KR100234911B1 - Gas supplying line structure of dry etching apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 건식식각장치용 공정챔버의 정비시 대기유입에 따른 가스공급라인의 오염을 방지하기 위해 별도의 질소공급라인을 거쳐 질소를 퍼징(purging)하여 가스공급라인의 오염을 방지하고 공정챔버에서의 웨이퍼 오염을 방지하도록 한 건식식각장치의 가스공급라인 구조에 관한 것이다.The present invention purges the nitrogen through a separate nitrogen supply line in order to prevent the contamination of the gas supply line due to the inflow of air during maintenance of the process chamber for dry etching device to prevent contamination of the gas supply line and in the process chamber And a gas supply line structure of a dry etching apparatus to prevent wafer contamination of the wafer.
본 발명의 목적은 공정챔버의 정비시 대기가 가스공급라인으로 유입하는 것을 차단하여 공정챔버에서의 웨이퍼 오염을 방지하도록 한 건식식각장치의 가스라인 구조를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a gas line structure of a dry etching apparatus, which prevents wafer contamination in a process chamber by blocking air from entering the gas supply line during maintenance of the process chamber.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 건식식각장치의 가스라인 구조는 공정챔버의 가스공급라인에 별도의 오염방지용 가스공급라인을 연통시키고 질소공급라인에 개폐용 에어밸브를 설치하여 공정챔버의 정비시 질소를 가스공급라인으로 퍼징하도록 구성되어 있다. 정비시 대기 유입에 의한 에어밸브와 엘보우의 부식이 방지되고 가스공급라인의 오염이 방지되어 공정챔버에서의 웨이퍼 웨이퍼 오염이 방지된다. 따라서, 건식식각장치의 공정신뢰성이 향상되고 웨이퍼레벨의 양품수율이 향상된다.The gas line structure of the dry etching apparatus according to the present invention for achieving the above object is to communicate a separate pollution prevention gas supply line to the gas supply line of the process chamber and to install an air valve for opening and closing the nitrogen supply line of the process chamber It is configured to purge nitrogen into gas supply line during maintenance. During maintenance, air valves and elbows are prevented from being corroded and contamination of the gas supply line is prevented, thereby preventing wafer wafer contamination from the process chamber. Therefore, the process reliability of the dry etching apparatus is improved and the yield at the wafer level is improved.
Description
본 발명은 건식식각장치의 가스공급라인에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정챔버의 정비시 대기유입에 따른 가스공급라인의 오염을 방지하기 위해 별도의 오염방지용 가스공급라인을 거쳐 질소를 퍼징(purging)하여 가스공급라인의 오염을 방지하고 공정챔버에서의 웨이퍼 오염을 방지하도록 한 건식식각장치의 가스공급라인 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply line of a dry etching apparatus, and more particularly, purging nitrogen through a separate pollution prevention gas supply line to prevent contamination of the gas supply line due to the inflow of air during maintenance of the process chamber. The present invention relates to a gas supply line structure of a dry etching apparatus, which prevents contamination of the gas supply line and prevents wafer contamination in the process chamber.
일반적으로 집적회로 제조공정의 하나인 식각공정은 습식식각공정과 건식식각공정으로 대별된다. 건식식각공정의 일종으로는 스퍼터링 에칭공정이나 반응성이온에칭공정이 있다.In general, an etching process, which is one of integrated circuit manufacturing processes, is roughly classified into a wet etching process and a dry etching process. One type of dry etching process is a sputtering etching process or a reactive ion etching process.
상기 건식식각공정은 절연막 또는 금속층이 적층된 웨이퍼를 밀폐된 공정챔버내에 장착하고 식각용 반응가스를 주입한 후 고주파 혹은 마이크로 웨이브 전력 등을 인가하여 플라즈마 상태의 가스를 형성함으로써 상기 절연막 또는 금속층을 식각하는 것이다. 건식식각공정은 웨이퍼가 식각된 후에 세척 공정이 필요하지 않을뿐 아니라 상기 절연막 또는 금속층이 이방성으로 식각되는 특성을 갖고 있다. 따라서, 건식식각공정은 고집적회로를 위한 의 미세한 패턴을 습식식각공정에 비하여 보다 양호하게 형성할 수 있을 뿐 아니라 공정을 단순화시킬 수 있다.In the dry etching process, an insulating film or a metal layer is etched by mounting a wafer in which an insulating film or a metal layer is stacked in a closed process chamber, injecting an etching reaction gas, and applying a high frequency or microwave power to form a gas in a plasma state. It is. The dry etching process requires not only a cleaning process after the wafer is etched, but also an insulating property of the insulating film or the metal layer. Therefore, the dry etching process can not only form a fine pattern of a highly integrated circuit better than the wet etching process but can also simplify the process.
그런데, 웨이퍼에 형성되어 있던 절연막 또는 금속층이 공정챔버내에서 건식식각되는 횟수가 증가함에 따라 건식식각공정의 부산물로서 고분자물질의 파티클(particle)이 공정챔버의 내벽에 흡착된다. 이렇게 흡착된 파티클은 건식식각공정이 반복적으로 진행되는 동안 상당히 두꺼운 덩어리를 형성한다. 그런데, 바람직하지 않게도 일부의 파티클이 상기 덩어리로부터 분리되어 공정챔버내의 웨이퍼로 떨어진다. 즉, 공정챔버내의 웨이퍼가 공정처리 전, 공정처리 후, 또는 공정처리 도중에 웨이퍼가 공정의 부산물인 파티클에 의해 오염되는 경우가 발생한다.However, as the number of dry etching of the insulating film or the metal layer formed on the wafer increases in the process chamber, particles of the polymer material are adsorbed on the inner wall of the process chamber as a by-product of the dry etching process. The adsorbed particles form a fairly thick mass during the dry etching process repeatedly. However, undesirably some of the particles are separated from the mass and fall into the wafer in the process chamber. That is, the wafer in the process chamber may be contaminated by particles that are by-products of the process before, after, or during the process.
그래서, 종래에는 건식식각장치가 일정 기간이상으로 사용되면, 반응챔버내의 파티클을 제거하기 위해 정기적인 클리닝이 이루어져 왔다. 물론, 손상된 부품들도 이 시기에 정비, 교체되었다.Thus, conventionally, when a dry etching apparatus is used for a predetermined period or more, regular cleaning has been performed to remove particles in the reaction chamber. Of course, damaged parts were also repaired and replaced at this time.
도 1은 종래 기술에 의한 건식식각장치의 가스라인을 나타낸 구성도이다.1 is a configuration diagram showing a gas line of a conventional dry etching apparatus.
도 1에 도시된 바와 같이, 건식식각장치의 공정챔버(1)의 상단부에 엘보우(elbow)(3)를 거쳐 가스공급라인(5)이 연통되어 있고, 엘보우(3)에 근접한 영역의 가스공급라인(5)에 개폐용 에어벨브(7)가 설치되어 있고, 공정챔버(1)의 내부압력 상태에 따라 스위칭하는 스위치(9)가 공정챔버(1)의 하단부에 설치되어 있고, 엘보우(3)에 원접한 영역의 가스공급라인(5)에 필터(11)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 1, a gas supply line 5 is connected to an upper end of a process chamber 1 of a dry etching apparatus through an elbow 3 and a gas supply in a region close to the elbow 3. An air valve 7 for opening and closing is provided in the line 5, and a switch 9 for switching according to the internal pressure state of the process chamber 1 is provided at the lower end of the process chamber 1, and the elbow 3 The filter 11 is provided in the gas supply line 5 of the area | region which is adjacent to ().
이와 같이 구성되는 가스공급라인의 작용을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation of the gas supply line is configured as follows.
먼저, 건식식각장치가 소정의 시간이상으로 가동되고 나면, 공정챔버(1)의 내부에 공정의 부산물인 파티클이 흡착되어 덩어리를 형성하게 된다. 이후, 공정챔버(1)의 정비가 신속히 이루어지지 않으면, 상기 덩어리로부터 파티클이 분리되어 공정챔버(1)의 내부공간을 비산하므로 공정챔버(1)내에 투입된 웨이퍼(도시안됨)가 파티클에 의해 오염될 가능성이 높아진다.First, after the dry etching apparatus is operated for a predetermined time or more, particles, which are by-products of the process, are adsorbed in the process chamber 1 to form agglomerates. After that, if the maintenance of the process chamber 1 is not performed quickly, the particles are separated from the agglomerate and scatter the internal space of the process chamber 1, so that the wafer (not shown) introduced into the process chamber 1 is contaminated by the particles. Increase the likelihood.
따라서, 담당작업자가 이를 방지하기 위해 공정챔버의 클리닝을 포함한 정비(preventive maintenance)를 정기적으로 실시하고 있다. 이를 좀 더 상세히 언급하면, 담당작업자가 공정챔버(1)에 새로운 웨이퍼를 더 이상 투입시키지 않고 가스 저장고(도시안됨)의 밸브를 폐쇄시켜 가스 저장고의 가스가 가스공급라인(5)을 거쳐 공정챔버(1)로 공급되는 것을 중단시킨다.Therefore, the worker in charge regularly carries out maintenance including the cleaning of the process chamber to prevent this. In more detail, the worker in charge of the gas reservoir (not shown) closes the valve of the gas reservoir (not shown) without any new wafers being introduced into the process chamber 1 so that the gas in the gas reservoir passes through the gas supply line 5. Stop supply to (1).
이후, 공정챔버(1)의 보다 낮은 내부압력을 로드록챔버(도시안됨)의 내부압력과 동일하게 하기 위해 공정챔버(1)에 해당하는 로드록챔버의 챔버 슬릿밸브를 개방시킨다. 이때, 공정챔버(1)의 내부압력은 대기압에 비하여 상당히 낮다.Thereafter, the chamber slit valve of the load lock chamber corresponding to the process chamber 1 is opened to make the lower internal pressure of the process chamber 1 equal to the internal pressure of the load lock chamber (not shown). At this time, the internal pressure of the process chamber 1 is considerably lower than the atmospheric pressure.
그런 다음에, 공정챔버(1)와 로드록챔버의 내부압력을 대기압으로 점진적으로 상승시킨다. 이때, 공정챔버(1)의 내부압력이 소정의 압력이상으로 되면, 스위치(9)가 온되고 이에 해당하는 전기적 신호를 설비 전체를 제어하는 제어부(도시안됨)에 전달한다. 이에 따라, 제어부는 평상시에 개방되어 있던 에어밸브(7)를 폐쇄시킨다.Then, the internal pressures of the process chamber 1 and the load lock chamber are gradually raised to atmospheric pressure. At this time, when the internal pressure of the process chamber 1 is more than the predetermined pressure, the switch 9 is turned on and transmits an electrical signal corresponding thereto to the controller (not shown) for controlling the entire facility. As a result, the control unit closes the air valve 7 which is normally open.
이어서, 작업자가 공정챔버(1)의 커버(도시안됨)를 개방하고 공정챔버(1)의 내벽에 흡착된 파티클 덩어리와 같은 오염원을 제거한다.The operator then opens the cover (not shown) of the process chamber 1 and removes contaminants, such as particle mass, adsorbed on the inner wall of the process chamber 1.
그런데, 공정챔버(1)의 커버가 개방되면, 대기가 엘보우(3)와 가스공급라인(5)에 유입된다. 따라서, 대기와, 엘보우(3)와 가스공급라인(5)의 내벽에 잔류하고 있던 가스, 예를 들어 Cl2, HBr, SF6등이 반응하고 이로 인해 엘보우(3)와 에어밸브(7)의 부식이 발생한다.However, when the cover of the process chamber 1 is opened, the atmosphere flows into the elbow 3 and the gas supply line 5. Accordingly, the atmosphere and the gas remaining on the inner wall of the elbow 3 and the gas supply line 5, for example, Cl 2 , HBr, SF 6, and the like react, thereby causing the elbow 3 and the air valve 7 to react. Corrosion occurs.
엘보우(3)와 에어밸브(7)의 부식은 엘보우(3)와 에어밸브(7)에서 누설(leakage)을 가져오고 결국에는 엘보우(3), 에어밸브(7), 필터(11) 그리고 가스공급라인(5)에서 대기와 잔류가스와의 반응을 유발시켜 엘보우(3), 에어밸브(7), 필터(11) 그리고 가스공급라인(5)을 오염시킨다.Corrosion of the elbow (3) and the air valve (7) leads to leakage from the elbow (3) and the air valve (7) and eventually elbow (3), air valve (7), filter (11) and gas The supply line 5 causes the reaction between the atmosphere and the residual gas to contaminate the elbow 3, the air valve 7, the filter 11 and the gas supply line 5.
이후, 공정챔버의 클리닝이 완료된 후 건식식각장치의 가동이 다시 이루어져 공정챔버(1)에 웨이퍼가 다시 투입되고 가스가 오염된 엘보우(3)와 가스공급라인(5) 및 에어밸브(7)를 거쳐 공정챔버(1)로 유입되면, 상기 가스도 오염된 상태로 공정챔버(1)로 유입되어 웨이퍼의 오염이 이루어진다.Then, after the cleaning of the process chamber is completed, the dry etching apparatus is restarted, and the wafer is re-injected into the process chamber 1, and the gas-contaminated elbow 3, the gas supply line 5, and the air valve 7 are removed. When the gas is introduced into the process chamber 1, the gas is also introduced into the process chamber 1 in a contaminated state to contaminate the wafer.
이는 건식식각장치의 공정 신뢰성을 떨어뜨리고 상기 웨이퍼에 형성될 집적회로의 불량을 유발시켜 웨이퍼레벨의 수율을 하락시키는 주된 요인으로서 작용하였다.This lowered the process reliability of the dry etching apparatus and caused a defect of the integrated circuit to be formed on the wafer, which acted as a major factor in decreasing the wafer level yield.
따라서, 본 발명의 목적은 공정챔버의 정비시 대기가 가스공급라인으로 유입하는 것을 차단하여 공정챔버에서의 웨이퍼 오염을 방지하도록 한 건식식각장치의 가스라인 구조를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a gas line structure of a dry etching apparatus to prevent the contamination of wafers in the process chamber by blocking the air from entering the gas supply line during maintenance of the process chamber.
도 1은 종래 기술에 의한 건식식각장치의 가스라인을 나타낸 구성도.1 is a block diagram showing a gas line of a conventional dry etching apparatus.
도 2는 본 발명에 의한 건식식각장치의 가스라인 구조를 나타낸 구성도.Figure 2 is a block diagram showing a gas line structure of a dry etching apparatus according to the present invention.
*도면의주요부분에대한부호의설명** Explanation of symbols on the main parts of the drawings *
1: 공정챔버3: 엘보우(elbow)1: process chamber 3: elbow
5: 가스공급라인 7: 에어밸브5: gas supply line 7: air valve
9: 스위치 11: 필터9: switch 11: filter
21: 오염방지용 가스공급라인 27: 에어밸브21: pollution prevention gas supply line 27: air valve
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 건식식각장치의 가스라인 구조는 공정챔버의 가스공급라인에 별도의 오염방지용 가스공급라인을 설치하고 오염방지용 가스공급라인에 개폐용 에어밸브를 설치하여 공정챔버의 정비시 질소를 가스공급라인으로 퍼징하도록 구성되어 있다. 정비시 대기 유입에 의한 에어밸브와 엘보우의 부식이 방지되고 가스공급라인의 오염이 방지되어 공정챔버에서의 웨이퍼 웨이퍼 오염이 방지된다. 따라서, 건식식각장치의 공정신뢰성이 향상되고 웨이퍼레벨의 양품수율이 향상된다.The gas line structure of the dry etching apparatus according to the present invention for achieving the above object is to install a separate pollution prevention gas supply line in the gas supply line of the process chamber and to install an air valve for opening and closing the pollution prevention gas supply line The chamber is configured to purge nitrogen into the gas supply line. During maintenance, air valves and elbows are prevented from being corroded and contamination of the gas supply line is prevented, thereby preventing wafer wafer contamination from the process chamber. Therefore, the process reliability of the dry etching apparatus is improved and the yield at the wafer level is improved.
이하, 본 발명에 의한 건식식각장치의 가스라인 구조를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여한다.Hereinafter, a gas line structure of a dry etching apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same code | symbol is attached | subjected to the part same as a conventional part.
도 2는 본 발명에 의한 건식식각장치의 가스라인 구조를 나타낸 구성도이다.2 is a block diagram showing a gas line structure of the dry etching apparatus according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 건식식각장치의 가스라인 구조는 오염방지부가 엘보우(3)와 필터(11) 사이의 가스공급라인(5)에 설치되는 것을 제외하면, 도 1의 구조와 동일하다. 여기서, 오염방지부는 공정챔버(1)의 정비시 공정챔버(1)에 오염방지용 가스를 공급하기 위해 가스공급라인(5)에 연통되는 오염방지용 가스공급라인(21)과, 오염방지용 가스공급라인(21)을 개폐하는 밸브(27)로 이루어져 있다.As shown in FIG. 2, the gas line structure of the dry etching apparatus is the same as that of FIG. 1 except that the contamination prevention unit is installed in the gas supply line 5 between the elbow 3 and the filter 11. . Here, the pollution prevention part is a pollution prevention gas supply line 21 and a pollution prevention gas supply line communicating with the gas supply line 5 to supply the pollution prevention gas to the process chamber 1 when the process chamber 1 is being maintained. It consists of the valve 27 which opens and closes 21.
이와 같이 구성되는 건식식각장치의 가스라인 구조의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the gas line structure of the dry etching device is configured as follows.
먼저, 건식식각장치가 소정의 시간이상으로 가동되고 나면, 공정챔버(1)의 내부에 공정의 부산물인 파티클이 흡착되어 덩어리를 형성하게 된다. 이후, 공정챔버(1)의 정비가 신속히 이루어지지 않으면, 상기 덩어리로부터 파티클이 분리되어 공정챔버(1)의 내부공간을 비산하므로 공정챔버(1)내에 투입된 웨이퍼(도시안됨)가 파티클에 의해 오염될 가능성이 높아진다.First, after the dry etching apparatus is operated for a predetermined time or more, particles, which are by-products of the process, are adsorbed in the process chamber 1 to form agglomerates. After that, if the maintenance of the process chamber 1 is not performed quickly, the particles are separated from the agglomerate and scatter the internal space of the process chamber 1, so that the wafer (not shown) introduced into the process chamber 1 is contaminated by the particles. Increase the likelihood.
따라서, 담당작업자가 이를 방지하기 위해 공정챔버의 클리닝을 정기적으로 실시한다. 이를 좀 더 상세히 언급하면, 담당작업자가 공정챔버(1)에 새로운 웨이퍼를 더 이상 투입시키지 않고 가스 저장고(도시안됨)의 밸브를 폐쇄시켜 가스 저장고의 가스가 가스공급라인(5)을 거쳐 공정챔버(1)로 공급되는 것을 중단시킨다.Therefore, the worker in charge regularly cleans the process chamber to prevent this. In more detail, the worker in charge of the gas reservoir (not shown) closes the valve of the gas reservoir (not shown) without any new wafers being introduced into the process chamber 1 so that the gas in the gas reservoir passes through the gas supply line 5. Stop supply to (1).
이후, 공정챔버(1)의 보다 낮은 내부압력을 로드록챔버(도시안됨)의 내부압력과 동일하게 하기 위해 공정챔버(1)에 해당하는 로드록챔버의 챔버 슬릿밸브를 개방시킨다. 이때, 공정챔버(1)의 내부압력은 대기압에 비하여 상당히 낮다.Thereafter, the chamber slit valve of the load lock chamber corresponding to the process chamber 1 is opened to make the lower internal pressure of the process chamber 1 equal to the internal pressure of the load lock chamber (not shown). At this time, the internal pressure of the process chamber 1 is considerably lower than the atmospheric pressure.
그런 다음에, 공정챔버(1)와 로드록챔버의 내부압력을 대기압으로 점진적으로 상승시킨다. 이때, 공정챔버(1)의 내부압력이 소정의 압력이상으로 되면, 스위치(9)가 온되고 이에 해당하는 전기적 신호를 설비 전체를 제어하는 제어부(도시안됨)에 전달한다. 이에 따라, 제어부는 평상시에 폐쇄되어 있던 개폐용 에어밸브(7), 예를 들어 에어 액튜에이터 밸브(air actuator valve)를 개방시키고 오염방지용 가스를 저장한 저장고(도시안됨)의 오염방지용 가스, 예를 들어 질소(N2)를 오염방지용 가스공급라인(21), 가스공급라인(5) 그리고 엘보우(3)를 거쳐 공정챔버(1)로 퍼징한다.Then, the internal pressures of the process chamber 1 and the load lock chamber are gradually raised to atmospheric pressure. At this time, when the internal pressure of the process chamber 1 is more than the predetermined pressure, the switch 9 is turned on and transmits an electrical signal corresponding thereto to the controller (not shown) for controlling the entire facility. Accordingly, the controller opens the air valve 7 for closing and closing the air, for example, an air actuator valve and prevents contamination of the reservoir (not shown) in the reservoir (not shown) that stores the gas for pollution prevention, for example. For example, nitrogen (N 2 ) is purged into the process chamber (1) through the pollution prevention gas supply line (21), the gas supply line (5) and the elbow (3).
이러한 상태에서 작업자가 공정챔버(1)의 커버(도시안됨)을 개방하고 공정챔버(1)의 내벽에 흡착된 파티클 덩어리와 같은 오염원을 제거한다.In this state, the operator opens the cover (not shown) of the process chamber 1 and removes a contaminant such as a particle mass adsorbed on the inner wall of the process chamber 1.
따라서, 공정챔버(1)의 커버가 개방되더라도 엘보우(3)와 가스공급라인(5)으로의 대기 유입이 차단되므로 엘보우(3)와 가스공급라인(5)의 내벽에 잔류하고 있던 가스, 예를 들어 Cl2, HBr, SF6등이 대기와 전혀 반응하지 않아 엘보우(3)와 에어밸브(7)의 부식이 방지된다. 이는 엘보우(3)와 에어밸브(7)에서의 누설(leakage)을 방지하여 엘보우(3), 에어밸브(7), 필터(11) 그리고 가스공급라인(5)의 오염을 방지시킨다. .Therefore, even if the cover of the process chamber 1 is opened, the inflow of air into the elbow 3 and the gas supply line 5 is blocked, so that the gas remaining on the inner wall of the elbow 3 and the gas supply line 5, for example, For example, Cl 2 , HBr, SF 6 and the like do not react at all with the air to prevent corrosion of the elbow 3 and the air valve 7. This prevents leakage of the elbow 3 and the air valve 7 to prevent contamination of the elbow 3, the air valve 7, the filter 11 and the gas supply line 5. .
이후, 공정챔버의 클리닝이 완료된 후 건식식각장치의 가동이 다시 이루어져 공정챔버(1)에 웨이퍼가 다시 투입되고 가스가 오염된 엘보우(3)와 가스공급라인(5) 및 에어밸브(7)를 거쳐 공정챔버(1)로 유입되면, 상기 가스는 오염되지 않은 상태로 공정챔버(1)로 유입되므로 웨이퍼가 공정챔버에서 처리되는 동안 오염물질이 웨이퍼에 떨어지는 것이 방지된다.Then, after the cleaning of the process chamber is completed, the dry etching apparatus is restarted, and the wafer is re-injected into the process chamber 1, and the gas-contaminated elbow 3, the gas supply line 5, and the air valve 7 are removed. When the gas is introduced into the process chamber 1, the gas is introduced into the process chamber 1 in an uncontaminated state, thereby preventing contaminants from falling onto the wafer while the wafer is processed in the process chamber.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 건식식각장치의 가스라인 구조는 공정챔버의 가스공급라인에 별도의 오염방지용 가스공급라인이 연통되고 오염방지용 가스공급라인에 에어밸브가 연통되어 있어 공정챔버의 정기적인 정비시 대기가 가스공급라인으로 유입되는 것을 방지하기 위해 기 폐쇄된 에어밸브를 개방하여 질소를 가스공급라인과 엘보우 및 공정챔버로 퍼징한다. 따라서, 대기가 가스공급라인과 엘보우에 잔류하던 가스와 반응하는 것이 방지되어 가스공급라인과 엘보우의 부식과 오염이 방지된다. 이로 인해, 공정챔버에서 처리되는 동안 웨이퍼에 파티클과 같은 오염물질이 떨어지지 않아 공정 신뢰성이 향상되고 웨이퍼레벨의 양품수율이 향상된다.As described above, in the gas line structure of the dry etching apparatus according to the present invention, a separate pollution prevention gas supply line is connected to the gas supply line of the process chamber, and an air valve is connected to the pollution prevention gas supply line. In order to prevent the atmosphere from entering the gas supply line during regular maintenance, a closed air valve is opened to purge nitrogen into the gas supply line, elbow and process chamber. Therefore, the atmosphere is prevented from reacting with the gas remaining in the gas supply line and the elbow to prevent corrosion and contamination of the gas supply line and the elbow. As a result, contaminants such as particles do not fall on the wafer during processing in the process chamber, thereby improving process reliability and increasing wafer-level yield.
한편, 본 발명은 건식식각장치에 한정되지 않고 진공챔버를 이용하는 다른 공정의 장치에 적용될 수 있음은 당연하다. 또한, 본 발명은 발명의 사상과 정신에 위배되지 않는 범위에서 다양한 변경과 변형이 가능함은 당 분야에 통상의 지식을 가진자에게는 자명한 사실이다.On the other hand, the present invention is not limited to the dry etching apparatus is naturally applicable to the apparatus of the other process using the vacuum chamber. In addition, it is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and spirit of the invention.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960065427A KR100234911B1 (en) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | Gas supplying line structure of dry etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960065427A KR100234911B1 (en) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | Gas supplying line structure of dry etching apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980046991A KR19980046991A (en) | 1998-09-15 |
| KR100234911B1 true KR100234911B1 (en) | 1999-12-15 |
Family
ID=19487702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960065427A KR100234911B1 (en) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | Gas supplying line structure of dry etching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100234911B1 (en) |
-
1996
- 1996-12-13 KR KR1019960065427A patent/KR100234911B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980046991A (en) | 1998-09-15 |
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