KR100213759B1 - Fabricating method of micro-beam for semiconductor sensor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 실리콘 웨이퍼에 엥커형성과 산화막을 증착하고 식각중지층을 본딩하여 마이크로 빔의 형상과 두께를 정확하게 제어할 수 있도록 하는 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a micro beam for a semiconductor sensor, and an object thereof is to precisely control the shape and thickness of the micro beam by depositing an anchor and depositing an oxide film on a silicon wafer and bonding an etch stop layer.

본 발명에 따른 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법은 실리콘 웨이퍼(1)에 엥커(la)를 형성하여 산화막(2)을 증착하고 식각중지층(5)을 본딩한 후, 실리콘 웨이퍼(1)를 패터닝하고 산화막(2)을 식각함으로써 구조체인 마이크로 빔이 형성된다.In the method of manufacturing a micro beam for a semiconductor sensor according to the present invention, an anchor layer (la) is formed on a silicon wafer (1) to deposit an oxide film (2), the etching stop layer (5) is bonded, and then the silicon wafer (1) is bonded. By patterning and etching the oxide film 2, a microbeam as a structure is formed.

이에 따라 본딩된 식각중지층(5)에 의해 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 제어가 가능하며 마이크로 빔(4)의 형상을 정확하게 패터닝할 수 있기 때문에 기계적 특성이 우수하며 정확한 마이크로 빔(4)을 얻을 수 있는 이점이 있다.Accordingly, the thickness of the silicon wafer 1 can be controlled by the bonded etch stop layer 5, and the shape of the micro beam 4 can be accurately patterned, thereby obtaining excellent micro-beams 4 with excellent mechanical properties. There is an advantage to this.

Description

반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법Manufacturing method of micro beam for semiconductor sensor

본 발명은 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 식가중지층을 통해 재현성이 뛰어나고 생산성을 향상시키는 마이크로 빔의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a micro-beam for semiconductor sensors, and more particularly, to a method for manufacturing a micro-beam which is excellent in reproducibility and improves productivity through a food stopping layer.

일반적으로 반도체 센서의 재료로는 게이지 팩터가 크고, 히스테리시스가 적으며 집적회로 제조 공정을 적용할 수 있는 단결정 실리콘이 널리 활용되고 있으며, 자동차 중심 주위에 발생되는 자전운동의 속도와 회전각 속도 즉, 요 레이트(YAW RATE)를 측정하기 위해서는 마이크로 빔이 필수적으로 요구된다. 제1도는 이러한 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조공정을 개략적으로 도시한 것이다.In general, single-crystal silicon, which has a large gauge factor, low hysteresis, and can be applied to integrated circuit fabrication processes, is widely used as a material for semiconductor sensors. To measure the yaw rate, a micro beam is essential. FIG. 1 schematically shows a manufacturing process of such a micro beam for a semiconductor sensor.

마이크로 빔의 제조방법은 이에 도시한 바와 같이, 산화막 증착 단계(10)와 폴리 실리콘 증착 단계(20), 그리고 패터닝 단계(30) 및 산화막 식각 단계(40)로 크게 이루어져 있다.As shown therein, the method of manufacturing the micro beam is largely comprised of an oxide film deposition step 10, a polysilicon deposition step 20, a patterning step 30, and an oxide film etching step 40.

산화막 증착 단계(10)는 실리콘 웨이퍼(1) 위에 산화막(2)을 증착하는 것이며, 실리콘 증착 단계(20)는 산화막(2)이 증착된 실리콘 웨이퍼(1) 위에 다시 폴리 실리콘(3)을 증착하는 것이다.The oxide film deposition step 10 is to deposit an oxide film 2 on the silicon wafer 1, and the silicon deposition step 20 deposits polysilicon 3 again on the silicon wafer 1 on which the oxide film 2 is deposited. It is.

그리고 패터닝 단계(30)는 두께가 상당히 얇은 폴리 실리콘(3)을 사진 공정등을 거쳐 원하는 형상으로 식각하여 패터닝을 형성하는 것이다.In the patterning step 30, the polysilicon 3 having a relatively thin thickness is etched into a desired shape through a photographic process or the like to form a patterning.

이 후에 행하는 것이 산화막 식각 단계(40)로 폴리 실리콘(3)을 패터닝 한 다음, 산화막(2)을 희석된 불산(HF) 식각용액에서 식각한다. 이 때, 식각용액의 희석액으로는 불화암모늄 용액이 사용된다.After this, the polysilicon 3 is patterned by the oxide film etching step 40, and then the oxide film 2 is etched in dilute hydrofluoric acid (HF) etching solution. At this time, ammonium fluoride solution is used as a dilution solution of the etching solution.

즉, 실리콘 웨이퍼(1)를 불산 식각용액에 소정시간 담그어 두면, 폴리 실리콘(3)을 패터닝 하였기 때문에 패터닝 된 부분을 통해 산화막(2)과 식각용액이 접촉하게 됨으로써, 산화막(2)이 식각되어 마이크로 빔(4)이 형성된다.That is, when the silicon wafer 1 is immersed in the hydrofluoric acid etching solution for a predetermined time, since the polysilicon 3 is patterned, the oxide film 2 is brought into contact with the etching solution through the patterned portion, whereby the oxide film 2 is etched. The micro beam 4 is formed.

이러한 마이크로 빔(4)은 이에 요구되는 정밀한 두께 제어 및 미세 구조물 제작기술이 중요한 기초 기술로서 부각된다.The micro beam 4 is highlighted as a basic technology in which precise thickness control and microstructure fabrication technology required for this are important.

그러나 종래 마이크로 빔의 제조방법은 실리콘 웨이퍼(1)에 산화막(2)과 폴리 실리콘(3)을 증착하여 패터닝하고, 이 패터닝 된 부분을 통해 식각용액이 침투하여 산화막(2)의 일부를 식각하는데, 이러한 식각은 꼭 적정시간 동안 수행하여야 한다.However, in the conventional method of manufacturing a micro beam, an oxide film 2 and a polysilicon 3 are patterned by deposition on a silicon wafer 1, and an etching solution penetrates through the patterned portion to etch a part of the oxide film 2. However, this etching must be performed for a reasonable time.

즉, 너무 짧은 시간동안 식각을 하면 마이크로 빔(4)이 완벽하게 형성되지 않고, 반대로 너무 긴 시간동안 식각을 수행하면 원하는 형상보다 더 큰 마이크로 빔(4)이 형성된다.In other words, if the etching is performed for too short time, the micro beam 4 is not perfectly formed, whereas if the etching is performed for too long time, the micro beam 4 larger than the desired shape is formed.

그리고 식각용액을 통해 식각이 수해되기 때문에 산화막(2)의 식각면이 고르지 않아 마이크로 빔(4)의 기계적 특성에 영향을 끼치게 되며, 또한, 폴리 실리콘(3)은 물질의 특성상 압저항 효과 및 회로의 내장 등이 어려워 마이크로 빔의 활용 영역의 제한을 가져오게 된다.In addition, since the etching is performed through the etching solution, the etching surface of the oxide film 2 is uneven, which affects the mechanical properties of the microbeams 4. In addition, the polysilicon 3 has a piezoresistive effect and a circuit due to the characteristics of the material. It is difficult to have a built-in, so that the utilization of the micro beam is limited.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 실리콘 웨이퍼에 엥커를 형성하여 산화막을 증착하고 식각중지층을 본딩한 후, 실리콘 웨이퍼를 페터닝하고 산화막을 식각하여 구조체인 마이크로 빔을 형성함으로써, 식각중지층에 의해 실리콘 웨이퍼의 두께 제어가 가능하여 원하는 형상으로 정확하게 패터닝 할 수 있는 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to form an anchor on a silicon wafer to deposit an oxide film and bond an etch stop layer, and then pattern the silicon wafer and etch the oxide film to form a micro beam as a structure. The present invention provides a method of manufacturing a micro beam for a semiconductor sensor that can control the thickness of a silicon wafer by an etch stop layer and can accurately pattern a desired shape.

제1도는 종래 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법을 공정순으로 도시한 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram showing a conventional method of manufacturing a micro beam for a semiconductor sensor in the order of process.

제2도는 본 발명에 따른 마이크로 빔의 제조방법을 공정순으로 도시한 개략적인 블럭도이다.2 is a schematic block diagram showing a method of manufacturing a micro beam according to the present invention in the order of process.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 실리콘 웨이퍼 2 : 산화막1: silicon wafer 2: oxide film

4 : 마이크로 빔 5 : 식각중지층4: micro beam 5: etching stop layer

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 실리콘 웨이퍼에 산화막을 증착한 후 이를 다시 식각하여 마이크로 빔을 제조하는 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼에 산화막을 증착하기 전에 실리콘 웨이퍼의 하면 일부를 오목하게 형성하여 산화막이 두껍게 증착되는 부분이 존재하도록 엥커를 형성하는 단계, 엥커가 형성된 실리콘 웨이퍼 하면에 화학기상반응법을 통해 산화막을 증착한 후, 엥커에 증착된 산화막 일부만이 잔존하도록 실리콘 웨이퍼의 하면을 평활하게 식각하는 단계.In order to achieve the above object, the present invention relates to a method of manufacturing a micro beam for a semiconductor sensor, in which an oxide film is deposited on a silicon wafer and then etched again to produce a micro beam, wherein the bottom surface of the silicon wafer is deposited before the oxide film is deposited on the silicon wafer. Forming an anchor so that a portion of the oxide film is thickly deposited by forming a recess, depositing an oxide film on the lower surface of the silicon wafer on which the anchor is formed by chemical vapor deposition, and then leaving only a portion of the oxide film deposited on the anchor. Etching the lower surface of the wafer smoothly.

평활하게 식각된 실리콘 웨이퍼의 하면에 식각용액에 식각되지 않으며 실리콘 웨이퍼의 두께가 증대되어 그라인딩공정이 용이하도록 식각중지층을 본딩하는 단계, 실리콘 웨이퍼 상면을 그라인딩공정을 통해 마이크로 빔의 요구 두께 t로 가공하는 그라인딩 단계, 마이크로 빔의 요구 두께 t로 가공된 실리콘 웨이퍼 상면을 엥커가 외부와 연통되게 마이크로 빔 형상으로 패터닝하는 단계, 패터닝된 부분을 통해 엥커 내부에 잔존하는 산화막을 식각용액으로 식각 제거하여 마이크로 빔을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Bonding an etch stop layer on the lower surface of the smoothly etched silicon wafer to increase the thickness of the silicon wafer to facilitate the grinding process; Grinding process, patterning the upper surface of the silicon wafer processed to the required thickness t of the micro beam into a micro beam shape so that the anchor communicates with the outside, and etching the oxide film remaining inside the anchor through the patterned portion by etching solution And manufacturing a micro beam.

이하, 본 발명에 따른 하나의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. 제2도는 본 발명에 따른 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법을 공정순으로 도시한 블록도이다. (본 발명의 구조에 있어서, 종래와 동일구성요소에 대해서는 이해의 편의를 위해 동일명칭과 동일부호를 사용하여 설명한다.)Hereinafter, one preferred embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 2 is a block diagram showing a method of manufacturing a micro-beam for semiconductor sensors according to the present invention in the order of process. (In the structure of the present invention, the same components as in the prior art will be described using the same names and the same reference numerals for ease of understanding.)

본 발명에 따른 반도체 센서용 마이크로 빔을 이에 도시한 바와 같이, 산화막(2)을 층착하기 전에 엥커(la)를 형성하며 이를 다시 식각제거하는 다수의 공정을 통해 제조되는데, 이의 제조공정은 엥커형성단계(100)와 산화막 증착단계(200) 및 산화막 식각단계(300), 식각중지층 본딩단계(400), 그라인딩단계(500), 패터닝단계(600) 그리고 산화막 식각단계(700) 등 일련의 공정을 거쳐 제조된다.As shown in the micro-beam for the semiconductor sensor according to the present invention, before forming the oxide film 2, the anchor la is formed through a plurality of processes for forming an etching la and then etching it back. A series of processes such as the step 100, the oxide film deposition step 200, the oxide film etching step 300, the etching stop layer bonding step 400, the grinding step 500, the patterning step 600, and the oxide film etching step 700. It is manufactured through.

엥커형성단계(100)는 실리콘 웨이퍼(1)의 하면을 오목하게 가공하는 것으로 이것은 산화막(2) 증착시 산화막(2)이 두껍게 증착되는 부분이 형성되도록 실리콘 웨이퍼(1)에 오목하게 엥커(la)를 형성하는 것이다.The anchor forming step 100 is to concave the lower surface of the silicon wafer 1, which is concave in the silicon wafer 1 to form a portion where the oxide film 2 is thickly deposited when the oxide film 2 is deposited. ) To form.

이러한 엥커형성단계(100)를 수행한 후에 산화막 증착단계(200)를 수행한다. 산화막 증착단계(200)는 엥커(la)가 형성된 실리콘 웨이퍼(1)의 하면에 화학기상반응법을 통해 소정두께로 산화막(2)을 증착 구성하는 것으로, 엥커(la) 내부에까지 산화막(2)이 증착됨으로써 이부분의 산화막(2)이 가장 두껍게 증착된다. 이때, 화학기상반응법은 기체분자의 분해 또는 반응으로부터 생성물을 기판 표면에 응집 부착시키는 것으로, 일명 CVD법(chemical vapor deposition method)이라고도 한다.After performing the anchor formation step 100, the oxide film deposition step 200 is performed. In the oxide film deposition step 200, the oxide film 2 is deposited to a predetermined thickness on the lower surface of the silicon wafer 1 on which the anchor la is formed by chemical vapor reaction, and the oxide film 2 is even inside the anchor la. By depositing this, the oxide film 2 of this part is deposited thickest. At this time, the chemical vapor reaction method is agglomeration and adhesion of the product on the surface of the substrate from the decomposition or reaction of gas molecules, also known as CVD (chemical vapor deposition method).

계속하여 산화막 증착단계(200) 후에 산화막 식각단계(300)를 수행한다. 이 단계300은 실리콘 웨이퍼(1) 하면이 다시 평활하게 유지되도록 이에 증착된 산화막(2)을 식각용액을 통해 제거하는 것으로, 실리콘 웨이퍼(1) 하면을 평활하게 식각하면 산화막(2)은 앵커(la) 내부에 증착된 일부만이 잔존하게 된다.Subsequently, the oxide film etching step 300 is performed after the oxide film deposition step 200. This step 300 removes the oxide film 2 deposited thereon through the etching solution so that the bottom surface of the silicon wafer 1 is smooth again. When the bottom surface of the silicon wafer 1 is etched smoothly, the oxide film 2 is anchored ( la) only a portion deposited inside remains.

즉, 산화막(2)은 실리콘 웨이퍼(1)의 밋밋한 하면과 엥커(la)가 형성된 부분에 두께 차이가 있기 때문에, 엥커(la) 내부를 제외하고 하면에 증착된 산화막(2)을 용이하게 식각할 수 있다.That is, since the oxide film 2 has a difference in thickness between the flat lower surface of the silicon wafer 1 and the portion where the anchor la is formed, the oxide film 2 deposited on the lower surface except for the inside of the anchor la is easily etched. can do.

산화막 식각단계(300)에 이어서 식각중지층 본딩단계(400)로, 엥커(la)부위에 산화막(2)이 잔존하는 실리콘 웨이퍼(1) 하면에 식각중지층(5)을 본딩한다. 식각용액에 식각되지 않는 식각중지층(5)을 본딩하여 전체적인 두께를 크게 하는 것은 후술하는 실리콘 웨이퍼(1)의 그라인딩(grinding) 공정을 용이하게 하기 위한 것이다. 즉, 실리콘 직접 접합(Silicon Direct Bonding : BOD) 또는 실리콘 유리 양극 접합(Silicon Glass Anodic Bonding) 기술을 통해 실리콘 또는 유리로 이루어진 식각중지층(5)을 본딩하는데, 이러한 기술에 의해 형성된 실리콘 산화질 연막을 식각중지층(5)으로 이용하면 정확한 두께 제어가 가능하며 대단히 평탄하면서도 균일한 다이아프램을 동시에 제작할 수 있다.In the etching stop layer bonding step 400 after the oxide film etching step 300, the etching stop layer 5 is bonded to the bottom surface of the silicon wafer 1 in which the oxide film 2 remains on the anchor portion la. Bonding the etch stop layer 5, which is not etched in the etching solution, to increase the overall thickness is to facilitate the grinding process of the silicon wafer 1 to be described later. That is, the etch stop layer 5 made of silicon or glass is bonded through silicon direct bonding (BOD) or silicon glass anodic bonding, and the silicon oxynitride film formed by this technology By using the etch stop layer (5) it is possible to precisely control the thickness and to produce a very flat and uniform diaphragm at the same time.

그리고 식각중지층 본딩단계(400) 후에 실리콘 웨이퍼 그라인딩단계(500)를 수행한다. 그라인딩단계(500)는 실리콘 웨이퍼(1)의 상면 즉, 엥커(la)가 형성되지 않은 면을 그라인딩(grinding)하여 원하는 마이크로 빔의 두께(t)를 형성하는 것이다. 이 때, 실리콘 웨이퍼(1)의 하면에는 식각중지층(5)이 본딩되어 있어서, 마이크로 빔의 요구되는 두께(t)를 가지도록 그라인딩을 통한 실리콘 웨이퍼(1)의 정밀한 두께 제어가 가능하며, 실리콘 웨이퍼(1)의 상면을 평활하게 가공할 수 있다.After the etching stop layer bonding step 400, the silicon wafer grinding step 500 is performed. The grinding step 500 is to grind the upper surface of the silicon wafer 1, that is, the surface on which no anchor la is formed, to form a thickness t of a desired micro beam. At this time, the etch stop layer 5 is bonded to the lower surface of the silicon wafer 1, so that the precise thickness control of the silicon wafer 1 can be controlled by grinding to have the required thickness t of the micro beam. The upper surface of the silicon wafer 1 can be processed smoothly.

그라인딩단계(500)에 이어 수해되는 패터닝단계(600)는 두께(t)가 상당히 얇게 구성된 실리콘 웨이퍼(1)를 사진 공정 등을 통해 마이크로 빔(4) 형상으로 패터닝하는 것으로, 패터닝된 부분을 통해 엥커(la)는 외부와 연통된다. 이 때, 실리콘 웨이퍼(1)는 그라인딩단계(500)를 통해 워하는 마이크로 빔(4)의 두께(t)만큼 얇게 구성되어 있기 때문에, 패터닝 작업을 용이하게 할 수 있다.The patterning step 600, which is followed by the grinding step 500, is to pattern the silicon wafer 1 having a very thin thickness t into the shape of the micro beam 4 through a photo process, and the like, through the patterned part. An anchor la is in communication with the outside. At this time, since the silicon wafer 1 is configured to be as thin as the thickness t of the micro beam 4 warped through the grinding step 500, the patterning operation can be facilitated.

그리고 식각단계(700)는 패터닝단계(600) 이후에 행하는 것으로, 패터닝 된 실리콘 웨이퍼(1)에서 엥커(la) 내부에 잔존하는 산화막(2)을 식각용액에서 식각한다. 즉, 실리콘 웨이퍼(1) 상면의 패터닝 된 부분을 통해 불화암모늄 용액으로 희석된 불산 식각용액과 엥커(la)내부에 잔존하는 산화막(2)이 접촉하여 식각된다.The etching step 700 is performed after the patterning step 600, and the oxide film 2 remaining inside the anchor la in the patterned silicon wafer 1 is etched in the etching solution. That is, the hydrofluoric acid etching solution diluted with ammonium fluoride solution and the oxide film 2 remaining inside the anchor la are etched through the patterned portion of the upper surface of the silicon wafer 1.

이 때, 실리콘 웨이퍼(1) 하면에 본딩된 식각중지층(5)은 식각용액에 식각되지 않기 때문에, 식각단계(700)에서는 산화막(2)이 완전하게 제거되도록 충분한 시간도안 식각을 수행하는 것이 바람직하다.At this time, since the etch stop layer 5 bonded to the bottom surface of the silicon wafer 1 is not etched in the etching solution, it is preferable to perform etching in the etching step 700 in order to completely remove the oxide film 2. desirable.

이에 따라 원하는 형상의 구조물인 마이크로 빔(4)이 형성되는데 , 실리콘 웨이퍼(1)의 하면에 식각중지층(5)이 본딩되어 있어서 마이크로 빔(4)의 정밀한 두께 제어가 충분히 가능하며, 실리콘 웨이퍼(1)에 패터닝 된 형상 그대로 마이크로 빔(4)이 형성된다.As a result, a micro beam 4 having a structure having a desired shape is formed. An etch stop layer 5 is bonded to the bottom surface of the silicon wafer 1, so precise control of the thickness of the micro beam 4 is sufficiently possible. The micro beam 4 is formed as it is patterned in (1).

결국, 이와 같은 방법으로 실리콘 웨이퍼(1)에 마이크로 빔(4)을 제조하게 되면 정화가한 형상의 구조체를 손쉽게 제작할 수 있고, 또한 재현성이 뛰어난 단결정 실리콘 빔(Single Silicon Beam)을 얻을 수 있으므로 응용 또한 용이하다. 즉, 본딩하는 실리콘을 단결정 실리콘으로 사용하면 단결정 마이크로 빔을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 윗면이 단결정 실리콘이므로 센서 신호 처리 회로를 동시에 제작할 수 있다.As a result, when the micro beam 4 is manufactured on the silicon wafer 1 in this manner, a purified structure can be easily produced, and a single crystal silicon beam having a high reproducibility can be obtained. It is also easy. In other words, when the bonding silicon is used as the single crystal silicon, not only a single crystal micro beam can be obtained but also the top surface is single crystal silicon, so that the sensor signal processing circuit can be simultaneously manufactured.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법은 실리콘 웨이퍼에 엥커를 형성하여 산화막을 증착하고 식각중지층을 본딩한 후, 실리콘 웨이퍼를 패터닝하고 산화막을 식각함으로써 구조체인 마이크로 빔이 형성된다.As described above in detail, the method for manufacturing a semiconductor beam for a semiconductor sensor according to the present invention is a structure by forming an anchor on a silicon wafer, depositing an oxide film, bonding an etch stop layer, patterning the silicon wafer, and etching the oxide film. Micro beams are formed.

이에 따라 본딩된 식각중지층에 의해 실리콘 웨이퍼의 두께 제어가 가능하며 마이크로 빔의 형상을 정확하게 패터닝할 수 있어서 기계적 특성이 우수하며 정확한 마이크로 빔을 얻을 수 있는 이점이 있다.Accordingly, the thickness of the silicon wafer can be controlled by the bonded etch stop layer, and the shape of the micro beam can be accurately patterned, so that the mechanical properties are excellent and an accurate micro beam can be obtained.

Claims (1)

실리콘 웨이퍼(1)에 산화막(2)을 증착한 후 이를 다시 식각하여 마이크로 빔(4)을 제조하는 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼(1)에 산화막(2)을 증착하기 전에 상기 실리콘 웨이퍼(1)의 하면 일부를 오목하게 형성하여 산화막(2)이 두껍게 증착되는 부분이 존재하도록 엥커(la)를 형성하는 단계(100), 상기 엥커(la)가 형성된 상기 실리콘 웨이퍼(1) 하면에 화학기상반응법을 통해 산화막(2)을 증착한 후, 상기 엥커(la)에 증착된 산화막(2) 일부만이 잔존하도록 상기 실리콘 웨이퍼(1)의 하면을 평활하게 식가하는 단계(300), 평활하게 식각된 상기 실리콘 웨이퍼(1)의 하면에 식각용액에 식각되지 않으며 실리콘 웨이퍼(1)의 두게가 증대되어 그라인딩공정이 용이하도록 식각중지층(5)을 본딩하는 단계(400), 상기 실리콘 웨이퍼(2) 상면을 그라인딩공정을 통해 마이크로 빔(4)의 요구 두께 t 로 가공하는 그라인딩 단계(500), 마이크로 빔(4)의 요구 두께 t 로 가공된 상기 실리콘 웨이퍼(1) 상면을 상기 엥커(la)가 외부와 연통되게 마이크로 빔(4) 형상으로 패터닝하는 단계(600), 패터닝된 부분을 통해 상기 엥커(la) 내부에 잔존하는 산화막(2)을 식각용액으로 식각 제거하여 마이크로 빔(4)을 제조하는 단계(700)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법.In the method of manufacturing a micro-beam for a semiconductor sensor which deposits an oxide film 2 on a silicon wafer 1 and then etches the oxide film 2 again, the oxide film 2 is deposited on the silicon wafer 1. Before the step (100) to form a concave portion of the lower surface of the silicon wafer 1 to form an anchor (la) so that there is a portion where the oxide film (2) is thickly deposited, the silicon wafer on which the anchor (la) is formed (1) depositing the oxide film 2 on the lower surface by a chemical vapor reaction method, and then cooling the lower surface of the silicon wafer 1 smoothly so that only a portion of the oxide film 2 deposited on the anchor la remains. (300) bonding the etch stop layer (5) so as not to be etched in the etching solution on the lower surface of the silicon wafer (1) that is etched smoothly, and thus the thickness of the silicon wafer (1) is increased to facilitate the grinding process (400). ), On the silicon wafer 2 The grinding step 500 for processing the desired thickness t of the micro beam 4 through a grinding process, and the anchor la is external to the upper surface of the silicon wafer 1 processed to the required thickness t of the micro beam 4. Patterning 600 in communication with the micro beam (4) shape, by etching the oxide film (2) remaining inside the anchor (la) through the patterned portion with an etching solution to produce a micro beam (4) A method of manufacturing a micro beam for a semiconductor sensor, comprising the step (700).
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