KR100240867B1 - A preparing method of photolithographic mask defects - Google Patents

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KR100240867B1
KR100240867B1 KR1019970018026A KR19970018026A KR100240867B1 KR 100240867 B1 KR100240867 B1 KR 100240867B1 KR 1019970018026 A KR1019970018026 A KR 1019970018026A KR 19970018026 A KR19970018026 A KR 19970018026A KR 100240867 B1 KR100240867 B1 KR 100240867B1
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Abstract

본 발명은 투과광의 세기 저하를 보상하는 포토마스크의 결함 수정 방법에 관한 것으로, 포토마스크 기판과, 상기 포토마스크 기판상에 형성된 광차단막과, 상기 광차단막상에 광투과 영역과 광차단 영역을 정의하여 형성된 콘택 패턴들을 포함하고, 상기 포토마스크 기판상에는 정상 콘택 패턴과 비정상 콘택 패턴이 함께 형성되어 있고, 상기 비정상 콘택 패턴은 상기 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 좁은 광투과 영역을 갖는다. 이 때, 상기 비정상 콘택 패턴의 일측 광차단막을 식각하여 상기 정상 콘택 패턴의 광투과 영역보다 상대적으로 넓은 광투과 영역을 갖도록 한다. 이와 같은 방법에 의해서, 오패크 결함을 갖는 비정상 패턴을 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 더 넓은 콘택 패턴이 되도록 수정함으로써 포토마스크 기판 손상에 따른 투과광의 세기 저하를 보상할 수 있다.The present invention relates to a method for correcting a defect of a photomask that compensates for a decrease in the intensity of transmitted light, and defines a photomask substrate, a light blocking film formed on the photomask substrate, and a light transmitting area and a light blocking area on the light blocking film. And contact patterns formed on the photomask substrate, wherein a normal contact pattern and an abnormal contact pattern are formed together, and the abnormal contact pattern has a light transmission region that is relatively narrower than that of the normal contact pattern. In this case, one side of the light blocking layer of the abnormal contact pattern is etched to have a light transmitting region relatively wider than that of the normal contact pattern. By such a method, it is possible to compensate for the decrease in the intensity of transmitted light due to the damage of the photomask substrate by modifying the abnormal pattern having the mispack defect to be a relatively wider contact pattern than the normal contact pattern.

Description

포토마스크의 결함 수정 방법How to fix defects in the photomask

본 발명은 포토마스크(photo-mask)의 결함 수정 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 오패크(opaque)형 결함을 갖는 포토마스크의 결함 수정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for correcting a defect of a photo-mask, and more particularly, to a method for correcting a defect of a photomask having an opaque defect.

일반적으로 반도체 장치의 각종 패턴은 포토리소그라피(photolithography) 공정을 통해 형성된다.In general, various patterns of a semiconductor device are formed through a photolithography process.

그러나, 반도체 장치가 고집적화 됨에 따라 각종 전극 및 배선을 형성하기 위한 패턴이 미세화 되어 포토마스크를 제작하는데 있어서 패턴 형성이 날로 어려워지고 있다. 또한, 포토마스크 패턴 형성시 포토마스크상에서 발생되는 결함 수정에 있어서도 많은 어려움이 발생된다.However, as semiconductor devices have been highly integrated, patterns for forming various electrodes and wirings have become finer, making pattern formation more difficult in producing a photomask. In addition, many difficulties arise in correcting defects generated on the photomask when forming the photomask pattern.

실제로 수 ㎛의 선폭(critical dimension; C.D)을 갖는 소자에 있어서, 포토마스크상의 수백 nm의 결함은 무시가 가능하고, 결함 수정을 통해 발생되는 포토마스크 기판 손상의 문제는 무시되어 왔다.In fact, for devices having a critical dimension (C.D) of several micrometers, defects of several hundred nm on the photomask can be ignored, and the problem of photomask substrate damage generated through defect correction has been ignored.

그러나, ㎛ 이하의 선폭을 갖는 반도체 소자에 있어서는 무시가 가능한 결함의 크기가 수십 nm를 넘지 않으며 이에 따라, 포토마스크 기판의 결함은 정교한 수정이 요구된다.However, in semiconductor devices having a line width of 占 퐉 or less, the size of the negligible defects does not exceed several tens of nm, and therefore, defects in the photomask substrate require sophisticated correction.

포토마스크를 제작하는데 있어서, 상기 포토마스크상의 크롬(Cr)막 패턴 형성시 자주 발생되는 결함의 종류는 크게 클리어(clear)형 결함과 오패크(opaque)형 결함으로 나눌 수 있다.In fabricating a photomask, the types of defects frequently generated when the chromium (Cr) film pattern is formed on the photomask can be largely classified into clear defects and opaque defects.

상기 클리어형 결함은 상기 크롬막이 있어야 할 곳에 없기 때문에 발생되는 결함이고, 상기 오패크형 결함은 상기 클리어형 결함과 반대로 크롬막이 없어야 할 곳에 있기 때문에 발생되는 결함이다.The clear type defect is a defect that occurs because the chromium film is not in the place where the chromium film is to be located.

도 1A 내지 도 1C는 종래의 포토마스크 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다.1A to 1C are diagrams for explaining a conventional photomask defect correction method.

도 1A를 참조하면, 포토마스크 기판(10)상에 폭 'a1' 을 갖는 정상 콘택 패턴(18)과 상기 폭 'a1'보다 상대적으로 좁은 폭 'a2' 를 갖는 비정상 콘택 패턴(20)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 1A, a normal contact pattern 18 having a width 'a1' and an abnormal contact pattern 20 having a width 'a2' which is relatively narrower than the width 'a1' are formed on the photomask substrate 10. It is.

상기 정상 콘택 패턴(18) 및 비정상 콘택 패턴(20)의 양측에는 크롬막으로 구성된 광차단막 패턴들(12, 14, 16)이 형성되어 있다. 이 때, 상기 비정상 콘택 패턴(20)의 일측 광차단막 패턴(14)은 정상 광차단막 패턴(13a)과 오패크형 결함막(13b)으로 구성된다.Light blocking layer patterns 12, 14, and 16 formed of chromium layers are formed at both sides of the normal contact pattern 18 and the abnormal contact pattern 20. At this time, one side light blocking film pattern 14 of the abnormal contact pattern 20 is composed of a normal light blocking film pattern 13a and an o-pack type defect film 13b.

상기 오패크형 결함막(13b)은 광투과 영역상에 식각 되지 않고 남아 있는 크롬막으로서, 포토마스크 제작 공정 과정에 있어서 불순물(particle) 등으로 인해 발생된다.The opaque defect film 13b is a chromium film that is not etched on the light transmission region and is generated due to impurities or the like during the photomask fabrication process.

상기 오패크형 결함막(13b)을 갖는 비정상 콘택 패턴(20)이 발생되면 도 1B에 도시된 바와 같이, FIB(Focused Ion Beam)을 사용하여 상기 오패크형 결함막(13b)을 제거하여 상기 폭 'a1'을 갖는 정상 콘택 패턴을 형성한다.When the abnormal contact pattern 20 having the off-pack type defect film 13b is generated, as shown in FIG. 1B, the off-pack type defect film 13b is removed by using a focused Ion beam (FIB) to form the width ' A top contact pattern having a1 'is formed.

종래에는 상기 오패크형 결함막(13b)을 수정하기 위해 폴리곤 리페어(polygon repair) 방법을 사용하였다. 이 방법은 결함 부위를 Ga++ 이온 빔(ion beam)(22)을 조사하여 제거하는 것으로, 이 때 도 1C에 도시된 바와 같이, 크롬막의 중심과 모서리 부분의 식각률(etch rate)의 차이 및 Ga++ 이온 빔의 산란(scattering)등으로 인한 리버베드(riverbed)와, 결함 수정 부위의 글라스(glass; Qz)가 제거되는 글라스 과식각(overetch)(24)이 발생된다.Conventionally, a polygon repair method has been used to correct the above-mentioned defective film 13b. This method removes a defect by irradiating a Ga ++ ion beam 22 with the difference in the etch rate of the center and the corner of the chromium film and the Ga ++ ion as shown in FIG. 1C. A riverbed due to scattering of the beam, and a glass overetch 24 in which the glass Qz of the defect correction portion is removed are generated.

도 2는 종래 포토마스크 결함 수정 방법에 따른 반도체 기판상의 거리에 대한 광의 세기를 나타낸 AIMS(Aerial Image Measurement Software) 결과 그래프이다.FIG. 2 is a graph showing the results of an AMS (Aerial Image Measurement Software) result of light intensity versus distance on a semiconductor substrate according to a conventional photomask defect correction method.

도 2를 참조하면, 종래 포토마스크 결함 수정 방법으로 수정된 콘택 패턴을 투과한 광의 세기(28)는 양측의 정상 콘택 패턴을 통해 투과된 광의 세기(26)에 비해 약 10％ 정도 감소되었음을 볼 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the intensity 28 of light transmitted through the contact pattern modified by the conventional photomask defect correction method is reduced by about 10% compared to the intensity 26 of light transmitted through both normal contact patterns. have.

이와 같이, 반도체 기판상에 패턴을 형성하기 위한 노광(exposure)공정시, 상기 리버베드와 글라스 과식각을 갖는 포토마스크를 사용하게 되면, 정상 패턴으로 구성된 포토마스크에 비해 투과광의 세기(intensity)가 저하되고, 또한 상변이(phaseshift) 등의 문제가 발생된다.As such, when the photomask having the riverbed and glass overetching is used in an exposure process for forming a pattern on the semiconductor substrate, the intensity of transmitted light decreases as compared with the photomask composed of the normal pattern. And also problems such as phaseshift.

본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 오패크 결함에 따른 포토마스크 결함 수정 부위를 정상 패턴보다 더 넓게 설정함으로써 리버베드 및 글라스 과식각에 따른 투과광의 세기 저하를 보상하는 포토마스크의 결함 수정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems, and by setting the photomask defect correction portion according to the o-pack defect wider than the normal pattern of the photomask to compensate for the decrease in the intensity of transmitted light due to the riverbed and glass over-etching Its purpose is to provide a method for correcting defects.

도 1A 내지 도 1C는 종래의 포토마스크 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면;1A to 1C are diagrams for explaining a conventional photomask defect correction method;

도 2는 종래 포토마스크 결함 수정 방법에 따른 반도체 기판상의 거리에 대한 광의 세기를 나타낸 AIMS 결과 그래프;2 is an AIMS result graph showing the intensity of light versus distance on a semiconductor substrate according to a conventional photomask defect correction method;

도 3A 내지 도 3C는 본 발명이 실시예에 따른 포토마스크 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면;3A to 3C are diagrams for explaining a photomask defect correction method according to an embodiment of the present invention;

도 4A 내지 도 4C는 오패크 결함 수정 후의 콘택 패턴을 비교하여 나타낸 SEM 도면;4A to 4C are SEM views comparing and comparing the contact patterns after the opaque defect correction.

도 5는 본 발명의 포토마스크 결함 수정 방법에 따른 반도체 기판상의 거리에 대한 광의 세기를 나타낸 AIMS 결과 그래프;5 is a graph of AIMS results showing the intensity of light versus distance on a semiconductor substrate according to the photomask defect correction method of the present invention;

도 6A 내지 도 6B는 반도체 기판상에서 초점과 노광 시간 따른 선폭의 변화를 나타낸 그래프.6A to 6B are graphs showing changes in line width with focus and exposure time on a semiconductor substrate.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *

10, 100 : 포토마스크 기판 13b, 103b : 오패크형 결함막10, 100: photomask substrate 13b, 103b: opac type defect film

18, 108 : 정상 콘택 패턴 20, 110 : 비정상 콘택 패턴18, 108: normal contact pattern 20, 110: abnormal contact pattern

(구성)(Configuration)

상술한 목적을 달성하기 위해 제안된 본 발명에 의하면, 포토마스크의 결함 수정 방법은, 포토마스크 기판과, 상기 포토마스크 기판상에 형성된 광차단막과, 상기 광차단막상에 광투과 영역과 광차단 영역을 정의하여 형성된 콘택 패턴들을 포함하고, 상기 포토마스크 기판상에는 정상 콘택 패턴과 비정상 콘택 패턴이 함께 형성되어 있고, 상기 비정상 콘택 패턴은 상기 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 좁은 광투과 영역을 갖고, 상기 비정상 콘택 패턴의 일측 광차단막을 식각 하여 상기 정상 콘택 패턴의 광투과 영역보다 상대적으로 넓은 광투과 영역을 갖도록 함으로써, 상기 식각시 발생되는 광투과 영역의 포토마스크 기판 손상에 따른 투과광의 세기 저하를 보상한다.According to the present invention proposed to achieve the above object, a method of correcting a defect of a photomask includes a photomask substrate, a light blocking film formed on the photomask substrate, and a light transmitting area and a light blocking area on the light blocking film. And a contact pattern formed by defining a contact pattern, wherein a normal contact pattern and an abnormal contact pattern are formed together on the photomask substrate, and the abnormal contact pattern has a light transmission region that is relatively narrower than that of the normal contact pattern. The light blocking layer on one side of the pattern is etched to have a light transmitting region relatively wider than that of the normal contact pattern, thereby compensating for the decrease in intensity of transmitted light due to damage of the photomask substrate of the light transmitting region generated during the etching.

이 방법의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 광차단막은 크롬막이다.In a preferred embodiment of this method, the light blocking film is a chromium film.

이 방법의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 광차단막의 식각은 이온 빔을 사용하여 제거한다.In a preferred embodiment of this method, the etching of the light shielding film is removed using an ion beam.

이 방법의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 비정상 콘택 패턴의 일측 광차단막 식각 후의 광투과 영역은 상기 정상 콘택 패턴의 광투과 영역보다 5％ "＜ 20％ 범위 내로 더 확장된다.In a preferred embodiment of the method, the light transmission region after the one side light shielding layer etching of the abnormal contact pattern is further extended within the range of 5% "<20% than the light transmission region of the normal contact pattern.

(작용)(Action)

본 발명에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법은 포토마스크상의 오패크 결함을 갖는 비정상 패턴을 수정함에 있어서, 오패크 결함을 포함하여 상기 패턴의 소정부분을 더 식각 함으로써 오패크 결함 수정시 발생되는 리버베드 및 글라스 과식각에 따른 투과광의 세기 저하를 보상할 수 있다.In the defect correction method of the photomask according to the present invention, in correcting an abnormal pattern having an opaque defect on the photomask, the riverbed generated when the opaque defect correction by further etching a predetermined portion of the pattern, including the opaque defect and It is possible to compensate for the decrease in intensity of transmitted light due to the over-etching of the glass.

(실시예)(Example)

이하, 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

도 3A 내지 도 3C는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다.3A to 3C are diagrams for describing a photomask defect correction method according to an embodiment of the present invention.

도 3A를 참조하면, 포토마스크 기판(100)상에 광차단막 패턴들(102, 104, 106)과 콘택 패턴들(108, 110)이 형성되어 있다. 이 때, 상기 광차단막 패턴들(102, 104, 106)과 콘택 패턴들(108, 110)은 포토마스크 기판(100)상에 광차단막을 형성한 후 상기 광차단막상에 광차단 영역과 광투과 영역을 정의하여 상기 광투과 영역의 광차단막을 식각 함으로써 형성된다.Referring to FIG. 3A, light blocking layer patterns 102, 104, and 106 and contact patterns 108 and 110 are formed on the photomask substrate 100. In this case, the light blocking layer patterns 102, 104, 106 and the contact patterns 108 and 110 form a light blocking layer on the photomask substrate 100, and then the light blocking region and the light transmission layer are formed on the light blocking layer. It is formed by defining an area to etch the light blocking film of the light transmitting area.

상기 포토마스크 기판(100)은 통상적으로 글라스 기판을 사용하고, 상기 광차단막은 크롬막을 사용한다.The photomask substrate 100 typically uses a glass substrate, and the light blocking layer uses a chromium film.

상기 콘택 패턴들(108, 110)은 정상 콘택 패턴(108)과 비정상 콘택 패턴(110)으로 구성되고, 상기 비정상 콘택 패턴(110)의 광투과 영역의 폭(a2)은 상기 정상 콘택 패턴(108)의 광투과 영역의 폭(a1)보다 상대적으로 좁게 형성되어 있다. 즉, 상기 비정상 콘택 패턴(110)의 일측 광차단막 패턴(104)이 정상 광차단막 패턴(103a) 및 오패크형 결함막(103b)으로 구성되어 있기 때문에 그 광투과 영역의 폭이 줄어들었다.The contact patterns 108 and 110 may include a normal contact pattern 108 and an abnormal contact pattern 110, and the width a2 of the light transmission region of the abnormal contact pattern 110 may be the normal contact pattern 108. It is formed relatively narrower than the width a1 of the light transmissive area of (). That is, since the light blocking film pattern 104 on one side of the abnormal contact pattern 110 is composed of the normal light blocking film pattern 103a and the opac type defect film 103b, the width of the light transmitting area is reduced.

도 3B에 있어서, 상기 오패크형 결함막(103b)을 제거하여 상기 비정상 콘택 패턴(110)을 정상 콘택 패턴이 되도록 수정해야 한다.In FIG. 3B, the abnormal contact pattern 110 should be corrected to be a normal contact pattern by removing the off-pack type defect film 103b.

상기 비정상 콘택 패턴(110)은 종래 FIB 시스템을 사용하여 수정하나, 상기 오패크형 결함막(103b) 뿐만 아니라 상기 정상 광차단막 패턴(103a)의 일부를 Ga++ 이온 빔(112)을 주사하여 식각 한다.The abnormal contact pattern 110 is modified by using a conventional FIB system, but not only the opac type defect film 103b but also a portion of the normal light blocking film pattern 103a is etched by scanning the Ga ++ ion beam 112.

상기 비정상 콘택 패턴(110)은 도 3C에 도시된 바와 같이, 상기 정상 콘택 패턴(108)의 광투과 영역의 폭(a1)보다 상대적으로 더 넓은 폭(b)을 갖게 된다.As illustrated in FIG. 3C, the abnormal contact pattern 110 has a width b that is relatively wider than the width a1 of the light transmission region of the normal contact pattern 108.

이렇게 형성함으로써, 상기 FIB 시스템을 사용하여 비정상 콘택 패턴(110)을 수정할 때 가장 빈번하게 발생되는 리버베드와 글라스 과식각 부위(114)에 따른 투과광의 세기 저하를 보상하게 된다.In this way, the FIB system compensates for the decrease in the intensity of transmitted light due to the riverbed and the glass over-etched portion 114 which are most frequently generated when the abnormal contact pattern 110 is corrected using the FIB system.

도 4A 내지 도 4C는 오패크 결함 수정 후의 콘택 패턴을 비교하여 나타낸 SEM(Scanning Electronic Microscope) 도면이다.4A to 4C are SEM (Scanning Electronic Microscope) diagrams comparing the contact patterns after the opaque defect correction.

도 4A를 참조하면, 정상 콘택 패턴의 광투과 영역(116)상에 오패크 결함(118)인 크롬막이 더 형성되어 있다. 이 때, 상기 오패크 결함(118)을 종래 포토마스크 수정 방법을 통해 제거하게 되면 도 4B에 도시된 바와 같이, 정상 콘택 패턴에 근접한 크기의 콘택 패턴(120)이 형성된다. 그리고, 본 발명에 따른 포토마스크 수정 방법을 사용하게 되면 도 4C에 도시된 바와 같이, 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 5％ "＜ 20％ 범위 내로 더 확장된 콘택 영역을 갖는 콘택 패턴(122)이 형성된다.Referring to FIG. 4A, a chromium film, which is an opaque defect 118, is further formed on the light transmission region 116 of the normal contact pattern. At this time, when the off-pack defect 118 is removed through the conventional photomask correction method, as shown in FIG. 4B, a contact pattern 120 having a size close to the normal contact pattern is formed. When the photomask modification method according to the present invention is used, as shown in FIG. 4C, a contact pattern 122 having a contact region that is further extended within a range of 5% "<20% is formed more than a normal contact pattern. do.

도 5는 본 발명의 포토마스크 결함 수정 방법에 따른 반도체 기판상의 거리에 대한 투과광의 세기를 나타낸 AIMS 결과 그래프이다.5 is an AIMS result graph showing the intensity of transmitted light with respect to a distance on a semiconductor substrate according to the photomask defect correction method of the present invention.

도 5를 참조하면, 도 4C에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 오패크 결함 수정 후의 콘택 패턴을 투과한 광의 세기(126)는 상기 종래 포토마스크 수정 방법을 통해 수정된 콘택 패턴을 투과한 광의 세기와는 달리, 정상 콘택 패턴을 통해 투과된 광의 세기(124)와 근사적으로 같음을 볼 수 있다.Referring to FIG. 5, the intensity 126 of the light transmitted through the contact pattern after the opaque defect correction according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4C is determined by the light transmitted through the contact pattern modified through the conventional photomask correction method. Unlike the intensity, it can be seen that it is approximately equal to the intensity 124 of the light transmitted through the normal contact pattern.

이 때, 가운데 그래프로 도시된 투과광의 세기(126)가 본 발명에 따른 포토마스크 수정 방법에 따라 수정된 콘택 패턴에 대한 투과광의 세기이고, 그 양측에 도시된 그래프가 정상 패턴을 투과한 광의 세기(124)에 대한 그래프이다.At this time, the intensity 126 of the transmitted light shown in the center graph is the intensity of transmitted light for the contact pattern modified according to the photomask modification method according to the present invention, and the graphs shown at both sides of the light transmitted through the normal pattern are shown. 124 is a graph.

도 6은 반도체 기판상에서 초점(focus)과 노광시간(exposure time; E.T)에 따른 선폭의 변화를 나타낸 그래프이다.6 is a graph illustrating a change in line width according to focus and exposure time (E.T) on a semiconductor substrate.

도 6A는 정상 콘택 패턴에 대한 것이고, 도 6B는 본 발명의 포토마스크 수정 방법에 따른 오패크 결함이 수정된 콘택 패턴에 대한 것이다. 이 때, 콘택 패턴의 크기는 1㎛이고, 결함의 크기는 0.6㎛이다.FIG. 6A is for a normal contact pattern, and FIG. 6B is for a contact pattern in which an opaque defect is corrected according to the photomask correction method of the present invention. At this time, the contact pattern had a size of 1 占 퐉 and the defect had a size of 0.6 占 퐉.

도시된 바와 같이, 상기 본 발명의 포토마스크 수정 방법에 따른 수정된 콘택 패턴에 대한 선폭 변화의 그래프는 상기 정상 콘택 패턴에 대한 선폭 변화의 그래프와 매우 유사함을 볼 수 있다.As shown, it can be seen that the graph of the linewidth change for the modified contact pattern according to the photomask modification method of the present invention is very similar to the graph of the linewidth change for the normal contact pattern.

상술한 바와 같은 포토마스크 수정 방법을 통해 오패크 결함 수정시 부수적으로 발생되는 리버베드 및 글라스 과식각으로 인한 투과광의 세기 저하를 보상할 수 있다.Through the photomask correction method as described above, it is possible to compensate for the decrease in the intensity of transmitted light due to the riverbed and the glass over-etching incidentally occurring when the o-pack defect is corrected.

본 발명은 종래 FIB 시스템을 사용하여 오패크 결함을 갖는 비정상 패턴을 수정함에 있어서 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 더 넓은 콘택 패턴이 되도록 수정함으로써, 포토마스크 기판 손상에 따른 투과광의 세기 저하를 보상할 수 있는 효과가 있다.The present invention can be compensated for the decrease in the intensity of the transmitted light due to damage to the photomask substrate by modifying to be a wider contact pattern than the normal contact pattern in correcting an abnormal pattern having an off-pack defect using a conventional FIB system It works.

Claims (4)

포토마스크 기판(100)과, 상기 포토마스크 기판(100)상에 형성된 광차단막과, 상기 광차단막상에 광투과 영역과 광차단 영역을 정의하여 형성된 콘택 패턴들(108, 110)을 포함하는 포토마스크의 결함 수정 방법에 있어서,A photomask including a photomask substrate 100, a light blocking film formed on the photomask substrate 100, and contact patterns 108 and 110 formed by defining a light transmitting area and a light blocking area on the light blocking film. In the defect correction method of the mask, 상기 포토마스크 기판(100)상에는 정상 콘택 패턴(108)과 비정상 콘택 패턴(110)이 함께 형성되어 있고,The normal contact pattern 108 and the abnormal contact pattern 110 are formed together on the photomask substrate 100. 상기 비정상 콘택 패턴(110)은 상기 정상 콘택 패턴(108)보다 상대적으로 좁은 광투과 영역(a2)을 갖고,The abnormal contact pattern 110 has a light transmission region a2 that is relatively narrower than the normal contact pattern 108. 상기 비정상 콘택 패턴(110)의 일측 광차단막(104)을 식각 하여 상기 정상 콘택 패턴의 광투과 영역보다 상대적으로 넓은 광투과 영역(b)을 갖도록 함으로써, 상기 식각시 발생되는 광투과 영역의 포토마스크 기판(100) 손상에 따른 투과광의 세기 저하를 보상하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 수정 방법.One side light blocking film 104 of the abnormal contact pattern 110 is etched to have a light transmission region (b) that is relatively wider than the light transmission region of the normal contact pattern, thereby forming a photomask of the light transmission region generated during the etching. Method for correcting a defect of a photomask, characterized in that to compensate for the decrease in the intensity of transmitted light due to damage to the substrate (100). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광차단막은 크롬막인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 수정 방법.And the light blocking film is a chromium film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광차단막의 식각은 이온 빔을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 수정 방법.The etching of the light blocking film is removed using a ion beam, characterized in that for removing the defect of the photomask. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 비정상 콘택 패턴(110)의 일측 광차단막(104) 식각 후의 광투과 영역(b)은 상기 정상 콘택 패턴(108)의 광투과 영역(a1)보다 5％ "＜ 20％ 범위 내로 더 확장되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 수정 방법.The light transmission region b after etching the one side light blocking film 104 of the abnormal contact pattern 110 extends further within the range of 5% "<20% than the light transmission region a1 of the normal contact pattern 108. A defect correction method of a photomask characterized by the above-mentioned.
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