KR100229033B1 - Power reducing device and method in writing of nonvolatile memory - Google Patents

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 :1. Field of the Invention:

비휘발성 메모리에 기록시 전원을 절약하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.To an apparatus and method for saving power when writing to a nonvolatile memory.

2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 :2. Technical Problems to be Solved by the Invention:

재 기록이 가능한 비휘발성 메모리에 기록 데이터를 기록함에 있어, 사용되지 않은 영역을 먼저 기록하고, 소거가 요망되는 영역을 전원이 공급될 시 일괄삭제하기 위한 비휘발성 메모리에 기록시 시스템의 절전 장치 및 방법을 제공한다.Volatile memory for recording in a nonvolatile memory for recording unused areas in a nonvolatile memory capable of being rewritable, and for deleting a region required to be erased when power is supplied, ≪ / RTI >

3. 발명의 해결방법의 요지 :3. The point of the inventive solution:

데이터의 재 기록이 가능한 비 휘발성 메모리와, 상기 비휘발성 메모리로 부터의 삭제데이터를 임시 저장하는 영역과, 전원공급부와, 상기 전원공급부의 전원을 동작전원으로 입력하는 제어부에서, 상기 제어부가 상기 비휘발성 메모리에 기록하기 위한 방법은 상기 전원이 동작전원으로 입력될 시 상기 임시 저장영역의 삭제 데이터를 소거하는 과정과, 기록 데이터가 발생될 시 상기 비휘발성 메모리 유휴영역의 존재를 확인하는 과정과, 상기 유휴영역이 존재하지 않을 시 가장 오래된 데이터를 삭제한 후 기록하는 과정과, 상기 삭제 데이터가 존재할 시 상기 삭제 데이터를 상기 임시 저장 영역에 저장하는 과정으로 이룬다.A nonvolatile memory capable of rewriting data; an area for temporarily storing deletion data from the nonvolatile memory; a power supply section; and a control section for inputting power of the power supply section as an operation power supply, A method for writing to a volatile memory, the method comprising: erasing erase data in the temporary storage area when the power source is input to an operation power source; checking existence of the non-volatile memory idle area when write data is generated; Storing the erased data in the temporary storage area when the erased data is present, and erasing the oldest data if the erased area is not present.

4. 발명의 중요한 용도 :4. Important Uses of the Invention:

비휘발성 메모리를 사용하는 기기에 있어 전원의 소모를 최소화하기 위해 이를 구현한다.This is implemented to minimize the power consumption of devices using non-volatile memory.

Description

비휘발성 메모리에 기록시 시스템의 절전 장치 및 방법Apparatus and method for saving power in a nonvolatile memory

본 발명은 비 휘발성 메모리를 사용하는 시스템에 관한 것으로, 특히 상기 비휘발성 메모리에 데이터를 기록할 시 상기 시스템의 전원을 절약하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a system using a nonvolatile memory, and more particularly, to an apparatus and a method for saving power of the system when writing data to the nonvolatile memory.

통상적으로 메모리는 크게 휘발성과 비휘발성 메모리로 나뉜다. 비휘발성 메모리는 전력소모 및 가격 등의 이유로 정전시에도 지워지지 않는 정보의 기록을 위해 사용하게 된다. 이에 상기 비 휘발성 메모리 중 EEPROM(Electrically programmable Read-Only Memory) 및 플래쉬 메모리(flash memory)는 부분적으로 기록이 가능하고, 고쳐쓸 수 있는 메모리 소자이다.Typically, memory is divided into volatile and nonvolatile memory. The nonvolatile memory is used for recording information that can not be erased even during a power failure due to power consumption and price. An EEPROM (Electrically Programmable Read-Only Memory) and a flash memory among the nonvolatile memories are partly writable and rewritable memory devices.

제1도는 통상적으로 메모리를 제어하기 위한 시스템의 블록구성도를 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하 상기 제1도를 참조하면, 전원공급부 16은 전지 혹은 외부전원(전동선, 차량용 전원) 등의 전원을 구비하여 시스템에 필요한 전원을 공급한다. 제어부 12는 상기 시스템을 전반적으로 제어하여, 상기 전원을 동작전원으로 입력한다. I/O(In/Out) 포트(port) 14는 상기 전원공급부 16과 상기 제어부 12사이에 위치하여 상기 전원공급부 16의 전원을 제어부 12의 동작전원으로 출력한다. 또한 외부 전원이 전원회로에 연결됨을 상기 제어부 12가 인식하기 위해서 상기 I/O 또는 14는 인터럽트 모드나 폴링 모드로 설정가능하다. 플래쉬 메모리 18은 비휘발성 메모리의 한 예로서 상기 제어부 12의 제어하에 데이터가 억세스된다.FIG. 1 is a diagram schematically showing a block diagram of a system for controlling a memory. Referring to FIG. 1, the power supply unit 16 includes a power source such as a battery or an external power source (electric line, vehicle power source) to supply power to the system. The controller 12 controls the system as a whole, and inputs the power as the operating power. An I / O port 14 is located between the power supply unit 16 and the controller 12 and outputs power of the power supply unit 16 to the operation power of the controller 12. Also, the I / O or 14 may be set to an interrupt mode or a polling mode so that the controller 12 recognizes that the external power source is connected to the power supply circuit. The flash memory 18 is an example of a nonvolatile memory and data is accessed under the control of the control unit 12. [

제2도는 제1도에서 플래쉬 메모리 18과 제어부 12의 인터페이스 관계를 보여주는 도면이다. 이하 상기 제2도를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.FIG. 2 is a view showing an interface relation between the flash memory 18 and the controller 12 in FIG. Hereinafter, this will be described in detail with reference to FIG.

제어부 12는 플래쉬 메모리 18와 어드레스 버스, 데이터 버스, 로직부 22로 접속되어 있다. 로직부22는 상기 제어부 12로 부터 어드레스를 입력하여 칩인에이블신호 / CE를 출력하고, 라이트신호 /WR가 입력될 시 라이트인에이브 /WE를 출력하고, 리드신호 /RD가 입력될 시 아웃인에이블 / OE를 출력한다. 플래쉬 메모리 18은 제어신호들에 의거하여 해당되는 데이터를 데이터 버스를 통해 출력하고, 상기 데이터 버스를 통해 입력되는 기록데이터를 해당 영역에 기록한다.The control unit 12 is connected to the flash memory 18, the address bus, the data bus, and the logic unit 22. The logic unit 22 inputs an address from the control unit 12 to output a chip enable signal / CE, a write enable / WE when a write signal / WR is input, a read enable / / OE. The flash memory 18 outputs the corresponding data through the data bus based on the control signals, and records the write data input through the data bus in the corresponding area.

제3a-3d은 제2동에서 플래쉬 메모리의 구조와 동작원리의 일 실시예를 보여주는 도면이다. 이하 상기 제3a도를 참조하면, 참조번호 32는 게이트하며, 참조번호34 전하를 저장하기 위한 플로팅 게이트하고, 참조번호 36은 소오스이며, 참조번호 38은 드레인이다.3a-3d are views showing one embodiment of the structure and operation principle of the flash memory in the second operation. Referring to FIG. 3A, reference numeral 32 denotes a gate, and reference numeral 34 denotes a floating gate for storing charges, reference numeral 36 denotes a source, and reference numeral 38 denotes a drain.

이하 플래쉬 메모리 18의 동작원리를 살펴보기로 한다. 제 3b도를 살펴보면, 데이터의 기록모드시 소오스 36와 드레인 38간에 전압이 유기되고, 게이트 32에 드레인 38보다 높은 전압이 인가되면, 전자는 플로팅 게이트 34에 저장된다. 제3c도를 살표보면, 데이터 소거모드시 소오스 36에 게이트 32보다 높은 전압을 인가하고, 드레인 38은 오픈상태로 두면, 전자는 플로팅 게이트 34에서 소오스 36으로 빠져나오게 된다. 또한 제3d도를 살표보면, 데이터 읽기모드시 소오스 36을 접지하고, 게이트 32에 드레인 38보다 높은 전압을 인가했을 경우 플로팅 게이트 34에 저장된 전자의 유무에 따라 드레인 38의 값이 검출된다.Hereinafter, the operation principle of the flash memory 18 will be described. Referring to FIG. 3B, when a voltage is applied between the source 36 and the drain 38 in the data write mode and a voltage higher than the drain 38 is applied to the gate 32, the electrons are stored in the floating gate 34. Referring to FIG. 3C, in the data erase mode, a voltage higher than the gate 32 is applied to the source 36, and the drain 38 is left open, so that the electrons escape from the floating gate 34 to the source 36. 3, in the data reading mode, when the source 36 is grounded and a voltage higher than the drain 38 is applied to the gate 32, the value of the drain 38 is detected depending on the presence or absence of electrons stored in the floating gate 34.

제4도는 종래의 플래쉬 메모리로 기록하기 위한 제어부의 처리흐름도를 보여주는 도면이다. 이하 상기 제4도를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 먼저, 여기서 사용되는 비휘발성 메모리는 재 기록이 가능한 EEPROM, 플래쉬 메모리 동일이며, 실시예는 플래쉬 메모리로 구현됨을 밝혀둔다.FIG. 4 is a flowchart showing a process flow of a control unit for recording data in a conventional flash memory. Hereinafter, this will be described in detail with reference to FIG. First, it is noted that the nonvolatile memory used here is the same as the rewritable EEPROM and flash memory, and the embodiment is implemented as a flash memory.

제어부 12는 단계 411에서 기록 데이터가 발생될 시 기록영역에 데이터가 존재하는지를 단계 412에서 검사한다. 그리하여 데이터가 기록된 영역에 다시 재기입하고자 할 경우 단계 413에서 제어부 12는 소거과정을 거쳐 기록영역을 확보해야 한다. 이후 단계 414에서 플래쉬 메모리 14는 상기 유휴영역에 제어부 12로 부터의 기록 데이터를 데이터 버스를 통해 입력하여 해당 영역에 기록한다. 그리고 단계 415에서 제어부 12는 해당 영역에 상기 기록 데이터가 기록되었는지 확인하여 단계 413으로 되돌아가든지 혹은 기록 동작을 종료한다.In step 411, the controller 12 checks in step 412 whether there is data in the recording area when the recording data is generated. If the data is to be rewritten in the area where the data is recorded, the controller 12 must secure the recording area through the erasing process in step 413. Thereafter, in step 414, the flash memory 14 inputs write data from the controller 12 to the idle area through the data bus and records the write data in the corresponding area. In step 415, the control unit 12 checks whether the record data is recorded in the corresponding area, and returns to step 413 or ends the recording operation.

IO형태의 비휘발성 메모리의 해당영역에 정보가 기록되어 재 기록하기 위해서는 제어부 12는 단계 413에서와 같이 우선적으로 해당영역의 데이터를 일정한 순서에 따라 소거하는 절차를 거친 후 새로운 기록 데이터를 저장해야 한다. 따라서 종래 기술의 문제점은 소거와 기록을 위해 제어부 12는 계속적으로 메모리의 상태를 제어해야 하므로 이에 따른 전력 소모가 발생하게 된다.In order to record information in the corresponding area of the IO type nonvolatile memory and re-record, the controller 12 firstly stores the new record data after a procedure of erasing the data of the corresponding area in a predetermined order as in step 413 . Therefore, the problem of the related art is that the control unit 12 continuously controls the state of the memory for erasing and recording, which causes power consumption accordingly.

따라서 본 발명의 목적은 재 기록이 가능한 비휘발성 메모리에 기록 데이터를 기록함에 있어, 사용되지 않은 영역을 먼저 기록하기 위한 비휘발성 메모리에 기록시 시스템의 절전 장치 및 방법을 제공함에 있다.It is therefore an object of the present invention to provide an apparatus and method for saving power in a nonvolatile memory for writing unused areas in a nonvolatile memory for recording write data in a rewritable nonvolatile memory.

본 발명의 또 다른 목적은 재 기록이 가능한 비휘발성 메모리에 기록 데이터를 기록함에 있어, 소거가 요망되는 영역을 전원이 공급될 시 일괄삭제하기 위한 비휘발성 메모리에 기록시 시스템의 절전 장치 및 방법을 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide an apparatus and method for saving power in a system for recording in a nonvolatile memory for collectively deleting an area required to be erased when power is supplied, .

제 1 도는 통상적으로 메모리를 제어하기 위한 시스템의 블록구성도를 개략적으로 보여주는 도면.FIG. 1 schematically shows a block diagram of a system for controlling a memory. FIG.

제 2 도는 제 1 도에서 메모리와 제어부의 인터페이스 관계를 보여주는 도면.FIG. 2 is a view showing an interface relation between a memory and a control unit in FIG. 1; FIG.

제 3a 도는 제 2 도에서 플래쉬 메모리의 구조를 보여주는 도면Figure 3a is a drawing showing the structure of the flash memory in Figure 2

제 3b 도는 제 3a 도에서 데이터 기록모드일 시의 동작원리를 보여주는 도면.FIG. 3b is a view showing the operation principle in the data recording mode in FIG.

제 3c 도는 제 3a 에서 데이터 소거모드일 시의 동작원리를 보여주는 도면.FIG. 3c is a diagram showing the operation principle of the data erase mode at the step 3a; FIG.

제 3d 도는 제 3a 도에서 데이터 읽기모드일 시의 동작원리를 보여주는 도면.FIG. 3D is a diagram showing the operation principle when the data reading mode is shown in FIG.

제 4 도는 종래에서 플래쉬 메모리로 기록하기 위한 제어부의 처리흐름도를 보여주는 도면.FIG. 4 is a flowchart showing a processing flow of a control unit for writing to a flash memory in the related art; FIG.

제 5 도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 플래쉬 메모리로 기록하기 위한 제어부의 처리흐름도를 보여주는 도면.FIG. 5 is a flowchart showing a processing flow of a control unit for writing into a flash memory according to a preferred embodiment of the present invention; FIG.

제 6a-6f 도는 제 5 도에 의거한 플래쉬 메모리의 맴도의 처리 결과를 보여주는 도면.Figures 6a-6f show the processing results of the memory of the flash memory according to Figure 5;

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

12 : 제어부 14 : I/O 포트12: control unit 14: I / O port

16 : 전원공급부 18 : 플래쉬 메모리16: power supply unit 18: flash memory

이하 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면의 참조와 함께 상세히 설명될 것이다. 도면들중 동일한 구성요소들은 가능한한 어느곳에서든지 동일한 참조부호들을 나타내고 있음을 유의하여야 한다. 또한 하기의 실시예의 설명에서는 본 발명에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흐트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be noted that like elements in the drawings denote the same reference numerals whenever possible. It should be noted that only the parts necessary for understanding the operation according to the present invention will be described in the following description of the embodiments, and the description of the other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.

여기에서 사용되는 "유휴영역"이라는 용어는 메모리내에 기록 데이터가 존재하지 않은 영역을 나타낸다.As used herein, the term "idle zone" refers to an area where there is no record data in the memory.

제5도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 플래쉬 메모리로 기록하기 위한 제어부의 처리흐름도를 보여주는 도면이다. 이하 제5도를 참조하여 상세하게 설명하고자 한다.FIG. 5 is a flowchart showing a process of a controller for writing data into a flash memory according to a preferred embodiment of the present invention. This will be described in detail with reference to FIG. 5 below.

전원스위치가 온되어 시스템이 가동될 시 단계 511에서 전원이 연결될 시 제어부 12는 단계 512에서 제6a도와 같이 데이터를 임시 저장하느 제거큐에 기록된 데이터를 일괄 삭제한다. 이후 단계 513에서 기록데이터가 발생될 시 단계 514에서 제어부 12는 현재 메모리 내에 사용하지 않은 영역인 유휴영역이 존재하는지를 확인한다. 이에 유휴영역이 있으면 단계 515에서 제어부 12는 해당 영역에 기록데이터를 기록한다. 한편 단계 514에서 유휴영역이 존재하지 않을 시 단계 516에서 제어큐에 가장 먼저 기록된 어드레스의 데이터를 저장에 소용되는 양만큼 삭제한다. 이후 삭제된 영역에 단계 517에서 제어부 12는 기록 데이터를 기록한다. 제어부 12는 단계 518에서 삭제가 끝난 후 불필요한 데이터를 분석하고, 삭제할 영역이 발생될 경우 단계 519에서 제거 큐에 기록한다. 그리고 단계 520에서 제어부 12는 전원의 차단에 의거하여 단계 513으로 되돌아가거나 종료한다. 또한 도6a-6f도는 제5도에 의거한 플래쉬 메모리의 맵도의 처리 결과를 보여주는 도면이다. 이하 상기 제5, 6도를 상세하게 설명하고자 한다.When the power switch is turned on and the system is activated, the controller 12 collectively deletes the data recorded in the removal queue for temporary storage of data at step 512 in step 512 when the power is connected in step 511. When the recording data is generated in step 513, the controller 12 checks in step 514 whether there is an idle area which is not used in the current memory. If there is an idle area, the controller 12 records the record data in the corresponding area at step 515. [ On the other hand, if it is determined in step 514 that there is no idle area, in step 516, the data of the address first recorded in the control queue is deleted by an amount usable for storage. In step 517, the control unit 12 records the record data in the deleted area. The control unit 12 analyzes the unnecessary data after the deletion in step 518 and writes the data in the removal queue in step 519 when the area to be deleted is generated. In step 520, the control unit 12 returns to step 513 or terminates based on the interruption of the power supply. FIGS. 6A to 6F are diagrams showing the processing results of the map of the flash memory based on FIG. Hereinafter, the fifth and sixth drawings will be described in detail.

먼저, 제6a-6f의 구성을 참조하면, 제1-제4어드레스addr 1-4는 동일한 크기의 메모리 영역이며, 제거큐(delete queue)는 선입선출(First In First Out : FIFO)구조로 제어부 12의 제어하에 상기 메모리 영역의 삭제될 데이터의 어드레스를 순차적으로 기록하고, 삭제될 시 삭제되는 어드레스의 해당 메모리 데이터도 삭제된다. 이때 데이터의 기록은 모두 업데이터에 해당됨을 가정한다.Referring to FIGs. 6a-6f, the first-fourth addresses addr 1-4 are memory areas of the same size, and the delete queue is a first-in first-out (FIFO) 12, the address of the data to be deleted in the memory area is sequentially written, and the corresponding memory data of the address to be deleted at the time of deletion is also deleted. At this time, it is assumed that all of the data are recorded in the updater.

제6b도에서 제1데이터 D1는 메모리 영역이 모두 비어있으므로 단계 514, 515를 통해 제1, 제2어드레스 addr 1, 2에 기록된다. 또한 제6c를 살펴보면, 제1데이터 D1에 업데이트된 제2데이터 D2가 입력되면, 기록할 수 있는 메모리 영역은 제3, 제4어드레스 addr 3, 4이므로 단계 514, 515를 통해 상기 제2데이터 D2는 제3어드레스 addr3의 해당영역에 기록된다. 이때 상기 제1데이터 D1은 더 이상 필요없는 데이터이므로 단계 519에 의해 제1, 제2으드레스 addr 1, 2는 제거큐에 등록된다. 그리고 제6c도에서 두 영역이 필요한 제3데이터 D3를 기록할 시 단계 514에 의해 유휴영역이 부족하므로 제6d도와 같이 제거큐내에 등록된 데이터중 가장 오래된 제1어드레스 addr1를 삭제하게 된다. 이는 단계 516의 과정이다. 그리고 단계 517와 같이 삭제후 제3데이터 D3은 제1, 제4어드레스 addr1, 4에 기록된다. 기록 후 불필요한 데이터인 제2데이터 D2에 해당하는 제3어드레스 addr3은 제6e도와 같이 제거큐에 등록된다. 이후 전원이 차단되고, 또 다시 전원이 연결될시 제6f도와 같이 제거큐내의 모든 데이터는 삭제된다.In FIG. 6B, the first data D1 is written to the first and second addresses addr 1 and 2 through steps 514 and 515 because all memory areas are empty. If the updated second data D2 is input to the first data D1, since the memory areas that can be written are the third and fourth addresses addr3 and 4, the second data D2 Is recorded in the corresponding area of the third address addr3. At this time, since the first data D1 is no longer needed, the first and second addresses addr 1 and 2 are registered in the removal queue in step 519. When recording the third data D3 requiring two areas in FIG. 6C, since the idle area is insufficient in step 514, the oldest address addr1 of the data registered in the removal queue is deleted as shown in FIG. This is the process of step 516. Then, as shown in step 517, the third data D3 after the deletion is recorded in the first and fourth addresses addr1 and 4. The third address addr3 corresponding to the second data D2 which is unnecessary data after the recording is registered in the elimination queue as shown in Fig. 6e. Then all the data in the removal queue is deleted as shown in 6f when the power is shut off and the power is connected again.

전술된 바와 같이 본 발명은 재 기록이 가능한 비휘발성 메모리에 데이터를 기록할 시 삭제과정을 최소화하여 삭제로 인한 전력의 낭비를 방지할 수 있고, 또한 제거큐에 등록되어 삭제될 어드레스에 대한 해당 데이터는 필요에 따라 복구할 수 있다는 잇점이 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to minimize a deletion process when writing data in a rewritable nonvolatile memory, thereby preventing waste of power due to deletion, Can be recovered as needed.

Claims (3)

데이터의 재 기록이 가능한 비휘발성 메모리르 억세스하는 장치에 있어서, 전원을 공급하는 전원공급부와, 상기 비휘발성 메모리의 삭제할 어드레스를 임시 저장하는 영역과, 상기 전원이 동작전원으로 입력될 시 상기 삭제할 어드레스를 소거하며, 기록 데이터가 발생될 시 상기 메모리의 유휴영역이 존재할 경우 상기 기록데이터를 상기 유휴영역에 기록하며, 상기 유휴영역이 존재하지 않을 시 가장 오래된 데이터를 삭제한 후 기록하고, 상기 메모리에서 상기 삭제할 어드레스가 존재할 시 상기 삭제할 어드레스를 상기 임시 저장 영역에 기록하는 제어부로 구성됨을 특징으로 하는 비휘발성 메모리에 기록시 시스템의 절전 장치.An apparatus for accessing a nonvolatile memory capable of rewriting data, the apparatus comprising: a power supply unit for supplying power; an area for temporarily storing an address to be deleted of the nonvolatile memory; Writes the write data in the idle area when there is an idle area of the memory when the write data is generated, deletes the oldest data when the idle area does not exist, and records the deleted data in the memory And a controller for recording the address to be deleted in the temporary storage area when the address to be deleted is present, in the nonvolatile memory. 제1항에 있어서, 상기 임서 저장 영역은 선입선출구조임을 특징으로 하는 비휘발성 메모리에 기록시 시스템의 절전 장치2. The nonvolatile memory according to claim 1, wherein the temporary storage area is a first-in first-out structure. 데이터의 재 기록이 가능한 비 휘발성 메모리와, 상기 비휘발성 메모리로 부터의 삭제할 어드레스를 임시 저장하는 영역과, 전원공급부와, 상기 전원공급부의 전원을 동작전원으로 입력하는 제어부에서, 상기 제어부가 상기 비휘발성 메모리에 기록하기 위한 방법에 있어서, 상기 전원이 동작전원으로 입력될 시 상기 임시 저장영역의 삭제할 어드레스를 소거하는 과정고, 상기 유휴영역이 존재할 시 상기 기록데이터를 상기 유휴영역에 기록하는 과정과, 상기 유흉영역이 존재하지 않을 시 가장 오래된 데이터를 삭제한 후 기록하는 과정과, 상기 삭제할 어드레스가 존재할 시 상기 삭제할 어드레스를 상기 임시 저장 영역에 저장하는 과정으로 이루어짐을 특지으로 하는 비휘발성 메모리에 기로기시 시스템의 절전방법A nonvolatile memory capable of rewriting data; an area for temporarily storing addresses to be deleted from the nonvolatile memory; a power supply section; and a control section for inputting power of the power supply section as an operation power supply, A method for writing to a volatile memory, the method comprising the steps of: erasing an address to be deleted of the temporary storage area when the power is input to an operation power source; writing the write data to the idle area when the idle area exists; And storing the oldest data in the temporary storage area when the address to be deleted exists in the non-volatile memory. The method of claim 1, Power saving method of the system
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