KR100243017B1 - 반도체 세정장치의 튜브히터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 세정장치의 튜브 히터에 관한 것으로, 종래의 반도체 세정장치는 펌프만을 이용하여 순환라인으로 흐르는 모든 용액을 순환하게 되어 장기간 반복사용시 펌프에 로드가 걸려 고장을 발생시키는 문제점이 있었다. 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터는 석영가열관(35)의 내측에 회전가능하도록 와류형성판(50)을 설치하여 석영가열관(35)의 내측으로 통과되는 용액에 와류를 형성시킴으로서, 순환라인으로 흐르는 용액의 순환력을 향상시키게 되어 펌프에 로드가 걸리는 것을 방지하게 되고, 따라서 펌프의 수명을 향상시키게 되는 효과가 있다.

Description

반도체 세정장치의 튜브 히터
본 발명은 반도체 세정장치의 튜브 히터에 관한 것으로, 특히 용액의 순환을 원할하게 하여 펌프의 수명을 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 세정장치의 튜브 히터에 관한 것이다.
도 1은 종래 반도체 세정장치의 구성을 보인 배관도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 세정장치는 세정조(1)의 아웃베스(2)에서 인너베스(3)를 연결하는 순환라인(4)이 설치되어 있고, 그 순환라인(4) 상에는 용액을 펌핑하기 위한 펌프(5)와, 이물질을 제거하기 위한 필터(6)와, 용액을 가열하기 위한 튜브 히터(7)가 설치되어 있다.
도 2는 종래 튜브 히터의 구조를 보인 정면도이고, 도 3은 종래 튜브 히터의 구조를 보인 단면도 및 측면도이다.
도시된 바와 같이, 튜브 히터(7)는 다수개의 볼트(11)로 결합되어 내측에 일정 공간부가 형성되도록 상,하부커버(12)(13)가 조립되어 있고, 그 상,하부커버(12)(13)의 내측 공간부에 석영가열관(14)이 설치되어 있으며, 그리고, 그 석영가열관(14)의 일측에는 용액유입관(15)이 설치되어 있고, 타측에는 용액유출관(16)이 설치되어 있다.
그리고, 상기 용액유입관(15)과 용액유출관(16)은 석영가열관(14)에 내,외측 플랜지 커버(17)(18)를 이용하여 볼트(19)결합되어 있다.
또한, 상기 상,하부커버(12)(13)에 접촉되는 용액유입/유출관(15)(16)의 외측에는 열로부터 상,하부커버(12)(13)를 보호하기 위한 안전 가이드 관(20)이 설치되어 있다.
그리고, 상기 석영가열관(14)의 외주면에는 센서(미도시)가 내설된 러버 히터(21)가 설치되어 있고, 그 러버히터(21)와 센서(미도시)는 케이블(22)이 연결되어 있으며, 그 케이블(22)은 케이블 안내볼트(23)를 통하여 상부커버(12)의 외측으로 인출되어 있다.
또한, 상기 석영가열관(14)의 내부에는 직사각형의 판상 부재를 꼬아서 만든 모양의 나선판(24)이 고정설치되어 있어서, 용액이 통과시 나선판(24)을 따라 석영가열관(14)의 내측면에 많이 접촉될 수 있도록 되어 있다.
도면중 미설명 부호 25는 석면이다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 세정장치는 아웃베스(2)에서 순환라인(4)으로 순환되는 세정용액은 펌프(5)에 의해 펌핑되고, 필터(6)에 의해 이물질이 걸러지면서 튜브 히터(7)를 통과하며 가열된다.
그리고, 상기와 같이 가열되어 튜브 히터(7)를 통과한 용액은 인너베스(3)로 공급되어 가열되며 웨이퍼의 세정을 실시하고, 다시 아웃베스(2)로 오버플로우되어 순환라인(4)으로 순환하게 된다.
즉, 세정조(1)에서 가열된 용액이 순환라인(4)을 통과하며 열손실이 발생되는데, 용액이 러버히터(21)에 의해 가열되는 석영가열관(14)이 설치되어 있는 튜브 히터(7)를 통과하면서 재가열 되는 것이다.
그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 세정장치는 펌프(5)의 펌핑으로 용액의 전체 순환이 이루어지며, 이는 장기간 반복사용시 펌프(5)의 무리가 발생하여 용액의 순환이 원할하게 이루어지지 못할 뿐만 아니라, 펌프(5)의 고장을 초래하는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 펌프에 무리가 발생하는 것을 방지하여 용액이 원할하게 순환할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 세정장치의 튜브 히터를 제공함에 있다.
도 1은 종래 반도체 세정장치의 구성을 보인 배관도.
도 2는 종래 튜브 히터의 구조를 보인 정면도.
도 3은 종래 튜브 히터의 구조를 보인 단면도 및 측면도.
도 4는 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터의 구조를 보인 정면도.
도 5는 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터의 구조를 보인 단면도.
도 6은 도 5의 A부를 상세히 보인 확대도.
* * 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * *
33 : 상부커버 34 : 하부커버
35 : 석영가열관 35a: 플랜지
36 : 용액유입관 37 : 용액유출관
50 : 와류형성판 54 : 회전자
55 : 고정자 56 : 스러스트 베어링
56a: 관통공
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 상,하부커버의 내측에 원통형의 석영가열관이 설치되어 있고, 그 석영가열관의 양단부 플랜지에 용액유입관과 용액유출관이 설치되어 있는 반도체 세정장치의 튜브 히터에 있어서, 상기 석영가열관의 내측에 유입되는 용액의 와류를 형성하기 위한 와류형성판을 설치하고, 그 와류형성판의 양단부에 와류형성판을 회전시키기 위한 회전자를 연결설치하며, 그 회전자에 대응되는 석영가열관의 외측에 회전자를 회전시키기 위한 고정자를 설치하고, 상기 석영가열관의 내측 양단부에 회전자를 축방향으로 지지함과 아울러 용액을 통과시키기 위한 수개의 관통공이 구비된 스러스트 베어링을 설치하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치의 튜브 히터가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터의 구조를 보인 정면도이고, 도 5는 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터의 구조를 보인 단면도이며, 도 6은 도 5의 A부를 상세히 보인 확대도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터는 다수개의 볼트(31)로 결합되어 내측에 일정 공간부(32)가 형성되도록 상,하부커버(33)(34)가 조립되어 있고, 그 상,하부커버(33)(34)가 조립된 내측 공간부(32)에 석영가열관(35)이 설치되어 있으며, 그리고, 그 석영가열관(35)의 일측에는 용액유입관(36)이 설치되어 있고, 타측에는 용액유출관(37)이 설치되어 있다.
그리고, 상기 용액유입관(36)의 플랜지(36a)와 용액유출관(37)의 플랜지(37a)는 상기 석영가열관(35)의 플랜지(35a)에 수개의 볼트(38)로 결합되어 있고, 상기 상,하부커버(33)(34)에 접촉되는 용액유입/유출관(36)(37)의 외측에는 열로부터 상,하부커버(33)(34)를 보호하기 위한 안전 가이드 관(39)이 설치되어 있다.
또한, 상기 석영가열관(35)의 외주면에는 센서(미도시)가 내설된 러버 히터(40)가 설치되어 있고, 그 러버 히터(40)와 센서(미도시)에는 케이블(41)이 연결되어 있으며, 그 케이블(41)은 케이블 안내볼트(43)를 통하여 상부커버(33)의 외측으로 인출되어 있다.
그리고, 상기 석영가열관(35)의 내부에는 직사각형의 판상 부재를 꼬아서 만든 모양의 와류형성판(50)이 회전가능토록 설치되어 있고, 그 와류형성판(50)의 양단부에는 N극 자석(51)과 S극 자석(52)이 결합되어 테프론(53)으로 싸여진 회전자(54)가 연결설치되어 있고, 그 회전자(54)와 대응되는 석영가열관(35)의 외측에는 코일이 권선된 고정자(55)가 설치되어 있으며, 상기 석영가열관(35)의 내측 양단부에는 회전자(54)를 축방향으로 지지하기 위한 스러스트 베어링(56)이 설치되어 있다.
또한, 상기 스러스트 베어링(56)에는 용액이 통과되는 수개의 관통공(56a)이 형성되어 있다.
도면중 미설명 부호 57은 석면이다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터의 작용을 설명하면 다음과 같다.
전원이 인가되어 러버 히터(40)가 가열되면 석영가열관(35)가 가열된다. 이와같은 상태에서 용액유입관(36)으로 유입된 용액이 석영가열관(35)의 내측을 통과하며 가열되는데, 이때 상기 고정자(55)에 전원이 인가되면 회전자(54)가 회전을 하며 회전자(54)에 연결된 와류형성판(50)을 회전시키게 된다. 이와 같이 와류형성판(50)이 회전을 하면 석영가열관(35)의 내측을 통과하는 용액이 석영가열관(35)의 내주면에 접촉하면서 통과하게 되어 더욱 가열효과를 증가시키게 된다. 또한, 상기 와류형성판(50)에 의하여 석영가열관(35)을 통과하는 용액에 와류가 발생하여 용액유출관(37)을 통하여 유출되는 힘이 커지게 되고, 따라서 보조적인 펌프 역할을 하게 되어 펌프에 로드가 걸리는 것을 차단하게 된다. 그리고, 상기 회전자(54)의 회전시 스러스트 베어링(56)은 회전자(54)를 축방향으로 지지함과 동시에 회전자(54)가 요동되지 않도록 가이드 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 반도체 세정장치의 튜브 히터는 석영가열관의 내측에 회전가능하도록 와류형성판을 설치하여 석영가열관의 내측으로 통과되는 용액에 와류를 형성시킴으로서, 순환라인으로 흐르는 용액의 순환력을 향상시키게 되어 펌프에 로드가 걸리는 것을 방지하게 되고, 따라서 펌프의 수명을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 상,하부커버의 내측에 원통형의 석영가열관이 설치되어 있고, 그 석영가열관의 양측에 용액유입관과 용액유출관이 설치되어 있는 반도체 세정장치의 튜브 히터에 있어서,
    상기 석영가열관의 내측에 석영가열관으로 유입되는 용액에 와류를 형성하기 위한 와류형성판을 설치하고, 그 와류형성판의 양단부에 와류형성판을 회전시키기 위한 회전자를 연결설치하며, 그 회전자에 대응되는 석영가열관의 외측에 회전자를 회전시키기 위한 고정자를 설치하고, 상기 석영가열관의 내측 양단부에 회전자를 축방향으로 지지함과 아울러 용액을 통과시키기 위한 수개의 관통공이 구비된 스러스트 베어링을 설치하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치의 튜브 히터.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100621612B1 (ko) * 1999-06-15 2006-09-06 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 히팅 시스템

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100621612B1 (ko) * 1999-06-15 2006-09-06 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 히팅 시스템

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