KR100276650B1 - Failure inspection and analysis method of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 불량 검사 및 분석 방법을 공개한다. 그 검사 방법은 각 벡터의 불량이 다음 벡터의 불량에 영향을 끼치는지 아닌지에 따라서, 재시작 벡터와 계속 벡터로 구분하여 계속 벡터이면 검사를 계속해서 진행하면 되고, 재시작 벡터이면 다음 벡터의 불량에 영향을 끼치므로 이 불량 벡터를 마스킹하고 처음부터 검사를 다시 수행한다. 계속 벡터에 대한 불량 분석 방법은 불량 분석이 필요한 벡터인지, 아닌지를 구별하여 수행하게 되는데 만일 불량이고 계속 벡터가 아니면, 분석이 필요한 벡터인지 아닌지를 판단하여 분석이 필요하면, 분석 벡터를 삽입하여 이 삽입된 분석 벡터부터 시작하여 계속해서 검사를 수행하고, 만일 불량이고 재시작 벡터이면, 불량 벡터를 마스킹하고 다음 벡터부터 계속해서 검사를 수행한다. 재시작 벡터에 대한 불량 분석 방법은 불량 분석이 필요한 벡터인지, 아닌지를 구별하여 수행하게 되는데 만일 불량이고 재시작 벡터가 이면, 분석이 필요한 벡터인지 아닌지를 판단하여 분석이 필요하면, 분석 벡터를 삽입하여 제1벡터부터 분석 벡터까지의 검사를 수행하고 불량벡터와 분석 벡터를 마스킹한다. 그리고, 만일 불량이 아니고 계속 벡터이고 분석이 필요한 벡터가 아니면, 다음 벡터부터 계속해서 검사를 수행한다. 따라서, 불량 검사와 분석을 동시에 할 수 있으며, 이전 벡터의 불량에 의한 불량을 제거할 수 있다.The present invention discloses a defect inspection and analysis method for semiconductor devices. The inspection method can be continued by checking if the failure of each vector affects the failure of the next vector and if it is a continuous vector, it is divided into a restart vector and a continuing vector. If the restart vector is a restart vector, Masking this bad vector and performing the check again from the beginning. The failure analysis method for the continuous vector is performed by discriminating whether or not the vector is defective. If it is a bad vector and it is not a continuous vector, it is determined whether or not the vector is necessary for analysis. Continue the scan from the inserted analysis vector, and if it is bad and restart vector, mask the bad vector and continue to scan from the next vector. The failure analysis method for the restart vector is performed by discriminating whether or not the vector is defective analysis. If it is defective and the restart vector is the judgment of whether or not the analysis is necessary, if analysis is necessary, Performs inspection from 1 vector to analysis vector and masks the bad vector and the analysis vector. And, if it is not bad and it is still a vector and it is not a vector that needs analysis, continue the inspection from the next vector. Therefore, defect inspection and analysis can be performed at the same time, and defects due to defects in the previous vector can be eliminated.

Description

반도체 소자의 불량 검사 및 분석 방법Failure inspection and analysis method of semiconductor device

본 발명은 반도체 소자의 불량 검사 및 분석 방법에 관한 것으로, 특히 순차 회로를 구비한 반도체 소자의 불량 검사 및 분석 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a defect inspection and analysis method for a semiconductor device, and more particularly, to a defect inspection and analysis method for a semiconductor device having a sequential circuit.

반도체 소자의 검사는 검사 대상인 반도체 소자의 핀들을 테스트 장비에 연결하고, 입력 핀들에 주어진 신호를 인가하고 출력 핀들에서 원하는 신호가 출력되는지를 측정하는 것이다. 측정 결과, 원하는 신호가 출력되면 정상인 소자로 그렇지 않으면 불량인 소자로 판단된다. 이와같이 불량으로 판단된 반도체 소자의 원하는 출력과 측정 출력을 비교하여 검토하면 불량의 원인과 위치를 찾아낼 수 있다.Testing of semiconductor devices involves connecting the pins of a semiconductor device to be tested to a test equipment, applying a given signal to the input pins, and measuring whether the desired signal is output at the output pins. As a result of the measurement, if the desired signal is output, it is determined to be a normal device, otherwise it is judged to be a defective device. If the desired output of the semiconductor device determined to be defective is compared with the measured output, the cause and position of the defect can be found.

도1은 반도체 소자의 검사 방법을 설명하기 위한 개략적인 블록도로서, 검사 장비(10), 반도체 소자(20), 및 테스터(30)로 구성되어 있다.1 is a schematic block diagram for explaining a method of inspecting a semiconductor device, which comprises an inspection equipment 10, a semiconductor device 20, and a tester 30.

테스터(30)는 반도체 소자(20)의 검사 패턴을 저장하고, 각 벡터의 입력 패턴을 반도체 소자에 인가하여 출력 패턴이 정확하게 출력되는지를 측정하는 장비이다. 반도체 소자(20)는 검사 장비(10)에 올려지게 된다.The tester 30 is a device for storing an inspection pattern of the semiconductor device 20 and measuring whether an output pattern is accurately output by applying an input pattern of each vector to a semiconductor device. The semiconductor device 20 is placed on the inspection equipment 10.

종래의 반도체 소자의 검사 방법을 설명하면 다음과 같다.A conventional inspection method of a semiconductor device will be described below.

먼저, 6개의 입력 핀과 3개의 출력 핀을 가진 반도체 소자의 입출력 특성이 아래의 표와 같다고 하자.First, let the input and output characteristics of a semiconductor device having six input pins and three output pins be as shown in the following table.

(표 1)(Table 1)

IN1IN1 IN2IN2 IN3IN3 IN4IN4 IN5IN5 IN6IN6 OUT1OUT1 OUT2OUT2 OUT3OUT3 1One 00 1One 00 1One 00 00 1One 00 제1벡터The first vector 1One 00 00 1One 00 1One 1One 1One 00 제2벡터The second vector 1One 00 00 1One 1One 1One 1One 1One 00 제3벡터Third vector 1One 00 00 1One 00 00 1One 00 1One 제4벡터Fourth vector ...... ...... ...... ...... ...... ...... ...... ...... ...... ...... 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 제n벡터N-th vector

상기 표를 검사 패턴, IN1에서 IN6까지는 입력신호, OUT1에서 OUT3까지는 출력신호, 제1벡터부터 제n벡터까지의 각각을 벡터라고 정의한다.The above table defines the test pattern, the input signal from IN1 to IN6, the output signal from OUT1 to OUT3, and the first to the n-th vectors are defined as vectors.

테스터가 제1벡터의 입력 핀에 입력 신호 1, 0, 1, 0, 1, 0을 각각 인가하고, 반도체 소자의 출력 핀으로 부터의 출력 신호 0, 1, 0가 정확하게 출력되는지를 측정하여 동일하면 정상인 것으로, 동일하지 않으면 불량인 것으로 판단한다. 이와같은 방법으로 제2벡터부터 제n벡터까지를 검사한다.The tester applies input signals 1, 0, 1, 0, 1, 0 to the input pins of the first vector and measures whether the output signals 0, 1, 0 from the output pins of the semiconductor device are correctly output, If it is not the same, it is judged to be defective. In this way, the second to n-th vectors are examined.

조합 회로의 경우에는 각 벡터가 독립적이므로 벡터를 순서에 관계없이 인가하여도 상관없으며 또한, 각 벡터의 불량이 독립적이므로 불량의 원인과 위치를 찾기가 용이하다. 그러나, 순서 회로의 경우에는 제1벡터부터 제n벡터까지를 순서대로 인가하여야 하며, 앞 벡터의 불량이 다음 벡터의 불량의 원인이 되는 수가 있으므로 불량이 난 벡터 후의 불량이 실제 회로에 의한 불량인지, 앞 벡터의 불량에 의한 불량인지를 정확하게 판단할 수 없으며, 또한 불량의 원인과 위치를 찾기가 용이하지 않다.In the case of the combinational circuit, since each vector is independent, the vector may be applied regardless of the order. Also, since the defects of the respective vectors are independent, it is easy to find the cause and location of defects. However, in the case of an order circuit, the first vector to the n-th vector must be applied in order, and the failure of the preceding vector may cause the failure of the next vector. Therefore, , It is not possible to accurately determine whether or not the defect is caused by the defect of the preceding vector, and it is not easy to find the cause and location of the defect.

본 발명의 목적은 반도체 소자의 실제 회로에 의한 불량을 정확하게 판단할 수 있는 반도체 소자의 불량 검사 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a defect inspection method for a semiconductor device which can accurately determine a defect caused by an actual circuit of a semiconductor device.

본 발명의 다른 목적은 반도체 소자의 불량 원인 및 위치를 분석할 수 있는 반도체 소자의 불량 분석 방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a method for analyzing failure of a semiconductor device capable of analyzing a cause and position of a defect in the semiconductor device.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 불량 검사 방법은 소정수의 입력 핀들과 출력 핀들을 구비한 반도체 소자, 및 상기 반도체 소자의 제1부터 제n벡터까지의 검사 패턴을 이용하여 불량을 판별하기 위한 테스터를 구비한 반도체 소자의 불량 검사 방법에 있어서, 상기 제1벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하고 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하는 측정 단계, 상기 측정된 벡터가 불량 벡터이고 재시작 벡터이면, 상기 불량 벡터를 마스킹하고 상기 제1측정 단계로 진행하는 제1판단 및 검사 단계, 및 상기 측정된 벡터가 불량 벡터가 아니고 계속 벡터이면, 상기 측정된 벡터가 상기 제n벡터인지를 판단하여 만일 제n벡터이면 동작을 종료하고, 만일 제n벡터가 아니면, 다음 벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하고 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하고 상기 제1판단 및 검사 단계로 진행하는 제2판단 및 검사 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a defect inspection method for a semiconductor device, the defect inspection method using a semiconductor device having a predetermined number of input pins and output pins, and an inspection pattern from a first to an n-th vector of the semiconductor device, A method for inspecting a semiconductor device having a tester for identifying a semiconductor device, the method comprising: a measurement step of applying an input signal of the first vector to the predetermined number of input pins and measuring an output signal from the output pins; And if the vector is a bad vector and a restart vector, masking the bad vector and proceeding to the first measurement step, and if the measured vector is not a bad vector and is a continuing vector, And if it is not the n-th vector, the input signal of the next vector is multiplied by the predetermined number of Force applied to the pins and is characterized in that it includes a second determination and inspection and measuring an output signal from said output pins, and then proceeds to the first determining step and inspection.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 불량 분석 방법은 소정수의 입력 핀들과 출력 핀들을 구비한 반도체 소자, 및 상기 반도체 소자의 제1부터 제n벡터까지의 검사 패턴 및 상기 벡터들의 불량 발생시 분석이 필요한 벡터들 각각에 대한 소정수의 분석 벡터들을 이용하여 불량을 검사하고 분석하기 위한 테스터를 구비한 반도체 소자의 불량 분석 방법에 있어서, 상기 제1벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하고 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하는 제1측정 단계, 상기 측정된 벡터가 불량 벡터인지를 판단하는 판단 단계, 상기 판단 단계의 판단 결과 불량 벡터가 아니면, 상기 측정된 벡터가 제n벡터인지를 판단하고 만일 제n벡터가 아니면, 다음 벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하여 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하고 상기 판단 단계로 진행하는 제1검사 단계, 만일 판단 단계의 판단 결과 불량 벡터이고 재시작 벡터이면, 상기 불량 벡터를 마스킹하고 상기 제1검사 단계로 진행하는 마스킹 단계, 상기 판단 단계의 판단 결과 불량 벡터이고 계속 벡터이면, 상기 불량 벡터가 분석이 필요한 벡터인지를 판단하고, 만일 분석이 필요하면 상기 불량 벡터에 대한 소정수의 분석 벡터들을 상기 불량 벡터뒤에 삽입하여 상기 제1검사 단계로 진행하고, 만일 분석이 필요하지 않으면 상기 제1검사 단계로 진행하는 분석 단계, 및 상기 제1검사 단계의 판단 결과 만일 제n벡터이면 상기 제1벡터부터 상기 제n벡터까지의 벡터를 순차적으로 인가하고 측정하는 제2검사 단계를 구비한 계속 벡터에 대한 불량 분석 방법; 및 상기 제1벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하고 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하는 제2측정 단계, 상기 측정된 벡터가 불량, 재시작, 및 분석이 필요한 벡터이면, 상기 불량 벡터에 대한 소정수의 분석 벡터들을 삽입하고 상기 제1벡터부터 상기 소정수의 분석 벡터들까지 불량 검사를 수행한 후, 상기 불량 벡터와 상기 불량 벡터에 대한 소정수의 분석 벡터들을 마스킹하는 불량 분석 및 마스킹 단계, 및 상기 측정된 벡터가 정상, 계속, 또는 분석이 필요하지 않은 벡터이거나, 상기 불량 분석 및 마스킹 단계 후에 상기 측정된 벡터가 상기 제n벡터인지를 판단하고 만일 제n벡터이면 동작을 종료하고, 만일 제n벡터가 아니면 다음 벡터의 입력 신호를 상기 입력 핀에 인가하고 상기 출력 핀으로 부터의 출력 신호를 측정하고 상기 불량 분석 및 마스킹 단계로 진행하는 단계를 구비한 재시작 벡터에 대한 불량 분석 방법을 구비한 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device failure analysis method comprising: a semiconductor device having a predetermined number of input pins and output pins; and a test pattern from the first to n-th vectors of the semiconductor device, A method for analyzing failure of a semiconductor device having a tester for inspecting and analyzing defects using a predetermined number of analysis vectors for each of vectors required for analysis in the event of failure, the method comprising the steps of: The method comprising: a first measurement step of applying to the input pins and measuring an output signal from the output pins; a determination step of determining whether the measured vector is a bad vector; if the determination vector is not a bad vector, And if it is not the n-th vector, the input signal of the next vector is applied to the predetermined number of input pins A first checking step of measuring an output signal from the first output pins and proceeding to the determining step, and if it is determined to be a defective vector and a restart vector, masking the defective vector and proceeding to the first checking step Determining whether the defective vector is a vector requiring analysis if the defective vector is a continuing vector as a result of the determination, and inserting a predetermined number of analysis vectors for the defective vector after the defective vector if analysis is required And if it is determined that the analysis is not necessary, the process proceeds to the first inspection step, and if it is determined in the first inspection step that the first to n < th > And a second checking step of sequentially applying and measuring the vector of the continuity vector; And a second measurement step of applying an input signal of the first vector to the predetermined number of input pins and measuring an output signal from the output pins if the measured vector is a vector that requires bad, Inserting a predetermined number of analysis vectors for the defective vector and performing a defect check from the first vector to the predetermined number of analysis vectors and then masking the defective vector and a predetermined number of analysis vectors for the defective vector A failure analysis and masking step, and a determination step of determining whether the measured vector is a normal vector, a continuous vector, or an analysis-free vector, or whether the measured vector is the n-th vector after the failure analysis and masking step, And if it is not the n-th vector, the input signal of the next vector is applied to the input pin and the output signal from the output pin is measured It characterized in that it includes a failure analysis method for a restart vector comprising the step of proceeding to said failure analysis and masking steps.

도1은 반도체 소자의 불량 검사 방법을 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram for explaining a defect inspection method of a semiconductor device.

도2는 본 발명의 반도체 소자의 불량 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.2 is a flowchart for explaining a defect inspection method of a semiconductor device according to the present invention.

도3은 본 발명의 반도체 소자의 계속 벡터에 대한 불량 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart for explaining a failure analysis method for a continuity vector of a semiconductor device of the present invention.

도4는 본 발명의 반도체 소자의 재시작 벡터에 대한 불량 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a failure analysis method for a restart vector of a semiconductor device according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 반도체 소자의 불량 검사 및 분석 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a defect inspection and analysis method of a semiconductor device of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도2는 본 발명의 반도체 소자의 불량 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 먼저, 도1에 나타낸 테스터(30)에서 반도체 소자의 입력 핀으로 제1벡터의 입력신호를 인가하고 출력 핀으로 부터의 출력 신호를 측정한다(제100단계). 테스터는 제1벡터의 실제 출력 신호와 검사 패턴의 출력 신호를 비교하여 불량 벡터인지를 판단한다(제110단계). 만일 불량 벡터가 아니면, 테스터는 이 벡터가 제n벡터(마지막 벡터)인지를 판단한다(제120단계). 만일 불량 벡터이면, 테스터는 재시작(restart) 벡터인지를 판단한다(제130단계). 재시작 벡터인지는 설계자가 반도체 소자의 검사 패턴에 대하여 미리 결정을 하고 테스터에 이 정보를 기억시켜 둔다. 이 재시작 벡터는 다음 벡터의 불량에 영향을 끼치는 벡터이다. 만일 재시작 벡터이면, 테스터는 이 불량 벡터를 마스킹하고 상기 제100단계로 진행한다(제140단계). 마스킹한다는 의미는 이 불량 벡터를 검사 패턴에서 제외시킨다는 뜻이다. 만일 재시작 벡터가 아니면, 계속(continue) 벡터이므로 이 불량 벡터는 다음 벡터의 불량에 영향을 끼치지 않으므로 검사를 계속해서 수행하기 위해서 상기 제120단계로 진행한다. 만일 제120단계의 판단 결과 제n벡터가 아니면, 테스터는 다음 벡터의 입력 신호를 반도체 소자의 입력 핀에 인가하고 출력 핀으로 부터의 출력 신호를 측정하고 제110단계로 진행한다(제150단계). 그리고, 제120단계의 판단 결과 제n벡터이면 동작을 종료한다.FIG. 2 is a flowchart for explaining a defect inspection method of a semiconductor device according to the present invention. First, an input signal of a first vector is applied to an input pin of a semiconductor device in a tester 30 shown in FIG. 1, The output signal is measured (operation 100). The tester compares the actual output signal of the first vector with the output signal of the inspection pattern to determine whether it is a defective vector (operation 110). If it is not a bad vector, the tester determines whether the vector is the n-th vector (last vector) (Step 120). If it is a defective vector, it is determined whether the tester is a restart vector (operation 130). The designer recognizes the inspection pattern of the semiconductor device in advance and stores this information in the tester. This restart vector is a vector that affects the failure of the next vector. If it is a restart vector, the tester masks the defective vector and proceeds to operation 100 (operation 140). Masking means to exclude this bad vector from the test pattern. If it is not a restart vector, it is a continue vector. Therefore, the defective vector does not affect the failure of the next vector. Therefore, the process proceeds to step 120 to continuously perform the test. If it is determined in operation 120, the tester applies an input signal of the next vector to the input pin of the semiconductor device, measures an output signal from the output pin, and proceeds to operation 110 (operation 150) . If it is determined in operation 120, the operation is terminated.

본 발명의 반도체 소자의 불량 검사 방법은 각 벡터의 불량이 다음 벡터의 불량에 영향을 끼치는지 아닌지에 따라서, 재시작 벡터와 계속 벡터로 구분하여 계속 벡터이면 종래의 방법대로 검사를 계속해서 진행하면 되고, 재시작 벡터이면 다음 벡터의 불량에 영향을 끼치므로 이 불량 벡터를 마스킹하고 처음부터 검사를 다시 진행하는 것이다.According to the defect inspection method of a semiconductor device of the present invention, if the failure of each vector affects the failure of the next vector, it is possible to continue the inspection according to the conventional method if the vector is divided into the restart vector and the continuity vector, , And if it is a restart vector, it affects the failure of the next vector. Therefore, the defective vector is masked and the inspection is restarted from the beginning.

도3은 본 발명의 반도체 소자의 불량 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 계속 벡터의 불량을 분석하기 위한 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart for explaining a failure analysis method for a semiconductor device according to the present invention, and is a flowchart for explaining a method for analyzing a failure of a continuous vector.

먼저, 테스터가 제1벡터의 입력 신호를 반도체 소자의 입력 핀에 인가하고 출력 핀으로 부터의 출력 신호를 측정한다(제200단계). 테스터는 출력 신호와 원하는 출력신호를 비교하여 동일하면 정상으로, 동일하지 않으면 불량으로 판단한다(제210단계). 만일 불량으로 판단되면, 테스터는 이 불량 벡터가 재시작 벡터인지를 판단한다(제220단계). 제210단계의 판단 결과 불량이 아니면, 테스터는 이 불량 벡터가 제n벡터(마지막 벡터)인지를 판단한다(제240단계). 만일 제220단계의 판단 결과 재시작 벡터이면, 테스터는 이 불량 벡터를 마스킹하고 제240단계로 진행한다(제230단계). 제240단계의 판단 결과, 만일 제n벡터가 아니면, 테스터는 다음 벡터의 입력신호를 반도체 소자의 입력 핀에 인가하고 출력 핀으로 부터의 출력 신호를 측정하고, 제210단계로 진행한다(제250단계). 제220단계의 판단 결과 재시작 벡터가 아니면, 테스터는 분석이 필요한 벡터인지를 판단한다(제260단계). 분석이 필요한 벡터인지 아닌지도 계속, 재시작 벡터와 마찬가지로 설계자가 정하는 것이다. 만일 분석이 필요한 벡터이면, 테스터는 검사 패턴의 불량 벡터와 다음 벡터사이에 분석 벡터를 삽입한다(제270단계). 이 분석 벡터는 불량의 원인 및 위치를 확인하기 위하여 설계자가 만드는 것으로 하나이상의 벡터로 구성된다. 만일 분석이 필요한 벡터가 아니면, 제240단계로 진행한다. 만일 제240단계의 판단 결과, 제n벡터이면 테스터는 제1벡터를 인가하고 측정한다(제280단계). 테스터는 제n벡터인지를 판단하여 제n벡터이면 동작을 종료한다(제290단계). 제290단계의 판단 결과, 제n벡터가 아니면 테스터는 다음 벡터를 인가하여 측정하고 제290단계로 진행한다(제300단계). 제280단계에서 제300단계까지는 검사 패턴에 대하여 분석 벡터 삽입 및 마스킹 후에 새롭게 생성된 검사 패턴에 대하여 검사를 수행하는 것이다.First, the tester applies the input signal of the first vector to the input pin of the semiconductor device and measures the output signal from the output pin (operation 200). The tester compares the output signal with a desired output signal, and if it is the same, it is determined to be normal. Otherwise, it is determined that the output is defective (operation 210). If it is determined that the defective vector is a restart vector, the tester determines whether the defective vector is a restart vector (operation 220). If it is determined in step 210 that the defective vector is not defective, the tester determines whether the defective vector is the n-th vector (the last vector) (operation 240). If it is determined as a restart vector in operation 220, the tester masks the defective vector and proceeds to operation 240 in operation 230. If it is determined in operation 240, the tester applies the input signal of the next vector to the input pin of the semiconductor device, measures the output signal from the output pin, and proceeds to operation 210 step). If it is determined in operation 220 that the vector is not a restart vector, the tester determines whether the vector is a vector that needs to be analyzed (operation 260). Whether or not the vector is needed for analysis is still determined by the designer, just like the restart vector. If the analysis is required, the tester inserts the analysis vector between the defective vector of the inspection pattern and the next vector (step 270). This analysis vector consists of one or more vectors that the designer makes to identify the cause and location of the failure. If it is not the vector that needs analysis, proceed to step 240. If it is determined in operation 240, the tester applies the first vector and measures the vector in operation 280. The tester determines whether it is the n-th vector, and ends the operation if it is the n-th vector (Step 290). As a result of the determination in operation 290, if the vector is not the n-th vector, the tester measures the vector by applying the next vector, and proceeds to operation 290 (operation 300). In steps 280 to 300, an inspection pattern is newly inspected after inserting and masking the inspection pattern.

본 발명의 계속 벡터의 불량 분석 방법은 불량 분석이 필요한 벡터인지, 아닌지를 구별하여 수행하게 되는데 만일 불량이고 계속 벡터가 아니면, 분석이 필요한 벡터인지 아닌지를 판단하여 분석이 필요하면, 분석 벡터를 삽입하여 이 삽입된 분석 벡터부터 시작하여 계속해서 검사를 수행하고, 만일 불량이고 재시작 벡터이면, 불량 벡터를 마스킹하고 다음 벡터부터 계속해서 검사를 수행한다.The failure analysis method of the continuity vector of the present invention is performed by distinguishing whether or not the vector is defective analysis. If it is defective and the vector is not continuous, it is determined whether or not the analysis is necessary. If analysis is necessary, If the failure vector is a bad restart vector, the bad vector is masked and the next vector is checked continuously.

도4는 본 발명의 반도체 소자의 불량 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 재시작 벡터의 불량 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart for explaining a failure analysis method for a semiconductor device according to the present invention, and is a flowchart for explaining a failure analysis method of a restart vector.

먼저, 테스터가 제1벡터의 입력 신호를 반도체 소자의 입력 핀에 인가하고 출력 핀으로 부터의 출력신호를 측정한다(제400단계). 테스터는 제1벡터가 불량 벡터인지를 판단한다(제410단계). 만일 불량 벡터이면, 테스터는 재시작 벡터인지를 판단한다(제420단계). 만일 재시작 벡터이면, 테스터는 이 불량 벡터가 분석이 필요한 벡터인지를 판단한다(제430단계). 만일 분석이 필요한 벡터이면, 테스터는 불량 벡터와 다음 벡터사이에 분석 벡터를 삽입한다(제440단계). 상술한 바와 같이, 이 분석 벡터는 불량의 원인 및 위치를 확인하기 위하여 설계자가 만드는 것으로 하나이상의 벡터로 구성된다. 분석 벡터 삽입 후, 테스터는 제1벡터의 입력 신호를 반도체 소자의 입력 핀에 인가하고 출력 핀으로 부터의 출력신호를 측정한다(제450단계). 그리고, 테스터는 이 벡터가 마지막 분석 벡터인지를 판단한다(제460단계). 만일 마지막 분석 벡터가 아니면, 테스터는 다음 벡터를 인가하고 측정한다(제470단계). 만일 마지막 분석 벡터이면, 테스터는 불량 벡터부터 마지막 분석 벡터까지를 마스킹한다. 만일 제410, 420, 또는 430단계의 판단 결과, 불량 벡터, 재시작 벡터, 또는 분석이 필요한 벡터가 아닌 경우, 또는 제480단계 수행 후에 테스터는 제n벡터인지를 판단한다(제490단계). 만일 제n벡터가 아니면, 테스터는 다음 벡터를 인가하여 측정하고 제410단계로 진행한다(제500단계). 만일 제n벡터이면, 테스터는 동작을 종료한다.First, the tester applies the input signal of the first vector to the input pin of the semiconductor device and measures the output signal from the output pin (operation 400). The tester determines whether the first vector is a defective vector (operation 410). If it is a defective vector, it is determined whether the tester is a restart vector (operation 420). If it is a restart vector, the tester determines whether the defective vector is a vector requiring analysis (operation 430). If the analysis is a required vector, the tester inserts the analysis vector between the defective vector and the next vector (operation 440). As described above, this analysis vector is made up of one or more vectors that the designer makes to identify the cause and location of the failure. After inserting the analysis vector, the tester applies the input signal of the first vector to the input pin of the semiconductor device and measures the output signal from the output pin (operation 450). Then, the tester determines whether this vector is the last analysis vector (operation 460). If not, the tester applies and measures the next vector (step 470). If it is the last analysis vector, the tester masks from the bad vector to the last analysis vector. If it is determined in step 410, 420, or 430 that the defective vector, the restart vector, or the vector that is not required to be analyzed, or after step 480, the tester determines whether the vector is the n-th vector (step 490). If the vector is not the n-th vector, the tester applies the next vector and measures it, and proceeds to operation 410 (operation 500). If it is an n-th vector, the tester ends the operation.

본 발명의 재시작 벡터의 불량 분석 방법은 불량 분석이 필요한 벡터인지, 아닌지를 구별하여 수행하게 되는데 만일 불량이고 재시작 벡터가 이면, 분석이 필요한 벡터인지 아닌지를 판단하여 분석이 필요하면, 분석 벡터를 삽입하여 제1벡터부터 분석 벡터까지의 검사를 수행하고 불량벡터와 분석 벡터를 마스킹한다. 그리고, 만일 불량이 아니고 계속 벡터이고 분석이 필요한 벡터가 아니면, 다음 벡터부터 계속해서 검사를 수행한다.The failure analysis of the restart vector according to the present invention is performed by discriminating whether or not the vector is defective analysis. If it is defective and the restart vector is determined, it is determined whether or not the analysis is necessary, And performs the inspection from the first vector to the analysis vector and masks the defective vector and the analysis vector. And, if it is not bad and it is still a vector and it is not a vector that needs analysis, continue the inspection from the next vector.

즉, 도2, 3, 및 4의 흐름도는 테스터내의 검사 프로그램의 흐름도라고 할 수 있다. 도2의 흐름도는 불량 검사를 수행하는 방법을, 도3 및 도4의 흐름도는 불량 검사 및 불량 분석을 동시에 수행할 수 있는 방법을 각각 나타내는 것이다.That is, the flow charts of FIGS. 2, 3, and 4 are flow charts of the inspection program in the tester. The flowchart of FIG. 2 shows a method for performing a defect inspection, and the flowcharts of FIGS. 3 and 4 show a method for simultaneously performing a defect inspection and a defect analysis.

반도체 소자에 대하여 도2의 불량 검사 방법을 수행한 후, 불량이 발생하면 불량이 발생한 반도체 소자에 대하여 도3 및 도4의 불량 검사 및 분석 방법을 수행하여 불량의 원인 및 위치를 알아 낼 수 있다. 도3 및 4의 불량 분석 방법은 도3의 방법이 먼저 수행되고 도4의 방법이 수행되거나, 도4의 방법이 먼저 수행되고 도3의 방법이 수행되어도 상관없다.When a defect is detected after performing the defect inspection method of FIG. 2 for a semiconductor element, the defect inspection and analysis method of FIGS. 3 and 4 can be performed on a semiconductor element in which a defect has occurred, . The failure analysis methods of FIGS. 3 and 4 may be performed first, and the method of FIG. 4 may be performed, or the method of FIG. 4 may be performed first and the method of FIG. 3 may be performed.

그리고, 본 발명은 순서 회로뿐만 아니라 조합 회로에도 적용이 가능하며, 조합 회로의 경우에는 재시작 벡터가 없으므로 불량 분석을 위하여 도3의 계속 벡터에 대한 불량 검사 및 분석 방법을 이용하면 불량의 원인 및 위치를 용이하게 찾아낼 수 있다.In addition, since the present invention can be applied not only to an order circuit but also to a combination circuit, there is no restart vector in the case of a combination circuit. Therefore, if a defect inspection and analysis method for the continuity vector of FIG. 3 is used for defect analysis, Can be easily found.

따라서, 본 발명의 반도체 소자의 불량 검사 및 분석 방법은 불량 검사와 분석을 동시에 할 수 있다.Therefore, the defect inspection and analysis method of the semiconductor device of the present invention can simultaneously perform defect inspection and analysis.

그리고, 이전 벡터의 불량에 의한 불량을 제거하고 실제 회로의 불량에 의한 불량을 정확하게 판별해낼 수 있다.Then, it is possible to eliminate the defect caused by the defect of the previous vector, and accurately identify the defect caused by the defect of the actual circuit.

Claims (4)

소정수의 입력 핀들과 출력 핀들을 구비한 반도체 소자; 및A semiconductor device having a predetermined number of input pins and output pins; And 상기 반도체 소자의 제1부터 제n벡터까지의 검사 패턴을 이용하여 불량을 판별하기 위한 테스터를 구비한 반도체 소자의 불량 검사 방법에 있어서,And a tester for discriminating defects by using inspection patterns from the first to n-th vectors of the semiconductor element, the method comprising the steps of: 상기 제1벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하고 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하는 측정 단계;A measurement step of applying an input signal of the first vector to the predetermined number of input pins and measuring an output signal from the output pins; 상기 측정된 벡터가 불량 벡터이고 재시작 벡터이면, 상기 불량 벡터를 마스킹하고 상기 제1측정 단계로 진행하는 제1판단 및 검사 단계; 및Masking the defective vector and proceeding to the first measurement step if the measured vector is a defective vector and a restart vector; And 상기 측정된 벡터가 불량 벡터가 아니고 계속 벡터이면, 상기 측정된 벡터가 상기 제n벡터인지를 판단하여 만일 제n벡터이면 동작을 종료하고, 만일 제n벡터가 아니면, 다음 벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하고 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하고 상기 제1판단 및 검사 단계로 진행하는 제2판단 및 검사 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 불량 검사 방법.If the measured vector is not a bad vector but a continuous vector, it is determined whether the measured vector is the n-th vector. If the measured vector is not an n-th vector, And a second determination and inspection step of applying a voltage to the predetermined number of input pins, measuring an output signal from the output pins, and proceeding to the first determination and inspection step. 제1항에 있어서, 상기 계속 벡터는 다음 벡터의 불량에 영향을 주지 않는 벡터인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 불량 검사 방법.2. The method according to claim 1, wherein the continuity vector is a vector which does not affect the failure of the next vector. 소정수의 입력 핀들과 출력 핀들을 구비한 반도체 소자; 및A semiconductor device having a predetermined number of input pins and output pins; And 상기 반도체 소자의 제1부터 제n벡터까지의 검사 패턴 및 상기 벡터들의 불량 발생시 분석이 필요한 벡터들 각각에 대한 소정수의 분석 벡터들을 이용하여 불량을 검사하고 분석하기 위한 테스터를 구비한 반도체 소자의 불량 분석 방법에 있어서,A semiconductor device having a tester for inspecting and analyzing defects by using a predetermined number of analysis vectors for each of inspection patterns from the first to n-th vectors of the semiconductor device and vectors requiring analysis at the time of defect occurrence of the vectors In the failure analysis method, 상기 제1벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하고 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하는 측정 단계;A measurement step of applying an input signal of the first vector to the predetermined number of input pins and measuring an output signal from the output pins; 상기 측정된 벡터가 불량 벡터인지를 판단하는 판단 단계;Determining whether the measured vector is a defective vector; 상기 판단 단계의 판단 결과 불량 벡터가 아니면, 상기 측정된 벡터가 제n벡터인지를 판단하고 만일 제n벡터가 아니면, 다음 벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하여 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하고 상기 판단 단계로 진행하는 제1검사 단계;Determining whether the measured vector is an n < th > vector if it is determined that the measured vector is not a defective vector according to the determination step; And then proceeding to the determination step; 만일 판단 단계의 판단 결과 불량 벡터이고 재시작 벡터이면, 상기 불량 벡터를 마스킹하고 상기 제1검사 단계로 진행하는 마스킹 단계;A masking step of masking the defective vector and proceeding to the first inspection step if it is determined to be a defective vector and a restart vector as a result of the determination step; 상기 판단 단계의 판단 결과 불량 벡터이고 계속 벡터이면, 상기 불량 벡터가 분석이 필요한 벡터인지를 판단하고, 만일 분석이 필요하면 상기 불량 벡터에 대한 소정수의 분석 벡터들을 상기 불량 벡터뒤에 삽입하여 상기 제1검사 단계로 진행하고, 만일 분석이 필요하지 않으면 상기 제1검사 단계로 진행하는 분석 단계; 및Determining whether the defective vector is a vector requiring analysis if the defective vector is a continuing vector as a result of the determining step; and inserting a predetermined number of analysis vectors for the defective vector after the defective vector, 1 < / RTI > inspection step, and if the analysis is not required, go to the first inspection step; And 상기 제1검사 단계의 판단 결과 만일 제n벡터이면 상기 제1벡터부터 상기 제n벡터까지의 벡터를 순차적으로 인가하고 측정하는 제2검사 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 불량 분석 방법.And a second inspection step of sequentially applying and measuring vectors from the first vector to the n-th vector in the case of the n-th vector as a result of the first inspection step. 소정수의 입력 핀들과 출력 핀들을 구비한 반도체 소자; 및A semiconductor device having a predetermined number of input pins and output pins; And 상기 반도체 소자의 제1부터 제n벡터까지의 검사 패턴 및 상기 벡터들의 불량 발생시 분석이 필요한 벡터들 각각에 대한 소정수의 분석 벡터들을 이용하여 불량을 검사하고 분석하기 위한 테스터를 구비한 반도체 소자의 불량 분석 방법에 있어서,A semiconductor device having a tester for inspecting and analyzing defects by using a predetermined number of analysis vectors for each of inspection patterns from the first to n-th vectors of the semiconductor device and vectors requiring analysis at the time of defect occurrence of the vectors In the failure analysis method, 상기 제1벡터의 입력 신호를 상기 소정수의 입력 핀들에 인가하고 상기 출력 핀들로 부터의 출력신호를 측정하는 측정 단계;A measurement step of applying an input signal of the first vector to the predetermined number of input pins and measuring an output signal from the output pins; 상기 측정된 벡터가 불량, 재시작, 및 분석이 필요한 벡터이면, 상기 불량 벡터에 대한 소정수의 분석 벡터들을 삽입하고 상기 제1벡터부터 상기 소정수의 분석 벡터들까지 불량 검사를 수행한 후, 상기 불량 벡터와 상기 불량 벡터에 대한 소정수의 분석 벡터들을 마스킹하는 불량 분석 및 마스킹 단계; 및Inserting a predetermined number of analysis vectors for the defective vector and performing a defect check from the first vector to the predetermined number of analysis vectors if the measured vector is a vector that requires defective, A bad analysis and masking step of masking a bad vector and a predetermined number of analysis vectors for the bad vector; And 상기 측정된 벡터가 정상, 계속, 또는 분석이 필요하지 않은 벡터이거나, 상기 불량 분석 및 마스킹 단계 후에 상기 측정된 벡터가 상기 제n벡터인지를 판단하고 만일 제n벡터이면 동작을 종료하고, 만일 제n벡터가 아니면 다음 벡터의 입력 신호를 상기 입력 핀에 인가하고 상기 출력 핀으로 부터의 출력 신호를 측정하고 상기 불량 분석 및 마스킹 단계로 진행하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 불량 분석 방법.Determining whether the measured vector is a normal vector, a continuation vector, or an analysis-free vector, or whether the measured vector is the n-th vector after the failure analysis and masking step, and if the vector is an n-th vector, and if not, applying an input signal of the next vector to the input pin, measuring an output signal from the output pin, and proceeding to the failure analysis and masking step. .
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