당해 피복물은 통상의 조건하에 통상의 장비를 사용하여 건조시킬 수 있다. 이는 계속적으로 관측되는 방사선 감수성의 손실없이 대략 100℃의 온도에서, 단기간으로 보면 120℃ 정도의 고온에서도 잘 견딘다.The coating can be dried using conventional equipment under conventional conditions. It is well tolerated at temperatures of about 100 ° C. and at high temperatures of about 120 ° C. in the short term without the loss of radiation sensitivity continuously observed.

조사는 통상의 방사선 공급원[예: 터불러(tubular) 램프, 진동 크세논 방전(pulsed xenon discharge) 램프, 금속 할라이드 도포된 고압 수은 증기(metal halide-doped high-pressure mercury vapor) 램프 및 탄소 아크(carbon arc) 램프]을 사용하여 수행한다. 또한, 통상의 투영 및 금속 필라멘트 램프 광하의 확장 장치로 조사가 가능하거나, 또한 통상의 광 전구를 사용한 접촉 노출에 의해서도 가능하다. 또한, 조사는 레이저의 간섭 광(coherent light)을 사용하여 수행할 수도 있다. 고출력 단파장 레이저(예: 193 내지 633㎚의 파장을 방출하는 아르곤 이온 레이저, 크립톤 이온 레이저, 염료 레이저, 헬륨-카드뮴 레이저 및 엑시머 레이저)가 상기 목적에 적합하다. 레이저는 통상적으로 라스터(raster) 또는 스트로크(stroke)와 유사한 방법으로 컴퓨터 제어하에서 기록층 위로 통과하고 당해 방법에서 뒤의 영상을 조사한다.Irradiation may be carried out by conventional radiation sources such as tubular lamps, pulsed xenon discharge lamps, metal halide-doped high-pressure mercury vapor lamps and carbon arcs. arc) lamp]. It is also possible to irradiate with a conventional projection and expansion device under the light of the metal filament lamp, or by contact exposure using a conventional light bulb. Irradiation may also be performed using coherent light of the laser. High power short wavelength lasers are suitable for this purpose, such as argon ion lasers, krypton ion lasers, dye lasers, helium-cadmium lasers and excimer lasers emitting wavelengths from 193 to 633 nm. The laser typically passes over the recording layer under computer control in a manner similar to raster or stroke and illuminates the image behind it in that method.

전자 빔(electron beam)을 사용한 조사는 추가의 도시화 가능성(illustration possibility)을 성립시킨다. 전자 빔은 많은 다른 유기 물질처럼 본 발명에 따른 혼합물을 완전히 분해하고 가교결합시킬 수 있어, 패턴화와 현상없이 비조사 영역이 용매 또는 노출에 의해 제거될 경우에 네가티브 영상을 생성한다. 전자 빔의 강도가 낮고/낮거나 이의 기록 속도가 빠를 경우, 이와는 반대로 전자 빔은 고 용해도의 측면에서 상이한 효과를 나타내는데, 즉, 조사층 부분은 현상액에 의해 제거될 수 있다. 선택된 가장 바람직한 조건은 실험에 의해 용이하게 결정될 수 있다.Irradiation with an electron beam creates additional illustration possibilities. The electron beam, like many other organic materials, can completely decompose and crosslink the mixture according to the present invention, creating a negative image when the unirradiated areas are removed by solvent or exposure without patterning and development. When the intensity of the electron beam is low and / or its recording speed is high, on the contrary, the electron beam shows a different effect in terms of high solubility, that is, the irradiation layer portion can be removed by the developer. The most preferred conditions selected can be readily determined by experiment.

경우에 따라, 영상 방식의 노출 또는 조사 후에, 시판되고 있는 나프토퀴논디아지드 층 및 감광성 내식막에 대해 실제 동일한 현상액을 사용하여 2차 열처리한 후에 층을 제거할 수 있고, 이의 복사 조건에 관한한 신규한 층은 현상액 및 계획된 분무 현상 장비와 같은 통상의 방법으로 유리하게 조절될 수 있다. 수성의 현상 용액은, 예를 들어 소량의 유기 용매 뿐만 아니라 알칼리 금속 인산염, 규산염 또는 수산화물 및 습윤제도 함유할 수 있다. 특정한 경우에, 수성 알칼리성 현상액 대신에 현상액으로 물을 함유한 유기 용매 또는 유기 용매의 혼합물을 사용할 수 있다. 그러나, 바람직한 현상액은 알칼리성 수용액이다.In some cases, after exposure or irradiation of an imaging method, the layer may be removed after the second heat treatment using a commercially identical developer to the commercially available naphthoquinonediazide layer and the photoresist, and the radiation conditions thereof One novel layer can be advantageously adjusted by conventional methods such as developer and planned spray developing equipment. The aqueous developing solution may contain, for example, small amounts of organic solvents as well as alkali metal phosphates, silicates or hydroxides and wetting agents. In certain cases, an organic solvent containing water or a mixture of organic solvents may be used as the developer instead of the aqueous alkaline developer. However, preferred developer is an alkaline aqueous solution.

가장 유리한 현상액은 특정 경우에 있어서 층을 사용한 실험에 의해 결정될 수 있다. 경우에 따라, 기계적으로 현상을 도울 수 있다. 인쇄 도중의 강도와 침출제, 수정제 및 자외선에 경화될 수 있는 잉크에 대한 내성을 증진시키기 위해, 현상판을 단시간 동안 승온으로 가열할 수 있다.The most advantageous developer can in some cases be determined by experimentation with layers. In some cases, development can be helped mechanically. The developing plate can be heated to an elevated temperature for a short time in order to enhance the strength during printing and the resistance to leach agents, crystals and inks that can be cured by ultraviolet rays.

하기의 실시예는 본 발명에 따른 N,N-이치환 설폰아미드 그룹을 갖는 바람직한 단량체, 이를 사용하여 제조한 중합체 및 이 중합체를 사용하여 제조한 바람직한 감광성 혼합물을 제공하며, 이들은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 실시예에서 ppw는 중량부를 나타낸다.The following examples provide preferred monomers having N, N-disubstituted sulfonamide groups according to the invention, polymers prepared using them and preferred photosensitive mixtures prepared using the polymers, which are intended to limit the invention. no. In the examples ppw represents parts by weight.

[단량체의 제조][Production of Monomer]

1. N-3급-부톡시카보닐-N-(2-메타크릴로일옥시에틸)-p-톨루엔설폰아미드1.N-tert-butoxycarbonyl-N- (2-methacryloyloxyethyl) -p-toluenesulfonamide

a) 얼음으로 냉각시키면서 p-톨루엔설포닐 클로라이드 100g을 에탄올아민 80㎖에 1.5시간 동안 천천히 가한다. 반응 혼합물을 120℃로 가열한 다음, 이 온도에서 3시간 동안 유지시킨다. 70℃로 냉각시킨 후, 진한 염산 60㎖와 물 300㎖의 혼합물을 가한다. 이를 10분 동안 교반한 다음, 메틸렌 클로라이드 300㎖를 가하고, 유기 상을 분리한 다음 MgSO4로 건조시킨다. 회전 증발기 상에서 용매를 스트리핑한 후, 담황색 고체 [N-(2-하이드록시에틸)-p-톨루엔설폰아미드] 111.6g을 수득한다. 다음 단계에서 추가로 정제시키지 않고 이 생성물을 사용할 수 있다.a) 100 g of p-toluenesulfonyl chloride is slowly added to 80 ml of ethanolamine for 1.5 hours while cooling with ice. The reaction mixture is heated to 120 ° C. and then held at this temperature for 3 hours. After cooling to 70 ° C., a mixture of 60 mL concentrated hydrochloric acid and 300 mL water is added. It is stirred for 10 minutes, then 300 ml of methylene chloride are added, the organic phase is separated and then dried over MgSO 4 . After stripping the solvent on a rotary evaporator, 111.6 g of a pale yellow solid [N- (2-hydroxyethyl) -p-toluenesulfonamide] is obtained. This product can be used in the next step without further purification.

b) 얼음으로 냉각시키면서 부탄온 50㎖중의 N-(2-하이드록시에틸)p-톨루엔설폰아미드 8.9g의 용액에 메타크릴산 무수물 6.8㎖ 및 트리에틸아민 6.3㎖를 적가한다. 반응 혼합물이 실온에 도달하도록 한 다음, 다시 4시간 동안 환류시킨다. 이를 냉각시킨 후, 에틸 아세테이트를 가하고 혼합물을 물로 세척하고, 유기 상을 분리시킨 다음 황산마그네슘으로 건조시킨다. 회전 증발기 상에서 용매를 스트리핑한 후에 오일 [N-(2-메타크릴로일옥시에틸)-p-톨루엔설폰아미드] 11.2g이 남는다. 당해 오일성 생성물은 다음 단계에 직접 사용할 수 있다.b) 6.8 ml of methacrylic anhydride and 6.3 ml of triethylamine are added dropwise to a solution of 8.9 g of N- (2-hydroxyethyl) p-toluenesulfonamide in 50 ml of butanone while cooling with ice. Allow the reaction mixture to reach room temperature and then reflux for 4 hours. After cooling it is added ethyl acetate and the mixture is washed with water, the organic phase is separated and dried over magnesium sulfate. After stripping the solvent on a rotary evaporator, 11.2 g of oil [N- (2-methacryloyloxyethyl) -p-toluenesulfonamide] remains. The oily product can be used directly in the next step.

c) 전 단계에서 수득한 조 N-(2-메타크릴로일옥시에틸)-p-톨루엔설폰아미드 11.8g을 에틸 아세테이트 50㎖에 용해시킨다. 이를 교반하면서 먼저 4-디메틸아미노피리딘 10㎎을 실온에서 가한 다음, 디-3급-부틸 디카보네이트(피로카본산 디-3급-부틸 에스테르) 9.2g을 가한다. 반응이 완결된 후에, 반응 혼합물을 10% NaOH 수용액으로 세척한다. 이어서, 유기 상을 분리한 다음 MgSO4로 건조시킨다. 회전 증발기 상에서 용매를 스트리핑한 후에 옅은 색의 오일 [N-3급-부톡시카보닐-N-(2-메타크릴로일옥시에틸)-p-톨루엔설폰아미드] 14g이 남는다.c) 11.8 g of crude N- (2-methacryloyloxyethyl) -p-toluenesulfonamide obtained in the previous step is dissolved in 50 ml of ethyl acetate. While stirring this, 10 mg of 4-dimethylaminopyridine is first added at room temperature, followed by 9.2 g of di-tert-butyl dicarbonate (pyrocarboxylic acid di-tert-butyl ester). After the reaction is complete, the reaction mixture is washed with 10% aqueous NaOH solution. The organic phase is then separated and dried over MgSO 4 . 14 g of light oil [N-tert-butoxycarbonyl-N- (2-methacryloyloxyethyl) -p-toluenesulfonamide] remain after stripping the solvent on a rotary evaporator.

1H-NMR 스펙트럼(60㎒, 용매로서 CDCl3; δ 스케일 상에서 ppm 단위로 화학 쉬프트(chemical shift): 괄호안은 양성자의 수): 1.3[9H], 1.95[3H], 2.45[3H], 4.0-4.6[4H], 5.55[1H], 6.15[1H], 7.15-7.4[2H], 7.65-7.95[2H]. 1 H-NMR spectrum (60 MHz, CDCl 3 as solvent; chemical shift in ppm on the δ scale: number of protons in parentheses): 1.3 [9H], 1.95 [3H], 2.45 [3H], 4.0 -4.6 [4H], 5.55 [1H], 6.15 [1H], 7.15-7.4 [2H], 7.65-7.95 [2H].

2. N-3급-부톡시카보닐-4-메타크릴로일옥시-N-페닐벤젠설폰아미드2.N-tert-butoxycarbonyl-4-methacryloyloxy-N-phenylbenzenesulfonamide

a) 2N 수성 NaOH 500㎖에 4-하이드록시벤젠설폰산의 Na 염 200g을 용해시킨 다음, 물 200㎖로 희석하고, 실온에서 교반하면서 에틸클로로포르메이트 120g을 적가한다. 혼합물을 밤새 방치한 다음, 형성된 침전물(87g)을 흡입 여과한다. 감압하에 용매를 스트리핑하고 에탄올로부터 재결정화하여 추가로 4-에톡시카보닐옥시벤젠설폰산의 Na 염(백색 고체) 129g을 수득한다. 총 수율은 216g(이론치의 92%)이다.a) Dissolve 200 g of Na salt of 4-hydroxybenzenesulfonic acid in 500 ml of 2N aqueous NaOH, then dilute with 200 ml of water and add 120 g of ethylchloroformate dropwise with stirring at room temperature. The mixture is left overnight and then the precipitate formed (87 g) is filtered off with suction. Stripping of the solvent under reduced pressure and recrystallization from ethanol yields further 129 g of Na salt (white solid) of 4-ethoxycarbonyloxybenzenesulfonic acid. The total yield is 216 g (92% of theory).

b) a)에서 수득된 잘 건조된 4-에톡시카보닐옥시벤젠설폰산의 Na 염 95g을 PCl595g과 잘 혼합하고, 공정중에서 반응 혼합물을 액화시키고 가열한다. 오일 욕(욕 온도: 115℃)에서 추가로 2시간 동안 가열하고 실온에서 밤새 방치한 다음, 얼음에 붓고 염화설포닐을 흡입 여과한다. 다량의 냉각수로 세척하고 감압하에서 건조시킨 다음, 4-에톡시카보닐옥시벤젠설포닐 클로라이드(융점이 71 내지 72℃인 백색 고체) 88g(이론치의 94%)을 수득한다.b) 95 g of the Na salt of the well-dried 4-ethoxycarbonyloxybenzenesulfonic acid obtained in a) are mixed well with 95 g of PCl 5 and the reaction mixture is liquefied and heated in the process. Heat for an additional 2 hours in an oil bath (bath temperature: 115 ° C.) and leave at room temperature overnight, then pour into ice and suction filter the sulfonyl chloride. After washing with a large amount of cooling water and drying under reduced pressure, 88 g (94% of theory) of 4-ethoxycarbonyloxybenzenesulfonyl chloride (white solid having a melting point of 71 to 72 DEG C) are obtained.

c) 교반하면서 한번에 조금씩 아닐린 340㎖을 b)에서 제조한 4-에톡시카보닐옥시벤젠설포닐 클로라이드 84g과 함께 부가 혼합한다. 혼합물을 55℃에서 4시간 동안 가열하고, 실온으로 냉각시키고 반농축 염산 1.7ℓ에 붓는다. 이를 밤새 방치한 다음 수성 상을 경사 여과한다. 보호 그룹을 완전히 제거시킬 목적으로, 잔사를 2N NaOH 수용액 1.7ℓ에 용해시키고 용해되지 않은 물질을 분리하고, HCl로 산성화시켜 생성물을 침전시킨다. 이를 흡입 여과한 다음, 물로 세척하고 건조시킨 후, 4-하이드록시벤젠설파닐라이드(융점이 140℃인 백색 고체) 54.5g(이론치의 70%)을 수득한다.c) While stirring, 340 ml of aniline was added little by little with 84 g of 4-ethoxycarbonyloxybenzenesulfonyl chloride prepared in b). The mixture is heated at 55 ° C. for 4 h, cooled to rt and poured into 1.7 l of semiconcentrated hydrochloric acid. It is left overnight and then the aqueous phase is filtered off. For the purpose of complete removal of the protecting group, the residue is dissolved in 1.7 L of 2N NaOH aqueous solution and the undissolved material is separated and acidified with HCl to precipitate the product. This was filtered by suction, washed with water and dried to give 54.5 g (70% of theory) of 4-hydroxybenzenesulfanylide (white solid with melting point of 140 ° C).

d) c)에서 제조한 4-하이드록시벤젠설파닐라이드 50g을 아세톤 300㎖에 용해시키고 메타크릴산 무수물 35.6g을 가하고, 냉각시키고 교반하면서 온도를 10℃ 이하고 유지하는 방식으로 트리에틸아민 22.2g을 적가한다. 반응 용액의 온도가 실온에 도달하도록 방치하고, 격렬하게 교반하면서 H2O 3ℓ에 적가한다. 이를 흡입 여과하고 건조시킨 후, 4-메타크릴로일옥시벤젠설파닐라이드(융점이 102 내지 103℃인 백색 고체) 61g(수율: 96%)을 수득한다.d) 50 g of 4-hydroxybenzenesulfanide prepared in c) was dissolved in 300 ml of acetone, and 35.6 g of methacrylic anhydride was added, and triethylamine 22.2 was maintained at a temperature not higher than 10 DEG C while cooling and stirring. add dropwise g The temperature of the reaction solution is allowed to reach room temperature and added dropwise to 3 L of H 2 O with vigorous stirring. After suction filtration and drying, 61 g (yield: 96%) of 4-methacryloyloxybenzenesulfanide (white solid having a melting point of 102 to 103 ° C.) was obtained.

e) d)에서 제조한 4-메타크릴로일옥시벤젠설파닐라이드 50g을 아세톤 300㎖에 용해시키고, 4-디메틸아미노피리딘 1g을 가하고, 교반하면서 아세톤 100㎖중의 디-3급-부틸디카보네이트 38g의 용액을 적가한다. 실온에서 4시간 동안 계속 교반하고 H2O 중에 침전시킨다. 이를 흡입 여과하고 건조시킨 후, N-3급-부톡시카보닐-4-메타크릴로일옥시-N-페닐벤젠설폰아미드(융점이 112 내지 114℃인 백색 고체) 59g(90%)을 수득한다.e) 50 g of 4-methacryloyloxybenzenesulfanide prepared in d) was dissolved in 300 ml of acetone, 1 g of 4-dimethylaminopyridine was added, and di-tert-butyldicarbonate in 100 ml of acetone was stirred. 38 g of solution is added dropwise. Stirring is continued for 4 hours at room temperature and precipitated in H 2 O. After suction filtration and drying, 59 g (90%) of N-tert-butoxycarbonyl-4-methacryloyloxy-N-phenylbenzenesulfonamide (white solid having a melting point of 112 to 114 DEG C) was obtained. do.

NMR 스펙트럼(60㎒, CDCl3): 1.3ppm(9H), 2.1(3H); 5.8(1H), 6.4(1H); 7.2-7.6(7H); 8.0-8.2(2H)NMR spectrum (60 MHz, CDCl 3 ): 1.3 ppm (9H), 2.1 (3H); 5.8 (1 H), 6.4 (1 H); 7.2-7.6 (7H); 8.0-8.2 (2H)

[실시예 1 내지 20][Examples 1 to 20]

문헌에 공지된 방법에 따라 화합물 1 및 화합물 2의 단독 중합과 각종 공단량체(예: 피로카테콜 모노메타크릴레이트(PMA) 또는 스티렌)를 사용한 공중합을 수행한다. 표 1은 화합물 1 및 화합물 2(몰%로 명시된 양)를 사용하여 합성한 중합체의 선별을 포함한다.The homopolymerization of compounds 1 and 2 and the copolymerization with various comonomers (eg pyrocatechol monomethacrylate (PMA) or styrene) are carried out according to methods known in the literature. Table 1 contains a selection of polymers synthesized using Compound 1 and Compound 2 (amounts specified in mole percent).

[실시예 21 내지 26][Examples 21 to 26]

본 실시예들은 본 발명에 따른 기록 물질의 제조 및 공정을 나타낸다.These embodiments illustrate the manufacturing and processing of the recording material according to the present invention.

표 1에 따른 결합제 9.00ppw, 4-p-톨릴머캅토-2,5-디에톡시벤젠디아조늄 헥사플루오로포스페이트 0.50ppw, 크리스탈 바이올렛(crystal violet) 염기 0.08ppw 및 메틸 에틸 케톤 175ppw를 함유하는 용액을 사용하여 전기적으로 활성화되고 양극 산화된 알루미늄 판을 스핀 피복(spin-coating)시키고, 건조 오븐내에서 100℃에서 가열하여 두께가 1.9㎛인 층을 형성한다. 밀도 구배(density gradation)가 0.15인 13개의 단계를 갖는 망판 단계 웨지(halftone step wedge)를 통하여 110㎝의 거리에서 5KW 금속 할라이드 램프하에 판을 노출시키고, 100℃에서 1분 동안 가열한 다음, 메타규산 나트륨·9H2O 5.5ppw, 인산삼나트륨·12H2O 3.4ppw, 무수 인산일나트륨 0.4ppw 및 탈이온수 90.7ppw의 조성을 갖는 수성 알칼리성 현상액 중에서 30초 동안 현상한다.Solution containing 9.00 ppw of binder according to Table 1, 0.5 ppp of 4-p-tolylmercapto-2,5-diethoxybenzenediazonium hexafluorophosphate, 0.08 ppw of crystal violet base and 175 ppw of methyl ethyl ketone Spin-coating the electrically activated and anodized aluminum plate and heating at 100 ° C. in a drying oven to form a layer having a thickness of 1.9 μm. The plate is exposed under a 5 KW metal halide lamp at a distance of 110 cm through a halftone step wedge with a density gradient of 0.15 and heated at 100 ° C. for 1 minute, followed by meta It is developed for 30 seconds in an aqueous alkaline developer having a composition of sodium silicate 9H 2 O 5.5ppw, trisodium phosphate 12H 2 O 3.4ppw, anhydrous monosodium phosphate 0.4ppw and deionized water 90.7ppw.

모든 경우에 있어서, 사진사들에게 포지티브 영상이 수득된다. 표 2는 망판 단계 웨지의 노출 시간 단계 4가 인쇄판 상에서 완전하게 개방됨으로써 재생된다는 것을 나타낸다.In all cases, positive images are obtained from photographers. Table 2 shows that exposure time step 4 of the halftone step wedge is regenerated by being fully open on the printing plate.

* 포지티브 표준 인쇄판 오자졸((R)Ozasol) P61(Hoechst AG)* Positive standard printing plate Ozasol ( (R) Ozasol) P61 (Hoechst AG)

[실시예 27]Example 27

본 실시예는 포지티브 오프셋 인쇄판에 사용하기 위한 N,N-이치환 설폰아미드 그룹을 함유하는 중합체의 적합성을 나타낸다.This example shows the suitability of a polymer containing N, N-disubstituted sulfonamide groups for use in positive offset printing plates.

표 1의 실시예 19에 따른 삼원공중합체(terpolymer) 9.00ppw, 4-p-톨릴머캅토-2,5-디에톡시벤젠디아조늄 헥사플루오로포스페이트 0.50ppw, 크리스탈 바이올렛 염기 0.08ppw 및 메틸 에틸 케톤 175ppw를 함유하는 용액을 사용하여 전기적으로 활성화되고 양극 산화된 알루미늄 판은 스핀 피복시키고, 건조 오븐내에서 100℃에서 가열하여 두께가 1.9㎛인 층을 형성한다. 밀도 구배가 0.15인 13개의 단계를 갖는 망판 단계 웨지를 통하여 110㎝의 거리에서 5KW 금속 할라이드 램프하에 20초동안 판을 노출시키고, 100℃에서 1분 동안 가열한 다음, 수성의 알칼리성 현상액(조성은 실시예 21 내지 26을 참조) 중에서 30초 동안 현상한다. 이로써 수득한 포지티브 인쇄 형태는 오프셋 인쇄기에서 170,000 이상의 양질의 인쇄를 생성한다.9.00 ppw terpolymer according to Example 19 of Table 1, 4-p-tolyl mercapto-2,5-diethoxybenzenediazonium hexafluorophosphate 0.50 ppw, crystal violet base 0.08 ppw and methyl ethyl ketone The electrically activated and anodized aluminum plate using a solution containing 175 ppw was spin coated and heated at 100 ° C. in a drying oven to form a 1.9 μm thick layer. The plate was exposed for 20 seconds under a 5 KW metal halide lamp at a distance of 110 cm through a half-stage netting step wedge with a density gradient of 0.15, heated at 100 ° C. for 1 minute, and then the aqueous alkaline developer (composition was Development in 30 seconds). The positive print form thus obtained produces more than 170,000 high quality prints in an offset press.

Claims (9)

일반식(Ⅰ') 또는 (Ⅱ')의 화합물.Compound of general formula (I ') or (II'). R1-SO2-N(CO-OR2)-R3-O-CO-CR4=CH2(Ⅰ')R 1 -SO 2 -N (CO-OR 2 ) -R 3 -O-CO-CR 4 = CH 2 (I ') R1-N(CO-OR2)-SO2-R3-O-CO-CR4=CH2(Ⅱ')R 1 -N (CO-OR 2 ) -SO 2 -R 3 -O-CO-CR 4 = CH 2 (II ') 일반식(Ⅰ')에서,In general formula (I '), R1은 메틸, 트리플루오로메틸, 에틸, 프로필, 퍼플루오르프로필, 퍼플루오르부틸, 헥실, 퍼플루오르옥틸, 페닐, 펜타플루오르페닐, p-톨릴 또는 나프틸이고,R 1 is methyl, trifluoromethyl, ethyl, propyl, perfluoropropyl, perfluorobutyl, hexyl, perfluorooctyl, phenyl, pentafluorophenyl, p-tolyl or naphthyl, R3은 비치환되거나 치환된 (C1-C6)알킬렌, (C5-C6)사이클로알킬렌, (C6-C12)아릴렌, 벤질렌 또는 디페닐프로필렌이며,R 3 is unsubstituted or substituted (C 1 -C 6 ) alkylene, (C 5 -C 6 ) cycloalkylene, (C 6 -C 12 ) arylene, benzylene or diphenylpropylene, 일반식(Ⅱ')에서In general formula (II ') R1은 (C1-C12)알킬, (C5-C8)사이클로알킬, 페닐, 4-메틸페닐, 4-에틸페닐, 4-메톡시페닐, 3-메톡시페닐, 4-에톡시페닐, 4-페녹시페닐, 나프틸, 비페닐, 벤질, 4-메톡시벤질, 2,2- 또는 3,3-디페닐프로필이고,R 1 is (C 1 -C 12 ) alkyl, (C 5 -C 8 ) cycloalkyl, phenyl, 4-methylphenyl, 4-ethylphenyl, 4-methoxyphenyl, 3-methoxyphenyl, 4-ethoxyphenyl , 4-phenoxyphenyl, naphthyl, biphenyl, benzyl, 4-methoxybenzyl, 2,2- or 3,3-diphenylpropyl, R3은 메틸렌, 트리플루오르메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 퍼플루오르프로필렌, 퍼플루오르부틸렌, 헥실렌, 퍼플루오르옥틸렌, 페닐렌, 펜타플루오르페닐렌, p-톨릴렌 또는 나프틸렌이고,R 3 is methylene, trifluoromethylene, ethylene, propylene, perfluoropropylene, perfluorobutylene, hexylene, perfluorooctylene, phenylene, pentafluorophenylene, p-tolylene or naphthylene, R2는 (C3-C6)알킬이고,R 2 is (C 3 -C 6 ) alkyl, R4는 수소원자 또는 메틸 그룹이다.R 4 is a hydrogen atom or a methyl group. 일반식(Ⅰ), (Ⅱ), 또는 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅱ)의 펜던트 그룹을 갖는 단위를 5몰% 이상 포함하는 중합체.A polymer containing 5 mol% or more of units having pendant groups of the general formulas (I), (II), or (I) and (II). -R3-N(CO-OR2)-SO2-R1(Ⅰ)-R 3 -N (CO-OR 2 ) -SO 2 -R 1 (Ⅰ) -R3-SO2-N(CO-OR2)-R1(Ⅱ)-R 3 -SO 2 -N (CO-OR 2 ) -R 1 (II) 상기식에서, 일반식(Ⅰ)에서,In the above formula, in general formula (I), R1은 메틸, 트리플루오로메틸, 에틸, 프로필, 퍼플루오르프로필, 퍼플루오르부틸, 헥실, 퍼플루오르옥틸, 페닐, 펜타플루오르페닐, p-톨릴 또는 나프틸이고,R 1 is methyl, trifluoromethyl, ethyl, propyl, perfluoropropyl, perfluorobutyl, hexyl, perfluorooctyl, phenyl, pentafluorophenyl, p-tolyl or naphthyl, R3은 비치환되거나 치환된 (C1-C6)알킬렌, (C5-C6)사이클로알킬렌, (C6-C12)아릴렌, 벤질렌 또는 디페닐프로필렌이며,R 3 is unsubstituted or substituted (C 1 -C 6 ) alkylene, (C 5 -C 6 ) cycloalkylene, (C 6 -C 12 ) arylene, benzylene or diphenylpropylene, 일반식(Ⅱ)에서In general formula (II) R1은 (C1-C12)알킬, (C5-C8)사이클로알킬, 페닐, 4-메틸페닐, 4-에틸페닐, 4-메톡시페닐, 3-메톡시페닐, 4-에톡시페닐, 4-페녹시페닐, 나프틸, 비페닐, 벤질, 4-메톡시벤질, 2,2- 또는 3,3-디페닐프로필이고,R 1 is (C 1 -C 12 ) alkyl, (C 5 -C 8 ) cycloalkyl, phenyl, 4-methylphenyl, 4-ethylphenyl, 4-methoxyphenyl, 3-methoxyphenyl, 4-ethoxyphenyl , 4-phenoxyphenyl, naphthyl, biphenyl, benzyl, 4-methoxybenzyl, 2,2- or 3,3-diphenylpropyl, R3은 메틸렌, 트리플루오르메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 퍼플루오르프로필렌, 퍼플루오르부틸렌, 헥실렌, 퍼플루오르옥틸렌, 페닐렌, 펜타플루오르페닐렌, p-톨릴렌 또는 나프틸렌이고,R 3 is methylene, trifluoromethylene, ethylene, propylene, perfluoropropylene, perfluorobutylene, hexylene, perfluorooctylene, phenylene, pentafluorophenylene, p-tolylene or naphthylene, R2는 (C3-C6)알킬이다.R 2 is (C 3 -C 6 ) alkyl. 제2항에 있어서, 라디칼 R2가 이소프로필, 2급-부틸 또는 3급-부틸 라디칼인 중합체.The polymer of claim 2 wherein the radical R 2 is an isopropyl, secondary-butyl or tert-butyl radical. 화학선의 영향하에 산을 형성하는 화합물(a)과 수성 알칼리성 현상액에서 분해 생성물의 용해도가 출발 화합물보다 큰 산 분해가능한 화합물(b)[여기서, 산 분해 가능한 화합물(b)는 제2항 또는 제3항에 따른 중합체이다]을 포함하는 방사선 감수성 혼합물.Compound (a) which forms an acid under the influence of actinic rays and an acid-decomposable compound (b) having a higher solubility of the decomposition product in the aqueous alkaline developing solution than the starting compound, wherein the acid-decomposable compound (b) is used in claim 2 or 3 Radiation-sensitive mixtures. 제4항에 있어서, 산 형성 화합물(a)의 비율이 각각의 경우에, 혼합물 중의 고체의 총 중량을 기준으로 하여, 0.1 내지 20중량%인 방사선 감수성 혼합물.The radiation sensitive mixture according to claim 4, wherein the proportion of acid forming compound (a) is in each case 0.1 to 20% by weight, based on the total weight of solids in the mixture. 제4항에 있어서, 산 분해가능한 화합물(b)의 비율이 각각의 경우에, 혼합물 중의 고체의 총 중량을 기준으로 하여, 30 내지 98중량%인 방사선 감수성 혼합물.The radiation sensitive mixture according to claim 4, wherein the proportion of acid decomposable compound (b) is in each case 30 to 98% by weight, based on the total weight of solids in the mixture. 제4항에 있어서, 유기 중합체성 결합제를 추가로 포함하는 방사선 감수성 혼합물.The radiation sensitive mixture of claim 4, further comprising an organic polymeric binder. 제7항에 있어서, 중합체성 결합제의 비율이 각각의 경우에, 혼합물 중의 고체의 총 중량을 기준으로 하여, 5 내지 70중량%인 방사선 감수성 혼합물.8. A radiation sensitive mixture according to claim 7, wherein the proportion of polymeric binder is in each case 5 to 70% by weight, based on the total weight of solids in the mixture. 제4항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 따른 방사선 감수성 혼합물을 포함하는 방사선 감수성 층과 지지체를 포함하는 기록 물질.A recording material comprising a support and a radiation sensitive layer comprising a radiation sensitive mixture according to any one of claims 4 to 8.
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