KR100283725B1 - 원통형 초고주파 발생 장치 - Google Patents

원통형 초고주파 발생 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100283725B1
KR100283725B1 KR1019980054910A KR19980054910A KR100283725B1 KR 100283725 B1 KR100283725 B1 KR 100283725B1 KR 1019980054910 A KR1019980054910 A KR 1019980054910A KR 19980054910 A KR19980054910 A KR 19980054910A KR 100283725 B1 KR100283725 B1 KR 100283725B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cylindrical
grid
high frequency
ultra
cathode
Prior art date
Application number
KR1019980054910A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000039546A (ko
Inventor
김형석
안세영
Original Assignee
김덕중
사단법인고등기술연구원연구조합
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김덕중, 사단법인고등기술연구원연구조합 filed Critical 김덕중
Priority to KR1019980054910A priority Critical patent/KR100283725B1/ko
Publication of KR20000039546A publication Critical patent/KR20000039546A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100283725B1 publication Critical patent/KR100283725B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B13/00—Generation of oscillations using deflection of electron beam in a cathode-ray tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J23/04—Cathodes
    • H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J23/08—Focusing arrangements, e.g. for concentrating stream of electrons, for preventing spreading of stream
    • H01J23/087—Magnetic focusing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/01—Generation of oscillations using transit-time effects using discharge tubes
    • H03B9/10—Generation of oscillations using transit-time effects using discharge tubes using a magnetron

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 전자빔이 효율적으로 집속되고 제어되며 간단한 구조를 가지는 원통형 초고주파 발생 장치에 관한 것으로, 원통형의 가열 수단 내측에 설치되어 진공중에 전자를 방출시키는 원통형 캐소드; 상기 원통형 캐소드 내측에 마련되어 상기 전자를 전자빔으로 변환시키기 위한 복수개의 슬롯을 구비한 원통형 제 1 그리드; 상기 원통형 캐소드와 원통형 제 1 그리드 사이에 설치되어 양자간을 전기적으로 절연시키는 절연수단; 상기 원통형 캐소드, 절연수단 및 원통형 제 1 그리드로 둘러싸여 이루어지며 상기 전자를 밀도 변조시키는 진공의 원통형 입력 공동; 일단은 상기 원통형 캐소드에 접속되고 타단은 상기 원통형 제 1 그리드에 접속되어 상기 원통형 제 1 그리드에 바이어스 전압을 유기시키는 저항 수단; 상기 원통형 제 1 그리드 내측에 마련되어 상기 원통형 제 1 그리드의 슬롯을 통과한 전자빔을 다시 통과시키는 복수개의 슬롯을 구비한 원통형 제 2 그리드; 상기 원통형 제 2 그리드의 슬롯을 통과한 전자빔을 수신하는 원통형 애노드; 상기 원통형 제 2 그리드와 원통형 애노드에 의해 둘러싸여 이루어지며 상기 원통형 입력 공동과 절연되어 있는 초고주파 에너지를 발생시키는 진공의 원통형 출력 공동; 및 상기 원통형 출력 공동에서 발생된 초고주파 에너지를 인출시키고 그 중 일부를 상기 원통형 입력 공동으로 귀환시키는 입/출력 커플러를 구비하여 이루어진다.

Description

원통형 초고주파 발생 장치
본 발명은 원통형 초고주파 발생 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초고주파 발생 장치를 원통형으로 구현하여 전자빔이 효율적으로 집속되도록 함과 동시에 간단한 구조를 가지도록 한 원통형 초고주파 발생 장치에 관한 것이다.
도 1은 종래의 초고주파 발생 장치를 예시적으로 나타내는 도이다. 이 도면에 도시하는 바와 같이, 종래의 초고주파 발생 장치는 하부에 위치하여 전자를 방출시키는 캐소드(5), 캐소드(5)를 가열시키는 가열 부재(10), 캐소드(5)로부터 방출된 전자를 집속하고 제어하는 그리드(15), 입력부의 공진회로 역할을 함과 동시에 상호작용 공간인 입력 공동(空洞)(20), 캐소드(5)로부터 방출된 전자빔을 집속시키기 위한 자기장을 발생시키는 자석(미도시), 전자빔을 수신하는 애노드(25), 전자를 수집하는 콜렉터(30), 출력부의 공진회로 역할을 함과 동시에 상호 작용 공간으로 초고주파 에너지를 발생시키는 출력 공동(35), 출력 공동(35)내에 설치되어 출력 공동(35)에서 발생되어진 초고주파 에너지를 외부로 출력시키는 출력 포트(40), 출력되는 초고주파 에너지 중 일부를 입력 공동(20)으로 전달시키는 입력 포트(45) 및 동작중인 초고주파 발생 장치의 발생열을 식히기 위해 초고주파 발생 장치 외부에 설치된 냉각 장치(미도시)를 구비하여 이루어진다.
전술한 구성에 있어서, 냉각 장치(미도시)는 초고주파 발생 장치의 외부에 코일처럼 감긴 냉각 라인 혹은 초고주파 발생 장치 외부에 설치된 냉각핀으로 구성되어 초구주파 발생 장치의 발생열을 식혔다.
전술한 바와 같은 구성의 종래의 초고주파 발생 장치는 동작 전압이 전력 공급 장치(50)로부터 캐소드(5)에 인가되면 가열 부재(10)에 의해 가열되어진 캐소드(5)로부터 전자가 방출된다. 이렇게 캐소드(5)로부터 방출된 전자는 그리드(15)에 의해 제어되어 집속되고 묶음을 형성하는 전자빔으로 되어 애노드(25)에 도달되고, 출력부의 상호 작용 공간인 출력 공동(35)을 통과하게 된다. 여기서, 묶음화된 전자빔이 애노드(25)와 출력부의 상호 작용 공간인 출력 공동(35)에 의해 형성되는 공진 회로에 해당하는 공진 주파수로 초고주파를 발생시킨다. 출력 공동(35)에서 발생된 초고주파 에너지는 출력 포트(40)를 통하여 출력된다. 초고주파 에너지가 출력 포트(40)를 통하여 출력될 때 일부는 입력 포트(45)로 전달되어져 캐소드(5), 그리드(15) 및 입력부의 상호 작용 공간인 입력 공동(20)에 전달되고 그에 따른 주파수로 그리드(15)에 고주파 전압이 인가되면서 캐소드(5)로부터 묶여진 전자빔이 방출되어지는 과정이 반복 수행된다.
그러나 전술한 구조를 가지는 종래의 초고주파 발생 장치는 캐소드에서 방출된 전자빔을 집속하기 위하여 자석과 같은 임의의 수단을 사용하여 자기장을 발생시켜야 하기 때문에 그 구조가 복잡하고, 크기가 커지는 문제점이 있다.
또한, 동작중인 초고주파 발생 장치의 발생열을 식히기 위한 냉각장치로 냉각 라인을 초고주파 발생 장치의 외부에 코일처럼 감아 사용하거나, 냉각핀을 초고주파 발생 장치의 외부에 설치하여 사용함으로서 구조와 제작이 복잡해지는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 전자빔이 효율적으로 집속되고 제어되며 간단한 구조를 가지는 원통형 초고주파 발생 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 초고주파 발생 장치를 예시적으로 나타내는 도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치를 나타내는 정단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치를 나타내는 단면 사시도,
도 4는 정단면도를 기준으로 한 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치의 등가 회로도,
도 5는 평단면도를 기준으로 한 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치의 등가 회로도,
도 6은 본 발명의 원통형 초고주파 발생 장치의 동작 과정 중에 나타나는 각종 특성 그래프,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치를 나타내는 단면 사시도이다.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
100. 원통형 캐소드, 110. 가열 부재,
120. 원통형 제 1 그리드, 125, 155. 슬롯,
130. 초크 구조물, 140. 원통형 입력 공동,
150. 원통형 제 2 그리드, 160. 원통형 애노드,
170. 냉각관, 180. 원통형 출력 공동,
190. 입력 포트, 195. 출력 포트,
200. 전원 공급 장치, 210. 내부 포트,
C. 초크 구조물의 커패시턴스, R. 트리밍 저항
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 원통형 초고주파 발생 장치는 원통형의 가열 수단 내측에 설치되어 진공중에 전자를 방출시키는 원통형 캐소드; 상기 원통형 캐소드 내측에 마련되어 상기 전자를 전자빔으로 변환시키기 위한 복수개의 슬롯을 구비한 원통형 제 1 그리드; 상기 원통형 캐소드와 원통형 제 1 그리드 사이에 설치되어 양자간을 전기적으로 절연시키는 절연수단; 상기 원통형 캐소드, 절연수단 및 원통형 제 1 그리드로 둘러싸여 이루어지며 상기 전자를 밀도 변조시키는 진공의 원통형 입력 공동; 일단은 상기 원통형 캐소드에 접속되고 타단은 상기 원통형 제 1 그리드에 접속되어 상기 원통형 제 1 그리드에 바이어스 전압을 유기시키는 저항 수단; 상기 원통형 제 1 그리드 내측에 마련되어 상기 원통형 제 1 그리드의 슬롯을 통과한 전자빔을 다시 통과시키는 복수개의 슬롯을 구비한 원통형 제 2 그리드; 상기 원통형 제 2 그리드의 슬롯을 통과한 전자빔을 수신하는 원통형 애노드; 상기 원통형 제 2 그리드와 원통형 애노드에 의해 둘러싸여 이루어지며 상기 원통형 입력 공동과 절연되어 있는 초고주파 에너지를 발생시키는 진공의 원통형 출력 공동; 및 상기 원통형 출력 공동에서 발생된 초고주파 에너지를 인출시키고 그 중 일부를 상기 원통형 입력 공동으로 귀환시키는 입/출력 커플러를 구비하여 이루어진다. 나아가, 상기 원통형 애노드 내부에 형성되어 상기 전자빔이 상기 원통형 애노드에 부딪힐 때 발생되는 열을 식히는 기능을 하는 냉각 수단을 더 구비하며, 상기 냉각 수단의 내부에 냉각수를 포함하는 냉각 유체나 공기를 포함하는 냉각 기체를 흘리는 것을 특징으로 한다. 한편, 상기 입출력 커플러를 루프형 커플러로 구성하여 상기 초고주파 에너지를 외부 귀환시키거나, 상기 입출력 커플러를 막대형 커플러로 구성하여 상기 원통형 입력 공동과 상기 원통형 출력 공동 사이를 직접 연결하여 상기 초고주파 에너지를 내부 귀환시키는 것을 특징으로 한다.
이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 양호한 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치를 나타내는 정단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치를 나타내는 단면 사시도이다. 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치는 전자를 방출시키는 원통형 캐소드(100)와, 필라멘트로 형성되어 원통형 캐소드(100)를 가열시키는 히터를 포함하는 원통형의 가열 부재(110)와, 원통형 캐소드(100) 내측에 설치되어 원통형 캐소드(100)로부터 방출된 전자를 전자빔으로 변환시키기 위한 복수개의 슬롯(125)을 가지며, 전자의 흐름을 제어하고 집속하는 원통형 제 1 그리드(120)와, 원통형 캐소드(100)와 원통형 제 1 그리드(120) 사이에 설치되어 원통형 캐소드(100)와 원통형 제 1 그리드(120)를 전기적으로 절연시키는 초크 구조물(130)과, 원통형 캐소드(100), 초크 구조물(130) 및 원통형 제 1 그리드(120)로 둘러싸여 입력부의 공진회로 역할을 하며 원통형 캐소드(100)로부터 방출된 전자를 밀도 변조시키는 진공의 원통형 입력 공동(140)과, 원통형 제 1 그리드(120)의 내측에 설치되어 원통형 제 1 그리드(120)의 슬롯(125)을 통과한 전자들을 또 다시 통과시키는 복수개의 슬롯(155)을 가지는 원통형 제 2 그리드(150)와, 원통형 제 2 그리드(150) 내측에 설치되어 원통형 제 2 그리드(150)의 슬롯(155)을 통과한 전자를 수신하는 원통형 애노드(160)와, 원통형 애노드(160) 내부에 형성되어 전자빔들이 초고주파로 에너지를 전환시킨 뒤 원통형 애노드(160)에 부딪힐 때 발생되는 열을 식히는 냉각관(170)과, 원통형 제 2 그리드(150)와 원통형 애노드(160)에 의해 둘러싸여 초고주파 에너지를 발생시키는 진공의 원통형 출력 공동(180)과, 루프형 커플러로 구성되어 원통형 출력 공동(180)에서 발생된 초고주파 에너지의 일부를 원통형 입력 공동으로 되돌려 보내 다시 공진 회로를 유기시키기 위한 입력 포트(190) 및 출력 포트(195)와, 원통형 캐소드(100)와 원통형 애노드(160)에 전압을 인가하는 전력 공급 장치(200)를 구비하여 이루어진다.
도 2에서 원내의 확대도는 쵸크 구조물을 나타내는 것으로 미설명 부호 133은 유전체를 135는 금속(metal)을 나타낸다.
전술한 구성에 있어서, 초크 구조물(130)은 초고주파를 형성하는 표면 전류는 통과시키고 직류 전류는 차폐시키는 저지 커패시터(blocking capacitor)로서의 역할을 한다. 또한, 초크 구조물(130)은 원통형 캐소드(100)와 원통형 제 1 그리드(120) 사이에 유전체로 형성되어 있어서, 원통형 캐소드(100)와 원통형 제 1 그리드(120)는 전기적으로 절연되어 있다.
한편, 원통형 제 2 그리드(150)는 원통형 제 1 그리드(120)에 의해 집속된 전자빔이 확산되기 전에 원통형 출력 공동(180)으로 전달시켜 효과적으로 원통형 출력 공동(180)에서 초고주파를 발생시킬 수 있도록 원통형 제 1 그리드(120)와 적정 거리 떨어져 있다. 따라서, 전자빔을 집속시키기 위한 자석이 필요 없게 된다.
냉각관(170)에는 냉각수를 포함하는 냉각 유체 또는 공기를 포함하는 냉각 기체가 흐르도록 하여 냉각 기능을 유지시킨다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치의 등가 회로도로써, 도 4는 정단면도를 기준으로 한 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치의 등가 회로도이고, 도 5는 평단면도를 기준으로 한 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치의 등가 회로도이다. 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치에서 가열 부재(110)는 히터에 전력을 공급하는 전력 공급 장치(115)와 전기적으로 접속되어 있고, 원통형 캐소드(100)와 원통형 애노드(160)는 각각 전력 공급 장치(200)의 -단자 및 +단자에 접속되어 있으며, 원통형 제 1 그리드(120)에 바이어스 전압을 유도시키는 트리밍 저항(R)이 원통형 제 1 그리드(120)와 원통형 캐소드(100)에 접속되어 있다. 여기서, 원통형 제 1 그리드(120)는 초고주파 발생 장치의 초기 동작시 제로 바이어스 전압을 갖으며, 트리밍 저항(R)에 의해 원통형 제 1 그리드(120)의 바이어스 전위를 조정하여 초고주파 에너지의 출력을 가변시킬 수 있다.
한편, 원통형 제 2 그리드(150)는 원통형 애노드(160)와 동일체로 원통형 제 2 그리드(150)와 원통형 애노드(160)는 동일한 전위를 갖는다. 반면에, 원통형 제 1 그리드(120)는 원통형 캐소드(100)와 동일체이지만 초크 구조물(130)의 커패시턴스(C) 때문에 원통형 제 1 그리드(120)와 원통형 캐소드(100)는 서로 다른 전위를 갖는다.
도 6은 본 발명의 원통형 초고주파 발생 장치의 동작 과정 중에 나타나는 각종 특성 그래프로써, 제 1 그래프(a)는 원통형 애노드(160)에 흐르는 전류의 변화를 나타내는 전류 특성 그래프이고, 제 2 그래프(b)는 원통형 제 1 그리드(120)에 인가되는 바이어스 전압의 변화를 나타내는 전압 특성 그래프로 초기 동작 시에는 제로 바이어스 전압을 갖으며 이후 소정의 값에 이를 때까지 부의 전압이 급격하게 증가하게 된다. 한편, 제 3 그래프(c)는 원통형 입력 공동(140) 내의 초고주파 공진 파형을 나타내는 주파수 특성 그래프로 원통형 제 1 그리드(120)의 전위가 소정의 값에 도달할 때까지 발진 진폭은 일정하게 된다.
이하에서는 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 본 발명의 원통형 초고주파 발생 장치의 동작 과정에 대해서 설명한다.
가열 부재(110)의 히터가 전력 공급 장치(115)로부터 전력을 인가 받아 예를 들어, 600℃ 내지 1200℃의 온도 범위로 가열되어 원통형 캐소드(100)를 가열시키면 원통형 캐소드(100)는 전자를 방출하게 된다. 원통형 제 1 그리드(120)는 초기에 제로 바이어스 전압을 가지므로 원통형 캐소드(100)로부터 방출된 전자는 원통형 제 1 그리드(120)의 슬롯(125) 및 원통형 제 2 그리드(150)의 슬롯(155)을 거쳐 원통형 애노드(160)에 도착하고, 일부의 전자들은 원통형 제 1 그리드(120)에 흡수된다. 이렇게 원통형 제 1 그리드(120)에 흡수된 전자는 바이어스 전압을 유도하는 한편, 표면 전류는 초크 구조물(130)에 의해 그의 방향을 변형시키면서 원통형 입력 공동(140)의 표면을 흘러 원통형 입력 공동(140)내에서 약한 발진을 유발한다. 원통형 제 1 그리드(120)에 충분한 전류가 흡수되면 표면 전류의 흐름에 의해 발진의 증폭이 증가한다.
한편, 원통형 캐소드(100)로부터 방출된 전자가 원통형 제 1 그리드(120)에 흡수되는 것에 의해 원통형 제 1 그리드(120)는 부의 전압을 갖게 되는 데, 원통형 제 1 그리드(120)가 초기에는 제로 바이어스 전압을 가져 상대적으로 많은 양의 전자들이 원통형 제 1 그리드(120)에 흡수되므로 원통형 제 1 그리드(120)의 부의 전위는 급격하게 증가하게 된다. 여기서, 원통형 제 1 그리드(120)의 부의 전위는 소정의 값에 이를 때까지 점차적으로 증가하며, 그 값은 트리밍 저항(R)에 의해 원통형 제 1 그리드(120)에 흡수될 수 있는 전자의 양에 의해 결정된다. 따라서, 원통형 제 1 그리드(120)에 흡수되는 전자량은 시간이 흐름에 따라 감소하게 된다.
이러한 전위 변화에 따라 원통형 제 1 그리드(120)의 전위가 소정의 값에 도달할 때까지 공진회로 역할을 하는 원통형 입력 공동(140)에서는 원통형 입력 공동(140)에 의해 결정되어지는 공진 주파수로 초고주파가 일정하게 발진하게 된다.
이와 동시에 원통형 제 1 그리드(120)의 전위 변화에 따라 원통형 캐소드(100)로부터 방출된 전자는 원통형 제 1 그리드(120)의 전위가 일정 바이어스 전위에 도달할 때까지 원통형 입력 공동(140)에서 계속해서 밀도 변조된다.
한편, 원통형 제 1 그리드(120)와 원통형 제 2 그리드(150) 사이의 전위차가 증가함에 따라, 그들 사이의 전계도 증가하게 되며, 이렇게 원통형 입력 공동(140)과 원통형 출력 공동(180) 사이에 형성된 전계에 의해 원통형 입력 공동(140)내의 전자 그룹은 원통형 제 1 그리드(120)의 슬롯(125)을 통과할 때 전자빔으로 변환된다.
전술한 바와 같이 변환된 전자빔은 원통형 제 1 그리드(120)와 원통형 제 2 그리드(150) 사이에서 가속되며, 이 가속된 전자빔은 원통형 제 2 그리드(150)의 슬롯(155)을 통과하여 원통형 애노드(160)를 향해 운동한다. 이렇게 원통형 애노드(160)를 향해 운동해온 전자빔의 운동 에너지는 원통형 출력 공동(180)내에서 초고주파 에너지로 전환되면서 초고주파를 발생시킨다. 이러한 초고주파는 출력 포트(195)에 의해 출력되어지며 이중 일부는 입력 포트(190)를 통해 원통형 입력 공동(140)으로 재주입되어 전자를 밀도 변조시킨다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치를 나타내는 단면 사시도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치는 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치와 그 구성 및 동작이 유사하므로 동일 부분에 대한 도면의 부호를 동일화하고 자세한 설명은 생략한다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치는 입력 포트(190) 및 출력 포트(195)를 루프형 커플러로 구성하여 외부 귀환을 수행하는 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 초고주파 발생 장치와는 달리 하나 이상의 내부 포트(210)를 막대형 커플러로 구성하여 원통형 입력 공동(140)과 원통형 출력 공동(180)을 직접 연결하여 내부 귀환을 수행한다.
본 발명의 원통형 초고주파 발생 장치는 전술한 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 기술사상이 허용할 수 있는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다. 예를 들어, 초고주파 발생 장치의 원통 길이는 캐소드 길이에 비례하게 되는 데 이는 인가되는 입력을 결정짓게 되므로 본 장치의 원통형 길이를 달리함으로써 그 출력을 달리하는 장치를 제작할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 원통형 초고주파 발생 장치에 따르면, 원통형 제 1 그리드와 원통형 제 2 그리드의 조합구조에 의해 전자빔이 효율적으로 집속되고 제어되어 자석이 불필요하며, 원통형 제2 그리드와 원통형 애노드가 원통형 출력 공동을 이루고, 원통형 제 1 그리드, 원통형 캐소드 및 초크 구조물이 원통형 입력 공동을 이루어 구조가 간단해지는 효과가 있다.
또한, 원통형 출력 공동과 원통형 입력 공동이 공동 상호간에 분리된 구조를 가지므로 고조파 및 노이즈에 대해 영향이 적어지는 효과가 있다.
또한, 원통형의 캐소드 내벽으로부터 발생되는 전자빔은 보다 내측에 내재되어 있는 원통형 애노드로 운동하는 도중 원통의 중심을 향해 움직이므로 전자빔의 집속성 및 밀도가 더욱 증가하게 된다. 따라서, 원통형 출력 공동 내에서 상호 작용을 보다 강하게 일으킴으로써 초고주파 발생 장치의 효율을 더욱 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 전자빔이 원통형 애노드에 부딪힐 때 발생되는 열을 식히는 기능을 하는 냉각 수단을 원통형 애노드 내부에 설치하여 구비함으로서 구조물의 구조가 간단해지고 냉각 효과를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 원통형의 가열 수단 내측에 설치되어 진공중에 전자를 방출시키는 원통형 캐소드;
    상기 원통형 캐소드 내측에 마련되어 상기 전자를 전자빔으로 변환시키기 위한 복수개의 슬롯을 구비한 원통형 제 1 그리드;
    상기 원통형 캐소드와 원통형 제 1 그리드 사이에 설치되어 양자간을 전기적으로 절연시키는 절연수단;
    상기 원통형 캐소드, 절연수단 및 원통형 제 1 그리드로 둘러싸여 이루어지며 상기 전자를 밀도 변조시키는 진공의 원통형 입력 공동;
    일단은 상기 원통형 캐소드에 접속되고 타단은 상기 원통형 제 1 그리드에 접속되어 상기 원통형 제 1 그리드에 바이어스 전압을 유기시키는 저항 수단;
    상기 원통형 제 1 그리드 내측에 마련되어 상기 원통형 제 1 그리드의 슬롯을 통과한 전자빔을 다시 통과시키는 복수개의 슬롯을 구비한 원통형 제 2 그리드;
    상기 원통형 제 2 그리드의 슬롯을 통과한 전자빔을 수신하는 원통형 애노드;
    상기 원통형 제 2 그리드와 원통형 애노드에 의해 둘러싸여 이루어지며 상기 원통형 입력 공동과 절연되어 있는 초고주파 에너지를 발생시키는 진공의 원통형 출력 공동; 및
    상기 원통형 출력 공동에서 발생된 초고주파 에너지를 인출시키고 그 중 일부를 상기 원통형 입력 공동으로 귀환시키는 입/출력 커플러를 구비하여 이루어지는 원통형 초고주파 발생 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 원통형 애노드 내부에 형성되어 상기 전자빔이 상기 원통형 애노드에 부딪힐 때 발생되는 열을 식히는 기능을 하는 냉각 수단을 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 원통형 초고주파 발생 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 냉각 수단의 내부에 냉각수를 포함하는 냉각 유체를 흘리는 것을 특징으로 하는 원통형 초고주파 발생 장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 냉각 수단의 내부에 공기를 포함하는 냉각 기체를 흘리는 것을 특징으로 하는 원통형 초고주파 발생 장치.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입출력 커플러를 루프형 커플러로 구성하여 상기 초고주파 에너지를 외부 귀환시키는 것을 특징으로 하는 원통형 초고주파 발생 장치.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입출력 커플러를 막대형 커플러로 구성하여 상기 원통형 입력 공동과 상기 원통형 출력 공동 사이를 직접 연결하여 상기 초고주파 에너지를 내부 귀환시키는 것을 특징으로 하는 원통형 초고주파 발생 장치.
KR1019980054910A 1998-12-14 1998-12-14 원통형 초고주파 발생 장치 KR100283725B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980054910A KR100283725B1 (ko) 1998-12-14 1998-12-14 원통형 초고주파 발생 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980054910A KR100283725B1 (ko) 1998-12-14 1998-12-14 원통형 초고주파 발생 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000039546A KR20000039546A (ko) 2000-07-05
KR100283725B1 true KR100283725B1 (ko) 2001-03-02

Family

ID=19562770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980054910A KR100283725B1 (ko) 1998-12-14 1998-12-14 원통형 초고주파 발생 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100283725B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100423145B1 (ko) * 1998-12-28 2004-08-02 주식회사 대우일렉트로닉스 초고주파발진장치를구비한전자렌지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100423145B1 (ko) * 1998-12-28 2004-08-02 주식회사 대우일렉트로닉스 초고주파발진장치를구비한전자렌지

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000039546A (ko) 2000-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2466063A (en) High-power high-frequency electron discharge apparatus
KR100283725B1 (ko) 원통형 초고주파 발생 장치
US4926093A (en) Gyrotron device
US5883367A (en) Microwave oven equipped with a structurally simple apparatus for generating a microwave frequency energy
US5914067A (en) Microwave oven equipped with a structurally simple microwave generating apparatus
RU2144239C1 (ru) Генератор энергии микроволновой частоты
JP3903450B2 (ja) 電子レンジ
RU97122328A (ru) Генератор энергии микроволновой частоты для микроволновой печи
JPH02278632A (ja) 電子ビームと発生器と該発生器を用いた電子装置
US5883368A (en) Microwave frequency energy generating apparatus provided with a voltage converting means
US5841114A (en) Microwave oven equipped with a microwave output controlling apparatus
KR100240345B1 (ko) 전자 렌지용 초고주파 발진관
KR200267716Y1 (ko) 원통형 초고주파 발생 장치
KR200267715Y1 (ko) 초고주파 발생 장치
KR100266475B1 (ko) 전자 렌지용 초고주파 발진관의 동작방법
KR19990056512A (ko) 전자렌지용 초고주파 발진관에 사용되는 피이드백 봉 지지체
KR19990056511A (ko) 전자렌지용 초고주파 발진관에 사용되는 피이드백 봉 지지체
KR20000018306U (ko) 초고주파 발생 장치
US3324337A (en) High frequency electron discharge device and focusing means therefor
KR100398966B1 (ko) 초고주파 발진장치
KR19990056510A (ko) 전자렌지용 초고주파 발진관에 사용되는 피이드백 봉 지지체
KR19990056509A (ko) 전자렌지용 초고주파 발진관
KR20000003781U (ko) 마그네트론
KR19990021445A (ko) 마그네트론

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051130

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee