KR100248796B1 - Method for manufacturing gate oxidation film of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨리퍼를 O2및 TCA[trichloroethane; C2H3Cl3COOH]를 사용하여 산화하는 초기산화 단계, H2, O2및 TCA를 사용하여 산화하는 주산화 단계, O2를 사용하여 H2의 잔류를 방지하는 O2퍼지(purge) 단계로 이루어지는 산화단계로 이루어지는 산화단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법에 관한 것으로, 게이트 산화막의 질을 향상시켜 반도체 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키며, 공정시간이 단축되어 소자의 생산성을 향상 시키는 효과가 있다.The present invention relates to a hopper O 2 and TCA [trichloroethane; C 2 H 3 Cl 3 COOH], the initial oxidation step oxidizing with H 2 , O 2 and TCA, the main oxidation step oxidizing with O 2 , and the O 2 purge to prevent residual H 2 with O 2. A method of forming a gate oxide film of a semiconductor device comprising an oxidation step comprising an oxidation step comprising a step of improving the quality and quality of the gate oxide film, thereby improving reliability and yield of the semiconductor device, and shortening processing time. This has the effect of improving the productivity of the device.
Description
제1도는 종래기술에 따른 게이트 산화막 형성방법을 나타내는 공정도.1 is a process chart showing a method of forming a gate oxide film according to the prior art.
제2도는 본 발명에 따른 게이트 산화막 형성방법을 나타내는 공정도.2 is a process chart showing a method of forming a gate oxide film according to the present invention.
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for forming a gate oxide film of a semiconductor device.
종래기술에 따른 게이트 산화막 형성 방법을 나타내는 제1도를 참조하여 종래기술을 살펴보면 다음과 같다.The prior art will now be described with reference to FIG. 1, which shows a gate oxide film formation method according to the prior art.
도면에 도시된 바와 같이 먼저, 650℃의 온도를 갖는 공정 튜브에 웨이퍼를 로딩(loading) 시킨후, 공정튜브의 온도를 800℃로 상승시켜 게이트 산화막을 형성하는 산화단계에 들어 가는데, 초기 산화 단계에서는 N2및 O2가스를 이용하여 10분간 온도 안정화를 시킨후 O2가스를 이용하여 5분간 예비산화 시킨다. 이어서 초기산화시와 같은 온도인 800℃온도에서 H2, O2및 TCA[trichloroet hane; C2H3Cl3COOH]가스를 사용하여 산화 시키는 주(main)산화 단계를 거친후, O2가스를 이용 후산화를 5분간 실시한다. 이후 900℃온도에서 어닐링(annealing)을 실시하게 된다.As shown in the figure, first, the wafer is loaded into a process tube having a temperature of 650 ° C., and then the oxidation of the gate tube is performed by raising the temperature of the process tube to 800 ° C., an initial oxidation step. In 10 minutes temperature stabilization using N 2 and O 2 gas and then pre-oxidation for 5 minutes using O 2 gas. Subsequently, H 2 , O 2 and TCA [trichloroet hane; After the main oxidation step of oxidizing with C 2 H 3 Cl 3 COOH] gas, the post-oxidation is carried out using O 2 gas for 5 minutes. After the annealing (annealing) at 900 ℃ temperature.
그러나 상기 설명과 같은 종래기술에서는 온도 안정화 및 예비산화 단계에서 낮은 질(quality)의 산화막이 형성되어 결국 전체 산화막의 막질을 떨어뜨릴 뿐 아니라 공정시간이 길어지는 단점이 있다. 또한, 후산화 단계시간이 불필요하게 길어 산화막질을 떨어 뜨리는 문제점이 있었다.However, in the prior art as described above, a low quality oxide film is formed in the temperature stabilization and pre-oxidation stages, and thus, not only the film quality of the entire oxide film is degraded but also the process time is long. In addition, since the post-oxidation step time is unnecessarily long, there is a problem of dropping the oxide film.
따라서 본 발명은 온도 안정화 및 예비산화 단계의 가스 분위기를 바꾸고 후산화 단계의 시간을 줄여서 게이트 산화막의 질을 향상 시키는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for forming a gate oxide film of a semiconductor device which improves the quality of the gate oxide film by changing the gas atmosphere of the temperature stabilization and pre-oxidation steps and reducing the time of the post-oxidation step.
상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명은 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법에 있어서, 웨이퍼를 O2및 TCA를 사용하여 산화하는 초기산화 단계, H2, O2및 TCA를 사용하여 산화하는 주산화 단계, O2를 사용하여 H2의 잔류를 방지하는 O2퍼지(purge) 단계로 이루어지는 산화단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for forming a gate oxide film of a semiconductor device, the initial oxidation step of oxidizing a wafer using O 2 and TCA, the main oxidation using H 2 , O 2, and TCA. step, by using the O 2 characterized by comprising an oxide phase comprising the O 2 purge (purge) step to prevent residual H 2.
이하, 첨부된 도면 제2도를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.
본 발명은 산화단계에서 O2및 TCA 가스 분위기를 사용함으로써 온도 안정화와 예비산화되는 두가지 단계를 한단계에 실현하고, 후산화 단계 대신에 O2퍼지 개념의 단계를 진행한 것으로, 제2도는 이와 같은 본 발명에 따른 게이트 산화막 형성방법을 자세히 나타내주는 공정도이다.The present invention realizes two steps of temperature stabilization and pre-oxidation in one step by using O 2 and TCA gas atmosphere in the oxidation step, and proceeds with the step of O 2 purge concept instead of the post-oxidation step. It is a process chart which shows the gate oxide film formation method which concerns on this invention in detail.
도면에 도시된 바와 같이 먼저, 650℃의 온도를 갖는 공정튜브에 웨이퍼를 로딩 시킨후, 공정튜브의 온도를 800℃로 상승시켜 게이트 산화막을 형성하는 산화단계에 들어 간다. 산화단계는 크게 초기산화 단계, 주산화 단계, O2퍼지 단계로 나누어지는데, 초기산화 단계는 O2및 TCA의 가스분위기에서 4~6분 동안 실시되고, 이어서 실시되는 주산화 단계는 H2, O2및 TCA 분위기에서 실시되며, 계속해서 실시되는 O2퍼지 단계는 O2가스분위기에서 30~90초간 실시되어 H2가스의 잔류를 방지하게 된다. 이후 900℃온도에서 어닐링을 실시하게 된다.As shown in the figure, first, a wafer is loaded into a process tube having a temperature of 650 ° C., and then the temperature of the process tube is raised to 800 ° C. to enter an oxidation step of forming a gate oxide film. The oxidation step is divided into initial oxidation step, main oxidation step, and O 2 purge step. The initial oxidation step is performed for 4 to 6 minutes in the gas atmosphere of O 2 and TCA, and the main oxidation step is followed by H 2 , It carried out in O 2 atmosphere and TCA is, O 2 purge step is continuously carried out is carried out 30-90 seconds in O 2 gas atmosphere, thereby preventing the residual H 2 gas. After the annealing is performed at 900 ℃ temperature.
본 발명은 게이트 산화막의 질(quality)을 향상시켜 반도체 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키며, 공정시간이 단축되어 소자의 생산성을 향상 시키는 효과가 있다.The present invention has the effect of improving the quality of the gate oxide film (quality) to improve the reliability and yield of the semiconductor device, the process time is shortened to improve the productivity of the device.
Claims (3)
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| KR1019930016624A KR100248796B1 (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Method for manufacturing gate oxidation film of semiconductor device |
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Publications (2)
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Family Applications (1)
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1993
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Also Published As
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|---|---|
| KR950007027A (en) | 1995-03-21 |
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