KR100216657B1

KR100216657B1 - 마그네트론

Info

Publication number: KR100216657B1
Application number: KR1019930703900A
Authority: KR
Inventors: 미카일 페도로비치 코필로프; 보리스 바실리에비치 본다렌코; 블라디미르 이리히크 마코프; 빅토르 알렉산드로비치 나자로프
Original assignee: 빅토르 스테파노비치 로베체프; 오트크라이토에아크테시오노에르노에오브스체스테보"플루톤"
Priority date: 1992-04-15
Filing date: 1992-06-26
Publication date: 1999-09-01
Also published as: EP0593768B1; KR940701581A; WO1993021648A1; UA7649C2; JPH06510629A; JP2740793B2; EP0593768A4; DE69221873T2; DE69221873D1; EP0593768A1; RU2007777C1

Abstract

마그네트론은 양극(1)과 음극을 포함하고, 상기 음극은 양극안에 설치되며, 표면에 정열된 제1 및 제2 방출부품을 가진 막대(2) 형태로 만들어졌다. 제1 방출부품은 견고한 초박막 금속으로 제작되고, 중심에 구멍을 가진 최소한 하나의 평면 디스크(3)형태로 만들어진다. 제2방출부품은 방출활성물질로 제작된 적어도 하나의 원통형 부시(4) 형태로 만들어진다. 디스크(3)의 외경은 0.1 내지 내부전극 간격값인 0.2정도 부시(4)의 외경을 초과한다. 인접한 디스크(3) 및 부시(4)의 끝면은 서로 인접해 있다.

본 발명은 예비적인 음극 가열없이 순간적으로 마그네트론을 점화하는 것이 가능하게 하며, 상기 순가점화가 가능한 것은 전기장 방출을 얻기 위해 요구되는 전기장 세기를 마그네트론을 여기하기에 충분한 값으로 제공하기 때문이다.

Description

마그네트론

본 발명은 마이크로파 전자장치에 관한 것이고, 더욱 상세하게는 마그네트론에 관한 것이다.

공지된 선행 기술인 미국 특허 제 3,109,123호의 마그네트론은 양극과 음극을 포함하는데, 음극은 전기장을 집중시키기 위해 다수의 얇은 도선(thin wires)이 배열된 예리한 모서리를 가진 디스크 형태로 된 표면 부분을 가진다. 동일한 목적을 위해서, 마그네트론에는 특별한 모양의 집속판(screens)이 제공되고, 상기 집속판에는 음극 코어와는 다른 전위가 주어진다. 전기방전 과정 없이 예리한 모서리와 다수의 도선만으로는 필요한 자동 전자방출을 제공하지 못하기 때문에 마그네트론이 여기될 수 없다. 이외에도, 예리한 모서리의 모양이 변하여 소위 형상 요소의 계수가 감소되어 결국 전기장 세기의 감소로 나타나기 때문에 마그네트론 동작시에 안정한 전기장 방출을 얻을 수 없다.

또다른 공지된 선행 기술인 프랑스 특허 제 1,306,999 호의 마그네트 론은, 양극과 양극 안에 동축으로 정렬되어 있으며 표면에 1차 및 2차 전기장 방출을 가능하게 하는 부품들이 번갈아 제공되는 막태형태의 음극을 포함한다. 이외에도 마그네트론에서 1차 및 2차 전기장 방출을 가능하게 하는 부품들은 각각 1차 및 2차 전기장 방출을 제공하는 교호 줄무늬 형태의 능동 방출 물질로 음극표면에 만들어진다.

상기 경우에, 1차 전기장 방출을 가능하게 하는 부품에 마그네트론의 장 여기(field excitation)에 필요한 전기장 세기의 값이 지시되어 있지 않다. 밀리미터와 센티미터-내역 마그네트론에 대해 킬로볼트 내지 수십 킬로볼트 범위의 양극 전압으로 마그네트론의 음극에서 전기장을 계산하면 전기장 세기의 값이 5×10⁵V/를 초과하지 않는다는 것을 증명해 주는데 반하여, 전기장 방출을 위해 요구되는 전기장 세기의 값은 방출부품이 최소 효율일 때 10⁷V/정도여야 한다. 그래서, 5×10⁵V/의 전기장 세기의 전기장 방출(field emission, cold emission)에 충분하지 않고, 따라서 전자 방출을 위해 음극 축에 평행 또는 수직으로 줄무늬 또는 링 형태의 코팅을 하는 것은 마그네트론을 시동하기에 필요한 전기장 방출을 보장하지 못한다. 냉각상태에서 전자의 방출을 보장하는 두 개의 서로 다른 코팅의 존재 및 2차 전자방출은 능동 물질이 음극에서 양극으로 그리고 그 역으로 이동되기 때문에 마그네트론의 작동 동안 안정적일 수 없다. 그 결과, 균일한 혼합 코팅이 음극표면 전체에 걸쳐 형성된다. 따라서, 마그네트론의 장 여기가 보장될 수 없다. 전기방전 과정에 의해 가능한 마그네트론의 장 여기(field excitation, cold excitation)의 경우에, 능동 방출 물질로 코팅된 음극표면은 음이온의 충돌로 인해 빠르게 손상된다. 따라서, 주어진 마그네트론은 음극의 예비가열 및 입력(여기)신호의 전달 없이는 순간 점화(최초 펄스로)를 보장할 수 없고, 신뢰도와 지속성을 가질 수 없다.

본 발명은 마그네트론의 디자인과 생산기술, 그리고 1차 및 2차 방출을 보장하는 적합한 부품 물질을 개별적으로 선택함에 의해 마그네트론을 여기하기에 충분한 전기장 방출을 얻는데 필요한 전기장의 세기가 제공되기 때문에, 음극의 예비가열 없이 순간점화(최초의 펄스로)가 가능하며, 사용수명이 늘어나며, 마그네트론과 마그네트론을 포함하는 스위칭 장치의 신뢰도가 적절하게 개선되는 마그네트론을 제공하는데 목적이 있다.

전술한 목적은 양극 및 음극을 포함하는 마그네트론으로서 상기 음극은 그 표면상에 번갈아 배치된 1차 방출부품들 및 2차 방출부품들을 가진 원통형 막대 형태로 상기 양극의 내부에 상기 양극과 동축으로 설치되어 있는 마그네트론에 있어서, 본 발명에 따라, 상기 1차 방출부품은 매우 얇은 내화(refractory) 금속 박막으로 만들어진, 중심에 구멍이 있는 적어도 하나의 평면 디스크의 형태로 제조되며, 상기 2차 방출부품은 능동 방출 물질로 제조된 적어도 하나의 원통형 부시(bush) 형태로 상기 1차 방출부품과 동축으로 제조되며, 상기 평면 디스크의 외경이 상기 원통형 부시의 외경보다 전극간 간격의 0.1 내지 0.2배 정도만큼 더 크며, 서로 인접한 상기 평면 디스크와 상기 원통형 부시의 단부들은 서로 접하는 마그네트론에 의해 달성된다.

원통형 부시에 대한 평면 디스크의 상기와 같은 배치는 형상 요소 계수(β)로 인한 디스크 모서리에서의 전기장의 충분한 집중과 마그네트론의 신뢰성있는 여기를 보장한다. 평면 디스크에 제공된 중심 구멍과 디스크 및 원통형 부시의 동축 배치는, 원주를 따라 어디에서나, 1차 방출부품이 2차 방출부품의 표면 위로 균일하게 투사되도록 한다. 만일 1차 방출부품의 외경이 2차 방출부품의 외경보다 전극간 간격의 0.2배 보다 크게 만들어진다면, 1차 방출부품은 공간전하운(space charge cloud)밖에 있게 되어 손상될 것이다. 게다가, 마그네트론의 불안정한 작동은 스파크 형태로 일어난다. 만일 1차 방출부품의 돌출부분이 전극간 간격의 0.1배 보다 작다면, 전기장 방출을 얻기 위해 요구되는 전기장 세기의 예정 값을 확보할 수 없다.

그러므로, 소정 형태의 소정 물질로 된 1차 및 2차 방출부품의 실시예와 전기장 방출을 얻기 위해 필요한 충분한 전기장 세기를 제공함에 의해 음극의 예비가열 없이도 마그네트론의 여기 및 순간점화(최초의 펄스로)가 보장되며, 마그네트론이 이용되는 전송장치의 신회성있는 동작 뿐 아니라 마그네트론 수명과 신뢰도가 증가된다.

1차 방출부품은 능동 방출 물질로 제조된 5개의 평판 디스크 형태로 만들고, 2차 방출부품은 능동 방출 물질로 제조된 4개의 원통형 부시형태로 만드는 것이 바람직하다.

많은 수의 평면 디스크가 있게 되면 디스크간의 거리가 감소되고 인접한 평면 디스크들의 상호분기(mutual shunting) 때문에 전기장의 세기가 감소한다.

각 원통형 부시의 단부면은 절두형 원추(truncated cone)형태로서 원추의 작은 기부(base)가 각 평면 디스크의 단부면과 접하며, 큰 기부의 직경은 원통형 부시의 외경이 되는 것이 바람직하다.

2차 방출부품이 양측에서 1차 방출부품의 단부면에 접해 있기 때문에, 절두형 원추 형태의 단부면으로 환형 흠(annular groove)이 형성된다. 환형 홈은 2차 방출 부품의 차단 효과(screening effect)를 줄여서 전기장의 세기를 증가시킨다.

인접한 평면 디스크와 원통형 부시의 단부면이 내화 금속 박막(thinrefractory metal foil)으로 만들어진, 두께가 적어도 평면 디스크의 두께보다 5 내지 10배정도 큰 평면 원통형 보호 와셔를 통해 서로 접하는 것도 바람직하다.

보호 와셔는 1차 방출부품에 미치는 2차 방출부품의 기계적 화학적 효과로 인한 1차 방출부품의 손상을 막을 수 있도록 한다. 이 실시예에서, 내화 금속의 초미세 박막으로 만들어진 보호와셔는 적어도 평면 디스크 두께의 5 내지 10배의 두께를 가지며, 평면 디스크와 원통형 부시의 접촉점에서 일어나는 물리화학적 작용 때문에 생기는 손상으로부터 디스크를 신뢰성 있게 보호한다.

1차 방출부품은 Ta, Nb, 그리고 W와 같은 내화 금속으로 제작되는 것이 바람직하다.

1차 방출부품을 내화 금속(Ta, Nb, W)중 하나로 제조함에 의해 전기장 방출을 안장화시킬 수 있다.

1차 방출부품은 텅스텐-탄탈(tungsten-tantalum) 합금으로 제작되는 것이 바람직하다.

1차 방출부품으로 내화 금속 합금을 사용하는 것은 전기장 방출을 안정화시키며 안정된 형상을 보장한다.

본 발명은 마그네트론의 여기에 충분한 전기장 방출을 얻기 위해 필요한 전기장 세기를 제공함에 의해, 음극을 예비가열하지 않고도 마그네트론의 순간 점화(최초의 펄스)를 얻고, 마그네트론의 수명을 연장시키며, 마그네트론과 마그네트론을 포함하는 전달장치의 신뢰도를 개선할 수 있도록 한다. 특허청구된 발명에 의하면, 서로 다른 전력의 고주파 펄스에 대해 2,3센티미터 및 밀리미터 대역에서 전기장 여기가 일어나는, 필라멘트 없는 마그네트론을 만들 수 있다. 상기 마그네트론은 순간적인 점화(최초 펄스의 신속성), 높은 신뢰성과 10000 시간이 넘는 지속성, 작은 펄스비 모드에서 큰 펄스비 모드로의 빠른 전환 가능성과 그 역방향으로의 빠른 전환 가능성, 그리고 필라멘트 회로에서 전력소비가 없음으로 인한 높은 경제적 효율을 특징으로 한다. 거의 50개의 무선 부품들이 회로로부터 배제되기 때문에, 전달 장치에서 상기 마그네트론의 사용은 필수적으로 회로의 단순화와 전체 체적 및 무게 감소를 가능하게 한다.

본 발명은 첨부 도면과 관련하여 구체적 실시예를 들어 더 상세히 개시하기로 한다.

제1도는 본 발명에 따른 1차 및 2차 방출부품을 포함한 마그네트론 작동부의 개괄적인 종단면도.

제2도는 하나의 평면 디스크와 두 개의 원통형 부시를 포함한 마그네트론 작동부의 개괄적인 종단면도.

제3도는 다섯 개의 평면 디스크와 네 개의 원통형 부시를 포함한 마그네트론 작동부의 개괄적인 종단면도.

제4도는 2차 방출을 보장하는, 절두형 원추 모양의 단부면을 가진 부품의 구성요소의 단면을 도시한 마그네트론의 종단면도.

제5도는 하나의 평면 디스크, 단부면이 절두형 원추 모양인 2차 방출품의 구성요소, 그리고 보호와셔를 도시한 마그네트론의 종단면도.

제6도는 보호와셔를 통해서 서로 접해 있는 세 개의 평면 디스크와 두 개의 원통형 부시를 포함하는 마그네트론 작동부의 개괄적인 종단면도.

제1도에서 마그네트론의 작동부는 양극(1) 및 음극(2)을 포함하는데, 음극은 그 표면상에 단부가 서로 접하도록 배치된 1차 방출부품 및 2차 방출부품을 가진 원통형 중공 막대(2)형태로 양극의 내부에 양극과 동축으로 설치되어 있다. 1차 방출부품은 매우 얇은 내화 금속 박막(a superfine foil of a refractory metal)으로 만들어진, 중심에 구멍이 있는 적어도 하나의 평면 디스크(3)의 형태로 제조된다. 실시예의 경우, 1차 방출부품은 수분의 1미크론에서 수 미크론 범위의 두께를 가지는 하나의 평면 디스크(3)의 형태로 되어 있고, 스탬핑(stamping) 또는 전기 식각법(electroerosion method)에 의해 제조된다. 2차 방출부품은 능동 방출 물질(emission-active material)로 제조된 적어도 하나의 원통형 부시(cylindrical bush)(4) 형태로서 상기 디스크(3) 및 원통형 중공 막대(2)와 동축으로 설치된다. 실시예의 경우, 2차 방출 부품은 하나의 원통형 부시(4)형태로 만들어져 있다. 2차 방출부품은 Pt, lr, Os, Ru, Rh, Pd와 같은 백금족 금속(platinum group metals)이 주입된 음극 또는 상기 백금족 금속과 더불어 한 개 또는 수 개의 알칼리-토금속(Ba, Sr, Ca) 형태인 활성재의 혼합물을 포함하는 금속 합금에 기초한 음극일 수 있다. 두 개의 집속판(5)이 중공 원통형 막대(2)상에 그와 동축으로 배치되는 데, 이는 몰리브덴 또는 다른 내화 금속 또는 그들의 합금으로 만들어진다. 하나의 집속판(5)은 원통형 부시(4) 쪽에, 다른 집속판(5)은 평면 디스크(3)쪽에 설치되어 있다.

디스크(3)의 외경은 원통형 부시(4)의 외경보다 전극간 간격의 0.1 내지 0.2배정도 만큼 크다. 제1도에서의 부호를 설명하면 다음과 같다.

h-1차 방출부품의 모서리가 2차 방출부품의 표면보다 더 돌출된 높이

d-2차 방출부품의 외경

D-양극(1)의 직경

디스크(3)의 얇은 모서리 상에 전기장이 집중되는 것이 점선으로 도시되어 있다.

1차 방출부품에서 기능부로 사용되는 것은 2차 방출부품의 표면위로 높이 h만틈 돌출한 얇은 모서리이다. 높이 h는 마그네트론에서 능동 방출물질로 만들어진 원통형 부시(4)의 표면상의 동시에 발생하는 공간 전하운(synchronous space charge cloud)의 유효 크기보다 작거나 또는 같아야 한다는 조건으로부터 결정되는데, 다음과 같은 공식으로 나타낼 수 있다.

여기서 d는 2차 방출부품의 외경이며,

₁ ₂로트론 주파수(angular cyclotron frequency)이다.

여기서 f₀는 발생된 주파수이며, n은 진동모드의 수(타입의 경우,, 여기서 N은 마그네트론 공진기의 수량)이다.

여기서 e 및 m은 각각 자유전자의 전하와 질량이고, B는 정자기장(static magnetic field)의 세기이다.

다른 실시예의 마그네트론에서 통상적인 h 값은 전극간 간격의 0.1 내지 0.2배로 구성되는데, 여기서 D는 마그네트론 양극의 직경이고, d는 2차 방출부품의 외경이다.

제2도에 도시된 마그네트론 작동부의 실시예는 제1도에 도시된 마그네트론 작동부와 유사한데, 차이점은 제2도에 도시된 마그네트론의 경우 디스크(3)의 단부에 접한 단부들을 가진 두 개의 2차 방출부품을 포함한다는 것이다. 이외에도, 집속판들(5)이 2차 방출부품들의 반대쪽 단부면에 설치된다.

다섯 개의 평면 디스크(3)와 4개의 원통형 부시(4)를 포함하는 마그네트론의 작동부가 제3도에 도시되어 있는데, 상기 디스크와 부시는 제1도에 나타난 마그네트론의 작동부에 있는 것과 유사하다. 차이점은 집속판(5) 중의 하나(제3도)가 마지막 디스크(3)의 측면에 설치되어 있다는 것이다. 그래서, 1차 방출부품은 마그네트론의 형태와 디자인, 그리고 여자 전류값에 따라 수 개의 디스크(3)로 만들어질 수도 있다. 수 개의 디스크(3)가 설치되는 경우, 디스크간의 상호차단(mutual screening)을 줄이기 위해 디스크간의 최소거리(l)는 다음과 같이 결정된다.

여기서 h는 디스크(3) 모서리의 돌출 높이이며, 이 값은 공식 [1]로부터 구해진다. 만일 상기 조건이 준수된다면, 시동전류(staring current)는 상호차단을 고려하지 않을 때 개별적 디스크들(3)의 전류의 합을 나타내는 최대값으로부터 단지 10정도가 줄어들 수 있다. 다섯 개 이상의 디스크(3)가 있는 경우, 양극(1) 및 음극의 종방향 크기가 상기 디스크의 개수를 허용한다면, 마그네트론 장 여기의 신뢰도를 본질적으로 개선하는 것이 가능하다.

제4도에 도시된 것은 작은 쪽 기부(base)가 디스크(3)의 단부면과 접해 있는 절두형 원추(truncated cone)의 형태로 만들어진 원통형 부시(4)의 단부면을 도시한 마그네트론의 작동부의 단면도이다. 이 실시예에서, 원추의 큰 쪽 기부의 직경이 원통형 부시(4)의 외경이다.

제5도는 제4도에 도시된 마그네트론 작동부와 유사한 디자인을 갖는 마그네트론 작동부의 단면도이다. 단지 차이는 인접한 평면 디스크(3)(제5도)와 원통형 부시(4)의 단부들이 평면 원통형 보호 와셔(6)를 통해 서로 접해 있다는 것이며, 각 와셔(6)는 내화 금속 박막으로 되어 있다. 와셔(6)의 두께는 디스크(3) 두께의 적어도 5 내지 10배이다. 상기 와셔(6)는 바람직하게는 약 15 내지 30㎛ 두께의 텅스텐으로 만들어진다.

제6도에 도시된 마그네트론 작동부의 실시예는 제1도에 나타난 마그네트론 작동부의 디자인과 유사하다. 차이점은 제6도에 나타난 마그네트론이 3개의 디스크(3), 2개의 부시(4), 그리고 4개의 와셔(6)를 포함한다는 것이다. 이외에, 집속판(5)은 첫 번째 디스크와 마지막 디스크(3)의 측면에 설치되고, 와셔(6)들은 인접한 디스크(3)와 부시(4) 사이에 설치된다. 상기 와셔(6)은 부시(4)의 물질과 물리적 화학적 상호작용의 결과로 인해 생길 수 있는 악화(deterioration)로부터 디스크(3)를 보호할 목적으로 설치된다. 예를 들어, 탄탈(tantalum) 박막이 1차 방출부품으로 사용되고 팔라듐-바륨(palladium-barium) 합금이 2차 방출부품으로 사용된다면, 텅스텐으로 만들어진 보호와셔(6)가 설치될 수 있다.

본 발명의 마그네트론은 다음과 같이 작동한다.

양극 전압이 단일 와이어 인입선과 마그네트론 몸체(인입선과 몸체는 도면에 표시되지 않았음)사이에 인가된다. 마그네트론 여기전류는 1차 방출부품 모서리에서 양극(1)으로 향하는 전기장 방출에 의해 확보된다. 상기 전기장 방출은 인가된 양극 전압(음극과 양극(1)간의 전위차)에 의해 만들어진 강한 전기장에 의해 일어난다. 1차 방출부품에서 방출된 전자들은 마이크로파 전자기장의 작용 하에서 가속되고 운동방향이 변하게 되어 그 일부가 2차 방출부품에 충돌하여 2차 전자를 방출시키는데, 이번에는 2차 전자가 사태(avalanche)와 같은 방식으로 증가하여 마그네트론의 주 작동 전류가 확보된다.

제2도 내지 제6도에 도시된 마그네트론의 작동은 제1도에 도시된 마그네트론의 작동과 유사하다.

따라서, 본 발명은 마그네트론의 여기에 충분한 전기장 방출을 얻기 위해 필요한 전기장의 세기를 제공하기 때문에, 음극의 예비적인 가열 없이도 최초의 펄스로 마그네트론의 순간 시동을 가능하게 한다.

본 발명은 레이더, 항공기, 선박, 우주선, 로켓 등에 이용될 수 있다.

Claims

양극(1) 및 음극을 포함하는데, 상기 음극은 그 표면상에 번갈아 배치된 1차 방출부품들 및 2차 방출부품들을 가진 원통형 막대(2) 형태로 상기 양극의 내부에 상기 양극과 동축으로 설치되어 있는 마그네트론에 있어서, 상기 1차 방출부품은 매우 얇은 내화 금속 박막으로 만들어진, 중심에 구멍이 있는, 적어도 하나의 평면 디스크(3)의 형태로 제조되며, 상기 2차 방출부품은 능동 방출 물질로 제조된 적어도 하나의 원통형 부시(4) 형태로 상기 1차 방출부품과 동축으로 제조되며, 상기 평면 디스크(3)의 외경이 상기 원통형 부시(4)의 외경보다 전극간 간격의 0.1 내지 0.2배정도 만큼 더크며, 서로 인접한 상기 평면 디스크(3)와 상기 원통형 부시(4)의 단부면들은 서로 접하는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제1항에 있어서, 상기 1차 방출부품은 5개의 평면 디스크(3)형태로 만들어지면, 상기 2차 방출부품은 4개의 원통형 부시(4) 형태로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각 원통형 부시(4)의 단부면은 절두형 원추 모양이며, 상기 원추의 작은 쪽 기부는 대응하는 상기 평면 디스크(3)의 단부면과 접하며 상기 원추의 큰 쪽 기부의 직경은 상기 원통형 부시(4)의 외경인 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제1항 또는 제2항에 있어서, 인접한 상기 평면 디스크(3) 및 상기 원통형 부시(4)의 단부면들은 내화 금속 박막으로 만들어진 원통형 평면 보호화셔(6)를 통해서 서로 접하며, 상기 원통형 평면 보호와셔(6)의 두께는 상기 평면 디스크(3)의 두께보다 적어도 5 내지 10배 더 큰 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제3항에 있어서 인접한 상기 평면 디스크(3) 및 상기 원통형 부시(4)의 단부면들은 내화 금속 박막으로 만들어진 원통형 평면 보호화서(6)를 통해서 서로 접하며, 상기 원통형 평면 보호와셔(6)의 두께는 상기 평면 디스크(3)의 두께보다 적어도 5 내지 10배 더 큰 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 1차 방출부품은 탄발, 니오븀, 또는 텅스텐과 같은 내화 금속중의 하나로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제3항에 있어서, 상기1차 방출부품은 탄탈, 니오븀, 또는 텅스텐과 같은 내화 금속중의 하나로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제4항에 있어서, 상기 1차 방출부폼은 탄탈, 니오븀, 또는 텅스텐과 같은 내화 금속중의 하나로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제1,2,5,7,8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 1차 방출부품은 텅스텐-탄탈 합금으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제3항에 있어서, 상기 1차 방출부품은 텅스텐-탄탈 합금으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제4항에 있어서, 상기 1차 방출부품은 텅스텐-탄탈 합금으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
제6항에 있어서, 상기 1차 방출부품은 텅스텐-탄탈 합금으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.