KR100230067B1 - Manufacturing method of spacer for field emission display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전계 방출 표시소자(FED)용 스페이서를 제조하기 위하여 기판 상부에 포토레지스트를 코팅한 후 원하는 부분을 식각하고 상기 포토레지스트 물질 상부에 하드마스크를 정렬시켜 홀에 몰딩법이나 디핑법, 스프레이법에 의해 스페이서를 형성하는 전계방출 표시소자용 스페이서의 제조방법에 관한 것으로서 소자의 오염없이 낮은 비용으로 스페이서를 제조할 수 있다.According to the present invention, a photoresist is coated on a substrate to manufacture a spacer for a field emission display device (FED), and then a desired portion is etched and a hard mask is aligned on the photoresist material, thereby molding, dipping, or spraying holes. The present invention relates to a method for manufacturing a spacer for a field emission display device that forms a spacer by the method, and the spacer can be manufactured at low cost without contamination of the device.

Description

전계방출 표시소자용 스페이서의 제조방법Method of manufacturing spacer for field emission display device

제1도는 일반적인 팁형 에미터를 갖는 전계방출 표시소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a field emission display device having a general tip type emitter.

제2(a)도 내지 제2(e)도는 본 발명에 따른 스페이서의 제조공정을 순차적으로 나타낸 단면도.2 (a) to 2 (e) are cross-sectional views sequentially showing the manufacturing process of the spacer according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 전계방출 표시소자 11 : 하부기판10: field emission display device 11: lower substrate

12 : 팁형에미터 13 : 캐소드 전극12 tip type emitter 13 cathode electrode

14 : 절연체 15 : 게이트 전극14 insulator 15 gate electrode

16 : 상부기판 17 : 애노드 전극16: upper substrate 17: anode electrode

18 : 형광체 19 : 스페이서18: phosphor 19: spacer

20 : 실링물 21 : 배기구20: sealing material 21: exhaust port

22 : 배기용 세관 100 : 상부기판22: Customs for exhaust 100: Upper substrate

110 : 화소단위의 형광체 120 : 포토레지스트110: phosphor in pixel unit 120: photoresist

130 : 하드마스크 140 : 스페이서130: hard mask 140: spacer

본 발명은 전계 방출 표시소자(FED)용 스페이서의 제조방법에 관한 것으로, 특히 기판 상부에 포토레지스트를 코팅한 후, 원하는 부분을 식각하고 상기 포토레지스트 상부에 하드마스크를 정렬시켜 홀에 몰딩법이나 디핑법, 스프레이법에 의해 스페이서를 형성하는 전계방출 표시소자용 스페이서의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a spacer for a field emission display device (FED), in particular, after coating a photoresist on a substrate, etching a desired portion, and arranging a hard mask on the photoresist to form holes in The manufacturing method of the spacer for field emission display elements which forms a spacer by the dipping method and the spray method.

일반적으로 전계방출 표시소자의 구조는 제1도에 도시된 바와 같이 캐소드 전극(13)과 게이트 전극(15) 및 팁형 에미터(12)와 절연체(14) 등으로 형성되는 필드 에미터가 형성되어 있는 하부기판(11)과, 애노드 전극(17)과 형광체(18)가 도포된 상부기판(16)과, 상기 상하부기판(11,16)의 일정한 간격을 유지하기 위한 스페이서(9)와, 상기 스페이서(9)에 의해 접합된 두 기판사이의 공간을 밀봉시키는 실링물(20)로 구성되어 있다. 이때 상기 두기판(11,16)사이의 공간을 진공상태로 만들기 위하여 하부기판(11) 상에 배기구(21)를 형성하고 유리세관(22)을 삽입하여 공기를 배출시킨 후 밀봉시킨다.In general, the field emission display device has a field emitter formed of a cathode electrode 13, a gate electrode 15, a tip type emitter 12, an insulator 14, and the like, as shown in FIG. A lower substrate 11, an upper electrode 16 coated with the anode electrode 17 and the phosphor 18, a spacer 9 for maintaining a constant distance between the upper and lower substrates 11 and 16, and It consists of the sealing material 20 which seals the space between two board | substrates joined by the spacer 9. As shown in FIG. At this time, in order to make the space between the two substrates 11 and 16 into a vacuum state, an exhaust port 21 is formed on the lower substrate 11 and the glass tubule 22 is inserted to discharge air and then sealed.

상기에서 스페이서(19)는 상부기판(16)과 하부기판(11) 사이의 공간을 일정한 간격으로 유지시켜 주어 소자로서 제 기능을 발휘하도록 하여준다.The spacer 19 maintains the space between the upper substrate 16 and the lower substrate 11 at regular intervals so that the spacer 19 can function as a device.

상기 스페이서를 제조하는 종래의 방법으로는 대략적으로 4가지가 사용되고 있는데, 먼저 전계방출 표시소자의 필드 에미터가 형성되어 있는 하부기판에 전체적으로 원하는 두께의 스페이서용 재료를 도포한 다음, 상기 도포된 스페이서용 재료 상부에 포토레지스트와 같은 레지스트 물질을 코팅하여 마스크를 사용해 스페이서용 재료를 부분적으로 식각하여 스페이서를 제작하는 방법이 있다.Four conventional methods for manufacturing the spacer are used. First, a spacer material having a desired thickness as a whole is applied to a lower substrate on which a field emitter of a field emission display device is formed, and then the coated spacer is applied. There is a method of manufacturing a spacer by coating a resist material, such as a photoresist, on the material and partially etching the spacer material using a mask.

다른 방법으로는 스크린프린팅법을 사용하여 스페이서를 제작하는 방법으로서, 필드 에미터가 형성되어 있는 하부기판상의 스페이서가 형성될 부분만을 스크린 프린터법으로 원하는 형상의 스페이서를 형성하는 방법이다.Another method is to produce a spacer using a screen printing method, in which only a portion where a spacer on a lower substrate on which a field emitter is formed is to be formed is formed by a screen printer method to form a spacer having a desired shape.

또 다른 방법으로는 물리적인 증착법에 의해 소정부분에만 스페이서를 형성하는 방법으로서, 필드 에미터가 형성된 하부기판 상부에 마스크를 정렬시켜서 마스크 홀로 인하여 노출된 하부기판상에 스페이서용 재료를 물리적인 증착법을 사용하여 스페이서를 형성한 후 상기 마스크를 제거하는 방법이 있다.In another method, a spacer is formed only on a predetermined portion by physical vapor deposition. A mask is aligned on a lower substrate on which a field emitter is formed to physically deposit a spacer material on the lower substrate exposed by a mask hole. There is a method of removing the mask after forming a spacer using the same.

또 다른 방법으로는 별도로 제조된 스페이서를 이용하는 방법으로, 원하는 크기의 스페이서 형상을 별도로 제작한 다음, 필드 에미터가 형성되어 있는 하부기판이나, 혹은 형광체와 애노드 전극이 형성되어 있는 상부기판의 소정부분에 상기 별도 제조된 스페이서를 고정시켜 스페이서의 기능을 하게 하는 방법등이 있었다.Another method is to use a spacer manufactured separately, and to produce a spacer shape having a desired size separately, and then to a predetermined portion of a lower substrate on which a field emitter is formed, or an upper substrate on which phosphor and anode electrodes are formed. There was a method for fixing the separately prepared spacer to the function of the spacer.

그러나 상기의 스페이서 제조방법들은 각각의 문제점들을 내포하고 있다.However, the above spacer manufacturing methods have respective problems.

먼저 하부기판 상부에 스페이서용 물질을 전체면적에 도포한 다음 스페이서가 형성될 부분만을 제외하고 식각을 실시하는 방법은 스페이서 형성될 부분의 스페이서 물질을 제거하면서 하부기판에 형성되어 있는 필드 에미터의 에미터와 게이트 전극등이 손상될 수 있으며, 상기 필드 에미터의 모서리부분과 같이 각진곳의 스페이서 재료가 완전히 제거되지 않아 전계방출 표시소자 제조 후 성능이 떨어진다는 문제점이 있다.First, the spacer material is applied to the entire area of the lower substrate, and then etching is performed except for the portion where the spacer is to be formed. The emitter of the field emitter formed on the lower substrate is removed while removing the spacer material of the portion where the spacer is to be formed. The gate and the electrode may be damaged, and there is a problem in that the performance of the field emission display device is degraded since the spacer material at the angular portions such as the edge of the field emitter is not completely removed.

또한 스크린 프린트 법에 의한 스페이서의 제조방법은 한번에 원하는 두께만큼의 스페이서를 정교하게 도포할 수 없으므로 몇 차례의 스크린프린트를 동일한 위치에 반복적으로 실시해야 하기 때문에 위치를 맞추는데 문제점이 있다.In addition, the manufacturing method of the spacer by the screen printing method has a problem in adjusting the position because it is not possible to precisely apply the spacer of the desired thickness at a time because several screen prints must be repeatedly performed at the same position.

다음으로 포토레지스트를 이용한 포토리소그라피법에 의해 스페이서를 형성하는 방법은 포토레지스트 마스크의 두께를 수십내지 수백미크론 두께로 코팅한후 노광시켜야하는데 상기 노광시키기 위한 광원을 확보하기가 어려운 문제점이 있다.Next, a method of forming a spacer by a photolithography method using a photoresist has to be exposed after coating the thickness of the photoresist mask to a thickness of several tens to hundreds of microns, which makes it difficult to secure a light source for the exposure.

마지막으로 스페이서를 별도로 제작한 다음 상부기판이나 하부기판에 고정시켜 스페이서로 사용하는 방법은 별도로 제작되는 스페이서의 크기가 수십 내지 수백 미크론 밖에는 되지 않기 때문에 상부기판 또는 하부기판의 원하는 위치에 이미 제작한 스페이서를 고정시키는 것이 어렵다는 문제점이 있다.Finally, the spacer is manufactured separately and then fixed to the upper substrate or the lower substrate to be used as a spacer. Since the size of the spacer to be manufactured is only tens to hundreds of microns, the spacer is already manufactured at the desired position of the upper substrate or the lower substrate. There is a problem that it is difficult to fix the.

따라서 상기 문제점들을 해결하기 위하여 본 발명은 전계방출 표시소자로 제조될 상부기판 또는 하부기판의 어느 한곳에 포토리소그라피법으로 스페이서가 제작될 부분만을 남기고 포토레지스트로 보호층을 코팅하고, 상기 포토레지스트 상부에 하드마스크를 정렬시킨 후, 스페이서 물질을 마스트 홀에 몰딩시켜 스페이서를 형성함으로써 전계방출 표시소자의 손상을 줄이면서 스페이서를 손쉽고 값싸게 제조하는 것을 목적으로 한다.Therefore, in order to solve the above problems, the present invention is to coat the protective layer with a photoresist, leaving only a portion of the upper substrate or the lower substrate to be manufactured by the field emission display device to be produced by the photolithography method, the photoresist, and on top of the photoresist After aligning the hard mask, the spacer material is molded into a mast hole to form a spacer, thereby easily and inexpensively manufacturing the spacer while reducing damage to the field emission display device.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 스페이서를 형성할 기판을 선택하여 소자보호용 포토레지스트 물질을 코팅하는 단계와, 상기 소자 상부에 코팅된 포토레지스트 물질을 포토리소그라피법에 의해 스페이서가 제조될 부분만을 제거하는 단계와, 상기 스페이서가 형성될 부분이 제거된 포토레지스트 물질 상부에 하드마스크를 정렬하는 단계와, 상기 스페이서가 형성될 하드마스크 홀에 스페이서 재료를 몰딩시키는 단계와, 상기 몰딩된 스페이서 재료의 수분을 제거하는 단계와, 상기 하드마스크 물질과 포토레지스트를 순차적으로 제거하는 단계와, 상기 스페이서 재료의 아웃개싱과 기계적 특성을 향상시키기 위하여 300℃이상의 온도에서 소성시키는 단계를 포함하여 전계방출 표시소자용 스페이서를 제조하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention selects a substrate on which a spacer is to be formed and coats a photoresist material for protecting the device, and removes only a portion of the photoresist material coated on the device by photolithography. Aligning a hardmask on top of the photoresist material from which the spacers are to be removed, molding a spacer material into the hardmask hole where the spacers are to be formed, and moisture in the molded spacer material. Removing the hard mask material and the photoresist sequentially, and firing at a temperature of 300 ° C. or higher to improve the outgassing and mechanical properties of the spacer material. It is characterized by producing a spacer.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 스페이서는 상부기판 또는 하부기판 어느 곳에 제조하여도 되지만, 전계방출 표시소자의 에미터가 박막형 일때는 캐소드 전극이 형성되어 있는 하부기판 혹은 형광체와 애노드 전극이 형성되어 있는 상부 기판 어느곳에 스페이서를 형성하여도 되고, 에미터가 팁형 에미터일 경우에는 하부기판 보다 형광체가 도포되어 있는 상부기판에 스페이서를 형성하는 것이 좋다.The spacer according to the present invention may be manufactured on either the upper substrate or the lower substrate. However, when the emitter of the field emission display device is a thin film type, the lower substrate on which the cathode electrode is formed or the upper substrate on which the phosphor and the anode electrode are formed. In the case where the emitter is a tip type emitter, the spacer may be formed on the upper substrate to which the phosphor is applied, rather than the lower substrate.

제2(a)도 내지 제2(e)도는 본 발명에 따른 스페이서의 제조공정을 순차적으로 나타낸 것으로써, 상기 방법은 애노드 전극과 화소단위로 형광체(110)가 형성되어 있는 상부기판(100)에 스페이서를 제조하는 방법이다.2 (a) to 2 (e) show the manufacturing process of the spacer according to the present invention in sequence, the method is the upper substrate 100 in which the phosphor 110 is formed by the anode electrode and pixel unit Is a method of manufacturing a spacer.

먼저 제2(a)도는 투명전극(보이지 않음)이 형성된 상부기판(100) 상부에 화소단위로 형광체(110)가 형성되어 있는 것을 나타낸 것이고, 제2(b)도는 상기 상부기판(100)상의 형광체(110)를 보호하기 위하여 보호층으로 포토레지스트(120)를 스핀코팅 방법에 의해 코팅을 실시한 다음, 포토리소그라피 법을 사용하여 스페이서가 형성될 부분의 포토레지스트를 제거한 것을 나타낸 것이다. 이때 코팅되는 포토레지스트 물질의 두께는 50미크론 이내이다.First, FIG. 2 (a) shows that the phosphor 110 is formed in pixel units on the upper substrate 100 on which the transparent electrode (not shown) is formed. FIG. In order to protect the phosphor 110, the photoresist 120 is coated with a protective layer by a spin coating method, and then the photoresist is removed by using a photolithography method. The thickness of the photoresist material to be coated is then within 50 microns.

다음으로 제2(c)도는 제2(b)도의 포토레지스트(120) 상부에 제조하고자 하는 스페이서의 두께 만큼 하드마스크(130)를 부분식각된 포토레지스트에 접촉하게 정렬시켜 형성한 것을 나타낸 것으로써, 이때 가장 중요한 것은 하드마스크(130)의 홀과 포토레지스트(120)의 포토리소그라피법에 의해 식각된 부분이 일치되게 정렬시켜야 한다는 것이다.Next, FIG. 2 (c) shows that the hard mask 130 is formed by contacting the partially etched photoresist by the thickness of the spacer to be manufactured on the photoresist 120 of FIG. In this case, the most important thing is that the holes of the hard mask 130 and the portions etched by the photolithography method of the photoresist 120 should be aligned.

다음으로 제2(d)도는 제2(c)도의 하드마스크(130) 홀과 포토레지스트(12)가 식각된 부분에 스페이서(140) 물질을 몰딩시킨 것을 나타낸 것으로써, 상기 사용되는 몰딩법으로는 스크린프린트법, 디핑법, 증착법 또는 스프레이법등을 사용할 수 있다. 이때 상기 스페이서(140) 재료로는 유전체분말 또는 유리분말이 함유된 페이스트, 폴리머 또는 프릿유리 등이 사용된다.Next, FIG. 2 (d) shows the molding of the spacer 140 material in the portion where the hard mask 130 hole and the photoresist 12 are etched in FIG. 2 (c). As shown in FIG. The screen printing method, the dipping method, the vapor deposition method, or the spray method can be used. In this case, as the material of the spacer 140, a paste containing a dielectric powder or a glass powder, a polymer, or frit glass is used.

다음으로 제2(e)도는 상기 제2(d)도의 하드마스크(130)와 포토레지스트(120)를 순차적으로 제거하여 스페이서(140)를 형성한 것을 나타낸 것으로서, 상기 하드마스크(130)를 제거하기 전 또는 제거한 후에 스페이서용 물질의 수분을 제거해야 한다.Next, FIG. 2 (e) shows that the spacers 140 are formed by sequentially removing the hard mask 130 and the photoresist 120 of FIG. 2 (d), and the hard mask 130 is removed. The moisture of the spacer material should be removed before or after removal.

다음으로 상기 수분이 제거된 스페이서(140)가 형성되어 있는 상부기판(100)을 진공 또는 대기중에서 300℃ 이상의 온도에서 소성시켜 스페이서(140) 재료의 아웃개싱 특성과 기계적 특성을 향상시킨 스페이서(140)를 제조할 수 있다.Next, the spacer 140 is formed by baking the upper substrate 100 on which the spacer 140 from which the moisture is removed is formed at a temperature of 300 ° C. or higher in a vacuum or air, thereby improving the outgassing and mechanical properties of the spacer 140 material. ) Can be prepared.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 스페이서의 제조방법은 하드마스크의 두께를 조절함으로써 스페이서의 높이를 쉽게 조절할 수 있고, 스크린 프린트법으로 몰딩을 실시할 경우 한번에 100미크론 이상의 긴 스페이서를 제조할 수 있으며, 마스크와 기판을 정렬하는 것이 쉬우며, 보호층으로 포토레지스트 물질을 사용함으로써 소자의 손상을 줄일 수 있다.As described above, the spacer manufacturing method according to the present invention can easily adjust the height of the spacer by adjusting the thickness of the hard mask, when molding by screen printing method can produce a long spacer of 100 microns or more at a time, Aligning the mask with the substrate is easy and damage to the device can be reduced by using a photoresist material as the protective layer.

또한 하드마스크를 사용함으로써 미세한 마스크홀을 정교하게 만들 수 있어 스페이서를 정교하게 제작할 수 있다.In addition, by using a hard mask, fine mask holes can be precisely manufactured, so that spacers can be precisely manufactured.

또한 상기 하드마스크를 사용하여 홀에만 스크린프린트법, 디핑법 또는 스프레이법을 사용하여 스페이서 재료를 몰딩하므로써 소자의 오염없이 낮은 비용으로 스페이서를 제조할 수 있다.In addition, by using the hard mask to mold the spacer material using the screen printing method, the dipping method or the spray method only in the holes, the spacer can be manufactured at low cost without contamination of the device.

Claims (8)

스페이서를 형성할 기판을 선택하여 소자보호용 포토레지스트 물질을 코팅하는 단계와, 상기 소자 상부에 코팅된 포토레지스트 물질을 포토리소그라피법에 의해 스페이서가 제조될 부분만을 제거하는 단계와, 상기 스페이서가 형성될 부분이 제거된 포토레지스트 물질 상부에 하드마스크를 정렬시키는 단계와, 상기 스페이서가 형성될 마스크 홀에 스페이서 재료를 몰딩시키는 단계와, 상기 몰딩된 스페이서 재료의 수분을 제거하는 단계와, 상기 하드마스크 물질과 포토레지스트를 순차적으로 제거하는 단계와, 상기 스페이서 재료의 아웃개싱과 기계적 특성을 향상시키기 위하여 소성시키는 단계를 포함하는 전계방출 표시소자용 스페이서 제조방법.Selecting a substrate on which the spacers are to be formed and coating a device protection photoresist material, removing only the portion where the spacers are to be manufactured by photolithography from the photoresist material coated on the device, and forming the spacers Aligning the hard mask over the portion of the photoresist material from which the portion has been removed, molding a spacer material into the mask hole where the spacer is to be formed, removing moisture from the molded spacer material, and And sequentially removing the photoresist, and firing to improve the outgassing and mechanical properties of the spacer material. 제1항에 있어서, 상기 스페이서의 높이는 하드마스크의 두께를 조절함으로써 높이조절이 가능한 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 스페이서 제조방법.The method of claim 1, wherein the height of the spacer is adjustable by adjusting a thickness of a hard mask. 제1항에 있어서, 상기 하드마스크의 재료로 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 스페이서 제조방법.The method of manufacturing a spacer for a field emission display device according to claim 1, wherein a metal is used as a material of the hard mask. 제1항에 있어서, 상기 보호층인 포토레지스트 물질의 두께는 50미크론 이내로 하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 스페이서 제조방법.The method of claim 1, wherein the protective layer has a thickness of 50 microns or less. 제1항에 있어서, 상기 스페이서용 물질로 유전체분말 또는 유리분말을 함유한 페이스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 스페이서 제조방법.The method of manufacturing a spacer for a field emission display device according to claim 1, wherein a paste containing a dielectric powder or a glass powder is used as the spacer material. 제1항에 있어서, 상기 스페이서용 물질로 폴리머를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 스페이서 제조방법.The method of manufacturing a spacer for a field emission display device according to claim 1, wherein a polymer is used as the spacer material. 제1항에 있어서, 상기 하드마스크의 홀에 스페이서용 물질을 몰딩하는 방법으로 스크린프린터법, 스프레이법, 증착법 또는 디핑법을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 스페이서 제조방법.The method of claim 1, wherein a screen printer method, a spray method, a vapor deposition method, or a dipping method is used as a method of molding a spacer material into the hole of the hard mask. 제1항에 있어서, 상기 스페이서를 소성하는 온도는 300℃ 이상인 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 스페이서 제조방법.The method of claim 1, wherein the temperature at which the spacers are fired is 300 ° C. or higher.
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