KR100276636B1 - Substrate Processing Equipment - Google Patents

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KR100276636B1
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아키히코 모리타
마사미 오오타니
야스오 이마니시
마사오 쯔지
마사키 이와미
죠오이찌 니시무라
카즈히로 니시무라
테쯔야 하마다
사토시 야마모토
켄지 카메이
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이시다 아키라
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

전원투입시의 순간 최대소비전력이 저감된 기판처리장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus in which the instantaneous maximum power consumption during power supply is reduced.

복수의 처리유닛(11, 12, 13, 14)의 수전부(受電部)는 각각 스위치(41, 42, 43, 44)를 통해서 전원투입스위치(30)의 한쪽 단부에 접속되어 있다. 전원투입스위치(30)의 다른 쪽 단부는 브레이커(breaker)(20)를 통해 외부전원(E)에 접속되어 있다.The power receiving portions of the plurality of processing units 11, 12, 13, 14 are connected to one end of the power supply switch 30 via switches 41, 42, 43, 44, respectively. The other end of the power input switch 30 is connected to the external power source E via a breaker 20.

타이머(51, 52, 53, 54)에는 각각 타이머값(T1, T2, T3, T4)이 미리 설정되어 있다.The timer values T 1 , T 2 , T 3 , and T 4 are preset to the timers 51, 52, 53, and 54, respectively.

전원투입스위치(30)가 온되면 타이머(51∼54)가 각각 타이머값(T1∼T4)으로 규정되는 시간의 경과후에 대응하는 스위치(41∼44)를 온시킴으로써, 처리유닛(11∼14)에 일정시간씩 지연하면서 전력이 공급된다.When the power supply input switch 30 is turned on, the timers 51 to 54 turn on the corresponding switches 41 to 44 after the elapse of the time defined by the timer values T 1 to T 4, respectively. 14) Power is supplied with a delay for a certain time.

Description

기판처리장치Substrate Processing Equipment

본 발명은 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus having a plurality of processing units.

반도체 웨이퍼, 액정표시장치용 유리기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 유리기판 등의 기판에 여러 가지 처리를 행하기 위해 기판처리장치가 사용되고 있다.BACKGROUND ART A substrate processing apparatus is used to perform various processes on substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for photomasks, and glass substrates for optical discs.

예컨대, 반도체디바이스의 제조프로세스에서는 생산효율을 높이기 위해 일련의 처리의 각각을 유닛화하고, 복수의 처리유닛을 통합한 기판처리장치가 사용되고 있다.For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, a substrate processing apparatus in which each of a series of processes is unitized and a plurality of processing units are integrated is used to increase production efficiency.

이와 같은 기판처리장치는 일반적으로 공장내의 전력공급설비(외부전원)에 접속되고, 그 전력공급설비에서 공급되는 전력에 의해 복수의 처리유닛이 구동된다.Such a substrate processing apparatus is generally connected to a power supply facility (external power source) in a factory, and a plurality of processing units are driven by electric power supplied from the power supply facility.

도 9는 종래의 기판처리장치에서의 전력계통을 나타내는 블록도이다. 도 9에 있어서, 기판처리장치(1a)는 각각 기판에 소정의 처리를 행하는 복수의 처리유닛(11, 12, 13, 14)을 구비한다. 복수의 처리유닛(11∼14)의 수전부(受電部)는 전원투입스위치(30) 및 브레이커(breaker)(20)를 통해 외부전원(E)에 접속된다. 전원투입스위치(30)를 온으로 하면, 외부전원(E)에서의 전력이 복수의 처리유닛(11∼14)으로 공급된다.9 is a block diagram showing a power system in a conventional substrate processing apparatus. In FIG. 9, the substrate processing apparatus 1a is equipped with the some processing unit 11, 12, 13, 14 which respectively perform a predetermined process on a board | substrate. The power receiving units of the plurality of processing units 11 to 14 are connected to the external power source E via the power supply input switch 30 and the breaker 20. When the power supply input switch 30 is turned on, electric power from the external power supply E is supplied to the plurality of processing units 11 to 14.

각 처리유닛(11∼14)에는 예컨대, 램프의 필라멘트, 히터의 니크롬선 등의 저항체가 사용되고 있다. 이와 같은 저항체에 전력이 흐르면 큰 열이 발생하지만, 저항체의 전기저항은 온도가 낮을수록 작게된다. 전원투입시에는 저항체의 온도가 낮고, 시간의 경과와 함께 온도가 상승하여 어느 일정한 온도에서 안정된다. 따라서, 전원투입직후에는 정상상태와 비교하면 큰 전류가 흐르게 된다.In each processing unit 11 to 14, for example, a resistor such as a filament of a lamp and a nichrome wire of a heater is used. When electric power flows through such a resistor, large heat is generated, but the electrical resistance of the resistor decreases at a lower temperature. When the power is turned on, the temperature of the resistor is low, and as time passes, the temperature rises and is stabilized at a certain temperature. Therefore, a large current flows immediately after the power is turned on compared with the steady state.

도 10은 도 9의 기판처리장치(1a)에서의 사용전력의 시간적 변화를 나타내는 도면이다. 도 9의 기판처리장치(1a)에서는 전원투입시에 복수의 처리유닛(11∼14)에 동시에 전력이 공급되기 때문에, 각 처리유닛(11∼14)의 상기 전기적 거동에 의해, 도 10에 나타낸 바와 같이, 전원투입시(t0)로부터 일정한 시간이 경과할때까지의 사이에는 기판처리장치(1a)의 전체의 사용전력이 크게되고, 정상상태로 되면 사용전력이 어느 일정한 레벨(Wd)보다 낮게 된다.FIG. 10 is a diagram illustrating a temporal change of the used power in the substrate processing apparatus 1a of FIG. 9. In the substrate processing apparatus 1a of FIG. 9, power is simultaneously supplied to the plurality of processing units 11 to 14 at the time of power supply, and according to the electrical behavior of each of the processing units 11 to 14, it is shown in FIG. As described above, between the time when the power supply is turned on and the predetermined time elapses, the power consumption of the entire substrate processing apparatus 1a is increased, and when the steady state is reached, the power consumption is lower than any constant level Wd. do.

이 경우, 브레이커(20)의 동작레벨(Wa)을 전원투입직후의 사용전력보다 크게 설정하여 외부전원(E)의 전력공급능력을 브레이커(20)의 동작레벨(Wa)보다 크게 할 필요가 있다.In this case, it is necessary to set the operation level Wa of the breaker 20 to be larger than the power used immediately after the power supply, so that the power supply capability of the external power source E is larger than the operation level Wa of the breaker 20. .

하지만, 외부전원(E)의 전력공급능력을 증대시키는 것은 안전상 바람직하지 않고, 설비도 크게 되어 유지비의 증대로 된다. 이들의 것은 기판처리장치(1a)의 사용자가 맡게되어 큰 부담으로 된다.However, increasing the power supply capacity of the external power source E is not desirable for safety reasons, and the equipment is also large, resulting in an increase in maintenance costs. These things are entrusted to the user of the substrate processing apparatus 1a, and become a big burden.

또한, 처리유닛으로서 복수의 가열유닛(핫 플레이트)을 가지는 기판처리장치에서는 각 가열유닛의 처리온도를 조정하기 위한 온도조절 콘트롤러가 설치되어 있다. 가열유닛은 기판을 지지하는 기판지지플레이트, 및 이 기판지지플레이트를 가열하는 히터를 구비한다. 온도조절 콘트롤러에는 각 가열 유닛의 처리온도가 설정온도로서 설정되어 있다.Moreover, in the substrate processing apparatus which has a some heating unit (hot plate) as a processing unit, the temperature control controller for adjusting the processing temperature of each heating unit is provided. The heating unit includes a substrate support plate for supporting a substrate, and a heater for heating the substrate support plate. In the temperature controller, the processing temperature of each heating unit is set as the set temperature.

전원투입시에는, 온도조절 콘트롤러는 각 가열유닛의 히터에 외부전원에서의 전력을 공급하여 기판지지플레이트를 가열하고, 각 가열유닛의 기판지지플레이트의 온도가 설정온도로 되면, 기판지지플레이트의 온도를 설정온도로 유지하기 위해 가열유닛의 히터에 공급하는 전류를 온오프 제어한다.When the power is turned on, the temperature controller supplies electric power from an external power source to the heater of each heating unit to heat the substrate support plate, and when the temperature of the substrate support plate of each heating unit reaches the set temperature, the temperature of the substrate support plate To control the current supplied to the heater of the heating unit to maintain the set temperature on and off.

따라서, 전원투입시로부터 각 가열유닛의 온도조절이 완료할 때까지의 사이는 기판처리장치의 전체의 사용전력이 높게 되고, 각 가열유닛의 온도조정의 완료후의 보온시에는 사용전력이 낮게된다.Therefore, the power consumption of the whole substrate processing apparatus becomes high from the time of power supply to the completion of the temperature control of each heating unit, and the power consumption becomes low at the time of warming after completion of the temperature adjustment of each heating unit.

또한, 처리되는 기판의 로트의 변경 등에 의해 레시피(처리순서)가 변경되면 그에 따라 온도조절 콘트롤러에 설정되는 각 가열유닛의 설정온도도 변경된다.In addition, when the recipe (processing order) is changed by changing the lot of the substrate to be processed or the like, the set temperature of each heating unit set in the temperature control controller is also changed accordingly.

이 경우, 온도조절 콘트롤러는 각 가열유닛의 기판지지플레이트의 온도가 변경후의 설정온도로 될때까지 외부전원에서의 전력을 각 가열유닛의 히터에 공급하고, 각 가열유닛의 온도조정의 완료후는 각 가열유닛의 기판지지플레이트의 온도를 설정온도로 유지하기 위해 각 가열유닛의 히터에 공급하는 전류를 온 오프 제어한다.In this case, the temperature controller supplies electric power from an external power source to the heater of each heating unit until the temperature of the substrate supporting plate of each heating unit becomes the set temperature after the change, and after completion of temperature adjustment of each heating unit, In order to maintain the temperature of the substrate support plate of the heating unit at the set temperature, the current supplied to the heater of each heating unit is controlled on and off.

따라서, 설정온도의 변경후의 각 가열유닛의 온도조정시에 기판처리장치의 전체의 사용전력이 높게되고, 각 가열유닛의 온도조정의 완료후의 보온시에는 사용전력이 낮게 된다.Therefore, the power consumption of the whole substrate processing apparatus becomes high at the time of temperature adjustment of each heating unit after the change of setting temperature, and the power consumption is low at the time of warming after completion of the temperature adjustment of each heating unit.

이 경우, 전원투입시로부터 각 가열유닛의 온도조정이 완료할때까지의 사이 및 설정온도의 변경후의 각 가열유닛의 온도조정이 완료할 때까지의 사이는 외부전원에는 온도조정완료후의 사용전력보다 큰 전력공급능력이 요구됨과 동시에, 전력계통의 선재(線材)부품에도 그 사용전력에 따른 용량이 요구된다. 이들의 결과, 에너지절감화 및 저코스트화를 도모하는 것이 곤란하게 된다.In this case, between the time of power supply and the completion of the temperature adjustment of each heating unit and the completion of the temperature adjustment of each heating unit after the change of the set temperature, the external power is used more than the operating power after the completion of temperature adjustment. At the same time, a large power supply capacity is required, and the capacity of the wire rod component of the power system is also required. As a result, it becomes difficult to achieve energy reduction and low cost.

본 발명의 목적은 전원투입시의 순간 최대소비전력이 저감된 기판처리장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which the instantaneous maximum power consumption at the time of power supply is reduced.

본 발명의 다른 목적은 전원투입시의 온도조정에 필요한 최대소비전력이 저감된 기판처리장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a reduced maximum power consumption required for temperature adjustment at power-on.

본 발명의 다른 목적은 설정온도의 변경시의 온도조정에 필요한 최대소비전력이 저감된 기판처리장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which the maximum power consumption required for temperature adjustment when the set temperature is changed is reduced.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에서의 기판처리장치의 전력계통을 나타내는 블록도,1 is a block diagram showing a power system of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 기판처리장치의 전체 사용전력의 시간적 변화를 나타내는 도면,FIG. 2 is a diagram illustrating a temporal change in total power used in the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에서의 기판처리장치의 전력계통을 나타내는 블록도,3 is a block diagram showing a power system of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention;

도 4는 도 3의 기판처리장치에서의 CPU처리의 일례를 나타내는 흐름도,4 is a flowchart showing an example of CPU processing in the substrate processing apparatus of FIG. 3;

도 5는 도 4의 처리에서의 기판처리장치의 전체 사용전력의 시간적 변화를 나타내는 도면,FIG. 5 is a diagram showing a temporal change of the total used power of the substrate processing apparatus in the processing of FIG. 4; FIG.

도 6은 도 5의 기판처리장치에서의 CPU처리의 다른 예를 나타내는 흐름도,6 is a flowchart showing another example of CPU processing in the substrate processing apparatus of FIG. 5;

도 7은 도 6의 동작에서의 기판처리장치의 전체의 사용전력의 시간적 변화를 나타내는 도면,FIG. 7 is a view showing a temporal change of the used power of the entire substrate processing apparatus in the operation of FIG. 6;

도 8은 본 발명의 제3 실시예에서의 기판처리장치의 전력계통을 나타내는 블록도,8 is a block diagram showing a power system of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention;

도 9는 종래의 기판처리장치의 전력계통을 나타내는 블록도,9 is a block diagram showing a power system of a conventional substrate processing apparatus;

도 10은 도 9의 기판처리장치의 전체 사용전력의 시간적 변화를 나타내는 도면이다.FIG. 10 is a diagram illustrating a temporal change in total power used in the substrate processing apparatus of FIG. 9.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1, 2, 3 : 기판처리장치, 11, 12, 13, 14 : 처리유닛,1, 2, 3: substrate processing apparatus, 11, 12, 13, 14: processing unit,

20 : 브레이커, 30 : 전원투입스위치,20: breaker, 30: power input switch,

41, 42, 43, 44 : 스위치, 51, 52, 53, 54 : 타이머,41, 42, 43, 44: switch, 51, 52, 53, 54: timer,

60 : 전력계, 70 : 스위치부,60: power meter, 70: switch unit,

71, 72, 73, 74 : 스위치, 80 : CPU,71, 72, 73, 74: switch, 80: CPU,

90 : 조건설정패널, 100 : 메모리,90: condition setting panel, 100: memory,

101∼10n : 가열유닛, 110 : 히터콘트롤러,101 to 10n: heating unit, 110: heater controller,

121∼12n : 스위치, 130 : 온 오프 제어부,121-12n: switch, 130: on-off control part,

140 : 온도조절 콘트롤러.140: temperature controller.

제1 발명에 관한 기판처리장치는 기판에 소정의 처리를 행하는 복수의 처리부와, 외부전원에 접속되는 전원투입수단과, 전원투입수단에 의한 전원투입시에 외부전원에서 공급되는 전력을 시간적으로 어긋나게 하면서 복수의 처리부에 순차적으로 공급하는 전력공급제어수단을 구비한 것이다.The substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention provides a plurality of processing units that perform predetermined processing on a substrate, power supply means connected to an external power source, and power supplied from an external power source at the time of power supply by the power supply means. And it is provided with a power supply control means for sequentially supplying a plurality of processing units.

제2 발명에 관한 기판처리장치는 제1 발명에 관한 기판처리장치의 구성에 있어서, 전력공급제어수단이 전원투입수단과 복수의 처리부와의 사이에 각각 접속된 복수의 스위치수단과, 복수의 스위치 수단을 전원투입수단에 의한 전원투입시로부터 각각 미리 설정된 시간의 경과후에 온상태로 하는 계시수단을 포함하는 것이다.The substrate processing apparatus according to the second aspect of the invention is the configuration of the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, wherein the power supply control means is provided with a plurality of switch means each connected between a power supply means and a plurality of processing portions, and a plurality of switches. And means for turning on the means after each preset time has elapsed from the time of power-on by the power-on means.

제3 발명에 관한 기판처리장치는 제1 발명에 관한 기판처리장치의 구성에 있어서, 전력공급제어수단이 전원투입수단과 복수의 처리부와의 사이에 각각 접속된 복수의 스위치수단과, 복수의 처리부에서 사용중의 전력을 계측하는 전력계측수단과, 전력계측수단의 계측치에 의거하여 복수의 스위치수단을 순차적으로 온 상태로 하는 스위치 제어수단을 포함하는 것이다.The substrate processing apparatus according to the third aspect of the invention is the configuration of the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, wherein the power supply control means is provided with a plurality of switch means each connected between a power supply means and a plurality of processing parts, and a plurality of processing parts. Power measurement means for measuring the power in use at the same time, and switch control means for sequentially turning on the plurality of switch means based on the measured value of the power measurement means.

제4 발명에 관한 기판처리장치는 제3 발명에 관한 기판처리장치의 구성에 있어서, 스위치 제어수단이 전력계측수단의 계측치가 미리 설정된 기준레벨보다 낮을 때 각 스위치수단을 미리 설정된 순서로 온상태로 하는 것이다.In the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the invention, in the configuration of the substrate processing apparatus according to the third aspect of the invention, the switch control means is configured to turn on each switch means in a preset order when the measured value of the power measuring means is lower than a preset reference level. It is.

제5 발명에 관한 기판처리장치는 제3 발명에 관한 기판처리장치의 구성에 있어서, 스위치제어수단이 미리 설정된 최대 허용레벨과 전력계측수단의 계측치와의 차이에 의거하여 복수의 처리부중 어느 하나를 선택하고, 선택된 처리부를 온상태로 하는 것이다.In the substrate processing apparatus according to the fifth aspect of the invention, in the configuration of the substrate processing apparatus according to the third aspect of the invention, the switch control means selects one of the plurality of processing units based on a difference between the preset maximum allowable level and the measured value of the power measurement means. The selected processing unit is turned on.

제6 발명에 관한 기판처리장치는 제3 발명에 관한 기판처리장치의 구성에 있어서, 스위치제어수단이 전력계측수단의 계측치가 미리 설정된 최대 허용 레벨을 초과하지 않도록 복수의 스위치수단을 온 상태로 하는 타이밍을 순차적으로 지연시키는 것이다.The substrate processing apparatus according to the sixth invention is the configuration of the substrate processing apparatus according to the third invention, wherein the switch control means turns on the plurality of switch means so that the measured value of the power measuring means does not exceed a preset maximum allowable level. The timing is delayed sequentially.

제7 발명에 관한 기판처리장치는 열원을 가지고, 기판에 열처리를 행하는 복수의 처리부와, 외부전원에 접속되고, 외부전원으로부터의 전력을 복수의 처리부의 열원에 각각 공급하는 전력공급수단과, 각 처리부의 처리온도를 각각 소정의 온도로 조정하기 위해 전력공급수단에 의한 각 처리부로의 전력의 공급을 제어하는 전력공급제어수단을 구비하고, 전력공급제어수단은 전원투입시에 외부전원으로부터의 전력을 시간적으로 어긋나게 하면서 복수의 처리부에 순차적으로 공급하도록 전력공급수단을 제어하는 것이다.A substrate processing apparatus according to a seventh aspect of the invention has a heat source, a plurality of processing units which heat-treat the substrate, power supply means connected to an external power source, and supplying power from an external power source to the heat sources of the plurality of processing units, respectively, And a power supply control means for controlling the supply of power to each processing unit by the power supply means to adjust the processing temperature of the processing unit to a predetermined temperature, respectively, wherein the power supply control means is configured to supply power from an external power source at the time of power supply. The power supply means is controlled so as to supply the plurality of processing units sequentially while displacing time.

제8 발명에 관한 기판처리장치는 열원을 가지고, 기판에 열처리를 행하는 복수의 처리부와, 외부전원에 접속되고, 외부전원으로부터의 전력을 복수의 처리부의 열원에 각각 공급하는 전력공급수단과, 각 처리부의 처리온도를 각 처리부마다 설정된 설정온도로 조정하기 위해 전력공급수단에 의한 각 처리부로의 전력의 공급을 제어하는 전력공급제어수단을 구비하고, 전력공급제어수단은 설정온도의 변경시에 변경후의 각 처리부의 설정온도에 의거하여 전력공급수단에 의한 각 처리부로의 전력의 공급을 시간적으로 어긋나게 하면서 순차적으로 제어하는 것이다.The substrate processing apparatus according to the eighth invention has a heat source, a plurality of processing units which heat-treat the substrate, power supply means connected to an external power source, and supplying power from the external power source to the heat sources of the plurality of processing units, respectively, And a power supply control means for controlling the supply of power to each processing unit by the power supply means to adjust the processing temperature of the processing unit to the set temperature set for each processing unit, and the power supply control means is changed when the set temperature is changed. On the basis of the set temperatures of the respective processing units, the control is sequentially performed while the supply of power to each processing unit by the power supply means is shifted in time.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에서의 기판처리장치의 전력계통을 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram showing a power system of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1의 기판처리장치(1)는 복수의 처리유닛(11, 12, 13, 14)을 구비한다. 처리유닛(11∼14)은 예컨대, 기판에 레지스트 등의 도포액을 도포하는 회전식 도포유닛, 기판에 현상처리를 행하는 현상유닛, 기판을 세정하는 세정유닛, 기판에 가열처리를 행하는 가열유닛, 기판에 냉각처리를 행하는 냉각 유닛, 기판을 반송하는 반송유닛 등이다.The substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 includes a plurality of processing units 11, 12, 13, 14. The processing units 11 to 14 are, for example, a rotary coating unit for applying a coating liquid such as a resist to a substrate, a developing unit for developing a substrate, a cleaning unit for cleaning the substrate, a heating unit for heating the substrate, and a substrate. To a cooling unit for performing a cooling treatment to the substrate, and a conveying unit for conveying a substrate.

이 기판처리유닛(1)은 브레이커(20), 전원투입스위치(30), 복수의 스위치(41, 42, 43, 44) 및 복수의 타이머(51, 52, 53, 54)를 포함한다. 복수의 스위치(41, 42, 43, 44) 및 복수의 타이머(51, 52, 53, 54)는 각각 복수의 처리유닛(11, 12, 13, 14)에 대응하여 설치되어 있다.The substrate processing unit 1 includes a breaker 20, a power supply switch 30, a plurality of switches 41, 42, 43, 44, and a plurality of timers 51, 52, 53, 54. The plurality of switches 41, 42, 43, 44 and the plurality of timers 51, 52, 53, 54 are provided corresponding to the plurality of processing units 11, 12, 13, 14, respectively.

복수의 처리유닛(11∼14)의 수전부는 각각 대응하는 스위치(41∼44)를 통해 전원투입스위치(30)의 한쪽 단부에 접속되어 있다. 복수의 타이머(51∼54)는 마찬가지로 전원투입스위치(30)의 한쪽 단부에 접속되어 있다. 전원투입스위치(30)의 다른쪽 단부는 브레이커(20)를 통해 외부전원(E)에 접속되어 있다.The power receiving units of the plurality of processing units 11 to 14 are connected to one end of the power supply input switch 30 through corresponding switches 41 to 44, respectively. The plurality of timers 51 to 54 are similarly connected to one end of the power supply switch 30. The other end of the power input switch 30 is connected to the external power source E via the breaker 20.

타이머(51, 52, 53, 54)에는 각각 타이머값(T1, T2, T3, T4)이 미리 설정되어 있다. 전원투입스위치(30)가 온되면 타이머(51∼54)가 작동하고, 각각 타이머값(T1∼T4)으로 규정되는 시간의 경과후에 대응하는 스위치(41∼44)를 온시킨다. 예컨대, 타이머(51∼54)의 타이머값(T1∼T4)이 T1〈 T2〈 T3〈 T4로 되도록 설정되면, 전원투입스위치(30)의 온시에, 스위치(41), 스위치(42), 스위치(43) 및 스위치(44)가 이 순서로 일정한 시간씩 지연하면서 온한다. 이것에 의해, 복수의 처리유닛(11∼14)에 각각 다른 타이밍으로 전력이 공급된다.The timer values T 1 , T 2 , T 3 , and T 4 are preset to the timers 51, 52, 53, and 54, respectively. When the power supply switch 30 is turned on, the timers 51 to 54 are operated to turn on the corresponding switches 41 to 44 after the elapse of the time defined by the timer values T 1 to T 4 , respectively. For example, when the timer values T 1 to T 4 of the timers 51 to 54 are set such that T 1 < T 2 < T 3 < T 4 , the switch 41, when the power supply switch 30 is turned on, The switch 42, the switch 43, and the switch 44 are turned on with a predetermined time delay in this order. As a result, power is supplied to the plurality of processing units 11 to 14 at different timings.

본 실시예에서는 처리유닛(11∼14)이 처리부에 상당하고, 전원투입스위치(30)가 전원투입수단에 상당한다. 또한, 스위치(41∼44)가 스위치수단에 상당하고, 타이머(51∼54)가 계시수단에 상당한다. 스위치(41∼44) 및 타이머(51∼54)가 전력공급제어수단을 구성한다.In the present embodiment, the processing units 11 to 14 correspond to the processing unit, and the power supply switch 30 corresponds to the power supply means. The switches 41 to 44 correspond to the switch means, and the timers 51 to 54 correspond to the clock means. The switches 41 to 44 and the timers 51 to 54 constitute power supply control means.

도 2는 도 1의 기판처리장치(1)의 전체의 사용전력의 시간적 변화를 나타내는 도면이다. 상기의 예에서는 시각 t0에 전원투입스위치(30)가 온으로 되면, 시각 t1에 스위치(41)가 온하고, 시각 t2에 스위치(42)가 온하고, t3에 스위치(43)가 온하고, 시각 t4에 스위치(44)가 온한다.FIG. 2 is a diagram showing a temporal change of the used electric power of the entire substrate processing apparatus 1 of FIG. 1. In the above example, when the power supply switch 30 is turned on at time t0, the switch 41 is turned on at time t1, the switch 42 is turned on at time t2, and the switch 43 is turned on at t3, The switch 44 is turned on at the time t4.

이와 같이 전원투입직후에 복수의 처리유닛(11∼14)에 대응하는 스위치(41∼44)가 시간적으로 다른 타이밍에서 온되기 때문에, 처리유닛(11∼14)에서의 초기의 전력소비의 타이머가 분산된다. 이것에 의해, 전원투입직후에 기판처리장치(1)의 전체에서 사용되는 전력의 최대치(Wm)가 저감된다.In this way, since the switches 41 to 44 corresponding to the plurality of processing units 11 to 14 are turned on at different timings immediately after the power is turned on, the timer for initial power consumption in the processing units 11 to 14 is started. Is dispersed. Thereby, the maximum value Wm of electric power used by the whole substrate processing apparatus 1 immediately after power supply is reduced.

브레이커(20)의 동작전력(Wb)은 전원투입직후의 사용전력의 최대치(Wm)보다 높게 설정한다. 이 경우의 브레이커(20)의 동작전력(Wb)은 종래의 기판처리장치(1a)에서의 브레이커(20)의 동작전력(Wa)과 비교하여 대폭으로 낮게 할 수 있다. 따라서, 외부전원(E)의 전력공급능력을 대폭으로 저감하는 것이 가능하게 된다.The operating power Wb of the breaker 20 is set higher than the maximum value Wm of the used power immediately after the power supply. In this case, the operating power Wb of the breaker 20 can be significantly lower than the operating power Wa of the breaker 20 in the conventional substrate processing apparatus 1a. Therefore, the power supply capability of the external power source E can be greatly reduced.

또한, 각 타이머(51∼54)의 타이머값(T1∼T4)을 조정함으로써, 전원투입시에서의 각 처리유닛(11∼14)으로 전력공급의 타이밍을 임의로 설정할 수 있다. 따라서, 각 처리유닛(11∼14)의 최대소비전력에 의거하여 기판처리장치(1)의 전체에서 사용되는 전력의 최대치(Wm)가 낮게되도록 각 처리유닛(11∼14)으로의 전력공급의 타이밍 및 순서를 용이하게 설정할 수 있다.Further, by adjusting the timer values T 1 to T 4 of the timers 51 to 54, the timing of power supply can be arbitrarily set to each of the processing units 11 to 14 at the time of power supply. Therefore, on the basis of the maximum power consumption of each of the processing units 11 to 14, the power supply to each of the processing units 11 to 14 is reduced so that the maximum value Wm of the power used in the entire substrate processing apparatus 1 is lowered. The timing and order can be easily set.

각 타이머(51∼54)의 타이머값(T1∼T4)의 설정은 작업자가 수동으로 행하여도 되고, 또는 CPU(중앙연산처리장치) 등의 제어부가 자동적으로 행하여도 된다.The timer values T 1 to T 4 of the timers 51 to 54 may be set manually by an operator, or may be automatically set by a controller such as a CPU (central processing unit).

도 3은 본 발명의 제2 실시예에서의 기판처리장치의 전력계통을 나타내는 블록도이다.3 is a block diagram showing a power system of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 3에 있어서, 기판처리장치(2)는 복수의 처리유닛(11, 12, 13, 14)을 구비한다. 또한, 이 기판처리장치(2)는 브레이커(20), 전원투입스위치(30), 전력계(60), 스위치부(70), CPU(중앙연산처리장치), 조건설정패널(90) 및 메모리(100)를 포함한다. 스위치부(70)는 복수의 처리유닛(11, 12, 13, 14)에 각각 대응하는 복수의 스위치(71, 72, 73, 74)를 포함한다.In FIG. 3, the substrate processing apparatus 2 includes a plurality of processing units 11, 12, 13, 14. The substrate processing apparatus 2 further includes a breaker 20, a power input switch 30, a power meter 60, a switch unit 70, a CPU (central processing unit), a condition setting panel 90 and a memory ( 100). The switch unit 70 includes a plurality of switches 71, 72, 73, 74 corresponding to the plurality of processing units 11, 12, 13, 14, respectively.

복수의 처리유닛(11∼14)의 수전부는 스위치부(70)의 각각 대응하는 스위치(71∼74) 및 전력계(60)를 통해 전원투입스위치(30)의 한쪽 단부에 접속되어 있다. 전원투입스위치(30)의 다른 쪽 단부는 브레이커(20)를 통해 외부전원(E)에 접속되어 있다.The power receiving units of the plurality of processing units 11 to 14 are connected to one end of the power supply input switch 30 through the corresponding switches 71 to 74 and the power meter 60 of the switch unit 70, respectively. The other end of the power supply input switch 30 is connected to the external power source E via the breaker 20.

전력계(60)는 기판처리장치(2)의 전체의 사용전력을 계측한다. 조건설정패널(90)은 복수의 처리유닛(11∼14)의 전력공급순서, 각 처리유닛(11∼14)의 최대소비전력, 설정전력, 최대허용전력 등의 조건을 설정하기 위해 사용된다.The power meter 60 measures the used power of the entire substrate processing apparatus 2. The condition setting panel 90 is used to set the power supply order of the plurality of processing units 11 to 14, the conditions such as the maximum power consumption, the set power, the maximum allowable power, and the like of each of the processing units 11 to 14.

조건설정패널(90)에 의해 설정된 조건은 CPU(80)를 통해 메모리(100)에 데이터로서 기억된다. CPU(80)는 전력계(60)에 의해 계측되는 사용전력 및 메모리(100)에서 부여되는 각종 데이터에 의거하여 스위치부(70)의 스위치(71∼74)를 각각 소정의 타이밍에서 온시킨다.The condition set by the condition setting panel 90 is stored as data in the memory 100 via the CPU 80. The CPU 80 turns on the switches 71 to 74 of the switch unit 70 at predetermined timings based on the power used by the power meter 60 and various data supplied from the memory 100.

본 실시예에서는 스위치(71∼74)가 스위치수단에 상당하고, 전력계(60)가 전력계측수단에 상당하고, CPU(80)가 스위치제어수단에 상당한다. 또한, 전력계(60), 스위치(71∼74) 및 CPU(80)가 전력공급제어수단을 구성한다.In this embodiment, the switches 71 to 74 correspond to the switch means, the power meter 60 corresponds to the power measurement means, and the CPU 80 corresponds to the switch control means. In addition, the power meter 60, the switches 71 to 74 and the CPU 80 constitute power supply control means.

다음에, 도 3의 기판처리장치(2)의 동작을 도 4∼도 7을 참조하면서 설명한다.Next, the operation of the substrate processing apparatus 2 of FIG. 3 will be described with reference to FIGS. 4 to 7.

도 4는 도 3의 기판처리장치(2)에서의 CPU(80)의 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 5는 도 4의 처리에서의 기판처리장치(2)의 전체의 사용전력의 시간적 변화를 나타내는 도면이다.4 is a flowchart showing an example of the processing of the CPU 80 in the substrate processing apparatus 2 of FIG. 3. FIG. 5 is a diagram showing a temporal change of the used electric power of the entire substrate processing apparatus 2 in the process of FIG. 4.

본 예에서는 조건설정패널(90)을 사용하여 메모리(100)에 미리 설정전력(W0) 및 처리유닛(11∼14)으로의 전력공급순서가 기억되어 있는 것으로 한다. 여기에서, 설정전력(W0)은 기준레벨에 상당한다.In this example, it is assumed that the setting power W0 and the power supply order to the processing units 11 to 14 are stored in the memory 100 in advance using the condition setting panel 90. Here, the set power W0 corresponds to the reference level.

전원투입스위치(30)가 온되면, CPU(80)는 메모리(100)에서 설정전력(W0)의 데이터(D1)를 판독한다. 그리고, 전력계(60)에서 현재의 사용전력(Wc)의 데이터(D2)를 판독한다. 현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)보다 낮은지 아닌지를 판정한다(스텝 S1).When the power supply input switch 30 is turned on, the CPU 80 reads data D1 of the set power W0 from the memory 100. Then, the power meter 60 reads the data D2 of the current used power Wc. It is determined whether or not the current used power Wc is lower than the set power W0 (step S1).

현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)이상인 경우에는 대기하고, 현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)보다 낮게 되면 메모리(100)에서 다음에 전력공급하는 처리유닛의 데이터(D3)를 판독하여 그 처리유닛에 대응하는 스위치를 온으로 한다(스텝 S2).When the current used power Wc is greater than or equal to the set power W0, the controller waits. When the current used power Wc becomes lower than the set power W0, the data of the processing unit that is next powered by the memory 100 ( D3) is read and the switch corresponding to the processing unit is turned on (step S2).

그 후, 전체의 처리유닛에 대응하는 스위치를 온으로 했는지 어떤지를 판정한다(스텝 S3). 전체의 처리유닛에 대응하는 스위치를 온으로 하고 있지 않은 경우에는 전력계(60)에서 현재의 사용전력(Wc)의 데이터(D2)를 판독하고, 스텝 S1으로 되돌아간다. 전체의 처리유닛에 대응하는 스위치가 온으로 될 때까지, 스텝 S1∼S3의 처리를 반복하고, 전체의 처리유닛에 대응하는 스위치가 온으로 되면, 처리를 종료한다.Thereafter, it is determined whether the switch corresponding to the whole processing unit is turned on (step S3). If the switch corresponding to the entire processing unit is not turned on, the power meter 60 reads the data D2 of the current used power Wc, and returns to step S1. The processing in steps S1 to S3 is repeated until the switches corresponding to the entire processing units are turned on, and the processing ends when the switches corresponding to the entire processing units are turned on.

도 4의 예에서는 도 5에 나타낸 바와 같이, 시각 t0에 전원투입스위치(30)가 온으로 되면, 현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)보다 높을때에는 스위치를 온시키지 않고, 현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)보다 저하되었을 때 다음 스위치를 온으로 한다. 이것에 의해 복수의 스위치(71∼74)가 미리 설정된 순서로 지연하면서 온한다.In the example of FIG. 4, as shown in FIG. 5, when the power supply switch 30 is turned on at time t0, when the current use power Wc is higher than the set power W0, the switch is not turned on. When the used power Wc is lower than the set power W0, the next switch is turned on. As a result, the plurality of switches 71 to 74 are turned on in a predetermined order.

이와 같이, 전원투입직후에 복수의 처리유닛(11∼14)에 대응하는 스위치(71∼74)가 시간적으로 다른 타이밍에서 온되기 때문에, 처리유닛(11∼14)에서의 초기의 전력소비의 타이밍이 분산된다. 이것에 의해, 전원투입직후에 기판처리장치(2)의 전체에서 사용되는 전력의 최대치(Wm)가 저감된다.In this way, since the switches 71 to 74 corresponding to the plurality of processing units 11 to 14 are turned on at different timings immediately after the power is turned on, the timing of initial power consumption in the processing units 11 to 14 is the same. This is distributed. As a result, the maximum value Wm of electric power used in the entire substrate processing apparatus 2 immediately after the power supply is reduced.

브레이커(20)의 동작전력(Wb)은 전원투입직후의 사용전력의 최대치(Wm)보다 높게 설정한다. 이 경우의 브레이커(20)의 동작전력(Wb)도 종래의 기판처리장치(1a)에서의 브레이커(20)의 동작전력(Wa)에 비교하여 대폭으로 낮게 할 수 있다. 따라서, 외부전원(E)의 전력공급능력을 대폭으로 저감하는 것이 가능하게 된다.The operating power Wb of the breaker 20 is set higher than the maximum value Wm of the used power immediately after the power supply. In this case, the operating power Wb of the breaker 20 can also be significantly lower than the operating power Wa of the breaker 20 in the conventional substrate processing apparatus 1a. Therefore, the power supply capability of the external power source E can be greatly reduced.

상기의 예에서는 설정전력(W0) 및 처리유닛(11∼14)으로의 전력공급순서를 임의로 설정함으로써, 전원투입직후의 사용전력의 최대치(Wm)를 낮게할 수 있다.In the above example, by setting the power supply order to the set power W0 and the processing units 11 to 14 arbitrarily, the maximum value Wm of the used power immediately after the power supply can be lowered.

도 6은 도 3의 기판처리장치(2)에서의 CPU(80)의 처리의 다른 예를 나타내는 흐름도이다. 도 7은 도 6의 처리에서의 기판처리장치(2)의 전체의 사용전력의 시간적 변화를 나타내는 도면이다.6 is a flowchart showing another example of the processing of the CPU 80 in the substrate processing apparatus 2 of FIG. 3. FIG. 7 is a diagram showing a temporal change of the used electric power of the entire substrate processing apparatus 2 in the process of FIG. 6.

본 예에서는 조건설정패널(90)을 사용하여 메모리(100)에 미리 설정전력(W0), 최대허용전력(Wx) 및 각 처리유닛(11∼14)의 최대소비전력이 기억되어 있는 것으로 한다. 여기에서, 설정전력(W0)은 기준레벨에 상당하고, 최대허용전력(Wx)은 최대허용레벨에 상당한다.In this example, it is assumed that the setting power W0, the maximum allowable power Wx, and the maximum power consumption of each processing unit 11 to 14 are stored in the memory 100 using the condition setting panel 90 in advance. Here, the set power W0 corresponds to the reference level, and the maximum allowable power Wx corresponds to the maximum allowable level.

전원투입스위치(30)가 온으로 되면, CPU(80)는 메모리(100)에서 설정전력(W0)의 데이터(D11), 최대허용전력(Wx)의 데이터(D12) 및 각 처리유닛(11∼14)의 최대소비전력의 데이터(D13)를 판독한다. 그리고, 전력계(60)에서 현재의 사용전력(Wc)의 데이터(D14)를 판독하고, 현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)보다 낮은지 아닌지를 판정한다(스텝 S11).When the power supply input switch 30 is turned on, the CPU 80 stores the data D11 of the set power W0, the data D12 of the maximum allowable power Wx, and the respective processing units 11 to 11 in the memory 100. The data D13 of the maximum power consumption of 14) is read. Then, the power meter 60 reads the data D14 of the current used power Wc, and determines whether or not the current used power Wc is lower than the set power W0 (step S11).

현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)이상인 경우에는 대기하고, 현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)보다 낮게 되면, 전력공급 가능한 처리유닛이 있는지 없는지를 판정한다(스텝 12). 이 경우, 최대허용전력(Wx)과 현재의 사용전력(Wc)과의 차이를 산출하고, 각 처리유닛(11∼14)의 최대소비전력의 데이터(D13)에 의거하여 산출된 차이보다 낮은 최대소비전력을 가지는 처리유닛이 있는지 없는지를 판정한다.When the current used power Wc is higher than or equal to the set power W0, the device waits. When the current used power Wc becomes lower than the set power W0, it is determined whether there is a processing unit capable of supplying power (step 12). ). In this case, the difference between the maximum allowable power Wx and the current used power Wc is calculated, and the maximum lower than the difference calculated based on the data D13 of the maximum power consumption of each processing unit 11 to 14. It is determined whether or not there is a processing unit having power consumption.

전력공급 가능한 처리유닛이 없는 경우에는 전력계(60)에서 현재의 사용전력(Wc)의 데이터(D14)를 판독하고, 스텝 S11으로 되돌아간다. 전력공급 가능한 처리유닛이 있는 경우에는 그들의 처리유닛중 어느 하나를 미리 설정된 우선순위에 따라서 선택하고(스텝 S13), 선택된 처리유닛에 대응하는 스위치를 온으로 한다(스텝 S14).If there is no processing unit capable of supplying power, the power meter 60 reads the data D14 of the current used power Wc and returns to step S11. If there is a processing unit capable of supplying power, one of those processing units is selected according to a preset priority (step S13), and the switch corresponding to the selected processing unit is turned on (step S14).

그 후, 전체의 처리유닛에 대응하는 스위치를 온으로 했는지 어떤지를 판정한다(스텝 S15). 전체의 처리유닛에 대응하는 스위치가 온으로 될 때까지 스텝 S11∼15의 처리를 반복하고, 전체의 처리유닛에 대응한 스위치가 온으로 되면 처리를 종료한다.Thereafter, it is determined whether the switch corresponding to the whole processing unit is turned on (step S15). The processing in steps S11 to 15 is repeated until the switches corresponding to the entire processing units are turned on, and the processing ends when the switches corresponding to the entire processing units are turned on.

도 6의 예에서는 도 7에 나타낸 바와 같이, 시각 t0에 전원투입스위치(30)가 온으로 되면 현재의 사용전력(Wc)이 설정전력(W0)보다 낮을때에 최대허용전력(Wx)과 현재의 사용전력(Wc)과의 차이보다 낮은 최대소비전력의 처리유닛을 선택하고, 그 처리유닛에 전력을 공급한다. 이것에 의해, 전원투입직후에 기판처리장치(2)의 전체에서 사용되는 전력의 최대치(Wm)를 최대허용전력(Wx) 이하로 할 수 있다.In the example of FIG. 6, as shown in FIG. 7, when the power supply switch 30 is turned on at time t0, when the current used power Wc is lower than the set power W0, the maximum allowable power Wx and present Select a processing unit with a maximum power consumption lower than the difference from the use power (Wc), and supply power to the processing unit. Thereby, the maximum value Wm of the electric power used by the whole substrate processing apparatus 2 immediately after power supply can be made into the maximum allowable electric power Wx or less.

브레이커(20)의 동작전력은 최대허용전력(Wx)과 동일하게 또는 그것보다 높게 설정한다. 이 경우의 브레이커(20)의 동작전력은 종래의 기판처리장치(1a)에서의 브레이커(20)의 동작전력(Wb)과 비교하여 대폭으로 낮게할 수 있다. 따라서, 외부전원(E)의 전력공급능력을 대폭으로 저감하는 것이 가능하게 된다.The operating power of the breaker 20 is set equal to or higher than the maximum allowable power Wx. In this case, the operating power of the breaker 20 can be significantly lower than the operating power Wb of the breaker 20 in the conventional substrate processing apparatus 1a. Therefore, the power supply capability of the external power source E can be greatly reduced.

상기의 예에서는 설정전력(W0) 및 최대허용전력(Wx)을 설정함으로써, 기판처리장치(2)의 전체의 사용전력의 최대치(Wm)가 최대허용전력(Wx) 이하로 되도록 처리유닛(11∼14)으로의 전력공급순서 및 타이밍이 자동적으로 설정된다.In the above example, by setting the set power W0 and the maximum allowable power Wx, the processing unit 11 so that the maximum value Wm of the entire used power of the substrate processing apparatus 2 becomes equal to or less than the maximum allowable power Wx. The power supply order and timing to ˜14) are automatically set.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에서의 기판처리장치의 전력계통을 나타내는 블록도이다.8 is a block diagram showing a power system of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 8의 기판처리장치(3)는 복수의 가열유닛(핫 플레이트)(101, 102, :, 10n), 히터콘트롤러(110), 및 온도조절 콘트롤러(140)를 포함한다. 히터콘트롤러(110)는 복수의 스위치(121, 122, :, 12n) 및 온오프제어부(130)를 포함한다. 복수의 스위치(121∼12n)는 각각 복수의 가열유닛(101∼10n)에 대응하여 설치되어 있다.The substrate processing apparatus 3 of FIG. 8 includes a plurality of heating units (hot plates) 101, 102,: 10n, a heater controller 110, and a temperature control controller 140. The heater controller 110 includes a plurality of switches 121, 122,:, 12n and an on / off control unit 130. The plurality of switches 121 to 12n are provided corresponding to the plurality of heating units 101 to 10n, respectively.

각 가열유닛(101∼10n)은 기판을 지지하는 기판지지플레이트, 및 이 기판지지플레이트를 가열하기 위한 열원으로서의 히터를 가진다.Each heating unit 101-10n has the board | substrate support plate which supports a board | substrate, and the heater as a heat source for heating this board | substrate support plate.

각 가열유닛(101∼10n)의 히터에 접속되는 수전부는 각각 대응하는 스위치(121∼12n)를 통해 온오프 제어부(130)에 접속되고, 온오프 제어부(130)는 외부전원(E)에 접속되어 있다. 온오프 제어부(130)는 복수의 스위치(121∼12n)의 온오프동작을 각각 제어한다. 이것에 의해, 가열유닛(101∼10n)의 히터에 연속적 또는 단속적(斷續的)으로 전류가 공급되어 기판지지플레이트가 가열된다.The power receiving unit connected to the heaters of the heating units 101 to 10n is connected to the on / off control unit 130 through the corresponding switches 121 to 12n, respectively, and the on / off control unit 130 is connected to the external power source E. Connected. The on-off control unit 130 controls the on-off operation of the plurality of switches 121 to 12n, respectively. As a result, a current is continuously or intermittently supplied to the heaters of the heating units 101 to 10n to heat the substrate support plate.

복수의 가열유닛(101∼10n)의 기판지지플레이트에는 온도센서가 설치되어 있다. 가열유닛(101∼10n)의 온도센서의 출력신호(SE1∼SEn)는 온도조절 콘트롤러(140)에 부여된다. 온도조절 콘트롤러(140)에는 각 가열유닛(101∼10n)의 처리온도가 설정온도로서 설정되어 있다.The temperature sensor is provided in the board | substrate support plates of several heating unit 101-10n. The output signals SE1 to SEn of the temperature sensors of the heating units 101 to 10n are provided to the temperature control controller 140. In the temperature control controller 140, the processing temperature of each heating unit 101-10n is set as set temperature.

온도조절 콘트롤러(140)는 각 가열유닛(101∼10n)의 설정온도에 의거하여 복수의 스위치(121∼12n)의 온오프를 지령하는 제어신호를 온오프 제어부(130)에 부여한다. 온오프 제어부(130)는 온도조절 콘트롤러(140)에서 부여된 제어신호에 응답하여 각 스위치(121∼12n)를 온오프시킨다.The temperature control controller 140 provides the on-off control unit 130 with a control signal for commanding the on / off of the plurality of switches 121 to 12n based on the set temperatures of the heating units 101 to 10n. The on-off control unit 130 turns on and off the respective switches 121 to 12n in response to a control signal provided by the temperature controller 140.

본 실시예에서는 가열유닛(101∼10n)이 처리부에 상당하고, 히터콘트롤러(110)가 전력공급수단에 상당하고, 온도조절 콘트롤러(140)가 전력공급제어수단에 상당한다.In this embodiment, the heating units 101 to 10n correspond to the processing unit, the heater controller 110 corresponds to the power supply means, and the temperature regulation controller 140 corresponds to the power supply control means.

다음에, 도 8의 기판처리장치(3)의 동작을 설명한다. 여기에서는 각 가열유닛(101∼10n)의 히터의 소비전력을 100W로 한다. 또한, 초기상태에서 온도조절 콘트롤러(140)에 설정되어 있는 가열유닛(101, 102, 103, 10n)의 설정온도를 예컨대 각각 150℃, 200℃, 120℃ 및 100℃로 한다.Next, operation | movement of the substrate processing apparatus 3 of FIG. 8 is demonstrated. Here, the power consumption of the heaters of the heating units 101 to 10n is 100W. Further, the set temperatures of the heating units 101, 102, 103, and 10n set in the temperature controller 140 in the initial state are, for example, 150 ° C, 200 ° C, 120 ° C and 100 ° C, respectively.

온도조절 콘트롤러(140)는 가열유닛(101∼10n)의 온도센서의 출력신호(SE1∼SEn)에 의거하여 각 가열유닛(101∼10n)의 기판지지플레이트의 온도를 검지한다.The temperature controller 140 detects the temperature of the substrate support plates of the heating units 101 to 10n based on the output signals SE1 to SEn of the temperature sensors of the heating units 101 to 10n.

전원투입시에 온도조절 콘트롤러(140)는 우선, 가열유닛(101)에 접속되는 스위치(121)를 온오프 제어부(130)에 의해 온시킨다. 이것에 의해, 가열유닛(101)의 히터에 전류가 공급되고, 기판지지플레이트가 가열된다. 이 때, 가열유닛(101)에서 소비되는 전력은 100W이다.When the power is turned on, the temperature controller 140 first turns on the switch 121 connected to the heating unit 101 by the on-off control unit 130. As a result, a current is supplied to the heater of the heating unit 101, and the substrate support plate is heated. At this time, the power consumed in the heating unit 101 is 100W.

가열유닛(101)의 기판지지플레이트의 온도가 설정온도에 도달하면 온도조절 콘트롤러(140)는 다음에 가열유닛(102)에 접속되는 스위치(122)를 온오프 제어부(130)에 의해 온시킨다. 또한, 가열유닛(101)의 기판지지플레이트의 온도를 설정온도로 유지하기 위해 온오프 제어부(130)에 의해 스위치(121)를 온오프 제어한다. 이 경우, 가열유닛(101)의 기판지지플레이트의 온도변동에 따라 가열유닛(101)의 히터에 공급되는 전류가 온오프제어된다.When the temperature of the substrate supporting plate of the heating unit 101 reaches the set temperature, the temperature controller 140 turns on the switch 122 connected to the heating unit 102 by the on-off control unit 130. In addition, in order to maintain the temperature of the substrate support plate of the heating unit 101 at the set temperature, the on-off control of the switch 121 by the on-off control unit 130. In this case, the current supplied to the heater of the heating unit 101 is controlled on / off in accordance with the temperature variation of the substrate support plate of the heating unit 101.

이후, 마찬가지로, 온도조절 콘트롤러(140)는 가열유닛(103∼10n)에 접속되는 스위치(123∼12n)를 온오프 제어부(130)에 의해 차례로 온시킴과 동시에, 가열유닛(103∼10n)의 기판지지플레이트의 온도가 각각 설정온도에 도달된 후, 보온을 위해 온오프 제어부(130)에 의해 스위치(123∼12n)를 온오프 제어한다.Thereafter, similarly, the temperature controller 140 turns on the switches 123 to 12n connected to the heating units 103 to 10n in turn by the on-off control unit 130, and at the same time, the temperature of the heating units 103 to 10n. After the temperature of the substrate supporting plate reaches the set temperature, the on / off control unit 130 controls the switches 123 to 12n on and off for keeping warm.

처리되는 기판의 로트 등의 변경에 의해 레시피(처리순서)가 변경되면, 그것에 따라서 온도조절 콘트롤러(140)에 설정되어 있는 가열유닛(101∼10n)의 설정온도도 변경된다.When the recipe (processing order) is changed by changing the lot or the like of the substrate to be processed, the set temperature of the heating units 101 to 10n set in the temperature control controller 140 is also changed accordingly.

이 경우, 온도조절 콘트롤러(140)는 변경후의 설정온도에 따라서, 가열유닛(101∼10n)의 온도조정을 시간적으로 어긋나게 하면서 행한다. 예컨대, 온도조절 콘트롤러(140)는 우선, 온오프 제어부(130)에 의해 가열유닛(101)의 히터에 전류를 공급함으로써, 가열유닛(101)의 기판지지플레이트의 온도를 변경후의 설정온도로 조정한다.In this case, the temperature controller 140 performs the temperature adjustment of the heating units 101 to 10n in time shifts in accordance with the set temperature after the change. For example, the temperature controller 140 first adjusts the temperature of the substrate support plate of the heating unit 101 to the set temperature after the change by supplying current to the heater of the heating unit 101 by the on / off control unit 130. do.

온도조절 콘트롤러(140)는 가열유닛(101)의 온도조정의 완료후, 온오프 제어부(130)에 의해 가열유닛(102)의 히터에 전류를 공급함으로써, 가열유닛(102)의 기판지지플레이트의 온도를 변경후의 설정온도로 조정한다.The temperature controller 140 supplies a current to the heater of the heating unit 102 by the on-off control unit 130 after completion of the temperature adjustment of the heating unit 101, thereby providing a substrate support plate of the heating unit 102. Adjust the temperature to the set temperature after the change.

마찬가지로, 온도조절 콘트롤러(140)는 가열유닛(102)의 온도조정의 완료후, 시간적으로 어긋나게 하면서 가열유닛(103∼10n)의 기판지지플레이트의 온도를 변경후의 설정온도로 순차적으로 조정한다.Similarly, the temperature controller 140 sequentially adjusts the temperature of the substrate support plates of the heating units 103 to 10n to the set temperature after the change while shifting the time after completion of the temperature adjustment of the heating unit 102.

이와 같이, 본 실시예의 기판처리장치(3)에서는 전원투입시에 시간적으로 어긋나게 하면서 가열유닛(101∼10n)에 온도조정을 위한 전력이 순차적으로 공급되기 때문에, 최대소비전력은 (100+α)W로 된다. 여기서, α는 온도조정완료후의 보온을 위해 필요한 전력이고, 온도조정을 위해 필요한 전력에 비해 충분히 작다.As described above, in the substrate processing apparatus 3 of the present embodiment, since the power for temperature adjustment is sequentially supplied to the heating units 101 to 10n while shifting the power in time, the maximum power consumption is (100 + α). It becomes W. Here, α is the power required for warming after completion of temperature adjustment, and is sufficiently small compared to the power required for temperature adjustment.

한편, 종래의 기판처리장치에서는 전원투입시에 전체의 가열유닛에 동시에 전력이 공급되기 때문에, 최대소비전력은 (100×n)W로 된다. 여기서, n은 가열 유닛의 수이다.On the other hand, in the conventional substrate processing apparatus, since electric power is simultaneously supplied to the entire heating unit at the time of power supply, the maximum power consumption is (100 x n) W. Where n is the number of heating units.

또한, 본 실시예의 기판처리장치(3)에서는 설정온도의 변경시에 시간적으로 어긋나게 하면서, 가열유닛(101∼10n)의 기판지지플레이트의 온도가 변경후의 설정온도로 조정되기 때문에, 설정온도의 변경직후의 최대소비전력이 저감된다.In addition, in the substrate processing apparatus 3 of this embodiment, since the temperature of the substrate support plates of the heating units 101 to 10n is adjusted to the set temperature after the change while shifting the set time in time, the set temperature is changed. The maximum power consumption immediately after is reduced.

따라서, 외부전원(E)의 전력공급능력을 저감하는 것이 가능하게 됨과 동시에, 전력계통의 선재부품의 용량을 저감할 수 있다. 그 결과, 에너지 절감화 및 저코스트화를 도모할 수 있다.Therefore, it becomes possible to reduce the power supply capability of the external power source E and at the same time, the capacity of the wire rod component of the power system can be reduced. As a result, energy reduction and cost reduction can be achieved.

본 실시예의 경우, 가열유닛(101∼10n)의 온도조정이 완료할 때까지 필요한 시간이 증가하지만, 온도조정은 전원투입시 및 설정온도의 변경시에 제한되기 때문에, 온도조정에 필요한 시간의 증가분은 기판처리장치(3)의 전체의 가동시간에 비해 적다.In the present embodiment, the time required until the temperature adjustment of the heating units 101 to 10n is completed is increased, but since the temperature adjustment is limited at the time of turning on the power and changing the set temperature, an increase in the time required for temperature adjustment Is less than the overall operating time of the substrate processing apparatus 3.

한편, 본 실시예와 같이, 각 가열유닛의 온도조정의 완료마다 다음 가열유닛의 온도조정을 개시하는 것이 최대소비전력의 저감화를 위해서는 바람직하지만, 각 가열유닛의 온도조정의 완료전에 다음 가열유닛의 온도조정을 개시해도 된다. 이 경우에서도 각 가열유닛의 온도조정의 개시시간을 어긋나게 함으로써, 동시에 온도조정되는 가열유닛의 수가 감소하기 때문에, 최대소비전력을 종래의 기판처리장치에 비해 저감하는 것이 가능하게 된다.On the other hand, as in the present embodiment, it is preferable to start the temperature adjustment of the next heating unit every time the temperature adjustment of each heating unit is completed, in order to reduce the maximum power consumption, but before the completion of the temperature adjustment of each heating unit, You may start temperature adjustment. In this case as well, by shifting the start time of the temperature adjustment of each heating unit, the number of heating units to be adjusted at the same time is reduced, so that the maximum power consumption can be reduced as compared with the conventional substrate processing apparatus.

제1 발명에 관한 기판처리장치에 있어서는 전원투입시에 외부전원에서 공급되는 전력이 시간적으로 다른 타이밍으로 복수의 처리부에 순차적으로 공급되기 때문에, 복수의 처리부에서의 초기의 전력소비의 타이밍이 분산된다. 이것에 의해 전원투입직후에 기판처리장치의 전체에서 소비되는 순간 최대전력이 저감된다. 따라서, 외부전원의 전력공급능력을 저감하는 것이 가능하게 되는 효과가 있다.In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, since the power supplied from the external power source is sequentially supplied to the plurality of processing units at different timings in time, the timing of initial power consumption in the plurality of processing units is dispersed. . This reduces the instantaneous maximum power consumed by the entire substrate processing apparatus immediately after the power is turned on. Therefore, there is an effect that it is possible to reduce the power supply capacity of the external power source.

제2 발명에 관한 기판처리장치의 경우, 전원투입시에 복수의 스위치수단이 각각 미리 설정된 시간의 경과후에 순차적으로 온상태로 되기 때문에, 복수의 처리부에서의 초기의 전력소비의 타이밍이 분산되고, 전원투입직후에 기판처리장치 전체에서 소비되는 순간 최대전력이 저감되는 효과가 있다.In the case of the substrate processing apparatus according to the second aspect of the invention, since the plurality of switch means are sequentially turned on after each preset time passes when the power is turned on, the timing of initial power consumption in the plurality of processing units is dispersed, Immediately after power is applied, the instantaneous maximum power is consumed by the entire substrate processing apparatus.

제3 발명에 관한 기판처리장치의 경우, 전력계측수단의 계측치에 의거하여 복수의 스위치수단이 순차적으로 온상태로 되기 때문에, 전원투입직후에 기판처리장치의 전체에서 소비되는 순간 최대전력을 어느 일정한 레벨 이하로 하는 것이 가능하게 되는 효과가 있다.In the case of the substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention, since the plurality of switch means are sequentially turned on based on the measured values of the power measuring means, the instantaneous maximum power consumed by the entire substrate processing apparatus immediately after the power supply is set to a certain level. There is an effect that it becomes possible to make it below the level.

제4 발명에 관한 기판처리장치의 경우, 전력계측수단의 계측치가 기준레벨보다 높을때에는 스위치수단이 온상태로 되지않고, 전력계측수단의 계측치가 기준레벨보다 저하되었을 때 다음 스위치수단이 온상태로 된다. 그것에 의해, 복수의 스위치수단이 미리 설정된 순서로 지연하면서 온상태로 된다는 효과가 있다.In the case of the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the invention, when the measured value of the power measuring means is higher than the reference level, the switch means is not turned on, and when the measured value of the power measuring means is lower than the reference level, the next switch means is turned on. do. Thereby, there is an effect that the plurality of switch means is turned on while delaying in a predetermined order.

제5 발명에 관한 기판처리장치의 경우, 최대 허용레벨과 전력계측수단의 계측치와의 차이보다 낮은 소비전력을 가지는 처리부를 온 상태로 할 수 있기 때문에, 전원투입직후에 기판처리장치의 전체에서 소비되는 순간 최대전력을 최대허용레벨 이하로 할 수 있다는 효과가 있다.In the case of the substrate processing apparatus according to the fifth aspect of the present invention, since the processing unit having a power consumption lower than the difference between the maximum allowable level and the measured value of the power measuring means can be turned on, the substrate processing apparatus is consumed in the entire substrate processing apparatus immediately after the power is supplied. At the moment, the maximum power can be lowered below the maximum allowable level.

제6 발명에 관한 기판처리장치의 경우, 전원투입시에 전력계측수단의 계측치가 최대 허용 레벨을 초과하지 않도록 복수의 스위치수단을 온상태로 하는 타이밍이 순차적으로 지연되기 때문에, 기판처리장치의 전체에서 소비되는 순간 최대 전력이 최대 허용 레벨을 초과하지 않는다는 효과가 있다.In the case of the substrate processing apparatus according to the sixth aspect of the present invention, the timing of turning on the plurality of switch means to the on-state is sequentially delayed so that the measured value of the power measuring means does not exceed the maximum allowable level when the power is turned on, so that the entire substrate processing apparatus is The effect is that the maximum power consumed at does not exceed the maximum allowable level.

제7 발명에 관한 기판처리장치에 있어서는 전원투입시에 외부전원에서 공급되는 전력이 시간적으로 다른 타이밍으로 복수의 처리부에 순차적으로 공급되기 때문에, 복수의 처리부에서 온도조정에 필요한 전력의 소비의 타이밍이 분산된다. 그것에 의해, 전원투입직후에 기판처리장치의 전체에서 소비되는 순간 최대전력이 저감된다.In the substrate processing apparatus according to the seventh aspect of the invention, since the power supplied from the external power source is sequentially supplied to the plurality of processing units at different timings at the time of power supply, the timing of power consumption required for temperature adjustment in the plurality of processing units is increased. Is dispersed. This reduces the instantaneous maximum power consumed by the entire substrate processing apparatus immediately after the power is turned on.

따라서, 외부전원의 전력공급능력을 저감하는 것이 가능하게 됨과 동시에, 전력계통의 선재부품의 용량을 저감할 수 있다. 그 결과, 에너지 절감화 및 저 코스트화를 도모할 수 있다는 효과가 있다.Therefore, it is possible to reduce the power supply capability of the external power source and at the same time reduce the capacity of the wire rod component of the power system. As a result, there is an effect that energy reduction and cost reduction can be achieved.

제8 발명에 관한 기판처리장치에 있어서는 복수의 처리부의 설정온도의 변경시에 전력공급수단에 의한 각 처리부로의 전력의 공급이 시간적으로 다른 타이밍으로 제어되기 때문에, 복수의 처리부에서 온도조정을 위해 필요한 전력의 소비의 타이밍이 분산된다. 그것에 의해, 설정온도의 변경직후에 기판처리장치의 전체에서 소비되는 순간최대전력이 저감된다.In the substrate processing apparatus according to the eighth aspect of the invention, since the supply of power to each processing unit by the power supply means is controlled at different timings at the time of changing the set temperatures of the plurality of processing units, The timing of the consumption of the required power is dispersed. Thereby, the instantaneous maximum power consumed by the whole substrate processing apparatus immediately after the change of the set temperature is reduced.

따라서, 외부전원의 전력공급능력을 저감하는 것이 가능하게 됨과 동시에, 전력계통의 선재부품의 용량을 저감할 수 있다. 그 결과, 에너지 절감화 및 저코스트화를 도모할 수 있다는 효과가 있다.Therefore, it is possible to reduce the power supply capability of the external power source and at the same time reduce the capacity of the wire rod component of the power system. As a result, there is an effect that energy reduction and cost reduction can be achieved.

Claims (9)

기판에 소정의 처리를 행하는 복수의 처리부와, 외부전원에 접속되는 전원투입수단과, 상기 전원투입수단에 의한 전원투입시에 상기 외부전원으로부터 공급되는 전력을 시간적으로 어긋나게 하면서 상기 복수의 처리부에 순차적으로 공급하는 전력공급제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A plurality of processing units which perform predetermined processing on the substrate, power supply means connected to an external power supply, and power supply from the external power supply when the power supply by the power supply means is shifted in time, sequentially And a power supply control means for supplying power to the substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 전력공급제어수단은, 상기 전원투입수단과 상기 복수의 처리부와의 사이에 각각 접속된 복수의 스위치수단과, 상기 복수의 스위치수단을 상기 전원투입수단에 의한 전원투입시로부터 각각 미리 설정된 시간의 경과후에 온상태로 하는 계시(計時)수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The power supply control means according to claim 1, wherein the power supply control means comprises: a plurality of switch means connected between the power supply means and the plurality of processing units, and the power supply means using the power supply means; And a time-keeping means for turning on after each preset time from the controller. 제 1 항에 있어서, 상기 전력공급제어수단은, 상기 전원투입수단과 상기 복수의 처리부와의 사이에 각각 접속된 복수의 스위치수단과, 상기 복수의 처리부에서 사용중인 전력을 계측하는 전력계측수단과, 상기 전력계측수단의 계측치에 의거하여 상기 복수의 스위치수단을 순차적으로 온상태로 하는 스위치제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.2. The power supply control unit according to claim 1, wherein the power supply control unit comprises: a plurality of switch means connected between the power supply unit and the plurality of processing units, and power measuring means for measuring the power being used in the plurality of processing units; And switch control means for sequentially turning on the plurality of switch means on the basis of the measured value of the power measuring means. 제 3 항에 있어서, 상기 스위치제어수단은 상기 전력계측수단의 계측치가 미리 설정된 기준레벨보다 낮을때에 각 스위치수단을 미리 설정된 순서로 온상태로 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the switch control means turns on each switch means in a preset order when the measured value of the power measuring means is lower than a preset reference level. 제 3 항에 있어서, 상기 스위치제어수단은 미리 설정된 최대허용레벨과 상기 전력계측수단의 계측지와의 차이에 의거하여 상기 복수의 처리부중 어느 것인가를 선택하고, 선택된 처리부를 온상태로 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.4. The switch control means according to claim 3, wherein the switch control means selects one of the plurality of processing units on the basis of a difference between a preset maximum allowable level and a measurement paper of the power measuring means, and sets the selected processing unit to be in an on state. Substrate processing apparatus to be. 제 3 항에 있어서, 상기 스위치제어수단은 상기 전력계측수단의 계측치가 미리 설정된 최대허용레벨을 초과하도록 상기 복수의 스위치수단을 온상태로 하는 타이밍을 순차적으로 지연시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the switch control means sequentially delays the timing of turning on the plurality of switch means in an on state such that the measured value of the power measuring means exceeds a preset maximum allowable level. 열원을 가지고, 기판에 열처리를 행하는 복수의 처리부와, 외부전원에 접속되고, 상기 외부전원으로부터의 전력을 상기 복수의 처리부의 열원에 각각 공급하는 전력공급수단과, 각 처리부의 처리온도를 각각 소정의 온도로 조정하기 위해 상기 전력공급수단에 의한 각 처리부로의 전력의 공급을 제어하는 전력공급제어수단을 구비하고, 상기 전력공급제어수단은 전원투입시에 상기 외부전원으로부터의 전력을 시간적으로 어긋나게 하면서 상기 복수의 처리부에 순차적으로 공급하도록 상기 전력공급수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A plurality of processing units having a heat source and performing heat treatment on the substrate, a power supply unit connected to an external power source and supplying power from the external power source to the heat sources of the plurality of processing units, and a processing temperature of each processing unit, respectively; And a power supply control means for controlling the supply of power to each processing section by the power supply means to adjust the temperature of the power supply means, wherein the power supply control means shifts the power from the external power source at the time of power supply. And controlling the power supply means to sequentially supply the plurality of processing units. 열원을 가지고, 기판에 열처리를 행하는 복수의 처리부와, 외부전원에 접속되고, 상기 외부전원으로부터의 전력을 상기 복수의 처리부의 열원에 각각 공급하는 전력공급수단과, 각 처리부의 처리온도를 각 처리부마다 설정된 설정온도로 조정하기 위해 상기 전력공급수단에 의한 각 처리부로의 전력의 공급을 제어하는 전력공급제어수단을 구비하고, 상기 전력공급제어수단은 설정온도의 변경시에 변경후의 각 처리부의 설정온도에 의거하여 상기 전력공급수단에 의한 각 처리부로의 전력의 공급을 시간적으로 어긋나게 하면서 순차적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A plurality of processing units which have a heat source and heat-treat the substrate, a power supply unit which is connected to an external power source, and supplies power from the external power source to the heat sources of the plurality of processing units, and a processing temperature of each processing unit, respectively. And a power supply control means for controlling the supply of power to each processing unit by the power supply means to adjust the set temperature at each set, wherein the power supply control means is set at each processing unit after the change at the change of the set temperature. And controlling the supply of power to each of the processing units by the power supply means in a sequential order while shifting the power in time. 제 8 항에 있어서, 상기 전력공급제어수단은 전원투입시에 상기 외부전원으로부터의 전력을 시간적으로 어긋나게 하면서 상기 복수의 처리부에 순차적으로 공급하도록 상기 전력공급제어수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.9. The substrate processing according to claim 8, wherein the power supply control means controls the power supply control means to sequentially supply the power from the external power source to the plurality of processing units at a time when power is turned on. Device.
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