KR100262920B1

KR100262920B1 - Image display device

Info

Publication number: KR100262920B1
Application number: KR1019970009154A
Authority: KR
Inventors: 아쯔꼬 이이다; 다쯔로 우찌다; 아끼라 곤노; 마사유끼 사이또; 유끼오 기자끼; 다께시 미야기; 미끼 모리; 유미 미즈사와; 유미 후꾸다
Original assignee: 니시무로 타이죠; 가부시끼가이샤 도시바
Priority date: 1996-03-18
Filing date: 1997-03-18
Publication date: 2000-08-01
Also published as: JPH09311344A

Abstract

본 발명의 화상 표시 장치는 비표시 영역을 없게 또는 최소로 한 대화면의 표시가 가능하다. 화상 표시 장치는 투과성 재료의 양면에 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극을 각각 형성한 대향 기판을 구비한다. 투광성 기재 상에 반도체 소자 및 신호선이 형성된 복수의 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 상기 각 어레이 기판 단부의 표시 영역이 상기 대향 기판을 사이에 두고 서로 마주 보도록 배치되어 있다. 투과성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부는 상기 대항 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에 각각 개재되어 있다. 액정은 상기 프레임 형상시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 공간에 각각 봉입되어 있다.The image display device of the present invention can display a large screen with or without a non-display area. The image display apparatus is provided with the opposing board | substrate which respectively provided the common electrode which consists of a transparent conductive material on both surfaces of a transparent material. The plurality of array substrates on which the semiconductor element and the signal line are formed on the light-transmissive substrate are disposed on both surfaces of the opposing substrate such that display regions at each end of the array substrate face each other with the opposing substrate interposed therebetween. The frame-shaped seal portion made of a transmissive resin is interposed in the gap between the counter substrate and the array substrate, respectively. Liquid crystal is enclosed in the space of the said opposing board | substrate and each said array board | substrate surrounded by the said frame-shaped seal part, respectively.

Description

Image display

본 발명은 화상 표시 장치에 관한 것으로, 특히 대향 기판과 어레이 기판의 배치를 개량한 화상 표시 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to an image display apparatus. Specifically, It is related with the image display apparatus which improved the arrangement | positioning of a counter substrate and an array substrate.

종래 화상 표시 장치는 예를 들면 제23도에 도시한 바와 같이 투과성 기재(1)상의 한쪽면에 투명 도전재로 이루어지는 공통 전극(2)이 형성된 대향 기판(3)과 투과성 기재(4) 상에 반도체 소자 및 그 신호선(5)이 형성된 어레이 기판(6)의 간극에 프레임 형상 시일 부(7)을 형성하고, 이 프레임 형상 시일 부(7) 내에 액정(8)을 봉입한 구조를 갖는다. 상기 대향 기판(3)과 어레이 기판(6) 사이에는 그들의 간극을 일정하게 유지하기 위해 평균 입자 지름이 고른 수지 비즈와 같은 스페이서(9)를 적당량 산포하고 있다. 제23도에 도시한 화상 표시 장치에 있어서, 대면적의 투광성 기재 상에서 미세한 반도체 소자를 고정밀도로 형성하여 어레이 기판을 제작하는 것은 제조 장치의 관계 때문에 제약을 받아 결과적으로 화상 표시 장치의 대화면화를 도모하는 것이 곤란하였다.The conventional image display apparatus is, for example, on the opposing substrate 3 and the transparent substrate 4, on which the common electrode 2 made of a transparent conductive material is formed on one side of the transparent substrate 1, as shown in FIG. The frame-shaped seal portion 7 is formed in the gap between the semiconductor element and the array substrate 6 on which the signal line 5 is formed, and the liquid crystal 8 is enclosed in the frame-shaped seal portion 7. In order to keep the gap between the counter substrate 3 and the array substrate 6, an appropriate amount of spacers 9 such as resin beads having an average particle diameter are dispersed. In the image display apparatus shown in FIG. 23, the production of an array substrate by forming a fine semiconductor element with high precision on a large translucent substrate is restricted due to the relationship of the manufacturing apparatus and consequently results in a large screen of the image display apparatus. It was difficult to do.

이와 같은 것으로부터, 제24도에 도시한 바와 같이 대향 전극(3)의 공통 전극(2) 형성면에 예를 들면, 2개의 어레이 기판(6a, 6b)을 인접하여 배치하고, 그들의 간극에 프레임 형상 시일 부(7a, 7b)를 각각 형성하고, 이들 프레임 형상 시일 부(7a, 7b) 내에 액정(8a, 8b)을 각각 봉입하여 대면적의 화상 표시 장치를 실현하는 것이 수행되고 있다. 그러나, 제24도에 도시한 구조의 화상 표시 장치에 있어서는 제25도에 도시한 바와 같이 어레이 기판의 인접하는 프레임 형상 시일 부(7a, 7b)의 단부 및 그들 사이의 간극에 의한 비표시 영역(10)이 표시 영역(11a, 11b)을 이분할하는 것이 불가피하게 존재한다. 이 때문에, 종래 화상 표시 장치에서는 대면적화의 실현이 곤란하다고 하는 문제가 있었다.As such, as shown in FIG. 24, for example, two array substrates 6a and 6b are disposed adjacent to the common electrode 2 forming surface of the counter electrode 3, and the frame is formed in the gap therebetween. Forming the shaped seal portions 7a and 7b, respectively, and enclosing the liquid crystals 8a and 8b in these frame shaped seal portions 7a and 7b, respectively, is realized to realize a large area image display device. However, in the image display device having the structure shown in Fig. 24, as shown in Fig. 25, the non-display area due to the ends of the adjacent frame-shaped seal portions 7a and 7b of the array substrate and the gap therebetween ( It is inevitably present by dividing the display areas 11a and 11b into 10. For this reason, the conventional image display apparatus has a problem that it is difficult to realize large area.

본 발명의 목적은 비표시 영역이 표시면에 존재하는 것을 없게 하거나 또는 최소로 하여 대화면화를 달성한 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an image display apparatus which achieves a large screen with no or minimal non-display area present on the display surface.

본 발명의 다른 목적은 비표시 영역이 표시면에 존재하는 것을 없게 하거나 또는 최소로 하여 대화면화를 달성하고, 또한 평면에서 보아 내측에 위치하는 어레이 기판의 신호선을 외부로 용이하게 인출하는 것이 가능한 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to achieve a large screen by minimizing or minimizing the non-display area on the display surface, and also to enable the signal lines of the array substrate located inside the plane to be easily drawn out to the outside. It is to provide a display device.

본 발명의 또 다른 목적은 비표시 영역이 표시면에 존재하는 것을 없게 하거나 또는 최소로 하여 대화면화를 달성하고, 평면으로 보아 내측에 위치하는 어레이 기판의 신호선을 외부로 용이하게 인출하는 것이 가능하고 또한 신호선의 인출에 수반하는 화질의 저하를 방지한 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to achieve a large screen by minimizing or minimizing the non-display area from being present on the display surface, and it is possible to easily pull out the signal line of the array substrate which is located inside in a plan view. Moreover, it is providing the image display apparatus which prevented the fall of the image quality accompanying drawing out of a signal line.

본 발명에 의하면, 투광성 재료의 양면에 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극을 각각 형성한 대향 기판, 투광성 기재 상에 반도체 소자 및 신호선이 형성된 어레이 기판, 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에 각각 개재되는 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부, 및 상기 프레임 형상 시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 공간에 각각 봉입되는 액정을 구비하며, 복수의 상기 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 상기 각 어레이 기판 단부의 표시 영역이 상기 대향 기판을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되는 화상 표시 장치가 제공된다.According to the present invention, there is provided a counter substrate each having a common electrode made of a transparent conductive material on both surfaces of the transparent material, an array substrate having semiconductor elements and signal lines formed on the transparent substrate, and interposed in the gaps between the counter substrate and the respective array substrates, respectively. A frame-shaped seal portion made of a translucent resin, and a liquid crystal encapsulated in a space of the opposing substrate and the respective array substrates surrounded by the frame-shaped seal portion, and a plurality of the array substrates are formed on both sides of the opposing substrate. There is provided an image display apparatus in which display regions at an array substrate end face each other with the opposing substrate therebetween.

또한, 본 발명에 의하면, 투광성 기재의 양면에 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극이 형성된 대향 기판, 투광성 기재 상에 반도체 소자 및 신호선이 형성된 어레이 기판, 상기 어레이 기판을 사이에 두고 반대측의 상기 대향 기판면에 형성된 상기 어레이 기판의 상기 신호선을 인출하기 위한 복수의 신호선, 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에 각각 개재된 투광성을 갖는 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부, 및 상기 프레임 형상 시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 각 어레이 기판의 공간에 각각 봉입되는 액정을 구비하며, 복수의 상기 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 상기 각 어레이 기판 단부의 표시 영역이 상기 대향 기판을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되는 화상 표시 장치가 제공된다.In addition, according to the present invention, an opposing substrate having a common electrode made of a transparent conductive material on both surfaces of a light transmitting substrate, an array substrate having semiconductor elements and signal lines formed thereon, and an opposing substrate surface on the opposite side with the array substrate interposed therebetween. A plurality of signal lines for extracting the signal lines of the array substrate formed in the structure, a frame-shaped seal portion made of a resin having light transmissivity interposed in the gap between the opposing substrate and the array substrate, and the opposing surrounded by the frame-shaped seal portions. A liquid crystal encapsulated in a space of a substrate and each array substrate, and each of the plurality of array substrates is disposed such that display regions at each end of the array substrate face each other on both sides of the opposing substrate to face each other with the opposing substrate therebetween. A display device is provided.

또한, 본 발명에 의하면, 투광성 재료의 양면에 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극을 각각 형성된 대향 기판, 투광성 기재 상에 반도체 소자 및 신호선이 형성된 어레이 기판, 상기 어레이 기판을 사이에 두고 반대측의 상기 대향 기판면에 절연층을 사이에 두고 배치된 상기 어레이 기판의 신호선을 인출하기 위한 적어도 1층의 접지층, 상기 어레이 기판 근방의 상기 접속선 부분에 개재된 신호 보정용 회로, 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에 각각 개재되는 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부, 및 상기 프레임 형상 시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 공간에 각각 봉입되는 액정을 구비하며, 복수의 상기 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 상기 각 어레이 기판 단부의 표시 영역이 상기 대향 기판을 사이에 두고 마주보도록 배치되는 화상 표시 장치가 제공된다.In addition, according to the present invention, an opposing substrate on which a common electrode made of a transparent conductive material is formed on both surfaces of the translucent material, an array substrate on which a semiconductor element and a signal line are formed on the translucent substrate, and the opposing substrate on the opposite side with the array substrate interposed therebetween. At least one ground layer for extracting signal lines of the array substrate arranged with an insulating layer interposed therebetween, a signal correction circuit interposed in the connection line portion near the array substrate, the opposing substrates and the respective array substrates A frame-shaped seal portion made of a translucent resin interposed between the gaps of and a liquid crystal encapsulated in a space of the counter substrate and the array substrate surrounded by the frame-shaped seal portion, respectively, wherein the plurality of array substrates are the counter substrate. Display regions at each end of the array substrate on opposite sides of the There is provided an image display device arranged to face each other with a substrate therebetween.

제1a 및 b도는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 화상 표시 장치의 제조 공정을 도시한 개략 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1A and Fig. 1 are schematic cross sectional views showing a manufacturing process of an image display device according to a first embodiment of the present invention.

제2도는 본 발명의 실시예 1에 의해 제조된 화상 표시 장치의 평면도.2 is a plan view of an image display device manufactured by Embodiment 1 of the present invention.

제3도는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도.3 is a schematic cross-sectional view showing an image display device according to a second embodiment of the present invention.

제4도는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도.4 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in the third embodiment of the present invention.

제5도는 본 발명의 실시예 4에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도.5 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in accordance with the fourth embodiment of the present invention.

제6도는 본 발명의 실시예 5에 있어서의 화상 표시 장치의 표시 영역을 모식적으로 도시한 도면.6 is a diagram schematically showing a display area of an image display device according to a fifth embodiment of the present invention.

제7도는 본 발명의 실시예 6에 있어서의 화상 표시 장치의 표시 영역을 모식적으로 도시한 도면.FIG. 7 is a diagram schematically showing a display area of an image display device according to a sixth embodiment of the present invention. FIG.

제8a 내지 c도는 본 발명의 실시예 7에 있어서의 화상 표시 장치의 제조 공정을 도시한 개략 단면도.8A to C are schematic sectional views showing the manufacturing process of the image display device in Embodiment 7 of the present invention.

제9도는 본 발명의 실시예 7에 의해 얻어진 화상 표시 장치의 부분 절단 사시도.9 is a partial cutaway perspective view of the image display device obtained in Example 7 of the present invention;

제10도는 본 발명의 실시예 7의 구조를 갖는 어레이 기판의 배치와 신호선의 인출을 모식적으로 도시한 도면.FIG. 10 is a diagram schematically showing the arrangement of the array substrate having the structure of Embodiment 7 of the present invention and the drawing of signal lines. FIG.

제11도는 본 발명의 실시예 8에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도.Fig. 11 is a schematic sectional view showing the image display device in the eighth embodiment of the present invention.

제12도는 본 발명의 실시예 9에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도.Fig. 12 is a schematic cross sectional view showing an image display device in accordance with a ninth embodiment of the present invention;

제13도는 본 발명의 실시예 10에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도.Fig. 13 is a schematic sectional view showing the image display device in accordance with a tenth embodiment of the present invention.

제14a 내지 c도는 본 발명의 실시예 11에 있어서의 화상 표시 장치의 제조 공정을 도시한 단면도.14A to C are cross-sectional views showing the manufacturing steps of the image display device in Embodiment 11 of the present invention.

제15도는 실시예 11에 의해 얻어진 화상 표시 장치의 부분 절단 사시도.FIG. 15 is a partial cutaway perspective view of the image display device obtained in Example 11. FIG.

제16도는 본 발명의 실시예 11의 구조를 갖는 어레이 기판의 배치와 신호선의 인출을 모식적으로 도시한 도면.FIG. 16 is a diagram schematically showing the arrangement of the array substrate having the structure of Embodiment 11 of the present invention and the drawing of signal lines; FIG.

제17a 내지 f도는 본 발명의 실시예 12에 있어서의 화상 표시 장치의 제조 공정을 도시한 단면도.17A to 17F are sectional views showing the manufacturing process of the image display device in Example 12 of the present invention.

제18도는 본 발명의 실시예 12의 다층 배선 영역에 형성되는 신호 보정용 회로를 도시한 단면도.Fig. 18 is a sectional view showing a signal correction circuit formed in the multilayer wiring region of Embodiment 12 of the present invention.

제19도는 제18도의 신호 보정용 회로를 도시한 평면도.FIG. 19 is a plan view showing the signal correction circuit of FIG.

제20도는 제19도의 XX-XX에 따른 단면도.FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX of FIG. 19. FIG.

제21도는 제18도의 신호 보정용 회로의 회로도.21 is a circuit diagram of the signal correction circuit of FIG.

제22도는 제18도의 신호 보정용 회로를 갖는 액정 표시 장치의 구동계를 모식적으로 도시한 도면.FIG. 22 is a diagram schematically showing a drive system of a liquid crystal display device having the signal correction circuit of FIG.

제23도는 종래 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도.23 is a schematic cross-sectional view showing a conventional image display device.

제24도는 종래 2장의 어레이 기판을 사용하여 대형화한 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도.24 is a schematic cross-sectional view showing an image display apparatus enlarged in size using two conventional array substrates.

제25도는 종래 대화면화한 화상 표시 장치의 문제점을 설명하기 위한 평면도.25 is a plan view for explaining a problem of a conventional large screen image display apparatus.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

21, 24 : 투과성 기재 23 : 대향 기판21, 24: transparent substrate 23: opposing substrate

25 : 신호선 26, 26a, 26b : 어레이 기판25: signal lines 26, 26a, 26b: array substrate

27, 27a, 27b : 프레임 형상 시일 부 28a, 28b : 스페이서27, 27a, 27b: frame shape seal parts 28a, 28b: spacer

29a, 29b : 액정 30a : 표면측 표시 영역29a, 29b: liquid crystal 30a: surface side display area

30b : 이면측 표시 영역 31a, 31b : 보조 기판30b: back side display area 31a, 31b: auxiliary substrate

32, 32a, 32b : 반사판32, 32a, 32b: reflector

이하, 본 발명에 관한 화상 표시 장치를 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the image display apparatus which concerns on this invention is demonstrated in detail.

본 발명에 관한 화상 표시 장치는 예를 들면, 글라스와 같은 투광성 기재의 양면에 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극이 각각 형성된 대향 기판과, 예를 들면 글라스로 이루어진 투광성 기재 상에 박막 트랜지스터와 같은 반도체 소자 및 일부가 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 신호선이 형성된 복수의 어레이 기판을 구비한다. 상기 각 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 각 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 마주보도록 배치되어 있다. 즉, 상기 각 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 표시면으로부터 보았을 때에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 일부가 겹치도록 인접하여 배치되어 있다. 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부는 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에 개재되어 있다. 액정은 상기 프레임 형상 시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 공간내에 봉입되어 있다.The image display device according to the present invention is, for example, formed on both sides of a light-transmissive substrate such as glass, on an opposing substrate on which a common electrode made of a transparent conductive material such as, for example, ITO is formed, and on a light-transmissive substrate made of, for example, glass. A semiconductor element such as a thin film transistor and a plurality of array substrates, each of which has a signal line formed of a transparent conductive material such as ITO, are formed. Each of the array substrates is disposed such that display regions at each end of the array substrate face each other with the opposing substrate interposed on both surfaces of the opposing substrate. In other words, the array substrates are arranged on both surfaces of the opposing substrate so as to be adjacent to each other so that the display regions at the ends of the array substrate overlap with each other with the opposing substrate therebetween. The frame-shaped seal part made of a light-transmissive resin is interposed between the opposing substrate and the array substrate. Liquid crystal is enclosed in the space of the said opposing board | substrate and each said array board | substrate surrounded by the said frame-shaped seal part.

상기 투광성 수지로서는 예를 들면, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 특히, 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80%이상인 투광성 수지가 좋다. 이와 같은 투광성 수지로서는 상기 투광성 외에 내열성이 우수한 벤조시크로부탄(BCB) 수지, 파프레오로시크로부탄(PFCB) 수지 등을 들 수 있다.As said translucent resin, an epoxy resin etc. can be used, for example. In particular, a translucent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm is preferable. Examples of such light-transmissive resins include benzocyclobutane (BCB) resins and paperocyclobutane (PFCB) resins having excellent heat resistance in addition to the light-transmitting properties.

상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에는 평균 입자 지름이 고른 수직 비즈와 같은 스페이서를 균일하게 산포하는 것을 허용한다. 이와 같은 스페이서는 예를 들면 500 nm에서 800nm 파장의 흡수율이 30%이하의 실리카, 글라스, 폴리스틸렌 수지와 같은 저흡수율 수지로 만드는 것이 좋다.The gap between the opposing substrate and each of the array substrates allows uniform distribution of spacers, such as vertical beads, with an average particle diameter. Such a spacer is preferably made of a low water absorption resin such as silica, glass, or polystyrene resin having an absorption at a wavelength of 500 nm to 800 nm of 30% or less.

상술한 본 발명에 관한 화상 표시 장치의 제조 방법을 이하에 설명한다.The manufacturing method of the image display apparatus which concerns on this invention mentioned above is demonstrated below.

먼저, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 투광성 기재의 양면에 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극을 각각 형성하여 대향 기판을 제작한다. 또한, 예를 들면 글라스로 이루어지는 투광성 기재 상에 예를 들면 박막 트랜지스터와 같은 반도체 소자 및 일부가 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 신호선을 형성하는 것에 의해 어레이 기판을 복수 제작한다.First, for example, a common electrode made of a transparent conductive material such as, for example, ITO is formed on both surfaces of a light-transmissive substrate made of glass, respectively, to produce an opposing substrate. In addition, a plurality of array substrates are fabricated by forming a signal line made of a transparent conductive material such as, for example, a semiconductor element such as a thin film transistor, and a part thereof, for example, on a transparent substrate made of glass.

이어서, 상기 각 어레이 기판의 반도체 소자 형성면 둘레 가장자리에 투광성 수지를 도포하고, 미경화의 프레임 형상 시일 부를 형성한다. 이어서, 상기 대향 기판에 상기 각 어레이 기판을 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판의 표시 영역이 서로 마주보도록 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부를 거쳐 배치한다. 이어서, 상기 대향 기판과 각 어레이 기판 사이에 스페이서를 개재시켜 간극을 유지하면서 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부내에 액정을 주입하고, 주입구를 수지로 막아 액정을 봉입한 후, 가열 처리하여 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부를 경화하는 것에 의해 화상 표시 장치를 제조한다.Subsequently, a translucent resin is applied to the periphery of the semiconductor element formation surface of each said array substrate, and the uncured frame-shaped seal part is formed. Subsequently, the array substrate is disposed on the counter substrate via the uncured frame-shaped seal portion so that the display regions of the array substrate face each other with the counter substrate therebetween. Subsequently, a liquid crystal is injected into the uncured frame-shaped seal portion while maintaining a gap between the opposing substrate and each array substrate, and a liquid crystal is sealed by injecting an injection hole with a resin, and then heat-treated to perform the uncured. The image display apparatus is manufactured by hardening the frame-shaped seal part of the mold.

또한, 상술한 화상 표시 장치의 제조에 있어서 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부를 어레이 기판에 형성하였지만, 대향 기판의 소정 영역에 프레임 형상 시일 부를 형성하여도 좋다.In the manufacturing of the image display apparatus described above, the frame-shaped seal portion made of the translucent resin is formed on the array substrate, but the frame-shaped seal portion may be formed in a predetermined region of the opposing substrate.

본 발명에 관한 화상 표시 장치에 있어서, 상기 어레이 기판을 사이에 두고 반대측의 상기 대향 기판의 면에 투광성 기재, 즉 보조 투광성 기재를 상기 어레이기판과 한면으로 되도록 배치하고 또한 상기 대향 기판과 상기 저흡수율 기재 사이에 투광성을 갖는 스페이서를 개재하는 것을 허용한다.In the image display device according to the present invention, a translucent substrate, i.e., an auxiliary translucent substrate, is disposed on one side of the array substrate on one side of the opposing substrate on the opposite side with the array substrate interposed therebetween. It allows intervening spacers having translucency between the substrates.

이상 설명한 본 발명에 관한 화상 표시 장치는 복수의 어레이 기판을 대향 기판의 양면에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 마주보도록 배치한다. 즉, 상기 각 어레이 기판을 상기 대향 기판의 양면에 표시면에서 보았을 때에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 일부 겹치도록 인접하여 배치하고 있다. 또한, 상기 대향 기판과 각 어레이 기판의 간극에 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부가 형성되고, 이 시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 어레이 기판 사이에 액정이 봉입된 구조를 갖는다.In the image display apparatus according to the present invention described above, a plurality of array substrates are arranged on both sides of the opposing substrate so that the display regions at the ends of the array substrate face each other. In other words, when the array substrates are viewed on both surfaces of the opposing substrate, the array substrates are disposed adjacent to each other so that the display regions at the ends of the array substrate overlap with each other with the opposing substrate therebetween. In addition, a frame-shaped seal portion made of a translucent resin is formed in a gap between the opposing substrate and each array substrate, and has a structure in which liquid crystal is enclosed between the opposing substrate and the array substrate surrounded by the seal portion.

이와 같은 구성의 화상 표시 장치는 표시면측에 위치하는 어레이 기판의 표시 영역의 주변에 비표시 영역으로 되는 프레임 형상 시일 부가 존재하여도 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 표시면과 반대측에 또 한쪽의 어레이 기판을 서로 표시 영역 단부가 겹치도록 배치한다. 또한, 상기 대향 기판 및 프레임 형상 시일부는 어느 것이라도 투광성을 갖는다. 그 결과, 표시면측에 위치하는 어레이 기판의 비표시 영역으로서 기능하는 프레임 형상 시일 부에도 상기 대향 기판에 상기 시일 부와 투영적으로 겹쳐 배치된 또 한쪽의 어레이 기판의 표시 영역이 표시된다.The image display device having such a configuration has another array on the opposite side of the display surface with the opposite substrate therebetween even though a frame-shaped seal portion that becomes a non-display area exists around the display region of the array substrate located on the display surface side. The substrates are arranged so that the ends of the display area overlap each other. In addition, any of the opposing substrate and the frame-shaped seal portion has light transmittance. As a result, the display region of another array substrate that is projected to be overlapped with the seal portion on the opposite substrate is also displayed on the frame-shaped seal portion that functions as a non-display region of the array substrate located on the display surface side.

즉 표시면측에 위치하는 어레이 기판의 상기 프레임 형상 시일 부의 표시성을 상기 또 한쪽의 어레이 기판의 표시 영역에 의해 보상할 수 있다. 따라서, 비표시 영역이 표시면에 존재하는 것을 없애거나 또는 문제가 없는 정도로 축소하는 것이 가능하게 되어 대화면의 화상 표시 장치를 용이하게 실현할 수 있다.In other words, displayability of the frame-shaped seal portion of the array substrate located on the display surface side can be compensated by the display region of the another array substrate. Therefore, the non-display area can be eliminated from being present on the display surface or can be reduced to such an extent that there is no problem, thereby easily realizing the large-screen image display device.

또한, BCB 수지와 같은 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상인 투광성 수지에 의해 프레임 형상 시일 부를 형성함으로써 프레임 형상 시일 부에서의 투과성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부는 미경화후에 경화시킴으로써 상기 대향 기판과 어레이 기판을 강고하게 용착할 수 있다. 그 결과, 상기 프레임 형상 시일 부의 폭을 1 mm 이하로 좁게 하여도, 상기 대향 기판과 어레이 기판을 양호하게 접합할 수 있다. 이 결과, 표시면에 있어서, 상기 프레임 형상 시일 부의 투과성을 향상시킬 수 있음과 동시에 그 면적을 축소하여 표시성을 더욱 향상 시킬 수 있다.Further, by forming the frame-shaped seal portion with a transmissive resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm, such as BCB resin, the transmittance at the frame-shaped seal portion can be further improved. Further, the frame-shaped seal portion made of the BCB resin can be welded firmly to the counter substrate and the array substrate by curing after uncuring. As a result, even when the width | variety of the said frame-shaped seal part is narrowed to 1 mm or less, the said opposing board | substrate and an array board | substrate can be joined favorably. As a result, in the display surface, the transmittance of the frame-shaped seal portion can be improved, and the area thereof can be reduced to further improve display.

다음에, 본 발명에 관한 다른 화상 표시 장치를 상세히 설명한다.Next, another image display device according to the present invention will be described in detail.

이 화상 표시 장치는 예를 들면, 글라스와 같은 투광성 기재의 양면에 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극이 각각 형성된 대향 기판과 예를 들면 글라스와 같은 투광성 기재 상에 박막 트랜지스터와 같은 반도체 소자 및 일부가 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 신호선이 형성된 복수의 어레이 기판을 구비한다. 상기 각 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 각 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 마주보도록 배치되어 있다. 즉, 상기 각 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 표시면에서 보았을 때에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 일부가 겹치도록 인접하여 배치되어 있다. 상기 어레이 기판의 상기 신호선을 인출하기 위한 복수의 접속선은 상기 어레이 기판을 사이에 두고 반대측의 상기 대향 기판면에 형성된다. 투광성을 갖는 수지로 이루어지는 프레임 형상시일 부는 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에 개재되어 있다. 액정은 상기 프레임 형상 시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 공간내에 봉입되어 있다.This image display device is formed on both sides of a transparent substrate such as glass, for example, on a counter substrate on which a common electrode made of a transparent conductive material such as, for example, ITO is formed, and on a transparent substrate such as, for example, a thin film transistor. A semiconductor element and a part are provided with the some array substrate in which the signal line which consists of transparent conductive materials, such as ITO, was formed. Each of the array substrates is disposed such that display regions at each end of the array substrate face each other with the opposing substrate interposed on both surfaces of the opposing substrate. That is, each of the array substrates is disposed on both surfaces of the opposing substrate so as to be adjacent to each other so that the display regions at the ends of the array substrate overlap with each other with the opposing substrate therebetween. A plurality of connection lines for extracting the signal lines of the array substrate are formed on the opposite substrate surface on the opposite side with the array substrate interposed therebetween. A frame-shaped seal portion made of a resin having light transmissivity is interposed between the opposing substrate and the array substrate. Liquid crystal is enclosed in the space of the said opposing board | substrate and each said array board | substrate surrounded by the said frame-shaped seal part.

상기 접속선은 예를 들면, 상기 대향 기판의 상기 투명 기재 상에 형성되어 있다. 또한, 상기 접속선은 상기 대향 기판 상에 절연층을 사이에 두고 배치된 적어도 1층의 배선층에 의해 형성되는 것을 허용한다.The connection line is formed on the transparent substrate of the counter substrate, for example. Further, the connecting line is allowed to be formed by at least one wiring layer arranged on the counter substrate with an insulating layer interposed therebetween.

상기 투광성을 갖는 수지로서, 투광성의 이방성 도전 수지를 사용하고, 이 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부에 의해 상기 대향 기판 상에 접속선과 상기 각 어레이 기판의 신호선을 전기적으로 접속하는 것을 허용한다. 상기 투광성의 이방성 도전 수지로서는 예를 들면, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 자외선 경화 수지로 ITO막으로 표면 코팅된 미크론오더의 미세한 비즈를 분산시킨 것 등을 사용할 수 있다.As the resin having light transmittance, a light-transmissive anisotropic conductive resin is used, and the frame-shaped seal portion made of the anisotropic conductive resin allows the connection lines and the signal lines of the respective array substrates to be electrically connected on the opposing substrate. As said translucent anisotropic electrically conductive resin, the thing which disperse | distributed the fine beads of the micron order surface-coated with the ITO membrane with the ultraviolet curable resin which has an epoxy resin as a main component, etc. can be used, for example.

상기 대향 기판 상의 접속선과 상기 각 어레이 기판의 신호선을 예를 들면, 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극의 주변부에 배치된 Au, Al, Al 합금으로 이루어지는 복수의 도전 입자 또는 Au, Al, Al 합금으로 이루어지는 복수의 도전 돌기편에 의해 접속하는 것을 허용한다. 상기 각 도전 입자 또는 상기 각 도전 돌기편은 상기 프레임 형상 시일 부내에 배치되는 것을 허용한다.For example, the connection lines on the opposing substrates and the signal lines of the respective array substrates may include, for example, a plurality of conductive particles made of Au, Al, and Al alloys disposed at the periphery of the gap between the opposing substrates and the respective array substrates or Au, Al, Al. The connection is allowed by a plurality of conductive protrusion pieces made of an alloy. Each said electroconductive particle or each said electroconductive protrusion piece is allowed to be arrange | positioned in the said frame-shaped seal part.

상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에는 평균 입자 지름이 고른 수직 비즈와 같은 스페이서를 균일하게 산포하는 것을 허용한다. 이와 같은 스페이서는 예를 들면 500 nm에서 800 nm 파장의 흡수율이 30%이하의 실리카, 글라스, 폴리스틸렌 수지와 같은 저흡수율 수지로 만드는 것이 좋다.The gap between the opposing substrate and each of the array substrates allows uniform distribution of spacers, such as vertical beads, with an average particle diameter. Such a spacer is preferably made of a low absorption coefficient resin such as silica, glass, or polystyrene resin having an absorption of 500 nm to 800 nm in wavelength of 30% or less.

다음에, 상술한 본 발명에 관한 또 다른 화상 표시 장치, 예를 들면 이방성 도전 수지로 대향 기판의 접속선과 어레이 기판의 신호선을 전기적으로 접속한 화상 표시 장치의 제조 방법을 이하에 설명한다.Next, another image display device according to the present invention described above, for example, a manufacturing method of the image display device in which the connection line of the opposing substrate and the signal line of the array substrate are electrically connected with anisotropic conductive resin will be described below.

먼저, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 투광성 기재의 양면에 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극을 각각 형성하여 대향 기판을 제작한다. 이어서, 후술하는 어레이 기판을 사이에 두고 반대측의 상기 투광성 기재면에 접속선을 형성한다.First, for example, a common electrode made of a transparent conductive material such as, for example, ITO is formed on both surfaces of a light-transmissive substrate made of glass, respectively, to produce an opposing substrate. Next, a connection line is formed in the said translucent base surface on the opposite side through the array substrate mentioned later.

또한, 예를 들면 글라스로 이루어지는 투광성 기재 상에 예를 들면 박막 트랜지스터와 같은 반도체 소자 및 일부가 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 신호선을 형성하는 것에 의해 어레이 기판을 복수 제작한다.In addition, a plurality of array substrates are fabricated by forming a signal line made of a transparent conductive material such as, for example, a semiconductor element such as a thin film transistor, and a part thereof, for example, on a transparent substrate made of glass.

이어서, 상기 각 어레이 기판의 반도체 소자 형성면 둘레 가장자리에 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부를 형성한다. 이 이방성 도전 수지는 예를 들면, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 자외선 경화 수지에 ITO막으로 표면 코팅된 수지 비즈로 이루어지는 평균 입자 지름 5㎛ 정도의 미세한 도전성 입자를 분산시킨 조성을 갖는다. 이어서, 상기 대향 전극에 상기 각 어레이 기판을 그들의 프레임 형상 시일 부가 상기 대향 전극에 접하도록 배치한다. 동시에 상기 각 어레이 기판을 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판의 표시 영역이 서로 마주보도록 배치한다. 이때, 상기 각 어레이 기판의 이방성 도전 수지로 이루어지는 상기 프레임 형상 시일 부에 의해 상기 대향 기판 상에 접속선과 상기 어레이 기판의 신호선을 전기적으로 접속한다. 이어서, 상기 프레임 형상 시일 부내에 액정을 주입한 후, 주입구를 수지로 막아 액정을 봉입하는 것에 의해 화상 표시 장치를 제조한다. 또한, 상기 대향 기판과 각 어레이 기판 사이에 미리 예를 들면 구형 상의 저흡수율 수지로 이루어지는 구형 상의 스페이서를 개재시켜 상기 대향 기판과 상기 어레이 기판의 간극을 유지하면서 상기 액정을 상기 프레임 형상 시일 부에 주입하여도 좋다.Subsequently, a frame-shaped seal portion made of an anisotropic conductive resin is formed at the peripheral edge of the semiconductor element formation surface of each of the array substrates. This anisotropic electrically conductive resin has the composition which disperse | distributed the fine electroconductive particle about 5 micrometers of average particle diameters which consist of resin beads surface-coated with an ITO film | membrane, for example in the ultraviolet curable resin which has an epoxy resin as a main component. Subsequently, the array electrodes are placed on the counter electrodes such that their frame-shaped seal portions contact the counter electrodes. At the same time, the array substrates are arranged such that display regions of the array substrates face each other with the opposing substrate therebetween. At this time, the connection line and the signal line of the array substrate are electrically connected to the opposing substrate by the frame-shaped seal portion made of the anisotropic conductive resin of each of the array substrates. Subsequently, after inject | pouring a liquid crystal into the said frame-shaped seal part, an image display apparatus is manufactured by sealing an injection hole with resin and sealing a liquid crystal. In addition, the liquid crystal is injected into the frame-shaped seal portion while maintaining a gap between the counter substrate and the array substrate through, for example, a spherical spacer made of, for example, a spherical low water absorption resin, between the counter substrate and each array substrate. You may also do it.

이상 설명한 본 발명에 관한 또 다른 화상 표시 장치는 복수의 어레이 기판을 대향 기판의 양면에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 마주보도록 배치한다. 즉, 상기 각 어레이 기판을 상기 대향 기판의 양면에 표시면에서 보았을 때에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 일부 겹치도록 인접하여 배치하고 있다. 또한, 상기 어레이 기판을 사이에 두고 반대측의 상기 대향 기판에는 상기 어레이 기판의 신호선을 인출하기 위한 접속선이 형성되어 있다. 또한, 상기 대향 기판과 각 어레이 기판의 간극에 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부가 형성되고, 이 시일부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 어레이 기판 사이에 액정이 봉입된 구조를 갖는다.In another image display apparatus according to the present invention described above, a plurality of array substrates are arranged on both sides of the opposing substrate with the opposing substrate interposed therebetween so that the display regions at the ends of the array substrate face each other. In other words, when the array substrates are viewed on both surfaces of the opposing substrate, the array substrates are disposed adjacent to each other so that the display regions at the ends of the array substrate overlap with each other with the opposing substrate therebetween. A connection line for drawing out the signal line of the array substrate is formed on the opposite substrate on the opposite side with the array substrate interposed therebetween. Further, a frame-shaped seal portion made of a translucent resin is formed in a gap between the opposing substrates and each array substrate, and has a structure in which liquid crystal is enclosed between the opposing substrate and the array substrate surrounded by the seal portion.

이와 같은 구성의 화상 표시 장치는 상술한 표시 장치와 마찬가지로, 비표시 영역이 표시면에 존재하는 것을 없애거나 또는 문제가 없는 정도로 축소하는 것이 가능하게 되어 대화면의 화상 표시 장치를 용이하게 실현할 수 있다.Similarly to the above-described display device, the image display device having such a configuration can eliminate the non-display area existing on the display surface or reduce the size to a problem-free level, thereby easily realizing the large image display device.

또한, 상기 어레이 기판의 신호선에 상기 대향 기판 상의 접속선을 전기적으로 접속함으로써 평면으로 보아 어레이 기판으로 둘러싸인 내측에 위치하는 어레이 기판에서도 이 어레이 기판에 인접하는 상기 대향 기판 영역 상의 접속선을 통하여 외부로 전기적으로 인출할 수 있으므로 어레이 기판으로 둘러싸인 내측에 위치하는 어레이 기판도 양호하게 구동할 수 있다.Further, by connecting the connection line on the opposing substrate to the signal line of the array substrate electrically, the array substrate located in the inner side surrounded by the array substrate in plan view is also connected to the outside through the connecting line on the opposing substrate region adjacent to the array substrate. Since it can draw out electrically, the array substrate located in the inner side enclosed by the array substrate can also drive well.

따라서, 대향 기판의 양면에 복수의 어레이 기판을 표시면에서 보았을 때에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 일부 겹치도록 인접하여 배치하고 또한 상기 대향 기판의 접속선과 상기 어레이 기판의 신호선을 전기적으로 접속함으로써 구동 계통에 지장을 주지 않고 복수의 어레이 기판의 부착이 가능하게 되어 대화면의 화상 표시 장치를 용이하게 실현할 수 있다.Therefore, when a plurality of array substrates are viewed from the display surface on both sides of the opposing substrate, the display substrates at the ends of the array substrate are adjacent to each other so as to partially overlap each other with the opposing substrate therebetween, and the connecting line of the opposing substrate and the array substrate By electrically connecting the signal lines, it is possible to attach a plurality of array substrates without disturbing the drive system, thereby making it possible to easily realize a large-screen image display device.

상기 어레이 기판의 신호선과 상기 대향 기판 상의 접속선과의 전기적인 접속은 예를 들면, 상기 어레이 기판 둘레 가장자리에 배치한 복수의 도전 입자나 도전 돌기편에 의해 수행하는 것이 가능하다. 특히 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부 또는 투명 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부내에 배치한 도전입자나 도전 돌기편에 의해 상기 신호선과 상기 접속선을 전기적으로 접속하면, 접속 영역의 배치에 따르는 표시면의 면적 축소를 해소하는 것이 가능하게 된다.The electrical connection between the signal line of the array substrate and the connection line on the opposing substrate can be performed by a plurality of conductive particles or conductive projection pieces disposed at the edge of the array substrate, for example. In particular, when the signal line and the connection line are electrically connected by conductive particles or conductive protrusions disposed in a frame-shaped seal portion made of anisotropic conductive resin or a frame-shaped seal portion made of transparent resin, the display surface according to the arrangement of the connection region It is possible to solve the reduction of the area.

또한, BCB 수지와 같은 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상인 투광성 수지로 프레임 형상 시일 부를 형성함으로써 프레임 형상 시일 부에서의 투과성을 더욱 향상할 수 있다. 또한, 상기 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부는 미경화후에 경화시킴으로써 상기 대향 기판과 어레이 기판을 강고하게 용착할 수 있다. 그 결과, 상기 프레임 형상 시일 부의 폭을 1 mm 이하로 좁게 하여도, 상기 대향 기판과 어레이 기판을 양호하게 접합할 수 있다. 이 결과, 표시면에 있어서, 상기 프레임 형상 시일 부의 투과성을 향상시킬 수 있음과 동시에 그 면적을 축소하여 표시성을 더욱 향상시킬 수 있다.Further, by forming the frame-shaped seal portion with a transmissive resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm, such as BCB resin, the transmittance at the frame-shaped seal portion can be further improved. Further, the frame-shaped seal portion made of the BCB resin can be welded firmly to the counter substrate and the array substrate by curing after uncuring. As a result, even when the width | variety of the said frame-shaped seal part is narrowed to 1 mm or less, the said opposing board | substrate and an array board | substrate can be joined favorably. As a result, in the display surface, the transmittance of the frame-shaped seal portion can be improved, and the area thereof can be reduced to further improve display.

또한, 상기 접속선을 절연층을 사이에 두고 배치된 적어도 1층의 배선층에 의해 형성하는 경우, 상기 절연층을 BCB 수지와 같은 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상인 투광성 수지로 만드는 것이 가능하다. 이와 같은 BCB 수지로 이루어지는 절연층에 접속선(다층 배선 영역)을 배치함으로써 상기 다층 배선 영역이 위치하는 표시 영역에서의 투과성을 더욱 개선하는 것이 가능하게 된다. 또한, 상기 BCB 수지는 비유전율이 3.5 이하이므로, 상기 접속선(다층 배선 영역)에서의 신호 파형의 열화나 지연을 방지하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 표시면의 대형화에 따라 신호선의 인출이 길게 되는 것에 의한 폐해를 억제할 수 있다.When the connecting line is formed by at least one wiring layer arranged with an insulating layer interposed therebetween, the insulating layer may be made of a light transmitting resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm, such as BCB resin. It is possible. By arranging connection lines (multilayer wiring regions) in the insulating layer made of such BCB resin, it is possible to further improve the transmittance in the display region in which the multilayer wiring regions are located. In addition, since the relative dielectric constant is 3.5 or less, the BCB resin can prevent deterioration and delay of the signal waveform in the connection line (multilayer wiring region). As a result, it is possible to suppress the damage caused by the withdrawal of the signal line as the display surface becomes larger.

다음에, 상술한 본 발명에 관한 또 다른 화상 표시 장치를 상세히 설명한다.Next, another image display apparatus according to the present invention described above will be described in detail.

이 화상 표시 장치는 예를 들면, 글라스로 이루어지는 투광성 기재의 양면에 예를 들면 ITO와 같은 투명 도전 재료로 이루어지는 공통 전극이 각각 형성된 대향기판과 예를 들면 글라스로 이루어지는 투광성 기재 상에 박막 트랜지스터와 같은 반도체 소자 및 신호선이 형성된 어레이 기판을 구비한다. 상기 각 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 마주보도록 배치되어 있다. 즉, 상기 각 어레이 기판은 상기 대향 기판의 양면에 표시면에서 보았을 때에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 일부가 겹치도록 인접하여 배치되어 있다. 상기 어레이 기판을 사이에 두고 반대측의 상기 대향 기판면에는 절연층을 사이에 두고 상기 어레이 기판의 신호선을 인출하기 위한 적어도 1층의 접속선이 형성되어 있다. 신호 보정 회로는 상기 어레이 기판 근방의 상기 접속선 부분에 개재되어 있다. 또한, 상기 대향 기판과 각 어레이 기판의 간극에 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부가 형성되고, 이 시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 어레이 기판 사이에 액정이 봉입된 구조를 갖는다.This image display device is formed on both sides of a transparent substrate made of glass, for example, on a counter substrate having a common electrode made of a transparent conductive material such as, for example, ITO, and a thin film transistor on a transparent substrate made of, for example, glass. An array substrate on which semiconductor elements and signal lines are formed is provided. Each of the array substrates is disposed such that the display regions at the ends of the array substrate face each other with the opposite substrate interposed on both sides of the opposite substrate. That is, each of the array substrates is disposed on both surfaces of the opposing substrate so as to be adjacent to each other so that the display regions at the ends of the array substrate overlap with each other with the opposing substrate therebetween. At least one connection line for drawing signal lines of the array substrate is formed on the opposite substrate surface opposite the array substrate with the insulating layer interposed therebetween. The signal correction circuit is interposed in the connecting line portion near the array substrate. In addition, a frame-shaped seal portion made of a translucent resin is formed in a gap between the opposing substrate and each array substrate, and has a structure in which liquid crystal is enclosed between the opposing substrate and the array substrate surrounded by the seal portion.

상기 대향 기판 상의 접속선과 상기 각 어레이 기판의 신호선은 예를 들면, 상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극의 주변부에 배치된 Au, Al, Al 합금으로 이루어지는 복수의 도전 입자 또는 Au, Al, Al 합금으로 이루어지는 복수의 도전 돌기편에 의해 접속하는 것을 허용한다. 상기 각 도전 입자 또는 상기 각 도전 돌기편은 상기 프레임 형상 시일 부내에 배치되는 것을 허용한다.Connection lines on the opposing substrates and signal lines of the respective array substrates may include, for example, a plurality of conductive particles made of Au, Al, and Al alloys disposed at the periphery of the gap between the opposing substrates and the respective array substrates, or Au, Al, Al. The connection is allowed by a plurality of conductive protrusion pieces made of an alloy. Each said electroconductive particle or each said electroconductive protrusion piece is allowed to be arrange | positioned in the said frame-shaped seal part.

상기 대향 기판과 상기 각 어레이 기판의 간극에는 평균 입자 지름이 고른 수직 비즈와 같은 스페이서를 균일하게 산포하는 것을 허용한다. 이와 같은 스페이서는 예를 들면 500 nm에서 800 nm 파장의 흡수율이 30% 이하의 실리카, 글라스, 폴리스틸렌 수지와 같은 저흡수율 수지로 만드는 것이 좋다.The gap between the opposing substrate and each of the array substrates allows uniform distribution of spacers, such as vertical beads, with an average particle diameter. Such a spacer is preferably made of a low water absorption resin such as silica, glass, or polystyrene resin having an absorption at a wavelength of 500 nm to 800 nm of 30% or less.

이상 설명한 본 발명에 관한 또 다른 화상 표시 장치는 복수의 어레이 기판을 대향 기판의 양면에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 마주보도록 배치한다. 즉, 상기 각 어레이 기판을 상기 대향 기판의 양면에 표시면에서 보았을 때에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 일부 겹치도록 인접하여 배치하고 있다. 또한, 상기 어레이 기판을 사이에 두고 반대측의 상기 대향 기판 면에는 절연층을 사이에 두고 상기 어레이 기판의 신호선을 인출하기 위한 적어도 1층의 접속선이 형성되고 또한 신호 보정 회로는 상기 어레이 기판 근방의 상기 접속선 부분에 개재되어 있다. 또한, 상기 대향 기판과 각 어레이 기판의 간극에 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부가 형성되고, 이 시일 부로 둘러싸인 상기 대향 기판과 상기 어레이 기판 사이에 액정이 봉입된 구조를 갖는다.In another image display apparatus according to the present invention described above, a plurality of array substrates are arranged on both sides of the opposing substrate with the opposing substrate interposed therebetween so that the display regions at the ends of the array substrate face each other. In other words, when the array substrates are viewed on both surfaces of the opposing substrate, the array substrates are disposed adjacent to each other so that the display regions at the ends of the array substrate overlap with each other with the opposing substrate therebetween. In addition, at least one connection line for drawing signal lines of the array substrate is formed on the opposite substrate surface on the opposite side with the array substrate interposed therebetween, and a signal correction circuit is provided near the array substrate. It is interposed in the said connection line part. In addition, a frame-shaped seal portion made of a translucent resin is formed in a gap between the opposing substrate and each array substrate, and has a structure in which liquid crystal is enclosed between the opposing substrate and the array substrate surrounded by the seal portion.

이와 같은 구성의 화상 표시 장치는 상술한 화상 표시 장치와 마찬가지로, 비표시 영역이 표시면에 존재하는 것을 없애거나 또는 문제가 없는 정도로 축소하는 것이 가능하게 되어, 대화면의 화상 표시 장치를 용이하게 실현할 수 있다.Similarly to the image display device described above, the image display device having such a configuration can eliminate the non-display area existing on the display surface or reduce the size to a problem-free level, thereby easily realizing the large screen image display device. have.

또한, 상기 어레이 기판의 신호선에 상기 대향 기판 상의 접속선을 전기적으로 접속함으로써 평균적으로 봐서 어레이 기판으로 둘러싸인 내측에 위치하는 어레이 기판에서도 이 어레이 기판에 인접하는 상기 대향 기판 영역 상의 접속선을 통하여 외부로 전기적으로 인출할 수 있으므로, 어레이 기판으로 둘러싸인 내측에 위치하는 어레이 기판도 양호하게 구동할 수 있다. 상기 신호선으로 인출된 신호 파형은 어레이 기판 근방에 형성된 신호 보정용 회로에 의해 보정되는, 예를 들면 증폭되므로, 어레이 기판을 복수매의 부착시킴으로서 인출 배선이 길게 되어도 소기의 파형을 갖는 신호에 의해 어레이 기판을 구동할 수 있다.In addition, by electrically connecting the connection line on the counter substrate to the signal line of the array substrate, the array substrate located on the inner side surrounded by the array substrate on the average is also externally connected through the connection line on the counter substrate region adjacent to the array substrate. Since it can draw out electrically, the array substrate located in the inner side surrounded by the array substrate can also be driven favorably. Since the signal waveform drawn out to the signal line is corrected, for example, amplified by a signal correction circuit formed in the vicinity of the array substrate, the array substrate is caused by a signal having a desired waveform even if the lead wire is long by attaching a plurality of array substrates. Can be driven.

따라서, 대향 기판의 양면에 복수의 어레이 기판을 표시면에서 보았을 때에 상기 대향 기판을 사이에 두고 상기 어레이 기판 단부의 표시 영역이 서로 일부 겹치도록 인접하여 배치하고 또한 상기 대향 기판의 접속선과 상기 어레이 기판의 신호선을 전기적으로 접속함으로써 구동 계통에 지장을 주지 않고 복수의 어레이 기판을 부착시킬 수 있게 되어 대화면에서 양호한 화질을 갖는 화상 표시 장치를 용이하게 실현할 수 있다.Therefore, when a plurality of array substrates are viewed from the display surface on both sides of the opposing substrate, the display substrates at the ends of the array substrate are adjacent to each other so as to partially overlap each other with the opposing substrate therebetween, and the connecting line of the opposing substrate and the array substrate By electrically connecting the signal lines, it is possible to attach a plurality of array substrates without disturbing the drive system, thereby easily realizing an image display device having good image quality in a large screen.

상기 어레이 기판의 신호선과 상기 대향 기판 상의 접속선(배선 영역)과의 전기적인 접속은 예를 들면, 상기 어레이 기판 둘레 가장자리에 배치한 복수의 도전 입자나 도전 돌기편에 의해 수행하는 것이 가능하다. 특히 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부 또는 투명 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부내에 배치한 도전 입자나 도전 돌기편에 의해 상기 신호선과 상기 접속선을 전기적으로 접속하면, 접속 영역의 배치에 따르는 표시면의 면적 축소를 해소하는 것이 가능하게 된다.The electrical connection between the signal line of the array substrate and the connection line (wiring region) on the opposing substrate can be performed, for example, by a plurality of conductive particles or conductive projection pieces arranged at the edge of the array substrate. In particular, when the signal line and the connection line are electrically connected by conductive particles or conductive protrusions disposed in the frame-shaped seal portion made of anisotropic conductive resin or the frame-shaped seal portion made of transparent resin, the display surface according to the arrangement of the connection region It is possible to solve the reduction of the area.

또한, 상기 접속선으로서 배선층이 배치되는 절연층을 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상인 투광성 수지로 만드는 것이 가능하다. 이와 같은 BCB 수지로 이루어지는 절연층에 접속선(다층 배선 영역)을 배치함으로써 상기 다층 배선 영역이 위치하는 표시 영역에서의 투과성을 더욱 개선하는 것이 가능하게 된다. 또한, 상기 BCB 수지는 비유전율이 3.5 이하이므로, 상기 접속선(다층 배선 영역)에서의 신호 파형의 열화나 지연을 방지하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 표시면의 대형화에 따라 신호선의 인출이 길게 되는 것에 의한 폐해를 억제할 수 있다.Moreover, it is possible to make the insulating layer in which a wiring layer is arrange | positioned as said connection line from the translucent resin whose transmittance | permeability of 500 nm-800 nm wavelength is 80% or more. By arranging connection lines (multilayer wiring regions) in the insulating layer made of such BCB resin, it is possible to further improve the transmittance in the display region in which the multilayer wiring regions are located. In addition, since the relative dielectric constant is 3.5 or less, the BCB resin can prevent deterioration and delay of the signal waveform in the connection line (multilayer wiring region). As a result, it is possible to suppress the damage caused by the withdrawal of the signal line as the display surface becomes larger.

또한, BCB 수지와 같은 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상인 투광성 수지에 의해 프레임 형상 시일 부를 형성함으로써 프레임 형상 시일 부에서의 투과성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부는 미경화후에 경화시킴으로써 상기 대향 기판과 어레이 기판을 강고하게 용착할 수 있다. 그 결과, 상기 프레임 형상 시일 부의 폭을 1 mm 이하로 좁게 하여도, 상기 대향 기판과 어레이 기판을 양호하게 접합할 수 있다. 이 결과, 표시면에 있어서, 상기 프레임 형상 시일 부의 투과성을 향상시킬 수 있음과 동시에 그 면적을 축소하여 표시성을 더욱 향상시킬 수 있다.Further, by forming the frame-shaped seal portion with a transmissive resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm, such as BCB resin, the transmittance at the frame-shaped seal portion can be further improved. Further, the frame-shaped seal portion made of the BCB resin can be welded firmly to the counter substrate and the array substrate by curing after uncuring. As a result, even when the width | variety of the said frame-shaped seal part is narrowed to 1 mm or less, the said opposing board | substrate and an array board | substrate can be joined favorably. As a result, in the display surface, the transmittance of the frame-shaped seal portion can be improved, and the area thereof can be reduced to further improve display.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[실시예 1]Example 1

제1a도, 제1b도는 본 발명의 실시예 1의 화상 표시 장치의 제조 공정을 도시한 개략 단면도이고, 제2도는 얻어진 화상 표시 장치의 평면도이다.1A and 1B are schematic sectional views showing the manufacturing process of the image display device of Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the obtained image display device.

먼저, 예를 들면 글라스로 이루어지는 두께 0.7 mm의 투광성 기재(21)의 양면에 스퍼터링법으로 두께 300 mm의 ITO막을 각각 형성하였다. 이 ITO막 상에 롤코더에 의한 레지스트 도포, 사진 식각법에 의한 레지스트 패턴의 형성을 수행하였다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 ITO막의 선택적 에칭을 수행함으로써 상기 투광성 기재(21)의 양면에 전극 패턴(공통 전극)(22)을 형성하여 대향 기판(23)을 제작하였다.First, an ITO film having a thickness of 300 mm was formed on each of both surfaces of the transparent substrate 21 having a thickness of 0.7 mm, for example, by glass by sputtering. On this ITO film, a resist coating by a roll coder and a photoresist pattern were formed. By selectively etching the ITO film using this resist pattern as a mask, electrode patterns (common electrodes) 22 were formed on both surfaces of the light-transmitting substrate 21 to produce a counter substrate 23.

또한, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 두께 0.7 mm의 투광성 기재(24)의 한쪽면에 스퍼터링법으로 두께 300 nm의 ITO를 성막하였다. ITO막 상에 롤코더에 의한 레지스트 도포, 사진 식각법에 의한 레지스트 패턴의 형성을 수행하였다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 한 상기 ITO막의 선택적 에칭을 수행함으로써 상기 투광성 기재(24)의 한쪽면에 신호선 패턴(25)을 형성하고, 또 반도체 소자로서의 폴리실리콘 게이트형 TFT(도시하지 않음)을 형성하여 2장의 어레이 기판(26a, 26b)을 제작하였다.Further, for example, ITO having a thickness of 300 nm was formed on one surface of the transparent substrate 24 having a thickness of 0.7 mm made of glass by sputtering. The resist coating by the roll coder and the photoresist formation of the resist pattern were performed on the ITO film | membrane. By selectively etching the ITO film using this resist pattern as a mask, a signal line pattern 25 is formed on one side of the translucent substrate 24, and a polysilicon gate type TFT (not shown) as a semiconductor element is formed. The two array substrates 26a and 26b were produced.

이어서, 상기 대향 기판(23) 표면 상에 디스펜서를 사용하여, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 자외선 경화 수지를 도포하고, 80℃에서 가건조하는 것에 의해 상기 대향 기판(23)의 단부측에 액정 주입용 개구부를 갖는 미경화의 사각형 프레임 형상 시일 부(27a)를 형성하였다. 이어서, 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부(27a)로 둘러싸인 상기 대향 기판(23) 표면 상에 저흡수율 수지로 이루어지는 평균 입자 지름 5 ㎛의 스페이서(28a)를 산포하고, 상기 프레임 형상 시일 부(27a) 및 스페이서(28a) 상에 미리 제작한 상기 한쪽의 어레이 기판(26a)을 정렬시켰다. 이어서, 상기 어레이 기판(26a)측에서 자외선을 조사하여 자외선 경과 수지로 이루어지는 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부(27a)를 경화하였다. 경화후의 상기 프레임 형상 시일 부(27a)는 두께 5 ㎛, 평균 폭 30㎛으로 그 투과율이 가시 파장 영역에 대하여 90%이상이었다. 상기 프레임 형상 시일 부(27a)의 개구부를 통하여 액정(29a)을 주입한 후, 마찬가지의 자외선 경화성 수지로 상기 개구부를 막아 상기 액정(29a)을 봉입하였다. 이와 같은 공정에 의해 제1a도에 도시한 바와 같은 표면측 표시 영역(30a)을 제작하였다.Subsequently, using a dispenser on the surface of the counter substrate 23, an ultraviolet curable resin containing an epoxy resin as a main component is applied and temporarily dried at 80 ° C for liquid crystal injection onto the end side of the counter substrate 23. An uncured rectangular frame-shaped seal portion 27a having an opening was formed. Subsequently, on the surface of the counter substrate 23 surrounded by the uncured frame-shaped seal portion 27a, a spacer 28a having an average particle diameter of 5 μm made of a low water absorption resin is dispersed, and the frame-shaped seal portion 27a is dispersed. ) And the one array substrate 26a prepared in advance on the spacer 28a. Subsequently, ultraviolet rays were irradiated from the array substrate 26a side to cure the uncured frame-shaped seal portion 27a made of ultraviolet light resin. The said frame-shaped seal part 27a after hardening was 5 micrometers in thickness, and 30 micrometers in average width, and the transmittance | permeability was 90% or more with respect to visible wavelength range. After injecting the liquid crystal 29a through the opening of the frame-shaped seal portion 27a, the opening was blocked with the same ultraviolet curable resin to enclose the liquid crystal 29a. By this process, the surface side display area | region 30a as shown in FIG. 1A was produced.

이어서, 상기 어레이 기판(26a)과 반대측의 상기 대향 기판(23)의 이면 상에 상술한 표시 영역(30a)의 제작과 마찬가지의 공정으로 액정 주입용 개구부를 갖는 미경화의 프레임 형상 시일 부(27b)를 형성하고, 이 프레임 형상 시일 부(27b)로 둘러싸인 상기 대향 기판(23) 이면 상에 저흡수율 수지로 이루어지는 평균 입자 지름 5 ㎛의 스페이서(28b)를 산포하였다. 상기 프레임 형상 시일 부(27b) 및 상기 스페이서(28b) 상에 미리 제작한 상기 다른 쪽의 어레이 기판(26b)을 정렬시키고, 상기 어레이 기판(26b)측에서 자외선을 조사하여 자외선 경화 수지로 이루어지는 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부(27b)를 경화하였다. 경화후의 상기 프레임 형상 시일부(27b)는 두께 5 ㎛, 평균 폭 30 ㎛으로, 그 투과율이 가시 파장 영역에 대하여 90% 이상이었다. 이어서, 상기 프레임 형상 시일 부(27b)의 개구부를 통하여 액정(29b)을 주입한 후, 마찬가지의 자외선 경화성 수지로 상기 개구부를 막아 상기 액정(29b)을 봉입하였다. 이와 같은 공정에 의해 제1b도에 도시한 바와 같이 이면측 표시 영역(30b)을 제작하여 화상 표시 장치를 제작하였다.Subsequently, an uncured frame-shaped seal portion 27b having an opening for liquid crystal injection in the same process as the fabrication of the display region 30a described above on the back surface of the opposing substrate 23 on the side opposite to the array substrate 26a. ), And a spacer 28b having an average particle diameter of 5 mu m made of a low water absorption resin was dispersed on the back surface of the counter substrate 23 surrounded by the frame-shaped seal portion 27b. The other array substrate 26b prepared in advance on the frame-shaped seal portion 27b and the spacer 28b is aligned, and the ultraviolet rays are irradiated from the array substrate 26b side to form the ultraviolet curable resin. The uncured frame-shaped seal portion 27b was cured. The said frame-shaped seal part 27b after hardening was 5 micrometers in thickness, and 30 micrometers in average width, and the transmittance | permeability was 90% or more with respect to visible wavelength range. Next, after inject | pouring the liquid crystal 29b through the opening part of the said frame-shaped seal part 27b, the said opening part was closed with the same ultraviolet curable resin, and the said liquid crystal 29b was enclosed. By such a process, as shown in FIG. 1B, the back display area 30b was produced, and the image display apparatus was produced.

본 실시예 1에 관한 화상 표시 장치는 제1b도 및 제2도에 도시한 바와 같이, 두께 0.7 mm의 투광성 기재(21)의 양면에 두께 30 nm의 ITO공통 전극(22)이 형성된 대향 기판(23)과 두께 0.7 mm의 투광성 기재(24) 한쪽면 상에 폴리실리콘 게이트형 TFT(도시하지 않음) 및 두께 300 nm의 ITO 신호선(25)을 형성한 어레이 기판(26a, 26b)을 구비한다. 상기 어레이 기판(26a, 26b)은 상기 대향 기판(23)의 양면에 상기 대향 기판(23)을 사이에 두고 상기 어레이 기판(26a, 26b) 단부의 표시 영역이 서로 마주보도록 배치되어 있다. 즉, 표시면에서 보았을 때, 상기 각 어레이 기판(26a, 26b)은 상기 대향 기판(23)을 사이에 두고 일부가 서로 겹치도록 인접하여 배치되어 있다. 상기 대향 기판(23)과 각 어레이 기판(26a, 26b)의 간극에는 스페이서(28a, 28b)가 각각 개재되어 있음과 동시에 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(27a, 27b)가 각각 형성되어 있다. 상기 대향 기판(23), 어레이 기판(26a) 및 프레임 형상 시일 부(27a)로 둘러싸인 공간에는 액정(29a)이 봉입되어 있다. 또한, 대향 기판(23), 어레이 기판(26b) 및 프레임 형상 시일 부(27b)로 둘러싸인 공간에는 액정(29b)이 봉입되어 있다.In the image display device according to the first embodiment, as shown in FIGS. 1B and 2, an opposing substrate on which the ITO common electrode 22 having a thickness of 30 nm is formed on both surfaces of the transparent substrate 21 having a thickness of 0.7 mm ( 23) and array substrates 26a and 26b having a polysilicon gate type TFT (not shown) and an ITO signal line 25 having a thickness of 300 nm formed on one side of the transparent substrate 24 having a thickness of 0.7 mm. The array substrates 26a and 26b are disposed on both surfaces of the opposing substrate 23 so that the display regions at the ends of the array substrates 26a and 26b face each other with the opposing substrate 23 interposed therebetween. That is, when viewed from the display surface, each of the array substrates 26a and 26b is disposed adjacent to each other so as to overlap each other with the opposing substrate 23 therebetween. Spacers 28a and 28b are interposed in the gap between the opposing substrate 23 and the array substrates 26a and 26b, and frame-shaped seal portions 27a and 27b made of a light-transmissive resin are formed, respectively. The liquid crystal 29a is enclosed in the space surrounded by the counter substrate 23, the array substrate 26a and the frame-shaped seal portion 27a. In addition, the liquid crystal 29b is enclosed in the space enclosed by the opposing board | substrate 23, the array board | substrate 26b, and the frame-shaped seal part 27b.

이와 같은 구성의 화상 표시 장치는 제1b도 및 제2도에 도시한 바와 같이, 표시면에서 보았을 때, 대향 기판(23)을 사이에 두고 인접한 어레이 기판(26a, 26b)은 일부가 서로 중복하도록 배치되고, 각 표시 영역(30a, 30b) 사이에 위치하는 한쪽의 프레임 형상 시일 부(27a)는 다른쪽 어레이 기판(26b)의 표시 영역(30b)에 의해 보충되고, 다른쪽의 프레임 형상 시일 부(27b)는 한쪽 어레이 기판(26a)의 표시 영역(30a)에 의해 보충된다. 이 때문에, 표시 가능 영역을 2개의 어레이 기판(26a, 26b)을 배치한 영역(제2도에서, A₁× B₁)에 대응한 대화면화를 실현할 수 있다.In the image display device having such a configuration, as shown in FIGS. 1B and 2, when viewed from the display surface, the adjacent array substrates 26a and 26b are disposed so that some of them overlap with each other with the opposing substrate 23 therebetween. One frame-shaped seal portion 27a disposed and positioned between each display region 30a, 30b is supplemented by the display region 30b of the other array substrate 26b, and the other frame-shaped seal portion 27b is supplemented by the display area 30a of one array substrate 26a. For this reason, the displayable area of the array substrate 2 (in FIG. _{_{2, A 1 × B 1) (}} 26a, 26b) a region disposed a can realize a large screen correspond to.

또한, 표시 영역내에는 각 표시 영역(30a, 30b) 사이에 위치하는 프레임 형상 시일 부(27a, 27b)가 존재하지만, 상기 프레임 형상 시일 부(27a, 27b)를 가시 파장영역에 있어서 투광성을 갖는 재료로 형성함으로써 반대측 어레이 기판이 만드는 표시 영역으로 보충할 수 있으므로, 표시 영역내에 비표시 영역이 형성되는 것을 없앨 수 있다.In addition, although the frame-shaped seal parts 27a and 27b which exist between each display area 30a and 30b exist in a display area, the said frame-shaped seal parts 27a and 27b have a light transmittance in a visible wavelength range. Formation of the material makes it possible to supplement the display area created by the opposite array substrate, thereby eliminating the formation of the non-display area in the display area.

[실시예 2]Example 2

제3도는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도이다. 또한, 상술한 실시예 1에서 설명한 제1b도와 마찬가지 부재는 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.3 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in the second embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the member similar to FIG. 1b demonstrated in Example 1 mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

실시예 2의 화상 표시 장치는 제3도에 도시한 바와 같이 투광성을 갖는 보조 기판(31a, 31b)이 대향 기판(23)의 표리면에 배치되어 있다. 상기 보조 기판(31a)은 상기 대향 기판(23)의 표면에 상기 어레이 기판(26a)과 인접함과 동시에 상기 어레이 기판(26a)과 한면이 되도록 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(27) 및 저흡수율 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(28)를 거쳐 고정되어 있다. 상기 보조 기판(31b)은 상기 대향 기판(23)의 이면에 어레이 기판(26b)과 인접하고 동시에 상기 어레이 기판(26b)과 한면이 되도록 투광성 수지로 이루어지는 구형상 시일 부(27) 및 저흡수율 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(28)를 거쳐 고정되어 있다.In the image display device of the second embodiment, as shown in FIG. 3, the transmissive auxiliary substrates 31a and 31b are disposed on the front and back surfaces of the opposing substrate 23. The auxiliary substrate 31a is formed on a surface of the opposing substrate 23 so as to be adjacent to the array substrate 26a and face one side of the array substrate 26a. It is fixed via the spherical spacer 28 which consists of water absorption resin. The auxiliary substrate 31b is a spherical seal portion 27 made of a light-transmissive resin and a low water absorption resin so as to be adjacent to the array substrate 26b on the rear surface of the opposing substrate 23 and at the same time face to the array substrate 26b. It is fixed via the spherical spacer 28 which consists of these.

이와 같은 구성에 의하면, 상술한 실시예 1과 마찬가지로, 표시 영역내에 비표시 영역이 형성되지 않는 대면적의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.According to such a structure, similarly to Example 1 mentioned above, a large area image display apparatus in which a non-display area is not formed in the display area can be realized.

또한, 보조 기판(31a, 31b)을 배치함으로서 대향 기판(23)의 표리면에 어레이 기판(26a, 26b)을 교차 배치하는 것에 따른 단차를 해소할 수 있으므로, 고강도의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Further, by arranging the auxiliary substrates 31a and 31b, the step difference due to the cross arrangement of the array substrates 26a and 26b on the front and back surfaces of the opposing substrate 23 can be eliminated, so that an image display device of high intensity can be realized. .

또한, 실시예 2의 화상 표시 장치에 있어서 표면측의 어레이 기판(26a) 및 보조 기판(31a)의 표면에 얇은 금속 산화막 또는 수지막을 반사 방지층으로서 형성하여 난반사에 의한 투시 상의 어려움을 방지하여도 좋다.In the image display device of Example 2, a thin metal oxide film or a resin film may be formed on the surfaces of the array substrate 26a and the auxiliary substrate 31a on the surface side as an antireflection layer to prevent difficulty in see-through due to diffuse reflection. .

[실시예 3]Example 3

제4도는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도이다. 또한, 상술한 실시예 1에서 설명한 제1b도와 마찬가지 부재는 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.4 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in the third embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the member similar to FIG. 1b demonstrated in Example 1 mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

실시예 3의 화상 표시 장치는 제4도에 도시한 바와 같이, 예를 들면 가시 영역의 파장에 있어서 반사율 40 내지 90 %의 반사판(32a, 32b)이 이면측의 어레이 기판(26a)에 대응하는 대향 기판(23)의 이면 부분 및 이면측의 어레이 기판(26b)의 투광성 기재(24) 상에 각각 배치되어 있다.In the image display device of the third embodiment, as shown in FIG. 4, for example, the reflecting plates 32a and 32b having a reflectance of 40 to 90% in the wavelength of the visible region correspond to the array substrate 26a on the back side. It is arrange | positioned on the translucent base material 24 of the back surface part of the opposing board | substrate 23, and the array substrate 26b of the back surface side, respectively.

또한 , 반사판(32a, 32b)을 배치함으로서 높은 콘트라스트비를 갖는 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Further, by arranging the reflecting plates 32a and 32b, an image display device having a high contrast ratio can be realized.

[실시예 4]Example 4

제5도는 본 발명의 실시예 4에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도이다. 또한, 상술한 실시예 1에서 설명한 제1b도와 마찬가지 부재는 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.5 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in Embodiment 4 of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the member similar to FIG. 1b demonstrated in Example 1 mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

실시예 4의 화상 표시 장치는 제5도에 도시한 바와 같이 투광성을 갖는 보조 기판(31a, 31b)이 대향 기판(23)의 표리면에 배치되어 있다. 상기 보조 기판(31a)은 상기 대향 기판(23)의 표면에 상기 어레이 기판(26a)과 인접함과 동시에 상기 어레이 기판(26a)과 한면으로 되도록 저흡수율 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(27) 및 투광성 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(28)를 거쳐 고정되어 있다. 상기 보조 기판(31b)은 상기 대향 기판(23)의 이면에 어레이 기판(26b)과 인접함과 동시에 상기 어레이 기판(26b)과 한면으로 되도록 저흡수율 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(27) 및 투광성 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(28)를 거쳐 고정되어 있다. 또한, 예를 들면, 가시 영역의 파장에 있어서 반사율 40 내지 90 %의 반사판(32)은 상기 이면측의 어레이 기판(26b)의 투광상 기재(24) 및 상기 이면측의 보조 기판(31b) 상에 배치되어 있다.In the image display device of the fourth embodiment, as shown in FIG. 5, the transmissive auxiliary substrates 31a and 31b are disposed on the front and back surfaces of the opposing substrate 23. The auxiliary substrate 31a is made of a frame-shaped seal portion 27 made of a low water absorption resin so as to be adjacent to the array substrate 26a on the surface of the opposing substrate 23 and to be flush with the array substrate 26a. It is fixed via the spherical spacer 28 which consists of a translucent resin. The auxiliary substrate 31b is frame-shaped seal portion 27 made of a low water absorption resin and translucent so as to be adjacent to the array substrate 26b on the rear surface of the opposing substrate 23 and to be on one side with the array substrate 26b. It is fixed via the spherical spacer 28 which consists of resin. For example, the reflecting plate 32 having a reflectance of 40 to 90% in the wavelength of the visible region is formed on the transparent substrate 24 of the array substrate 26b on the back side and the auxiliary substrate 31b on the back side. Is placed on.

또한, 보조 기판(31a, 31b)을 배치함으로서 대향 기판(23)의 표리면에 어레이 기판(26a, 26b)을 엇갈려 배치하는 것에 따르는 단차를 해소할 수 있으므로, 고강도의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다. 또한, 반사판(23)을 배치함으로써 높은 콘트라스트비를 갖는 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Further, by arranging the auxiliary substrates 31a and 31b, the step resulting from staggering the array substrates 26a and 26b on the front and back surfaces of the opposing substrate 23 can be eliminated, so that an image display device of high intensity can be realized. . In addition, by arranging the reflecting plate 23, an image display apparatus having a high contrast ratio can be realized.

[실시예 5]Example 5

제6도는 본 발명의 실시예 5에 있어서의 화상 표시 장치의 표시 영역을 모식적으로 도시한 것이다.6 schematically shows the display area of the image display device in the fifth embodiment of the present invention.

제6도에 도시한 바와 같이, 중앙에 위치하는 기판(26a)은 도시하지 않는 대향 기판의 표면측에 배치되어 있다. 2장의 어레이 기판(26b1, 26b2)은 도시하지 않은 대향 기판의 이면에서 표시면에서 보았을 때, 상기 표면측의 어레이 기판(26a)의 좌우끝에 겹치도록 인접하여 배치되어 있다. 상기 대향 기판과 각 어레이 기판(26a, 26b1, 26b2)의 간극에는 스페이서가 각각 개재되어 있음과 동시에 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(27)가 각각 형성되어 있다. 상기 대향 기판, 어레이 기판(26a) 및 프레임 형상 시일 부로 둘러싸인 공간에는 액정이 봉입되어 있다. 또한 상기 대향 기판, 어레이 기판(26b1, 26b2) 및 프레임 형상 시일 부(27)로 둘러싸인 공간에는 액정이 각각 봉입되어 있다.As shown in FIG. 6, the board | substrate 26a located in the center is arrange | positioned at the surface side of the opposing board | substrate which is not shown in figure. The two array substrates 26b1 and 26b2 are disposed adjacent to each other so as to overlap the left and right ends of the array substrate 26a on the surface side when viewed from the display surface from the rear surface of the counter substrate (not shown). In the gap between the opposing substrate and the array substrates 26a, 26b1, and 26b2, spacers are interposed therebetween, and frame-shaped seal portions 27 made of a translucent resin are formed, respectively. Liquid crystal is enclosed in the space enclosed by the said opposing board | substrate, the array board | substrate 26a, and the frame-shaped seal part. Liquid crystals are respectively enclosed in the space surrounded by the counter substrate, the array substrates 26b1 and 26b2 and the frame-shaped seal portion 27.

이와 같은 구성에 의하면, 제6도의 A₂× B₂에 상당하는 표시 영역을 갖는 대면적의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다. 또한, 표시 영역내에 프레임 형상 시일부(27)가 포함되어 있지만, 가시의 파장 영역에 있어서 투광성을 갖는 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(27)를 사용함으로써 반대측 어레이 기판이 만드는 표시 영역으로 보충할 수 있으므로, 표시 영역내에 비표시 영역이 형성되는 것을 없앨 수 있다.With this configuration, it is possible to realize the image display device of a large area having a display region which corresponds to a sixth-degree A _₂ × B _2. In addition, although the frame-shaped seal | sticker part 27 is contained in a display area, it can supplement with the display area | region made by the opposite side array substrate by using the frame-shaped seal part 27 which consists of resin which has transparency in visible wavelength range. Therefore, the formation of the non-display area in the display area can be eliminated.

〈실시예 6〉<Example 6>

제7도는 본 발명의 실시예 6에 있어서의 화상 표시 장치의 표시 영역을 모식적으로 도시한 것이다.FIG. 7 schematically shows a display area of the image display device in Embodiment 6 of the present invention.

제7도에 도시한 바와 같이, 오른쪽이 위로 향하는 방향의 대각선 상에 위치하는 2장의 어레이 기판(26a1, 26a2)은 도시하지 않은 대향 기판의 표면측에 각각 배치되어 있다. 왼쪽이 위로 향하는 대각선 상에 위치하는 2장의 어레이 기판(26b1, 26b2) 중 위쪽의 어레이 기판(26b1)은 도시하지 않은 대향 기판의 이면에 표시면에서 보았을 때, 그 오른쪽 변 및 아랫 변이 오른쪽이 위로 향하는 대각선 상에 위치하는 상기 표면측의 어레이 기판(26a1, 26a2)에 겹치도록 인접하여 배치되어 있다. 왼쪽이 위로 향하는 방향의 대각선 상에 위치하는 2장의 어레이 기판(26b1, 26b2)중 하측의 어레이 기판(26b)은 도시하지 않은 대향 기판의 이면에 표시면에서 보았을 때, 그 좌변 및 하변이 오른쪽이 위로 향하는 대각선 상에 위치하는 상기 표면측의 어레이 기판(26a1, 26a2)에 겹치도록 인접하여 배치되어 있다. 상기 대향 기판과 각 어레이 기판(26a1, 26a2, 26b1, 26b2)의 간극에는 스페이서가 각각 개지되어 있음과 동시에 투광성 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(27)가 각각 형성되어 있다. 상기 대향 기판, 어레이 기판(26a1, 26a2) 및 프레임 형상 시일 부로 둘러싸인 공간에는 액정이 각각 봉입되어 있다. 또한, 상기 대향 기판, 어레이 기판(26b1, 26b2) 및 프레임 형상 시일 부(27)로 둘러싸인 공간에는 액정이 각각 봉입되어 있다.As shown in FIG. 7, the two array substrates 26a1 and 26a2 located on the diagonal line in the rightward upward direction are disposed on the surface side of the counter substrate, not shown, respectively. The upper array substrate 26b1 of the two array substrates 26b1 and 26b2 positioned on the diagonal with the left side facing upwards has the right side and the lower side the right side thereof as viewed from the display surface on the back side of the opposing substrate (not shown). It is arrange | positioned adjacent to overlap with the array board | substrate 26a1, 26a2 of the said surface side located on the diagonal line facing. Of the two array substrates 26b1 and 26b2 positioned on a diagonal line in the upward direction of the left side, the lower side array substrate 26b has a left side and a lower side thereof rightward when viewed from the display surface on the back side of the counter substrate (not shown). It is arrange | positioned adjacent to overlap with the array board | substrate 26a1, 26a2 of the said surface side located on the diagonal line upward. In the gap between the opposing substrate and each of the array substrates 26a1, 26a2, 26b1, 26b2, spacers are respectively opened and frame-shaped seal portions 27 made of a light-transmissive resin are formed. Liquid crystal is enclosed in the space enclosed by the said opposing board | substrate, the array boards 26a1 and 26a2, and the frame-shaped seal part, respectively. Further, liquid crystal is enclosed in the space surrounded by the counter substrate, the array substrates 26b1 and 26b2, and the frame-shaped seal portion 27, respectively.

이와 같은 구성에 의하면, 제7도중의 A₃× B₃에 상당하는 표시 영역을 갖는 대면적의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다. 단, 도시하지 않은 대향 기판을 사이에 두고 프레임 형상 시일 부(27) 끼리가 겹치는 중앙 부근이 비표시 영역으로 된다. 이 경우, 대향 기판의 한쪽 측에서, 예를 들면 글라스로 이루어지는 투광성 기재 끝면을 ±10 ㎛ 정도로 베어 내어, 인접하는 프레임 형상 시일 부(27) 끼리의 간극을 없게 한 경우에도, 프레임 형상 시일 부(27)의 폭을 S로 하면, 2S × 2S의 면적을 갖는 비표시 영역이 표시 영역내에 존재하게 된다. 어레이 기판 1장당 표시 영역의 상한을 예를 들면 30 인치각으로 하면, 실시예 7의 화상 표시 장치의 표시 영역은 60 인치각 정도의 대형으로 되고, 이와 같은 대형 화면에서는 1화소당 크기가 1 mm각 정도에서도 충분히 선명한 화상이 얻어진다. 따라서, 상기 치수의 화소로 구성된 화상 표시 장치의 경우에는 프레임 형상 시일 부(27)의 폭이 50㎛ 정도에서도 비표시 영역은 100 ㎛각 내지 120 ㎛각에서 1화소당 1.4% 정도의 면적밖에 상당하지 않아 화상 표시의 관점에서 문제가 없는 크기이다.With this configuration, it is possible to realize the image display device of a large area having a display area corresponding to A _₃ × B ₃ of the seventh way. However, the non-display area is a region near the center where the frame-shaped seal portions 27 overlap with the counter substrate (not shown) interposed therebetween. In this case, even when the end surface of the translucent base made of glass, for example, is cut to about 10 μm on one side of the opposing substrate, and there is no gap between the adjacent frame-shaped seal portions 27, the frame-shaped seal portion ( If the width of 27) is S, a non-display area having an area of 2S × 2S exists in the display area. If the upper limit of the display area per array substrate is 30 inches, for example, the display area of the image display device of Example 7 becomes large in size about 60 inches, and in such a large screen, the size per pixel is 1 mm. Even at each degree, a sufficiently clear image is obtained. Therefore, in the case of an image display device composed of pixels having the above-mentioned dimensions, even if the width of the frame-shaped seal portion 27 is about 50 μm, the non-display area is only about 1.4% per pixel at 100 μm to 120 μm. It does not have a problem size in terms of image display.

또한, 상기 실시예 1 내지 실시예 6의 화상 표시 장치에 있어서, 어레이 기판에 형성되는 폴리실리콘 TFT 반도체 소자가 형성되는 절연층을 BCB 수지 전구체 용액의 도포, 경화에 의해 형성하여도 좋다. 이와 같은 BCB 수지로 이루어지는 절연층은 500 내지 800 um의 파장역의 투과율이 98%로 높은 투과성을 가지므로 상기 TFT 반도체 소자에서의 표시성을 개선하는 것이 가능하게 된다.In the image display apparatuses of the first to sixth embodiments, the insulating layer on which the polysilicon TFT semiconductor element formed on the array substrate is formed may be formed by coating and curing BCB resin precursor solution. Since the insulating layer made of such BCB resin has a high transmittance of 98% in the wavelength range of 500 to 800 um, it is possible to improve the display in the TFT semiconductor element.

또한, 상기 프레임 형상 시일 부는 에폭시 수지로 대신하여 BCB 수지에 의해 프레임 형상 시일 부를 형성하여도 좋다. 이와 같은 프레임 형상 시일 부는 예를 들면, BCB 수지 전구체 용액을 대향 기판 또는 어레이 기판에 도포, 건조하여 미경화의 프레임 형상 시일 부를 형성하고, 대향 기판과 어레이 기판을 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부로 경화시킨 후, 250℃, 1시간, 또 350℃, 30분간의 베이크를 수행하는 것에 의해 형성된다. 베이크후의 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부는 500 nm에서 800 nm의 파장역의 투과율이 95%로 높은 투과성을 갖는다. 이와 같은 프레임 형상 시일 부를 갖는 화상 표시 장치는 표시면에 위치하는 상기 프레임 형상 시일 부에서의 투과성을 더욱 향상시킬 수 있다. 더욱이, 상기 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부는 미경화후에 경화시키는 것에 의해 상기 대향 기판과 어레이 기판을 강고하게 밀착시킬 수 있다. 그 결과, 상기 프레임 형상 시일 부의 폭을 1 mm 이하로 좁게 하여도 상기 대향 기판과 어레이 기판을 양호하게 접합할 수 있다. 이 때문에, 표시면에 있어서 상기 프레임 형상 시일 부의 투과성을 향상시킬 수 있음과 동시에 그 면적을 축소하여 표시성을 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, the said frame-shaped seal part may form a frame-shaped seal part by BCB resin instead of an epoxy resin. Such a frame-shaped seal portion is coated with, for example, a BCB resin precursor solution on an opposing substrate or an array substrate, and dried to form an uncured frame-shaped seal portion, and the counter substrate and the array substrate are cured with the uncured frame-shaped seal portion. After baking, it is formed by performing baking at 250 ° C. for 1 hour and at 350 ° C. for 30 minutes. The frame-shaped seal part made of BCB resin after baking has a high transmittance with a transmittance of 95% in the wavelength range of 500 nm to 800 nm. An image display device having such a frame-shaped seal portion can further improve the transmittance at the frame-shaped seal portion located on the display surface. Further, the frame-shaped seal portion made of the BCB resin can be firmly brought into close contact with the counter substrate and the array substrate by curing after uncuring. As a result, even when the width | variety of the said frame-shaped seal part is narrowed to 1 mm or less, the said opposing board | substrate and an array board | substrate can be bonded together favorably. For this reason, while the permeability of the said frame-shaped seal part can be improved in a display surface, the area can be reduced and the display property can be improved further.

〈실시예 7〉<Example 7>

제8a도 내지 제8c도는 본 발명의 실시예 7에 있어서의 화상 표시 장치의 제조 공정을 도시한 개략 단면도이고, 도 9는 얻어진 화상 표시 장치의 부분 절단 사시도이다.8A to 8C are schematic sectional views showing the manufacturing process of the image display device in Embodiment 7 of the present invention, and FIG. 9 is a partially cutaway perspective view of the obtained image display device.

먼저, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 두께 0.7 mm의 투광성 기재(41)의 양면에 스퍼터링법으로 두께 300 nm의 ITO막을 각각 성막하였다. 이 ITO막 상에 롤코더에 의한 레지스트 도포, 사진 식각법에 의한 레지스트 패턴의 형성을 수행하였다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 한 상기 ITO막의 선택적 에칭을 수행하는 것에 의해 제8a도에 도시한 바와 같이 상기 투광성 기재(41)의 양면에 전극 패턴(공통 전극)(42) 및 X방향으로 연장하는 복수의 접속선(43), Y방향으로 연장하는 복수의 접속선(도시하지 않음)을 각각 형성하여 대향 기판(44)을 제작하였다.First, for example, 300 nm-thick ITO films were formed on both surfaces of the transparent substrate 41 having a thickness of 0.7 mm by glass by sputtering. On this ITO film, a resist coating by a roll coder and a photoresist pattern were formed. By selectively etching the ITO film using this resist pattern as a mask, as shown in FIG. 8A, electrode patterns (common electrodes) 42 and a plurality extending in the X direction on both surfaces of the translucent substrate 41 are shown. Connection lines 43 and a plurality of connection lines (not shown) extending in the Y-direction were formed, respectively, to produce a counter substrate 44.

또한, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 두께 0.7 mm의 투광성 기재(45)의 한쪽면에 스퍼터링법으로 두께 300 nm의 ITO막을 각각 성막하였다. 이 ITO막 상에 롤코더에 의한 레지스트 도포, 사진 식각법에 의한 레지스트 패턴의 형성을 수행하였다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 한 상기 ITO막의 선택적 에칭을 수행하는 것에 의해 상기 투광성 기재(45)의 한쪽면에 X방향으로 연장하는 복수의 신호선(46), Y방향으로 연장하는 복수의 신호선(도시하지 않음)을 형성하고, 또 반도체 소자로서의 폴리실리콘 게이트형 TFT(도시하지 않음)을 형성하여 3장의 기판(47a1, 47a2, 47b)을 각각 제작하였다.For example, an ITO film having a thickness of 300 nm was formed on one surface of the transparent substrate 45 having a thickness of 0.7 mm made of glass by sputtering. On this ITO film, a resist coating by a roll coder and a photoresist pattern were formed. By selectively etching the ITO film using this resist pattern as a mask, a plurality of signal lines 46 extending in the X direction on one surface of the translucent substrate 45 and a plurality of signal lines extending in the Y direction (not shown) And a polysilicon gate type TFT (not shown) as a semiconductor element were formed to produce three substrates 47a1, 47a2, and 47b, respectively.

이어서, 상기 대향 기판(44) 표면 상에 디스펜서를 사용하여 이방성 도전 수지를 도포하고, 80℃에서 가건조하는 것에 의해 상기 대향 기판(44)의 단부측에 액정 주입용 개구부를 갖는 미경화의 사각형 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)를 각각 형성하였다. 또한, 상기 이방성 도전 수지는 에폭시 수지를 주성분으로 하는 자외선 경화 수지에 표면이 ITO막으로 코팅된 수지 비즈로 이루어지는 평균 입자 지름 5㎛ 정도의 미세한 도전성 입자를 분산한 조성을 갖는다. 이어서, 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)로 둘러싸인 상기 대향 기판(44) 표면 상에 투광성 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(49a1, 49a2)를 각각 산포하고, 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2) 및 상기 스페이서(49a1, 49a2) 상에 미리 제작한 상기 2개의 어레이 기판(47a1, 47a2)을 각각 정렬시켰다. 이어서, 상기 어레이 기판(47a1, 47a2)측에서 자외선을 조사하여 미경화의 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)를 경화하였다. 경화후의 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)는 두께 5 ㎛, 평균폭 30 ㎛으로, 그 투과율이 가시의 파장 영역에 대하여 82% 이상이었다. 또한, 어레이 기판(47a1, 47a2) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44) 상의 복수의 접속선(43)이 상기 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)에 의해 각각 접속되었다. 이 접속 저항은 1신호선당 30 밀리오옴으로 전기적으로 양호한 접속이 얻어졌다. 그후, 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)의 개구부를 통하여 액정(50a1, 50a2)을 각각 주입한 후, 마찬가지 자외선 경화성 수지로 상기 개구부를 막아 상기 액정(50a1, 50a2)을 봉입하였다. 이와 같은 공정에 의해, 제8b도에 도시한 바와 같이 표면측 표시 영역(51a1, 51a2)을 제작하였다.Subsequently, an anisotropic conductive resin is applied onto the surface of the counter substrate 44 using a dispenser, and temporarily dried at 80 ° C. to have an uncured quadrangle having an opening portion for injecting liquid crystal on the end side of the counter substrate 44. Frame-shaped seal parts 48a1 and 48a2 were formed, respectively. In addition, the anisotropic conductive resin has a composition in which fine conductive particles having an average particle diameter of about 5 µm are dispersed in an ultraviolet curable resin containing an epoxy resin as a main component and made of resin beads coated with an ITO film. Subsequently, spherical spacers 49a1 and 49a2 made of a translucent resin are respectively spread on the surface of the opposing substrate 44 surrounded by the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2, and the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 are respectively dispersed. And the two array substrates 47a1 and 47a2 prepared in advance on the spacers 49a1 and 49a2, respectively. Subsequently, ultraviolet rays were irradiated from the array substrates 47a1 and 47a2 to cure the uncured frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2. The said frame-shaped seal parts 48a1 and 48a2 after hardening were 5 micrometers in thickness, and 30 micrometers in average width, and the transmittance | permeability was 82% or more with respect to the visible wavelength range. In addition, the plurality of signal lines 46 on the array substrates 47a1 and 47a2 and the plurality of connection lines 43 on the opposing substrate 44 are respectively formed by the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 made of the anisotropic conductive resin. You are connected. This connection resistance was 30 milliohms per signal line, and an electrically good connection was obtained. Thereafter, liquid crystals 50a1 and 50a2 were injected through the openings of the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2, respectively, and the liquid crystals 50a1 and 50a2 were enclosed by blocking the openings with the same ultraviolet curable resin. By this process, as shown in FIG. 8B, the surface side display areas 51a1 and 51a2 were produced.

이어서, 상기 어레이 기판(47a1, 47a2)과 반대측의 상기 대향 기판(44)의 이면상에 상술한 표면측 표시 영역(51a1, 51a2)의 제작과 마찬가지 공정으로 투광성을 갖는 이방성 도전 수지로 이루어지고, 액정 주입용 개구부를 갖는 미경화의 프레임 형상 시일 부(48b)를 형성하였다. 이 프레임 형상 시일 부(48b)로 둘러싸인 상기 대향 기판(44) 이면 상에 저흡수율 수지로 이루어지는 평균 입자지름 5 ㎛의 구형상 스페이서(49b)를 산포하고, 상기 프레임 형상 시일 부(48b) 및 상기 스페이서(49b)상에 미리 제작한 상기 어레이 기판(47b)을 각각 정렬시켰다. 상기 어레이 기판(47b)측에서 자외선을 조사하여 자외선 경화형의 상기 이방성 도전 수지로 이루어지는 상기 프레임 형상 시일 부(48b)를 경화하였다. 경화후의 상기 프레임 형상 시일부(48b)는 두께 5 ㎛, 평균폭 30 ㎛으로 그 투과율이 가시의 파장 영역에 대하여 82% 이상이었다. 또한, 어레이 기판(47b) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44) 상의 복수의 접속선(43)이 상기 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48b)에 의해 각각 접속되었다. 이 접속 저항은 1신호선당 30 밀리오옴으로 전기적으로 양호한 접속이 얻어졌다. 이어서, 상기 프레임 형상 시일 부(48b)의 개구부를 통하여 액정(50b)을 주입한 후, 마찬가지 자외선 경화성 수지로 상기 개구부를 막아 상기 액정(50b)을 봉입하였다. 이와 같은 공정에 의해, 제8c도에 도시한 바와 같이 표면측 표시 영역(51b)이 제작되어 화상 표시 장치가 제조되었다.Subsequently, an anisotropic conductive resin having a light-transmitting property is formed on the back surface of the opposing substrate 44 opposite to the array substrates 47a1 and 47a2 in the same process as the fabrication of the surface-side display regions 51a1 and 51a2 described above. An uncured frame-shaped seal portion 48b having an opening for liquid crystal injection was formed. A spherical spacer 49b having an average particle diameter of 5 μm made of a low water absorption resin is dispersed on the back surface of the opposing substrate 44 surrounded by the frame-shaped seal portion 48b, and the frame-shaped seal portion 48b and the The array substrate 47b prepared in advance on the spacer 49b was aligned, respectively. Ultraviolet rays were irradiated from the array substrate 47b side to cure the frame-shaped seal portion 48b made of the anisotropic conductive resin of the ultraviolet curable type. The said frame-shaped seal part 48b after hardening was 5 micrometers in thickness, and 30 micrometers in average width, and the transmittance | permeability was 82% or more with respect to visible wavelength range. In addition, a plurality of signal lines 46 on the array substrate 47b and a plurality of connection lines 43 on the opposing substrate 44 were connected to each other by the frame-shaped seal portion 48b made of the anisotropic conductive resin. This connection resistance was 30 milliohms per signal line, and an electrically good connection was obtained. Next, after inject | pouring the liquid crystal 50b through the opening part of the said frame-shaped seal part 48b, the said opening part was closed with the same ultraviolet curable resin, and the said liquid crystal 50b was enclosed. By this process, as shown in FIG. 8C, the surface side display area 51b was produced, and the image display apparatus was manufactured.

본 실시예 7에 관한 화상 표시 장치는 제8도 및 제9도에 도시한 바와 같이 두께 0.7 mm의 투광성 기재(41)의 양면에 두께 300 nm의 ITO 공통 전극(42) 및 복수의 접속선(43)이 형성된 대향 기판(44)과 두께 0.7 mm의 투광성 기재(45)의 한쪽면에 폴리실리콘 게이트형 TFT(도시하지 않음) 및 두께 300 nm의 복수의 ITO 신호선(46)이 형성된 어레이 기판(47a1, 47a2, 47b)을 구비한다. 상기 2개의 어레이 기판(47a1, 47a2)은 상기 대향 기판(44)의 표면에 소정의 간격을 갖고 배치되고 또 상기 어레이 기판(47b)은 상기 대향 기판(44)의 이면에 상기 어레이 기판(47b)의 양단부가 상기 대향 기판(44)을 사이에 두고 상기 표면측 각 어레이 기판(47a1, 47a2)의 대향하는 단부와 마주보도록 배치되어 있다. 즉, 표면측의 어레이 기판(47a1, 47a2)과 이면측의 어레이 기판(47b)은 표시면에서 보았을 때, 표면측의 어레이 기판(47a1, 47a2)의 대향하는 단부와 이면측의 어레이 기판(47b)의 양단부가 상기 대향 기판(44)을 사이에 두고 겹치도록 인접하여 배치되어 있다.In the image display device according to the seventh embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9, a 300 nm-thick ITO common electrode 42 and a plurality of connecting lines are formed on both surfaces of the transparent substrate 41 having a thickness of 0.7 mm. 43, an array substrate having a polysilicon gate type TFT (not shown) and a plurality of ITO signal lines 46 having a thickness of 300 nm on one side of the opposing substrate 44 on which the substrate 44 is formed, and the transparent substrate 45 having a thickness of 0.7 mm ( 47a1, 47a2, 47b). The two array substrates 47a1 and 47a2 are disposed on the surface of the opposing substrate 44 at predetermined intervals, and the array substrate 47b is disposed on the rear surface of the opposing substrate 44. Both ends of the substrate are arranged to face opposite ends of the surface-side array substrates 47a1 and 47a2 with the opposing substrate 44 therebetween. That is, the array substrates 47a1 and 47a2 on the front side and the array substrate 47b on the back side are opposite sides of the array substrates 47a1 and 47a2 on the front side and the array substrate 47b on the back side when viewed from the display surface. Are arranged adjacent to each other so as to overlap each other with the opposing substrate 44 therebetween.

스페이서(49a1, 49a2)는 상기 대향 기판(44)과 각 어레이 기판(47a1, 47a2)의 간극에 각각 개재되어 있다. 또한, 미세한 도전성 입자를 포함하는 투광성을 갖는 이방성 도전 수지로 이루어지는 사각형 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)는 상기 대향 기판(44)과 어레이 기판(47a1, 47a2)의 간극에 각각 형성되고, 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)에 의해 상기 어레이 기판(47a1, 47a2) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44) 상의 복수의 접속선(43)을 각각 접속하고 있다. 즉, 상기 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)는 상기 어레이 기판(47a1, 47a2) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44) 상의 복수의 접속선(43)의 당접 부분에 있어 그 두께 방향으로 도전성을 나타내고, 두께 방향과 직각 방향(대향 전극(44)의 면방향)으로의 도전성은 나타내지 않는다. 이 때문에, 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)는 상기 당접 부분에서만 도전성을 나타내고, 상기 어레이 기판(47a1, 47a2) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44) 상의 복수의 접속선(43)을 각각 독립하여 접속하는 것이 가능하게 된다. 액정(50a1, 50a2)은 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)로 둘러싸인 상기 대향 기판(44)과 어레이 기판(47a1, 47a2) 사이에 공간없이 각각 봉입되어 있다.Spacers 49a1 and 49a2 are interposed in the gap between the opposing substrate 44 and the array substrates 47a1 and 47a2, respectively. Further, rectangular frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 made of anisotropic conductive resin having translucent particles containing fine conductive particles are formed in the gap between the opposing substrate 44 and the array substrates 47a1 and 47a2, respectively, and the frame The shape seal parts 48a1 and 48a2 connect the plurality of signal lines 46 on the array substrates 47a1 and 47a2 and the plurality of connection lines 43 on the opposing substrate 44, respectively. In other words, the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 made of the anisotropic conductive resin contact the plurality of signal lines 46 on the array substrates 47a1 and 47a2 and the plurality of connection lines 43 on the opposing substrate 44. In the part, conductivity is shown in the thickness direction, and conductivity in the direction perpendicular to the thickness direction (plane direction of the counter electrode 44) is not shown. For this reason, the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 exhibit conductivity only at the contact portions, and the plurality of signal lines 46 on the array substrates 47a1 and 47a2 and the plurality of connection lines on the opposing substrate 44 43 can be connected independently. Liquid crystals 50a1 and 50a2 are enclosed without space between the opposing substrate 44 and the array substrates 47a1 and 47a2 surrounded by the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2, respectively.

스페이서(49b)는 상기 대향 기판(44)과 어레이 기판(47b)의 간극에 개재되어 있다. 미세한 도전성 입자를 포함하고 투광성을 갖는 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48b)는 상기 대향 기판(44)과 어레이 기판(47b)의 간극에 형성되고, 상기 프레임 형상 시일 부(48b)에 의해 상기 어레이 기판(47b) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44) 상의 복수의 접속선(43)을 접속하고 있다. 또한, 액정(50b)은 프레임 형상 시일 부(48b)로 둘러싸인 상기 대향 기판(44)과 어레이 기판(47b) 사이에 공간없이 봉입되어 있다.The spacer 49b is interposed in the gap between the opposing substrate 44 and the array substrate 47b. The frame-shaped seal portion 48b containing fine conductive particles and made of anisotropic conductive resin having light transparency is formed in the gap between the opposing substrate 44 and the array substrate 47b, and is formed by the frame-shaped seal portion 48b. A plurality of signal lines 46 on the array substrate 47b and a plurality of connection lines 43 on the opposing substrate 44 are connected. In addition, the liquid crystal 50b is enclosed without a space between the counter substrate 44 and the array substrate 47b surrounded by the frame-shaped seal portion 48b.

이와 같은 구성의 화상 표시 장치는 제8c도 및 제9도에 도시한 바와 같이, 표시면에서 보았을 때, 대향 기판(23)을 사이에 두고 서로 이웃하는 어레이 기판(47a1, 47a2)과 어레이 기판(47b)은 그들의 단부가 서로 중복하도록 배치되어 있다. 표면측 표시 영역(51a1, 51a2)과 이면측 표시 영역(52b) 사이에 위치하는 표면측의 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)는 이면측의 어레이 기판(47b)의 표시 영역(51b)에 의해 보충된다. 이면측의 프레임 형상 시일 부(48b)는 표면측의 어레이 기판(47a1, 47a2)의 표시 영역(51a1, 51a2)에 의해 보충된다. 이 때문에, 표시 가능 영역을 3개의 어레이 기판(47a1, 47a2, 47b)을 배치한 영역에 대응한 대화면화가 실현된다.As shown in Figs. 8C and 9, the image display device having such a configuration has the array substrates 47a1 and 47a2 and the array substrates adjacent to each other with the opposing substrate 23 therebetween when viewed from the display surface. 47b) are arranged such that their ends overlap with each other. The frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 on the front side positioned between the front side display regions 51a1 and 51a2 and the back side display region 52b are formed by the display region 51b of the array substrate 47b on the rear side. Is replenished. The frame-shaped seal portion 48b on the back side is supplemented by the display regions 51a1 and 51a2 on the array substrates 47a1 and 47a2 on the front side. For this reason, the big screen corresponding to the area | region which arrange | positioned the displayable area | region with three array substrates 47a1, 47a2, 47b is realized.

또한, 표시 영역내에 표면측 표시 영역(51a1, 51a2)과 이면측 표시 영역(51b)사이에 위치하는 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2, 48b)가 존재하지만, 상기 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2, 48b)를 가시의 파장 영역에 있어서 투광성을 갖는 이방성 도전 수지로 형성함으로써 서로 대향하는 어레이 기판이 만드는 표시 영역으로 보충할 수 있으므로, 표시 영역내에 비표시 영역이 형성되는 것을 없앨 수 있다.Further, although there are frame shaped seal portions 48a1, 48a2, and 48b positioned between the front-side display regions 51a1 and 51a2 and the back-side display region 51b, the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 exist. , 48b) can be supplemented with a display area made by array substrates facing each other by forming a transparent anisotropic conductive resin in the visible wavelength range, thereby eliminating the formation of non-display areas in the display area.

또한, 액정(50a1, 50a2)의 봉지를 겸하는 상기 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)를 상기 대향 기판(44)과 이면측 어레이 기판(47a1, 47a2)의 간극에 각각 형성함으로써 상기 어레이 기판(47a1, 47a2) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44) 상의 복수의 접속선(43)을 접속하고 있다. 액정(50b)의 봉지를 겸하는 상기 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상시일부(48b)를 상기 대향기판(44)과 이면측 어레이기판(47b)의 간극에 각각 형성함으로써 상기 어레이 기판(47b)상의 복수의 신호선(46)와 상기 대향기판(44)상의 복수의 접속선(43)을 접속하고 있다. 이 때문에, 상기 대향 기판(44) 상의 접속선(43)에 의해 단부에서 상기 어레이 기판(47a1, 47a2, 47b)을 구동하는 것이 가능한 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Further, by forming the frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 made of the anisotropic conductive resin serving as the encapsulation of the liquid crystals 50a1 and 50a2 in the gap between the opposing substrate 44 and the back side array substrate 47a1 and 47a2, respectively. A plurality of signal lines 46 on the array substrates 47a1 and 47a2 and a plurality of connection lines 43 on the opposing substrate 44 are connected. A plurality of frame-shaped seal portions 48b made of the anisotropic conductive resin serving as the encapsulation of the liquid crystal 50b are formed in the gap between the opposing substrate 44 and the back side array substrate 47b, respectively, so as to provide a plurality of the sealing substrates on the array substrate 47b. Signal line 46 and a plurality of connection lines 43 on the opposing substrate 44 are connected. For this reason, the image display apparatus which can drive the said array substrate 47a1, 47a2, 47b at the edge part by the connection line 43 on the said opposing board | substrate 44 is realizable.

제10도는 실시예 7의 구조를 갖는 어레이 기판 9장(표면측 5장, 이면측 4장)의 배치와 신호선의 인출을 모식적으로 도시한 것이다. 이와 같은 구성의 화상 표시 장치에 있어서, 4개의 모서리에 위치하는 표면측의 어레이 기판(47₁) 내지 (47₄)는 XY 방향으로 연장하는 복수의 신호선이 각각 단부에서 인출된다. 중앙에 위치하는 어레이 기판(47₅)은 이 어레이 기판(47₅) 좌측 및 하측의 대향 기판의 빈 공간에 각각 배치된 X 방향 및 Y 방향으로 연장하는 복수의 접속선을 통하여 단부로 연장된다. 그 결과, 복수장의 어레이 기판을 쌍 교차부에 마주보아도 모든 어레이 기판을 양호하게 구동하는 것이 가능하게 된다.FIG. 10 schematically shows the arrangement of nine array substrates having the structure of Example 7 (five on the front side and four on the back side) and drawing out signal lines. In the image display device having such a configuration, the array substrates 47 ₁ to 47 ₄ on the surface side positioned at four corners are each drawn out at the ends of a plurality of signal lines extending in the XY direction. An array substrate (47 ₅₎ disposed at the center extend to the end through the plurality of connection lines extending respectively arranged X-direction and the Y direction in the empty space of the array substrate (47 ₅₎ the left side and the lower side facing the substrate a. As a result, even if a plurality of array substrates are faced to the pair intersections, all of the array substrates can be driven well.

[실시예 8]Example 8

제11도는 본 발명의 실시예 8에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도이다. 또한, 실시예 7에서 설명한 제8c도 및 제9도와 마찬가지 부재는 동일 부호를 붙여서 설명을 생략한다.11 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in the eighth embodiment of the present invention. In addition, the member similar to FIG. 8C and FIG. 9 demonstrated in Example 7 attaches | subjects the same code | symbol, and abbreviate | omits description.

제11도에 도시한 바와 같이, 예를 들면, 두께 500 nm의 SiO₂로 이루어지는 절연층(52a)은 표면측의 어레이 기판(47a1, 47a2)사이에 위치하는 대향 기판(44)의 공통 전극(42) 부분 상에 피복되어 있다. 복수의 접속선(53a)은 상기 절연층(52a) 상에 형성되어 있다. 미세한 도전성 입자가 분산된 투과상을 갖는 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)는 상기 대향 기판(44)과 각 어레이 기판(47a1, 47a2)의 간극에 각각 형성되고, 상기 어레이 기판(47a1, 47a2) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44)의 절연층(52a) 상의 복수의 접속선(53a)을 각각 접속하고 있다. 또한, 예를 들면, 두께 500 nm의 SiO₂로 이루어지는 절연층(52b)은 이면측의 어레이 기판(47b)의 양단부에 위치하는 대향 기판(44)의 공통 전극(42) 부분 상에 각각 피복되어 있다. 복수의 접속선(53b)은 상기 절연층(52b) 상에 각각이 형성되어 있다. 미세한 도전성 입자를 포함하고 투광성이며 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48b)는 상기 대향 기판(44)과 각 어레이 기판(47b)의 간극에 형성되고, 상기 어레이 기판(47b) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44)의 절연층(52b) 상의 복수의 접속선(53b)을 각각 접속하고 있다.As shown in FIG. 11, for example, the insulating layer 52a made of SiO ₂ having a thickness of 500 nm is formed on the common electrode of the opposing substrate 44 positioned between the array substrates 47a1 and 47a2 on the surface side. 42) is coated on the part. A plurality of connecting lines 53a are formed on the insulating layer 52a. Frame-shaped seal portions 48a1 and 48a2 made of an anisotropic conductive resin having a transmission image in which fine conductive particles are dispersed are formed in the gap between the opposing substrate 44 and each of the array substrates 47a1 and 47a2, respectively. A plurality of signal lines 46 on 47a1 and 47a2 and a plurality of connection lines 53a on the insulating layer 52a of the opposing substrate 44 are respectively connected. In addition, for example, an insulating layer 52b made of SiO ₂ having a thickness of 500 nm is coated on portions of the common electrode 42 of the opposing substrate 44 located at both ends of the array substrate 47b on the back side. have. The plurality of connecting lines 53b are formed on the insulating layer 52b, respectively. A frame-shaped seal portion 48b containing fine conductive particles and made of a translucent and anisotropic conductive resin is formed in a gap between the opposing substrate 44 and each array substrate 47b, and a plurality of signal lines on the array substrate 47b. 46 and the plurality of connection lines 53b on the insulating layer 52b of the opposing substrate 44 are respectively connected.

이와 같은 구성에 의하면, 표시 영역내에 비표시 영역이 형성되지 않고, 표시 가능 영역을 3개의 어레이 기판(47a1, 47a2, 47b)을 배치한 영역에 대응한 대화면의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.According to such a structure, a non-display area is not formed in a display area, and the big screen image display apparatus corresponding to the area | region which arrange | positioned the three array substrates 47a1, 47a2, 47b in a displayable area can be implement | achieved.

또한, 상기 어레이 기판(47a1, 47a2) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44)의 절연층(52a) 상의 복수의 접속선(53a)은 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48a1, 48a2)에 의해 접속되고, 또 상기 어레이 기판(47b) 상의 복수의 신호선(46)과 상기 대향 기판(44)의 절연층(52b) 상의 복수의 접속선(53b)은 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(48b)에 의해 접속되어 있다. 그 결과, 상기 대향 기판(44) 상의 접속선(53a, 53b)에 의해 단부에서 상기 어레이 기판(47a1, 47a2, 47b)을 구동하는 것이 가능한 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Further, the plurality of signal lines 46 on the array substrates 47a1 and 47a2 and the plurality of connection lines 53a on the insulating layer 52a of the opposing substrate 44 are frame-shaped seal portions 48a1 made of anisotropic conductive resin. , 48a2, and the plurality of signal lines 46 on the array substrate 47b and the plurality of connection lines 53b on the insulating layer 52b of the opposing substrate 44 are made of an anisotropic conductive resin. It is connected by the shape sealing part 48b. As a result, an image display device capable of driving the array substrates 47a1, 47a2, 47b at the ends thereof by the connection lines 53a, 53b on the opposing substrate 44 can be realized.

[실시예 9]Example 9

제12도는 본 발명의 실시예 9에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도이다. 또한, 상술한 실시예 7에서 설명한 제8c도 및 제9도와 마찬가지 부재는 동일 부호를 붙여서 설명을 생략한다.12 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in the ninth embodiment of the present invention. In addition, the member similar to FIG. 8C and FIG. 9 demonstrated in Example 7 mentioned above attaches | subjects the same code | symbol, and abbreviate | omits description.

실시예 9의 화상 표시 장치는 제12도에 도시한 바와 같이, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 보조 기판(61a)이 대향 기판(44)의 표면에 어레이 기판(47a1, 47a2)과 인접함과 동시에 상기 어레이 기판(47a1, 47a2)과 한면이 되도록 투광성 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(49)를 거쳐 고정되어 있다. 예를 들면, 글라스로 이루어지는 보조 기판(61b1, 61b2)은 상기 대향 기판(44)의 이면에 어레이 기판(47b)과 인접함과 동시에 상기 어레이 기판(47b)과 한면으로 되도록 저흡수율 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(62)를 거쳐 고정되어 있다.In the image display device of Example 9, as shown in FIG. 12, for example, the auxiliary substrate 61a made of glass is adjacent to the array substrates 47a1 and 47a2 on the surface of the opposing substrate 44. The array substrates 47a1 and 47a2 are fixed to each other via a spherical spacer 49 made of a light-transmissive resin. For example, the auxiliary substrates 61b1 and 61b2 made of glass are made of a low water absorption resin so as to be adjacent to the array substrate 47b on the rear surface of the opposing substrate 44 and to be one surface with the array substrate 47b. It is fixed via the shape spacer 62.

이와 같은 구성에 의하면, 상술한 실시예 7과 마찬가지로, 표시 영역내에 비표시 영역이 형성되지 않는 대면적의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다. 또한, 내측에 위치하는 어레이 기판에서도 단부로부터의 구동이 가능한 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.According to such a configuration, similarly to the seventh embodiment described above, a large-area image display device in which a non-display area is not formed in the display area can be realized. Moreover, the image display apparatus which can drive from the edge part also in the array substrate located inward can be realized.

또한, 보조 기판(61a, 61b1, 61b2)을 배치함으로서, 대향 기판(44)의 표리면에 어레이 기판(47a1, 47a2, 47b)을 교차 배치하는 것에 따른 단차를 해소할 수 있으므로 고강도의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Further, by arranging the auxiliary substrates 61a, 61b1, 61b2, the step difference caused by arranging the array substrates 47a1, 47a2, 47b on the front and back surfaces of the opposing substrate 44 can be eliminated. Can be realized.

또한, 실시예 9의 화상 표시 장치에 있어서 표시측의 어레이 기판(47a1, 47a2) 및 보조 기판(61a)의 표면에 얇은 금속 산화막 또는 수지막을 반사 방지층으로서 형성하여 난반사에 의한 투시 상의 어려움을 방지하여도 좋다.Further, in the image display device of Example 9, a thin metal oxide film or resin film is formed as an antireflection layer on the surfaces of the array substrates 47a1 and 47a2 and the auxiliary substrate 61a on the display side to prevent difficulty in see-through due to diffuse reflection. Also good.

[실시예 10]Example 10

제13도는 본 발명의 실시예 10에 있어서의 화상 표시 장치를 도시한 개략 단면도이다. 또한, 상술한 실시예 7에서 설명한 제8c도 및 제9도와 마찬가지 부재는 동일 부호를 붙여서 설명을 생략한다.13 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in accordance with a tenth embodiment of the present invention. In addition, the member similar to FIG. 8C and FIG. 9 demonstrated in Example 7 mentioned above attaches | subjects the same code | symbol, and abbreviate | omits description.

실시예 10의 화상 표시 장치는 제13도에 도시한 바와 같이, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 보조 기판(61a)이 대향 기판(44)의 표면에 어레이 기판(47a1, 47a2)과 인접함과 동시에 상기 어레이 기판(47a1, 47a2)과 한면으로 되도록 저흡수율 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(49)를 거쳐 고정되어 있다. 예를 들면, 글라스로 이루어지는 보조 기판(61b1, 61b2)은 상기 대향 기판(44)의 이면에 어레이 기판(47b)과 인접함과 동시에 상기 어레이 기판(47b)과 한면으로 되도록 저흡수율 수지로 이루어지는 구형상 스페이서(62)를 거쳐 고정되어 있다. 반사판(63)은 상기 대향 기판(44) 이면측의 어레이 기판(47b)의 투광성 기재(45) 상 및 이면측의 상기 보조 기판(61b1, 61b2)에 걸쳐 배치되어 있다.In the image display device of the tenth embodiment, as shown in FIG. 13, for example, the auxiliary substrate 61a made of glass is adjacent to the array substrates 47a1 and 47a2 on the surface of the opposing substrate 44. The array substrates 47a1 and 47a2 are fixed to each other via a spherical spacer 49 made of a low water absorption resin so as to be one surface. For example, the auxiliary substrates 61b1 and 61b2 made of glass are made of a low water absorption resin so as to be adjacent to the array substrate 47b on the rear surface of the opposing substrate 44 and to be one surface with the array substrate 47b. It is fixed via the shape spacer 62. The reflecting plate 63 is disposed on the translucent base 45 of the array substrate 47b on the back side of the opposing substrate 44 and on the auxiliary substrates 61b1 and 61b2 on the back side.

또한, 보조 기판(61a, 61b1, 61b2)을 배치함으로서 대향 기판(44)의 표리면에 어레이 기판(47a1, 47a2, 47b)을 교차 배치하는 것에 따른 단차를 해소할 수 있어 고강도의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Further, by arranging the auxiliary substrates 61a, 61b1, and 61b2, it is possible to eliminate the step difference caused by arranging the array substrates 47a1, 47a2, and 47b on the front and back surfaces of the opposing substrate 44, thereby providing a high-intensity image display device. It can be realized.

또한, 반사판(63)을 배치함으로서 높은 콘트라스트비를 갖는 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.In addition, by arranging the reflecting plate 63, an image display apparatus having a high contrast ratio can be realized.

[실시예 11]Example 11

제14a도 내지 c도는 본 발명의 실시예 11에 있어서의 화상 표시 장치의 제조 공정을 도시한 단면도이고, 제15도는 얻어진 화상 표시 장치의 부분 절단 사시도이다.14A to 14C are sectional views showing the manufacturing process of the image display apparatus in Example 11 of this invention, and FIG. 15 is a partial cutaway perspective view of the obtained image display apparatus.

먼저, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 두께 0.7 mm의 투광성 기재(71)의 표면에 스퍼터링법으로 두께 300 nm의 ITO막을 각각 성막하여 공통 전극(72)을 갖는 대향 기판(73)을 형성하였다. 이어서, 공통 전극(72) 상에 감광성 BCB 수지 전구체 용액을 롤코더로서 전면에 도포하였다. 이 도막을 80℃ 20분간 가경화한 후, 마스크를 통하여 자외선을 조사하고, 유기계 전용 현상액(다우케미컬사제 상품명 : DS-2100)으로 불필요한 부분을 제거하여 소정의 수지 패턴을 형성하였다. 이 수지 패턴을 250℃에서 1시간 베이크하고, 또 350℃에서 30분 베이크함으로써 두께가 1 ㎛이고, 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 98%인 제1절연층(74)을 형성하였다. 이 절연층(74) 상에 스퍼터링법에 의해 Mo막 및 Al막을 연속해서 성막한 후, 이들 금속막을 패터닝하는 것에 의해 X방향의 단부에 돌기 전극 접속부를 갖는 X 방향의 제1접속선(75)을 형성하였다. 이 접속선(75)을 포함하는 상기 제1절연층(74)상에 상기 제1절연층(74)과 마찬가지 방법에 의해 BCB 수지로 이루어지는 제2절연층(76)을 형성하였다. 또한, 상기 제2절연층(76) 상에 상기 X 방향의 접속선(75)과 마찬가지 방법에 의해 Y 방향의 단부에 돌기 전극 접속부를 갖는 Y방향의 제2접속선(77)을 형성하고, 제14a도에 도시한 바와 같이 다층 배선 영역(78a)을 형성하였다. 상기 대향 기판(73)의 이면에 상술한 다층 배선 영역(78a)과 마찬가지 공정에 의해 다층 배선 영역(78b)을 형성하였다. 또한, 상기 다층 배선 영역(78a, 78b)은 상기 대향 기판(73)의 표리면에 동시에 형성하여도 좋다.First, a 300 nm-thick ITO film was formed on the surface of the transparent substrate 71 having a thickness of 0.7 mm by glass, for example, to form a counter substrate 73 having a common electrode 72. Next, the photosensitive BCB resin precursor solution was apply | coated to the front surface as a roll coder on the common electrode 72. FIG. After the coating film was temporarily cured at 80 ° C. for 20 minutes, ultraviolet rays were irradiated through a mask, and unnecessary portions were removed with an organic developer (trade name: DS-2100 manufactured by Dow Chemical Company) to form a predetermined resin pattern. The resin pattern was baked at 250 ° C. for 1 hour and then baked at 350 ° C. for 30 minutes to form a first insulating layer 74 having a thickness of 1 μm and a transmittance of 98% at a wavelength of 500 nm at 800 nm. After forming a Mo film and an Al film continuously on this insulating layer 74 by sputtering method, by patterning these metal films, the 1st connection line 75 of the X direction which has protrusion electrode connection part in the X direction edge part is patterned. Formed. A second insulating layer 76 made of BCB resin was formed on the first insulating layer 74 including the connecting line 75 by the same method as the first insulating layer 74. Further, on the second insulating layer 76, a second connecting line 77 in the Y direction having a protruding electrode connecting portion is formed at an end in the Y direction by a method similar to the connecting line 75 in the X direction, As shown in FIG. 14A, the multilayer wiring region 78a was formed. The multilayer wiring region 78b was formed on the back surface of the opposing substrate 73 by the same process as the multilayer wiring region 78a described above. The multilayer wiring regions 78a and 78b may be formed on the front and back surfaces of the opposing substrate 73 at the same time.

이어서, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 두께 0.7 mm의 투광성 기재(79)의 한쪽면에 상기 제1절연층과 마찬가지 방법에 의해 BCB 수지로 이루어지는 절연층(도시하지 않음)을 형성한 후, 스퍼터링법으로 두께 300 nm의 ITO를 성막하였다. 이 ITO막 상에 롤코더에 의한 레지스트 도포, 사진 식각법에 의한 레지스터 패턴을 형성하였다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 한 상기 ITO막의 선택적 에칭을 수행하는 것에 의해 상기 투광성 기재(79)의 한쪽면의 절연층 상에 X방향으로 연장하는 복수의 신호선(80), Y방향으로 연장하는 복수의 신호선(도시하지 않음)을 형성하고, 또 반도체 소자로서의 폴리실리콘 게이트형 TFT(도시하지 않음)을 형성하여 미리 복수매의 어레이 기판(81a1, 81a2, 81b)을 각각 제작하였다. 이어서, 상기 각 어레이 기판(81a1, 81a2, 81b)의 각 X방향, Y방향의 신호선의 단부에 25 ㎛ X 25 ㎛이고, 높이 4 ㎛의 Au 볼펌프로 이루어지는 복수의 돌기 전극(82)을 각각 형성하였다. 상기 돌기 전극(82)은 선단이 원추 형상을 이룬다. 이어서, 상기 대향 기판(73)의 상기 제1절연층(74) 단부 영역에 위치하는 X방향의 접속선(75) 부분 및 상기 제2절연층(76) 단부 영역에 위치하는 Y방향의 접속선(77) 부분에 BCB 수지 전구체 용액을 디스펜서를 사용하여 도포하고, 80℃, 20분의 가경화를 실시하는 것에 의해 제 14b도에 도시한 바와 같이 폭 50 ㎛의 미경화의 프레임 형상 시일 부(83)을 형성하였다. 또한, 미경화의 프레임 형상 시일 부(83)에는 다음에 설명하는 액정을 봉입하기 위한 개구부(도시하지 않음)가 형성되어 있다.Subsequently, an insulating layer (not shown) made of BCB resin is formed on one surface of the transparent substrate 79 having a thickness of 0.7 mm made of glass by the same method as that of the first insulating layer, for example. 300 nm of ITO was formed into a film. On this ITO film, resist coating by a roll coder and a resist pattern by photolithography were formed. By selectively etching the ITO film using this resist pattern as a mask, a plurality of signal lines 80 extending in the X direction on the insulating layer on one side of the translucent substrate 79 and a plurality of extending in the Y direction A signal line (not shown) was formed, and a polysilicon gate type TFT (not shown) as a semiconductor element was formed to produce a plurality of array substrates 81a1, 81a2, and 81b in advance. Subsequently, each of the plurality of protrusion electrodes 82 made of an Au ball pump having a thickness of 25 μm X 25 μm and a height of 4 μm at each end of the signal lines in the X and Y directions of each of the array substrates 81a1, 81a2, and 81b is formed. Formed. The protruding electrode 82 forms a conical tip. Subsequently, a portion of the connecting line 75 in the X direction located in the end region of the first insulating layer 74 and the connecting line in the Y direction located in the end region of the second insulating layer 76 of the opposing substrate 73. The BCB resin precursor solution was applied to the part 77 using a dispenser and subjected to temporary curing at 80 ° C. for 20 minutes, as shown in FIG. 14B, to form an uncured frame-shaped seal part having a width of 50 μm ( 83). The uncured frame-shaped seal portion 83 is provided with an opening (not shown) for encapsulating the liquid crystal described later.

이어서, 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부(83)에서 상기 어레이 기판측에 위치하는 상기 대향 기판(73) 상에 평균 입자 지름 5 ㎛의 수직 비즈로 이루어지는 스페이서(84)를 산포하였다. 상기 대향 기판(73)의 표면측에 어레이 기판(81a1, 81a2)을 각각 돌기 전극(82)이 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부(83)에 대향하도록 정렬시킨 후, 상기 대향 기판(73)에 어레이 기판(81a1, 81a2)을 압착하였다. 이때, 어레이 기판(81a1, 81a2)의 돌기 전극(82)은 미경화에서 유연성을 갖는 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(83)내에 구속되고, 상기 대향 기판(73) 상의 X, Y방향의 접속선(75, 77)의 전기 인출부와 접촉하여 전기적인 접속이 이루어진다. 이어서, 250℃, 1시간, 또 350℃, 30분의 베이크를 수행함으로써 상기 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(83)가 경화되어 상기 어레이 기판(81a1, 81a2)을 상기 대향 기판(73)에 기계적으로 고정하였다. 동시에, Au 볼펌프로 이루어지는 돌기 전극(82)과 상기 다층 배선 영역(78a)의 Y방향의 접속선(77) 최상층의 Al막(도시하지 않음)이 고상 확산 반응이 진행하고, 전기적으로 신뢰성이 높은 양호한 접속이 확보되었다. 베이크후의 상기 프레임 형상 시일 부(83)는 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 95%이었다. 이어서, 프레임 형상 시일 부(83)에 미리 준비해 둔 개구부(도시하지 않음)에 액정(85)을 주입하고 상기 개구부에 BCB 수지 전구체를 충진한 후, 250℃에서 1시간 베이크하여 경화시켰다. 또한, 필요에 따라 상기 개구부의 BCB 수지 충진물을 베이크할 때, 선택적으로 가열 헤드를 접촉시키고, 국소적으로 가열하여 상기 BCB 수지 충진물을 경화시켜도 좋다. 베이크후의 BCB 수지 충전물은 500 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 85%이었다. 상기 대향 기판(73)의 이면에 상술한 어레이 기판(81a1, 81a2)과 마찬가지 방법에 의해 어레이 기판(81b)을 고정하였다. 이와 같은 공정에 의해 제14c도 및 제15도에 도시한 화상 표시 장치를 제조하였다.Subsequently, a spacer 84 made of vertical beads having an average particle diameter of 5 占 퐉 was dispersed on the counter substrate 73 positioned on the array substrate side in the uncured frame-shaped seal portion 83. The array substrates 81a1 and 81a2 are arranged on the surface side of the opposing substrate 73 so that the protruding electrodes 82 are opposed to the uncured frame-shaped seal portion 83, and then to the opposing substrate 73. The array substrates 81a1 and 81a2 were crimped. At this time, the projecting electrodes 82 of the array substrates 81a1 and 81a2 are constrained in the frame-shaped seal portion 83 made of BCB resin having uncured flexibility, and connected in the X and Y directions on the opposing substrate 73. An electrical connection is made in contact with the electrical lead of lines 75 and 77. Subsequently, baking of 250 ° C., 1 hour, 350 ° C., and 30 minutes is performed to cure the frame-shaped seal portion 83 made of the BCB resin to align the array substrates 81 a1 and 81 a 2 to the counter substrate 73. Mechanically fixed. At the same time, the solid-state diffusion reaction proceeds between the protruding electrode 82 made of Au ball pump and the Al film (not shown) of the uppermost layer of the connection line 77 in the Y-direction of the multilayer wiring region 78a. High good connection was secured. The frame shaped seal portion 83 after baking had a transmittance of 95% at a wavelength of 500 nm to 800 nm. Subsequently, the liquid crystal 85 was injected into the opening (not shown) prepared in advance in the frame-shaped sealing part 83, BCB resin precursor was filled in the opening, and it baked at 250 degreeC for 1 hour, and hardened | cured. In addition, when baking the BCB resin packing material of the said opening part as needed, you may selectively contact a heating head, and you may heat locally, and harden the said BCB resin packing material. The BCB resin filling after baking had a transmittance of 85% at a wavelength of 500 nm to 800 nm. The array substrate 81b was fixed to the back surface of the opposing substrate 73 by the same method as the above-described array substrates 81a1 and 81a2. By such a process, the image display apparatus shown in FIG. 14C and FIG. 15 was manufactured.

본 실시예 11의 화상 표시 장치는 제14c도 및 제15도에 도시한 바와 같이 두께 0.7 mm의 투광성 기재(71)의 양면에 두께 300 nm의 ITO 공통 전극(72)이 형성된 대향 기판(73)과 두께 0.7 mm의 투광성 기재(79)의 한쪽면의 BCB 수지로 이루어지는 절연층(도시하지 않음)에 폴리실리콘 게이트형 TFT(도시하지 않음) 및 X방향의 신호선(80) 및 Y방향의 신호선(도시하지 않음)이 형성된 어레이 기판(81a1, 81a2, 81b)을 구비한다. 상기 2개의 어레이 기판(81a1, 81a2)은 상기 대향 기판(73)의 표면에 소정의 간극을 두고 배치되고 또 상기 어레이 기판(81b)은 상기 대향 기판(73)의 이면에 상기 어레이 기판(81b)의 양단부가 상기 대향 기판(73)을 사이에 두고 상기 표면측의 각 어레이 기판(81a1, 81a2)의 대향하는 단부와 마주보도록 배치되어 있다. 즉, 표면측의 어레이 기판(81a1, 81a2)과 이면측의 어레이 기판(81b)은 표면측에서 보았을 때, 표면측의 어레이 기판(81a1, 81a2)의 대향하는 단부와 이면측의 어레이 기판(81b)의 양단부가 상기 대향 기판(73)을 사이에 두고 겹치도록 인접하여 배치되어 있다.In the image display apparatus of the eleventh embodiment, as shown in FIGS. 14C and 15, the opposing substrate 73 having the ITO common electrode 72 having a thickness of 300 nm is formed on both surfaces of the transparent substrate 71 having a thickness of 0.7 mm. And a polysilicon gate type TFT (not shown), a signal line 80 in the X direction and a signal line in the Y direction in an insulating layer (not shown) made of BCB resin on one side of the transparent substrate 79 having a thickness of 0.7 mm. Array substrates 81a1, 81a2, and 81b, which are not shown). The two array substrates 81a1 and 81a2 are disposed with a predetermined gap on the surface of the opposing substrate 73, and the array substrate 81b is disposed on the rear surface of the opposing substrate 73. The both ends of are arranged so as to face opposite ends of the array substrates 81a1 and 81a2 on the surface side with the opposing substrate 73 interposed therebetween. That is, the array substrate 81a1 and 81a2 on the front side and the array substrate 81b on the back side are the opposite ends of the array substrate 81a1 and 81a2 on the front side and the array substrate 81b on the back side when viewed from the front side. Are arranged adjacent to each other so as to overlap each other with the opposing substrate 73 therebetween.

다층 배선 영역(78a)은 상기 이면측의 어레이 기판(81b)을 사이에 두고 상기 대향 기판(73)의 반대측의 공통 전극(72) 면에 배치되어 있다. 상기 다층 배선 영역(78a), 50 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상의 BCB 수지로 이루어지는 제1, 제2절연층(74, 76), 상기 제1절연층(74) 상에 배치된 복수의 X방향 접속선(75), 상기 제2절연층(76) 상에 배치된 복수의 Y방향의 접속선(77)을 구비하고 있다. 50 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상인 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(83)는 상기 대향 기판(73)과 각 어레이 기판(81a1, 81a2, 81a3)의 간극에 각각 형성되어 있다. 상기 각 어레이 기판(81a1, 81a2, 81a3)에 형성된 복수의 Au 범프로 이루어지는 돌기 전극(82)과 상기 프레임 형상 시일 부(83)내에 위치하고 상기 다층 배선 영역(78a)이 제1, 제2접속선(75, 77)에 접속되어 있다. 스페이서(84)는 상기 대향 기판(73)과 각 어레이 기판(81a1, 81a2)의 간극에 각각 개재되어 있다. 액정(85)은 상기 프레임 형상 시일 부(83)로 둘러싸인 상기 대향 기판(73)과 어레이 기판(81a1, 81a2)의 공간내에 각각 봉입되어 있다.The multilayer wiring region 78a is disposed on the common electrode 72 surface on the opposite side of the opposing substrate 73 with the array substrate 81b on the back side interposed therebetween. A plurality of first and second insulating layers 74 and 76 formed of BCB resin having a transmittance of 80 nm or more at a wavelength of 50 nm to 800 nm, and a plurality of layers disposed on the first insulating layer 74 X-direction connecting line 75 and a plurality of Y-direction connecting lines 77 disposed on the second insulating layer 76 are provided. A frame-shaped seal portion 83 made of BCB resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 50 nm to 800 nm is formed in the gap between the opposing substrate 73 and each of the array substrates 81a1, 81a2, 81a3. Located in the protruding electrode 82 made of a plurality of Au bumps formed in each of the array substrates 81a1, 81a2, and 81a3 and the frame-shaped seal portion 83, the multi-layer wiring area 78a includes first and second connection lines. (75, 77). The spacer 84 is interposed in the gap between the opposing substrate 73 and each of the array substrates 81a1 and 81a2. The liquid crystal 85 is enclosed in the space between the opposing substrate 73 and the array substrates 81a1 and 81a2 surrounded by the frame-shaped seal portion 83, respectively.

또한, 상기 대향 기판(73)의 이면측에 상술한 표면측과 마찬가지로, 어레이 기판(81b)이 프레임 형상 시일 부(83)에 의해 고정되어 있다. 상기 각 어레이 기판(81b)에 형성된 복수의 Au 펌프로 이루어지는 돌기 전극(82)은 상기 프레임 형상 시일 부(83) 내에 위치하고, 상기 다층 배선 영역(78b)의 제1, 제2접속선(75, 77)에 접속되어 있다. 스페이서(84)는 상기 대향 기판(73)과 상기 어레이 기판(81b)의 간극에 각각 개재되어 있다. 액정(85)은 상기 프레임 형상 시일 부(83)로 둘러싸인 상기 대향 기판(73)과 상기 어레이 기판(81b)의 공간에 각각 봉입되어 있다.In addition, the array substrate 81b is fixed to the rear surface side of the opposing substrate 73 by the frame-shaped seal portion 83 in the same manner as the surface side described above. The protruding electrode 82 made up of a plurality of Au pumps formed on each of the array substrates 81b is located in the frame-shaped seal portion 83, and the first and second connection lines 75, 77). The spacer 84 is interposed in the gap between the opposing substrate 73 and the array substrate 81b, respectively. The liquid crystal 85 is enclosed in the space between the opposing substrate 73 and the array substrate 81b surrounded by the frame-shaped seal portion 83, respectively.

이와 같은 구성에 의하면, 표시면에서 보았을 때, 대향 기판(73)을 사이에 두고 서로 이웃한 어레이 기판(81a1, 81a2)과 어레이 기판(81b)은 그것의 단부가 서로 중복하도록 배치되어 있다. 표면측의 프레임 형상 시일 부(83)는 이면측의 어레이 기판(81)의 표시 영역에 의해 보충된다. 이면측의 프레임 형상 시일 부(83)는 표면측의 어레이 기판(81a1, 81a2)의 표시 영역에 의해 보충된다. 또한, 다층 배선 영역(78a, 78b)으로 구성하는 제1, 제2절연층(74, 74b), 각 어레이 기판(81a2, 81a2, 81b)의 절연층(도시하지 않음) 및 프레임 형상 시일 부(83)가 어느 것이라제도 500nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상인 투광성 수지(예를 들면, BCB 수지 : 투과율 95%이상)에 의해 형성되어 있다. 그 결과, 표시 영역내에 비표시 영역이 형성되지 않고, 표시 가능 영역을 복수의 어레이 기판을 배치한 영역에 대응한 대화면의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.According to such a configuration, when viewed from the display surface, the array substrates 81a1 and 81a2 and the array substrate 81b adjacent to each other with the opposing substrate 73 therebetween are arranged so that their ends overlap each other. The frame-shaped seal portion 83 on the front side is supplemented by the display area of the array substrate 81 on the back side. The frame-shaped seal portion 83 on the back side is supplemented by the display areas of the array substrates 81a1 and 81a2 on the front side. Moreover, the 1st, 2nd insulating layers 74 and 74b which consist of multilayer wiring area | region 78a, 78b, the insulating layer (not shown) of each array substrate 81a2, 81a2, 81b, and a frame-shaped seal part ( 83) is formed of a light-transmissive resin (e.g., BCB resin: transmittance of 95% or more) having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm. As a result, a non-display area is not formed in the display area, and a large-screen image display device corresponding to the area where the plurality of array substrates are arranged in the displayable area can be realized.

표면측의 어레이 기판(81a1, 81a2)의 X방향으로 연장하는 복수의 신호선(80)은 상기 대향 기판(73) 상의 다층 배선 영역(78a)의 X방향으로 연장하는 복수의 제1접속선(75)에 돌기 전극(82)을 통하여 접속되어 인출되고, Y방향으로 연장하는 복수의 신호선(80)은 상기 대향 기판(73) 상의 다층 배선 영역(78a)의 Y방향으로 연장하는 복수의 제2접속선(77)에 돌기 전극(82)을 통하여 접속되어 인출된다. 이면측의 어레이 기판(81b)의 X, Y방향으로 연장하는 복수의 신호선도 마찬가지로 다층 배선 영역(78b)의 제1, 제2접속선(75, 77)에 의해 각각 인출된다.The plurality of signal lines 80 extending in the X direction of the array substrates 81a1 and 81a2 on the surface side are provided with a plurality of first connection lines 75 extending in the X direction of the multilayer wiring region 78a on the opposing substrate 73. The plurality of signal lines 80 connected to the lead electrode 82 through the protruding electrode 82 and extending in the Y direction extend in the Y direction of the multilayer wiring region 78a on the opposing substrate 73. It is connected to the line 77 via the protruding electrode 82, and is taken out. Similarly, a plurality of signal lines extending in the X and Y directions of the array substrate 81b on the back side are also drawn out by the first and second connection lines 75 and 77 of the multilayer wiring region 78b, respectively.

따라서, 상기 대향 기판(73)의 양면에 배치된 제1절연층(74) 상의 X방향의 제1접속선(75) 및 상기 대향 기판(73) 상에 배치된 제2절연층(76) 상의 Y방향의 제2접속선(77)에 의해 단부에서 상기 표면측의 어레이 기판(81a1, 81a2) 및 이면측의 어레이 기판(81b)을 구동하는 것이 가능한 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Accordingly, the first connection line 75 in the X direction on the first insulating layer 74 disposed on both surfaces of the opposing substrate 73 and the second insulating layer 76 disposed on the opposing substrate 73. By the second connecting line 77 in the Y direction, an image display device capable of driving the array substrates 81a1 and 81a2 on the front side and the array substrate 81b on the back side at the end can be realized.

또한, 복수의 돌기 전극(82)을 프레임 형상 시일 부(83)내에 매입하는 것에 의해 대향 기판(73)과 각 어레이 기판(81a1, 81a2, 81b) 사이에 봉입하는 액정(85)의 봉입 면적을 확대하는 것이 가능하게 된다.In addition, by embedding the plurality of projection electrodes 82 into the frame-shaped seal portion 83, the encapsulation area of the liquid crystal 85 encapsulated between the opposing substrate 73 and each of the array substrates 81a1, 81a2, 81b. It becomes possible to enlarge.

제16도는 실시예 11의 구조를 갖는 어레이 기판 25장(표면측 13장, 이면측 12장)의 배치와 신호선의 인출을 모식적으로 도시한 것이다.FIG. 16 schematically shows the arrangement of 25 array substrates having the structure of Example 11 (13 on the front side and 12 on the back side) and the drawing of signal lines.

이와 같은 구성의 화상 표시 장치에 있어서, 표면측의 어레이 기판(81₁) 내지 (81₁₃)의 XY방향으로 연장하는 복수의 신호선을 어느 것이라도 실선이 화살표로 나타낸 도시하지 않은 대향 기판 상의 제1절연층 상의 X방향으로 연장하는 복수의 접속선과 점선의 화살표로 나타낸 대향 기판의 제2절연층 상의 Y방향으로 연장하는 복수의 접속선에 접속할 수 있다. 이 때문에, 상기 표면측의 어레이 기판(81₁) 내지 (81₁₃)이 주변, 내측 등의 어디에 위치하여도, 상기 X 방향 및 Y방향의 접속선을 통하여 단부로 인출되어 구동할 수 있다.In the image display device having such a configuration, any one of a plurality of signal lines extending in the XY direction of the array substrates 81 ₁ to 81 ₁₃ on the surface side is shown on the first substrate on the opposing substrate, not shown in which solid lines are indicated by arrows. A plurality of connecting lines extending in the X direction on the insulating layer and a plurality of connecting lines extending in the Y direction on the second insulating layer of the opposing substrate indicated by the dotted arrows can be connected. For this reason, even if the array substrates 81 ₁ to 81 ₁₃ on the surface side are positioned at the periphery, the inner side, or the like, the array substrates 81 ₁ to 81 ₁₃ can be pulled out and driven through the connection lines in the X and Y directions.

[실시예 12]Example 12

제17a도 내지 제17f도는 본 발명의 실시예 12에 있어서의 화상 표시 장치의 제작 공정을 도시한 개략 단면도, 제18도는 화상 표시 장치에 조립되는 신호 보정용 회로를 도시한 단면도, 제19도는 제18도의 평면도, 제20도는 제19도의 XX-XX선에 따른 단면도이다.17A to 17F are schematic sectional views showing the manufacturing process of the image display device in Example 12 of the present invention, FIG. 18 is a sectional view showing a signal correction circuit incorporated in the image display device, and FIG. The top view of FIG. 20 is sectional drawing along the XX-XX line of FIG.

(i) 먼저, 예를 들면, 글라스로 이루어지는 두께 0.7 mm의 투광성 기재(101)의 양면에 스퍼터링법으로 두께 300 nm의 ITO막을 성막하여 공통 전극(102)을 갖는 대향 기판(103)을 형성하였다. 이어서, 상기 대향 기판(103)의 한쪽 공통 전극(102) 상에 감광성 BCB 수지 전구체 용액을 롤코더에 의해 전면 도포하였다. 이 도막을 80℃에서 20분간 가경화한 마스크를 통하여 자외선을 조사하고 유기계 전용 현상액(다우케미컬사제 상품명 ; DS-2100)으로 불필요한 부분을 제거하여 소정의 수지 패턴을 형성하였다. 이 수지 패턴을 250℃에서 30분 베이크하는 것에 의해 두께 1 ㎛, 50 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 98%인 제1절연층(104)을 형성하였다. 이 절연층(104) 상에 스퍼터링법에 의해 Al막을 성막한 후, 이 Al막을 패터닝함으로써 상면 형상이 U자형인 게이트 전극(105)을 형성하였다. 상기 게이트 전극(105)을 포함하는 제1절연층에 스퍼터링법에 의해 SiO₂를 성막하고, 패터닝하는 것에 의해 상기 게이트 전극(105)을 포함하는 상기 제1절연층(104) 주위에 게이트 절연막(106)을 형성하였다. 상기 게이트 절연막(106)을 포함하는 상기 제1절연층(104) 상에 저온 CVD법에 의해 비정질 실리콘막을 성막하고, 패터닝하고 또 p 및 n 불순물을 이온 주입하는 것에 의해 상기 U자형 게이트 전극(105)의 분기된 2개소에 대응하는 상기 게이트 절연막(106) 상에 p형 활성층(107₁), n형 활성층(107₂)을 각각 형성하였다. 상기 게이트 전극(105)상의 상기 게이트 절연막(106)을 선택적으로 에칭 제거하여 콘택트 홀(108)을 뚫었다. 전면에 스퍼터링법에 의해 Al막을 성막한 후, 이 Al막을 패터닝하는 것에 의해 제17a도, 제18도 내지 제20도에 도시한 바와 같이 상기 콘택트 홀(108)을 통하여 상기 게이트 전극(105)에 접속되는 Y방향 입력 배선(109), 상기 활성층(107₁, 107₂)의 대향하는 단부에 각각 겹치도록 배치된 Y방향 인출 배선(110), 이 인출 배선(110)을 중심으로 하여 상기 활성층(107₁, 107₂)의 반대측 단부에 각각 겹치도록 배치된 전원선(111, 112)을 형성다. 또한, 상기 입력 배선(109)의 왼쪽 끝 및 상기 인출선(110)의 오른쪽 끝에는 후술하는 스루 홀과 접속되는 패드부가 각각 형성되어 있다. 이와 같은 상기 게이트 전극(105), 게이트 절연막(106), 활성층(107₁, 107₂) 및 전원선(111, 112)에 의해 신호 보정용 회로(113)가 구성된다. 또한, 상기 공정에 의해 상기 제1절연층(104) 상에 상기 입력 배선(109) 및 인출 배선(110)이 각각 복수 형성되고, 이들 입력 배선(109) 및 인출 배선(110)에 대응하여 상기 신호 보정용 회로(113)가 상기 절연층(104) 상에 복수 형성된다.(i) First, a 300 nm-thick ITO film was formed on both surfaces of a 0.7 mm-thick transparent substrate 101 made of glass by sputtering to form an opposing substrate 103 having a common electrode 102. . Subsequently, the photosensitive BCB resin precursor solution was apply | coated whole surface on one common electrode 102 of the said opposing board | substrate 103 by the roll coder. Ultraviolet was irradiated through the mask which temporarily hardened this coating film at 80 degreeC for 20 minute (s), and the unnecessary part was removed by the exclusive organic developer (trade name; DS-2100 by Dow Chemical company), and the predetermined resin pattern was formed. The resin pattern was baked at 250 ° C. for 30 minutes to form a first insulating layer 104 having a transmittance of 98% at a thickness of 1 μm and 50 nm at 800 nm. After the Al film was formed on the insulating layer 104 by the sputtering method, the Al film was patterned to form a gate electrode 105 having a U-shaped top surface. SiO ₂ is formed on the first insulating layer including the gate electrode 105 by sputtering and patterned to form a gate insulating film around the first insulating layer 104 including the gate electrode 105. 106). The U-shaped gate electrode 105 is formed by depositing, patterning, and implanting p and n impurities with an amorphous silicon film on the first insulating layer 104 including the gate insulating film 106 by low temperature CVD. P-type active layers 107 ₁ and n-type active layers 107 ₂ are formed on the gate insulating films 106 corresponding to two branched positions of the? The gate insulating layer 106 on the gate electrode 105 was selectively etched away to pierce the contact hole 108. After the Al film is formed on the entire surface by the sputtering method, the Al film is patterned to form the Al film on the gate electrode 105 through the contact hole 108 as shown in FIGS. 17A, 18, and 20. Y-direction input wiring 109 to be connected, Y-direction lead-out wiring 110 disposed to overlap each other at opposite ends of the active layers 107 ₁ and 107 ₂ , and the active layer (centered around the lead-out wiring 110). Power lines 111 and 112 are formed so as to overlap at opposite ends of 107 ₁ , 107 ₂ , respectively. At the left end of the input wiring 109 and the right end of the lead line 110, pad portions connected to through holes, which will be described later, are formed. The signal correction circuit 113 is configured by the gate electrode 105, the gate insulating film 106, the active layers 107 ₁ and 107 ₂ , and the power lines 111 and 112. In addition, a plurality of the input wirings 109 and the drawing wirings 110 are formed on the first insulating layer 104 by the above process, and the input wirings 109 and the drawing wirings 110 are respectively formed. A plurality of signal correction circuits 113 are formed on the insulating layer 104.

(ⅱ) 이어서, 제17b도에 도시한 바와 같이 상기 신호 보정용 회로(113)를 포함하는 상기 제1절연층(104) 상에 상기 제1절연층(104)과 마찬가지 방법에 의해 BCB 수지로 이루어지는 제2절연층(114)을 형성하였다. 또한, 상기 제2절연층(114) 상에 상술한 것과 마찬가지 방법에 의해 X방향 입력 배선(도시하지 않음), X방향 인출 배선(115), 및 신호 보정용 회로(도시하지 않음)를 형성하였다. 또한, 상기 제2절연층(114)에 상기 Y 방향 입력 배선(109) 및 상기 Y방향 인출 배선(110)의 패드부와 각각 접속되는 Al로 이루어지는 제1스루 홀(116)을 형성하였다.(Ii) Subsequently, as shown in FIG. 17B, a BCB resin is formed on the first insulating layer 104 including the signal correction circuit 113 by the same method as the first insulating layer 104. The second insulating layer 114 is formed. In addition, an X-direction input wiring (not shown), an X-direction lead-out wiring 115, and a signal correction circuit (not shown) were formed on the second insulating layer 114 in the same manner as described above. Further, a first through hole 116 made of Al is formed in the second insulating layer 114 to be connected to the pad portions of the Y-direction input wiring 109 and the Y-direction lead-out wiring 110, respectively.

이어서, 상기 신호 보정용 회로를 포함하는 상기 제2절연층(114) 상에 상기 제1절연층(104)과 마찬가지 방법에 의해 BCB 수지로 이루어지는 제3절연층(117)을 형성하였다. 상기 제3절연층(117)에 상기 스루 홀(116), 상기 X방향 입력 배선(도시하지 않음) 및 상기 X방향 인출 배선(115)의 패드부와 접속되는 Al로 이루어진 제2스루 홀(118)을 각각 형성하였다. 이와 같은 제1내지 제3절연층(104, 114, 117), Y방향 입력 배선(109), Y방향 인출 배선(110), 신호 보정용 회로(113), X방향 입력 배선(도시하지 않음), X방향 인출 배선(115), 신호 보정용 회로(도시하지 않음)를 갖는 다층 배선 영역(119a)이 제작된다. 이어서, 상기 다층 배선 영역(109a)의 상기 각 제2스루홀(118)의 노출부를 포함하는 상기 제3절연층(117) 상에 BCB 수지 전구체 용액을 디스펜서를 사용하여 도포하고, 80℃, 20분의 경화를 실시하는 것에 의해 제17c도에 도시한 바와 같이 폭 50 ㎛의 미경화의 프레임 형상 시일 부(120)를 각각 형성하였다. 또한, 상기 프레임 형상 시일 부(120)는 그 한 변이 상기 다층 배선 영역(109a)의 4개의 변에 각각 배치되어 형성된다. 즉, 하나의 상기 다층 배선 영역(119a)에 대하여 4개의 프레임 형상 시일 부(120)가 배치된다. 또한, 상기 미경화의 프레임 형상 시일 부(120)에는 후술하는 액정을 봉입하기 위한 개구부(도시하지 않음)가 형성되어 있다.Subsequently, a third insulating layer 117 made of BCB resin was formed on the second insulating layer 114 including the signal correction circuit by the same method as the first insulating layer 104. A second through hole 118 made of Al connected to the third insulating layer 117 and the pad portion of the through hole 116, the X direction input wiring (not shown), and the X direction drawing wiring 115. ) Were formed respectively. The first to third insulating layers 104, 114, and 117, the Y-direction input wiring 109, the Y-direction lead-out wiring 110, the signal correction circuit 113, the X-direction input wiring (not shown), The multilayer wiring region 119a having the X-direction lead-out wiring 115 and the signal correction circuit (not shown) is produced. Subsequently, a BCB resin precursor solution was applied onto the third insulating layer 117 including the exposed portions of the respective second through holes 118 in the multilayer wiring region 109a by using a dispenser. By curing the powder, as shown in FIG. 17C, an uncured frame-shaped seal portion 120 having a width of 50 µm was formed, respectively. In addition, one side of the frame-shaped seal portion 120 is formed on each of four sides of the multilayer wiring region 109a. That is, four frame-shaped seal parts 120 are disposed with respect to one of the multilayer wiring regions 119a. In addition, an opening (not shown) for encapsulating a liquid crystal, which will be described later, is formed in the uncured frame-shaped seal portion 120.

(ⅲ) 이어서, 상기 대향 기판(103)의 이면측에 상기 (ⅰ) 내지 (ⅱ)와 마찬가지 방법에 의해 도 17d에 도시한 바와 같이 다층 배선 영역(119b)를 제작한 후, 폭 50 ㎛의 미경화의 프레임 형상 시일 부(120)을 형성하였다.(Iii) Subsequently, a multilayer wiring region 119b is formed on the back side of the opposing substrate 103 by a method similar to the above (i) to (ii) as shown in Fig. 17D, and then 50 m in width. An uncured frame-shaped seal portion 120 was formed.

(ⅳ) 이어서 예를 들면 글라스로 이루어지는 두께 0.7 mm의 투광성 기재(121)의 한쪽면에 상술한 제1절연층(104)과 마찬가지 방법에 의해 BCB 수지로 이루어지는 절연층(도시하지 않음)을 형성한 후, 스퍼터링법으로 두께 300 nm의 ITO를 성막하였다. 이 ITO막 상에 롤코더에 의한 레지스트 도포, 사진 식각법에 의한 레지스트 패턴을 형성하였다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 한 상기 ITO막의 선택적 에칭을 수행하는 것에 의해 상기 투광성 기재(121)의 한쪽면의 절연층 상에 Y방향으로 연장하는 복수의 신호선(122), X방향으로 연장하는 복수의 신호선(도시하지 않음)을 형성하고, 또 반도체 소자로서의 폴리실리콘 게이트형 TFT(도시하지 않음)을 형성하여 미리 복수매의 어레이 기판(123a1, 123a2, 123b)을 각각 제작하였다. 이어서, 도 17e에 도시한 바와 같이 상기 각 어레이 기판(123a1, 123a2, 123b)의 각 X방향, Y방향의 신호선의 단부에 직경 약 4 마이크로미터의 Au 볼로 이루어지는 복수의 돌기 전극(124)을 각각 형성하였다.(Iv) Next, an insulating layer (not shown) made of BCB resin is formed on one surface of the transparent substrate 121 having a thickness of 0.7 mm, for example, by glass, in the same manner as the first insulating layer 104 described above. Thereafter, ITO was formed to have a thickness of 300 nm by sputtering. On this ITO film, a resist coating by a roll coder and a photoresist resist pattern were formed. By selectively etching the ITO film using this resist pattern as a mask, a plurality of signal lines 122 extending in the Y direction on the insulating layer on one side of the translucent substrate 121 and a plurality of signals extending in the X direction A signal line (not shown) was formed, and a polysilicon gate type TFT (not shown) as a semiconductor element was formed to produce a plurality of array substrates 123a1, 123a2, and 123b in advance. Subsequently, as shown in FIG. 17E, a plurality of projection electrodes 124 each formed of Au balls having a diameter of about 4 micrometers are formed at ends of the signal lines in the X and Y directions of the array substrates 123a1, 123a2, and 123b, respectively. Formed.

(ⅴ) 이어서, 상기 대향 기판(103) 상에 평균 입자 지름 5 ㎛의 수지 비즈로 이루어지는 스페이서(125)를 산포하였다. 상기 대향 기판(103)의 표면측에 어레이 기판(123a1, 123a2)을 그들의 돌기 전극(124)이 상기 다층 배선 영역(119a)의 미경화의 프레임 형상 시일 부(120)에 대향하도록 정렬시킨 후, 상기 대향 기판(103)에 어레이 기판(123a1, 123a2)을 압착하였다. 이때, 어레이 기판(123a1, 123a2)의 돌기 전극(124)은 미경화로 유연성을 갖는 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(120)내에 구속되고, 상기 다층 배선 영역(119a)의 제2스루홀(118)과 접촉하여 전기적인 접속이 이루어진다. 이어서, 250℃, 1시간, 또 350℃, 30분의 베이크를 수행함으로써 상기 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(120)를 경화시켜 상기 어레이 기판(123a1, 123a2)을 상기 대향 기판(103) 상의 다층 배선 영역(119a)에 기계적으로 고착하였다. 동시에, Au볼로 이루어지는 돌기 전극(124)과 상기 다층 배선 영역(119)의 Al로 이루어지는 상기 각 제2스루홀(118)이 고상 확산 반응이 진행하고, 전기적으로도 신뢰성이 높은 양호한 접속이 확보되었다. 베이크후의 상기 프레임 형상 시일 부(120)는 50 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 95%이었다. 이어서, 프레임 형상 시일 부(120)에 미리 마련한 개구부(도시하지 않음)에서 액정(126)을 주입하고, 상기 개구부에 BCB 수지 전구체를 충진한 후, 250℃에서 1시간 베이크하여 경화시켰다. 베이크후의 BCB 수지 충진물은 50 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 95%이었다. 상기 대향 기판(103)의 이면에도 상술한 것과 마찬가지 방법에 의해 어레이 기판(81b)을 고정하였다. 이와 같은 공정에 의해, 제17f도에 도시한 화상 표시 장치를 제작하였다.(Iii) Next, the spacer 125 which consists of resin beads with an average particle diameter of 5 micrometers was spread | dispersed on the said opposing board | substrate 103. FIG. After arranging the array substrates 123a1 and 123a2 on the surface side of the opposing substrate 103 such that the projecting electrodes 124 face the uncured frame-shaped seal portion 120 of the multilayer wiring region 119a, The array substrates 123a1 and 123a2 are pressed onto the counter substrate 103. At this time, the protruding electrodes 124 of the array substrates 123a1 and 123a2 are constrained in the frame-shaped seal portion 120 made of BCB resin having uncured flexibility, and the second through hole 118 of the multilayer wiring region 119a is formed. Electrical contact is established. Subsequently, baking of 250 ° C., 1 hour, 350 ° C., and 30 minutes is performed to cure the frame-shaped seal part 120 made of the BCB resin to align the array substrates 123a1 and 123a2 on the counter substrate 103. Mechanically fixed to the multilayer wiring region 119a. At the same time, the solid-state diffusion reaction of the protruding electrode 124 made of Au balls and each of the second through holes 118 made of Al in the multilayer wiring region 119 proceeded, and a satisfactory connection with high reliability was secured. . The frame shaped seal portion 120 after baking had a transmittance of 95% at a wavelength of 50 nm to 800 nm. Subsequently, the liquid crystal 126 was injected into an opening (not shown) previously provided in the frame-shaped seal part 120, and after filling a BCB resin precursor in the said opening, it baked at 250 degreeC for 1 hour, and hardened | cured. The BCB resin fill after baking had a transmittance of 95% at a wavelength of 50 nm to 800 nm. The array substrate 81b was also fixed to the back surface of the counter substrate 103 in the same manner as described above. By such a process, the image display apparatus shown in FIG. 17F was produced.

본 실시예 11의 화상 표시 장치는 제17f도에 도시한 바와 같이 0.7 mm의 투광성 기재(101)의 양면에 두께 300 nm의 ITO 공통 전극(102)이 형성된 대향 기판(103)과 두께 0.7 mm의 투광성 기재(121)의 한쪽면의 BCB 수지로 이루어지는 절연층(도시하지 않음)에 폴리실리콘 게이트형 TFT(도시하지 않음) 및 Y방향의 신호선(122) 및 X방향의 신호선(도시하지 않음)이 형성된 어레이 기판(123a1, 123a2, 123b)을 구비한다. 상기 2개의 어레이 기판(123a1, 123a2)은 상기 대향 기판(103)의 표면에 소정의 간극을 두고 배치되고 또 상기 어레이 기판(1236)은 상기 대향기판(103)의 이면에 상기 어레이 기판(123b)의 양단부가 상기 대향 기판(103)을 사이에 두고 상기 표면측의 각 어레이 기판(123a1, 123a2)의 대향하는 단부와 마주보도록 배치되어 있다. 즉, 표면측의 어레이 기판(123a1, 123a2)과 이면측의 어레이 기판(123b)은 표시면에서 보았을 때, 표면층의 어레이 기판(123a1, 123a2)의 대향하는 단부와 이면측의 어레이 기판(123b)의 양단부가 상기 대향 기판(103)을 사이에 두고 겹치도록 인접하여 배치되어 있다.In the image display device of the eleventh embodiment, as shown in FIG. 17F, the counter substrate 103 having the ITO common electrode 102 having a thickness of 300 nm is formed on both surfaces of the 0.7 mm translucent substrate 101 and the thickness of 0.7 mm. A polysilicon gate type TFT (not shown), a signal line 122 in the Y direction and a signal line (not shown) in the X direction are formed in an insulating layer (not shown) made of BCB resin on one side of the translucent substrate 121. The formed array substrates 123a1, 123a2, and 123b are provided. The two array substrates 123a1 and 123a2 are disposed with a predetermined gap on the surface of the opposing substrate 103, and the array substrate 1236 is disposed on the rear surface of the opposing substrate 103. The both ends of are arranged so as to face opposite ends of the array substrates 123a1 and 123a2 on the surface side with the opposing substrate 103 interposed therebetween. That is, the array substrates 123a1 and 123a2 on the front side and the array substrate 123b on the back side are viewed from the display surface so that the opposite ends of the array substrates 123a1 and 123a2 on the surface layer and the array substrate 123b on the back side are viewed. The both ends of are arranged adjacently so that the opposing board | substrate 103 may overlap with each other.

다층 배선 영역(119a)은 상기 이면측의 어레이 기판(123b)을 사이에 두고 상기 대향 기판(103)의 분석측의 공통 전극(102)면에 배치되어 있다. 상기 다층 배선 영역(119a)은 50 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상인 BCB 수지로 이루어지는 제1내지 제3절연층(104, 114, 117)과 상기 제1절연층(104) 상에 형성된 Y방향 입력 배선(119), Y방향 인출 배선(110) 및 신호 보정용 회로(113)와 상기 제2절연층(114) 상에 형성된 X방향의 입력 배선(도시하지 않음), X방향 인출 배선(115), 신호 보정용 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다.The multilayer wiring region 119a is disposed on the common electrode 102 surface on the analysis side of the opposing substrate 103 with the array substrate 123b on the rear surface side therebetween. The multilayer wiring region 119a is formed on the first to third insulating layers 104, 114, 117 and the first insulating layer 104 made of BCB resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 50 nm to 800 nm. Y-direction input wiring 119, Y-direction drawing wiring 110, signal correction circuit 113, and X-direction input wiring (not shown) formed on the second insulating layer 114, X-direction drawing wiring ( 115) and a signal correction circuit (not shown).

상기 제1절연층(104)에 형성된 신호 보정용 회로(113)는 상술한 도 18 내지 제20도에 도시한 바와 같이 상기 제1절연층(104) 상에 형성되고, 상기 입력용 배선(109)이 콘택트 홀(108)을 통하여 접속되는 U자형 게이트 전극(105)과 상기 U자형 게이트 전극(105)이 부각된 2개소에 게이트 절연막(106)을 거쳐 배치되고, Y방향 인출 배선(110)이 대향하는 단부에 각각 겹치도록 배치된 p형 활성층(107₁, 107₂)의 반대측 단부에 각각 겹치도록 배치된 전원(111, 112)으로 구성되어 있다. 상기 신호 보정용 회로(113)에 있어서, p형 활성층(107₁)에 겹치는 전원(111)에 플러스 전압, 상기 n형 활성층(107₂)에 겹치는 전원(112)에 마이너스 전압을 인가한 상태에서 상기 입력 배선(109)에서 소정의 전압이 상기 콘택트 홀(108)을 통하여 상기 게이트 전극(105)에 인가되면, 2개의 상기 활성층(107₁, 107₂)에 걸쳐 배치된 상기 인출 배선(110)에서 증폭된 전압이 출력된다. 이와 같은 신호 보정용 회로(113)의 등가 회로를 제21도에 도시한다. 또한, 상기 제2절연층(114)에 형성된 신호 보정용 회로(도시하지 않음)도 상술한 제18도 내지 제20도과 마찬가지 구성을 갖는다.The signal correction circuit 113 formed on the first insulating layer 104 is formed on the first insulating layer 104 as shown in FIG. 18 to FIG. 20 and the input wiring 109. The U-shaped gate electrode 105 and the U-shaped gate electrode 105 connected through the contact hole 108 are disposed through the gate insulating film 106 at two positions, and the Y-direction lead-out wiring 110 is provided. It consists of the power supply 111,112 arrange | positioned so that it may overlap in the opposite end part of the p-type active layers 107 ₁ and 107 ₂ respectively arrange | positioned so that it may overlap with the opposite end. In the signal correction circuit 113, a positive voltage is applied to the power supply 111 overlapping the p-type active layer 107 ₁ and a negative voltage is applied to the power supply 112 overlapping the n-type active layer 107 ₂ . When a predetermined voltage is applied to the gate electrode 105 through the contact hole 108 in the input wiring 109, in the lead-out wiring 110 disposed over the _two active layers 107 ₁ and 107 ₂ . The amplified voltage is output. The equivalent circuit of the signal correction circuit 113 is shown in FIG. The signal correction circuit (not shown) formed on the second insulating layer 114 also has the same configuration as that of FIGS. 18 to 20 described above.

50 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80%이상인 BCB 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부(120)는 상기 다층 배선 영역(119a)과 각 어레이 기판(123a1, 123a2)의 간극에 각각 배치되어 있다. 상기 각 어레이 기판(123a1, 123a2)에 형성된 복수의 Au 볼로 이루어지는 돌기 전극(124)은 상기 프레임 형상 시일 부(120)내에 위치하고, 상기 다층 배선 영역(119a)의 제2스루홀(118)에 접속되어 있다. 상기 어레이 기판(123a1)에 근접하고, X방향으로 배열되는 상기 제2스루 홀(118)은 상기 제1스루 홀(116)을 통하여 상기 Y방향 입력 배선(109)에 접속되어 있다. 상기 어레이 기판(123a2)에 근접하고 X방향으로 배열되는 상기 제2스루홀(118)은 상기 제1스루홀(116)을 통하여 상기 Y방향 인출 배선(110)에 접속되어 있다. 제17f도의 지면 바롸 아니에 배치되는 어레이 기판(도시하지 않음)에 근접하고, Y방향으로 배열되는 상기 제2스루 홀(도시하지 않음)은 상기 제2절연층(114) 상의 X방향 입력 배선(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 제17f도의 지면 깊은 곳에 배치되는 어레이 기판(도시하지 않음)에 근접하고, Y방향으로 배열되는 상기 제2스루 홀(도시하지 않음)은 상기 제2절연층(114) 상의 X방향 인출 배선(115)에 접속되어 있다.The frame-shaped seal portion 120 made of BCB resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 50 nm to 800 nm is disposed in the gap between the multilayer wiring region 119a and the array substrates 123a1 and 123a2, respectively. The protruding electrode 124 made of a plurality of Au balls formed on each of the array substrates 123a1 and 123a2 is positioned in the frame-shaped seal part 120 and connected to the second through hole 118 of the multilayer wiring region 119a. It is. The second through hole 118 adjacent to the array substrate 123a1 and arranged in the X direction is connected to the Y-direction input wiring 109 through the first through hole 116. The second through hole 118, which is adjacent to the array substrate 123a2 and arranged in the X direction, is connected to the Y-direction lead-out wiring 110 through the first through hole 116. The second through hole (not shown) close to the array substrate (not shown) disposed on the surface of FIG. 17F and arranged in the Y direction is connected to the X-direction input wiring (not shown) on the second insulating layer 114. Not shown). The second through hole (not shown) adjacent to the array substrate (not shown) disposed deep in the ground of FIG. 17f and arranged in the Y direction is the X-direction lead-out wiring 115 on the second insulating layer 114. )

스페이서(125)는 상기 대향 기판(103)과 각 어레이 기판(123a1, 123a2)의 간극에 각각 개재되어 있다. 액정(126)은 상기 프레임 형상 시일 부(120)로 둘러싸인 상기 대향 기판(103)과 어레이 기판(123a1, 123a2)의 공간내에 각각 봉입되어 있다.The spacer 125 is interposed in the gap between the opposing substrate 103 and each of the array substrates 123a1 and 123a2. The liquid crystal 126 is enclosed in a space between the opposing substrate 103 and the array substrates 123a1 and 123a2 surrounded by the frame-shaped seal part 120, respectively.

또한, 상기 대향 기판(103)의 이면측에는 상술한 표면측과 마찬가지로 어레이 기판(123b)이 프레임 형상 시일 부(120)에 의해 고정되어 있다. 상기 어레이 기판(123b)에 형성된 복수의 Au 볼로 이루어지는 돌기 전극(124)은 상기 프레임 형상 시일 부(120)내에 위치하고, 상기 다층 배선 영역(119b)의 제2스루 홀(118)에 각각 접속되어 있다. 스페이서(125)는 상기 대향 기판(103)과 상기 어레이 기판(123b)의 간극에 개재되어 있다. 액정(126)은 상기 프레임 형상 시일 부(120)로 둘러싸인 상기 대향 기판(103)과 상기 어레이 기판(123b)의 공간내에 봉입되어 있다.In addition, the array substrate 123b is fixed to the rear surface side of the opposing substrate 103 by the frame-shaped seal portion 120 in the same manner as the surface side described above. The protruding electrodes 124 made of a plurality of Au balls formed on the array substrate 123b are located in the frame-shaped seal portion 120 and are connected to the second through holes 118 of the multilayer wiring region 119b, respectively. . The spacer 125 is interposed in the gap between the opposing substrate 103 and the array substrate 123b. The liquid crystal 126 is enclosed in the space between the opposing substrate 103 and the array substrate 123b surrounded by the frame-shaped seal portion 120.

이와 같은 구성에 의하면, 표시면에서 보았을 때, 대향 기판(103)을 사이에 두고 서로 인접한 어레이 기판(123a1, 123a2)과 어레이 기판(123b)은 그들의 단부가 서로 중복하도록 배치되어 있다. 표면측의 프레임 형상 시일 부(120)는 이면측의 어레이 기판(123b)의 표시 영역에 의해 보충되고, 이면측의 프레임 형상 시일 부(120)는 표면측의 어레이 기판(123a1, 123a2)의 표시 영역에 의해 보충된다. 또한, 다층 배선 영역(119a, 119b)을 구성하는 제1내지 제3절연층(104, 114, 117), 각 어레이 기판(123a1, 123a2, 123b)의 절연층(도시하지 않음) 및 프레임 형상 시일 부(120)는 모두 50 nm에서 800 nm 파장의 투과율이 80% 이상의 투광성 수지(예를 들면, BCB 수지 ; 투과율 95%이상)에 의해 형성되어 있다. 그 결과, 표시 영역내에 비표시 영역이 형성되지 않고, 표시 가능 영역을 복수의 어레이 기판을 배치한 영역에 대응한 대화면의 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.According to such a structure, when viewed from the display surface, the array substrates 123a1 and 123a2 and the array substrate 123b which are adjacent to each other with the opposing substrate 103 therebetween are arranged so that their ends overlap each other. The frame-shaped seal portion 120 on the front side is supplemented by the display area of the array substrate 123b on the back side, and the frame-shaped seal portion 120 on the back side is displayed on the array substrates 123a1 and 123a2 on the front side. Is supplemented by areas. Further, the first to third insulating layers 104, 114, and 117 constituting the multilayer wiring regions 119a and 119b, the insulating layers (not shown), and the frame-shaped seals of the array substrates 123a1, 123a2 and 123b. All of the portions 120 are formed of a light-transmissive resin (for example, BCB resin; transmittance of 95% or more) having a transmittance of 50 nm to 800 nm in wavelength. As a result, a non-display area is not formed in the display area, and a large-screen image display device corresponding to the area where the plurality of array substrates are arranged in the displayable area can be realized.

또한, 표면측의 어레이 기판(123a1, 123a2)의 Y방향으로 연장하는 복수의 신호선(122)은 상기 돌기 전극(124) 및 상기 다층 배선 영역(119a)의 제2, 제1스루 홀(118, 116)을 통하여 접속된 복수의 Y방향 입력 배선(109), 신호 보정 회로(113) 및 Y방향 인출 배선(110)에 의해 인출된다. 또한, 상기 각 어레이 기판(123a1, 123a2)의 X 방향으로 연장하는 복수의 신호선(도시하지 않음)은 상기 돌기 전극(124) 및 상기 다층 배선 영역(119a)의 상기 제2스루 홀(118)을 통하여 접속되는 복수의 X방향 입력 배선(도시하지 않음), 신호 보정 회로(도시하지 않음) 및 X방향 인출 배선(115)에 의해 인출된다. 이면측의 어레이 기판(123b)의 X, Y방향으로 연장하는 복수의 신호선도 마찬가지로 다층 배선 영역(119b)의 각 배선에 의해 각각 인출된다.In addition, the plurality of signal lines 122 extending in the Y direction of the array substrates 123a1 and 123a2 on the surface side may include the second and first through holes 118 of the protrusion electrode 124 and the multilayer wiring region 119a. The plurality of Y-direction input wirings 109, the signal correction circuit 113, and the Y-direction drawing wirings 110 connected through the 116 are led out. In addition, a plurality of signal lines (not shown) extending in the X direction of each of the array substrates 123a1 and 123a2 may pass through the second electrode 118 of the protruding electrode 124 and the multilayer wiring region 119a. A plurality of X-direction input wirings (not shown), signal correction circuits (not shown), and X-direction lead-out wirings 115 connected through the same are drawn out. Similarly, a plurality of signal lines extending in the X and Y directions of the array substrate 123b on the back side are also drawn out by the respective wirings of the multilayer wiring region 119b.

제22도에 16장(표면측 8장, 이면측 8장)의 어레이 기판의 신호선(Y방향만)의 인출을 모식적으로 도시한다. 즉, 대향 기판의 표면측에 배치되는 복수의 어레이 기판(123₁, 123₃, 123₆, 123₈, 123₉, 123₁₁, 123₁₄,123₁₆) 및 이면측에 배치되는 복수의 어레이 기판(123₂, 123₄, 123₅, 123₇, 123₁₀, 123₁₂,123₁₃, 123₁₅)의 주변에는 Y방향 드라이버 회로(127) 및 X 방향 드라이버 회로(128)가 배치되어 있다. 예를 들면, Y방향 드라이버 회로(127)에서의 신호선(122)은 어레이 기판에 접속되고, 또한 이 어레이 기판의 신호선은 대향 기판 상의 다층 배선 영역을 경유하여 다른 어레이 기판에 접속된다. 이와 같은 구성에 있어서, 예를 들면 어레이 기판(123₃)의 신호선(122)은 다층 배선 영역의 입력 배선(109) 및 신호 보정용 회로(113)를 통하여 인출 배선(110)에 접속된다. 이 때문에, 상기 Y방향 드라이버 회로(127)의 드라이버 신호는 신호선(122)에서 상기 신호 보정용 회로(113)에서 증폭되어 인출 배선(110)을 전달시킬 수 있다. 그 결과, 복수의 어레이 기판(123₁) 내지 (123₁₆)을 대향 기판에 배치하는 것에 의해 인출 배선이 길게 되어도 소정의 파형을 갖는 신호에 의해 각 어레이 기판을 구동하는 것이 가능한 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.Fig. 22 schematically shows the drawing of the signal lines (only in the Y direction) of the array substrate of 16 sheets (eight on the front side and eight on the back side). That is, the plurality of array substrates 123 ₁ , 123 ₃ , 123 ₆ , 123 ₈ , 123 ₉ , 123 ₁₁ , 123 ₁₄ , 123 ₁₆ disposed on the front side of the opposing substrate and the plurality of array substrates disposed on the back side ( 123 ₂ , 123 ₄ , 123 ₅ , 123 ₇ , 123 ₁₀ , 123 ₁₂ , 123 ₁₃ , and 123 _{15 are} disposed around the Y-direction driver circuit 127 and the X-direction driver circuit 128. For example, the signal line 122 in the Y-direction driver circuit 127 is connected to the array substrate, and the signal line of the array substrate is connected to another array substrate via the multilayer wiring region on the opposing substrate. In this configuration, for example, the signal line 122 of the array substrate (123 ₃₎ is connected to the lead wirings 110 via the input wiring 109 and the signal correction circuit 113 of the multi-layer wiring region. For this reason, the driver signal of the Y-direction driver circuit 127 may be amplified by the signal correction circuit 113 in the signal line 122 to transfer the lead-out wiring 110. As a result, by arranging the plurality of array substrates 123 ₁ to 123 ₁₆ on the opposing substrate, an image display device capable of driving each array substrate by a signal having a predetermined waveform even if the lead wire is long is realized. Can be.

또한, 복수의 돌기 전극(124)을 프레임 형상 시일 부(120)내에 매입함으로써 대향 기판(103)과 각 어레이 기판(123a1, 123a2, 123b) 사이에 봉입되는 액정(126)의 봉입 면적을 확대하는 것이 가능하게 된다.Further, by embedding the plurality of protrusion electrodes 124 into the frame-shaped seal portion 120, the encapsulation area of the liquid crystal 126 encapsulated between the opposing substrate 103 and the array substrates 123a1, 123a2, and 123b is enlarged. It becomes possible.

또한, 상술한 실시예 7 내지 실시예 12에서는 어레이 기판 상의 신호선과 대향 기판 상의 신호선의 전기적 접속을 투광성을 갖는 이방성 도전 수지로 이루어지는 프레임 형상 시일 부나 돌기 전극에 의해 수행하였지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 폴리에스테르 필름에 예를 들면 두께 300 nm의 사각형 책모양의 ITO 전극을 형성한 투광성을 갖는 프렉 배선판을 사용하여 어레이 기판 상의 신호선과 대향 기판 상의 신호선의 전기적 접속을 수행하여도 좋다.Incidentally, in Examples 7 to 12 described above, the electrical connection between the signal lines on the array substrate and the signal lines on the opposing substrate was performed by a frame-shaped seal portion or a projection electrode made of an anisotropic conductive resin having light transmissivity, but the present invention is not limited thereto. . For example, the electrical connection of the signal line on an array board | substrate and the signal line on an opposing board | substrate may be performed using the light-transmitting flex wiring board which formed the square film ITO electrode of 300 nm thickness, for example in a polyester film.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 복수매의 어레이 기판을 대향 전극의 표면에 배치함과 동시에 비표시 영역을 없앤 또는 최소화한 대화면의 화상 표시 장치를 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to provide a large-screen image display apparatus in which a plurality of array substrates are disposed on the surface of the counter electrode and the non-display area is eliminated or minimized.

또한, 본 발명에 의하면, 복수매의 어레이 기판을 대향 전극의 양면에 배치함과 동시에 비표시 영역을 없앤 또는 최소로 하고, 또 평면적으로 봐서 내측에 위치하는 어레이 기판의 신호선을 외부로 용이하게 인출하는 것이 가능한 대화면의 화상 표시 장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention, a plurality of array substrates are arranged on both sides of the counter electrode, the non-display area is eliminated or minimized, and the signal lines of the array substrate positioned inside the plane are easily drawn out to the outside. The large screen image display apparatus which can be provided can be provided.

또한, 본 발명에 의하면, 비표시 영역이 표시면에 존재하는 것을 없앤 또는 최소로 하여 대화면화를 달성하고, 평면적으로 봐서 내측에 위치하는 어레이 기판의 신호선을 외부로 용이하게 인출하는 것이 가능하고 또한 신호선의 인출 배선의 전압을 보정, 예를 들면 증폭하여 양호한 화질을 갖는 화상표시장치를 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to achieve a large screen by eliminating or minimizing the non-display area existing on the display surface, and to easily pull out the signal lines of the array substrate located inside the plane in plan view. The image display device having a good image quality can be provided by correcting, for example, amplifying the voltage of the lead-out wiring of the signal line.

Claims

Opposing substrates each having a common electrode made of a transparent conductive material on both sides of the transparent substrate; An array substrate on which a semiconductor element and a signal line are formed on a light-transmissive substrate, wherein the plurality of array substrates are arranged such that display regions at each end of the array substrate face each other on both sides of the opposite substrate with the opposite substrate therebetween; A frame-shaped seal part made of a light-transmissive resin interposed between the opposing substrates and the respective array substrates; And a liquid crystal encapsulated in a space between the opposing substrate and the respective array substrates, each of which is surrounded by the frame-shaped seal portion, wherein a portion of the array substrate is three-dimensionally overlapped by a portion of another adjacent array substrate, And the display of another array substrate adjacent to the display of the array substrate is continuously displayed.

The image display device according to claim 1, wherein the frame-shaped seal portion is made of a resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 50 nm to 800 nm.

Opposite substrates in which a common electrode made of a transparent conductive material are formed on both surfaces of the light-transmitting substrate; An array substrate on which a semiconductor element and a signal line are formed on a light transmissive substrate, wherein the plurality of array substrates are arranged such that display regions at each end of the array substrate face each other on both sides of the opposing substrate with the opposing substrate therebetween; A plurality of connection lines for extracting the signal lines of the array substrate formed on the opposite substrate surface on the opposite side with the array substrate therebetween; A frame-shaped seal part made of a resin having light transmissivity interposed in the gap between the opposing substrate and each of the array substrates; And a liquid crystal encapsulated in a space between the opposing substrate and the respective array substrates, each of which is surrounded by the frame-shaped seal portion, wherein a part of the array substrate is configured to overlap three-dimensionally in a portion of another adjacent array substrate. Image display device.

The image display device according to claim 3, wherein the connection line is formed on the transparent base material of the opposing substrate.

The image display device according to claim 3, wherein the connection line is at least one wiring layer arranged on the counter substrate with an insulating layer interposed therebetween.

The image display apparatus according to claim 5, wherein the insulating layer is made of a resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm.

The image display device according to claim 3, wherein the frame-shaped seal portion is made of a resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm.

The frame-shaped seal portion is made of an anisotropic conductive resin having a light transmitting property, and the connection line on the opposing substrate and the signal line of each array substrate are electrically connected by the frame-shaped seal portion. Image display device.

The image display according to claim 3, wherein the connection line on the opposing substrate and the signal line of each array substrate are connected by a plurality of conductive particles arranged at the periphery of the gap between the opposing substrate and the respective array substrates. Device.

The image display device according to claim 9, wherein each of the conductive particles is disposed in the frame-shaped seal portion.

4. An image according to claim 3, wherein the connection line on the opposing substrate and the signal line of each array substrate are connected by a plurality of conductive protrusion pieces disposed at the periphery of the gap between the opposing substrate and the respective array substrates. Display device.

12. The image display device according to claim 11, wherein each of the conductive protrusion pieces is disposed in the frame-shaped seal portion.

Opposing substrates each having a common electrode made of a transparent conductive material on both sides of the light-transmitting substrate; An array substrate having semiconductor elements and signal lines formed thereon on a light transmissive substrate, the plurality of array substrates being arranged such that display regions at each end of the array substrate face each other on both sides of the opposite substrate with the opposite substrate therebetween; At least one connection line for drawing out a signal line of the array substrate arranged with an insulating layer interposed therebetween with the array substrate interposed therebetween; A signal correction circuit interposed in the connecting line portion near the array substrate; A frame-shaped seal portion made of a translucent resin interposed between the opposing substrates and the respective array substrates, and a liquid crystal encapsulated in a space between the opposing substrate and the array substrates surrounded by the frame-shaped seal portions, respectively; And a portion of the array substrate is configured to three-dimensionally overlap in a portion of another adjacent array substrate.

The image display apparatus according to claim 13, wherein the insulating layer is made of a resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm.

The image display device according to claim 13, wherein the frame-shaped seal portion is made of a resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm.

The method of claim 13, wherein the frame-shaped seal portion is made of an anisotropic conductive resin having a light transmitting property, and the connection line on the opposing substrate and the signal line of each array substrate are electrically connected by the frame-shaped seal portion. Image display device.

The image display according to claim 13, wherein the connection line on the opposing substrate and the signal line of each array substrate are connected by a plurality of conductive particles arranged at the periphery of the gap between the opposing substrate and the respective array substrates. Device.

An image according to claim 13, wherein the connection line on the opposing substrate and the signal line of each array substrate are connected by a plurality of conductive protrusion pieces disposed at the periphery of the gap between the opposing substrate and the respective array substrates. Display device.

The image display device according to claim 13, wherein the signal correction circuit has an amplifying function having a pair of transistors having an input of the signal line connected to a gate thereof and an output terminal of the signal line connected to a source or a drain thereof.