KR100231182B1 - Double anode electrode for fed - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자빔의 퍼짐방지를 위해 픽셀과 픽셀이 겹치는 부분의 형광층의 발광을 억제하도록 구성된 FED장치용 이중 애노우드 전극에 관한 것으로, FED장치의 애노우드 전극에 있어서, 애노우드상의 픽셀상의 경계부(13)선상안측으로 형성된 내부ITO전극(10)과, 상기외부ITO전극(12)사이에 차단부(15)를 두고 평행하게 픽셀의 경계부(13)선상을 따라 형성된 외부ITO전극(12)으로 구성되어 있어 전자빔의 퍼짐을 방지할 수 있어 화질의 선명도를 높일 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a double anode electrode for an FED device configured to suppress emission of a fluorescent layer of a portion where a pixel overlaps with a pixel for preventing spreading of an electron beam. In an anode electrode of an FED device, An inner ITO electrode 10 formed on the inner side of the pixel electrode 13 and an outer ITO electrode 12 formed on the boundary line 13 of the pixel in parallel with the blocking portion 15 between the outer ITO electrode 12 So that it is possible to prevent the spread of the electron beam, thereby improving the sharpness of the image quality.
Description
본 발명은 FED(Field-Emission Display) 장치에 관한 것으로, 특히 전자빔의 퍼짐방지를 위해 픽셀과 픽셀이 겹치는 부분의 형광층의 발광을 억제하도록 구성된 FED장치용 이중 애노우드 전극에 관한 것이다.Field of the Invention [0002] The present invention relates to a field-emission display (FED) apparatus, and more particularly, to a dual anode electrode for an FED apparatus configured to suppress emission of a fluorescent layer in a portion where a pixel overlaps with a pixel in order to prevent spreading of an electron beam.
일반적으로 FED는 평판 디스플레어의 일종으로서, 전자를 방출하는 팁형 또는 웨지(Wedge)형의 캐소우드와, 형광체가 도포된 애노우드로 이루어지며, 이 형광체에 상기 캐소우드의 임의의 곳으로부터 방출된 전자가 충돌하면, 형광체가 발광하여, 원하는 패턴 또는 문자나 기호를 표시하는 디스플레이이다. 또한 최소한의 전력소모로도 고해상도,고휘도의 칼라패턴을 표현할 수 있는 이점이 있다.Generally, the FED is a type of flat panel display, which comprises a tip-type or wedge-shaped cathode emitting electrons and an anode coated with a phosphor, and the phosphor is irradiated with light emitted from an arbitrary portion of the cathode When electrons collide, the phosphor emits light and displays a desired pattern or character or symbol. In addition, there is an advantage that a high-resolution color pattern can be expressed with a minimum power consumption.
이러한 FED는 전계집중을 위하여 마이크로팁형상의 캐소우드를 형성하며, 그위에 전계유도를 위한 게이트 및 형광체가 도포된 애노우드르 구성하고, 다수의 마이크로팁으로부터 전자방출을 유도하여, 발생된 전자를 투명전도막이 형성된 애노우드의 형광체에 충돌시킴으로써, 형광체가 자극을 받아 형광체의 최외각 전자들이 여기되고, 천이되는 과정에서 발생된 빛을 이용하여 원하는 화상표시를 수행하게 되는 것으로 FED장치에 관하여는 지속적으로 연구되어 오고 있다.Such an FED has a micro tip-shaped cathode formed for field concentration, an anode for applying an electric field and a fluorescent material coated thereon, an electron emission from a plurality of micro-tips, The phosphor is stimulated and the outermost electrons of the phosphor are excited by colliding with the phosphor of the anode formed with the transparent conductive film, so that desired image display is performed using the light generated in the course of the transition. As for the FED device, Have been studied.
종래의 FED장치용 애노우드상에 ITO전극이 형성되어 있는 것을 나타내는 도 1 을 참조하여 설명하면 다음과 같다.1, which shows that an ITO electrode is formed on an anode for a conventional FED device, will be described below.
애노우드 전극상에 ITO(Indium Tin Oxide)전극(1)이 전면에 코팅되어 있으며 상기 ITO전극(1)상에 형광체층이 도포되어 픽셀과 픽셀의 경계부(3)에 맞붙어 있고 애노우드공통전극(4)을 사용하여 오고 있었다.An ITO (Indium Tin Oxide) electrode 1 is coated on the entire surface of an anode electrode. A phosphor layer is coated on the ITO electrode 1 and is applied to the boundary portion 3 between the pixel and the pixel. 4).
상기와 같이 종래의 FED장치의 애노우드전극의 전체가 ITO전극(1)에 의해 공통전극(4)으로 묶여 있는 것으로 픽셀과 픽셀의 경계부(3)상에 맞붙어 형성되어 있으므로 에미터에서 분산된 전자빔이 이웃하고 있는 픽셀측으로 조사되므로 이웃하고 있는 형광체층을 발광시키게 된다.As described above, since the entirety of the anode electrode of the conventional FED device is bound to the common electrode 4 by the ITO electrode 1 and is formed on the boundary portion 3 between the pixel and the pixel, Is irradiated to the adjacent pixel side, so that the neighboring phosphor layer is emitted.
상기 FED장치의 에미터에 의해 방출된 전자는 전방으로 약 60。의 각도로 비산하게 되는데 전자빔의 퍼짐각을 가지므로 해당 픽셀(Pixel)의 형광층뿐만 아니라 이웃하고 있는 픽셀의 형광층까지도 발광시킴으로써 화질을 저하시키게 되는 이는 애노우드 전극상의 전위차(Potential)가 균일하기 때문에 발생되는 문제점이 있었다.The electrons emitted by the emitter of the FED device scatter forward at an angle of about 60. Since the electron beam has a spreading angle, not only the fluorescent layer of the pixel but also the fluorescent layer of neighboring pixels emits light The image quality is deteriorated because the potential difference on the anode electrode is uniform.
따라서, 상기와 같은 종래의 문제점을 감안하여 창출된 것으로, 본 고안의 목적은 애노우드 전극상에 두 개의 애노우드 전극을 형성하여 서로 다른 전압을 인가하므로 전자빔의 퍼짐을 방지할 수 있는 FED장치용 이중 애노우드를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide an FED device capable of preventing spread of an electron beam by forming two anode electrodes on an anode electrode and applying different voltages thereto. To provide double anodes.
도 1 은 종래의 FED장치용 애노우드상의 ITO전극이 형성되어 있는 것을 나타내는 도면.1 is a view showing an ITO electrode on an anode for a conventional FED device formed.
도 2 는 본 고안의 FED장치용 이중 애노우드 전극의 구조를 나타내는 도면.2 is a view showing a structure of a double anode electrode for an FED device according to the present invention;
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art
10: 내부ITO전극 12: 외부ITO전극10: inner ITO electrode 12: outer ITO electrode
13: 경계부 15: 차단부13: boundary 15:
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 FED장치용 이중 애노우드 전극은 애노우드상의 픽셀상의 경계부 선상안측으로 형성된 내부ITO전극과, 상기 내부ITO전극사이에 차단부를 두고 평행하게 픽셀의 경계부 선상을 따라 형성된 외부ITO전극으로 구성되어 있다.In order to accomplish the above object, the double anode electrode for an FED device of the present invention includes an inner ITO electrode formed on an inner side of a boundary line on a pixel on an anode, and a barrier between the inner ITO electrode and a boundary of the pixel in parallel And an external ITO electrode formed on the substrate.
상기와 같이 구성된 본 발명의 FED장치용 이중 애노우드 전극을 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.The double anode electrode for the FED device of the present invention constructed as above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 는 본 고안의 FED장치용 이중 애노우드 전극의 구조를 나타내는 도면이다.Fig. 2 is a view showing a structure of a double anode electrode for an FED device according to the present invention. Fig.
애노우드 전극상에 픽셀의 경계부(13) 선상내부에 평행하게 내부ITO전극(10)에 전압 걸고 픽셀의 경계부(13) 선상을 따라 형성되어 있는 외부ITO전극(12)에는 다른 전압을 걸게하고, 상기 내부ITO전극(10)과 외부ITO전극(12)의 서로 다른 전압이 어스가 되지 않도록 사이에 차단부(15)를 형성하여 두고 있다.A voltage is applied to the inner ITO electrode 10 parallel to the inner boundary of the boundary 13 of the pixel on the anodic electrode and to the outer ITO electrode 12 formed along the boundary 13 of the pixel, A blocking portion 15 is formed between the inner ITO electrode 10 and the outer ITO electrode 12 so that different voltages are not grounded.
픽셀내의 애노우드전극을 내부ITO전극(10)과 외부ITO전극(12)으로 나누고 각각 서로 다른 전압을 인가함으로써 다른 전압의 흐름으로 인하여 분산되어 진행하던 전자빔은 인가되는 전위차에 의해 해당하는 픽셀의 형광층으로 집속시킨다.The anode electrode in the pixel is divided into the inner ITO electrode 10 and the outer ITO electrode 12, and different voltages are applied to the inner ITO electrode 10 and the outer ITO electrode 12, respectively. As a result, Layer.
본 발명은 애노우드 전극상에 이중 애노우 형성하므로 전자빔의 퍼짐을 방지으로 이웃하고 있는 픽셀의 형과층 영역으로 전자빔이 방출되지 않으므로 형광체의 발광을 억제함으로써 화질이 선명해지는 효과가 있다.Since the present invention forms a double annulus on the anode electrode, electron beam is not emitted to the neighboring pixel type and layer region by preventing spreading of the electron beam, so that the image quality is improved by suppressing the emission of the phosphor.
또한, 본 발명은 FED장치의 고해상도를 요구하는 장치에 유리하며 색순도, 콘트라스트의 향상뿐아니라 집속되는 전자빔에 의해 발광효율도 개선되는 효과도 있다.Further, the present invention is advantageous for an apparatus requiring high resolution of the FED apparatus, and has an effect of improving the color purity and contrast as well as improving the light emission efficiency by the focused electron beam.
Claims (2)
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KR1019960042168A KR100231182B1 (en) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Double anode electrode for fed |
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KR1019960042168A KR100231182B1 (en) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Double anode electrode for fed |
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019960042168A KR100231182B1 (en) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Double anode electrode for fed |
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- 1996-09-24 KR KR1019960042168A patent/KR100231182B1/en not_active IP Right Cessation
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